(整理)元器件降额使用参考
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元器件降额准则一览表
一、电容
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言,推荐的供电电源是不能进行降额的,因为这样可能会达不到其额定功率。
要参考正确的器件规格或制造商的资料。
对于工作
温度,要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内,这样才能保证得到正确的额定频率值。
最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。
最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。
对于恒温晶振,只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度,最低工作温度高10度。
三、电阻
四、二极管
五、晶极管
六、磁性器件:变压器和电感的降额要求:
七、微电路
*商业等级微电路的主要降额因素是温度。
八、保险丝:UL/IEC保险丝降额要求
九、连接器
十、开关
十一、电源。
元器件降额准则范文1.功能和性能要求:首先需要明确产品的功能和性能要求,包括工作频率、信号电平、精度要求等。
这些要求将决定了元器件的选型范围。
2.可靠性:元器件的可靠性也是选择的重要因素之一、一般来说,产品的可靠性要求越高,所选择的元器件等级越高。
3.成本:在不影响产品性能和可靠性的前提下,降低成本是元器件降额准则的关键目标。
通过选择更低成本的元器件,可以降低产品的制造成本。
4.售后服务:一些关键性的元器件,在选择时需要考虑供应商的售后服务及其对产品研发和生产的支持能力。
基于以上几个方面的因素,制定元器件降额准则可以参考以下几个具体的原则:1.优先选择标准品替代:在满足产品要求的前提下,优先选择标准品替代,避免设计定制化的元器件。
标准品通常具有更好的可靠性和成本优势。
2.尽量减少高精度元器件的使用:高精度元器件往往价格较高,可以根据产品需求适当降低精度要求,选择成本更低的低精度元器件替代。
3.合理使用仿真和测试:通过仿真和测试评估元器件的实际性能和可靠性,避免过度选用高等级元器件。
4.使用商业质量认证的元器件:选择具备质量认证的元器件,如UL 认证、RoHS认证等,确保元器件的可靠性和质量。
5.考虑生命周期和供应风险:选择供应长期稳定、风险小的元器件,避免因元器件停产或供应中断而影响产品的生产。
6.参考过往经验:根据公司或个人的过往设计经验,总结出适用于当前设计的元器件降额准则,并在此基础上进行优化。
需要注意的是,降额并不意味着完全降低元器件的质量或性能。
在设计过程中需要综合考虑产品定位、目标市场以及资源约束等因素,确保在满足性能和可靠性要求的前提下实现成本的最大化降低。
同时,还需要明确记录降额所带来的影响,包括可靠性、性能参数和产品寿命周期等信息,以便后续的产品维护和改进。
制定部门:系统硬件部元器件应用降额规范制定: 审核: 核准:制定部门:系统硬件部版本变更内容描述更新日期修订人V1.0 首版发行2015.10.15贺成制定部门:系统硬件部目录1目的 (4)2适用范围 (4)3各类器件降额度要求 (4)3.1电容 (4)3.2电阻 (4)3.3电感 (5)3.3.1概述 (5)3.3.2应用指南 (5)3.3.3降额准则 (5)3.4二极管 (5)3.4.1概述 (5)3.4.2应用指南 (5)3.4.3降额准则 (6)3.5晶体管 (6)3.5.1概述 (6)3.5.2应用指南 (6)3.6集成电路 (7)3.6.1概述 (7)3.6.2降额准则 (7)3.7连接器 (8)3.7.1概述 (8)3.7.2降额准则 (8)制定部门:系统硬件部1目的为规范产品设计、验证过程中的对器件降额的要求,特制定本文件。
2适用范围本规范适用于本公司产品设计中元器件的降额设计及作为元器件应力分析的判定依据。
