MOS管的基础知识
什么是场效应管呢？场效应管式是利用输入回路的电场效应来控制输出回路
电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它是靠半导体中的多数载流子导电，又称单极性晶体管。它区别晶体管，晶体管是利用基极的小电流可以控制大的集电极电流。又称双极性晶体管。
一, MOS管的种类，符号。
1JFET结型场效应管----利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而控制漏极电流的大小。结型场效应管一般是耗尽型的。
耗尽型的特点：
a,PN结反向电压，这个怎么理解，就是栅极G,到漏极D和源极s有个PN吉, b,未加栅压的时候，器件已经导通。要施加一定的负压才能使器件关闭。
C,从原理上讲，漏极D和源极S不区分，即漏极也可作源极，源极也可以做
漏极。漏源之间有导通电阻。
2IGFET绝缘栅极场效应管----利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷
的多少，从而控制漏极电流的大小。
增强型效应管特点： A, 栅极和源极电压为0时，漏极电流为0的管子是增强型的。
B, 栅源电压，这个之间是个绝缘层，绝缘栅型一般用的是 SIO 2绝缘层。 耗尽
型绝缘栅场效应晶体管 的性能特点是：当栅极电压U 0 =0时有一定的漏
极电流。对于N 沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管，漏极加正电压，栅极电压从 0 逐渐上升时漏极电流逐渐增大，栅极电压从 0逐渐下降时漏极电流逐渐减小直至 截
止。对于P 沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管，漏极加负电压，栅极电压从 0逐 渐下降时漏极电流逐渐增大，栅极电压从 0逐渐上升时漏极电流逐渐减小直至截
绝缘栅型场效应
管： N 沟道增强型，P 沟道增强型，N 沟道耗尽型，P 沟道耗 尽型
MOSFET
増强型
N 沟道 二，用数字万用表测量MO 管的方法 用数字万用表判断MOS 的管脚定义。
1， 判断结型场效应管的
栅极的判断，
我们以N 沟道为例，大家知道，结型场效应管在 VGS 之间不施加反向电压 的
话，DS 之间是导通的，（沟道是以N 型半导体为导电沟道），有一定的 阻值，所以止0
1, 2, 按功率分类：
A, 小信号管，一般指的是耗尽型场效应管。主要用于信号电路的控制。
B, 功率管，一般指的是增强型的场效应管，只要在电力开关电路，驱动
电路等。
按结构分类： 结型场效应管： 型）
增强型，
耗尽型 N 沟道结型场效应管 P 沟道结型场效应管（一般是耗尽
ZU
耗尽型
ZK7 工4
我们用万用表欧姆档任意测量结型场效应管的两个端子，其中有一组两者之间的阻值基本上是一定的。这样大概就能基本上判断出结型场效应管的DS端。则另外的一个端就是G栅极。
如果DS之间的阻值误差大，不是很肯定的话，另外的一种方法是确定结型场效应管的栅极G,我们利用结型场效应管PN结。大家知道，结型场效应管在PN结反向电压的条件下，控制沟道的电流大小。以N沟道为例，导电沟道是N型半导体，即导电沟道的两端是DS端，P型半导体是栅极G，故我们用数字万用表的二极管档，任意两个端子测量，就能发现其中有一个端子到另外两个端子之间有PN结效应，故这个端子就是G栅极。
2，判断增强型场效应管。
这个给大家说一个基础知识，就是大部分的分立结构的绝缘栅增强型管都有一个体二极管。集成电路内部的MOS管是没有体二极管，这个是由于生产工艺决定。这个体二极管可以当做快速恢复整流二极管，个别的增强型的管子这个体二极管是个稳压二极管，如IRF54Q起保护作用。我们利用这个体二极管，和栅极与导电沟道之间是相互绝缘的，用数字万用表的二极管档，任意两个端子测量，有PN结效应的就是DS端，另外一个端子就是栅极G..
三，一些常见封装的MOS管管脚定义。
Top Vrt# 2N6660MOTE' &Dnin are
部门: 姓名:
ISOTOP*口口LT
G D S
SOT-89
(A3-01B)
DiE
s
y、,写岀MOS管的类型
G G
GDS
TO-254AA
sar-e^
TO-JO5A D 电
TM町
9n
1
二，标出下列管子的管脚定义
J
■ up V- i?f Z-
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M OTE: &OLJ-3* A□r?in
in inUehnn 产》bla
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247AD
部门: 姓名: