第四节 场效应管讲解

这个是功率场效应管（MOSFET）的原理图示，注意看，DS之间并联了一个二极管，而且这个二极管极性N管和P管正好相反检测场效应管极性主要靠的就是这个几种常见的场效应管封装管脚图：首先认清楚DS两个极SO8：SO8-Dual:TO220：TO252:PowerPak-SO8LFPAK-SO8 TSSOP8:SOT-23:先用一个SO8的MOS做示范，因为123脚都是S，5678脚都是D，所以可以任意选择测试管脚把万用表设置到二极管档红黑表笔任意接D和S，如果没有读数，则交换表笔就有读数了此时红S，黑D交换表笔黑S，红D此时无穷大根据图一中二极管方向可以确定此管为N管但要排除有可能是三极管干扰只要用万用表测一下G极（4脚）对任何脚都没有读数，用电阻档量也是无穷大阻值即可确定这是一个NMOS，并非三极管下一步再确定这个NMOS是否工作正常黑笔S红笔G，此时无穷大，并且测试电压已经提供了MOS的导通电压此时重做第2步，黑S，红D，发现什么了？读数变成0，也就是MOS导通了总结一下，Nmos相当于一个对地的电子开关，下图黄圈就是NMOS当G极相对S极有正电压的时候（比如把G接到VCC，因为S已经接地了）或是在GS之间加一个电池，负极S正级G开关导通，灯亮当G极相对S极电压为0或是负电压（比如把G接地），开关断开，灯灭比三极管简单吧！会用MOS以后我根本不再用三极管了MOS导通可以近似认为开关，因为导通电阻非常小，都在毫欧级别，甚至小于普通开关控制这个开关打开或关闭也不需要很多能量，只需一个电压即可，三极管则是要一个电流所以CMOS器件耗电远小于TTL器件再测试一个PMOS吧，SOT23的红黑表笔任意接D和S，如果没有读数，则交换表笔就有读数了此时黑S，红D交换表笔红S，黑D此时无穷大根据图一中二极管方向可以确定此管为P管红笔S黑笔G，此时无穷大，并且测试电压已经提供了MOS的导通电压此时重做第2步，红S，黑D，发现什么了？读数小于第一次测试的0.56V，也就是MOS导通了，只是这个MOS导通电阻有点大总结一下，Pmos相当于一个对正极的电子开关，下图黄圈就是PMOS当G极相对S极有反电压的时候（比如S接正级，G接负极）或是在GS之间加一个电池，正极S负级G开关导通，灯亮当G极相对S极电压为0或是正电压（比如把G接正级），开关断开，灯灭再测个To220的Nmos1：交换表笔测SD直到有度数，红S黑D2：交换表笔再测SD无读数，黑S红D3：黑笔不动还是S 红笔测G，无读数，但已充电导通4：黑笔不懂还是S 红笔再测D，已经导通，呈短路状000或是读数明显小于第二次所得读数Pmos的话，红变黑，黑变红，步骤和上面完全一样~。

