宁波大学911电子线路(模拟电路+数字电路)2018年考研真题
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2019年宁波大学硕士研究生招生考试初试科目考试大纲科目代码、名称: 911电子线路(模拟电路+数字电路)一、考试形式与试卷结构(一)试卷满分值及考试时间本试卷满分为150分,考试时间为180分钟。
(二)答题方式答题方式为闭卷、笔试。
试卷由试题和答题纸组成;答案必须写在答题纸(由考点提供)相应的位置上。
(三)试卷内容结构考试内容主要包括模拟电路和数字电路。
(四)试卷题型结构1.选择题2.简答题3. 分析计算题二、考查目标课程考试的目的在于测试考生对于模拟电路和数字电路相关的基本概念、基本理论、基础知识的掌握情况以及综合运用分析和解决电子电路现实问题的能力。
三、考查范围或考试内容概要(一)模拟电路1、常用半导体器件掌握自由电子与空穴,扩散与漂移,复合,空间电荷区、PN结、耗尽层,导电沟道等基本概念;二极管单向导电性,稳压管的稳压作用,晶体管与场效应管的放大作用的基本原理;掌握半导体二极管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。
了解单结管和晶闸管的工作原理和电特性。
掌握以下基本概念和定义:放大、静态工作点、饱和失真和截止失真、直流通路与交流通路、直流负载线与交流负载线,H参数模型、放大倍数、输入电阻与输出电阻、最大不失真输出电压、静态工作点的稳定;复合管。
掌握组成放大电路的原则和各种基本放大电路的工作原理及特点,能够根据具体要求选择电路类型;掌握放大电路的分析方法,能够正确估算晶体管和场效应管基本放大电路的静态工作点和动态参数Au、Ri、Ro。
了解稳定静态工作点的必要性方法。
3、多级放大电路掌握零点漂移与温度漂移,共模信号与差模信号,共模放大倍数与差模放大倍数,共模抑制比概念和各种耦合方式的特点;正确计算多级放大电路的Au、Ri、Ro;掌握差分放大电路的静态工作点和放大倍数的计算方法;理解互补电路的接法和输入输出关系;了解共模抑制比的意义、计算方法,变压器耦合和光电耦合方式.4、集成运算放大电路掌握电流源电路的工作原理;熟悉集成运放的组成及各部分的作用,正确理解主要指标参数的物理意义及使用注意;了解典型运放的工作原理。
(答案必须写在考点提供的答题纸上)一、选择题(每小题5分,共5题,共25分)1. 测得 PNP 型三极管各电极对地电位分别为 VE = -4V , VB =-4.7V , VC =-4.6V ,说明此三极管处在哪个工作区( )。
A. 放大区B. 饱和区C. 截止区D. 反向击穿区2.如下图所示单相桥式整流、电容滤波电路,电容量足够大时,已知副边电压有效值为210V U =,测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =,则下列描述正确的是( )。
A. 电路正常工作B. 电容C 开路C. 负载R L 开路D. 电容C 和二极管D 1同时开路3. LC 正弦波振荡电路如图所示,该电路( )。
A. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡B. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡C. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡D. 满足振荡条件能产生正弦波振荡科目代码: 911总分值: 150科目名称:电子线路(模拟电路+数字电路)(答案必须写在考点提供的答题纸上)4. 如图所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S │,则最大输出功率P O M =( ) 。
A .L 2CES CC 2)21(R U V -B .L2CES CC )21(R U V - C . L 2CES CC 2)(R U V - D.2()CC CES L V U R -5. 在图示电路中,稳压管 D Z 的稳定电压 U Z = 6V ,最小稳定电流 I Zm i n = 5 mA ,输入电压 U I =12V ,电阻 R=100,要保证输出稳定电压6V ,I L 最大不应超过 ( )。
A. 60 mAB. 55 mAC. 45 mAD. 40 mA二、简答题(每小题5分,共5题,共25分)1. 用逻辑代数的基本公式和常用公式将化为最简与或式。
ABC C AB C B A BC A C B A Y ++++=2. 如图所示,请写出Y 的表达式。
