声明：由不动脑筋而直接抄取答案的行为引发的后果自负，与本人无任何关联，愿好自为之。解释权归本人所有。
1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？
解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。
1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W，当集电极效率ηC由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少？
解：
当ηC1 = 40%时，P D1 = P o/ηC = 2500 W，P C1 = P D1P o=1500 W
当ηC2 = 70%时，P D2 = P o/ηC =1428.57 W，P C2 = P D2P o = 428.57 W
可见，随着效率升高，P D下降，(P D1 P D2) = 1071.43 W
P
C
下降，(P C1 P C2) = 1071.43 W
1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a）所示，已知V CC = 5 V，试求下列条件下的P L、P D、ηC（运用图解法）：（1）R L= 10Ω，Q点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ同（1）值，I cm = I CQ；（3）R L = 5Ω，Q点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q点在负载线中点，充分激励。
解：(1) R L = 10 Ω时，作负载线(由V CE = V CC I C R L)，取Q在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V，
I
CQ1
= 220mA，I BQ1 = I bm = 2.4mA
因为V cm = V CEQ1V CE(sat) = (2.6 0.2)
V = 2.4 V，I cm = I CQ1 = 220 mA
所以mW
264
2
1
cm
cm
L
=
=I
V
P，P D= V CC I CQ1 =
1.1 W，ηC = P L/ P D = 24%
(2) 当R L = 5 Ω时，由V CE = V CC
I
C
R
L
作负载线，I BQ同(1)值，即I BQ2 =
2.4mA，得Q2点，V CEQ2 =
3.8V，I CQ2 = 260mA
这时，V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V，I cm = I CQ2 = 260 mA
所以mW
156
2
1
cm
cm
L
=
=I
V
P，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W，ηC = P L/ P D = 12%
(3)当R L = 5 Ω，Q在放大区的中点，激励同(1)，
由图Q3点，V CEQ3 = 2.75V，I CQ3= 460mA，I BQ3 = 4.6mA， I bm = 2.4mA
相应的v CEmin= 1.55V，i Cmax= 700mA。
因为V cm = V CEQ3 v CEmin = 1.2 V，I cm = i Cmax I CQ3 = 240 mA
所以mW
144
2
1
cm
cm
L
=
=I
V
P，P D = V CC I CQ3 = 2.3 W，ηC = P L/ P D = 6.26%
(4) 当R L = 5 Ω，充分激励时，I cm =I CQ3 = 460 mA，V cm = V CC V CEQ3 = 2.25 V
所以mW
5.
517
2
1
cm
cm
L
=
=I
V
P，P D = V CC I CQ3 = 2.3 W，ηC = P L/ P D = 22.5%
1-7 如图所示为三种甲类功率放大器的输出电路，采用相同的功率管及V CC 值。设V CE(sat) = 0，I CEO = 0，变压器是理想无耗的，试在同一输出特性曲线上作出各电路的交、直流负载线，并求这三种放大器的最大输出功率之比
)c
max(
L
)b
max(
L
)a
max(
L
:
:P
P
P。
解：(1) ○1直流负载线方程v CE = V CC i C R C，负载线CD，当i C = I CQ 时，V CEQ = V CC I CQ R C。
○2交流负载线中点过Q，斜率为(1/
L
R')，C
C
L
L2
1
//R
R
R
R=
=
'，根据交流负载线AB得
I
cm
= I CQ，V cm = V CEQ = I cm
L
R'
代入V CEQ方程中V cm = V CC I cm R C = V CC I CQ R C
=V CC2I cm
L
R'= V CC2V cm
解得
L
CC
cm
CC
cm
3
1
3
1
R
V
I
V
V
'
=
=，
即
L
2
CC
L
CC
CC
)a
m ax(
L18
1
3
1
3
1
2
1
R
V
R
V
V
P
'
=
'
?
?