3各类器件降额度要求3.1电容电容类型降额参数电压(最大额定值)最高温度(℃)反向电压严酷一般严酷一般固定纸/塑料薄膜0.6 0.7 Tmax-10℃Tmax-10℃固定金属化薄膜0.6 0.7 Tmax-10℃Tmax-10℃固定陶瓷型0.6 0.7 Tmax-10℃Tmax-10℃固定钽电解(片状)0.4 0.5 Tmax-20℃Tmax-20℃铝电解电容0.5 0.6 Tmax-20℃Tmax-20℃可变电容器0.6 0.7 Tmax-10℃Tmax-10℃3.2电阻电阻类型降额要求功率最大温度(℃)严酷一般严酷一般固定合成电阻0.6 0.7 T MAX -30℃T MAX-30℃固定片状薄膜电阻0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃固定薄膜电阻(功率)0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃固定薄膜电阻(阻排)0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃固定线绕电阻(精密)0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃固定线绕电阻(功率)0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃可变合成非线绕0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃可变非线绕薄膜电阻0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃可变线绕(通用)0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃可变线绕(精密和半精密)0.6 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃制定部门:系统硬件部可变线绕(功率)0.7 0.7 T MAX-30℃T MAX-30℃3.3电感3.3.1概述电感元件包括各种线圈和变压器。
元器件降额准则元器件降额准则概述元器件降额是指在保证电路性能稳定的前提下,将电子元器件的额定数值减小一定比例,用更小的元器件来实现同样的功能。
元器件降额的工程应用主要是针对电源电路和信号处理电路,通过降低元器件的容值、电阻值、电感值等参数,使得相应的电路成本减少,同时对整个系统的运行稳定性没有影响。
在电子设计中,通常采用元器件降额的方法来缩小电路的体积、降低成本和提高效率。
而与此相应的,元器件降额准则就成了电子工程师需了解的重要知识之一。
元器件降额准则1. 电容器降额准则电容器降额准则是指将标称容量为C1的电容器,根据电路实际工作要求,选用容量为C2的电容器代替,C2 < C1。
一般的,当C2<0.1C1时,不会对电路性能产生显著的影响。
当C2<0.01C1时,可能会影响电路的稳定性,因此需要进行适当的补偿和设计。
2. 电阻器降额准则电阻器降额准则是指选用电阻值小于标称值的电阻器,来代替标称值为R的电阻器。
一般来说,选用与标称值相比小于10%的电阻器不会影响电路性能。
但是需要注意的是,如果电阻值太小会降低电路负载能力,导致电路不稳定,因此选用时需要根据具体情况进行权衡。
3. 电感器降额准则电感器降额准则是指选用低于标称值的电感器,来代替标称值为L的电感器。
一般来说,选用电感值小于标称值10%的电感器不会对电路性能产生明显的影响。
但是,对于高频电路或对电感器性能有严格要求的场景,需要进行详细的电路仿真和测试,以确保电路的稳定性和性能。
4. 半导体器件降额准则半导体器件降额准则是指选用与标称值相比小于10%的电流、电压值的半导体器件替换标称值为I或V的器件。
但是,需要注意的是,在选用低于标称值的半导体器件时,也需要考虑其安装和工作温度等特殊因素,以保证电路的可靠性。
5. 变压器降额准则变压器降额准则是指将标称值为N1:N2的变压器,选用变比N3:N4的变压器代替,通常有N3/N1=n4/N2。
元器件降额准则一览表
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言,推荐的供电电源是不能进行降额的,因为这样可能会达不到其额定功率。
要参考正确的器件规格或制造商的资料。
对于工作温度,要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内,这样才能保证得到正确的额定频率值。
