内存规格参数
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。
内存种类
目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。
DDR1内存
第一代DDR内存
DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
DDR2内存
第二代DDR内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。
DDR3内存
第三代DDR内存
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。
内存SPD芯片
内存SPD芯片
SPD(Serial Presence Detect): SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器）, 容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。
启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS 设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。
从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读写设备去更改SPD信息，以骗过计算机的检测，得出与实际不一致的数据，从而欺骗消费者。
XMP技术
支持XMP技术的内存产品
BIOS里的XMP设置
Intel Extreme Memory Profiles 简称XMP，它是一种提高内存性能的技术，与NVIDIA的SLI Memory 技术类似。Intel制定了Intel Extreme Memory Profiles (Intel XMP Specification)，会对DDR3内存
作出认证，芯片组会自动识别通过认证的指定品牌和指定型号的内存模组产品，通过提高数据吞吐量，增加带宽等手段使其性能增加。
英特尔公司表示，由于主要面向未来的高端平台，因此这项技术并不会出现在DDR2内存模组上，要想使用“Extreme Memory”技术的首要条件就是要使用DDR3内存。
内存控制器（Memory Controller）
内存控制器是计算机系统内部控制内存并且通过内存控制器使内存与CPU之间交换数据的重要组成部分。内存控制器决定了计算机系统所能使用的最大内存容量、内存BANK数、内存类型和速度、内存颗粒数据深度和数据宽度等等重要参数，也就是说决定了计算机系统的内存性能，从而也对计算机系统的整体性能产生较大影响。
早期内存控制器集成在主板北桥芯片
传统的计算机系统其内存控制器位于主板芯片组的北桥芯片内部，CPU要和内存进行数据交换，需要经过“CPU--北桥--内存--北桥--CPU”五个步骤，在此模式下数据经由多级传输，数据延迟显然比较大从而影响计算机系统的整体性能；而AMD的K8系列CPU（包括Socket 754/939/940等接口的各种处理器）内部则整合了内存控制器，CPU与内存之间的数据交换过程就简化为“CPU--内存--CPU”三个步骤，省略了两个步骤，与传统的内存控制器方案相比显然具有更低的数据延迟，这有助于提高计算机系统的整体性能。
AMD率先在桌面平台将内存控制器集成在CPU
英特尔新酷睿家族处理器也集成了内存控制器
CPU内部整合内存控制器的优点，就是可以有效控制内存控制器工作在与CPU核心同样的频率上，而且由于内存与CPU之间的数据交换无需经过北桥，可以有效降低传输延迟。打个比方，这就如同将货物仓库直接搬到了加工车间旁边，大大减少了原材料和制成品在货物仓库和加工车间之间往返运输所需要的时间，极大地提高了生产效率。这样一来系统的整体性能也得到了提升。
内存规格参数
内存性能规格标签
内存频率
和CPU一样，内存也有自己的工作频率，频率以MHz为单位内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前最为主流的内存频率为DDR2-800和DDR3-1333，作为DDR2的替代者，DDR3内存的频率已经在向3000MHz进发。
内存容量
内存的容量不但是影响内存价格的因素，同时也是影响到整机系统性能的因素。过去Windows XP平台，512M的内存还是主流，1GB已经是大容量；到了现在，64位系统开始普及，Windows Vista、Windows 7越来越多人使用，没有2GB左右的内存都不一定能保证操作的流畅度。目前，单根内存的容量主要有1GB、2GB两种，高端的还有很罕有的单根4GB超大容量内存
工作电压
内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。DDR2内存的工作电压一般在1.8V左右，而DDR3内存则在1.6V左右。有的高频内存需要工作在高于标准的电压值下，具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了。只要在允许的范围内浮动，略微提高内存电压，有利于内存超频，但是同时发热量大大增加，因此有损坏硬件的风险。
内存时序参数
BIOS内存时序设置
tCL : CAS Latency Control(tCL)
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“8-8-8-24”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个第一个“8”就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency 是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS 开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。