科目代码:913 总分值:150 科目名称:大学物理(光、电两部分)B是指_________________________________6、在自感系数间,电流强度近似变为零,回路中产生的平均自感电动势为7、在杨氏双缝干涉实验中,双缝与屏幕的距离为第四级明纹之间的距离为改为600 nm科目代码: 913 总分值: 150 科目名称: 大学物理(光、电两部分)二 计算题(共110分)1、(本题12分)一真空二极管,其主要构件是一个半径R 1 = 0.5 mm 的圆柱形阴极A 和一个套在阴极外的半径R 2 = 4.5 mm 的同轴圆筒形阳极B ,如图所示。
阳极电势比阴极高300 V ,忽略边缘效应。
求电子刚从阴极射出时所受的电场力。
(电子电量e = 1.6×10-19 C )2、(本题12分)如图所示,一厚为b 的“无限大”带电平板,其电荷体密度分布为ρ = kx (0x b ≤≤),式中k 为一正的常数。
求:(1)平板外两侧任一点P 1和P 2处的电场强度大小;(2)平板内任一点P 处的电场强度;(3)场强为零的点在何处?3、(本题12分)一半径为R ,带电量为Q 的均匀带电球体,球体的介电常数为为ε,球体外为真空。
求此球体的电场能量。
4、(本题10分)两平行长直导线相距d = 40 cm ,每根导线载有电流I 1= I 2 = 20 A ,电流流向相反,如图所示。
求:(1)两导线所在平面内与该两导线等距的一点A 处的磁感应强度;(2)通过图中斜线所示面积的磁通量(r 1 = r 3 = 10 cm ,l = 25 cm )5、(本题12分)如图所示,一无限长直载流导线通有电流I 1,在同一平面内有一长为L 的载流直导线,通有电流I 2,一端与长直导线相距为r ,求导线L 所受的磁场力。
计算题 第1题图 计算题 第2题图 计算题 第4题图 计算题 第5题图科目代码: 913 总分值: 150 科目名称: 大学物理(光、电两部分)6、(本题10分)在半径为R 的无限长圆柱体中通有电流I ,设电流均匀地分布在柱体的横截面上,柱体外面充满均匀磁介质,磁导率为μ,试求:(1)离轴线r (r > R )处的磁感应强度;(2)离轴线r (r < R )处的磁场强度。
入学考试试题(A卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目: 电子线路(模拟电路+数字电路)科目代码:911适用专业:电路与系统、通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、集成电路工程、计算机技术图1入 学 考 试 试 题(A 卷) (答案必须写在答题纸上)考试科目:电子线路(模拟电路+数字电路) 科目代码: 911 适用专业:电路与系统、通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程 、 集成电路工程 、计算机技术图23、试画出用3线-8线译码器74LS138 123Y AC Y ABC Y BC =⎧⎪=⎨⎪=+⎩图3的电压波形如图5。
试画出与之对应的输出电压入学考试试题(A卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目: 电子线路(模拟电路+数字电路)科目代码:911适用专业: 电路与系统、通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、集成电路工程、计算机技术图7所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。
(a) (b)图8入学考试试题(A卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目: 电子线路(模拟电路+数字电路)科目代码:911适用专业: 电路与系统、通信与信息系统、信号与信息处理、电子与通信工程、集成电路工程、计算机技术入学考试试题(A卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目:电子线路(模拟电路+数字电路)科目代码:911适用专业:电路与系统、通信与信息系统、信号与信息处理、信息检测与智能系统、电子与通信工程、集成电路工程、计算机技术一、单项选择题(每小题5分,共5题,总计25分,将正确答案的编号填入答题纸)1.某NPN型硅三极管b-e间电压U BE=0.7V,c-b间电压U CB=0.1V,由此可判断该管工作在A、放大区B、截止区C、饱和区D、不能确定2.在放大电路中,温度上升,则A、I CBO减小,U BE减小B、I CBO增大,U BE增大C、I CBO减小,U BE增大D、I CBO增大,U BE减小3.某放大电路,要求输入电阻小,输出电压稳定,应该选用下列那一种负反馈A、电压串联B、电压并联C、电流并联D、电流串联4.