最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。
最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。
对于恒温晶振,只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度,最低工作温度高10度。
*商业等级微电路的主要降额因素是温度。
1、晶体管/MOSFET:反向电压:0.7 0.8MOSFET栅源电压:0.6 0.7三极管集电极、发射机电压:0.7 0.8三极管集电极电流:0.7 0.8正反向电流:0.7 0.8温湿度0.7 0.82、二极管正向电压:10%稳定电压(稳压二极管):反向漏电流+200%恢复开关时间+20%反向电压0.7 0.8电流0.7 0.8功率0.65浪涌电压、电流0.7 0.8温湿度0.7 0.83、断路器熔断电流:0.75 0.9 阻/容性负载0.4 0.5 感性负载0.2 0.35 电机温度:Tmax-204、保险丝电流>0.5A 0.45~0.5电流<0.5A 0.2~0.4环境温度超过25度时,按0.005/oC增加降额5、可控硅,闸流管控制极正向压降10%漏电流+200%开关时间+20%其它指标同二极管6、光电器件指标同二极管7、电阻/电阻网络电压0.75功率0.6 0.7封装2512 2010 1206 0805 0603 0402 0201 功率 1 1/2 1/4,1/8 1/10 1/16 1/16 1/32最大电压200 200 200 100 50 50类型片式金属氧化膜水泥电阻功率1/4 1W/2W/5W 5W及以上8、绕线电阻电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型9、热敏电阻电压:电源电压80%功率:0.5 0.5温度:TMax-1510、压敏电阻电压:0.75功率:0.6 0.7不靠近发热可燃器件,离开其它器件3mm11、非绕线电位器电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型12、电容器固定纸、塑料薄膜电容/玻璃铀/固定云母/固定陶瓷/电流、电压0.6 0.7温度Tmax-10铝电解电压、电流0.6 0.7钽电解电压、电流0.5 0.7温度Tmax-20钽固体电解电压电流0.8 0.9 20V以下0.7 0.8 25V以上温度Tmax-20可变电容器电流、电压0.5浪涌电流电压0.6 0.7温度Tmax-1013、电感热点温度Tmax-10~25 Tmax-15~0工作电流0.6~0.7瞬态电压电流0.9介质耐压0.5~0.6电压0.714、磁珠工作电流0.6~0.7瞬态电压0.915、继电器<100mW不降额电阻负载:0.75~0.90电容负载(最大浪涌电流):0.75~0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝0.5 0.7 水印继电器(VA)线圈释放电压0.9最小~1.1最大温度额定-20振动额定60%16、开关<100mW不降额电阻负载:0.75~0.90电容负载(最大浪涌电流):0.75~0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝触点额定电压0.5 0.7功率0.5 0.717、电连接器电压0.7 0.8电流0.7 0.85温度Tmax-25 Tmax-2018、晶体温度:最低+10,最高-1019、光学器件光纤光源:峰值输出功率0.5峰值电流0.5结温设法降低光纤:温度:低温+20,高温-20张力:光纤20%拉力,光缆50%拉升值弯曲半径:最小允许值200%光纤连接器:温度:Tmax-25 Tmax-20。
