一、场效应管简介
场效应管（Field Effect Transistor 简称 FET）是利用电场效应来控制半导体中电流的一 种半导体器件， 故因此而得名。 场效应管是一种电压控制器件， 只依靠一种载流子参与导电， 故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性 好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管的类型若从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的 N 沟道器件和 空穴作为载流子的 P 沟道器件； 从场效应三极管的结构来划分， 它有结型场效应三极管 JFET 和绝缘栅型场效应三极管 IGFET 之分。IGFET 也称金属-氧化物-半导体三极管 MOSFET， 简称 MOS 管。MOS 管性能更为优越，发展迅速，应用广泛。 与双极型晶体管相比，场效应管有下列优点：输入电阻高、内部噪声小、耗电省、热稳 定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单、易于集成化、工作频率高等。因此场效应管在电子 电路，逻辑电路，特别是在近代大规模和超大规模集成电路（VSI 和 LVSI）以及微波毫米 波电路中得到及其广泛的应用。
二、场效应管分类
场效应管的种类很多， 按结构大致分为： 结型、 绝缘栅型两大类。 结型场效应管 （JFET） 因有两个 PN 结而得名， 绝缘栅型场效应管 （JGFET） 则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。 目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是 MOS 场效应管，简称 MOS 管（即金属-氧 化物-半导体场效应管 MOSFET） ；此外还有 PMOS、NMOS 和 VMOS 功率场效应管，以及 最近刚问世的 πMOS 场效应管、VMOS 功率模块等。 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和 P 沟道两种。若按导电方式来 划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既 有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管。而 MOS 场效应晶体管又 分为 N 沟耗尽型和增强型；P 沟耗尽型和增强型四大类。见下图。
三、场效应管结构和工作原理
1、结型场效应管 1）结型场效应管的结构 场效应管是电压控制器件， 克服了晶体管输入回路 PN 结正向偏置是有输入电流的缺点， 应用 PN 结电压效应来控制输出回路电流，输入回路基本上不取电流。
如 N 沟道结型场效应管示意图
N 沟道结型场效应管结构示意图 内部结构
N 沟道结型场效应管内部结构示意图 符号及晶体管的比较
N 沟道结型场效应管符号 2）结型场效应管的工作原理
1．栅源电压 UGS 对导电沟道的影响（设 UDS＝0）
晶体管符号
在图 Z0123 所示电路中，UGS ＜0，两个 PN 结处于反向偏置，耗尽层有一定宽度，ID= 0。若|UGS| 增大，耗尽层变宽，沟道被压缩，截面积减小，沟道电阻增大；若|UGS| 减小， 耗尽层变窄，沟道变宽，电阻减小。这表明 UGS 控制着漏源之间的导电沟道。当 UGS 负值 增加到某一数值 VP 时，两边耗尽层合拢，整个沟道被耗尽层完全夹断。（VP 称为夹断电 压）此时，漏源之间的电阻趋于无穷大。管子处于截止状态，ID＝0。
2．漏源电压 UDS 对漏极电流 ID 的影响（设 UGS＝0）
当 UDS＝0 时，显然 ID＝0；当 UDS＞0 且尚小对，P N 结因加反向电压，使耗尽层具 有一定宽度，但宽度上下不均匀，这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电 压 UDS 沿沟道递降，造成漏端电位高于源端电位，使近漏端 PN 结上的反向偏压大于近源 端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然，在 UDS 较小时，沟道呈现一定电阻，ID 随 UDS 成线性规律变化（如图 Z0124 曲线 OA 段）；若 UDS 再继续增大，耗尽层也随之增宽， 导电沟道相应变窄，尤其是近漏端更加明显。
由于沟道电阻的增大，ID 增长变慢了（如图曲线 AB 段），当 UDS 增大到等于|VP|时， 沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止，因为 漏源两极间的场强已足够大， 完全可以把向漏极漂移的全部电子吸引过去形成漏极饱和电流 IDSS （这种情况如曲线 B 点）：当 UDS＞|VP|再增加时，耗尽层从近漏端开始沿沟道加长 它的接触部分，形成夹断区 。 由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多， 所以比|VP|大的那部分电压基本上降在夹断区上， 使夹断区形成很强的电场， 它完全可以把沟道中向漏极漂移的电子拉向漏极， 形成漏极电流。 因为未被夹断的沟道上的电压基本保持不变，于是向漏极方向漂移的电子也基本保持不变， 管子呈恒流特性（如曲线 BC 段）。但是，如果再增加 UDS 达到 BUDS 时（BUDS 称为击 穿电压） 进入夹断区的电子将被强电场加速而获得很大的动能， 这些电子和夹断区内的原子 碰撞发生链锁反应，产生大量的新生载流予，使 ID 急剧增加而出现击穿现象（如曲线 CD 段）。 由此可见，结型场效应管的漏极电流 ID 受 UGS 和 UDS 的双重控制。这种电压的控制 作用，是场效应管具有放大作用的基础。
3)输出特性曲线与转移特性曲线 （1）输出特性曲线
输出特性曲线 从这组特性曲线上，可以观察到场效应管的工作状态也可以分为三个区：可变电 阻区、恒流区、击穿区。预夹断点的连线就是可变电阻区和恒流区的分界线；击 穿点的连线是恒流区和击穿区的分界线； 越负， VGS IDSS 越小， 击穿电压也越小； 恒流区，又称为饱和区是一组平行曲线 （2）移特性曲线 1.两个重要参数：
