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数电和模电知识点模电复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体--在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
复习指导/知识点总要求三种不同层次的学习要求：•掌握：能熟练运用知识、方法來解决较复朵问题。
•理解：能运用知识和方法來解决简单问题。
•了解：能准确记忆并复述知识。
第一章1、［掌握］公式法化简和表达式转换。
（牢记常用公式）2、［掌握］图形法化简。
（卡诺图，约束项的处理）3、［掌握］各种逻辑函数的表示方法及其转换。
（表达式、真值表、卡诺图、逻辑电路图、波形图）4、［掌握］各种逻辑门的符号。
5、［了解］正、负逻辑的概念；［掌握］最小项、基本和常用逻辑运算、五种最简表达式的概念。
6、［理解］逻辑等式屮的反演规则。
第二章1、［掌握JCMOS和TTL门电路输入端在悬空、接大电阻、小电阻的情况下，分别如何处理（输入负载特性）。
2、［理解］临界饱和电流的计算，［理解］TTL三极管在电路屮工作状态的判断方法（通过分析计算），［了解］其在数字电路中的一般工作状态。
3、［理解］OC门、OD门的特点及使用方法。
4、［了解］灌屯流、拉电流、输入端短路屯流、噪声容限、扇出系统等常见概念。
第三章1、［理解］ROM的容量与输入引脚个数（地址线、数据线）的关系。
2、［掌握］组合电路的分析方法。
（包括基木门电路构成、MSI构成的电路）3、［掌握］组合电路的设计方法。
（包括基本门电路构成、MSI构成的电路。
可以使用降维法）4、［理解］编码器、加法器（包括半加器和全加器）、比较器、分配器、选择器、抢答器、多联开关、多数表决器等常见器件的功能、分类及其逻辑表达式。
5、［掌握］数码管显示数码的原理（七段码），共阴共阳的概念。
6、［掌握］选择器和译码器的用法。
能熟练使用选择器和译码器等MSI进行组合电路设计。
（74LS153、74LS15K 74LS138、74LS139）7、［了解］竞争冒险的产生原因，［掌握］竞争冒险的判断方法，［掌握］通过增加兀余项消除竞争冒险的方法。
8、［掌握］译码器的级联扩展方法。
第四章1、［掌握］不同类型触发器的功能，特性方程，符号。
模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
数字电子技术典型题选 一、填空题 1．在数字电路中，逻辑变量的值只有 个值，即 和 。 2．在逻辑函数的化简中，合并最小项的个数必须是 2n 个。
3．组合逻辑电路的输出仅取决于该电路当前的输入信号,与电路原来的状态 。 4．TTL三态门的输出有三种状态：高电平、低电平和 高阻态 状态。 5．基本的逻辑关系有 ， ， 。 6．组成计数器的各个触发器的状态，能在时钟信号到达时同时翻转，它属于 同步 计数器。 7. A/D转换器的转换过程包括 ， ， ， 四个步骤。 8．施密特触发器有 2 个稳定状态.，单稳态触发器有 1 个稳定状态.，多谐振荡器有 0 个稳定状态。 9．随机存储器RAM的电路结构主要由 、 和 三部分组成。为构成4096×8的RAM，需要 片1024×4的RAM芯片，并需要用 位地址码以完成寻址操作。 10. 8位移位寄存器，串行输入时经 个CP脉冲后，将得到8位数据的并行输出；欲将其串行输出，需经 个CP脉冲后，数码才能全部输出。 11．(93)10= ( ) 16= ( ) 8= ( ) 2 。 12．寻址1M×16的内存单元需要用 根地址线， 根数据线。 13． RS触发器的特性方程为 ，其约束条件为 。 14. D触发器的特性方程 T触发器的特性方程 。 15．正逻辑中，高电平表示 ，低电平表示 。 16．时序逻辑电路通常由 和 两部分组成。 17．共阴极的LED数码管应与输出 电平有效的显示译码器匹配。 18.共阳极的LED数码管应与输出 电平有效的显示译码器匹配。 19．某逻辑函数F的卡诺图如图所示，则F= 。 20.单稳态触发器的特点是电路有一个 和一个 。 21.“逻辑相邻”是指两个最小项 因子不同，而其余因子 。 22..在数字系统中，所有的运算都可以分解成 和 两种操作。 23..TTL电路如图,则 F1= F2= F3=
24. CMOS电路的阈值电压为 。 25. 现场可编程门阵列FPGA 主要由IOB CLB 互连资源 和 SRAM组成。 25. A/D转换过程包括 ， ， ， 等步骤。 27. 电路如图,则 F1= F2= F3=
28．若YABCD，则它的对偶式为 。 29．单稳态触发器的特点是电路有一个 态和一个 态 。 30．时序逻辑电路通常由 和 两部分组成。 31．数字电路在稳态时，电子器件(如二极管，三极管)处于开关状态，即工作在 区和 区。 32．某逻辑函数F的卡诺图如图所示，则F= 。
33. 设计一个8分频电路，至少需要 个触发器。 34. 现场可编程门阵列FPGA芯片的主要供应厂商有 、 和 LATTICE等。 35对13个信号进行编码时，需要使用的二进制代码的位数为 位。 36，JK触发器实现D触发器的功能时，应该使J= ，K= 。 37下图所示波形是一个 进制计数器的波形图。
