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1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A (2011.07.04)1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上；选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共20分) ．二极管D 的正偏电压D 0.62V U =，电流D 1mA I =，其交流电阻d r = ( )。
A ．620ΩB ．13ΩC ．26ΩD ．310Ω．集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。
A ．抑制温漂B ．增大放大倍数C ．展宽频带D ．降低输出电阻 ．已知图1所示电路中 V CC ＝12V ，R c ＝3kΩ，静态管压降 CEQ ＝6 V ；输出端负载电阻 R L =3 kΩ，若发现电路输出电( )。
A ．R W 减小 B ．R c 减小C ．V CC 减小D ．R b 减小．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 R e ，将使电路的( )。
A ．差模放大倍数增大B ．对共模信号抑制能力增强C ．差模输入电阻增大D ．输出电阻降低．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放( ) 。
A ．耦合电容和旁路电容的存在B ．半导体管极间电容和分布电容的存在。
C ．半导体管的非线性特性D ．放大电路的静态工作点不合适图16．欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ( )。
A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈7．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( )；将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
A ．积分运算电路B ．微分运算电路C ．反相比例运算电路D ．乘方运算电路8．如图2所示框图，要使由基本放大电路及正反馈网络构成的电路能产生正弦波振荡，其起振条件是( )。
(n 为整数)A. πA F n ϕϕ+=，1=F AB. 2πA F n ϕϕ+=，1>F AC. 2πA F n ϕϕ+=，1=F AD. πA F n ϕϕ+=，1>F A9．若图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES │， 则最大输出功率 P om ＝( )。
华南理⼯⼤学《电⼯学》考试真题4华南理⼯⼤学《电⼯学》考试真题4华南理⼯⼤学期末考试A1. Consider the circuit shown in Fig.1 given that U S1=6V , U S2=10V , R 1=4Ω, R 2=2Ω, R 3=4Ω, R 4=1Ω, R 5=10Ω. Find the value of I 1, I 2, I 3, I 4, I 5 and V AB . （6 scores ）S 2Fig.12. Consider the circuit shown in Fig.2, the two ideal diodes are of the same type, v i =6sinwt V , please judge the state of D 1 and D 2 (on or off) and plot the waveform of voltage v O . （6 scores ）v i =6sinFig.23．Consider the circuit shown in Fig.3 given that U S =1V , I S =1A, R 1=R 2=R 3=1Ω. Determine current I 1, I 2 and voltage U in superposition, which elements are supplying power? （8 scores）U SFig.34．Find the Thevenin equivalent circuits for the two-terminal circuit shown in Fig.4 given that R 1=R 2=2k Ω, R 3=0.4k Ω.（10 scores ）ABFig.45. Consider the circuit shown in Fig.5 given I S =9mA, R 1=6k Ω, R 2=3k Ω, C =2µF. The switch S has been open for a long time, and then closed at t = 0, please find theu t C ()after S is closed. (10 scores)2Fig.56. Consider the sinusoidal circuit shown in Fig.6 given that R=8Ω, X L =6Ω, I 1rms =I 2rms =0.2A. Find the value of I rms , V rms , the power factor and reactive power of the total circuit. （10 scores ）CFig.67.A balanced positive-sequence wye three-phase source has line-to-line voltages of 380V rms. this source is connected to a balanced wye-connected load in Fig.7. Each phase of the load is Z=3- j4 . Find the instantaneous current of i a A , i b B , i c C , i Nn ,the apparent power, average power and the reactive power delivered to the load. Assume that the phase of V ab is zero. （10 scores ）Fig.78. Consider the circuit shown in Fig.8 given that R 1=R 2=R 3=10kΩ, R F =20kΩ, u I1= 1V , u I2= 2V , u I3= -1V ,. Find the value of output voltage u O . （10 scores ）u I2u I1uOFR 1R 2R 3u I 39.Transistors are operating in the active region in Fig.9, assume that: β=50, r π=1kΩ, determine ：（1）plot small signal equivalent circuit ；（2）calculate input resistor r i and output resistor r o ；（3）voltage gain A u . (12 scores).