=
L
2
CC
cm
CC
CQ
CC
D3
1
R
V
I
V
I
V
P
'
=
=
=
所以 6
1D
)
a max(L C =
=
P P η (2)交流负载相同，均为CF ，为获最大输出功率，Q 处于交流负载线的中点，故
V cm = V CEQ = V CC /2，L
CC
CQ cm 2R V I I == 所以 ；L 2CC
cm cm )
b max(L 8121R V I V P ==L
2
CC CQ CC D 2R V I V P == 4
1
D
)
b max(L C(b)=
=
P P η (3)因为直流负载电阻为零，故直流负载线为CG ，交流负载线斜率为(1/L
R ')的直线MN ，当Q C 处于中点时，得 V cm = V CEQ = V CC ，L
CC
CQ cm R V I I '=
= ，L 2CC cm cm )
c max(L 2121R V I V P '==，L 2
CC CQ CC D R V I V P '== 所以2
1
D )c max(L C(c)==P P η
所以36:9:421
:81:181::)c m ax(L )b m ax(L )a m ax(L ==
P P P 6:3:22
1:41:61::C(c)C(b)C(a)==ηηη
1-8 如图（a ）所示为变压器耦合甲类功率放大电路，图（b ）所示为功率管的理想化输出特性曲线。已知R L = 8 Ω，设变压器是理想的，R E 上的直流压降
可忽略，试运用图解法：（1）V CC = 15 V ，L
R ' = 50 Ω，在负载匹配时，求相应的n 、P Lmax 、ηC ；（2）保持（1）中V CC ．I bm 不变，将I CQ 增加一倍，求P L 值；（3）
保持（1）中I CQ 、L R '、I bm 不变，将V CC 增加一倍，求P L 值；（4）在（3）条件中，
将I bm 增加一倍，试分析工作状态。
解：(1)
因为V CC = 15 V ，L R '= 50 Ω，
负载匹配时，A 3.0L
CC
cm CQ1='=
=R V I I 由此得知Q 1的坐标为Q 1(15V ，0.3A)，
Q 1点处于交流负载线AB 的中点，其在坐标轴上的截距为A (32 V ，0)，B (0，0.6A)。由图可见
I cm = I CQ1=0.3A ，V cm = V CC =15 V 此时，W 25.22
1cm cm Lm ax ==I V P ，
W 5.4CQ CC D ==I V P
%505.425
.2D max L C ===
P P η，5.28
50
L L =='=R R n (2)
L
R '是否变化没说明，故分两种情况讨论 ○
1当L R '不变时，因为I CQ 增加一倍，因此，L R '已不是匹配值，其交流负载线平行移动，为一条过Q 2点的直线EF
(L
R '不变，斜率不变，I CQ 增加，Q 点升高) 此时，由于V CC 、I bm 、L
R '都不变，其P Lmax 亦不变，为2.25 W (I bm 不变，I cm 不变，V cm 不变) 但 P D = V CC ? I CQ = 9 W ηC P Lmax / P D = 25%
○
2当L R '改变时，且L R '< 50 Ω，交流负载线以Q 2为中心顺时针转动，但由于V CC 、I bm 、I cm 不变，因而L
R '↓ → P L ↓ ηC ↓ 当L
R '> 50 Ω，交流负载线以Q 2为中心逆时针转动，但由于激励不变，输出将出现饱和失真。
(3)V CC =30 V ，交流负载线平移到EF ，静态工作点为Q 3，因为I bm 不变，
1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W，当集电极效率ηC 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少？ 解： 当ηC1 = 40%时，P D1 = P o/ηC = 2500 W，P C1 = P D1P o=1500 W 当ηC2 = 70%时，P D2= P o/ηC =1428.57 W，P C2= P D2P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D下降，(P D1 P D2) = 1071.43 W P C下降，(P C1 P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a）所示，已知V CC = 5 V，试求下列条件下的P L、P D、ηC（运用图解法）：（1）R L = 10Ω，Q点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ同（1）值，I cm = I CQ；（3）R L = 5Ω，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q点在负载线中点，充分激励。