内存标签
tRCD : RAS to CAS Delay
该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第2个参数，即第2个“8”。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
tRP : Row Precharge Timing(tRP)
该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第3个参数，即第3个“8”。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。
tRAS : Min RAS Active Timing
该值就是该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的最后一个参数，即“24”。Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在24~30之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。
DDR2—DDR3的换代交接已经基本完成
对于大多数人来说，内存这个小硬件选好容量和频率，然后插上主板用上就行了，对它的很多小参数完全不在意。所以，行业厂商也会提供比较傻瓜式的读取内存SPD芯片的参数信息，自动设置各项小参，简单好用；更有简单的超频设置——XMP技术，让普通用户也能简单地享受超频增值的乐趣。当然，真正的玩家在超频时为了达到最理想的效果，还是更倾向于手动设置各项小参。希望通过这篇文章，大家能对内存的各项参数有更深的理解，并在使用上有一定的帮助。
RAM工作原理 实际的存储器结构由许许多多的基本存储单元排列成矩阵形式，并加上地址选择及读写控制等逻辑电路构成。当CPU要从存储器中读取数据时，就会选择存储器中某一地址，并将该地址上存储单元所存储的内容读走。 早期的DRAM的存储速度很慢，但随着内存技术的飞速发展，随后发展了一种称为快速页面模式(Fast Page Mode)的DRAM技术，称为FPDRAM。FPM内存的读周期从DRAM阵列中某一行的触发开始，然后移至内存地址所指位置的第一列并触发，该位置即包含所需要的数据。第一条信息需要被证实是否有效，然后还需要将数据存至系统。一旦发现第一条正确信息，该列即被变为非触发状态，并为下一个周期作好准备。这样就引入了“等待状态”，因为在该列为非触发状态时不会发生任何事情(CPU必须等待内存完成一个周期)。直到下一周期开始或下一条信息被请求时，数据输出缓冲区才被关闭。在快页模式中，当预测到所需下一条数据所放位置相邻时，就触发数据所在行的下一列。下一列的触发只有在内存中给定行上进行顺序读操作时才有良好的效果。 从50纳秒FPM内存中进行读操作，理想化的情形是一个以6-3-3-3形式安排的突发式周期(6个时钟周期用于读取第一个数据元素，接下来的每3个时钟周期用于后面3个数据元素)。第一个阶段包含用于读取触发行列所需要的额外时钟周期。一旦行列被触发后，内存就可以用每条数据3个时钟周期的速度传送数据了。 FP RAM虽然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU。很快又出现了EDO RAM和SDRAM等新型高速的内存芯片。 介绍处理器高速缓存的有关知识 所谓高速缓存，通常指的是Level 2高速缓存，或外部高速缓存。L2高速缓存一直都属于速度极快而价格也相当昂贵的一类内存，称为SRAM(静态RAM)，用来存放那些被CPU频繁使用的数据，以便使CPU不必依赖于速度较慢的DRAM。 最简单形式的SRAM采用的是异步设计，即CPU将地址发送给高速缓存，由缓存查找这个地址，然后返回数据。每次访问的开始都需要额外消耗一个时钟周期用于查找特征位。这样，异步高速缓存在66MHz总线上所能达到的最快响应时间为3-2-2-2，而通常只能达到4-2-2-2。同步高速缓存用来缓存传送来的地址，以便把按地址进行查找的过程分配到两个或更多个时钟周期上完成。SRAM在第一个时钟周期内将被要求的地址存放到一个寄存器中。在第二个时钟周期内，SRAM把数据传送给CPU。由于地址已被保存在一个寄存器中，所以接下来同步SRAM就可以在CPU读取前一次请求的数据同时接收下一个数据地址。这样，同步SRAM 可以不必另花时间来接收和译码来自芯片集的附加地址，就“喷出”连续的数据元素。优化的响应时间在66MHz总线上可以减小为2-1-1-1。 另一种类型的同步SRAM称为流水线突发式(pipelined burst)。流水线实际上是增加了一个用来缓存从内存地址读取的数据的输出级，以便能够快速地访问从内存中读取的连续数据，而省去查找内存阵列来获取下一数据元素过程中的延迟。流水线对于顺序访问模式，如高速缓存的行填充(linefill)最为高效。 什么是ECC内存 ECC是Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting的缩写，它代表具有自动纠错功能的内存。目前的ECC存储器一般只能纠正一位二进制数的错误。 Intel公司的82430HX芯片组可支持ECC内存，所以采用82430HX芯片的主板一般都可以安装使用ECC 内存，由于ECC内存成本比较高，所以它主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业计算机
