磁介质中的磁场
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三、有磁介质时磁场的计算计算步骤:[例1] 均匀密绕的细螺绕环(环截面半径<<环半径)内充满均匀的顺磁质,磁介质的相对磁导率为μr 绕环有N 匝线圈, 线圈中通电流I 。
求环内的磁场强 度和磁感应强度。
解:·在环内任取一点P ,过P 点作一环路L 如图。
由对称形性知,L 上各点H 的大小相同,方向均沿切向;·由H 的环路定理,⎰ H ⋅d l = μ0NI 有 H ⋅2πr = μ0NI 得 ·因磁介质是均匀的顺磁质,其中B 0= μ0NI /2πr 是螺绕环内部为真空时,环内部的磁感强度。
可见,此题在充介质的情况下,磁感强度增大为环内为真空时的μr 倍。
[例2]一无限长直导线半径R 1,通电为I ,导 线外包有一圆柱状磁介质壳,设磁介质 为各向同性的顺磁质,相对磁导率为μr ,H =2πrμ0NIB =μ0μr H = =μr B 02πrμ0μr NI求:(1)磁介质内外的H 和B ; (2)磁介质表面的磁化电流。
解:(1)求H 和B ·求H ,磁介质壳内: 对称性分析→H 方向如图 取环路L ,由环路定理有 ⎰L H 内⋅d l =I H 内2πr = IH 内= I 2πr(R 1≤ r ≤R 2)j '外 断面图同样可得,磁介质壳外·求B , 方向同H 磁介质壳内磁介质壳外(2)求磁化电流 ·求M , 方向同H 磁介质壳内 M = (μr -1)H 内μ0I 2πrB 外=μ0 H 外=(=B 0)M =(μr -1)I 2πr (R 1≤ r ≤R 2)H 外= I 2πr(R 2≤ r ≤∞)μ0μr I2πr B 内=μ H 内= (>B 0)B 0=μ0I2πr—传导电流的场=μr B 0·求j ' , 方向如图 磁介质外表面I '外= j '外(2πR 2) = (μr -1) I磁介质内表面I '内= j '内(2πR 1) = (μr -1) I I '内和I '外方向相反如图。
磁介质中的磁场
1、有两根外形相同的铁棒,一根为磁铁,另一根不是,怎样才能辨别它们?不准将它们像磁针那样悬挂起来,也不准借助于任何仪器或物件。
答:将一根铁棒垂直置于另一根中间,如有吸引力则第一根是磁铁。
2、试解释为什么磁铁能吸引铁钉之类的铁制物体?
答:铁钉之类铁制物是铁磁质,在外磁场中磁化程度非常大,磁化后就像一个磁铁,在介质内部产生的磁感应强度的方向与顺磁质一样,因此磁铁能吸引铁钉之类的铁制物。
3、试说明磁感应强度和磁场强度之间的区别?
答:磁场强度的环量只与传导电流有关,而磁感应强度的环量还与磁化电流有关。
4、判断以下一些说法的正误:(1)若闭合曲线内不包围传导电流,则曲线上各点的磁场强度为零;(2) 若曲线上各点的磁场强度为零,则闭合曲线内包围的传导电流的代数和为零;(3)不论顺磁质或抗磁质,它们的磁感应强度和磁场强度的方向总是相同;(4)通过以同一曲线为边界的任意曲面的磁感应强度通量是相等的;(5) 通过以同一曲线为边界的任意曲面的磁场强度通量是相等的
答:(1)错;(2)对;(3)对;(4)对;(5)错。
5、如果一闭合曲面包围条形磁棒的一个极,那么通过该闭合曲面的磁通量是多少?答:等于零。
6、为什么蹄型磁铁比条形磁铁产生的磁场更强?
答:条形磁铁比蹄型磁铁组成的回路磁阻要大得多,因此蹄型磁铁产生的磁场更强。
7、磁铁吸引铁钉使它开始运动,铁钉的动能从何而来?