38如果TTL的输入端开路，相当于接入 (高电平，低电平)。 39描述时序逻辑电路的三个方程分别是 、 和 40欲对15个符号进行二进制编码，至少需要 位二进制数； 41分别写出图（a）、（b）、（c）所示电路中的输出函数表达式： Y1=__________________________、 Y2=______________________________、
Y3=_____________________ ______
JK触发器的特性方程为_____ _______，D触发器的特性方程为__________ 42. 74HC153为四选一数据选择器，Z=______ ;
43．化简逻辑函数的方法，常用的有 公式 和 卡诺图 。 44.已知函数CABAY，反函数Y= （A+/B）*/（/A+C），对偶式Y ’= （/A+B） */（A+/C） 。 45．四位双向移位寄存器74LS194A的功能表如下，要实现保持功能， 应使 RD= ；S1= , S0= ，当 RD=1；S1=1, S0=0时，电路实现 功能。 S1 S0 工作状态
0 1 1 1 1
× × 0 0 0 1 1 0 1 1 置 零 保 持 右 移 左 移 并行输入
46．若要构成七进制计数器，最少用 个触发器，它有 个无效状态。 47．在555定时器组成的施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器三种电路中， 电路能自动产生脉冲信号，其脉冲周期T≈ 。 48. 用555定时器组成的三种应用电路如图所示，其中图（a）、（b）、（c）分别对应的电路名称是（a） ，（b） ，（c）
49．欲对160个符号进行二进制编码，至少需要 位二进制数；16路数据分配器，其地址输入端有 个；2n选1的MUX，其地址端有______个，其数据输入端有_________个． 50．欲构成可将1kHZ的脉冲转化为50HZ的脉冲的分频器，该电路至少需要用 5 个触发器；该电路共有 20 个有效状态。某计数器的状态转换图如下图所示，该计数器为 进制 法计数，它有 个有效状态，该电路（有或无） 自启动能力？
51．Ttl电路如图，分别写出下图（a）、（b）、（c）、（d）所示电路中的输出函数表达 式：Y1=nQT Y2= /(AB) ；Y3= /(AB) ； Y4= /(AB)*/(BC) ； 52．如图所示电路的逻辑表达式DCBAF， F=1时的全部输入变量取值组合有 12 个． A B
C
D
=1 =1 ≥1 1
F
53．如下图所示的组合逻辑电路中的74138为3线-8线译码器，写出如图所示电路中各输出函数的最简与或表达式：F1= F2=
54.下图是某ROM存储阵列的点阵图，A3、A2、A1、A0为地址线，D3、D2、D1、D0为数据线。试分别写出D3、D2、D1关于A3、A2、A1、A0的逻辑表达式。图中的点‘·’表示在行线和列线交叉处连接了存储元件。 55写出下图Y0~Y4的表达式 Y4ABCDY3ABCDABCDY2ACBDY1ABY0CD
e
56. 由四位并行进位加法器74LS283如图所示，当A=0时，X3X2X1X0=0111，Y3Y2Y1Y0=0100，Z3Z2Z1Z0=_____________，W=_____________ 。 电路功能为有符号数求和运算（加减运算）：ACoW； AAYXZ
A＝0时： Z＝X＋Y＝1011； W＝Co＝0； 二、逻辑函数化简与变换： 1. 试求逻辑函数F的反函数的最简与或式， 并用与或非门实现电路
解：
2．证明下列各逻辑函数式：ACBACABA))(( 左式=BCABACAA =BCAABAAC)( =)1()1(BACCBA =ACBA=右式 原式成立 3. 将下列逻辑函数化简成最简与或及与非-与非表达式（答案略）
0)8,6,4,2(DCABCBAmF
×ABCD00011110×1010×00100010000011110(a)D≥1&(b)
BCAF
ACABDF
三、 组合逻辑电路的分析与设计 1、4选1数据选择器74LS153的功能表达式为 ：
试写出下图电路输出z的逻辑函数式。/A/B+/AC+A/C
四、已知函数CBACABADBBCDABY 1. 用卡诺图法化简为最简与-或式； 2. 画出最简与-或式逻辑图； 3. 写出用与非门实现的逻辑表达式；
五、设计一位8421BCD码的判奇电路，当输入码中，1的个数为奇数时，输出为1，否则为0。 （1）画出卡诺图，并写出最简“与－或表达式”； （2）用一片8选1数据选择器74LS151加若干门电路实现，画出电路图。 解：（1）卡诺图：
最简“与－或式”：BCDDCBDCBDCBADCBAY； （2）电路图：
六、某组合逻辑电路的芯片引脚图如题图所示。
1．分析题图所示电路，写出输出函数F1、F2的逻辑表达式，并说明该电路功能。 2．假定用四路数据选择器实现题图所示电路的逻辑功能，请确定下图所示 逻辑电路中各数据输入端的值，画出完善的逻辑电路图。 解：1．写出电路输出函数F1、F2的逻辑表达式，并说明该电路功能。 BCBACABCBACAFABCCBACBACBACBAF21
该电路实现全减器的功能功能。 2．假定用四路数据选择器实现该电路的逻辑功能，请确定给定逻辑电路中各数据 输入端的值，完善逻辑电路。
1D,AD,AD,0DFCD,CD,CD,CDF3210232101：：
七、 3线-8线译码器74LS138逻辑功能表达式为 ， ，„„， ， ，正常工作时，S1 =1, S2=S3=0 。1、试写出Z1和Z2 的逻辑函数式。