金士顿 1.KVR代表kingston value RAM 2.外频速度单位：兆赫 3.一般为X 4. 64为没有ECC；72代表有ECC 5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存 6. 一般为C C3：CAS=3； C2.5：CAS=2.5； C2：CAS=2 7.分隔符号 8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例： 编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC校验 CAS=2.5 256M内存 HY（现代HYNIX） 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大. HY的编码规则： HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、HY代表现代. 2、一般是57，代表SDRAM. 3、工艺：空白则是5V, V是3V, U是2.5V. 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M，8K刷新；129：128M，4K刷新. 5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位. 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O界面：一般为0 8、产品线：从A－D系列 9、功率：空白则为普通，L为低功耗. 10、封装：一般为TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：
全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片
Technical Note Calculating Memory System Power for DDR3 Introduction DDR3 SDRAM provides additional bandwidth over previous DDR and DDR2 SDRAM. In addition to the premium performance, DDR3 has a lower operating voltage range. The result can be a higher bandwidth performing system while consuming equal or less system power. However, it is not always easy to determine the power consumption within a system application from the data sheet specification. This technical note details how DDR3 SDRAM consumes power and provides the tools that system designers can use to estimate power consumption in any specific system. In addition to offering tools and techniques for calculating system power, Micron’s DDR3- 1067 “Data Sheet Specifications” on page20 and a DDR3 Power Spreadsheet Usage Example on page20 are provided. Table1 describes the command abbreviations found in the following sections. Table 1: Abbreviation Definitions Abbreviation Definition ACT ACTIVATE BL Burst length BC Burst chop PRE PRECHARGE ODT On-die termination RD READ REF REFRESH WR WRITE DRAM Operation To estimate the power consumption of a DDR3 SDRAM, it is necessary to understand the basic functionality of the device (see Figure1 on page2). The operation of a DDR3 device is similar to that of a DDR2. For both devices, the master operation of the DRAM is controlled by clock enable (CKE). If CKE is LOW, the input buffers are turned off. To allow the DRAM to receive commands, CKE must be HIGH, thus enabling the input buffers and propagates the command/ address into the logic/decoders on the DRAM. During normal operation, the first command sent to the DRAM is typically an ACT command. This command selects a bank and row address. The data, which is stored