在由NMOS晶体管组成的基本共源放大电路中,当输入信号为1kHz、50mV的正弦电压时,输出电压波形出现削顶的失真,这种失真是A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、频率失真5.共模抑制比KCMR越大表明电路A、电压放大倍数越稳定B、输出量中共模成分越大C、电压放大倍数越大D、抑制温漂能力越强大二、简答题(每小题5分,共5题,共25分)1.用逻辑代数的基本公式和常用的公式将()()()Y A B C A B C A B C=++++++化为最简与或形式2.求逻辑函数C ABF+=的对偶函数3.试说明下列反相器的输出逻辑值:1)TTL反相器的输入端接一个小电阻(0.1KΩ)2)TTL反相器的输入端接一个大电阻(100KΩ)3)TTL反相器的输入端悬空4)CMOS反相器的输入端接一个小电阻(0.1KΩ)5)CMOS反相器的输入端接一个大电阻(100KΩ)入学考试试题(A 卷)(答案必须写在答题纸上)考试科目:电子线路(模拟电路+数字电路)科目代码:911适用专业:电路与系统、通信与信息系统、信号与信息处理、信息检测与智能系统、电子与通信工程、集成电路工程、计算机技术4.在CMOS 电路中有时采用图1所示的扩展功能用法,写出Y 的逻辑式。
科目代码: 3810 科目名称:数字集成电路设计基础VDDGND IN1IN2IN3IN4OUT科目代码: 3810 科目名称:数字集成电路设计基础科目代码: 3810 科目名称:数字集成电路设计基础5.说明如图5所示的静态CMOS反相器的总功耗由哪几部分组成,并列出每一项功耗的具体表达式。
(10分)pmosnmosVDDC L图5. 静态CMOS反相器6.分析图6所示的电路,在不同时钟CLK输入下Q0、Q1、Q2与Q3的输出状态,并将状态量填入表1。
假设各个D触发器的初始输出状态皆为Q=0。
(10分)图6.D触发器构成的时序逻辑电路表1.电路输出状态表CLK的顺序输入D1 Q0Q1Q2Q30 0 0 0 0 01 12 03 14 15 0科目代码: 3810 科目名称:数字集成电路设计基础7.试用差分串联电压开关逻辑(DCVSL)与互补传输管逻辑(CPL)实现二输入的XOR/NXOR逻辑门,要求画出其晶体管级电路图。
(10分)8.在图7所示电路中,已知CMOS集成施密特触发器的电源电压V DD=15V, V T+=10V,V T-=5V,R=100KΩ, C=10μF。
试画出u c和u0的波形,并求出u0的频率以及占空比。
(10分)图7. 施密特触发器电路9.叙述图8所示的单管动态CMOS存储单元读与写的工作原理与工作过程。
(8分)T C1C2图8. 单管动态CMOS存储单元10.试回答下列问题:(1)在标准CMOS工艺中,NMOS衬底(阱)通常与电路中最低电位相接,若NMOS衬底(阱)与最高电位相接,会产生什么害处? (4分)(2)MOS管有三种主要漏电流(4分)(3)试分别说明: 在65nm以下工艺,哪两种漏电流起主要作用?(4分)。
宁波大学2018年硕士研究生招生考试初试试题(B 卷) (答案必须写在考点提供的答题纸上)
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1. PN 结正向偏置时,其内电场被 。
A. 削弱
B. 增强
C. 不变
D. 不确定
2. 在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则此三极管是 。
A .
NPN 型硅管 B . NPN 型锗管 C. PNP 型硅管 D. PNP 型锗管
3. LC 正弦波振荡电路如图1所示,该电路 。
A. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡
B. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡
C. 满足振荡条件能产生正弦波振荡
D. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡
图1
4. 功率放大电路的转换效率是指 。
A .输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B .最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C .晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
5. 桥式整流电路若变压器二次电压为sin ωt u 2
102V ,则每个整流管所承受的最大反向电压为 。
A.102V
B. 202V
C. 20V
D. 40V。