电子科技大学(成都)考研历年真题之832微电子器件2008--2015年考研真题

第二章 PN 结填空题1、若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为 N A =1.5 ×1016cm -3 ，则室温下该区的平衡多子 浓度 p p0与平衡少子浓度 n p0分别为（ ）和（ ）。

2、在 PN 结的空间电荷区中， P 区一侧带（ ）电荷， N 区一侧带（ ）电荷。

内建 电场的方向是从（ ）区指向（ ）区。

3、当采用耗尽近似时， N 型耗尽区中的泊松方程为 （ ）。

由此方程可以看出， 掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。

4、 PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ）， 内建电势 V bi 就越（ ），反向饱和电流 I 0就越（ ），势垒电容 C T 就越（ ），雪崩击穿电 压就越（ ）。

5、硅突变结内建电势 V bi 可表为（），在室温下的典型值为（ ）伏特。

6、当对 PN 结外加正向电压时， 其势垒区宽度会 （ ），势垒区的势垒高度会 （）。

7、当对 PN 结外加反向电压时， 其势垒区宽度会 （ ），势垒区的势垒高度会 （ ）。

8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度 n p 与外加电压 V 之间的关系可表示为（ ）。

若P 型区的掺杂浓度 N A =1.5 ×1017cm -3，外加电压 V= 0.52V ，则 P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 n p 为（ ）。

9、当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子 浓度（ ）；当对 PN 结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡 少子浓度（ ）。

10、 PN 结的正向电流由（ 电流三部分所组成。

11、 PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）； PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（ ）。

12、当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边 （ ）。

考试科目：832 微电子器件一、填空题（共45分，每空1.5分）1、根据输运方程，载流子的（扩散）电流主要与载流子浓度梯度相关，而（漂移）电流主要与载流子浓度相关。

2、俄歇复合的逆过程是（碰撞电离）。

3、当PN结反偏时候，反向电流由（少子）扩散电流和势垒区（产生）电流构成。

4、在二极管的反向恢复过程中，中性区存储的非少子浓度降低有两个原因，一是（载流子复合），二是（反向电流抽取）。

5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一个区的长度远小于该区的（少子扩散长度）。

在其它条件相同的情况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散电流越大。

6、（热击穿）又称为二次击穿，这种击穿通常是破坏性的。

7、双极型晶体管的基区少子渡越时间是指少子在基区内从发射结渡越到集电结的平均时间，等于（基区非平衡少子电荷）除以基区少子电流。

8、半导体薄层材料的方块电阻与材料的面积无关，而与（掺杂浓度）和（厚度）相关。

（备注：填电阻率和厚度也可以）。

9、双极型晶体管的电流放大系数具有（正）温度系数，双极型晶体管的反向截止电流具有（正）温度系数。

（填”正”，”负”或”零”）10、双极型晶体管用于数字电路时，其工作点设置在（截至）区和（饱和）区；MOSFET用于模拟电路时，其直流工作点设置在（饱和）区。

11、由于短沟道器件的沟道长度非常短，起源于漏区的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，造成源漏之间的（势垒高度）降低，从而造成漏极电流的（变大）。

（第二个空填”变大”，”变小”或”不变”）12、高频小信号电压是指信号电压是指信号电压的振幅小于（KT/q）；高频小信号通常是叠加在（直流偏置）上的。

13、MOSFET漏源击穿的机理有两种，一种是（漏极PN结击穿），一种是（沟道穿通）。

14、漏源交流短路的情况下，MOSFET的（沟道载流子）电荷随（栅极）电压的变化，定义为MOSFET的本征栅极电容。

15、长沟道MOSFET的跨导与沟道长度（成反比），与栅源电压（成正比），而发生速度饱和的短沟道MOSFET的跨导与沟道长度（无关）。

电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。

2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。

例如：（）只存在于正向偏压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。

3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正向导通压降更（）。

4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（）的数目。

电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。

5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动加强，因而载流子的平均自由程（）。

6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区；双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。

7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（）电容的乘积。

8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。

双极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。

（第三、四个空填“大”或“小”）9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS；I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO（填“>”、“<”或“=”）10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏压（）零。

（填“>”、“<”或“=”）。

电⼦科技⼤学研究⽣⼊学考试812历年真题（2007-2016）电⼦科技⼤学地理信息系统基础历年真题（2007-2016）2007年电⼦科技⼤学攻读硕⼠学位研究⽣⼊学试题考试科⽬：424 地理信息系统基础⼀、名词解释（每⼩题6分，共48分）1.地理信息2.栅格数据结构3.空间索引4.数字⾼程模型5.地图投影6.地理数据互操作7.⽮量数据结构8.空间关系⼆、分析并⽐较⽮量数据结构与栅格数据结构的优缺点。