解：(1) R L = 10 Ω 时，作负载线(由V CE = V CC I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ， I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1 V CE(sat) = (2.6 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 2642 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ，η C = P L / P D = 24% (2) 当R L = 5 Ω 时，由V CE = V CC I C R L 作负载线，I BQ 同(1) 值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW 1562 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ，η C = P L / P D = 12% (3) R L = 5 Ω，Q 在放大区内的中点，激励同(1)， 由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。 因为V cm = V CEQ3 v CEmin = 1.2 V ，I cm = i Cmax I CQ3 = 240 mA 所以mW 1442 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ3 = 2.3 W ，η C = P L / P D = 6.26% (4) R L = 5 Ω，充分激励时，I cm = I CQ3 = 460 mA ，V cm = V CC
声明：由不动脑筋而直接抄取答案的行为引发的后果自负，与本人无任何关联，愿好自为之。解释权归本人所有。 1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W，当集电极效率ηC由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少？ 解： 当ηC1 = 40%时，P D1 = P o/ηC = 2500 W，P C1 = P D1P o=1500 W 当ηC2 = 70%时，P D2 = P o/ηC =1428.57 W，P C2 = P D2P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D下降，(P D1 P D2) = 1071.43 W P C 下降，(P C1 P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a）所示，已知V CC = 5 V，试求下列条件下的P L、P D、ηC（运用图解法）：（1）R L= 10Ω，Q点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ同（1）值，I cm = I CQ；（3）R L = 5Ω，Q点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q点在负载线中点，充分激励。 解：(1) R L = 10 Ω时，作负载线(由V CE = V CC I C R L)，取Q在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V， I CQ1 = 220mA，I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1V CE(sat) = (2.6 0.2) V = 2.4 V，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 264 2 1 cm cm L = =I V P，P D= V CC I CQ1 = 1.1 W，ηC = P L/ P D = 24% (2) 当R L = 5 Ω时，由V CE = V CC I C R L 作负载线，I BQ同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA，得Q2点，V CEQ2 = 3.8V，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以mW 156 2 1 cm cm L = =I V P，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W，ηC = P L/ P D = 12%