答:从磁能转化而来。
系统的磁能减少,转化为铁钉的动能。
第15章磁介质一、物质的磁化1、磁介质中的磁场设真空中的磁感应强度为的磁场中,放进了某种磁介质,在磁场和磁介质的相互作用下,磁介质产生了附加磁场,这时磁场中任意一点处的磁感应强度2、磁导率由于磁介质产生了附加磁场磁介质中的磁场不再等于原来真空中的磁场,定义和的比值为相对磁导率:介质中的磁导率:式中为真空中的磁导率3、三种磁介质(1)顺磁质:顺磁质产生的与方向相同,且。
略大于1(2)抗磁质:抗磁质产生的与方向相反,且。
略小于1(3)铁磁质:铁磁质产生的与方向相同,且。
远大于1二、磁化强度1、磁化强度定义为单位体积中分子磁矩的矢量和即:2、磁化强度与分子面电流密度的关系:式中为磁介质外法线方向上的单位矢量。
3、磁化强度的环流即磁化强度对闭合回路的线积分等于通过回路所包围面积内的总分子电流三、磁介质中的安培环路定律1、安培环流定律在有磁介质条件下的应用即:2、磁场强度定义为:3、磁介质中的安培环路定律:4、应用磁介质中的安培环路定律的注意点:(1)的环流只与传导电流有关,与介质(或分子电流)无关。
(2)的本身()既有传导电流也与分子电流有关。
既描写了传导电流磁场的性质也描写了介质对磁场的影响。
(3)要应用磁介质中的安培环路定律来计算磁场强度时,传导电流和磁介质的分布都必须具有特殊的对称性。
5、磁介质中的几个参量间的关系:(1)磁化率(2)与的关系(3)与等之间的关系四、磁场的边界条件(界面上无传导电流)ေ、壁介蔨分界面伤边磁感应强度的法向分量连廭,即Ҩ2、磁介谨分界面两龹的磁场强嚦纄切向分量连续,即:Ƞ3 磃感应线的折射定律ā*怎义如图15-1所示)五、铁磁物贩q、磁畴:电子ꇪ旋磁矩取向相同的對区域。
2、磁化曲线(图55-2中曲线)ေ磁导率曲线(图15-2中??曲线)4、磁滞回线ေ图17耩3)图中乺矫끽嚛㠂5、铁磁质与非铁㳁质的主要区别:铁磁物质产生的附加磁场错误!未定义书签。
的比原来真空中的磁场大得多。
文档解密:6cL4SsoDTwyFgJ电磁场与电磁波复习题一、填空1、球坐标系的坐标变量分别为半径r,角度φ,角度θ。
2、散度处处为零的场称为无散场,旋度处处为零的场称为无旋场。
3、无极分子的极化称为位移极化,有极分子的极化称为取向。
4、真空中的恒定电流场是无旋无散场。
5、任一标量场梯度的旋度一定等于0。
6、线性各向同性的均匀介质,极化的本构关系为D=ε E ,磁化的本构关系为βμH ,导电介质的本构关系为J=σE 。
7、恒定磁场的两种磁介质分界面处,磁感应强度的法向分量一定连续。
8、传导电流是指电子离子在导体或液体中形成的电流。
9、均匀平面波的电场强度和磁场强度之比,称为电磁波的___波阻抗_____________。
10、散度定理的公式∮sAds=∫r(∆A)dr 。
11、真空中的恒定磁场是有旋无散场。
12、复能流密度矢量的实部代表流动,虚部代表交换。
13、电磁波的频率描述相位随时间的变化特性, 而波长描述相位随空间的变化特性。
14、根据介质中束缚电荷的分布特性,介质分子可以分为有极分子和无极分子。
15、恒定磁场是有旋无散场。
16、电磁波的周期是描述相位随时间的变化特性,而波长是描述相位随空间的变化特性。
17、复数形式的麦克斯韦方程组是__________________,____________________,________________,___________________。
18、均匀平面波的电场和磁场振幅之比等于__波阻抗_______。
19、损耗媒质的本征阻抗为_②_____(①实数,②复数),损耗媒质又称为_____散媒介____。