场效应管原理场效应管引言•场效应管，也称为晶体管，是一种重要的电子元件。

•它具有广泛的应用领域，如功率放大、开关、频率倍增等。

基本知识•在理解场效应管之前，首先需要了解它的基本结构和工作原理。

结构场效应管一般由四个区域组成： - 栅极（G）：栅极是控制场效应管导通能力的部分。

- 源极（S）：源极是场效应管输出信号的出口。

- 漏极（D）：漏极是场效应管输出信号的入口。

- 通道（channel）：通道是栅极和漏极之间的导电路径。

工作原理•场效应管的工作原理是通过调节栅极电压来控制通道中的电流。

•通常情况下，通道中的电流（漏极电流）与栅极电压之间呈现一定的关系。

类型及特点场效应管根据不同的硅材料和工艺制造方法，可以分为多种类型，常见的有： - N沟道型场效应管（NMOS）：通道中的电流随着栅极电压的增大而增大。

- P沟道型场效应管（PMOS）：通道中的电流随着栅极电压的减小而增大。

特点： - 高输入阻抗：场效应管的输入阻抗很高，对输入信号源的负载影响较小。

- 低输出阻抗：场效应管的输出阻抗很低，能够提供很大的输出电流。

- 快速开关速度：场效应管的开关速度较快，适用于高频应用。

- 体积小、重量轻：场效应管相对于其他电子元件来说体积小，重量轻，有利于电路的迷你化和轻便化。

应用领域场效应管广泛应用于各个领域，包括但不限于以下几个方面： 1. 电子电路中的开关：场效应管可以实现电信号的开关控制。

2. 电子电路中的放大：场效应管具有放大功能，可用于信号放大电路。

3.功率放大器：场效应管可以作为功率放大器，提供较大的输出功率。

4. 高频应用：场效应管的快速开关速度使其在高频应用中得到广泛应用。

5. 传感器驱动电路：场效应管可用于控制和驱动各种传感器。

总结•场效应管是一种重要的电子元件，具有广泛的应用领域。

•它通过栅极电压来控制通道中的电流，实现信号的开关和放大功能。

•场效应管的特点包括高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度、体积小、重量轻等。

场效应管的工作原理详解场效应管（Field Effect Transistor，简称FET），是一种能够实现电压控制电流的半导体器件。

它是晶体管的一种，与另外两种晶体管，即双极型晶体管和增强型晶体管相比，具有许多优点，如高输入阻抗、低噪声、稳定性好等。

场效应管主要由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成。

栅极与漏极之间的距离构成沟道（Channel），沟道是由导电性的半导体材料构成的。

在沟道的下面有一层绝缘材料，称为栅绝缘层。

栅绝缘层将沟道与栅极隔离开来，使得栅极施加的电场可以控制沟道中的电荷分布。

由于这种控制机制，场效应管可以实现电压控制电流。

场效应管可以分为三种类型：MOSFET、JFET和MESFET。

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是最常见的场效应管。

它的栅绝缘层由一层绝缘的氧化层构成，因此也被称为金属氧化物半导体结构。

MOSFET又可以进一步分为两种类型：增强型MOSFET（Enhancement Mode MOSFET）和负增强型MOSFET（Depletion Mode MOSFET）。

JFET（Junction Field-Effect Transistor，结型场效应晶体管）由两个接触在半导体材料上的pn结构组成，其中一个结是沟道-源结（Channel-Source Junction），另一个结是沟道-漏结（Channel-Drain Junction）。

JFET的工作原理是通过改变沟道中的载流子浓度来控制电流。

MESFET（Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属半导体场效应晶体管）是一种结构类似于MOSFET的场效应管，但是栅绝缘层被金属取代。

因为栅极是由金属构成的，MESFET的操作速度相对较快，适用于高频应用。

场效应管+讲解
场效应管
场效应管(Field Effect Transistor, FET)是一种电子电路器件，是由电流流过一个小面积的外部接触层与绝缘底座的晶体管件，具有电子和离子的交互作用而构成的。

它们的特点是有一个小的控制电压来控制一个大的电流，这是晶体管所不具有的特性，所以场效应管可以用来做信号放大器。

场效应管的工作原理是，当对晶体管的接口处施加一个正偏压后，会在晶体管中构成一个叫做“场效应”的变量，电子以及空穴便会在晶体管中流动，当此电压大小发生改变时，在晶体管中的电子流动也会发生改变，这时的电流可以从晶体管的某处取出，因而晶体管构成了一个电路，这就是场效应管。

由于场效应管的特性，它被广泛用于电子电路，尤其是电路的控制与信号放大等方面，在无线电领域中，场效应管也有广泛的应用。

在目前的电子电路中，MOSFET（摩尔管）和JFET（自给效应管）是最常用的两种场效应管，前者的构造比较复杂，通常使用在模拟信号放大方面，而后者的构造相对比较简单，使用在数字信号放大方面。

- 1 -。