可控硅损坏原因讲解学习

图中L1、N1为脱扣器的上游，L2、N2为脱扣器的下游，脱扣电路的一端接的是火线（L1），另一端接的是零线（N2），又来滤除扰动信号的电容一端接的是可控硅控制极，另外一端为零线（N1）。

此为背景。

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脱扣时，电流经过L1流至N2，线圈上电，形成磁场，装置TK脱扣，N1与N2分离，分离瞬间N1,N2之间存在电弧，电弧两端一定压降，于是N1与N2不再是等电势，且N1电势低于N2电势。

此时，可控硅还处于导通状态，控制极与阴极（即N2）之间的电势相差很小（拿示波器测试过，脱扣瞬间控制极与阴极之间的有1-2V的瞬间电压），所以，N1与N2之间电弧的压降同时也会直接加在电容两端，该压降很高，高至300V，所以该电容经常损坏，电容要么短接，要么断路，短路的情况下，可控硅控制极一直是接地，所以在有信号的情况下也不会脱扣，造成可控硅损坏的假象；断路的情况下，可控硅经常在扰动的干扰下导通。

多次试验后，可控硅的控制极与阴极还会出现被击穿的情况，两个引脚之间的阻值变为几欧。

对这个现象还没想到一个合理的解释。

解决办法：
把电容一端的地N1换成N2，电弧的电压不再加在电容两端，电容就不会这么容易损坏了。

中频炉逆变晶闸管（可控硅）烧损原因在生产过程中偶尔会出现逆变桥晶闸管烧损的问题，一般情况下，当电压升到值时，逆变器无法在高阻抗情况下运行，就有可能会引发电压失控，电源出现问题不会很明显，所以需要一步步排除。

一、炉体检查
1、着重检查感应圈绝缘层有无损坏，感应圈和磁轭之间的绝缘是否完好
2、水冷电缆有无鼓包、接头是否松动
3、炉体冷却水管有无渗漏和堵塞
4、接地保护是否完好
5、在确定各排查点完好后，倒换炉体送电试
二、换炉开关检查
1、换炉开关触头要平整，有效结合
2、换炉开关水冷管道畅通
3、停电后，仔细检查换炉开关各个部位元件
4、换炉开关之间要完全分开，没有导体搭接
三、铜排检查
1、铜排之间要保证没有东西搭接
2、铜排接口处的水冷管道完好畅通
四、补偿电容检查
1、查看补偿电容有无渗漏和鼓包
2、敲击电容壳体，听声音确定电容有无内空
3、电容水冷管道有无渗漏和堵塞
4、使用能测量电容的万用表，测量电容的通断
5、放电电抗器接线完好
五、滤波电抗检查
1、滤波电抗器水冷管道必须要完好
2、电抗器线圈内部铁芯无位移，按照排查点逐一排查检修
六、逆变桥架检查
1、确保晶闸管安装同心度和压紧度
2、检查晶闸管阻容保护完好
3、检查电压互感器是否正常
七、整流桥检查
1、检查晶闸管阻容保护是否完好
2、检查电流互感器是否正常，按照排查点逐一排查检修
八、主板检查
1、电炉完好时，把主板给晶闸管的各个参数手抄份，等电炉出现故障时，对照参数是否一致，有无出现漂移，进行调整。

2、仔细检查主板上的各插头，有无断线与松动，更换备用主板。

KP型普通可控硅常见问题分析KP型可控硅性能的稳定可靠，对于可控整流器的良好运行来说是极为重要的。

可控硅虽具有很多优点，但是，它的过载能力较差，若线路设计不当、选配可控硅技术参数不合理，或者可控硅工作时不符使用条件、操作失误，都有可能使可控硅特性下跌，被击穿损坏，造成停机故障。