20、理想介质分界面两侧电场强度E满足的关系是_E1t=E2t__________,电位移矢量D满足的关系是___D1n=D2n___________。
21、已知介质中有恒定电流分布J,则介质中磁场强度H与J的关系为_D×H=J__________,磁感应强度B的散度为__∆·B=0____________。
一、介质中磁场强度与磁感应强度的定义和关系介质中磁场强度与磁感应强度是磁学中的重要概念,对于理解磁性材料在外磁场中的行为及其应用具有重要意义。
磁场强度(H)是单位磁极所受磁力的大小,在介质中的磁场中,磁场强度是由介质内的磁性电流和外磁场产生的。
而磁感应强度(B)是描述单位面积上磁通量密度的大小,它与介质中磁场中的磁致磁化强度有密切的关系。
二、介质中磁场强度与磁感应强度的物理意义介质中的磁场强度和磁感应强度之间的关系,反映了磁性材料在外磁场中的响应特性。
当介质中存在磁性材料时,介质中的磁场强度与磁感应强度之间存在一定的关系。
这种关系不仅受到磁性材料自身的磁性特性影响,还受到外磁场的影响,这种影响不仅涉及到磁性材料的磁滞特性、磁导率等,还涉及到介质的形状、温度等因素的影响。
三、介质中磁场强度与磁感应强度的影响因素介质中的磁场强度与磁感应强度之间的关系受到多种因素的影响。
介质中的磁化电流和外磁场强度是影响磁场强度的重要因素。
介质中的形状和尺寸、介质的磁化特性等也是影响磁场强度与磁感应强度之间关系的重要因素。
介质的温度、外界环境等也可能会对介质中的磁场强度和磁感应强度产生影响。
四、对介质中磁场强度与磁感应强度的理解介质中的磁场强度与磁感应强度的关系复杂而有趣,需要我们通过理论分析和实验研究不断深化对其的认识。
在应用中,充分理解介质中磁场强度与磁感应强度的关系,对于设计磁性材料的性能和开发磁性材料应用具有重要意义。
通过理论分析和实验研究,可以发现新的磁性材料,拓展磁性材料的应用领域。
介质中磁场强度与磁感应强度的关系,不仅仅具有理论研究的意义,更有着重要的实际应用价值。
五、结语介质中磁场强度与磁感应强度的关系是磁性材料研究的重要内容,其理论分析和实验研究对于磁性材料的设计和开发具有重要的意义。
通过对介质中磁场强度与磁感应强度的深入研究,可以更好地理解磁性材料在外磁场中的行为,并为磁性材料的应用提供理论基础和实验依据。
第七章 有磁介质存在时的磁场上两章讨论了真空中磁场的规律,在实际应用中,常需要了解物质中磁场的规律。
由于物质的分子或原子中都存在着运动的电荷,所以当物质放到磁场中时,其中的运动电荷将受到磁力的作用而使物质处于一种特殊的状态中,处于这种特殊状态的物质也会反过来影响磁场的分布。
本章将以实物物质的电结构为基础,简单说明第一类磁介质磁化的微观机制,用类似于讨论电介质极化的方法研究磁介质对磁场的影响,并介绍有磁介质时的磁场场量和场所遵循的普遍规律,简单介绍磁路的概念和磁路的计算。
§1 磁介质存在时静磁场的基本规律一、磁介质在考虑物质受磁场的影响或它对磁场的影响时,物质统称为磁介质。
与电场中的电介质相似,放在磁场中的磁介质也要和磁场发生相互作用,彼此影响而被磁化,处于磁化状态的磁介质也要激发一个附加磁场使磁介质中的磁场不同于真空中的磁场。
设某一电流分布在真空中激发的磁感应强度为0B ,那么在同一电流分布下,当磁场中放进了某种磁介质后,磁化了的磁介质激发附加磁感应强度B ' ,这时磁场中任一点的磁感应强度B 等于0B 和B ' 的矢量和,即B B B '+= 0如果用实验分别测出真空和有磁介质时的磁感应强度0B 和B,则它们之间应满足一定的比例关系,设可以用下式表示0B B r μ= 式中r μ叫磁介质的相对磁导率,它随磁介质的种类或状态的不同而不同。
