教你看懂内存编码！
内存大小识别方法(详)
内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：
主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：
现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］
三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB
摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC
日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD
IBM：BM NPNX：NN
一.日本产系列：
主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。
1.HITACHI［日立］。1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI
HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，
HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HM 52 XX XX 5 X X TT-XX
HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。
TT为TSOII封装。
最后XX代表速度：
75：7.5ns［133MHz］
80：8ns［125MHz］
A60：10ns［PC-100 CL2或3］
B60：10ns［PC-100 CL3］
例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。
2.NEC。
NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：
μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
μPD4代表是NEC的产品。
"5"代表是SDRAM。
第1、2个X代表容量。
第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC 的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。
第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。
第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。
G5为TSOPII封装。
-A后的XX是代表速度：
80：8ns［125MHz］
10：10ns［PC100 CL 3］
10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。
12：12ns
70：［PC133］
75：［PC133］
速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。
例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。
3.TOSHIBA东芝。
TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：
TC59S XX XX X FT X-XX
TC代表是东芝的产品。
59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。
第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。
第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。
FT为TSOPII封装。
FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
最后的XX是代表速度：
75：7.5ns［133MHz］
80：8ns［125MHz］
10：10ns［100MHz CL=3］
例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。
二.韩国产系列：
韩国现在的SEC三星和HY（现代，它还将LGS给兼并了）占据了世界内
存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。
1.SEC［Samsung Electronics］三星。
三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：
KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX
KM代表是三星的产品。
三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。
"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。
"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3为难个Bank。
"0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。
"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。
"T"为TSOP封装。
速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。
"G/F"后的X代表速度：
7：7ns［143MHz］
8：8ns［125MHz］
H：10ns［PC100 CL2或3］
L：10ns［PC100 CL3］
10：10ns［100MHz］
例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit［16*4］，16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。
三星公布的标准PC133芯片：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