这时须采取有效措施，迅速排除故障，使整流器恢复正常。

一、故障现象：可控硅在轻载时工作正常，但是，通大电流时造成失控。

原因分析：1.可控硅高温特性差，在大电流时失去正向阻断能力；2.整流变压器漏抗引起波形畸变。

采取措施：1.更换可控硅；2.解决整流变压器漏抗匹配问题。

二、故障现象：单相桥式可控硅整流电路中负载为电感性质，可控硅有时正常，有时失控。

原因分析：1.电路中没有续流二极管；2.选用可控硅维持电流太小。

采取措施：1.在负载两端并接一只续流二极管；2.选择维持电流较大的可控硅。

三、故障现象：水冷型可控硅整流器运行时突然击穿烧坏几只可控硅。

原因分析：1.断水使可控硅工作结温急剧上升，致使可控硅击穿短路；2.可控硅管壳绝缘陶瓷圈表面有水珠或积尘导电，使阳极与阴极、门极与阴极之间形成短路；3.可控硅绝缘底座积尘导电，使阳极或阴极对地短路；4.主回路过电流保护环节不起作用。

采取措施：1.检查水路，保证畅通无阻；2.清除灰尘，擦干水珠；3.检侧可控硅阳极或阴极对地之间耐压绝缘状况，清除灰尘，保证可控硅底座对地绝缘性能良好；4.合理调整过电流保护环节的整定值。

四、故障现象：可控硅整流器搁置多年不用时，当输出端接上500W左右灯泡，主回路合闸通电进行调试时，就发生烧坏快速熔断器或可控硅。

原因分析：可控硅存放两年以上，它的特性可能下跌。

一且通电，因失去阻断能力而被击穿，（其击穿部位往往集中在管芯硅片的一个点上)，然后造成三相交流电源相间短路，致使烧坏快速熔断器和可控硅。

采取措施：1.在合闸通电之前，应对可控硅主要特性参数进行检测和筛选工作；2.如发现可控硅不符使用要求，应及时更换。

一、可控硅击穿原因：1、RC电路只是用于尖峰脉冲电压的吸收（平波作用），RC时间常数应和尖峰脉冲上升沿时间一致，并且要注意电容的高频响应，应使用高频特性好的。

2、压敏电阻本身有反应时间，该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽度，而且压敏电阻的过压击穿电压值有一定的离散性，实际的和标识的值有一定的误差。

3、击穿的可能性好多种,过电流,过电压.短路,散热不好都会被击穿.RC电路或压敏电阻只是吸收尖峰脉冲电压.和涌浪电压用的有条件.可以增大双向可控硅容量，这能有效减少以上的问题,如果是短路就要查明短路原因二、问题例子：最初使用MOC3061+BT131控制电磁阀，BT131击穿很多；后来将BT131更换成BT136虽然有多改善，但还是偶尔有击穿。

电路图如下实际电路中R56没焊，R55为330欧姆。

电路有RC吸收、压敏电阻保护电路，负载为电磁阀，负载电流最多不超过100mA，按说1A的BT131就已经足够了，但使用4A的BT136还偶尔会坏，是可控硅质量问题，还是我的电路参数有问题？另外，有谁知道可控硅的门极触发电流是怎么计算得来的？在之前的BT131电路中R55、R56的阻值是330欧姆，后来的BT136电路中去掉了R56、R55的阻值还是330欧姆。

是不是这个值太小了，触发电流太大引起的损坏？关于电路图做一下补充：1.电阻R68实际用的是75欧姆2.电容C11用的是103 630V（0.01u）3.压敏电阻R75用的是471V的回答一：对双向可控硅驱动，技术已十分成熟了。

对感性负载，驱动电路不要这样接，有经典的参考电路，请参考相应的资料。

我认为该处应该用ＣＢＢ电容，其特性有利于浪涌的吸收。

如果受体积限制，类似的电路我也这样用。

ＣＢＢ电容回答二：照这个图来做，烧了可控硅那就是你的质量太差了！此电路我用了3年，现在还在用。

左边的电路为恒流，输入5-30V都不会烧坏光耦。

R3一定要用20-50欧以内的电阻，不可以用上百欧的否则可控硅无法完全导通，一直处于调压状态，很容易发热甚至损坏回答三：回答四：其实有一点大家可能都没有注意，就是可控硅的尾缀问题，TW的才是更适合电机类使用的器件！仔细查一下手册看看吧！三、可控硅检测：注：本文中所使用的万用表为指针式，若换为数字式，注意红黑表笔极性正好相反1、判断引脚极性方法一：由双向可控硅的内部结构可知，控制极G与主电极A1之间是由—块P型半导体连接的，两电极间的电阻（体电阻）为几十欧姆，根据公特点就可以方便地判断出各电极来。