电路设计元器件降额标准1、晶体管/MOSFET:反向电压:0.7 0.8MOSFET栅源电压:0.6 0.7三极管集电极、发射机电压:0.7 0.8三极管集电极电流:0.7 0.8正反向电流:0.7 0.8温湿度0.7 0.82、二极管正向电压:10%稳定电压(稳压二极管):反向漏电流+200%恢复开关时间+20%反向电压0.7 0.8电流0.7 0.8功率0.65浪涌电压、电流0.7 0.8温湿度0.7 0.83、断路器熔断电流:0.75 0.9 阻/容性负载0.4 0.5 感性负载0.2 0.35 电机温度:Tmax-204、保险丝电流>0.5A 0.45~0.5电流<0.5A 0.2~0.4环境温度超过25度时,按0.005/oC增加降额5、可控硅,闸流管控制极正向压降10%漏电流+200%开关时间+20%其它指标同二极管6、光电器件指标同二极管7、电阻/电阻网络电压0.75功率0.6 0.7封装2512 2010 1206 0805 0603 0402 0201 功率 1 1/2 1/4,1/8 1/10 1/16 1/16 1/32最大电压200 200 200 100 50 50类型片式金属氧化膜水泥电阻功率1/4 1W/2W/5W 5W及以上8、绕线电阻电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型9、热敏电阻电压:电源电压80%功率:0.5 0.5温度:TMax-1510、压敏电阻电压:0.75功率:0.6 0.7不靠近发热可燃器件,离开其它器件3mm11、非绕线电位器电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型12、电容器固定纸、塑料薄膜电容/玻璃铀/固定云母/固定陶瓷/ 电流、电压0.6 0.7温度Tmax-10铝电解电压、电流0.6 0.7钽电解电压、电流0.5 0.7温度Tmax-20钽固体电解电压电流0.8 0.9 20V以下0.7 0.8 25V以上温度Tmax-20可变电容器电流、电压0.5浪涌电流电压0.6 0.7温度Tmax-1013、电感热点温度Tmax-10~25 Tmax-15~0工作电流0.6~0.7瞬态电压电流0.9介质耐压0.5~0.6电压0.714、磁珠工作电流0.6~0.7瞬态电压0.915、继电器<100mW不降额电阻负载:0.75~0.90电容负载(最大浪涌电流):0.75~0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝0.5 0.7 水印继电器(VA)线圈释放电压0.9最小~1.1最大温度额定-20振动额定60%16、开关<100mW不降额电阻负载:0.75~0.90电容负载(最大浪涌电流):0.75~0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝触点额定电压0.5 0.7功率0.5 0.717、电连接器电压0.7 0.8电流0.7 0.85温度Tmax-25 Tmax-2018、晶体温度:最低+10,最高-1019、光学器件光纤光源:峰值输出功率0.5峰值电流0.5结温设法降低光纤:温度:低温+20,高温-20张力:光纤20%拉力,光缆50%拉升值弯曲半径:最小允许值200%光纤连接器:温度:Tmax-25 Tmax-20。
修订记录目录修订记录 (1)1、目的 (3)2、范围 (3)3、组织与权责 (3)3.1、设计工程 (3)3.2、验证工程 (3)3.3、零件工程 (3)4、名词解释 (3)4.1、降额 (3)4.2、最大额定值 (3)4.3、应力 (3)4.4、应力比率 (3)5、降额标准 (4)5.1、电阻器降额使用规范 (4)5.2、保险丝使用规范 (4)5.3、整流管降额使用规范 (5)5.3.1、信号/开关, 普通型二极体 (5)5.3.2、桥整 (5)5.3.3、肖特基二极体 (5)5.3.4、稳压二极管 (5)5.4 晶体管降额使用规范 (6)5.4.1、晶体管(双极,普通) (6)5.4.2、晶体管(功率) (6)5.4.3、MOSFET(Small Signal) (6)5.4.4、MOSFET(Power) (6)5.4.5、晶闸管, 可控硅 (7)5.5、电容降额使用规范 (7)5.6、光电耦合器 (8)5.7、微电路IC降额使用规范 (8)5.7、变压器和电感降额使用规范 (8)6、SAGEMCOM Component derating: (8)7、参考文件 (9)8、附录 (9)1、目的通过执行降额标准等效补偿零件关键特性参数降低来自于零件和生产变异造成的品质冲击而导致的不良率,改善产品设计可靠性提高产品运行余量从而达成稳定的设计目标要求。
2、范围冠德科技有限公司SPS研发部。
3、组织与权责3.1、设计工程设计开发之前,设计工程人员需要了解熟悉零件应用和零件降额使用标准。