转移特性与纵坐标轴交点处的电流，即 VGS=0 时的饱和漏电流 IDSS。转移特性 与横坐标轴交点处的电压，即 ID=0 时的夹断电压 VP。也就是说，VGS=0 时，ID 得到最大值。VGS 越负，ID 越小。当 VGS=VP 时，ID 约等于零。 2.场效应管工作在饱和区的转移特性可用近似公式。因此，只要给出了 IDSS 和 VP，转移特性中其它点可近似算出。 3.改变 VDS，可得到一族转移特性曲线。但在恒流区 ID 几乎不随 VDS 而变。所 以， 不同的 VDS 的转移特性很近， 可以认为转移特性重为一条曲线， 以简化分析。
转移特性曲线 输出特性与转移特性曲线的关系 因为输出特性和转移特性都是反映场效应管工作的同一物理过程， 所以转移特性 曲线与输出特性曲线之间是相互联系的。 由输出特性曲线可作出转移特性曲线。只需在输出特性曲线上，对应于一固定 VDS 处作一条垂直的直线，它与 VGS 为不同值的输出特性曲线有一系列交点，由 此得 到一对对的 VGS--ID 值，即可画出相应的转移特性曲线。
由输出特性曲线与转移特性曲线 4)主要参数 (1）直流参数 (1)夹断电压 VP VDS 一定时，ID 为一微小电流值（例如 1uA.5uA)时所需的 VGS 值。 (2)饱和漏电流 IDSS 当 VGS=0， VDS>|VP|时的漏极电流。 JEFT 而言,是管子所能输出的最大电 且 对 流。通常规定 VDS=10V，VGS=0 时测出的 iD 为 IDSS。 (3)直流输入电阻 RGS G-S 间所能加电压与所产生的 IG 之比,由于 JFET 管 GS 间 PN 结始终处于反 偏状态，栅极基本不取电流(IG≈0)，输入电阻 RGS 很高，可达 (2）交流参数 (1)低频跨导（互导） 描述 VGS 对 ID 的控制作用。是衡量放大作用的重要参数。 以上。
定义为： 求法： (a)从转移特性上： 工作点 Q 处切线的斜率＝
(单位：mA/v)
工作点Ｑ处切线的斜率 (b)从输出特性上： gm=△ID/△VGS 如图
gm=△ID/△VGS (c)由 ID 表达式：
(已知 IDSS，VP，只需将 Q 点处的 VGS 代入下式-->gm)
（2）极间电容 场效应管三个电极之间的等效电容（CGS，CGD，CDS），由于 PN 结的势垒电 容和分布电容 构成。一般规定（在 VGS=0，VDS=10V 的情况下）， 用特定的频率 信号进行测量 。CGS、CGD：1--3PF, CDS:0.1--1PF.极间电容降低，则管子的高 频性能也就越高。 （3）低频噪声系数 NF 噪声有管子内 P 载流子运动的不规则性引起的。由于它的存在，使得一个放 大器即使没有输入信号，在输出端也出现不规则的电压或者电流变化。噪声产生 的影响常用 NF 表示，单位：dB。 NF 越小，场效应管性能越好。 NF：一般是几 dB.（由于只有一种载流子运动，所以 NF 比双极型晶体管要小）. (3) 极限参数 (1)最大漏极电流 IDM 由于管的截面积有限，而导电沟道的电流密度又不可能过大。IDM 指管在工 作时允许的最大漏极电流。 (2)最大耗散功率 PDM 场效应管的漏极耗散功率 PD=iDVDS,这一耗散功率将改变 I,使之产生一定的 热能，热能使管 子的 T 升高。为限制 T，需要限制 PD
JFET 正常工作时，G——S 间 PN 结处于反向偏置状态，若 VGS 过高，PN 结将 被击穿。V（BR）DS 指 PN 结反向电流开始急剧增加时的 VGS 值。
2、绝缘栅型场效应管
结构：栅极与源极、栅极与漏极之间均采用 SiO2 绝缘层隔离而得名， 又称 MOS 管。 特点：栅-源间输入电阻高，达 1010 以上，温度稳定性好、集成工 艺简单，广泛用于大规模和超大规模集成电路中。 分类：增强型管（N 沟道和 P 沟道）和耗尽型管（N 沟道和 P 沟道） 。 增强型管定义：栅-源电压 耗尽型管定义：栅-源电压 为零时漏极电流为零。 为零时漏极电流不为零。
1）增强型场效应管结构
增强型场效应管结构示意图 JFET 的输入电阻可达 10 欧姆--欧姆,但就本质而言， 这是 PN 结的反向电阻，
而反向偏置时总有反向电流存在， 这就限制了在某些工作条件下对阻值的更高要 求。同时，从制造工艺看，把它高度集成化还比较复杂。 绝缘栅型场效应管由金属-氧化物-半导体场效应管制成，称为 Metal-Oxide-Semiconductor,简称为 MOSFET， 这种场效应管的栅极被绝缘层 （例 如 SiO2)隔离，因此 Ri 更高，可达 欧姆以上。
MOS 管与 JFET 的不同之处在于它们的导电机构和电流控制原理不同。JFET 利用 耗尽层的宽度改变导电沟道的宽度来控制 ID,MOSFET 则是利用半导体表面的电 场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制电流。 MOS 管分为 N 沟道和 P 沟道两类, 每一类又分为增强型和耗尽型: 增强型：当 VGS=0,无导电沟道,ID=0 耗尽型：当 VGS=0,有导电沟道,ID 0 增强型 MOSFET 的结构 （1）P 型 Si 半导体薄片——衬底 （2）利用扩散的方法在 P 型 Si 中形成两个高 N+区，并引进铭电极 S、D。 （3）P 型 Si 表面覆盖 SiO2 绝缘层，再引出 G 极。所以 G 极与其它电极间是绝 缘的。 （4）衬底引线——通常与 S 相连（在管子内部）。
箭头表示由衬底（P）指向沟道（N） MOSFET 符号 2) 增强型 MOSFET 的工作原理
增强型场效应管结构示意图 工作原理 JFET 利用 PN(VGS)结反向电压控制耗尽层改变导电沟道的宽窄控制 ID. MOS 利用 G-S 电压(VGS)的大小改变半导体表面感应电荷的多少控制 ID. (1)当 VGS=0 (G-S 短接) 如图
VGS=0 (G-S 短接) 源区(N+)--衬底(P)--漏区(N+)形成两个背靠背的 PN 结。所以,不管 VDS 如何接, 总有一个 PN 结是反偏的,D--S 间没有形成导电沟道,基本上无电流通过。D=0 等 I （ 价于 D--S 间电阻很大）
(2)当 VGS>0 如图
VGS>0 G--P 间是以 SiO2 为介质的平板电容 C—→电场 E(由于 SiO2 层薄,d 很小,即使 VGS 只有几伏,E=V/d,也能产生强电场)—→排斥 P 型 Si 中的多子而吸引少子到表 面层，电子在表面层与空穴复合，从而在表面留下带负电的离子组成的耗尽层。 增大 VGS，耗尽层增大。当 VGS 增大到一定数值时—→P 型衬底表面层中，不仅空 穴全部被排斥和耗尽，而且自由电子大量地被吸收到表面层，使得表面层变成为 自由电子占多数的 N 型层。 （由于是在 P 型中感应产生 N 型电荷层，故称为反型 层） 这一反型层将 D 与 S 的两个 N+区相连通—→D--S 间的 N 型导电沟道。 。 （由 于是感应产生，故为感生沟道,称为反型层）。 讨论： (1)显然,VGS↑—→E↓—→P 型 Si 表面的 e↑(这种表面负电 荷主要从 S--D 区 N+得到.由于 P 型中 e 浓度↓)—→感生沟道(反型层)↑—→沟道 R↓。开始形成 反型层所需的 VGS：开启电压 VT。 (2)这种在 VGS=0 时没有导电沟道,须靠 G--S 电压作用,形成感应沟道的场效应管 ----增强型.(符号中的断开线反映了增强的特点)。 (3)感生沟道出现,原被 P 型衬底隔开的 N+(S、D 区)就被感生沟道连在一起。但 VDS=0,所以 ID=0。 (3)当 VGS>VT,VDS>0(可变) 如图
VGS>VT,VDS>0 VDS 作用下,ID 产生。但由于 ID 流过沟道，产生压降。 即沟道上各点与 G 间的电 D 压不再相等 （沟道各点电位不同）S 端与 G 端间 VGS 最高， 端与 G 间电压 VGD=VGS-VDS 。 最低----沟道中各点不等宽，沟道呈现楔型。VDS↑—→ID↑，沟道宽度的不均匀 性加剧。当 VDS↑到 VDS=VGS-VT，则 VGD=VGS-VDS=VT，此时在 D 处的沟道达到临界开 启程度----预夹断。 VDS↑，沟道的夹 断区逐渐延长。ID 基本不变，趋于饱和（机制同 JFET）。
3) 增强型 MOSFET 的特性曲线及参数
由于 G 与 S 和 D 极间有绝缘层隔开，故 iG≈0，输入电阻极高，可达 100 兆欧以 上。因此很少应用到输入特性曲线。常用的为输出和转移特性曲线。 1.输出特性曲线
输出特性曲线
iD=f(VDS)|VGS=C. 根据不同的工作状态，将输出特性分成四个区域。
(1)截止区
VGS
VGS>VT,VDS
VGS>VT， DS>VGS-VT， V 当氧化层上的电位差 VGD=VGS-VDS=VT 时， 漏端沟道处于临界状态， MOS 管进入预夹断，随着 VDS 的增大,夹断区将从漏端向源端扩张.这时,虽然导电沟道略有 缩短,但是沟道上的压降不变,因此 iD 基本不变 或略有增加。输出曲线趋于水平。所以称为 恒流区。在这一工作区内，iD 仅受 VGS 控制。
从可变电阻区进入恒流区的交界点为预夹断点，此时 VDS=VGS-VT，显然，VGS↑；预夹 断 时的 VDS↑。
(4)击穿区
随着 VDS↑，沟道的夹断点从 D—→S 延伸，夹断区内的耗尽层的电场↑。当 VDS↑到某一 临界值 V（BR）DS 时，夹断区的耗尽层产生雪崩击穿，iD↑↑，管子进入击穿状态。当 VGS ↑，夹断区的长度缩短，夹断区内的电场强度相对↓，因此只有再增大 VDS 才可以达到产 生击穿现象的电场强度，也就是说 V（BR）DS 随 VGS 的增大而升高。
2.转移特性曲线
转移特性曲线
iD=f(VGS)|VDS=C. (突出表示 VGS 对 iD 的控制作用）
恒流区内， D 受 VDS 影响很小， i 因此， 在恒流区内不同 VDS 下的转移特性基本重合。 近似关系：
（IDSS：VGS=2VT 时的 iD 值） 绝缘栅场效应管参数与结型管基本相同。需要注意的是，在绝缘栅场效应管中不 用夹断电压 VP，而用开启电压 VT 表征管子的特性。 如 P 沟道增强型 MOSFET 特性曲线图
P 沟道增强型 MOSFET 特性曲线
3)耗尽型场效应管 1.结构示意图
耗尽型场效应管结构示意图 结构与增强型相同，只是绝缘层 SiO2 中掺有大量的正离子。这样，在 VGS=0 时， 在正离子的作用下，P 型衬底上感应出较多的电子，形成 N 沟道连通 D--S 区。 VDS 一作用，便有较大的 ID 由 D→S（而此时增强型 ID=0）。VGS>0，PN 结虽处于 正向偏置，但绝缘层的存在。不会产生正向电流，而是在沟道中感应出更多的负 电荷，VDS 作用下，ID 更大。VGS<0,沟道中感应电荷↓，从而在 VDS 作用下，iD↓； （负值） 反型层消失， ， D--S 间失去导电沟道。 此时的 VGS=VP， 当 VGS 小到一定值时 （与 JFET 类似，故为耗尽型）。 N 沟道耗尽层 MOSFET 的特点是：可在正或负的 VGS 下工作，且基本上无栅极电流 IG。其特性曲线与增强型相同。只是无 VT，有 VP，且 VGS 可正可负。
2.输出特性曲线
N 沟道耗尽型输出特性曲线 3.转移特性曲线
N 沟道耗尽型转移特性曲线
3、各种场效应管的符号和特性曲线
四、VMOS 管
MOS 管不能承受较大的功率。VMOS 管从结构上较好地解决了 散热问题，可制成大功率管，结构如图所示。 在栅-源电压 大于开启电压 时，在 P 区靠近 V 型槽氧化层表
面所形成的反型层与下边区相接，形成垂直的导电沟道。漏-源间外 加正电源时，自由电子将沿沟道从源极流向 N 型外延层、N 区衬底到 漏极，形成从漏极到源极的电流 。
+
VMOS 管的漏区散热面积大，便于安装散热器，耗散功率达千瓦 以上；漏-源击穿电压高，上限工作频率高；当漏极电流大于某值 （500mA）时， 与 基本成线性关系。
五、场效应管使用注意事项
公文写作基础知识 一、公文的定义和分类 （一）定义 公文，是公务活动中所形成和使用的文字材料，是方针、政策、法规、政令和信息、情况的表现者、运载者，是机关实施管理的基本手段和重要工具，发挥着上令下达、下情上报和信息沟通的重要作用。公文贯穿机关管理工作的始终。我们要向上级报告情况，需要写成文件；我们要向基层单位安排什么工作，提工作要求，需要写成公文印发下去，备查、备用，便于基层照章执行；我们要告知社会公众一个什么决定，也要印制成公文。因此，公文写作与我们每一个机关事业单位工作人员息息相关，可以说，具备较强的公文写作能力，是每一个机关事业单位工作人员的基本素质要求。当前，各级各部门都十分缺乏优秀的文秘工作人员，重视公文写作、加强公文写作，对于年轻人来说，具有更加积极的作用。 （二）分类 1、按照制文机关的种类划分：党务机关公文、行政机关公文、司法机关公文、军事机关公文、企事业单位公文、社会团体公文。