in the cells of the selected row, is then transferred from the array into the sense amplifiers. The portion of the DRAM consuming power in the ACT command is shown in blue and gold in Figure1 on page2. PDF: 09005aef829559ff/Source: 09005aef828dcdbf Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice. TN41_01DDR3 Power.fm-Rev. B 8/07 EN?2007 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
《大学计算机》基础知识试题及答案 一、单选题： （说明：将认为正确答案的字母填写在每小题后面的括号内） 1.世界上第一台通用电子数字计算机诞生于（ A ）。 A．美国B．英国C．德国D．日本 2.世界上第一台通用电子数字计算机诞生于（ B ）。 A．1953年B．1946年C．1964年D．1956年 3.第一台电子计算机是1946年在美国研制的，该机的英文缩写名是（A ）。 A.ENIAC B.EDVAC C.EDSAC D.MARK-II 4.一个完整的微型计算机系统应包括（C ）。 A.计算机及外部设备 B.主机箱、键盘、显示器和打印机 C.硬件系统和软件系统 D.系统软件和系统硬件 5.计算机的中央处理器CPU包括运算器和（C ）两部分。 A．存储器B．寄存器C．控制器D．译码器 6.下列设备中，（ D ）不是微型计算机的输出设备。 A．打印机B．显示器C．绘图仪D．扫描仪 7.下列各项中,不属于多媒体硬件的是（D ）。 A.光盘驱动器 B.视频卡 C.音频卡 D.加密卡 8.计算机中对数据进行加工与处理的部件，通常称为（ A ）。 A.运算器 B.控制器 C.显示器 D.存储器 9.运算器的组成部分不包括（ B ）。 A.控制线路 B.译码器 C.加法器 D.寄存器 10.把内存中的数据传送到计算机的硬盘，称为（D ）。 A.显示 B.读盘 C.输入 D.写盘 11.用MIPS为单位来衡量计算机的性能，它指的是计算机的（ B ），指的是每 秒处理的百万级的机器语言指令数。 A.传输速率 B.运算速度 C.字长 D.存储器容量 12.计算机硬件的核心部件是（ A ）。 A．中央处理器B．存储器C．运算器D．控制器 13.在外部设备中，打印机属于计算机的（ B ）设备。 A．输入B．输出C．外存储D．内存储 14.CGA、EGA和VGA标志着（C ）的不同规格和性能。 A.打印机 B.存储器 C.显示器 D.硬盘 15.硬盘上原存的有效信息，在下列哪种情况下会丢失（ C ）。 A.通过海关的X射线监视仪 B.放在盒内半年没有使用
D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.doczj.com/doc/2811503229.html,
目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)
摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao
字节就是由8个位所组成,可代表一个字符(A~Z)、数字(0~9)、或符号(,、?!%&+-*/),就是内存储存数据的基本单位。 1 byte = 8 bit 1 KB = 1024 bytes =210 bytes 1 MB = 1024 KB = 220 bytes 1 GB = 1024 MB = 230 bytes 位:“位(bit)”就是电子计算机中最小的数据单位。每一位的状态只能就是0或1。 字节:8个二进制位构成1个“字节(Byte)”,它就是存储空间的基本计量单位。1个字节可以储存1个英文字母或者半个汉字,换句话说,1个汉字占据2个字节的存储空间。 字:“字”由若干个字节构成,字的位数叫做字长,不同档次的机器有不同的字长。例如一台8位机,它的1个字就等于1个字节,字长为8位。如果就是一台16位机,那么,它的1个字就由2个字节构成,字长为16位。字就是计算机进行数据处理与运算的单位。 KB:在一般的计量单位中,通常K表示1000。例如:1公里= 1000米,经常被写为1km;1公斤=1000克,写为1kg。同样K在二进制中也有类似的含义。只就是这时K表示1024,也就就是2的10次方。1KB表示1K个Byte,也就就是1024个字节。 MB:计量单位中的M(兆)就是10的6次方,见到M自然想起要在该数值的后边续上六个0,即扩大一百万倍。在二进制中,MB也表示到了百万级的数量级,但1MB不正好等于1000000字节,而就是1048576字节,即1MB = 2E+20 Bytes = 1048576Bytes。 计算机系统中的数据的计量单位。 在标准10进制公制度量系统中,倍率关系如下所示 kilo (k)* = 10 ^ 3 = 1,000 thousand 千 mega (M) = 10 ^ 6 = 1,000,000 million 百万 giga (G) = 10 ^ 9 = 1,000,000,000 billion 十亿 tera (T) = 10 ^ 12 = 1,000,000,000,000 trillion 万亿 * 在公制系统中, "k" 或者"kilo" 前缀只使用小写字母 在计算机/通讯行业中,计算数据传送速度也使用每秒传送公制数据量来计算 1 bit (b) = 0 or 1 = one binary digit 一个二进制位元 1 kilobit(kb)=10^3 bits = 1,000 bits 一千位元 1 Megabit(Mb)=10^6 bits = 1,000,000 bits 一百万位元 1 Gigabit(Gb)=10^9 bits = 1,000,000,000 bits 一万亿位元 根据进制规定,传送速度可以有两种表示方法bps 与Bps,但就是她们就是有严格区别。