在电路中可控硅不工作的原因全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：可控硅是一种重要的半导体器件，常用于电力控制和电能转换领域。

但是在实际使用中，我们有时会遇到可控硅不工作的情况，这给电路和设备的正常运行带来了隐患。

了解可控硅不工作的原因并采取相应的措施是非常重要的。

本文将对在电路中可控硅不工作的原因进行详细探讨。

一、电路中可控硅不工作的原因1. 可控硅损坏可控硅作为一种半导体器件，其本身可能会受到过压、过流等外部因素的影响而损坏。

这种情况下，可控硅会失去正常的工作功能，甚至短路或断路，无法正常导通。

2. 控制信号不足可控硅的工作需要通过控制信号来触发，如果控制信号不够强或者频率不足，可控硅可能无法正常触发。

这种情况下，即使电路中的其他部分正常工作，可控硅也无法正常导通或截止。

3. 温度过高可控硅在工作时会产生一定的热量，如果周围环境温度过高或者散热不佳，可能会导致可控硅温度过高而无法正常工作。

这种情况下，可控硅可能会进入过热保护状态或直接损坏。

4. 激励电路异常在实际电路中，连接可控硅的激励电路可能发生异常，比如电路连接错误、元器件损坏等情况，这些都可能导致可控硅无法正常工作。

5. 其他外部干扰电路中可能会存在其他外部干扰的因素，比如电磁干扰、电压波动等，这些因素可能会导致可控硅无法正常工作。

二、针对以上原因的解决措施1. 对可控硅进行严格的过压、过流保护，避免因外部因素导致可控硅损坏。

2. 加强对控制信号的管理和调节，确保可控硅能够获得充足、稳定的控制信号。

3. 优化散热结构，提高可控硅的工作环境温度，避免因过高温度影响可控硅的正常工作。

4. 定期检查激励电路和相关连接，确保可控硅的激励电路正常，不存在连接错误或元器件损坏等情况。

5. 增加电路的抗干扰能力，通过隔离、滤波等方法来消除外部干扰对可控硅的影响。

总结：在电路中可控硅不工作的原因是多方面的，可能来自于器件本身的损坏，也可能来自于外部的因素干扰。

不同的导通角对可控硅的损坏
不同的导通角对可控硅的损坏有直接的影响。

对于给定的平均正向电流，导通角越小，电流的RMS值就越大，这会导致可控硅上的电压降增加，进而增加平均功耗。

因此，结温上升可能会超过安全上限值。

此外，如果可控硅的导通角迅速增大或者迅速关断，可能会引起电源剧烈波动，从而导致可控硅或其它固态继电器的损坏。

在控制可控硅的导通状态时，栅极电流起到了关键的作用。

栅极电流决定了可控硅切换到其导通状态的正向电压，而这个电压又直接影响了可控硅是否会发生击穿现象。

如果可控硅不导通，可能是由于它的触发特性不好，或者已经损坏。

为了避免这种情况，可以在设备的阳极上串接一节干电池进行测试。

总的来说，为了确保可控硅的正常工作并防止其损坏，需要对其使用条件和工作环境进行细致的管理，包括限制栅极电流、控制导通角以及避免剧烈的电压波动等。

可控硅损坏原因可控硅短时间烧毁的原因？中频炉电源里的一个可控硅老是被烧坏原因：1、中频炉逆变可控硅水冷套内断水或散热效果下降更换水冷套。

有时观察水冷套的出水量和压力是足够的，但经常由于水质问题，在水冷套的壁上附着一层水垢，由于水垢是一种导热性级差的物体，虽然有足够的水流量流过，但因为水垢的隔离是其散热效果大大降低。