由于磁介质有不同的磁化特性,它们磁化后所激发的附加磁场会有所不同。
一些磁介质磁化后使磁介质中的磁感应强度B 稍小于0B ,即0B B <,这时r μ略小于1,这类磁介质称为抗磁质,例如水银、铜、铋、硫、氯、氢、银、金、锌、铅等都属于抗磁质。
另一些磁介质磁化后使磁介质中的磁感应强度B 稍大于0B ,即0B B >,这时r μ略大于1,这类磁介质称为顺磁质,例如锰、铬铂氮等都属于顺磁性物质。
一切抗磁质和大多数顺磁质有一个共同点,就是它们所激发的附加磁场极其微弱,B和0B 相差很小,一般技术中常不考虑它们的影响。
磁介质和磁强度的相关性知识点:磁介质和磁强度相关性一、磁介质的概念磁介质是指在外磁场的作用下,能够表现出磁性的物质。
磁介质分为顺磁质、抗磁质和铁磁质三类。
顺磁质在外磁场作用下,磁化强度与外磁场强度方向相同;抗磁质在外磁场作用下,磁化强度与外磁场强度方向相反;铁磁质在外磁场作用下,磁化强度远大于外磁场强度,并且具有自发磁化的特点。
二、磁强度的定义磁强度是指磁场在某一点上的磁力线密度,是描述磁场强度的一个物理量。
磁强度用符号B表示,单位是特斯拉(T)。
三、磁介质与磁强度的关系1.磁介质对磁场的影响:磁介质放入磁场中,会受到磁场的磁化作用,使磁介质内部产生磁畴,从而改变磁场的分布。
不同类型的磁介质对磁场的影响程度不同。
2.磁介质的磁化强度:磁介质的磁化强度与外磁场强度有关。
当外磁场强度增大时,磁介质的磁化强度也会增大;当外磁场强度减小时,磁介质的磁化强度也会减小。
3.磁介质的磁化率:磁化率是描述磁介质磁化程度的一个物理量,用符号χ表示。
磁化率越大,磁介质的磁性越强。
不同类型的磁介质具有不同的磁化率。
4.磁介质的磁滞现象:磁介质在反复磁化过程中,磁化强度与外磁场强度之间的关系曲线不是直线,而是呈现出一定的滞后现象。
这种现象称为磁滞现象。
磁滞现象反映了磁介质的磁性强弱和稳定性。
5.磁介质的磁损耗:磁介质在磁化过程中,会产生能量损耗,表现为热能。
磁损耗是由于磁介质内部的磁畴壁移动和磁畴转动引起的。
磁损耗越大,磁介质的磁性越弱。
四、磁介质的应用1.磁记录:磁介质在磁记录技术中具有重要应用,如磁盘、磁带等。
不同类型的磁介质具有不同的记录密度和存储时间。
2.磁性材料:磁介质在磁性材料领域有广泛应用,如永磁体、磁性传感器、磁性滤波器等。
磁性材料的性能取决于磁介质的磁性强弱和稳定性。
3.磁疗:磁介质在磁疗领域也有应用,通过磁场作用于人体,达到治疗疾病的目的。
4.磁悬浮:磁介质在磁悬浮技术中起到关键作用,如磁悬浮列车、磁悬浮硬盘等。
一、单项选择题1、一个标量场中某个曲面上梯度为常数时 CA. 其旋度必不为零B. 其散度为零C.该面为等值面D. 其梯度也为零2、一个矢量场的散度为零时 BA. 沿任一闭合曲线的线积分不为零B.沿任一闭合曲面的通量为零C. 其旋度必不为零D. 其梯度必为零3、直角坐标系中的单位向量ex 与ey的矢量积是 DA. 1B. exC. eyD. ez4、已知 ,矢量A=2x-3yex+3x-zey+y-xez,矢量A 的散度为 BA. 1B. 2C. 3D. 45、已知 ,矢量A=2x-3yex+3x-zey+y-xez,矢量A 的旋度为 AA. 2ey+3ezB. 2xex-zeyC. 3x-zD. yey-2xez6、一个矢量场的旋度为零时表示该矢量 DA. 在闭合曲线上的线积分不为零B. 沿任一闭合曲面的通量为零C. 其梯度必为零D. 在一个闭合曲线上的环量等于零7、一个标量场中某个曲面上梯度为零时 DA. 其旋度也等于零B. 其散度为零C. 其散度不为零D. 该面为等值面1、电位等于零处 BA. 