装 订 线 内 不 要 答 题 自 觉 遵 守 考 试 规 则，诚 信 考 试，绝 不 作 弊
三．如图所示为一振荡器的交流等效电路图，试判断其类型（电容三点式还是电感三点式），若H L pF C pF C μ100,320,8012===，求该电路的振荡频率和维持振荡所必须的最小放大倍数min K 。(10分) 四．在振幅条件已满足的条件下，用相位条件判断如图所示振荡器能否振荡；若能振荡，说明其振荡频率范围。(8分) 五．如图所示， f(t)为调制信号，当用其对一个高频载波进行调幅时，请画出m=0.5和m=1时的AM 信号U AM (t)和DSB 信号U DSB (t) (12分)
六．某发射机的输出级在R L =100Ω的负载上的输出电压信号为Vs(t)=4(1+0.5cos Ωt)cos ωC t (V),求发射机总的输出功率Pav ， 载波功率P o 和边频功率P SB 各为多少？(9分) 七．已知调角波表示式63()10cos(21010cos 210)()t t t v υππ=?+?,调制信号为 3()3cos 210t t υπΩ=?，试问： 1、该调角波是 波；（调频、调相）； 2、调角波的最大频偏为 ； 3、其有效频谱宽度为 Z K H . (8分)
八．设用调相法获得调频，调制频率F=300～3000Z H 。在失真不超过允许值的情况下，最大允许相位偏移0.5rad θ?=。如要求在任一调制频率得到最大的频偏f ?不低于75Z K H 的调频波，需要倍 频的次数为多少？(12分) 九．设非线性元件的伏安特性为2210u a u a a i ++=， 用此非线性元件作变频器件，若外加电压为t U t t m U U u L Lm s Sm ωωcos cos )cos 1(0+Ω++=，求变频后中频（s L I ωωω-=）电流分量的振幅。（8分） 十．若两个电台频率分别为KHz 5741=f ，KHz 11352=f ，则它们对短波（MHz 12~MHz 2= S f ）收音机的哪些接收频率将产生三阶互调干扰？（9分） 十一.基本 PLL 处于锁定时,VCO 频率_______输入信号频率,鉴相器两个输入信号的相位差为_______数,输出______电压。(6分)
课程编号：05024239 《电子线路》课程教学大纲 （Electronic Circuit） 适用于本科物理学（师范类）专业 总学时：64学时总学分：4学分 开课单位：物理系课程负责人：郑洁 执笔人：郑洁审核人：王燕锋 一、课程的性质、目的、任务 电子线路是电子类专业的一门技术基础课，同时也是一门工程性和实践性都很强的课程。本课程主要内容包括模拟电子线路基础和数字电子线路基础两部分,前者主要研究基本放大电路、功率放大电路及集成运算放大器等,后者则研究了组合逻辑电路及时序逻辑电路. 本课程的任务：通过该课程的学习，使学生掌握常用放大电路、组合逻辑电路及时序逻辑电路的组成、工作原理、性能特点及分析方法，；了解典型集成电路的特征与参数；初步具有模拟电子线路的设计、装配、调整和测试能力，并能正确使用常用电子仪器进行测试。 本课程的目的：培养学生具有分析和设计基本电子线路的基本能力，为学习后续课程和毕业后从事电子、自动化以及计算机应用技术等方面的工作打下基础。 二、教学基本要求 本课程主要采用课堂教学、多媒体教学、实验与实习相结合的教学方法。重点要加强实践环节的教学，以提高学生的动手操作能力。专业先修课程为高等数学、大学物理、电路分析等课程，后续可为高频电子线路等。通过本课程的学习，初步掌握一般模拟电路和数字电路的分析方法，初步掌握一般模拟电路的测量方法,能应用数字集成电路器件组成具有一定功能的数字电路。 三、教学内容、目标要求与学时分配 第1章基本半导体器件 教学内容： 1.1 PN结 1.2 二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 教学目标要求：理解P型、N型半导体结构，掌握PN结的工作原理，理解晶体二极