2.HYUNDAI现代
现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz 时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的，66841ET7K 为PC100的。
现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX
HY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。
第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V, "U"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：
16：16Mbits，4K Ref。
64：64Mbits，8K Ref。
65：64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL［Low Voltage TTL］接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式，分别如下：
JC：400mil SOJ
TC：400mil TSOP-II
TD：13mm TSOP-II
TG：16mm TSOP-II
最后几位为速度：
7：7ns［143MHz］
8：8ns［125MHz］
10p：10ns［PC-100 CL2或3］
10s：10ns［PC-100 CL3］
10：10ns［100MHz］
12：12ns［83MHz］
15：15ns［66MHz］
例如：常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S 代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。
3.LGS［LG Semicon］
LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J 编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少*商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
GM72V XX XX X 1 X X T XX
GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。
第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。
第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。
"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。
最后的XX自然是代表速度：
7.5：7.5ns［133MHz］
8：8ns［125MHz］
7K：10ns［PC-100 CL2或3］
7J：10ns［100MHz］
10K：10ns［100MHz］
12：12ns［83MHz］
15：15ns［66MHz］
例如：GM72V661641CT7K，这是64Mbit，16位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。
三.欧美生产系列及其它：
在欧美内存厂商中Micron，IBM，SIEMENS西门子等都较有名气。另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速，如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了，国产的晶圆的质量不错，价格也很便宜。
1.Micron。
MT48 XX XX M XX AX TG-XX X
MT代表是Micron的产品。
48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。
Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。
M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
AX代表Write Recovery［Twr］，如A2表示Twr=2clk。
TG为TSOPII封装。LG为TGFP封装。
最后的XX是代表速度：
7：7ns［143MHz］
75：7.5ns［133MHz］
8X：8ns［125MHz］
其中X为A~E，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为：3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。
10：10ns［100MHz CL3］
速度后如有L则为低耗。
2.IBM。
PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。
IBM03 XX XX X XT3X ---XXX
IBM代表为IBM的产品。
IBM的SDRAM产品均为03。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。
一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。
第5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。
第6个X为P为低功耗，C为普通。
第7个X表示内核的版本。
最后的XXX代表速度：
68：6.8ns［147MHz］
75A: 7.5NS［133MHz］
260或222：10ns［PC100 CL2或3］
360或322：10ns［PC100 CL3］在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ。
10：10NS［100MHz］
例如：IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。
3.SIEMENS［西门子］
芯片标识：HYB39S xx xx0 x T x -xx
前两个xx为容量,最后两位xx是速度：
6—166MHz
7—143MHz