其判断方法是：将功率运行在较低于该过流值的功率下约十分钟，迅速停机，停机后迅速用手触摸可控硅元件的芯部，若感觉到烫手，则该故障是由此原因引起的。

2、槽路连接导线有接触不良和断线情况检查槽路连接导线，根据实际情况酌情处理。

当槽路连接导线有接触不良或断线情况时，功率升到一定值后会产生打火现象，影响了设备的正常工作，从而导致设备保护动作。

有时因打火时会在可控硅两端产生瞬时过电压，如果过压保护动作来不及，会烧坏可控硅元件。

该现象经常会出现过电压、过电流同时动作。

3、负载对地绝缘降低负载回路的绝缘降低，引起负载对地间打火，干扰了脉冲的触发时间或在可控硅两端形成高压，烧坏可控硅元件。

4、中频炉可控硅在反相关断时，承受反向电压的瞬时毛刺电压过高在中频电源的主电路中，瞬时反相毛刺电压是靠阻容吸收来吸收的。

如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛刺电压过高烧坏可控硅。

在断电的情况下用万秀表测量吸收电阻阻值、吸收电容容量，判断是否阻容吸收回路出现故障。

5、脉冲触发回路故障在设备运行时如果突然丢失触发脉冲，将造成逆变开路，中频电源输出端产生高压，烧坏可控硅元件。

这种故障一般是逆变脉冲形成、输出电路故障，可用示波器进行检查，也可能是逆变脉冲引线接触不良，可用手摇晃导线接头，找出故障位置。

6、设备在运行时负载开路当设备正在大功率运行时，如果突然负载处于开路状态，将在输出端形成高压烧坏可控硅元件。

7、设备在运行时负载短路当设备在大功率运行时，如果负载突然处于短路状态，将对可控硅有一个很大的短路电流冲击，若过电流保护动作不不及保护，将烧坏可控硅元件。

可控硅调压器的故障解决可控硅调压器是一种通过调节电压并控制电流来达到调节功率的装置，广泛应用于各种工业控制中。

然而，在使用过程中，它也可能出现一些故障。

本文将讨论常见的可控硅调压器故障，并提供解决方案。

故障一：可控硅不工作当可控硅不工作时，可能是由于以下原因：1.电源问题：检查电源是否正常连接，确保电源电压稳定。

2.可控硅并未被触发：首先检查触发电路，以确保触发信号正常。

如果电路正常，那么问题可能在于可控硅本身。

需要检查可控硅的门极电压，如果门极电压正常，那么有可能是可控硅本身的问题。

3.焊接问题：确认可控硅是否有焊接问题，尤其是指示灯部分和引脚连接部分。

故障二：可控硅无法调节电压当可控硅无法调节电压时，可能是由于以下原因：1.触发电路问题：确认触发电路是否正常，以确保触发信号正常。

2.电场问题：可控硅的电场增益会随着电流的变化而有所变化，当电之间的电压变化较大时，电场增益将会变小，从而导致可控硅无法正常调节电压。

解决方法是：提高电流或减小电容值，以增加电场增益。

3.负载问题：如果负载导致可控硅无法调节电压，可以通过增加电容来解决这个问题。

故障三：可控硅会自动断开电流当可控硅会自动断开电流时，可能是由以下原因：1.过热问题：可控硅过热可能会导致自动断开电流。

解决方法是：减少负载或增加散热器。

2.反馈电路问题：确认反馈电路是否正常，以确保检测信号正常和反馈信号正常。

3.浪涌电压问题：浪涌电压也会导致可控硅自动断开电流。

增加电阻和电容是解决这个问题的一种方法。

总结以上就是三种常见的可控硅调压器故障及相应的解决方案。

在实际使用过程中，有一些其它的故障也有可能发生，例如保险丝的熔断、电源电缆损坏等。

因此，在解决故障时，我们应该首先排除可能性较大的故障原因，并逐一排除。

同时，定期进行检查和维护也是预防故障的重要途径。

可控硅a级烧电阻可控硅 A 级烧电阻是一种电子元件，也称为晶闸管或硅控整流器，常用于电力电子设备中。

它具有控制电流、调节电压、实现开关等功能。

可控硅 A 级烧电阻在正常工作时，其电阻值通常较小，以确保电流能够顺利通过。

然而，如果可控硅遭受过电流、过电压或其他异常情况，可能会导致其烧毁，此时电阻值可能会变得非常大，甚至无限大。

可控硅 A 级烧电阻的原因可能有以下几种：1. 过电流：当通过可控硅的电流超过其额定值时，会产生过多的热量，导致可控硅烧毁，电阻值变大。

2. 过电压：如果可控硅两端的电压超过其额定值，也会导致可控硅损坏，烧毁后电阻值变大。

3. 温度过高：可控硅在工作过程中会产生热量，如果散热不良或环境温度过高，可能导致可控硅温度上升，从而损坏元件，使电阻值变大。

4. 控制信号异常：可控硅的控制信号如果出现异常，如脉冲宽度不合适、频率不正确等，可能会导致可控硅无法正常导通或关断，从而引起烧毁，电阻值变大。

为了避免可控硅 A 级烧电阻的问题，我们可以采取以下措施：1. 合理选择可控硅的额定参数，确保其能够承受预期的电流和电压。

2. 提供良好的散热条件，确保可控硅工作时的温度在允许范围内。

3. 检查和优化控制信号，确保其正常工作。

4. 安装保护电路，如过流保护、过压保护等，以防止异常情况对可控硅造成损坏。

如果可控硅已经烧毁，电阻值变大，通常需要更换损坏的元件以恢复正常功能。

需要注意的是，以上内容仅为一般性描述，具体情况可能因应用场景和设备类型而有所不同。

在实际应用中，建议参考相关的技术资料和设备规格，以获得更准确和详细的信息。

如果你遇到可控硅相关的问题，建议咨询专业的电子工程师或技术人员进行故障排除和修复。

分享中频炉可控硅损坏原因诊断经验总结
可控硅作为中频炉设备的重要系统组成部分，一旦出现故障，往往会导致系统效率下降或停止运行，严重的甚至会造成设备本身的损坏。

那幺，中频炉可控硅在平时使用过程中都经常会出现哪些问题？出现这些故障的原因有哪些？今天小编为大家总结了一些比较常见的可控硅损坏原因和诊断经验，在这里与大家一起分享。

 首先我们来看第一种比较经常遇到的故障问题，那就是中频炉逆变可控硅水冷套内断水或散热效果下降。

在出现这一问题时，我们应该做的第一步检修步骤就是及时更换水冷套。

有时观察水冷套的出水量和压力是足够的，但是经常由于水质的问题，在水冷套的壁上会附着一层水垢，由于水垢是一种导热性极差的物体，虽然有足够的水流量流过，但因为水垢的隔离使其散热效果大大降低。

