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电子科大模电李朝海课件4

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电子科大课堂讲义模拟电路1序言-PPT精选

电子科大课堂讲义模拟电路1序言-PPT精选
无外加电场时，自由电子、空穴的运动杂乱无章。
外加电场时，自由电子逆电场、空穴顺电场方向 运动，分别形成电子电流和空穴电流。
载流子：运载电荷的粒子。
半导体导电的特点：
半导体中有两种载流子（自由电子、空穴）。
电子-空穴对的复合： 电子、空穴在运动中相遇重新结合而使电子-空穴 对消失的过程。
载流子的产生与复合 本征半导体中同时存在载流子产生与复合过程。 在一定温度下，二者达到动态平衡，使半导体中 的载流子浓度保持一定值；温度变化时，则在新 温度下达到新的浓度。
大规模向超大规模方向发展）。
第一章 晶体二极管及应用电路 1-1 半导体材料及导电特性
物质按导电能力分为导体、半导体、绝缘体。 用于制造半导体器件的半导体材料主要是硅（Si） 和又锗 称（ 为晶Ge体）管，。它们具有晶体结构，故半导体器件
一、本征半导体 完全纯净、没有结构缺陷的半导体单晶。 Si和Ge原子结构模型
稳压二极管是一种特殊二极管，与普通二极管工 作在正向、反向特性区不同，稳压管是专门工作 于反向击穿区。 工作原理：利用反向击穿后电流在一定范围内变 化时，其端电压几乎不变的特点，在电路中作稳 压使用。
稳压管特点： 1、PN结易击穿，其击穿电压比普通二极管击穿电压
低很多； 2、 PN结面积大，散热条件好，使反向击穿在较大范
（ ）。
（1）增大10﹪
（2）减小10﹪
（3）增大值大于10﹪
（4）不变
二极管V～A特性曲线的几个区域：
Si和Ge二极管伏安特性区别：
正向特性：导通电压UON（UD）不同 Si管0.7V左右，Ge管0.3V左右
反向特性：反向饱和电流IS不同 Si管纳安（10-9A）级， Ge管微安（10-6A）级

电子科技大学《微电子器件》课件PPT微电子器件(4-2)

电子科技大学《微电子器件》课件PPT微电子器件(4-2)

1
QA (S,inv )
COX
2q NAs 2
COX
1
2FP VS VB 2 K
1
2FP VS VB 2
式中， K

2q
1
NAs 2
，称为 体因子。
COX
于是可得 N 沟道 MOSFET 的阈电压为
1
VT VB VFB K 2FP VS VB 2 2FP VS VB
4.2.1 MOS 结构的阈电压
本小节推导 P 型衬底 MOS 结构的阈电压。
1、理想 MOS 结构（金属与半导体间的功函数差 MS = 0 ，
栅氧化层中的电荷面密度 QOX = 0 ）当 VG = 0 时的能带图
上图中，
FP

1 q

Ei
EF

kT q
ln
NA ni
0
称为 P 型衬底的费米势。
由于 FB 与掺杂浓度 N 的关系不大，故可近似地得到
1
QAD

N
2 AD
VT

MS

TOX
OX
QOX

TOX
OX
QAD

2FB
e) 栅氧化层中的电荷面密度 QOX
QOX 与制造工艺及晶向有关。MOSFET 一般采用（100） 晶面，并在工艺中注意尽量减小 QOX 的引入。在一般工艺条件
因此 MOSFET 的阈电压一般表达式为
VT
VB
VFB

QA (S,inv )
COX
S,inv
以下推导 QA 的表达式。对于均匀掺杂的衬底，
1
QA (S,inv ) q NA xd

电子科大模电期末真题10~11.doc

电子科大模电期末真题10~11.doc

电子科大模电期末真题10~11学院___________________ 系别____________ 班次_____________ 学号__________ 姓名________________………….……密…..……….封……..……线………..…以………..…内………....答…………...题…………..无…….….效…..………………..电子科技大学二零一零至二零一一学年第 1 学期期末考试模拟电路基础课程考试题A卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2011年1 月 5 日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名一、填空题（共30分，共 15个空格，每个空格2 分）1、共发射极放大器（NPN管），若静态工作点设置偏高，可能产生_饱和__失真，此时集电极电流会出现__上___（上、下）削峰失真。