Bps中的B 使用的就是二进制系统中的Byte字节,bps中的b 就是十进制系统中的位元。 在我们常说的56K拨号,100M局域网都就是bps计量,当用于软件下载时,下载工具一般又以Bps计算,所以它们之间有8 bit=1 Byte 的换算关系,那么56Kbps拨号极限下载速度就是56Kbps/8=7KBps 每秒下载7K字节。 在数据存储,容量计算中,一般又结合公制的进制与二进制的数据计算方法来计算 (二进制) 1 byte (B) = 8 bits (b) 字节=8个二进制位 1 Kilobyte(K/KB)=2^10 bytes=1,024 bytes 千字节 1 Megabyte(M/MB)=2^20 bytes=1,048,576 bytes 兆字节 1 Gigabyte(G/GB)=2^30 bytes=1,073,741,824 bytes 千兆字节 1 Terabyte(T/TB)=2^40 bytes=1,099,511,627,776 bytes吉字节 一些存储器厂家特别就是硬盘厂家就更紧密结合十进制来计算,这就就是为什么操作系统显示的容量与厂家标示的容量有些一些差异的原因
内存的物理结构和工作原理 内存也叫主存，是PC系统存放数据与指令的半导体存储器单元，也叫主存储器（Main Memory），通常分为只读存储器（ROM-Read Only Memory）、随机存储器（RAM-Red Access Memory）和高速缓存存储器（Cache）。我们平常所指的内存条其实就是RAM，其主要的作用是存放各种输入、输出数据和中间计算结果，以及与外部存储器交换信息时做缓冲之用。 下面是结构： 1、PCB板 内存条的PCB板多数都是绿色的。如今的电路板设计都很精密，所以都采用了多层设计，例如4层或6层等，所以PCB板实际上是分层的，其内部也有金属的布线。理论上6层PCB板比4层PCB板的电气性能要好，性能也较稳定，所以名牌内存多采用6层PCB板制造。因为PCB板制造严密，所以从肉眼上较难分辩PCB板是4层或6层，只能借助一些印在PCB板上的符号或标识来断定。 2、金手指 黄色的接触点是内存与主板内存槽接触的部分，数据就是靠它们来传输的，通常称为金手指。金手指是铜质导线，使用时间长就可能有氧化的现象，会影响内存的正常工作，易发生无法开机的故障，所以可以隔一年左右时间用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。 3、内存芯片 内存的芯片就是内存的灵魂所在，内存的性能、速度、容量都是由内存芯片组成的。 4、内存颗粒空位 5、电容 PCB板上必不可少的电子元件就是电容和电阻了，这是为了提高电气性能的需要。电容采用贴片式电容，因为内存条的体积较小，不可能使用直立式电容，但这种贴片式电容性能一点不差，它为提高内存条的稳定性起了很大作用。 6、电阻 电阻也是采用贴片式设计，一般好的内存条电阻的分布规划也很整齐合理。7、内存固定卡缺口：内存插到主板上后，主板上的内存插槽会有两个夹子牢固的扣住内存，这个缺口便是用于固定内存用的。 8、内存脚缺口 内存的脚上的缺口一是用来防止内存插反的（只有一侧有），二是用来区分不同的内存，以前的SDRAM内存条是有两个缺口的，而DDR则只有一个缺口，不能混插。 9、SPD SPD是一个八脚的小芯片，它实际上是一个EEPROM可擦写存贮器，这的容量有256字节，可以写入一点信息，这信息中就可以包括内存的标准工作状态、速度、响应时间等，以协调计算机系统更好的工作。从PC100时代开始，PC100规准中就规定符合PC100标准的内存条必须安装SPD，而且主板也可
字节（Byte,简称B）与K、KB、M、MB的关系 计算机中各种存储容量的单位都是用字节（Byte简为B）来表示，此外还有KB、MB、GB和TB，他们的关系是： 1KB=1024Bytes=2的10次方Bytes 1MB=1024KB=2的20次方Bytes 1GB=1024MB=2的30次方Bytes 1TB=1024GB=2的40次方Bytes B（字节）、KB（K）、MB（M、兆）、GB（G）、TB 是大小不同的单位。 B ：B就是Byte（字节）的简称，它是一个电脑存储的基本单位。1字节=8 位，就是有8个二进制数组成。1个英文字符是1个字节,也就是1B；1个汉字为2个字符，也就是2B。 K （KB）：K 是千的意思，K就是KB，1024字节为1KB，即：1024B=1KB M （MB、兆）：M 是兆的意思，M就是MB，1024KB=1MB G（GB）：1024 MB = 1 GB TB：还有TB一般用的就不多了，1TB=1024GB K、M、G都是KB、MB、GB的简称。平时我们说的1兆就是1M（MB），1（发音“计”）就是1G（GB）。我们的照片一般是104KB、209KB、1.45MB、2.45MB、3.32MB等等。 K=KB、M=MB、 1MB=1024KB 1024 B = 1 KB ；1024 KB = 1 MB ；1024 MB = 1 GB K=kilo KB=kilobyte M=mega MB=megabyte Kb=kilobit Mb=megabit 1KB=1024Bytes=2的10次方Bytes 1MB=1024KB=2的20次方Bytes
内存规格参数 内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存
第二代DDR内存 DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