7.5—133MHz
8—125MHz
8B—100MHz［CL3］
10—100MHz［PC66规格］
教你看懂内存编码！
内存大小识别方法(详)
内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：
主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：
现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］
三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB
摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC
日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD
IBM：BM NPNX：NN
一.日本产系列：
主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。
1.HITACHI［日立］。1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI
HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，
HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HM 52 XX XX 5 X X TT-XX
HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。
TT为TSOII封装。
最后XX代表速度：
75：7.5ns［133MHz］
80：8ns［125MHz］
A60：10ns［PC-100 CL2或3］
B60：10ns［PC-100 CL3］
例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。
2.NEC。
NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：
μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
μPD4代表是NEC的产品。
"5"代表是SDRAM。
第1、2个X代表容量。
第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC 的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。
第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。
第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。
G5为TSOPII封装。
-A后的XX是代表速度：
80：8ns［125MHz］
10：10ns［PC100 CL 3］
10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。
12：12ns
70：［PC133］
75：［PC133］
速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。
例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。
3.TOSHIBA东芝。
TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：
TC59S XX XX X FT X-XX
TC代表是东芝的产品。
59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。
第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。
第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。
FT为TSOPII封装。
FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
最后的XX是代表速度：
75：7.5ns［133MHz］
80：8ns［125MHz］
10：10ns［100MHz CL=3］
例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。
二.韩国产系列：
韩国现在的SEC三星和HY（现代，它还将LGS给兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。
1.SEC［Samsung Electronics］三星。
三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：
KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX
KM代表是三星的产品。
三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。
"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。
"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3为难个Bank。
"0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。
"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。
"T"为TSOP封装。
速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当
于一般的低功耗版。
"G/F"后的X代表速度：
7：7ns［143MHz］
8：8ns［125MHz］
H：10ns［PC100 CL2或3］
L：10ns［PC100 CL3］
10：10ns［100MHz］
例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit［16*4］，16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。