2、某晶体管的极限参数P CM = 200 mW，I CM = 100 mA，U(BR)CEO = 30 V，若它的工作电压U CE为10 V，则工作电流不得超过20 mA；若工作电流I C = 1 mA，则工作电压不得超过30 V。

4、电路及直流测试结果如图1所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(恒流区、夹断区、可变电阻区)。

得图1(a) 恒流区 ; (b) 可变电阻区 。

5、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图2所示。

已知W7805的输出电压为5V ，I Q ＝10 mA ，晶体管的β＝50，|U BE |＝0.7 V ，电路的输入电压U I ＝16 V ，三极管处于放大 （放大，饱和，截止）状态， R 1上的电压为 5.7 V ，输出电压U o 为 9 V 。

图26、设图3中A 均为理想运放，请求出各电路的输出电压值。

U 01= 6 V; U 02= 6 V; U 03= 4 V; U 04= 10 V; U 05= 2 V; U 06= 2 V 。

《模电课件大全》课件

《模电课件大全》课件

THANKS
感谢观看
案例二：无线通信系统的实现
总结词
无线通信系统的实现案例探讨了模拟电子技术在无线通信领域的应用，重点介绍了无线发射机和无线 接收机的设计和实现。
详细描述
该案例首先介绍了无线通信系统的基本原理和组成，然后详细阐述了无线发射机和无线接收机的设计 和实现过程。通过电路图、原理分析和测试数据等手段，展示了无线通信系统的关键技术和性能指标 。最后，对无线通信系统的优势和局限性进行了分析和讨论。
模拟电子技术的发展趋势
总结词
随着科技的不断发展，模拟电子技术也在不断进步和 完善，未来将朝着更高精度、更高速度、更低功耗的 方向发展。
详细描述
随着集成电路和微电子技术的不断发展，模拟电子器件 的精度和稳定性得到了显著提高，同时其体积和成本也 在不断降低。此外，随着数字信号处理技术的广泛应用 ，模拟电子技术也与数字电子技术相互融合，形成了混 合信号处理技术。未来，模拟电子技术将继续朝着更高 精度、更高速度、更低功耗的方向发展，为各领域的科 技进步提供更加有力的支持。
02
模拟电子技术基础
电子元件
01
02
03
电子元件的种类
电子元件是构成电子设备 的基本单元，包括电阻、 电容、电感、二极管、晶 体管等。
电子元件的作用
电子元件在模拟电子技术 中起着关键作用，它们可 以用于信号处理、放大、 滤波、振荡等。
电子元件的特性
每种电子元件都有其独特 的电气特性，如电阻的阻 值、电容的容值、电感的 感值等。
音频信号的滤波
通过模拟电子技术，可以 对音频信号进行滤波处理 ，去除噪声和其他干扰。
音频信号的调制
通过模拟电子技术，可以 将音频信号调制到高频载 波上，以便于传输和广播 。

电子科技大学《微电子器件》课件PPT(3-4)

电子科技大学《微电子器件》课件PPT(3-4)
ICEO 代表基极开路 ( IB = 0 ) 、集电结反偏 ( VBC < 0 ) 时从 发射极穿透到集电极的电流，称为共发射极反向截止电流，或
共发射极穿透电流。
共发射极输出特性曲线
IC
IB
I CEO
exp
q VBE VCE
kT
1
图中，虚线代表 VBC = 0 ，或 VCE = VBE ，即放大区与饱和区 的分界线。在虚线右侧，VBC < 0 ，或 VCE > VBE ，为放大区；在 虚线左侧，VBC > 0 ，或 VCE < VBE ，为饱和区。
VA 的几何意义
IES R ICS
（3-60）
3.4.4 晶体管的输出特性
共基极输出特性：以输入端的 IE 为参变量，输出端的 IC 与 VBC 之间的关系。
IE
IC
E
N+ P
N
-C
VBC
B
+B
由共基极直流电流电压方程（埃伯斯－莫尔方程），
IE
I ES
exp
qVBE kT
1
R ICS
exp
qVBC kT
IE
I ES
exp
qVBE kT
1
IC
IE
IES
exp
Hale Waihona Puke qVBE kT1
IB
IE
IC
1
I ES
exp
qVBE kT
1
3.4.2 发射结短路时的电流
把晶体管的发射区当作“集电区”，集电区当作 “发射
区”，就可得到一个倒过来应用的晶体管，称为 倒向晶体管。
发射结短路就相当于倒向晶体管的“集电结”短路，因此晶体