开发设计调试过程中设计工程人员有责任量测零件实际工作中的承受应力,如果检测结果达不到相应的零件降额要求,设计人员有责任研究分析根本原因并妥善解决。
如果没有成本效率(包括品质改善)可以实现,设计人员有责任提供与条款存在异议部分并提供报告做相应解释。
3.2、验证工程验证工程人员有责任参与降额标准的应用说明并与相关人员作答,并担当该文件的维护工作。
元器件降额准则一览表
二、晶体、晶振
对于大多数晶体而言,推荐的供电电源是不能进行降额的,因为这样可能会达不到其额定功率。
要参考正确的器件规格或制造商的资料。
对于工作温度,要保证晶体在最高的温度和最低的温度限制范围之内,这样才能保证得到正确的额定频率值。
最高工作温度需小于器件最高允许工作温度10度以上。
最低工作温度需大于器件最低允许工作温度10度以上。
对于恒温晶振,只需考虑机箱内晶振周围的空气温度小于晶振运行的最高工作环境温度10度,最低工作温度高10度。
*商业等级微电路的主要降额因素是温度。
元器件降额使用参考
一、集成电路
因为集成电路的复杂性和保密性,一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。
我们通常规定:
1,最大工作电压,不超过额定电压80%
2,最大输出电流,不超过额定电流75%
3,结温,最大85摄氏度,或不超过额定最高结温的80%
二、二极管
二极管种类繁多,特性不一。
故而,有通用要求,也有特别要求:
通用要求:
长期反向电压<70%~90%×V RRM(最大可重复反向电压)
最大峰值反向电压<90%×V RRM
正向平均电流<70%~90%×额定值
正向峰值电流<75%~85%×I FRM正向可重复峰值电流
对于工作结温,不同的二极管要求略有区别:
信号二极管< 85~150℃
玻璃钝化二极管< 85~150℃
整流二极管和快恢复、超快恢复二极管(<1000V)<85~125℃
整流二极管和快恢复、超快恢复二极管(≥1000V)<85~115℃
肖特基二极管< 85~115℃
稳压二极管(<0.5W)<85~125℃
稳压二极管(≥0.5W)<85~100℃
T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P,2×θjc×P<15℃,θjc是从结到壳的热阻,P是功率损耗。
这是一个可供参考的经验值
三、功率MOS
V GS<85%×V GSmax(最大栅极驱动电压)
I D_peak<80%×I D_M(最大漏极脉冲电流)
V DS<80~90%×额定电压
dV/dt<50%~90%×额定值
结温<85℃~80%×T jmax(最大工作结温)
T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P,2×θjc×P<15℃,θjc是从结到壳的热阻,P是功率损耗。
这是一个可供参考的经验值。
四,三极管
所有的电压指标都要限制在85%的额定值之下
功率损耗不超过70%~90%额定值
IC必须在RBSOA(反偏安全工作区)与FBSOA(正偏安全工作区)范围内降额30%(就是额定的70%)
结温不超过85~125℃
Tcase(外壳温度)≤0.75×T jma x-2×θjc×P,2×θjc×P<15℃,θjc是从结到壳的热阻,P是功率损耗。
这是一个可供参考的经验值。
五,电解电容
铝电解电容是开关电源中一个非常重要的元件。
而很多开关电源的故障率偏高,都是因为对铝电解的使用不当造成的。
由于铝电解的重要性,我们对他的研究比较多,因而制定出来的规则也比较多。
1,V dc+V ripple<90%×额定电压
2,在电容体之下,PCB正面,尽量不要有地线之外的其他走线。
3,纹波电流,这个问题比较复杂,因为开关电源中,纹波电流的频谱是非常丰富的,所以必须把纹波电流折算一下:
频率因子,供应商应该可以提供的。
纹波电流必须保证在供应商的额定值的70%~90%之内。
4,电解电容的初始容量要保证20%的裕量。
同时,要保证额外的20%的容量裕量,以应对寿命快到时的容量衰减。
5,电解电容的寿命温度加速因子为2每10℃,也就是说,温度每升高10度,寿命减半。
6,壳温T case受限于设计寿命。
7,自温升<5℃,所谓自温升,是指电容实际工作时,完全因为自身发热导致的温升。
六,瓷片电容
工作电压<60%~90%×额定电压
表面温度<105℃