详解内存工作原理及发展历程 RAM（Random Access Memory）随机存取存储器对于系统性能的影响是每个PC 用户都非常清楚的，所以很多朋友趁着现在的内存价格很低纷纷扩容了内存，希望借此来得到更高的性能。不过现在市场是多种内存类型并存的，SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等等，如果你使用的还是非常古老的系统，可能还需要EDO DRAM、FP DRAM（块页）等现在不是很常见的内存。 虽然RAM的类型非常的多，但是这些内存在实现的机理方面还是具有很多相同的地方，所以本文的将会分为几个部分进行介绍，第一部分主要介绍SRAM 和异步DRAM（asynchronous DRAM），在以后的章节中会对于实现机理更加复杂的FP、EDO和SDRAM进行介绍，当然还会包括RDRAM和SGRAM等等。对于其中同你的观点相悖的地方，欢迎大家一起进行技术方面的探讨。 存储原理： 为了便于不同层次的读者都能基本的理解本文，所以我先来介绍一下很多用户都知道的东西。RAM主要的作用就是存储代码和数据供CPU在需要的时候调用。但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单，更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样，不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来，虽然都是书但是每本书是不同的。对于RAM等存储器来说也是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。 让我们重新回到书和书架上来，如果有一个书架上有10行和10列格子（每行和每列都有0-9的编号），有100本书要存放在里面，那么我们使用一个行的编号＋一个列的编号就能确定某一本书的位置。如果已知这本书的编号87，
地址总线，字长，内存容量，寻址范围之间的计算 处理机字长是指处理机能同时处理（或运算）的位数，即同时处理多少位（bit）数据。比如Intel Pentium 4处理器字长为32位，它能同时处理32位的数据，也即它的数据总线为32位。以前的处理器比如8086，则为16位处理器，现在新兴的64位处理器，它的数据吞吐能力更强，即能同时对64位数据进行运算。处理器的字长越大，说明它的运算能力越强。如果讲处理器的寻址范围，则要看处理器的地址总线的位数，而不是它的字长！这个要明白！比如Intel Pentium 4处理器的数据总线为32位，地址总线也是32位。8086的数据总线为16位，地址总线为20位。新兴的64位处理器的数据总线为64位，地址总线大部分是32位。这个清楚之后，再看地址总线与寻址范围的关系。存储单元是以字节（byte）为单位，N根地址总线能访问2的N次方个存储单元。于是有32位地址总线可以访问2的32次方个存储单元，即4GB。8086处理器字长是16位，它的地址总线是20位，所以能访问2的20次方个存储单元，即1MB。另外一点需要注意的就是，如果有些题目说：按“字”寻址，就说明是存储单元大小为字长的位数，按“字节”寻址，说明存储单元式字节的大小（个人理解，没有考证） 下面通过举几个例子，来说明这些关系 1、某计算机字长32位，存储容量8MB。按字编址，其寻址范围为(0～2M-1) 计算步骤：8MB字节=8*1024*1024*8位。所以8MB/32位=2M. 2、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按半字编址，它的寻址范围是（0-2M-1）计算步骤：若按半字就是16位了4MB=4*1024*1024*8位，所以4MB/16 = 2M； 3、字长为32位.存储器容量为64KB.按字编址的寻址范围是多少计算步骤：64K字节=64＊1024＊8位. 所以64KB/32位=(64＊1024＊8)/32=16＊1024=16K 故寻址范围为: 0-16K-1 4、某机字长32位，存储容量1MB，若按字编址，它的寻址范围是什么？ 解释：容量1M=2*1024*1024 位一个字长是32 位 所以，寻址范围是二者相除=256K 5、对于存储器的容量扩展，有位扩展，字扩展，字位扩展三种形式。对于字位扩展，一个存储器的容量为M*N位，若使用L*K位存储器芯片，那么，这个存储器共需(M*N)/(L*K)个存储器芯片。 下面分析一下字位扩展的习题：设有一个具有14位地址和8位字长的存储器，问该存储器容量有多大？如果存储器由1K*1静态存储器组成，需多少芯片？多少位地址作芯片选择？ 分析：位扩展指的是用多个存储器对字长进行扩充。本题中所用的存储器芯片字长是1位，要扩展到8位，就得用8片。原题中说，“存储器由1K*1静态存储器组成”，其中，1K 指的是存储单元个数，它决定地址的位数，因为2的10次方是1K，所以它用10根地址线，4位地址线用来作芯片选择。
DRAM内存原理 1. 内存基础 不管你信不信,RDRAM (Rambus、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它们在本质上讲是一样的。RDRAM、DDR RAM、SDRAM、EDO RAM都属于 DRAM(Dynamic RAM,即动态内存。所有的DRAM基本单位都是由一个晶体管和一个电容器组成。请看下图: 上图只是DRAM一个基本单位的结构示意图:电容器的状态决定了这个DRAM 单位的逻辑状态是1还是0,但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1,而“空”的电容器则是0。电容器不能持久的保持储存的电荷,所以内存需要不断定时刷新,才能保持暂存的数据。电容器可以由电流来充电——当然这个电流是有一定限制的,否则会把电容击穿。同时电容的充放电需要一定的时间,虽然对于内存基本单位中的电容这个时间很短,只有大约0.2-0.18微秒,但是这个期间内存是不能执行存取操作的。