电子科技大学《微电子器件》课件PPT(3-5)

电子科技大学《微电子器件》课件PPT(3-5)

M
1
1
BVCEO VB
S
1
BVCEO
VB S 1
S
VB
1
BVCBO
S
即
BVCEO
BVCBOS例3. Nhomakorabea 与例 3.1中的晶体管相同， 32.5，S 4。
当BVCBO
100V时，BVCEO
100 4 32.5
42
V
ICEO ~ VCE 曲线中经常 会出现一段 负阻区。图中，
VSUS 称为维持电压。
ICBO 1R
ICS
ICS
I CEO
1 R 1
I CS
如果基区足够长，以至于两个 PN 结之间没有耦合作用，即
R 0
则 3 个电流的大小相同，都等于单个集电结的反向饱和电流。
3.5.2 共基极接法中的雪崩击穿电压
已知 PN 结的雪崩倍增因子 M 可以表示为
1
M 1
xd 0
i
dx
在工程实际中常用下面的经验公式来表示当 已知击穿电压
IC M IE M ICBO AIE ICBO 式中， A M， ICBO M ICBO ，分别代表计入雪崩倍增
效应后的共基极电流放大系数与反向截止电流。
例 3.1 某硅NPN管的 0.98 , 0.99 ,则 0.9702，取 S 4 。
当 VBC
0.4VB 时，M
1 1 (0.4)4
N+ P
E B
ICS N
C
VBC
(3) ICBO ：VBC < 0 、IE = 0 时的 IC ， ICBO 1R ICS
在共基极电路放大区中，IC IE ICBO
N+ P

模拟电路基础教程PPT完整全套教学课件全

模拟电路基础教程PPT完整全套教学课件全

返回目录 CONTENTS PAGE
透彻掌握器 件特性
1
重视对电路 构成原理的
学习
2
理论与实践 的关系
3
返回目录 CONTENTS PAGE
目前国内使用较多的电路设计仿真软件有PSPICE、Proteus和Multisim 等。就模拟电路仿真来说,Multisim 以其界面友好、功能强大、易于学习 的优点而受到高校电类专业师生和工程技术人员的青睐。Multisim13.0版 本已上市,但目前使用比较稳定、用户数较多的还是10.0版本。对于使用 者来说,只要有一台计算机和Multisim 软件,就相当于拥有了一间设备齐全 的电路实验室,可以调用元器件,搭建电路,利用虚拟仪器进行测量,对电路 进行仿真测试,可以实时修改各类电路参数,实时仿真,从而帮助使用者了解 各种电路变化对电路性能的影响,对电路的测量直观、智能,是进行电路分 析和设计的有效辅助工具。使用者在学习和解题的过程中,可以通过 Multisim 对电路中某个节点的电压波形、某条支路的电流波形、电路结构 变化产生的影响等方方面面问题快速仿真而得到答案。
模拟电路基础教程PPT课件
1.1.4 一般电子系统的构成 1.电子系统的分类
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模拟电子 系统
数字电子 系统
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2.电子系统的构成
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模拟电路基础教程PPT课件
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1.1.5 模拟电子技术的发展
在式(1-1-1)中,K 为常数,使u(t)和T(t)之间形成如图1-1-1所示的相 似形关系。如果K 不能保持为常数,则称模拟信号发生了失真。失真问 题是模拟电路中始终需要引起注意和克服的重要问题。