三星公布的标准PC133芯片：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
2.HYUNDAI现代
现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz 时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的，66841ET7K 为PC100的。
现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX
HY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。
第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V, "U"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：
16：16Mbits，4K Ref。
64：64Mbits，8K Ref。
65：64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL［Low Voltage TTL］接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式，分别如下：
JC：400mil SOJ
TC：400mil TSOP-II
TD：13mm TSOP-II
TG：16mm TSOP-II
最后几位为速度：
7：7ns［143MHz］
8：8ns［125MHz］
10p：10ns［PC-100 CL2或3］
10s：10ns［PC-100 CL3］
10：10ns［100MHz］
12：12ns［83MHz］
15：15ns［66MHz］
例如：常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S 代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。
3.LGS［LG Semicon］
LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J 编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少*商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
GM72V XX XX X 1 X X T XX
GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。
第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。
第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。
"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。
最后的XX自然是代表速度：
7.5：7.5ns［133MHz］
8：8ns［125MHz］
7K：10ns［PC-100 CL2或3］
7J：10ns［100MHz］
10K：10ns［100MHz］
12：12ns［83MHz］
15：15ns［66MHz］
例如：GM72V661641CT7K，这是64Mbit，16位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。
三.欧美生产系列及其它：
【关键字】情况、方法、模式、稳定、需要、方式、办法、标准、水平、保证、指导、实现如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条专家指导如何识别超频内存条和购买用于超频的内存条 网友问1：我现在有两条DDR2 800的内存，但是听说现在市场上有很多DDR2 800的内存条并不是使用标准的DDR2 800颗粒，而是由低端颗粒超频上去的。我想知道有没有什么办法或者软件区别超频的或者未超频的颗粒呢？ 网友问2：现在我想进行把我的内存升级，我现在的内存已经超到DDR2850水平，但是现在不知道需要购买什么样的内存，现在不知道什么样的内存能和它匹配。麻烦我爱电脑网专家帮我介绍些好点的特别适合超频的内存 专家答：现在还没有一款专门的软件来实现区别超频的或者未超频的颗粒这种这个功能，我们在购买内存条的时候可以用下面的几种方法来区别：看看内存条上的颗粒的编号，如果能够直接看到颗粒的编号，然后到网站上搜索即可找到相应的信息参数。其次，查看内存颗粒的工作电压，部分超频颗粒为了能够稳定工作在DDR2 800模式下，只能通过加压的方式实现，DDR2 内存的标准电压是1.80V，要是大于了这个值就要注意了，另外还要留心内存的延迟参数．按照JEDEC（电子元件工业联合会）的规定，对于DDR2 533内存来说的标准延迟参数是4-4-4-12，DDR2 667为5-5-515，DDR2 800是5-5-5-18，如果内存条的参数与标准参数持平，但是工作电压超过了1.8V，则很有可能就是超频颗粒。要注意的是为了达到更低的延迟参数加电压盼隋况不在此列，如DDR2 800 4-4-4-15 @2.2V的情况。最
教你如何调整DDR内存参数 日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：https://www.doczj.com/doc/fc2300067.html, 同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。 基本参数介绍 目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。 CL CL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。 RAS与CAS 内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。 Tras