其判断方法是将功率运行在较低于该过流值的功率下约十分钟，迅速停机，停机后迅速用手触摸可控硅元件的芯部，若感觉到烫手，则该故障是由此原因引起的。

 第二种经常遇到的中频炉可控硅故障现象，相信很多工程师都曾经遇到过，那就是槽路连接导线有接触不良和断线情况。

遇到这种问题时，工程技术人员需要全面检查槽路连接导线，根据实际情况酌情处理。

当槽路连接导线有接触不良或断线情况时，功率升到一定值后会产生打火现象，影响了设备的正常工作，从而导致设备保护动作。

有时因打火时会在可控硅两端产生瞬时过电压，如果过压保护动作来不及，会烧坏可控硅元件。

该现象经常会出现过电压、过电流同时动作。

 还有一种可控硅故障是在平时的工作过程中比较常见的，那就是脉冲触发回路故障。

在设备运行时如果突然丢失触发脉冲，将造成逆变开路，中频电。

可控硅调压器的故障解决可控硅调压器是一种广泛用于控制电流的电子元器件，常用于市电控制和变频调速等领域。

然而，可控硅调压器也经常会发生故障，如过压、过流、短路、开路等问题。

本文将详细介绍可控硅调压器故障的原因、常见故障和解决方法。

故障原因可控硅调压器的故障原因有很多，主要包括以下几点：1.过压：超出了可控硅额定电压，导致其失效或损坏。

2.过流：超出了可控硅的额定电流，过负荷工作，导致其烧损。

3.短路：可控硅接口处有短路，导致无法正常工作。

4.开路：可控硅接口处有断路，导致无法正常工作。

5.温度过高：可控硅工作时产生热量，若温度过高会导致其失效或烧损。

常见故障及解决方法故障1：过压过压是可控硅调压器最常见的故障之一。

过压可能是由于信号源本身电压过高，也可能是由于负载电抗、电感量等因素造成。

通常，过压故障的处理方法有以下几点：1.增加直流电源电压，或者更换更耐压的可控硅。

2.更换负载电源。

3.添加降压电路。

故障2：过流过流故障通常是由于负载电流过大导致的。

可采取如下方法解决：1.更改控制电路，使其可以自动控制电流。

2.更换耐流电解电容。

3.增加纹波滤波电容等防护电路。

故障3：短路短路故障通常是由于可控硅接口处有短路引起的。

针对短路问题，可以采取以下方法：1.检查可控硅和连接电缆，及时清除电缆等附加物。

2.确认可控硅是否已失效，如有需及时更换。

3.增加短路保护装置。

故障4：开路开路是可控硅调压器的另一种常见故障。

开路通常是由于可控硅接口处电线氧化、脱落等问题造成。

常用的解决方法如下：1.定期检查电线接口处，并清洁或更换电线电缆。

2.确认可控硅是否已失效，如有需及时更换。

3.增加开路保护装置。

故障5：温度过高温度过高通常是由于可控硅使用时间过长或电源波形不稳定造成。

解决方法如下：1.采用无风扇的散热器，或加大散热器大小。

2.添加温度监控装置进行温度检测，并及时采取措施。

结论可控硅调压器是一种常用的电子元器件，但也容易出现各种故障。

励磁系统可控硅故障分析一、概述励磁系统中的可控硅作为半导体器件，用于控制励磁电流，是励磁系统运行的关键部件之一。

然而，可控硅在长期使用的过程中，可能会发生故障，损害励磁系统的正常运行。

因此，对励磁系统可控硅故障的分析和处理非常重要。

本文将从可控硅的工作原理、故障检测方法、故障类型以及故障处理方面详细介绍励磁系统可控硅故障分析的相关知识。

二、工作原理可控硅是一种半导体器件，具有二极管的导通性和晶体管的放大、开关能力，其工作原理如下：当可控硅的阳极与阴极之间施加正向电压时，p-n结为正偏，发生剧烈的少数载流子注入，同时，p区的大电流和n区的大电流汇合，使得p区可以形成一个大的电流通道，即在可控硅内部形成一个导通路径，电流可以从阳极流向阴极。