2、按照行文方向划分：上行公文（向上级单位行文）、平行公文（向平级单位行文）、下行公文（向下级单位行文）。草拟公文前，必须弄清楚行文方向，才能确定文种、内容、措辞等。 3、按照保密程度划分：绝密公文、机密公文、秘密公文、内部材料、普通公文5种。我们在起草或者管理公文时，必须要按照该公文的秘密等级来处理，涉及秘密问题的，不能泄密。 4、按照紧急程度划分：特提公文、特急公文、加急公文、平急公文、普通公文5种。 5、按照使用范围划分：通用公文和专用公文。决定、通知、通报、报告、请示、批复、意见、函、会议纪要等全是通用公文；司法类的公文、经济类的公文、任免类公文、议案、提案、建议等等，属专用公文。 6、按照规范性和颁发程序的规范程度、行政约束力的强弱划分：规范性公文和非规范性公文。 规范性公文有13种：命令、决定、公告、通告、通知、通报、议案、报告、请示、批复、意见、函、会议纪要。 非规范性公文：除规范性公文以外的公文。常用的非规范性通用公文有调查报告、工作计划类、工作总结类、提案、
公文处理与写作基本知识 一、公文的定义、特点、作用和分类 （一）公文的定义 公文是党政机关、社会团体、企事业单位在公务活动中所形成的具有法定效力和规范体式的公务文书。 （二）公文的特点 1、鲜明的政治性。 2、法定的权威性。 3、严密的科学性。 4、体式的规范性。 5、法定的程序性。 （三）公文的作用 1、法规行政约束作用。 2、领导指导作用。 3、联系公务作用。 4、宣传教育作用。 5、沟通信息作用。 6、依据凭证作用。 （四）公文的分类 公文在其长期的发展过程中，适应国家机关各项活动的不同需要，逐步形成了不同的种类。 1、公文分类的意义 （1）正确区分公文类别，有助于公文撰写的规范化； （2）正确区分公文类别，有助于公文传输的制度化； （3）正确区分公文类别，有助于公文立卷归档的科学化； 2、公文分类的标准
（1）按法定文件规定，公文可分为法定党政公文和机关常用事务文书。 国务院2000年8月24日发布、2001年1月1日起施行的《国家行政机关公文处理办法》中规定的13种公文。即：命令（令）、决定、公告、通告、通知、通报、议案、报告、请示、批复、意见、函、会议纪要；中共中央办公厅1996年5月3日发布的《中国共产党机关公文处理条例》中的14种公文：决议、决定、指示、意见、通知、通报、公报、报告、请示、批复、条例、规定、函、会议纪要。 机关事务文书，是指国家机关为处理日常事务而制发的文书。常用的有：计划、总结、简报、章程、办法、调研报告、讲话稿等。 （2）按公文的行文方向划分，有上行文、下行文和平行文。 上行文，即被领导、指导的下级机关向上级领导、指导机关报送的公文。如:报告、请示。 下行文，即上级领导、指导机关向下级被领导、指导的机关发送的公文。如：命令、决定、公告、通知、批复。 平行文，即同一组织系统中的同级机关或不相隶属机关之间互相递送的公文。如：函、议案。 （3）按公文办理的紧急程度划分，有特急公文（特急）、紧急公文（急件）、常规公文（平件）
事业单位考试公文写作基础知识（上）写作基础知识 主题是文章的统帅和纲领，是文章的核心；主题源于材料，主题不能先行，必须从实际出发，从材料中引出主题。实用文体主题的表现表式主要有：①直接阐述；②单一集中；③以意役法；④片言居要；⑤善用标题。 文章结构安排的环节主要包括：选择角度；设置线索；安排层次；划分段落；设计开头与结尾；处理过渡和照应等。文章的结构应达到严谨（严密精细，无懈可击）、自然（顺理成章，开阖自如）、完整（匀称饱满，首尾圆合）、统一（和谐一致，通篇一贯，决不相互抵触，自相矛盾） 文章常用的表达方法有叙述、描写、议论、说明，其中议论的方法又可具体分为：①例证法；②喻证法；③类比法；④对比法；⑤反驳法；⑥归谬法。 语言运用的基本要求：合体、得体，准确、顺达，简洁、明快，生动、有力。 公文的特点和种类 公文，也称公务文件，是在社会活动中直接形成和使用的具有规范体式和法定效用的信息记录，其区别于图书、情报、资料等事物的个性点主要有：①由法定作者制发；②具有法定的现实执行效用；③具有规范的体式；④履行法定的程序。 根据不同的标准，公文可从不同角度进行如下分类： （1）根据形成和作用的公务活动领域，公文可分为通用公文和专用公文两类。 （2）根据内容涉及国家秘密的程度，公文可分为对外公开、限国内公开、内部使用、秘密、机密、绝密六类 （3）根据行文方向，公文可分为上行文、下行文、平行文三类。 （4）根据内容的性质，公文可分为规范性、领导指导性、公布性、陈述呈请性、商洽性、证明性公文。 （5）根据处理时限的要求，公文可分为平件、急件、特急件三类。 （6）根据来源，在一个机关内部可将公文分为收文、发文两类。
ＭＯＳ管基础知识 MOS管场效应管 知识要点： 场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数 场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）。 1.1 1.1.1 MOS场效应管 MOS场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极： D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极； G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极； S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。 增强型MOS(EMOS)场效应管 根据图3-1，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P 型半导体称为衬底，用符号B表示。 图3-1 N 沟道增强型EMOS管结构示意 一、工作原理 1．沟道形成原理 当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。 进一步增加VGS，当VGS＞VGS(th)时（ VGS(th) 称为开启电压），由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟 1 线性电子电路教案 道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层（inversion layer）。随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。 跨导的定义式如下： constDS==VGSDVIgmΔΔ (单位mS) 2． VDS对沟道导电能力的控制 当VGS＞VGS(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。VDS的不同变化对沟道的影响如图3-2所示。根据此图可以有如下关系 VDS=VDG＋VGS= —VGD＋VGS