如何看懂会计报表（摘录自陆杭的家） 最近有很多人跑来问我，到底应该如何来看企业的财务报表，应该从哪几个方面来着手，才不至于将重要的财务信息遗漏掉。那好，我就简单写一下，方便大家，也解放自己。 要看懂一个企业的财务报表，首先要搞清楚至少应该有哪几张报表。 关于这个问题，我得说一下，报表是为了了解企业而服务的，做为企业的一个外部关系人，我们应该从哪几个方面来了解企业呢。至少从三个方面，大家注意，我说的是至少，而不是只是。从哪三个方面呢？一个是企业财务状况，二是企业的经营成果，三是企业的现金流量。说白一点，就是，一是要搞清楚我目前有多少钱和欠人家多少钱，二是要搞清楚我这一段时间是赚了是赔了，如是赚了，赚多少，如果是赔了，赔多少，三是要搞清楚这一段时间从我手头上经手了多少实实在在的票子，收了多少票子，支出去了多少票子。我们就要搞清楚这三个方面的问题，为了让我们搞清楚这三个方面的问题，企业给我们准备了三张报表，一张是资产负债表，这是为了让我们搞清楚第一个问题，另一张是利润表或损益表，这是为了让我们搞清楚第二个问题，第三张是现金流量表，这是为了让我们搞清楚第三个问题。因此，我们最常见的就这三张报表。 基本搞明白企业给我们准备了哪几张报表之后，我们来看一看，这三张表是个什么关系。为什么要搞明白这个问题呢，我打个比较简单的比方，比如，你想让一个人告诉你一些事情，你首先要搞明白，他是不是对你撒谎，如果搞明白呢，第一，你要看他说的话，是不是前后矛盾，能不能自圆其说，这主要从形式上来考查，第二，你得对他说的话进行深入分析，了解具体事实，再去问一问其他人对这个事情的看法，然后和他说的话做一个对比，看看有什么问题，等等，总之，要从内容上来考查。也就是说，要从两个方面去考查，即从形式上和内容上去考查，才要对这件事情有真正的了解。在这里，我们只是先从形式上来考查，至于如何从内容上来考查会计报表，我们在以后的时间里，和大家来讲。那如何从形式上来考查呢，也就是说，会计是企业经济活动的语言，会计报表是会计人员来做的，如何来考查这些"狡诈"的会计人员是不是说了假话呢，首先要搞清楚，这几张报表之间有什么关系，这些关系是不是正确的反映在这些会计报表上了。这些关系在会计上叫"勾稽关系"，当然，一般情况下，企业放到我们面前的会计报表，这些关系都是正确的，那是企业在私下里核对了很多次才拿出来的，所以，一般没有什么问题，作为一个公司的会计人员，如果这个"勾稽关系"没搞正确，那真正有点太对不起观众了。谈了这些报表的"勾稽关系"，主要有两种，一种是表内的"勾稽关系"，另一种是表间"勾稽关系"，第一种很简单，就是表内各项目之间的加加减减，看一看加减得对不对，汇总是否有误等；第二种较复杂一点，就是，一张报有的某一项或几项，与另一张报表的某一项或几项，有一个确定的关系，可以通过一定的公式来验证。 先让我们来看一看表内的"勾稽关系"吧。 先看一看资产负债表，这张报表主要是告诉我们，在出报表的那一时刻，这个公司资产负债情况如何，是穷还是富，穷的话，穷到什么地步，富得话，富得是不是流油。所以，这张报表，关键一点是看是什么时候出的，时点对这张报表的影响很大，因为，昨天穷，不一定今天就穷，今天富，不一定明天也一定也会福，三十年河东，四十年河西，没有一个人会在一辈子总是一个状况，对吧。在这张报表时，最重要的一个"勾稽关系"就是资产等于负债
如何辨别内存条的型号及大小 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DD R500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133M Hz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（1 00MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图
采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD =3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32b it。
全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片
教你如何看明白财务报表01 2009-12-19 19:09 阅读106 评论0 字号：小 一.报表的形成、作用与原则 掀起你的盖头来----报表是什么 报表的雏形是一些由企业自行设计的财务记录和分类帐簿， 它们反映了报表的最初目的——为企业的业主记录和反映每天 的业务活动情况。这些财务记录随意地、偶然地、时断时续地保持着和进步着。当时的银行并不信任这些成堆的，一无标准二无质量操纵的财务记录和分类帐簿。一直到税收的出现，定期公布标准化的才提到了日程上来，随着准则的颁布和政府干预的加强，早期的财务记录和分类帐就演变成了今天广为采纳的几种差不多的报表，依照这些浓缩的信息能够有效地推断一个企业的财务状况。 现在的报表是企业的人员依照一定时期(例如月、季、年)的
记录，按照既定的格式和种类编制的系统的报告文件。随着企业经营活动的扩展，报表的使用者对信息的需求的不断增加，仅仅依靠几张报表提供的信息差不多不能满足或不能直接满足他们的需求，因此需要通过报表以外的附注和讲明提供更多的信息。 我们将这些附有详细附注和财务状况讲明书的报表称为财务报告。在实际工作中，由于需要报告的表外信息越来越多，附注的篇幅就越来越大，导致报表仅仅成为财务报告中的一小部分，但仍然是最重要、最核心的组成部分。 思念你的人是我----什么人需要阅读报表 思念报表的人、关怀报表的人成千成万，但他们关怀的目的和重心各不相同。 ——政府职能部门：统计、监管、税收 ——上级公司：打算、预算、决策 ——本企业：、检讨、调整 ——机构：评估、信贷 ——股东：财务状况、经营业绩、投资回报 ——公众(证券市场的潜在投资者)：分析、预 测、投资 ——保险公司：承保、理赔
1．看内存颗粒，字迹清楚，手指摩擦不会模糊，标号正确等。不过现在造假的水平越 来越高，印字的方法也会改进不少。关于颗粒真伪可进一步查询相关资料。 2．内存颗粒的引脚排列整齐，不能歪歪扭扭，焊点要光滑圆润统一美观，以排除手工 焊接的可能。 3．除了内存颗粒，下一个稍大的器件就是SPD，这是存放内存各类相关信息的EEROM， 因为有些主板不需要读取SPD也能自动配置，所以也为造假提供可能。由于不放这个SPD 实在瞒不过去，于是有些JS就会焊一个空的SPD，可以看这个器件的焊点圆润程度简单地 判断是否是人为虚焊，进一步可注意主板的检测信息或借助测量软件。 4．电容也是一个很重要的器件，毕竟每个电容还有好几分钱，所以质量较差的内存条 上会尽可能少的放置电容。一般来说，电容是越多越好，可以提供更稳定的电源，也会 优化信号质量。如果发现每个颗粒周围平均不足3个电容，那这块内存的性能就有问题了，对任何品牌的内存这个标准也同样适合。 5．