电子科大数字电路完整4-1定理 chenyuppt课件

电子科大数字电路完整4-1定理 chenyuppt课件

例： 写出下面函数的对偶函数 F1 = A + B · (C + D)
F2 = ( A’·(B+C’) + (C+D)’ )’
精选PPT课件
16
对偶定理 （Duality Theorems）
证明公式：A+BC = (A+B)(A+C)
A(B+C) AB+AC
精选PPT课件
17
Duality and Complement (对偶和反演) (P194.P195)
finite induction (P190)
❖ X + X + X + … + X = X + (X + X + …+ X) (i + 1 X’s on either side) = X + (X) (if T12 is true for n = i) = X (according to T3)
❖ Commutativity (交换律)
(T6)X + Y = Y + X
(T6’) X · Y= Y ·X
❖ Associativity (结合律)
(T7) X·(Y·Z) = (X·Y)·Z (T7’) X+(Y+Z) = (X+Y)+Z
❖ Distributivity (分配律)
(T8) X·(Y+Z) = X·Y+X·Z (T8’) X+Y·Z = (X+Y)·(X+Z)
❖ common factor(允许提取公因子)
AB+AC = A(B+C)
❖ no division(没有定义除法) if AB=BC A=C ?? 错！ A=1, B=0, C=0 AB=BC=0, AC

电子科技大学模电课件4.4

电子科技大学模电课件4.4

解：（1）
R
I
s
V

DD
V DSQ
DQ
I
53 1.18 k 1.7
DQ
(V GSQ V TN ) 2 Kn
代入数据得 1.7=1×( V 又
GSQ
-1)²
由此可得 V GSQ =2.30V 或V GSQ =-0.3V（舍去）
V
GSQ
V G V S
R R
1
R
2 2
输出电压 由KVL，有 因此
v g v ( R // r
o m gs s
ds
)
v v v v g v ( R // r
g1 gs o gs m gs s
ds
)
1
v gs
(4.15) 又
v 1 g ( R // r
g1 m s
) ds

g
1
m
g
R s // r ds
m
v
[设计例题4.15]目的：设计一个特定的N沟道增强型 MOSFET源极跟随器。 电路如图4.32所示。场效应管参数为VTN=1V， Kn=1mA/V² ，λ=0。电路参数为VDD=5V，Ri=300kΩ （1）设计电路参数，使IDQ=1.7mA，VDSQ=3V ; （2）求小信号电压增益Av=vo/vi。
v v v v g v R
i gs o gs m gs
s
代入数据得
v g v R A v v g v R
o i m gs s v gs m gs
s
g R 1 g R
m s m
s
Av
2.6 1.18 3.07 1 2.6 1.18

第四章模电幻灯片

第四章模电幻灯片
(2) 双端输出时，理想情况下，KCMR → ；单端输
出时，共模抑制比不如双端输出高。
(3) 单端输出时，可以选择从不同的三极管输出， 而使输出电压与输入电压反相或同相。
(4) 单端输出时，由于引入很强的共模负反馈，两 个管子仍基本工作在差分状态。
(5) 单端输出时， Rid 2(R + rbe)。
(1) 静态工作点； (2) 差模电压放大倍数； (3) 输入、输出电阻。
在上述这些措施中，采用差动放大电路是目前应 用最广泛的能有效抑制零漂的方法。下面将对这种方法 作重点介绍。
4.1.2 基本差动放大电路
用三端器件组成的差分式放大电路
2. 有关概念
根据 vid=vi1vi2
vi c=12(vi 1vi 2)
有
vi1
=vic
vid 2
vi2
=vic
vid 2
共模信号相当于两个输入
v o1 2 v i1
1 2
Avd
Rc 2 rbe
接入负载时
Avd
=
β(Rc //RL) 2rbe
3. 主要指标计算 （1）差模情况
<C> 单端输入 ro re
等效于双端输入
指标计算与双端 输入相同。
Hale Waihona Puke 3. 主要指标计算（2）共模情况
<A> 双端输出 共模信号的输入使两管集
电极电压有相同的变化。
所以 vocvoc 1voc 20
入信号及负
载的两端均
不接地的情
况。
差分输入 单端输出
1. Ad 约为 双端输出时 的一半。
2. 由于引 入共模负反 馈，仍有较 高的KCMR。
3.适用于将 双端输入转 换为单端输 出。