但是，当阴极施加负向电压时，p-n结为反偏，通道被阻断，电流无法通过。

此时，可控硅处于关断状态。

三、故障检测方法1.可控硅的外观检查将可控硅取出，检查其外观是否有变形或烧焦现象。

2.直接测量使用万用表或数字电压表直接测量可控硅的正向导通电压，若发现正向导通电压不足，说明可控硅可能损坏。

3.交流电源检测使用交流电源，将可控硅接入，检测电路中是否投入的正常，以及可控硅是否工作正常。

四、故障类型1.开路故障当可控硅故障时，可能发生开路故障，即在正向电压下无法导通，阻断电流，此时由可控硅控制的励磁电流将无法产生，导致励磁系统无法正常运行。

2.短路故障当可控硅故障时，可能发生短路故障，即在断路状态下仍能导通，导致电流无法控制，可能会导致短路电流过大，损坏设备或危及人身安全。

3.误关断故障误关断故障是指可控硅在正常工作期间突然关断，导致励磁系统失去控制。

此故障的原因可能是可控硅电压不稳定，或是可控硅内部元件老化或损坏。

五、故障处理方案1.更换可控硅当励磁系统中的可控硅发生故障时，最简单的处理方案是更换可控硅。

2.检查电路连接可控硅故障的原因可能是其连接的电路存在问题，如接触不良或短路等，因此需要检查电路连接情况，尽早排除故障。

中频炉可控硅频繁烧坏原因及解决方法在生产过程中，可控硅是属于比较薄弱的一个部位，很容易出现问题，甚至出现频繁烧坏的故障，十分影响生产工作及效率。

要想找出故障原因，还需要注意中频炉维修注意事项，下面介绍一下中频炉烧硅原因。

一、中频炉可控硅烧坏原因1、水垢过多有时观察水冷套的出水量和压力是足够的，但经常由于水质问题，在水冷套的壁上附着一层水垢，由于水垢是一种导热性级差的物体，虽然有足够的水流量流过，但因为水垢的隔离是其散热效果大大降低。