DDR内存里有个参考电平（Vref），在金手指的1号管脚，这个信号的稳定对DDR内存 来说非常重要，所以要尽量让它没有干扰。金手指1号管脚处附近最好要接一个它的专用去耦电容，每个颗粒对应的Vref管脚也均要接一个去耦电容，位置越靠管脚越好，不过 实际中由于器件摆放的缘故，这个电容一般会放在板最上沿，这时候设计者会引一根粗 线连上去，劣质的内存可能会没有这种参考电平的去耦电容。 6．剩下来的器件就是电阻了，四连的电阻叫排阻。目前主要是在数据线上和差分时钟 信号匹配会使用，对64位的数据总线来说，内存上要有64个电阻（或16个排阻），这个 电阻的作用是较少信号的震荡，提高噪声裕量，但不用这个电阻一般也能工作，所以经 常会看到有些内存条将本该焊接电阻的地方直接短路了，这样每条内存可以省好几毛钱啊！对于差分匹配电阻也一样，没有它都是能工作的，就是质量上会差不少。对于SDR来 说串联电阻一般为10欧姆，对于DDR来说为22欧姆，而差分时钟信号的匹配电阻是120欧 姆。 7．器件说完了，现在说说PCB，也就是内存条的电路板，看看色泽鲜艳与否，手摸摸平
内存芯片参数介绍 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref； 257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、
学习导航 通过学习本课程，你将能够： ●熟悉利润表的科目内容； ●掌握营业收入、营业利润、利润总额、净利润等涵义； ●掌握解读利润表的财务基础； ●熟练运用相关财务比率指标分析利润表； ●达到看懂利润表的目的。 如何看懂利润表 一、利润表的科目分解 资产负债表起源于静态会计恒等式：资产=负债+所有者权益；利润表起源于动态会计恒等式：利润=收入-费用。将动态会计恒等式的三项细化就构成了利润表，如表1。 表1 利润表
二、解读利润表的财务基础 1.利润表中的成本费用的分类与归集原理 产负债表是一个静态表，表明企业在一个时点产生的资产负债情况，利润表是一个过程表，它表现出这一段时间企业的盈利的过程。 （1）营业收入 营业收入就是今天企业卖了多少物品，卖了多少金额，一般是单价乘以数量，包含单价和数量两个基本要素。以公式表示为： 营业收入=单价X数量 企业的营业收入不包括成本、营业税金及附加、销售费用、财务费用及管理费用、资产减值损失、投资收益等。 成本 营业成本等于材料费、人员工资和制造费用的总和。 成本的范围。一般生产型企业的这三项费用都比较明确，其他类型的企业，比如流通型企业，材料费用是购货价格；人工费用是企业操作工人的各种费用；服务型企业的人工费用是一线工作人员的各种费用；制造费用是生产产品所产生的费用，二线辅助人员的工资、车间的照明、清洁、保洁等都属于制造服用。 降低成本的办法。根据成本的组成要素，企业想降低成本有两个办法：一是降低原材料的采购价。二是提高劳动生产率，以降低人工费、节约能源、降低各个环节的消耗等。目前企业多通过引进先进的设备提高生产效率，从而减少人工费用。在人工费减少的同时，由于新设备的引进，制造费用会相应增加，但是设备作为固定资产是可以折旧的。所以一般引进先进设备人工费和制造费两者的总和还是会减小。 营业税金及附加 营业税金及附加主要包括营业税、消费税、城市维护建设税、资源税和教育费附加等相关税费。其中，前两项属于营业税金，后三项属于附加税。 营业税。营业税的税率主要有3%、5%、8%、20%等多个级别，税率和行业性质有关，行业不同，税率不同。 消费税。消费税的征收范围没有营业税广，主要对象是烟、酒、化妆品等产品。一般来说，只有具备五类行业才被征收消费税：第一类，税基比较广泛，大家都在用，国家资金短缺等情况；第二类，奢侈品、非生活必需品，如贵重首饰、化妆品等；第三类，高能耗及高档消费品，如小轿车、摩托车等；第四类，不可再生和替代的石油类消费品，如汽油、柴油等；第五类，具有一定财政意义的产品，如汽车轮胎、护肤护发品等。 主营业务税金。主营业税金是指专门针对烟进行征收的税。为了减少吸烟人数，降低吸烟的危害，国家对烟
Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，
关于内存条 2008-10-10 09:09 金士顿内存条的行货的辨别方法 第一：拿到新的内存条后首先要确认你的内存条上必须有以下两个标签（一个是金士顿的老人头标签，一个是总代理的标签。中国总代共有五个：（弼信恒盈AVNET 联强骏禾）第二：当着卖内存条的商人的面去 https://www.doczj.com/doc/fc2300067.html,/china/verify验证内存上的产品ID和序列号，如果邮件反馈该内存条被反复验证，切忌千万不能要。要求更换！一定要没有被反复验证的，因为新的内存条上的ID和序列号只能验证一次！ 第三：一定要有上面五个总代的标签，不要轻易相信什么800等一些的刮开密码的确认电话，那是忽悠人的东西。现在个人都可以申请800电话，总之只相信总代理的标签！ 由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现，被一些不法之徒看中，假货由此也就混入市场。不过，除了假货之外，因Kingston合法代理商不同，所以贴的标也就不同，所以也有些商家为了竞争只说自己的标才是真货。 两种代理商防伪标签 1目测方法： 购买时对内存防伪标的鉴别，金士顿内存的产品铭牌同时就是防伪标。当视线与防伪标表面垂直时，看到的防伪标上Kingston的LOGO头像是玫瑰红色，而当视线与标签形成一个夹角以后，标签就变成了橄榄绿色。这种方法是最简便直接的防伪办法，消费者在购买时就可以立即检验产品真伪，及时发现假货。 铭牌同时就是防伪标 2一分钟网上辨别： 请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签: 防伪标图样 另外，打800电话或全球网络查询网站 https://www.doczj.com/doc/fc2300067.html,/china/verifynew/真假识别，你只需向该网站提交相关的内存产品信息，该网站就将会在极短的时间内帮您识别出您所购买的金士顿内存是否假冒。 先卖个关子，再次重申鉴别金士顿所有产品相对来说最安全、最快捷的方法。如照片所示，通过800防伪电话查询。但是，对眼我要提醒大家，并不是简简单单的按照您所购买产品上面的800电话联系。而是要记住本站提供的正确的800电话：800-8571992。这年头什么东西没有假的，造一个假电话防伪标签太正常