电场强度也一定等于零B. 电场强度不一定等于零C. 电场强度是否等于零与电位的参考点的选择有关D. 电场强度的散度也一定为零2、电场强度的大小 BA. 与电荷的分布无关B. 与电位的变化率有关C. 与电位参考点的选择有关D. 与电位参考点的选择无关3、通过一个闭合曲面的电场强度的通量为零 BA. 该闭合曲面内的电荷总和也为零B. 该闭合曲面内的电荷总和不一定为零C. 该闭合曲面上任意点处的电场强度也必为零D. 闭合曲面内任意点处电场强度的散度总是零4、静电场中的导体 AA. 内部电荷必等于零B. 内部电荷不一定等于零C. 其表面电位不相等D. 其表面不一定是等位面5、在介质分界面上 DA. D 的法向分量总是不连续的B. 电位的导数是连续的C. E 的切向分量不连续D. 电位是连续的6、满足给定边界条件的电位微分方程泊松方程或拉普拉斯方程的解是唯一的 CA. 不一定B. 与电荷的存在与否有关C. 是的D. 与电位的参考点的选择有关7、用镜像法求解静电场边值问题时,判断镜像电荷的选取是否正确的根据是 CA. 镜像电荷是否对称B. 镜像电荷q’与电荷q符号相反C. 边界条件是否保持不变D. 镜像电荷q”与电荷q符号相反8、电容器的电容大小与 CA. 电容器的电压有关B. 电容器所带的电量有关C. 电容器的形状及介质有关D. 电容器的内部场强有关9、静电场的能量 AA. 来自于建立电场的过程中外力所做的功B. 来自于电压C. 来自于电流D. 与介质的性质无关10、电场强度线与等电位线总是AA. 正交B. 平行C. 重合D. 成右手螺旋关系11、在各向同性的线性均匀介质中,电位移矢量D与电场强度矢量E的方向 BA. 总是相同的B.是否相同与介质有关C. 不一定相同D. 是否相同与介质无关12、在分界面两侧,电场强度的切线分量 AA. 总是相等的B. 总是不相等的C. 不一定相等D. 是否相等与电位有关13、镜象电荷q'与电荷q的符号 BA. 总是相反B. 是否相同与介质有关C. 总是相同D. 是否相同与介质无关14、镜象电荷q”与电荷q的符号BA. 总是相反B.是否相同与介质有关C. 总是相同D. 是否相同与介质分布情况有关15、静电场中静电平衡时有关导体的不正确叙述是 DA. 表面电位相等B. 内部电场强度为零C. 电场强度线垂直于表面D. 内部电荷不为零16、在介质的分界面两侧,电场强度E CA. 法线方向的导数相等B. 切线分量是否相等与面电荷有关C. 切线分量总是相等D. 切线分量是否相等与介质有关17、电场强度E通过一个闭合曲面的通量等于零,意味着 CA. 该闭合曲面内正电荷多于负电荷B. 该闭合曲面内负电荷多于正电荷C. 该闭合曲面内正电荷等于负电荷D. 该闭合曲面内极化电荷等于零18、静电场中电场强度的旋度为零,意味着电场强度线 AA.有头有尾B. 有头无尾C. 无头有尾D. 无头无尾19、无穷大带电平面上带有电荷面密度s,空间的电场强度大小为BA. s/e0B. s/2e0C. sD. s/220、电介质的极化时 AA. 分子的电偶极矩转向外电场的方向B. 分子的电偶极矩转向与外电场相反的方向C. 分子的电偶极矩转方向不变D. 分子的电偶极矩转变大21、电场强度E的方向 CA. 与电荷在电场中所受到的力方向相反B. 与电荷在电场中所受到的力方向垂直C. 与电荷在电场中所受到的力方向一致D. 与电荷在电场中所受到的力成右手螺旋关系22、极化电荷 DA. 是外电场移动过来的B. 不能产生电场C. 产生的电场与外电场方向一致D. 产生的电场与外电场方向相反23、静电能量 AA. 是在电场的建立过程中,由外力做功转化而来的B. 是原来就有的C. 是极化电荷建立的D. 