四川信息职业技术学院 《高频电子线路》模拟考试试卷一 班级姓名学号 一、填空题（每空1分，共30分） 1、无线电通信中，信号是以形式发射出去的。它的调制方式有、、。 2、针对不同的调制方式有三种解调方式，分别是、、和。 3、在单调谐放大器中，矩形系数越其选择性越好；在单调谐的多级放大器中，级数越多，通频带越（宽或窄），其矩形系数越（大或小）。 4、调幅波的表达式为：u AM（t）= 20（1 +0.2COS100πt）COS107πt（V）；调幅波的振幅最大值为 V，调幅度Ma为，带宽f BW为 Hz，载波f c为 Hz。 5、在无线电技术中，一个信号的表示方法有三种，分别是、 、。 6、调频电路有、两种方式。 7、检波有和两种形式。 8、反馈式正弦波振荡器按照选频网络的不同，可分为、、等三种。 9、变频器可由和两部分组成。 10、列出三个常见的频谱搬移电路__________、_________、_________。 11、用非线性器件实现调幅最为理想。 二、选择题（每小题2分、共20分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1、下列哪种信号携带有调制信号的信息（） A、载波信号 B、本振信号 C、已调波信号
2、小信号谐振放大器的主要技术指标不包含（） A、谐振电压增益 B、失真系数 C、通频带 D、选择性 3、丙类谐振功放其谐振回路调谐于（）分量 A、基波 B、二次谐波 C、其它高次谐波 D、直流分量 4、并联型石英晶振中，石英谐振器相当于（）元件 A、电容 B、电阻 C、电感 D、短路线 5、反馈式正弦波振荡器的起振条件为（） A、|AF|=1，φA+φF= 2nπ B、|AF| >1，φA+φF = 2nπ C、|AF|>1，φA+φF≠2nπ D、|AF| =1，φA+φF≠2nπ 6、要实现集电极调制特性应使功放工作在（）状态 A、欠压状态 B、过压状态 C、临界状态 D、任意状态 7、自动增益控制可简称为（） A、MGC B、AGC C、AFC D、PLL 8、利用非线性器件相乘作用来实现频率变换其有用项为（） A、一次方项 B、二次方项 C、高次方项 D、全部项 9、如右图所示的电路是（） A、普通调幅电路 B、双边带调幅电路 C、混频器 D、同步检波器 10、在大信号包络检波器中，由于检波电容放电时间过长而引起的失真是（） A、频率失真 B、惰性失真 C、负峰切割失真 D、截止失真 三、判断题，对的打“√”,错的打“×”（每空1分，共10分） 1、谐振放大器是采用谐振回路作负载的放大器。（） 2、基极调幅实现的是普通调幅，也是高电平调幅。（） 3、已知某调幅波的最大振幅10V，最小振幅为6V，则调幅度Ma为40%。（）
中国科学院大学硕士研究生入学考试 《电子线路》考试大纲 一、基本要求及适用范围： 《电子线路》考试大纲适用于中国科学院大学信息与通信工程和电子科学与技术等专业的硕士研究生入学考试。电子线路是信息与通信工程和电子科学与技术学科基础理论课程。它的主要内容包括模拟电子线路、数字逻辑两部分。要求考生对模拟数字电路的基本概念、原理、知识有全面掌握，熟练掌握各种基本元器件、基本电路、分析方法、性能指标、设计思路，并具有综合运用所学知识分析问题、完成设计的能力。 二、考试形式： 闭卷，笔试，考试时间180分钟，总分150分，模拟和数字电路各75分。 试卷结构： 选择题：约20%。 填空题：约20%。 简答、计算及证明：约35%。 综合题：约25%。 三、考试内容： （一）模拟电子线路 1、常用半导体器件 2、基本放大电路 3、多级放大电路 4、集成运算放大电路 5、放大电路的频率响应 6、放大电路中的反馈 7、信号的运算和处理 8、波形的发生和信号的处理 9、功率放大电路 10、直流电源 （二）数字逻辑 1、逻辑代数基础 2、集成门电路基础 3、组合逻辑电路 4、集成触发器 5、时序逻辑电路 6、脉冲波形的产生与整形 7、大规模集成电路、半导体存储器及可编程逻辑
8、A/D与D/A转换 四、考试要求 （一）模拟电路 1、常用半导体器件 (1)了解PN结的基本特性。了解晶体管，场效应管的基本特性。熟悉扩散，飘 移，耗尽层，导电沟道等基本概念。熟悉晶体管，场效应管三个工作区域的条件。 (2)熟练掌握二极管的微变等效电路，理想二极管等效模型。并能进行计算。 (3)掌握稳压管的伏安特性和等效电路。掌握晶体管，场效应管的结构和符号表 示。 2、基本放大电路 (1)掌握晶体管，场效应管各种组态的放大电路。 (2)熟练掌握其静态工作点，动态参数的计算方法并准确画出其交直流等效电 路。 (3)掌握晶体管，场效应管放大电路的区别。 (4)掌握放大电路主要性能指标：放大倍数，输入电阻，输出电阻，最大不失真 输出电压，上下限截止频率的概念 (5)掌握图解法分析失真情况，和h参数等效电路计算放大倍数，输入输出阻抗。 (6)了解各种接法的放大电路在放大倍数，输入输出阻抗，带宽等性能上的特性。 3、多级放大电路 (1)掌握多级放大电路的计算。尤其熟练掌握两级放大电路的交直流等效电路， 两级放大电路的各种计算。 (2)掌握直接耦合差分放大电路各项性能指标的计算。 (3)理解互补输出电路的特点。 (4)熟握共模抑制比，差模抑制比的概念及定义，及其在具体电路中的计算。4、集成运算放大电路 (1)了解集成运放的基本概念，符号。 (2)掌握镜像电流源，比例电流源，微电流源的工作原理。 5、放大电路的频率响应 (1)掌握晶体管，场效应管的高频等效模型。 (2)掌握上限频率，下限频率，通频带，相位补偿等基本概念。 (3)掌握波特图的绘制方法 (4)掌握放大电路频响的计算分析方法。 6、放大电路中的反馈