内存篇-三个影响内存性能的重要参数 组装电脑选购内存时，还有一些影响其性能的重要参数需要注意，比如容量、电压和CL 值等。 ◎容量：容量是选购内存时优先考虑的性能指标，因为它代表了内存可以存储数据的多少，通常以GB 为单位。单根内存容量越大则越好。目前市面上主流的内存容量分为单条（容量为2GB、4GB、8GB、16GB）和套装（容量为2×2GB、2×4GB、2×8GB、8×4GB、4×4GB、16×2GB）两种。 ◎工作电压：内存的工作电压是指内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压不同，DDR2 内存的工作电压一般在1.8V 左右；DDR3 内存的工作电压一般在1.5V 左右；DDR4 内存的工作电压一般在1.2V 左右。电压越低，对电能的消耗越少，也就更符合目前节能减排的要求。 ◎CL 值：CL（CAS Latency，列地址控制器延迟）是指从读命令有效（在时钟上升沿发出）开始，到输出端可提供数据为止的这一段时间。对于普通用户来说，没必要太过在意CL 值，只需要了解在同等工作频率下，CL 值低的内存更具有速度优势。 小知识： 什么是内存超频？内存超频就是让内存外频运行在比它被设定的更高的速度下。一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频，使之与CPU同频工作。内存超频技术目前在很多DDR4内存中应用，比如金士顿内存的PnP和XMP就是目前使用较多的内存自动超频技术。 CL值的含义 内存CL值通常采用4个数字表示，中间用“-”隔开，以“5-4-4-12”为例，第一个数代表CAS(Column Address Strobe)延迟时间，也就是内存存取数据所需的延迟时间，即通常说的CL值；第二个数代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延迟，表示内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个数表示RAS Prechiarge延迟（内存行地址脉冲预充电时间）；最后一个数则是Act-to-Prechiarge延迟（内存行地址选择延迟）。其中最重要的指标是第一个参数CAS，它代表内存接收到一条指令后要等待多少个时间周期才能执行任务。 1
如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格 消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。 一、DDR SDRAM： 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。 CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL） RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间 RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间” 二、 DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级： DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3 DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3 DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4 三、 SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上 内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。 在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。 上面只是给大家建立一个基本的CL概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。内存延迟时间有个专门的术语叫“Latency”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个RAS信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来CAS信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。在RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期就是RAS-to-CAS延迟时间。在CAS信号被执行之后同样也需要几个执行周期。此执行周期在使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执
内存 内存的主流品牌 目前市场上的主流品牌有金士顿（Kingston）、金邦（GEIL）、宇瞻（Apacer）、微刚（ADATA）、刚胜（Kingmax）、现代（Nynex）、三星（Samsung）、海盗船（Corsair）、芝奇（G.skill）、OCE、金泰克等。这些内存采用的工艺略有不同，性能上也多少有些差异。 内存的分类 现在市场上内存可以分为两种。 ①SDRAM： SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC150等规格，目前的SDRAM都是以168Pin DIMM的内存模块出现。 ②DDR SDRAM： DDR是指Double Data Rate，它的传输速率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。DDR插槽与SDRAM插槽两侧的线数不同，DDR应用184pins（针脚）。因此，DDR内存和SDRAM的内存不能换插。 DDR I的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；DDR333，工作频率从为166MHz；DDR400，工作频率为200MHz。 现在DDRII正在逐渐占领主流市场，其频率在533MHz以上。从长远来说，DDRII最终会取代DDR 1，但就目前来说，DDRII的优势还不是特别明显，虽然在频率上有很大提高，但是在时间延迟上却长于DDR400，所以目前的DDR400和DDRII（533）性能差不多，除非选择高端的DDR II（800）。 预计DDRIII将在不久的将来正是面世，工作电压将下降，并且将会使用更