是静电荷所固有的1、局外场强 CA. 是由静电荷建立的B. 是由极化电荷建立的C. 是由非静电力建立的D. 存在于整个电路中2、导体的电阻大小 DA. 与导体两端所加的电压有关B. 与导体中的电流有关C. 与导体的形状有关D. 与导体的形状及电导率有关3、恒定电场中介质分界面两侧CA. 电场强度的法线分量相等B. 电流密度的切线分量相等C. 电流密度的法线分量相等D. 电位的法线方向的导数相等4、恒定电场中镜象电流I’与实际电流I的方向 BA. 总是相反B. 是否相同与介质的电导率有关C. 总是相同D. 是否相同与介质的电导率无关5、恒定电场中镜象电流I”与实际电流I的方向 CA. 总是相反B. 是否相同与介质的电导率有关C. 总是相同D. 是否相同与介质的电导率分布有关6、恒定电场 AA. 是无源无旋场B. 是有源无旋场C. 是无源有旋场D. 是有源有旋场1、磁介质内部的磁场 AA. 由传导电流和极化电流共同产生B. 由传导电流单独产生C. 由极化电流单独产生D. 与磁导率无关2、磁感应强度的方向 DA. 平行于电流和导体所受力所在的平面B. 与产生磁场的电流大小无关C. 与介质的磁导率无关D. 垂直于电流和导体所受力所在的平面3、磁感应强度沿闭合路径的曲线积分 BA. 等于该回路所包围的电流的代数和B. 正比于该回路所包围的电流的代数和C. 恒等于零D. 恒不等于零4、两种导磁媒质分界面上没有电流分布时恒定磁场满足的衔接条件是 CA. 磁场强度的切向分量总是相等B. 磁感应强度的切向分量相等C. 分界面两侧磁场强度切向分量的差值等于面电流密度D. 分界面两侧磁感应强度切向分量的差值等于面电流密度5、磁矢位A BA. 其旋度恒等于零B.其方向与电流的方向相同C. 在分界面两侧是否相等决于分界面上的电流D. 其散度恒不等于零6、电感的数值大小 DA. 与其两端所加电压有关B. 与其中所通过的电流有关C. 与其中所通过的磁通的变化率有关D. 由线圈本身的参数和其内部的介质决定7、磁场的能量 AA. 来自于建立磁场的过程中电源所做的功B. 与电流无关C. 与介质无关D. 与电流成正比8、磁路的磁阻 DA. 与介质无关B. 与磁路的的长度成反比C. 与磁路的的横截面积成正比D. 与磁路的的横截面积成反比9、恒定磁场中镜象电流I’与实际电流I的方向 BA. 总是相反B.是否相同与介质的磁导率有关C. 总是相同D. 是否相同与介质的磁导率无关10、恒定磁场中镜象电流I”与实际电流I的方向 BA. 总是相反B. 是否相同与介质的磁导率有关C. 总是相同D. 是否相同与磁场强度有关11、已知磁感应强度为:B=3xex+y-2zey-y-mzez ,则 m的值应为 DA. 1B. 2C. 3D. 412、两种导磁媒质分界面上没有电流分布时恒定磁场满足的衔接条件是: AA. H1t=H2tB. B1n=B2nC. H1t-H2t=KD. B1t-B2t=K13、在介质的分界面两侧,磁感应强度B AA. 法线分量相等B. 法线方向的导数相等C. 切线分量相等D. 法线分量是否相等与面电流有关14、磁场强度H绕某一闭合回路的环路积分等于零,是指 BA. 磁力线是有头有尾的B.该回路所包围的电流的代数和等于零C. H绕该回路的环量不等于零D. H的散度等于零15、在介质的分界面两侧,磁场强度H BA. 法线分量相等B. 切线分量是否相等与面电流有关C. 法线方向的导数相等D. 切线分量是否相等与介质有关16、恒定磁场中某点磁场强度的旋度为零,意味着该点 BA. 磁场强度为零B. 电流密度为零C. 磁位为零D. 磁感应强度为零17、介质磁化时,内部的分子磁矩BA. 方向不变B. 转向外磁场的方向C. 