Ωu o 12V+－v oFig.910. Consider the source follower illustrated in Figure 10, determine: (1) plot small signal equivalent circuit; (2) Compute the voltage gain, input resistance, and outputresistance. (10 scores)(t v Lfig.1011. Consider the circuit shown in Fig.11, write the logic formula and make simplification in De Morgan’s law, analyze its lo gic function. (8 scores)1.I 1=I 2=S112U R R +=1A 2I 3=I 4=S2U R R 34+=2A 4 I 5=0A5V AB = 0V62.1. When v i >=3V, D 1 on, D 2 off,v o =3V2. When v i <=-3V, D 1 off, D 2 on,v o =-3V 2. When -33．U ''原图U S"I S acts alone ：I 1'=I 2'=0.5I S =0.5A U'=R 3I S +R 2I 2'=1.5V2U S acts alone ：''=''=+=I I U R R 1212 05SA .U"=R 2I 2"=0.5V4so ：I 1=－I 1'+I 1"=0I 2=I 2'+I 2"=1A U =U'+U"=2V电流源I S 是电源84．原电路化为下图：AB 0U U U U R R R U 0S S1SS V ==+-+?='121386R R R R 031214=+=//.k Ω等效电压源电路如下图所⽰： 105.u u I R C C ()()00541+-===S V2 u I R R R R C ()∞=+=SV 1212184τ=+=?-R R R R C 12123410 s6u t u u u C C C C t()()()()=∞+-∞+-0eτ=+-1836250e V t106.CFig.6 Assume ：∠=0V V rms1λ12208=+=R R XL.1369=.o then: -∠=9.362.01rms I A∠=902.02rms I A,?∠=+=6.26179.021rms rms rms I I I A A I rms 18.0= 5 ?∠=+=02)(1L rms rms jX R I V7 Power factor:λ==cos .0898 Reactive power:16.0sin ==?rms rms I V Q Var107.().15531Z R X C =-=∠-?j ΩA B 3800 VU ?=∠ (有效值相量)A 220304423.1 A 553.1I ?∠-==∠∠- 2B C 4496.9 A 44143.1 A I I ??=∠-=∠4各线电流瞬时值A 23.1) A i t ω?=+B 96.9) A i t ω?=-C 143.1) A i t ω?=+A i i i i CB A Nn 0=++= 7().232896S U I l l ==?10V A 3 apparent powerP S ==?λ1739.10W 3 average power Q S ==-?sin .?231610Var 3reactive power108.利⽤叠加原理u O V =-05.要点'=-u O V 2(只有u I1输⼊) ''=u O V 3(只有u I2输⼊) '''=-u O V 15.(只有u I3输⼊) u u u u O O O V ='+''+'''=-05. 9.(1)R B1R B24(2)r R r R R R iB be B B B k ===//.//07912Ωr o =Rc 4A R R r u =-=-=-βC L be //.//.502521625 410SOLUTION(t v R L4Lm L m in o v R g R g v v A '1'+==6G ininin R i v R ==8 x x o i v R =11.F ABCA BC ABC A BC ==+由上式可看出，此逻辑电路功能为A 和BC 异则F ＝1，即“异或”电路.。
华南理工大学期末考试模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（25分）1．二极管最主要的特性是 。
2．三极管是 控制型器件，而场效应管是 控制型器件。
3．射极输出器具有______________恒小于1、接近于1，______________ 和__________同相，并具有_____________高和_______________低的特点。
5．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为_______V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为_________V ，经过电容滤波后为________V 二极管所承受的最大反向电压为 V 。
6、在门电路中，最基本的三种门电路是 门 门和 门。
7．时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为 时序电路和 时序电路。
二、单项选择题 （每小题 2分，总共20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为，则这只三极管是（ ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。
A ．不用输出变压器B ．不用输出端大电容C ．效率高D ．无交越失真 5．稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A ．正向导通区 B ．反向截止区 C ．反向击穿区 6. 图示逻辑电路的逻辑式为( )。