2、接触不良当槽路连接导线有接触不良或断线情况时，功率升到一定值后会产生打火现象，影响了设备的正常工作，从而导致设备保护动作。

有时因打火时会在可控硅两端产生瞬时过电压，如果过压保护动作来不及，会烧坏可控硅元件。

该现象经常会出现过电压、过电流同时动作。

3、负载对地打火负载回路的绝缘降低，引起负载对地间打火，干扰了脉冲的触发时间或在可控硅两端形成高压，烧坏可控硅元件。

4、毛刺电压过高在中频电源的主电路中，瞬时反相毛刺电压是靠阻容吸收来吸收的。

如果吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛刺电压过高烧坏可控硅。

在断电的情况下用万秀表测量吸收电阻阻值、吸收电容容量，判断是否阻容吸收回路出现故障。

5、逆变脉冲在设备运行时如果突然丢失触发脉冲，将造成逆变开路，中频电源输出端产生高压，烧坏可控硅元件。

这种故障一般是逆变脉冲形成、输出电路故障，可用示波器进行检查，也可能是逆变脉冲引线接触不良，可用手摇晃导线接头，找出故障位置。

6、负载开路当设备正在大功率运行时，如果突然负载处于开路状态，将在输出端形成高压烧坏可控硅元件。

7、负载短路当设备在大功率运行时，如果负载突然处于短路状态，将对可控硅有一个很大的短路电流冲击，若过电流保护动作不不及保护，将烧坏可控硅元件。

8、保护失灵可控硅能否安全，主要是告保护系统来保证的，如果保护系统出现故障，设备稍有一点工作不正常，将危机到可控硅安全。

所以，当可控硅烧坏时对保护系统的检查是必不可少的。

可控硅a2极烧电阻
可控硅（Silicon Controlled Rectifier, SCR）是一种重要的半导体器件，常用于开关电路和控制电路中。

在可控硅的三个电极中，A1和A2是控制极，G 是门极，T1和T2是阳极和阴极。

当可控硅的A2极（阴极）烧毁时，可能是因为电流过大、电压过高、温度过高等原因导致的。

以下是一些可能导致A2极烧毁的原因和解决方法：
1. 电流过大：当流过可控硅的电流超过其额定值时，会导致A2极烧毁。

需要检查电路中的电流是否正常，并调整负载或更换更大容量的可控硅。

2. 电压过高：当可控硅承受的电压超过其额定值时，会导致A2极烧毁。

需要检查电路中的电压是否正常，并确保电源电压在可控硅的额定范围内。

3. 温度过高：可控硅的工作温度过高会导致其性能下降，甚至烧毁。

需要检查散热是否良好，并确保工作环境温度在可控硅的额定范围内。

4. 驱动电路问题：如果可控硅的驱动电路出现问题，可能会导致A2极烧毁。

需要检查驱动电路是否正常，并确保驱动电压和电流在可控硅的额定范围内。

需要注意的是，可控硅是一种较为昂贵的电子元件，如果A2极烧毁需要更换整个可控硅。

为了预防类似问题的发生，建议在日常使用中注意保护可控硅，避免过载、过压、过热等情况的发生，同时定期进行维护和检修。

同步电动机与可控硅励磁装置常见故障原因分析及新技术应用1.供电故障：同步电动机与可控硅励磁装置的正常运行需要稳定的供电。

供电故障包括电压不稳定、电压波动、电压中断等。