大小发生改变D. 转向与外磁场相反的方向18、磁感应强度B的散度等于零表明 DA. 恒定磁场是保守场B. 恒定磁场是有源场C. 恒定磁场是无旋场D.恒定磁场是无源场1、全电流定律 BA. 指出在时变电磁场中只有传导电流可以产生磁场B. 指出在时变电磁场中传导电流和变化的电场都可以产生磁场C. 指出变化的磁场可以产生电场D. 指出在时变电磁场中只有位移电流可以产生磁场2、时变电磁场中的分界面两侧CA. 磁场强度的切向分量相等B. 磁感应强度的切向分量相等C. 电场强度的切向分量相等D. 电位移矢量的切向分量相等3、坡印亭矢量 BA. 表示流过与电磁波传播方向相垂直单位面积上的电磁能量B. 表示单位时间内流过与电磁波传播方向相垂直单位面积上的电磁能量C. 方向与磁场强度的方向相同D. 方向与电场强度的方向相同4、坡印亭矢量S的方向 CA. 与磁场强度的方向相同B. 与电场强度的方向相同C. 垂直于磁场强度和电场强度所在的平面D. 平行于磁场强度和电场强度所在的平面5、正弦电磁场 CA. 是指电场按正弦规律变化的电磁场B. 是指磁场按正弦规律变化的电磁场C. 是指电场和磁场都按正弦规律变化的电磁场D. 是指电场和磁场都不按正弦规律变化的电磁场6、电磁辐射 BA. 其场源不一定随时间变化B. 是指电磁波从波源出发,以有限速度在媒质中向外传播,一部分电磁能量不再返回的现象C. 其变化的频率可以非常小D. 没有能量的输出7、天线的辐射 AA. 具备方向性和能量的流动B. 不具备方向性和能量的流动C. 不具备方向性D. 不具备能量的流动8、感应电动势 AA. 其存在与否与导体回路无关B. 其存在与否与导体回路有关C. 所对应的感应电场的旋度等于零D. 所对应的感应电场的力线是不闭合的器线9、Br<<1称为 DA. 透入深度B. 滞后因子C. 平均功率D. 似稳条件10、电磁波在真空中的波速与光速 AA.相等B. 不相等C. 相等与否与频率有关D. 相等与否与波长有关11、磁通连续性原理表示 DA. 磁场强度在任意一个闭合曲线上的环量等于零B. 磁力线是不闭合的C. 磁场强度在任意一个闭合曲面上的通量不等于零D. 磁力线是闭合的12、磁通连续性原理表示 AA. 磁感应强度B的散度为零B. 磁感应强度B的梯度为零C. 磁感应强度B的旋度为零D. 磁感应强度B随时间的变化率为零13、滞后因子 BA. 表示电磁波进入到介质内部的深度B. 表示范表演场中某点的场量在时间上滞后于场源的数量C. 表示集肤效应的程度D. 表示涡流的大小1、电准静态场 AA. 是指忽略磁场的变化后的电磁场B. 是指忽略电场的变化后的电磁场C. 不再满足泊松方程D. 与静电场所满足的方程不一样2、磁准静态场 AA. 是指忽略磁场的变化后的电磁场B. 是指忽略电场的变化后的电磁场C. 不再满足泊松方程D. 与恒定磁场所满足的方程不一样3、涡流 CA. 不具有热效应B. 不具有磁效应C. 具有热效应和磁效应D. 总是有害的4、涡流 BA. 是由变化的电场产生的B. 是由变化的磁场产生的C. 是由于电流分布不均匀引起的D. 是由于集肤效应引起的5、导体的交流内阻抗 AA. 与频率有关B. 交流电阻 R 和自感随频率的增加而减小C. 与电流在交流情况下分布不均匀无关D. 与频率无关6、变压器和交流电机的铁芯用相互绝缘的薄硅钢片迭成,是为了CA. 进行电磁屏蔽B. 降低集肤效应C. 减少涡流损耗D. 防止漏电7、透入深度 AA. 与频率有关B. 与频率无关C. 与电导率无关D. 与磁导率无关8、集肤效应 CA. 与高频情况下电流分布不均匀无关B. 与磁场随时间的变化无关C. 与高频情况下电流分布不均匀有关D. 与电场随时间的变化无关。