（16分）三、简述WebGIS的实现技术。

（16分）四、简述格⽹DEM的应⽤领域。

（16分）五、简述什么是3S（GIS、RS、GPS）集成，并举例说明。

（16分）六、地理信息系统软件的体系结构与功能作⽤。

（16分）七、试综合利⽤空间分析⽅法，根据现有Roads（道路图）、Streams（河流图）、Forest（森林图），找出满⾜以下条件的可砍伐林⽊的适宜森林区域范围。

请绘出各步骤结果草图以及流程图，并进⾏简要说明。

条件如下：①在道路300⽶（假定⼤约相当于下图②中0.3厘⽶）范围内的林⽊不能砍伐；②在河流500⽶（假定⼤约相当于图③中0.5厘⽶）范围内的林⽊不能砍伐。

（22分）2008年电⼦科技⼤学攻读硕⼠学位研究⽣⼊学试题考试科⽬：812 地理信息系统基础⼀、名词解释（每⼩题8分，共48分）1.空间叠加分析是指在统⼀空间参照系统条件下，每次将同⼀地区两个地理对象的图层进⾏叠加，以产⽣空间区域的多重属性特征，或建⽴地理对象之间的空间对应关系。

2.游程编码结构是逐⾏将相邻同值的⽹格合并，并记录合并后⽹格的值，以及合并⽹格的长度，其⽬的是压缩栅格数据量，消除数据间的冗余。

3.栅格数据结构基于栅格模型的数据结构简称为栅格数据结构，指将空间分割成有规则的格⽹，在各个格⽹上给出相应属性值来表⽰地理实体的⼀种数据组织形式。

点由⼀个单元格⽹表⽰，其数值与邻近⽹格值明显不同；线段由⼀串有序的相互连接的单元⽹格表⽰，各个格⽹的值⽐较⼀致，但与领域的值差异较⼤；多边形由聚集在⼀起的相互连接的单元⽹格组成，区域内部的格⽹值相同或差异较⼩，但与领域的值差异较⼤。

电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案所有资料不重复。

淘宝网：/item.htm?id=9960243831电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试“数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2006年4月22日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计一、填空题（每空1分，共15分）1、( 323 )10=( 101000011 ) 22、(0. 4375 )10=( 0.0111 ) 23、(1101．0011) 2 = ( 13.1875 )104、（FD．A）16 = ( 11110000.1010 ) 2= ( 360.50 )85、( 4531 )10 = ( 0100 0101 0011 0001 ) 8421BCD 。

电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：814 电力电子技术注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、单项选择题(每小题2分，共30分。

从每小题的四个备选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码写在答题纸上。

)1、三相电压型逆变采用°导通方式。

需进行“先下后上”的纵向换流方式。

A. 120B. 90C. 180D. 602、电压型逆变器中间直流环节贮能与缓冲元件是。

A.蓄电池B.电感C. 电容D.电动机3、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来。

A. 分流B. 降压C. 过电压保护D. 过电流保护4、逆导晶闸管是将大功率二极管与B器件集成在一个管芯上而成。

A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管5、单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ= 。

A.π-αB.π+αC.π-δ-αD.π+δ-α6、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。

A. 0ºB.10º-15ºC.0º-10ºD.30º-35º7、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关。

A .α和U2 B. α以及负载电流I dC . α、负载电流I d以及变压器漏抗X B D. α、U2以及变压器漏抗X B8、若想减小SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是。

A.增大三角波幅度B.减小三角波频率C.减小正弦调制波频率D.增大正弦调制波幅度9、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为。

A.减小输出谐波B.增大输出幅值C. 减小输出幅值D.减小输出功率10、晶闸管可控整流电路中直流端的直流电动机应该属于负载。

A. 电阻性B. 阻感反C. 反电动势D. 电感性电力电子技术试题第 1 页共4 页11、请写出电磁兼容性英文缩写。

A.MACB.EMCC.CMED.AMC12、共阳极三相半波可控整流电路的自然换相点是。

电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。

掺杂浓度越高，内建电势将越（）。

2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。

3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。

4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。

5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。

6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。

7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。

（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。

（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。

10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。

11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。

12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。

13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。

14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。

一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。

（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。

第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。

内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。

5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。

若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。

9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。

10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。

每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

13、PN结扩散电流的表达式为（）。

这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。

14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：836信号与系统和数字电路注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

信号与系统一：选择题（18分）请选择一个正确的答案写在答题纸上（注意标注好题号），多选不得分。

（1） 已知系统输入[]f n 和输出[]y n 间关系为[]2[1]y n f n =+１）请问系统是否线性系统？是否稳定系统？（ ）。

A 、线性，非稳定；B 、非线性，非稳定；C 、非线性，稳定；D 、线性，稳定。

２）该系统冲激响应为（ ）。

A 、[]2[1]h n n δ=+；B 、[]2[1]h n n δ=+；C 、[]2[1]h n n δ=−+；D 、不能确定。

３）对任意输入[]f n ，系统输出[]y n 可表示为（ ）。

A 、[]2[1][]y n n f n δ=−+∗；B 、[]2[1][]y n n f n δ=+∗；C 、[]2[1][]y n n f n δ=+∗；D 、答案Ａ，Ｂ，Ｃ均不对。

（2） “对连续时间系统，若系统函数()H s 的收敛域包含虚轴则系统稳定”，该说法适合（ ）系统。

A 、 线性；B 、时不变；C 、线性时不变；D 、任意。

（3） 已知信号()f t 的频谱如图1所示，用周期冲激串()() k p t t kT δ∞=−∞=−∑进行采样，为使采样后的信号频谱不混叠，则最小采样角频率应满足（ ）。

图1，第1-（3）题图A 、8s ωπ>；B 、6s ωπ>；C 、4s ωπ>；D 、2s ωπ>（4） 对连续时间周期信号()f t ，其傅里叶变换和拉普拉斯变换说法正确的是（ ）。

A 、先求傅里叶级数，再求傅里叶变换；且拉普拉斯变换存在。

B 、先求傅里叶级数，再求傅里叶变换；且拉普拉斯变换不存在。

C 、直接按定义式计算傅里叶变换；且拉普拉斯变换存在。

D 、直接按定义式计算傅里叶变换；且拉普拉斯变换不存在。

清华大学微电子832考研真题回忆.docx今年整体来说比较难吧，我个人觉得难，器件重半导体物理部分，后面的器件基本没怎么考，模点比以往偏，没有考差分运放，重在运算放大器的部分，数电前面简单，但是最后一题也比较难。

下面详细回忆下。

共11道题，前面器件，后模电，最后数电。

第一道，让分析半导体的电阻率随温度的变化关系，画出曲线并分析。

第二道，是半导体物理，告诉导带底和价带顶的能量与波矢的关系，求禁带宽度，空穴和电子的有效质量，还有电子从价带顶跃迁到导带底时的准动量变化。

第三道，是一道计算扩散电流的题，还算简单，第二问求要使得电流为零所需加的电场强度。

第四道，是mos管电流的计算，但是最后一问考了速度饱和，写个没复习，不知道怎么算。

器件好像就这么几道其他的想不起来了。

模电具体的题号我都忘了，只能说说考了那些点，首先2011年的真题原题又考了，第五题，有好几道简单的问答题，1.问BJT与MOS管的跨导电流比，为什么BTJ要大，2.饱和时的cmos小型号等效电路图，3.让根据一个电路图设计电路，这次应该是一个积分运算电路，4.根据一个电路图分析一个二极管的导痛还是截止，5.一个运放后面接一个mos管然后构成一个负反馈，分别在漏级和源级有两个输出电压，第一问判断输出极性和反馈组态，后面求对于两个输出电压的增益。

第六题，是一个含有三个运算放大器组成的电路，让求各个电压，还有在不同的频率下的输出电压的幅值。

这题比较难，分值最大25分，还有什么我想不起来了，接下来的数电1.还是给两个二进制数，让求原码反码补码，求和，2.根据给的输出函数，用卡洛图化简电路图3.给一个触发器的时序图，让判断什么类型的触发器，触发方式是电平还是脉冲，4.给了一个38译码器和2位数据选择器求输出函数的表达式，并列出真值表。

5.让设计产生11位序列的序列发生器。

整体来说今年比去年难了好多，复习的重点反而没考，比如器件的pn结，mos管的阈值电压，三极管的计算都没考，重点在半导体物理部分，模电和以往也不一样，没有简单mos放大电路，也没有考差分运放，波特图等，重点是运算放大器的计算。