场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数） 本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。 在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。 1．"型号"栏 表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。2．"厂家"栏 为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。） 所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下： ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司
公文处理基础知识_写作指导 公文处理基础知识 第一节公文处理概述一、公文及公文处理工作的重要性 1.公文是领导机关决策的产物，是领导机关实施领导、进行管理和服务工作的重要工具。公文总是与新的决策、政令的贯彻和推行紧密联系在一起的。大量历史事实证明，一篇正确而优秀的公文，可推动社会历史前进，促进经济社会的发展，实现国家和民族的振兴。例如，党的十一届三中全会通过的《中共中央关于建国以来若干历史问题的决议》，从而使中国发生了翻天覆地的变化，实现了中华民族的伟大复兴。南朝刘勰说：“章表奏议，经国之枢机。”三国魏曹丕说：文章乃“经国之大业，不朽之盛事”。。邓小平说：“拿笔杆是实行领导的主要方法”。反之，一篇错误的公文，可把社会引向倒退，造成国家和民族的灾难。例如，1966年中共中央下发的《关于开展无产阶级文化大革命的通知》，把刚刚复苏的国民经济再次推向崩溃的边缘。所以，公文处理工作的质量好坏与公文的正确与否，决定国家的兴亡。 2.在当代的领导、管理和服务工作中，公文具有其他任何工具不可替代的重要作用。从一定的意义上说，公文正确与否，决定社会主义现代化建设的成败、战争的胜负和社会政治稳定与否。公文的作用主要有10大作用，即：启示和传达作用、规范作用、请示报告作用、控制作用、传递作用、协作作用、联系和知照作用、依据和凭证作用、教育参考作用、记载和备查作用。这是被大量事实证明了的历史结论。 3.公文处理水平代表一个机关（单位）的水平，即代表一个机关（单位）的决策、领导、管理、服务水平，反映了一个单位的整体素质。所以，每一个单位的领导及全体工作人员特别是文秘人员，都要重视公文处理工作。二、公文及公文处理的涵义1．公文的定义。“公文”一词，源于晋代陈寿的《三国志?魏志?赵俨传》，“公文下郡，绵绢悉以还民。”当时仅指一种体式的公务文书。最早的公文总称为“书契”。其后又有“典册”、“枢机文”、“官文书”、“案牍”、“公牍”等名称。随着社会的发展进步，公文的种类、名称及其内涵不断发展变化。公文即公务文书，是党政机关、企事业单位和一切社会团体在处理公务时所形成的有现行功用、法定效力和特定体式的文字材料。《中国共产党机关公文处理条例》规定：“党的机关的公文，是党的机关实施领导、处理公务的具有特定效力和规范格式的文书，是传达贯彻党的路线、方针、政策，指导、布署和商洽工作，请示和答复问题，报告和交流情况的工具。”《国家行政机关公文处理办法》规定：“行政机关的公文，是行政机关在行政管理过程中形成的具有法定效力和规范体式的文书，是依法行政和进行公务活动的重要工具”。公文包括文件、简报、会议材料、申请表、统计表、呈报表等。“文件”一词是外来语，来自拉丁语docememtum，相当于汉语的“证据”。在我国，“文件”有广义和狭义之分。广义的“文件”，是指在工作和政治学习上可以用作依据或参考的书面材料；狭义的“文件”，指的是具有法规性、知照性和特定(固定)版头的公文。共18页，当前第1页123456789101112131415161718公文处理基础知识相关内容:物业年终总结怎么写 光阴似箭日如梭，转眼间半年已经过去。回顾我们保安队在**国际珠宝城半年来的工作，可以说是成绩多多，受益多多，体会多多，但存在的问题也不少。 就职演讲的作用 1、有提高干部素质的作用。领导干部的就职演讲，是对干部各方面能力的综合训练。首先，在准备就职演说时，干部的观察能力、分析能力、逻辑思维能力、形象思维能力均得到充分的调动。 机关文稿写作举要
第一章公文基础知识 第一节公文概述 一、公文的概念： 公文：公务文书的简称，只在公务活动中安一定程序和格式形成和使用的、表达社会集团意志的文字材料。 二、公文的特点： 1、主要特点：法定作者、法定效力、特定体式 2、公文的语言特点：准确、庄重、朴实、精炼、严谨、规范。 三、公文的种类： 常用的分类方法有六种： 了公报、决议。 2、按公文来源分类: 按公文的来源，可分为收文和发文两种。 3、按行文方向分类： 按行文方向区分，公文可分为下行文、平行文、上行文三种。 4、按性质作用分类： 按公文的性质作用，可分为法规性公文、指挥性公文、报请性公文、公布性公文、通联性公文和记录性公文六种。 5、按保密程度分类： 按涉及机密程度，保密公文分为绝密公文、机密公文、秘密公文三种。 6、按办文时限要求分类： 按办文时限要求，分为特急件、加急件和平件。 四、公文的作用： 公文主要有以下几个方面的作用： 1、法规行政约束作用； 2、领导指导作用； 3、联系公务作用； 4、宣传教育作用； 5、沟通信息作用； 6、依据凭证作用。 第二节公文的行文规则 行文规则：控制公文行文对象、行文方向和行文方式等方面的制度规定。行文规则规范着各种这回组织之间的行文行为，旨在确保公文有序、有效地运行，顺利实现公文的效用。 行文主体：依照法律法规成立、能够独立行使职权、具有独立法律行为能力的组织及其负责人，包括各级国家机关、企事业单位、人民团体以及其他各类机构及其负责人。 一、行文依据： 1、行文方式：依据公文需求发文、依据职责权限发文、依据工作关系发文。 2、工作关系：领导与被领导、指导与被指导、平级关系、不相隶属关系。 二、行文对象： 公文的行文对象可分为：主送机关、抄送机关。 主送机关：受理并负责办理公文内容的主要机关。 1、选择主送机关应遵循下列规则： ①公文应主送主办机关；②、一般不主送单位负责人个人；③、上行文应避免“多头主送”；④、党政组织互不主送公文。