新的信号技术，实现更高的宽带，初始频率预计将达到800MHz，甚至更高。 内存的主要性能参数 ①容量 每个时期的内存条的容量都多种规格、例如，早期的30线内存条有256KB、1MB、4MB等容量，后来72线的EDD内存有4MB、8MB、16MB等容量，目前流行的168线SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GB等。 数据带宽 数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。PCI00 SDRAM在额定频率（100MHz）下工作时，其峰值数据传输速度可以达到800MB/s。而PCI33SDRAM其峰值数据传输速度可达1.06GB/s，比PCI00内存提高了200MB/s。对于DDR DRAM,由于在同一个时钟周期的上升和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHz时，实际传输速度可达2.1GB/s。 ②时钟周期 时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。显然，这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率越高。对于一普通的PC 100 SDRAM来说，它芯片上的标识“-10”代表了它运行的时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。为什么说SDRAM 的时钟周期代表可它能运行的最大频率呢？SDRAM时钟周期的单位是ns（纳秒），而其最大工作频率则为MHz（兆赫兹），这两者有何关联呢？两者的关系其实很简单，遵循了“频率=1/周期”的原理。由于ns时10-9秒，而MHz是106Hz，因为以ns为单位的周期数值与以MHz为单位的频率数值的乘积应为1 000。所以说时钟周期为10ns的SDRAM可以在100MHz的外频下工作。根据同样的道理，我们可以算出各个时钟周期下的
如何看懂财务报表 要看懂一个企业的财务报表，首先要搞清楚至少应该有哪几张报表。 报表是为了了解企业而服务的，做为企业的一个外部关系人，我们应该从哪几个方面来了解企业呢。至少从三个方面，从哪三个方面呢？一个是企业财务状况，二是企业的经营成果，三是企业的现金流量。说白一点，就是，一是要搞清楚我目前有多少钱和欠人家多少钱，二是要搞清楚我这一段时间是赚了是赔了，如是赚了，赚多少，如果是赔了，赔多少，三是要搞清楚这一段时间从我手头上经手了多少实实在在的钱，收了多少钱，支出去了多少钱。我们就要搞清楚这三个方面的问题，为了让我们搞清楚这三个方面的问题，企业给我们准备了三张报表，一张是资产负债表，这是为了让我们搞清楚第一个问题，另一张是利润表或损益表，这是为了让我们搞清楚第二个问题，第三张是现金流量表，这是为了让我们搞清楚第三个问题。因此，我们最常见的就这三张报表。 基本搞明白企业给我们准备了哪几张报表之后，我们来看一看，这三张表是个什么关系。这些报表的“勾稽关系”，主要有两种，一种是表内的“勾稽关系”，另一种是表间“勾稽关系”，第一种很简单，就是表内各项目之间的加加减减，看一看加减得对不对，汇总是否有误等；第二种较复杂一点，就是，一张报有的某一项或几项，与另一张报表的某一项或几项，有一个确定的关系，可以通过一定的公式来验证。 先让我们来看一看表内的“勾稽关系”吧。 先看一看资产负债表，这张报表主要是告诉我们，在出报表的那一时刻，这个公司资产负债情况如何，是穷还是富，穷的话，穷到什么地步，富得话，富得是不是流油。所以，这张报表，关键一点是看是什么时候出的，时点对这张报表的影响很大，因为，昨天穷，不一定今天就穷，今天富，不一定明天也一定也会富，三十年河东，四十年河西，没有一个人会在一辈子总是一个状况，对吧。在看这张报表时，最重要的一个“勾稽关系”就是资产等于负债加上权益。如何理解呢，就是，我现在拥有的一切，不外乎来源于两个方面，一个是本来就是自己的，另一个就是借来的，自己有的，再加上借来的，当然就是我现在拥有的一切。在会计上，目前我拥有的一切，就叫资产，而借来的钱，就是负债，自己的，就叫权益。这就是资产负债表最重要的内部“勾稽关系”。 再看一看利润表或损益表，这张报表主要是告诉我们，在一段时间里，这个公司损益情况如何，就是说，在一段时间里，是赚了还是赔了，如是赚了，赚多少，如果是赔了，赔多少。所以，这张报表关键一点，就是看这段时间有多长，一般是一个月，一个季度或一年的时间。在这张表里，最重要的一个“勾稽
关于三星原厂内存条与山寨内存条的真伪鉴别: 1：原厂三星内存条电路板看着泛黄偏暗，布线整洁合理，而寨条的颜色绿油油的并且反光，最简单的方法就是将你机器自带的原厂三星内存和你买的内存条一一比对是不是一样的，如果一样至少电路板绝对是真的，另外三星同代(DDR3)内存条的电路板布线都是一模一样的，绝对不会有原厂内存条走线电气孔不同的情况，因为三星电路板都是指定厂商的，并且一个模具出来的所以绝对是一样的，唯一颜色可能不同，或者偏浅或偏深，但是绝对不会是绿油油的颜色，金手指金黄偏暗,电路板边上有金黄色烫金三星logo和与标签对应M378B5173EB0-CK0金黄色烫金编号(注意与标签不是完全一样的)，另外在电路板的背面可以看到电路板的四位数字生产周期,另外在颗粒下方会有激光蚀刻的五位数字+字母组合的编号，台式机DDR3 1600MHz在左边金手指上方有两个相同的大写字母，笔记本内存条的位置参考机器自带原装内存条确定位置。 2：原厂三星内存条的电气孔对着光可以透光，而山寨条的电气孔是奸商自己印刷上去的，根本起不了提升电气性能的作用，更不能抗干扰和减少信号传输过程中的信号衰减。 3：原厂颗粒丝印字迹在强光下呈现荧光状清晰或者有些颗粒可能进行哑光处理，但是绝对清晰可辨，而山寨条所使用的颗粒基本都是白片或者假的颗粒，并且都是奸商自己用使用机器进行印刷的，所以用手多磨擦几次会把丝印磨擦掉，而原厂颗粒是不是掉色的。 4：原厂三星内存条的标签如果是台式机是M378/M379开头的一串代码，笔记本是M471开头的一串代码，我曾经在X猫商城买的一个台式机内存条竟然贴的是笔记本M471开头的标签，毫无疑问绝对是假的。
内存规格参数 内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存
第二代DDR内存 DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。