电子科大模电复习课件

电子科大模电复习课件

2 互补推挽乙类功
1. 电路工作原理
当输入信号处于正半周时，且 幅度远大于三极管的开启电压，此 时NPN型三极管工作。有电流通过 负载RL，按图中方向由上到下，与 假设正方向相同。 当输入信号为负半周时，且幅度远 大于三极管的开启电压，此时PNP型 三极管工作。有电流通过负 载RL， 按图中方向由下到上，与假设正方向 相反。于是两个三极管一个正半周， 一个负半周轮流导电，在负载上将正 半周和负半周合成在一起，得到一个 完整的不失真波形。 ie1
D 与 S 有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 输入量 电流输入 控制 多子漂移 电压输入
电流控制电流源 CCCS(β ) 电压控制电流源 VCCS(gm)
双极型和场效应型三极管的比较(续)
双极型三极管 噪声 较大
场效应管 较小 较小，有零温度系数点
温度特性 受温度影响较大
输入电阻 几十欧姆——几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 易受静电影响 适宜大、超大规模集成
负载
us

Rs
信号源
A
放大电 路 直流电源
RL
3.2
BJT偏置电路
（直流通路：提供合适的静态工作点Q 点，保证BJT发射结正偏，集电结反偏，放 大信号始终处在放大工作区，避免出现截止及饱和失真。介绍固定基流电路， 基极分压射极偏置电路）
第三章 晶体管放大电路基础(全书重点）
3.3 放大电路的技术指标及基本放大电路
电路形式：各种恒流源组成。
.差动放大器的输入输出方式
差动放大器共有四种输入输出方式: 1. 双端输入、双端输出（双入双出）(已讲) 2. 双端输入、单端输出（双入单出） 3. 单端输入、双端输出（单入双出） 4. 单端输入、单端输出（单入单出） 主要讨论的问题有： 差模电压放大倍数 共模电压放大倍数 差模输入电阻、输出电阻 分析方法----半电路分析法; (重点)

电子科技大学《微电子器件》课件PPT微电子器件(4-4)

电子科技大学《微电子器件》课件PPT微电子器件(4-4)

由
I Dsat


2
VGS VT
2 可知 ，
IDsat 与 VGS 为线性关系。
测量 MOSFET 在饱和区的 IDsat ~ VGS 关系并绘成直线，其在
横轴上的截距即为 VT ，如下图所示，
I Dsat
I Dsat 2 I Dsat 1
0
斜率 2
VT VGS1VGS2
VGS
3、 1 A 法 类似于测量 PN 结的正向导通电压 VF 或击穿电压 VB ，将 漏极电流达到某一规定值 IDT 时的 VGS 作为阈电压 VT 。
4.4 MOSFET 的亚阈区导电
本节以前的漏极电流公式只适用于 VGS > VT ，并假设当 VGS < VT 时 ID = 0 。但实际上当 VGS < VT 时，MOSFET 仍能 微弱导电，这称为 亚阈区导电。这时的漏极电流称为亚阈电 流，记为 IDsub 。
定义：使硅表面处于本征状态的 VGS 称为 本征电压 ，记为
中，得
I Dsub

Z L
qDn
kT q

CD (S)
qNA
np0
exp
qS
kT


1
exp

qVDS kT


Z L
n
CD
(S
)