(a) F =A B +A B(b) F =AB AB +(c) F =AB +A B8. 逻辑代数又称为 代数。
最基本的逻辑关系有 、 、 三种。
第1章电路的基本概念与基本定律1.(单选题) 如图所示电路中，电流实际方向为__A___。
A． e流向d B. d流向e C. 无法确定2.(单选题) 如图所示电路中，电流实际方向是由d流向e，大小为4A，电流I数值为__ C____。
A． 4A B. 0A C. ―4A3.(单选题) 电流与电压为关联参考方向是指A。
A. 电流参考方向与电压降参考方向一致B. 电流参考方向与电压升参考方向一致C. 电流实际方向与电压升实际方向一致D. 电流实际方向与电压降实际方向一致4.(单选题) 下面说法正确的是C。
A．电压源与电流源在电路中都是供能的。
B. 电压源提供能量，电流源吸取能量。
C. 电压源与电流源有时是耗能元件，有时是供能元件。
D. 以上说法都不正确。
5.(单选题) 计算元件功率时应注意和的正方向，当和的正方向一致时，计算公式＝，当和的正方向相反时，计算公式＝－，计算结果若＞0表示元件（吸收）功率，表明此元件起（负载）作用。
CA. 吸收，电源B. 发出，电源C. 吸收，负载D. 发出，负载6.(单选题) 额定值为110V，60W的一个白炽灯和额定值为110V，40W的一个白炽灯串联后接到220V的电源上，后果是（B）的白炽灯烧坏。
A. 40WB. 60WC. 40W和60W7.(单选题) 如图所示电路中，供出功率的电源是（A ）。
A. 理想电压源B. 理想电流源C. 理想电压源与理想电流源8.(单选题) 如图所示电路，电压源和电流源释放的功率分别为（ B ）A. 12W，-4WB.–12W，4WC. 12W，4WD.–12W，-4W9.(单选题) 电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路断开时，电路中的电流和电源端电压分为 A 。
A. 0A，3VB. 3A，1VC. 0A，0V10.(单选题) 电源电动势为3V，内电阻为0.3Ω，当外电路短路时，电路中的电流和电源端电压分为D。
A. 10A，3VB. 3A，1VC. 0A ，0VD. 10A，0V11.(单选题) 电容电压与电流的正确关系式应为（B）。
华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A （电类07级，2009.07.06）一、选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。
A.D1导通，D2截止，0.7V OU =B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =-C.D1截止，D2截止，12V O U =D.D1导通，D2导通，0.7V OU =2． 图2所示共射放大电路，设静态时2mA CQ I =，晶体管饱和管压降0.6V CES U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。
A. 饱和；底部B. 饱和；顶部C. 截止；底部D. 截止；顶部3． 在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=，bb'200r =Ω，正弦交流输入电压i t u ω=，则交流输出o u 为（ ）。
A．o )u t ωπ=+ B．o )u t ω= C．o )u t ωπ=+D．o )u t ω=4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（ ）可以构成复合管。
（A）（B）（C）（D ）5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f =时，下列描述正确的是（ ）。
A ．o U &滞后iU &45︒B ．o U &滞后iU &︒135 C ．o U &超前iU &︒45D ．o U &超前iU &135︒6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =&，反馈系数10uiF k =Ω&，开环输入电阻图15.0i R K '=Ω，可推算出其闭环输入电阻ifR '=（ ）。
A. 500k Ω；B. 50k Ω；C.50Ω；D. 5Ω7． 如下图4所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（ ）。
,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《电力电子技术基础》试卷1. 考前请将密封线内各项信息填写清楚；所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)；．考试形式：闭卷；本试卷共五大题，满分100分，考试时间120分钟单项选择题（将正确答案填在题干后面的括号内，共10分）、普通二极管和快速（快恢复）二极管在开关频率上的不同，主要是体现在哪( )A.开通时间B.反向恢复时间C.关断时间D.反向电流延迟时间、晶闸管被触发从断态转入通态就除去触发信号，能维持通态所需要的最小阳( )A.通态平均电流B.浪涌电流C.维持电流D.擎住电流、电压型逆变器中间直流环节贮能元件是……………………………………( )A.电容B.电感C.电阻D.电动机、不可在第一和第四象限工作的变流电路是…………………………………( )A.三相半波可控整流电路B.单相桥式全控整流电路C.三相桥式半控整流电路D.矩阵式变频电路、为了保护电力电子装置，需要在装置中加上必要的过流保护措施，以下选项中不是常用的过流保护措施有……………………………………………( )A、快速熔断器B、过电流继电器C、集－射极电压识别电路D、RC吸收电路、若SPWM逆变器的输出频率变化范围很宽，PWM波的调制方式应采用( )A、异步调制 B 、同步调制 C、分段同步调制 D、分段异步调制、电流型逆变器输出电流波形是……………………………………………( )A、三角波B、正弦波C、矩形波D、梯形波、单相半控桥式整流大电感负载电路中，为了避免出现一个晶闸管一直导通，采取的措施是在负载两端并联( )A、电容B、电感C、电阻D、二极管、电压型三相桥式逆变电路，当采用纵向换流时，每个开关管一个周期导通多( )A、60ºB、120ºC、180ºD、240º、以下的换流方式，哪个不是晶闸管的换流方式…………………………( )A、电源换流B、负载换流C、强迫换流D、器件换流二 、判断题（正确打√，错误打×，共10分）11、GTR 一次击穿后，若集电极电流不超过与最大允许耗散功率相对应的限制，GTR 不会损坏。