DRAM制造商的一些资料中显示,内存至少要每64ms刷新一次,这也就意味着内存有1%的时间要用来刷新。内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题,而关键在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变——所以DRAM单元每次读取操作之后都要进行刷新:执行一次回写操作,因为读取操作也会破坏内存中的电荷,也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每64ms 刷新一次,每次读操作之后也要刷新一次。这样就增加了存取操作的周期,当然潜伏期也就越长。 SRAM,静态(StaticRAM不存在刷新的问题,一个SRAM基本单元包括4个晶体管和2个电阻。它不是通过利用电容充放电的特性来存储数据,而是利用设置晶体管的状态来决定逻辑状态——同CPU中的逻辑状态一样。读取操作对于SRAM不是破坏性的,所以SRAM不存在刷新的问题。 SRAM不但可以运行在比DRAM高的时钟频率上,而且潜伏期比DRAM短的多。SRAM仅仅需要2到3个时钟周期就能从CPU缓存调入需要的数据,而DRAM 却需要3到9个时钟周期(这里我们忽略了信号在CPU、芯片组和内存控制电路之间传输的时间。前面也提到了,SRAM需要的晶体管的数目是DRAM 的4倍,也就是说成本比DRAM高至少是4倍,在目前的售价SRAM每M价格大约是DRAM的8倍,是RAMBUS内存的2到3倍。不过它的极短的潜伏期和高速的时钟频率却的确可以带来更高的带宽。 结构和功能(SDRAM 内存最基本的单位是内存“细胞”——也就是我们前面展示给大家DRAM 基本单元示意图所示的部分,下面我们对这个部分通称为DRAM基本单元。每个DRAM 基本单元代表一个“位”——Bit(也就是一个比特,并且有一个由列地址和行地址定义的唯一地址。8个比特组成一个字节,它可代表256种组合(即2的八次幂,字节是内存中最小的可寻址单元。DRAM基本单元不能被单独寻址——否则现在的内存将会更加复杂,而且也没有必要。很多DRAM基本单元连接到同一个列线(Row line和同一个行线(Column line,组成了一个矩阵结构,这个矩阵结构就是一个Bank。大部
习题1 一、选择题 1. 计算机网络最突出的优点是____。 A. 精度高 B. 内存容量大 C. 运算速度快 D. 共享资源 2. 在组建广域网时，经常采用的拓扑结构是_____。 A. 星型 B. 总线型 C. 环型 D. 网状型 3. 计算机网络按其所涉及范围的大小和计算机之间互联的距离，其类型可分为_____。 A. 局域网、广域网和混合网 B. 分布的、集中的和混合的 C. 局域网和广域网 D. 通信网、因特网和万维网 二、填空题 1. 计算机网络的拓扑结构主要有________、_________、_________、_________和_________。 2. 按照服务器和工作站配置的不同，可以将网络划分为_______、________和_________。 3. 按对数据的组织方式的不同，可以将网络划分为_______、________和_________。 三、简答题 1. 网络操作系统与一般的操作系统有什么区别？ 2. 什么是计算机网络？计算机网络是由什么组成的？ 3. 什么是拓扑结构？如何选择网络拓扑结构？ 4. 计算机网络的发展可划分为几个阶段？每个阶段各有什么特点？ 5. 在什么样的环境下最适用于简单的总线结构？ 习题2 一、单项选择题 1. 下列哪一项最好地描述了模拟信号？ A. 用图表示像是一个正弦波 B. 有两个不同的状态 C. 以每秒周期数计量 D. B和C E. A和C 2. 波特率等于 A. 每秒传输的比特 B. 每秒钟可能发生的信号变化的次数 C. 每秒传输的周期数 D. 每秒传输的字节数 3. 假定一条线路每1/16s采样一次，每个可能的信号变化都运载3bit的信息。问传输速率是每秒多少个 比特？ A. 16 b/s B. 3 b/s C. 24 b/s D. 48 b/s 4. 半双工支持哪一种类型的数据流？ A. 一个方向 B. 同时在两个方向 C. 两个方向，但每一时刻仅可以在一个方向上有数据流 5. 在下列传输介质中，哪一种错误率最低？ A. 同轴电缆 B. 光缆 C. 微波 D. 双绞线 6. 多路复用器的主要功能是什么？ A. 执行数/模转换 B. 减少主机的通信处理负荷
电脑世界是由0与1组成，其中有数以万计的线路，一条线路传递一个信号，而0代表没有信号，1代表有信号，就像电源开关一样，同一时间只可能有一种状态，所以电脑最基本的单位就是一条线路的信号，我们就把它称作“位”，英文叫做bit，缩写为b。“位”和“字节”其实都是电脑的计量单位，我们可以理解成字节是由位组成的，一个“字节”等于8“位”，Byte是它的缩写."位" （bit）这个单位太小，所以字节(Byte)是电脑存储容量的基本计量单位。Byte 可简写为B，一个字节由八个二进制位组成，其最小值为0，最大值为11111111，一个存储单元能存储一个字节的内容。 这些单位之间的换算关系为: Kilo K 1K字节=1,024个字节 Mega M 1M字节= 1,048,576字节 Giga G 1G字节=1,073,741,824字节 Tera T 1T字节=1,099,511,627,776字节 Peta P 1P字节=1,125,899,906,842,624字节 Exa E 1E字节=1,152,921,504,606,846,976字节 Zetta Z 1Z字节=1,180,591,620,717,411,303,424字节 Yotta Y 1Y字节=1,208,925,819,614,629,174,706,176字节 根据上表可以算出40GB的硬盘应该可以存储40GB×1,073,741,824字节＝4294 9672960字节的数据，但实际不然。 