kT q
2

exp


2qFP
kT


exp

qS
kT


1
exp
(S )
kT q
2
exp
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§4.2 集成运放中的电流源
一、镜像电流源 二、微电流源
三、多路电流源 四、有源负载
一、镜像电流源
在电流源电路中充分利用集成运放中晶体管性能的一致性。 T0 和 T1 特性完全相同。
基准电流
I R (VCC U BE ) R
U BE1 U BE0，I B1 I B0 I C1 I C0 I C
§4.4 运放的性能指标及低频等效
集成运放的低频等效模型：
上图中：IIO为失调电流， IIB为 偏置电流，UIO为失调电压，rid为差况： rid
, ro 0, Aod
讨论
增大输入级的负载电阻 有源负载 共射放大电路
超β管
+
+ _
同相 输入端 有源负载
二、举例：F007——通用型集成运放
对于集成运放电路，应首先找出偏置电路，然后根据信 号流通顺序，将其分为输入级、中间级和输出级电路。
找出偏置电路
若在集成运放电路中能够估算出某一支路的电流，则 这个电流往往是偏置电路中的基准电流。
简化电路 分解电路
三级放大电路
双端输入、单端 输出差分放大电 路
Q2
15V
ro
15V
Q1
I C0
Q0
ro
ro rce2
uo
IR
R
uI
RE 100
15V
54k
教材P96图2.3.13（d）h参数等效模型
ib
+ vbe -
ic
rbe
ib
+ rce vce
-
四、有源负载
Au如何求？ 基本镜像电流源用电流源 模型表示：
Q2
15V
ro
15V
Q1
I C0
I C0
15V
Q1
ui
vo
Q0
IR
R
又：15 (15) VBE1 I R R
IR
30 0.7 0.54mA 54
100
15V
54k
Au如何求？
Q1、Q2、R构成基本镜像电流源用电流源 模型表示：
ro
四、有源负载
Au如何求？ 基本镜像电流源用电流源 模型表示：
以复合管为放大管、 用UBE倍增电路消 恒流源作负载的共 除交越失真的准 射放大电路 互补输出级
输入级的分析
共集-共基形式 T1和T2从基极输入、射极输出 T3和T4从射极输入、集电极输出 T3、T4为横向PNP型管，输 入端耐压高。共集形式，输入 电阻大，允许的共模输入电压 幅值大。共基形式频带宽。 Q点的稳定： T（℃）↑→IC1↑ IC2↑ →IC8↑ IC9与IC8为镜像关系→IC9↑，因 IC10不变→ IB3↓ IB4↓ → IC3 ↓ IC4↓→ IC1↓ IC2↓
一、集成运放的分类
1、按工作原理分类 电压放大、电流放大、跨导、互阻等四种，即取 决于输出端受控源的类型 2、按控制特性分类 可变增益、选通控制等 3、按性能指标分类 高阻、高速、高精度、低功耗等
二、集成运放的选择
应用时应根据输入信号源特性、负载特性、精度要 求、环境条件等选择相应的种类运放。
三、集成运放的使用
_ _ _
+
反相 输入端
_
1. 2. 3. 4.
积累电流放大 输入级采用什么措施增大放大倍数？ 系数 中间级采用什么措施增大电压放大倍数？ 如何消除交越失真？ uI1、 uI3哪个是同相输入端？哪个是反相输入端？
§4.4 集成运放的种类、选择与使用
一、集成运放的分类 二、集成运放的选择 三、集成运放的使用
§4.4 运放的性能指标及低频等效
• • • • • • • • • • • 指标参数 F007典型值 理想值 20lg│Aod│ 开环差模增益 Aod 106dB ∞ 使uO为0在输入端所加的补偿电压 差模输入电阻 rid 2MΩ ∞ 共模抑制比 KCMR 90dB ∞ 输入失调电压 UIO 1mV 0 UIO的温漂d UIO/dT(℃) 几μV/ ℃ 0 输入失调电流 IIO (│ IB1- IB2 │) 超过此值不能正常放大 20nA 0 差模信号 0 UIO的温漂d UIO/dT(℃) 几nA/ ℃ 最大共模输入电压 UIcmax ±13V 超过此值输入级放大管击穿 最大差模输入电压 UIdmax ±30V -3dB带宽 fH 10Hz ∞ 转换速率 SR(=duO/dt│max) 0.5V/μS ∞
1 (rce1 ∥ rce2 ∥ RL ) Au Rb rbe1
1 RL 若(rce1 ∥ rce2 ) RL , 则Au Rb rbe1
2. 用于差分放大电路
①电路的输入、输出方式？
②如何设置静态电流？
RL + uO -
③静态时iO约为多少？ ④动态时ΔiO约为多少？
Au
uO iO Au (rce2 // rce4 // RL ) uI uI
RL
rbe
(rce2∥rce4∥RL ) Au rbe
(4.2.17)
§4.3 集成运放的电路简介
一、读图方法
已知电路图，分析其原理和功能、性能。 （1）了解用途：了解要分析的电路的应用场合、用途 和技术指标。 （2）化整为零：将整个电路图分为各自具有一定功能 的基本电路。 （3）分析功能：定性分析每一部分电路的基本功能和 性能。 （4）统观整体：电路相互连接关系以及连接后电路实 现的功能和性能。 （5）定量计算：必要时可估算或利用计算机计算电路 的主要参数。
中间级的分析
中间级是主放大器，它 所采取的一切措施都是为 了增大放大倍数。 F007的中间级是以复合 管为放大管、采用有源负 载的共射放大电路。由于 等效的集电极电阻趋于无 穷大，故动态电流几乎全 部流入输出级。
中间级 输出级
输出级的分析
准互补输出级，UBE倍增电路消除交越失真。
电流采样电阻
D1和D2起过流保护作用，未 过流时，两只二极管均截止。
I R I C0 I B0 I B1 I C
IC
T1的表现有如 该电路有无负 T反馈？ 0的镜像
2I C
I R 若 2 ，则I I C R 2