自温升<15℃或由规格书定义,以低的为准。
七,薄膜电容
1,在开关电源中,不要使用聚苯乙烯电容,因为聚苯乙烯电容耐热比较差。
2,表面温度<85℃,超过85℃耐压按照下图降额使用。
此处的电压指的是直流电压叠加交流峰值电压。
3,聚酯电容自温升<8℃或由规格书定义,以低的为准
4,聚丙烯电容自温升<5℃或由规格书定义,以低的为准
5,薄膜电容的使用寿命取决于电压值和电压脉冲的上升速率。
允许的脉冲数量和电压值以及脉冲斜率的关系,如下式:
其中:
N pulse为脉冲总数
V r,max最大额定直流电压
V applied实际使用峰峰值电压
(dv/dt)max最大额定脉冲斜率
(dv/dt)applied实际使用脉冲斜率
八,电阻
电阻可以分为三大类:固定线性电阻、固定非线性电阻、可变电阻
固定线性电阻包括:碳膜、金属膜、金属氧化膜、金属釉、碳质等电阻和绕线电阻。
固定非线性电阻包括:NTC、PTC
电阻的可靠性主要取决于电阻的温度,而温度则是环境温度和自身功率损耗产生热量后叠加的效果。
功率和电压都对电阻的选择与使用产生限制:
从图中可以知道,对于阻值低于临界阻值的电阻,使用是受功率限制,而对于高于临界阻值的电阻,使用上是受耐压的限制。
对于单个脉冲的功率限制,取决于脉冲的形状。
同时脉冲的峰值电压必须不能超过额定限制。
电阻的降额使用规则:
1,在有瞬间高压脉冲的电路中使用金属釉电阻
2,在有大的冲击电流的场合使用绕线电阻
3,连续功率<50%×额定功率
4,不要使用>1MΩ的碳膜电阻,因为长期稳定性太差
5,高阻值长期稳定性好的电阻应采用金属釉电阻
6,在热冲击试验后,电阻的阻值必须在±5%的额定范围内
7,可熔断电阻,比如保险丝电阻,不要靠PCB太近,以免PCB过热
8,尽量不要将矩形的贴片电阻用在ESD保护电路,因为矩形的尖角容易放电
9,在电压、电流采样时,如果用贴片电阻,尽量使用尺寸在1206以上的。
10,耐压的降额使用:
对于碳膜、金属膜、金属氧化膜电阻:
R>100K时,V RMS<50%×额定最大连续工作电压
R≤100K时,V RMS<90%×额定最大连续工作电压或90%×(P×R)0.5,以低的为准。
对于碳质电阻、金属釉电阻和绕线电阻:
V RMS<90%×额定最大连续工作电压或90%×(P×R)0.5,以低的为准。
11,电路中有冲击电流的时候的瞬时功率可以按照下面的经验公式计算:
P=I2×R×t/4,其中,t是电流跌落到最大值38%时的时间。
九,磁性元件
磁性元件中,线对线之间的最大电压不能超过下表:
将AWG线规可以按照此式转换为mm单位线径:d=25.4×0.005×92((36-AWG)/39)漆包线的使用寿命加速因子约为2.5每10℃。
线包的温度降额规定:
CLASS B:95℃~110℃注:额定温度是130℃
CLASS F:110℃~125℃注:额定温度是155℃
CLASS H:125℃~150℃注:额定温度是180℃
磁芯的降额规定:
B max<80%×B sat在任何条件下。
B sat是磁芯的饱和磁感应强度
T CORE<70%×T curie-10℃T curie是磁芯居里点温度
十,金属氧化物压敏电阻MOV
T case≤85℃,在任何条件下
具体选型推荐为:
AC120V/127V 选用150V rms
AC220V 选用275V rms(此项尚存争议)
AC277V 选用320V rms
AC347V 选用420V rms
十一,印刷电路板
PCB材料和最高可用表面温度如下:
FR2 75℃
FR3 90℃
FR4 125℃
CEM1 125℃
CEM3 125℃
此外,有以下一些规则:
可以使用过孔帮助散热
每个过孔流过电流不超过2A
布线之间的间距与电压的关系参考UL935
FR1的导热率是FR4的两倍,但FR1不适合做双面板
十二,保险丝
对保险丝的降额使用,是对电路保护可靠性和保险丝使用寿命之间的妥协。
降额使用保险丝,并不能直接带来产品可靠性的提升。
环境温度和电流是影响保险丝寿命的主要因素。
在25℃下,保险丝的电流应该降额25%使用。
在环境温度升高时,慢熔断的保险丝,要按照0.5%/℃来增加降额。
而快融断保险丝则按照0.1%/℃来增加降额。
十三,光耦
最大工作电压<70%~90%×额定电压
最大工作电流<25%~90%×额定电流
电流传输比,按照产品寿命时间,保留20%裕量结温<85℃~100℃。