计算机中采用二进制，这样就造成在操作系统中对容量的计算是以每1024为一进制的，每1024字节为1KB，每1024KB为1MB，每1024MB为1GB;而硬盘厂商在计算容量时，则是以每1000为一进制的，每1000“字节”为1KB，每1000KB 为1MB，每1000MB为1GB，这二者进制上的差异造成了硬盘容量缩水。 所以标称40GB的硬盘，在操作系统中显示只有38GB;80GB的硬盘只有75GB;而1 20GB的硬盘则只有114GB了。 1、计算机存储信息的最小单位，称之为位（bit），音译比特，二进制的一个“0” 或一个“1”叫一位。 2、计算机存储容量基本单位是字节（Byte），音译为拜特，8个二进制位组成1 个字节，一个标准英文字母占一个字节位置，一个标准汉字占二个字节位置。3、计算机存储容量大小以字节数来度量，1024进位制： 1024B=1K（千）B 1024KB=1M（兆）B 1024MB=1G（吉）B 1024GB=1T（太）B 以下还有PB、EB、ZB、YB 、NB、DB，一般人不常使用了。 1字节=8bit 1KB=1024字节 1MB=1024KB 1GB=1024MB
Flash 存储芯片工作原理: Flash 芯片并不是像光盘那样把信息刻上去的。为了更加清楚地说明，我首先让你知道计算机的信息是怎样储存的。计算机用的是二进制，也就是0与1。在二进制中，0与1可以组成任何数。而电脑的器件都有两种状态，可以表示0与1。比如三极管的断电与通电，磁性物质的已被磁化与未被磁化，物质平面的凹与击，都可以表示0与1。硬盘就是采用磁性物质记录信息的，磁盘上的磁性物质被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因为磁性在断电后不会丧失，所以磁盘断电后依然能保存数据。而内存的储存形式则不同，内存不是用磁性物质，而是用RAM 芯片。现在请你在一张纸上画一个“田”，就是画一个正方形再平均分成四份，这个“田”字就是一个内存，这样，“田”里面的四个空格就是内存的储存空间了，这个储存空间极小极小，只能储存电子。。好，内存现在开始工作。内存通电后，如果我要把“1010”这个信息保存在内存（现在画的“田”字）中，那么电子就会进入内存的储存空间里。“田”字的第一个空格你画一点东西表示电子，第二个空格不用画东西，第三个空格又画东西表示电子，第四个格不画东西。这样，“田”的第一格有电子，表示1，第二格没有，表示0，第三格有电子，表示1，第四格没有，表示0，内存就是这样把“1010”这个数据保存好了。电子是运动没有规律的物质，必须有一个电源才能规则地运动，内存通电时它很安守地在内存的储存空间里，一旦内存断电，电子失去了电源，就会露出它乱杂无章的本分，逃离出内存的空间去，所以，内存断电就不能保存数据了。再看看U 盘，U 盘里的储存芯片是Flash 芯片，它与RAM 芯片的工作原理相似但不同。现在你在纸上再画一个“田”字，这次要在四个空格中各画一个顶格的圆圈，这个圆圈不是表示电子，而是表示一种物质。好，Flash 芯片工作通电了，这次也 是保存“1010”这个数据。电子进入了“田”的第一个空格，也就是芯片的储存空间。电子把里面的物质改变了性质，为了表示这个物质改变了性质，你可以把“田”内的第一个圆圈涂上颜色。由于数据“1010”的第二位数是0，所以Flash 芯片的第二个空间没有电子，自然里面那个物质就不会改变了。第三位数是1，所以“田”的第三个空格通电，第四个不通电。现在你画的“田”字，第一个空格的物质涂上了颜
一文详解SRAM特点和原理 基本简介SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM （Dynamic Random Access Memory）每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。 主要规格一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）;另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A STIck）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU 起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在PenTIum CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是PenTIum Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故PenTIum Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。 基本特点现将它的特点归纳如下： ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 ◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 ◎SRAM使用的系统： ○CPU与主存之间的高速缓存。 ○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。 ○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。 ○CMOS 146818芯片（RTCMOS SRAM）。