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
公文写作基础知识试题及答案 一、单项选择题 1，联合行文时，作者应是( 1 )。 A．同级机关B．同一系统的机关 C．三个以上的机关D．行政主管机关与业务指导机关 2．维护文件的高度严密性是指( 2 )。 A．公文的保密性B．公文语言结构的严密 c．公文行文程序的严密D．施行办法的严密 3．公文中的祈使句常常依靠( 2)。 A．语气词表述B．惯用的句式表达 c．感叹词表达D．无主句表达 4．为了维护政令一致，凡下行公文( 3 )。 A．都要向上级请示 B．都要和有关机关协商 c．内容涉及其他机关的职权范围时，行文前应与其协商一致 D．都与有关部门联合发文 5．供受文者使用的具有法定效用的正式文本，格式规范并具备各种生效标志的稿本称作 ( 3 )。 A．草稿B．定稿 C．正本D．副本 6．公文区别于其他信息记录的特点是( 4 )。 A．传播知识B．具备查考价值 c．书面文字材料D．具备法定的权威性 7．用于记载会议主要精神和议定事项的公文是( 3 )。 A．决议B．会议记录 C．会议纪要D．议案 8．当问题重大，确急需直接上级和更高层次的上级机关同时了解公文内容时，可采用( 3 ) 的方式。 A．越级行文B．直接行文 C．多级行文D，同时行文 9．公文要选择适宜的行文方式，一般不得( 3 )。 A．逐级行文B．多级行文 c．越级行文D．直接行文 10．公文的形成与发挥作用须依赖于( 2)。1 A．公文处理B．收文处理 c．发文处理D．办毕公文处理 11．由机关领导对发文稿批注核准发出的意见并签署姓名及日期的活动，是发文处理中的( 4 )。 A．会商B．审核 C．注发D．签发 12．调查报告的结构一般包括( 1 )。 A．标题、导语、正文、结语B．标题、正文、落款 c．开头、导语、主体、结尾D．标题、正文、结语
公文写作基础知识 导读：公文写作基本常识 通报等公文，叫普发公文，凡下属机关都是受文机关，也就是发文的主送机关;下级机关向上级机关报告或请示的公文，一般只写一个主送机关，如需同时报送另一机关，可彩抄报形式。主送机关一般写在正文之前、标题之下、顶行写。 三、正文。这是公文的主体，是叙述公文具体内容的，为公文最重要的部分。正文内容要求准确地传达发文机关的有关方针、政策精神，写法力求简明扼要，条理清楚，实事求是，合乎文法，切忌冗长杂乱。请示问题应当一文一事，不要一文数事。 四、发文机关。写在正文的下面偏右处，又称落款。发文机关一般要写全称。也可盖印，不写发文机关。机关印章盖在公文末尾年月日的中间，作为发文机关对公文生效的凭证。 五、发文日期。公文必须注明发文日期，以表明公文从何时开始生效。发文日期位于公文的末尾、发文机关的下面并稍向右错开。发文日期必须写明发文日期的全称，以免日后考察时间发生困难。发文日期一般以领导人签发的日期为准。 六、主题词。一般是将文件的核心内容概括成几个词组列在文尾发文日期下方，如“人事任免通知”，“财务管理规定”等，词组之间不使用标点符号，用醒目的黑体字标出，以便分类归档。 七、抄报、抄送单位，是指需要了解此公文内容的有关单位。送
往单位是上级机关列为抄报，是平级或下级机关列为抄送。抄报、抄送单位名称列于文尾，即公文末页下端。为了整齐美观，文尾处的抄报抄送单位、印刷机关和印发时间，一般均用上下两条线隔开，主题词印在第一条线上，文件份数印在第二条线下。 八、文件版头。正式公文一般都有版头，标明是哪个机关的公文。版头以大红套字印上“××××××(机关)文件”，下面加一条红线(党的机关在红线中加一五角星)衬托。 九、公文编号。一般包括机关代字、年号、顺序号。如：“国发[1997]5号”，代表的是国务院一九九七年第五号发文。“国发”是国务院的代字，“[1997]”是年号，(年号要使用方括号“[ ]”)，“5号”是发文顺序号。几个机关联合发文的，只注明主办机关的发文编号。编号的位置：凡有文件版头的，放在标题的上方红线与文头下面的正中位置;无文件版头的，放在标题下的右侧方。编号的作用：在于统计发文数量，便于公文的管理和查找;在引用公文时，可以作为公文的代号使用。 十、签发人。许多文件尤其是请示或报告，需要印有签发人名，以示对所发文件负责。签发人应排在文头部分，即在版头红线右上方，编号的右下方，字体较编号稍小。一般格式为“签发人：×××”。 十一、机密等级。机密公文应根据机密程度划分机密等级，分别注明“绝密”、“机密”、“秘密”等字样。机密等级由发文机关根据公文内容所涉及的机密程度来划定，并据此确定其送递方式，以保
MOS管的基础知识 什么是场效应管呢？场效应管式是利用输入回路的电场效应来控制输出回路 电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它是靠半导体中的多数载流子导电，又称单极性晶体管。它区别晶体管，晶体管是利用基极的小电流可以控制大的集电极电流。又称双极性晶体管。 一, MOS管的种类，符号。 1JFET结型场效应管----利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而控制漏极电流的大小。结型场效应管一般是耗尽型的。 耗尽型的特点： a,PN结反向电压，这个怎么理解，就是栅极G,到漏极D和源极s有个PN吉, b,未加栅压的时候，器件已经导通。要施加一定的负压才能使器件关闭。 C,从原理上讲，漏极D和源极S不区分，即漏极也可作源极，源极也可以做 漏极。漏源之间有导通电阻。 2IGFET绝缘栅极场效应管----利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷
的多少，从而控制漏极电流的大小。 增强型效应管特点： A, 栅极和源极电压为0时，漏极电流为0的管子是增强型的。 B, 栅源电压，这个之间是个绝缘层，绝缘栅型一般用的是 SIO 2绝缘层。 耗尽 型绝缘栅场效应晶体管 的性能特点是：当栅极电压U 0 =0时有一定的漏 极电流。对于N 沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管，漏极加正电压，栅极电压从 0 逐渐上升时漏极电流逐渐增大，栅极电压从 0逐渐下降时漏极电流逐渐减小直至 截 止。对于P 沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管，漏极加负电压，栅极电压从 0逐 渐下降时漏极电流逐渐增大，栅极电压从 0逐渐上升时漏极电流逐渐减小直至截 绝缘栅型场效应 管： N 沟道增强型，P 沟道增强型，N 沟道耗尽型，P 沟道耗 尽型 MOSFET 増强型 N 沟道 二，用数字万用表测量MO 管的方法 用数字万用表判断MOS 的管脚定义。 1， 判断结型场效应管的 栅极的判断， 我们以N 沟道为例，大家知道，结型场效应管在 VGS 之间不施加反向电压 的 话，DS 之间是导通的，（沟道是以N 型半导体为导电沟道），有一定的 阻值，所以止0 1, 2, 按功率分类： A, 小信号管，一般指的是耗尽型场效应管。主要用于信号电路的控制。 B, 功率管，一般指的是增强型的场效应管，只要在电力开关电路，驱动 电路等。 按结构分类： 结型场效应管： 型） 增强型， 耗尽型 N 沟道结型场效应管 P 沟道结型场效应管（一般是耗尽 ZU 耗尽型 ZK7 工4
用场效应管参数大全 宏瑞电子|家电维修|电子技术|家电维修技术2009-12-0620:30:24作者:zhangzi来源:文字大小:[大][中][小] 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3 2SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175PMOS GDS激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177PMOS GDS激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201PMOS n 2SJ306PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30NJ SDG低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB 2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W 2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.15
事业单位考试公文写作基础知识 复习提纲 第一节写作基础知识 主题是文章的统帅和纲领，是文章的核心；主题源于材料，主题不能先行，必须从实际出发，从材料中引出主题。实用文体主题的表现表式主要有：①直接阐述；②单一集中；③以意役法；④片言居要； ⑤善用标题。 文章结构安排的环节主要包括：选择角度；设置线索；安排层次；划分段落；设计开头与结尾；处理过渡和照应等。文章的结构应达到严谨（严密精细，无懈可击）、自然（顺理成章，开阖自如）、完整（匀称饱满，首尾圆合）、统一（和谐一致，通篇一贯，决不相互抵触，自相矛盾） 文章常用的表达方法有叙述、描写、议论、说明，其中议论的方法又可具体分为：①例证法；②喻证法；③类比法；④对比法；⑤反驳法；⑥归谬法。 语言运用的基本要求：合体、得体，准确、顺达，简洁、明快，生动、有力。 第二节公文基础 一、公文的特点和种类 1、公文的特点 公文，也称公务文件，是在社会活动中直接形成和使用的具有规范体式和法定效用的信息记录，其区别于图书、情报、资料等事物的个性点主要有：①由法定作者制发;②具有法定的现实执行效用;③具有规范的体式;④履行法定的程序 2、行政公文规范依据 2012年4月16日，中共中央办公厅、国务院办公厅以中办发〔2012〕14号印发《党政机关公文处理工作条例》。该《条例》分总则、公文种类、公文格式、行文规则、公文拟制、公文办理、公文管理、附则8章42条，自2012年7月1日起施行。1996年5月
3日中共中央办公厅发布的《中国共产党机关公文处理条例》和2000年8月24日国务院发布的《国家行政机关公文处理办法》停止执行。 公文主要有：决议、决定、命令（令）、公报、公告、通告、意见、通知、通报、报告、请示、批复、议案、函、纪要15种。 根据不同的标准，公文可从不同角度进行如下分类： （1）根据形成和作用的公务活动领域，公文可分为通用公文和专用公文两类。 （2）根据内容涉及国家秘密的程度，公文可分为对外公开、限国内公开、内部使用、秘密、机密、绝密六类 （3）根据行文方向，公文可分为上行文、下行文、平行文三类。 （4）根据内容的性质，公文可分为规范性、领导指导性、公布性、陈述呈请性、商洽性、证明性公文。 （5）根据处理时限的要求，公文可分为平件、急件、特急件三类。 （6）根据来源，在一个机关内部可将公文分为收文、发文两类。 3、政府系统的通用公文文种 （1）规范性文件 条例。用于对某一方面的行政工作作全面、系统的规定，国务院各部门和地方人民政府的规章不得称“条例”。 规定。用于对某一方面的行政工作作部分的规定。 办法。用于对某一项行政工作作比较具体的规定。 （2）领导指导性文件 命令（令）。用于依照有关法律规定发布行政法规和规章；宣布旅行重大强制性行政措施；奖惩有关人员；撤销下级机关不适当的决定。 决定。用于对重要事项或重大行动作出安排。 指示。用于对下级机关布置工作，阐明工作活动的指导原则。 批复。用于答复下级机关的请示事项。 通知。用于批转下级机关的公文，转发上级机关和不相隶属机关的公文；发布规章；传达要求下级机关办理和有关单位需要周知或者共同执行的事项；任免和聘用干部。
《公文写作基础知识》测试 姓名: 得分： 一、单选题（每题3分，答错不得分，共45分） 1.公文是党和国家行政机关处理公务、管理国家、传递政策、表达 意志的手段和工具，是为解决党和国家的事务而制定的，因此公文 必须有一定的（D），这样才能是公文的撰写和处理有章可循。 A.真实性 B. 政策性 C. 权威性 D. 规范性 2.联合行文时，作者应是(A)。 A.同级机关 B.同一系统的机关 C.三个以上的机关 D.行政主管机关与业务指导机关 3.公文区别于其他信息记录的特点是(D)。 A.传播知识 B.具备查考价值 C. 书面文字材料 D.具备法定的权威性 4.公文要选择适宜的行文方式，一般不得(C)。 A.逐级行文 B.多级行文 C.越级行文 D.直接行文 5.以下适用于对重要事项作出决策和部署、奖惩有关单位和人员、变更或者撤销下级机关不适当的决定事项是（A） A.决定 B.公告 C.意见 D. 请示 6.公文一般是每面排（B）行，每行排（）个字，并撑满版心。特定情况可作适当调整。A20,26 B22,28 C24,28 D22,26 7.一般公文标题使用（A）号（）字体。