调整R即可得所需的Ic1!
二、微电流源
集成电路中常常要求提供很小（通常几十微安）的静 态电流，受工艺限制，又不能用太大的电阻，怎么办？ 超越 I E1 (U BE0 U BE1) Re 方程
第四章 集成运算放大电路
§4.1 概述 §4.2 集成运放中的电流源
§4.3 集成运放的电路分析及其性能指标
§4.4 集成运放的种类、选择与使用
§4.1 概 述
一、集成运放的特点
集成运算放大电路，简称集成运放，是一个高性能的直 接耦合多级放大电路。因首先用于信号的运算，故而得名。 （1）直接耦合方式，充分利用管子性能良好的一致性，大 量采用差分放大电路和电流源电路。 （2）用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路的复杂 化并不带来工艺的复杂性。 （3）用有源元件替代无源元件，如用晶体管取代难于制作 的大电阻。 （4）采用复合管。
2. 用于差分放大电路
动态：
+ uO -
RL
iC1 iC2， iC4 iC3 iC1， iO iC4 iC2 2iC1
输出电流与输入电压之比： iO 2iC1
Aiu uI 2rbe iB1 rbe
如果：
RL (rce2∥rce4 )
I E I SeU BE
UT
， E0 I E1 I Se(U BE0 U BE1 ) U T I
UBE0 UBE1 UTln( I E0 IE1 ) IE1Re
I E1 I C1 ; I E0 I C0
Re0 Re1 e
VCC U BE0 IR R
设计过程很简单，首先确定IE0和IE1，然 后选定R和Re。
§4.1 概 述
二、集成运放电路的组成
两个 输入端
一个 输出端
若将集成运放看成为一个“黑盒子”，则可等效为一个 双端输入、单端输出的差分放大电路。
§4.1 概 述
集成运放电路四个组成部分的作用
偏置电路：为各 级放大电路设置 合适的静态工作 点。较多采用电 流源电路?
输入级：前置级，多采用差分放大电路。要求Ri大，Ad大， Ac小，输入端耐压高。 中间级：主放大级，多采用共射放大电路。要求有足够的 放大能力。 输出级：功率级，多采用准互补输出级。要求Ro小，最大 不失真输出电压尽可能大。 几代产品中输入级的变化最大！
1、认真查阅产品手册（data sheet） 尽量按手册的要求使用 2、注意调零和防自激处理措施 3、注意输入端过载保护
输入防差模过载电路
输入防共模过载电路
三、集成运放的使用
4、输出端过载保护
5、电源极性保护
习题：P214~P219 4.1、4.4、4.8、4.14
§4.1 概 述
三、集成运放的电压传输特性
uO=f(uP-uN)
在线性区：uO＝Aod(uP－uN) Aod是开环差模放大倍数。
非线 性区
由于Aod高达几十万倍，所以集成运放工作在线性区时的 最大输入电压(uP－uN)的数值仅为几十～一百多微伏。 (uP－uN)的数值大于一定值时，开环集成运放的输出不 是＋UOM , 就是－UOM，即此时集成运放工作在非线性区。
输入级的分析
T7的作用：抑制共模信号 放大差模信号 + + _ + + + + + T5、T6分别是T3、T4的有源负 载，而T4又是T6的有源负载，增 大电压放大倍数。 _ _ 特点： 输入电阻大、差模放大倍数大、 共模放大倍数小、输入端耐压高， 并完成电平转换（即对“地”输 出）。