这些问题可能导致电机无法正常运行或励磁装置无法正常工作。

2.过载故障：由于负载突然增大或电机运行不平稳，可能导致电机过载。

过载可能导致电机烧坏或励磁装置损坏。

3.线路故障：线路故障包括线路短路、线路接触不良、线路断开等。

线路故障会导致电机无法正常运行，甚至引起设备损坏。

4.励磁故障：准确的励磁是同步电动机正常运行的关键。

励磁故障可能包括励磁电流过大或过小、励磁装置接触不良等。

励磁故障会导致电机无法达到额定功率，影响设备正常运行。

除了常见的故障原因外，随着技术的不断发展，新的技术应用也逐渐进入同步电动机和可控硅励磁装置领域。

以下是一些新技术应用：1.智能监控系统：使用传感器和监控设备对同步电动机和可控硅励磁装置进行实时监测，可以及时发现故障并采取相应的措施。

2.数字化控制系统：采用数字化控制系统可以提高同步电动机和可控硅励磁装置的精度和稳定性。

通过数字化控制系统，可以实现精确的励磁调节和故障诊断。

3.高温材料应用：同步电动机常常需要在高温环境下运行，传统材料可能无法满足高温环境的要求。

采用高温材料可以提高同步电动机的耐温性能，延长使用寿命。

4.无刷同步电动机：无刷同步电动机采用电子换向技术，相比传统的刷式同步电动机具有更高的效率、更小的体积和更长的寿命。

总之，同步电动机和可控硅励磁装置的常见故障原因包括供电故障、过载故障、线路故障和励磁故障。

随着技术的发展，新的技术应用如智能监控系统、数字化控制系统、高温材料应用和无刷同步电动机已经逐渐应用于同步电动机和可控硅励磁装置领域，提高了设备的可靠性和性能。

必看三种导致可控硅失控的诱因
可控硅作为一种常见的电路控制方案，在很多电路中为开发者们所熟知。

可控硅虽然性能优越，但在某些时候其也会出现失控的情况，开发者必须提前掌握能够造成可控硅失控的情况来针对电路进行保护。

本文就将针对可控硅失控的情况进行分析，并总结成三个原因。

 可控硅的正向阻断力降低
 首先来看第一个造成可控硅元件失去控制的原因，那就是可控硅的正向阻断力降低。

在平时的应用中，如果可控硅长时间不用，而同时又因为密封不好的缘故受潮，那幺可控硅元件正向阻断能力是很轻易降低的，可控硅元件的正向阻断能力降低到低于整流变压器的二次电压，硅元件就不要等触发脉冲到来就会自然的导通，导致脉冲控制不会起作用，输出的电压波形是1个正半波，使得励磁电压提升。

 维持电流过小
 导致可控硅元件失控的第二个常见原因是电路中的维持电流过小，由于发电机转子是以电感为主的大电流负载，对于半控桥来讲，电压过零以后，电流不是零，即使半控桥在电感负载侧设有续流管，不过要是续流管的管压降高于导通的可控硅元件的管压降，电感上的电流除了大部分从续流管流过外，仍有部分电流在原导通的可控硅上流过。

这个电流虽然是衰减的，但是在外加电压整个负半周，电流仍未能减到小于维持电流，到下1个正半周到来时，该硅元件就不需要等触发脉冲到来就继续导通。

如此连续下去，一相可控硅连续导通，同样会因输出大电流而造成误强励。

 触发器丢脉冲
 触发器丢脉冲是第三个造成可控硅元件失去控制的重要原因，在电路系统。