A.二，宋体 B. 二，黑体 C. 三，黑体 D.三，仿宋 8.公文如有抄送机关，在排列顺序上一般是按照（B）的顺序排列。 A.先下级，再平级 B. 先平级，再下级 C. 随便排列 D.以上都不是 9.公文具有法定的权威性，其制发必须是(D)。 A.法律部门 B.上级机关 C.部门领导 D.法定作者 10.用于答复下级机关请示事项的公文是(C)。 A.指示B请示 C.批复 D.命令 11.由于新的规范性公文发布，对同一事物约束、规范的旧文件应当 ( D )。 A.两法并存 B.新不废旧 C.相辅相成 D.废止旧法 12.商洽性文件的主要文种是(C)。 A.请示 B.通知 C. 函 D.通报 13.公文的主体部分称为（B）。 A.标题 B.正文 C. 作者 D. 印章或签署 14.公文应在（A）装订。 A.左侧 B.右侧 C.上面白边 区D下面白边 15.下列“请示”的结束语得体的是（ D ） A.以上事项，请尽快批准 B.以上所请，如有不同意见，请来函商量 C.所请重大事项，不可延误，务必于10月前答复 D.妥否，请批示
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
场效应管的基础知识 英文名称：MOSFET（简写：MOS） 中文名称：功率场效应晶体管（简称：场效应管） 场效应晶体管简称场效应管，它是由半导体材料构成的。 与普通双极型相比，场效应管具有很多特点。 场效应管是一种单极型半导体（内部只有一种载流子—多子） 分四类： N沟通增强型；P沟通增强型； N沟通耗尽型；P沟通耗尽型。 增强型MOS管的特性曲线 场效应管有四个电极，栅极G、漏极D、源极S和衬底B，通常字内部将衬底B与源极S相连。 这样，场效应管在外型上是一个三端电路元件场效管是一种 压控电流源器件，即流入的漏极电流ID栅源电压UGS控制。 1、转移特性曲线： 应注意： ①转移特性曲线反映控制电压VGS与电流ID之间的关系。 ②当VGS很小时，ID基本为零，管子截止；当VGS大于某一个电压VTN时ID随VGS的变化而变化，VTN称为开启电压，约为2V。 ③无论是在VGS 2、输出特性曲线：输出特性是在给顶VGS的条件下，ID与VDS之间的关系。可分三个区域。 ①夹断区：VGS ②可变电阻区：VGS>VTN且VDS值较小。VGS值越大，则曲线越陡，D、S极之间的等效电阻RDS值就越小。 ③恒流区：VGS>VTN且VDS值较大。这时ID只取于VGS，而与VDS无关。 3、MOS管开关条件和特点：管型状态，N-MOS，P-MOS特点 截止VTN，RDS非常大，相当与开关断开 导通VGS≥VTN，VGS≤VTN，RON很小，相当于开关闭合 4、MOS场效应管的主要参数 ①直流参数 a、开启电压VTN，当VGS>UTN时，增强型NMOS管通道。 b、输入电阻RGS，一般RGS值为109～1012Ω高值 ②极限参数 最大漏极电流IDSM击穿电压V(RB)GS，V(RB)DS 最大允许耗散功率PDSM 5、场效应的电极判别 用R×1K挡，将黑表笔接管子的一个电极，用红表笔分别接另外两个电极，如两次测得的结果阻值都很小，则黑表笔所接的电极就是栅极(G)，另外两极为源(S)、漏(D)极，而且是N型沟场效应管。 在测量过程中，如出现阻值相差太大，可改换电极再测量，直到出现两阻值都很大或都小为止。 如果是P沟道场效应管，则将表笔改为红表笔，重复上述方法测量。 6、结型场效应管的性能测量 将万用表拨在R×1K或R×10K挡上，测P型沟道时，将红表笔接源极或漏极，黑表笔接栅极，测出的电阻值应很大，交换表笔测时，阻值应该很小，表明管子是好的。
型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
行政公文基础 一、公文的定义： 1、定义：公文，是公务文书的简称，是国家机关及其它社会组织 在行使职权和实施管理的过程中形成的具有法定效用的与规范格 式的文件材料。 2、行政公文：最早，行政公文是国家行政机关在公务活动中形成 和使用的管理行政事务的工具，是具有法定或特定效力和规范体 式的公务文书。现在，由于市场经济的繁荣，很多企业和社会团 体也都普遍使用行政公文，这里的行政公文是指社会组织在行使 职权和实施管理的过程中形成的具有法定效用与规范格式的文件 材料。 3、公文属于应用文，具有极强的规范性，要求符合一定的体式和程 序。公文的体式是指：公文的文体、结构要素及在格式上的安排。 二、排版及装订的基本要求 1. 公文用纸的尺寸和规格：政府公文一般用 16 开型：长 260mm、宽 184mm；企业及社会团体一般与国际惯例相同用 A4：长 297mm、宽210mm。 2.公文的书写形式 公文中的文字符号一律采用从上至下、自左向右横写横排（少数民 族文字除外），正文文字的每行长度与图文区宽度相等。 3.字体字号的选用。一般按发文机关名称、大标题、小标题、标识字 符、正文作注释说明等顺序依次从大到小地选用。
文机关：推荐使用高 X 22mmX15mm黑体字或初号宋体字。合行文推荐使用小初号体字。公文大：推荐使用二号宋体字。 小：推荐使用三号宋体字。 秘密等、急限和各字符或其它重点句推荐使用三号黑体字；主：推荐使用三号宋体字。 公文的正文、主送机关、抄送机关、无正文明、附件明、文机关、文字号、成文日期、印明、注或特殊要求明等，采用三号或四号仿宋体字。 公文的点符号：符合 1990 年 3 月修布的《点符号用法》定。 4.多次构的方法：第一 用：一、二、三?? 第二用：（一）、（二）、（三）??第三用： 1 、 2 、3、?? 第四用：（1）、（2）、（3）?? 2）. 公文的装要求 公文一律左装。采用装、装或胶粘等的法。 三、我公司目前普遍用到的基本公文 1、通知： 通知，是向特定受文象告知或达有关事或文件，象知道或行的公文。主要目的是把需要达和告知的事有关位和