第1章 半导体器件的特性 1.1知识点归纳 1.杂质半导体与PN 结 在本征半导体中掺入不同杂质就形成N 型和P 型半导体。半导体中有两种载流子，自由电子和空穴，载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动，因电位差而产生的运动成为漂移运动。在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体，在它们的交界面上，上述两种运动达到动态平衡，就形成了PN 结。其基本特性是单向导电性。 2.半导体二极管 一个PN 结引出电极后就构成了二极管，加上正向偏压时形成扩散电流，电流与电压呈指数关系，加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小。体现出单向导电性。 3晶体管 晶体管具有电流放大作用，对发射极正向偏置集电极反向偏置时，从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流B I ，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流C I ，体现出B I 对C I 的控制，可将C I 视为B I 控制的电流源。晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。 4.场效应管 场效应管是电压控制器件，它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流，因输入回路的PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。场效应管局又夹断区（即截止区）、横流区（即线性区）和可比阿安电阻区三个工作区域。 学完本章后应掌握： 1.熟悉下列定义、概念和原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区，PN 结，耗尽层，导电沟道，二极管单向导电性，晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。 2.掌握二极管、稳压管、晶体管，场效应管的外特性，主要参数的物理意义。 1.2习题与思考题详解
1-1试简述PN 结的形成过程。空间电荷压，阻挡层，耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。 答：PN 结的形成过程： 当两块半导体结合在一起时，P 区的空穴浓度高于N 区，于是空穴将越过交界面由P 区向N 区扩散；同理，N 区的电子浓度高于P 区，电子越过交界面由N 区向P 区扩散。多子由一区扩散到另一区时，形成另一区的少子并与该区的多子复合，因此，在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子，另一侧留下带正电荷的施主离子。于是在交界面附近形成一个空间电压区，即PN 结。 空间电荷压：在PN 结内无可移动的带电荷之缘故。 势垒层：在PN 结中，N 区电位高于P 区电位，两区存在接触电位差之缘故。 耗尽层：在PN 结中，只有不能移动的数量相等的正负离子，而载流子因扩散和复合而消耗掉了之故。 阻挡层：由于PN 结中存在接触电势压，阻挡了电子扩散之故。 1-2（1）在室温下，当硅二极管的反向电流达到其反向饱和电流I R(sat)的95%时，反向电压是多少? (2) 计算偏压为 ±0.1V 时，相应的正向电流和反向电流的比值。 （3）如果反向饱和电流为10nA ，计算相应于电压为0.6时的正向电流，并说明这一结果与实际不符的原因。 解：(1) 因为I D = I R(sat)( D T V V e －1) 所以V D = V T ln () D R SAT I I = 26mv ×ln0.95 = -1.33 mv (2)()()(1)1(1)VD VT R sat D D VR VT R R R sat I e I V I V I e -===-- (3) 1-3在测量二极管的正向电阻时，用表的“R ×10”档测出的阻值小而用“R ×100”档测出大，原因何在？ 答：因为万用表“R ×10”档的内阻小，测量二极管的正向阻值小,而“R ×100”档的内阻大，测量的二极管的正向阻值大。
课号: 课程名称：非线性电子线路Non-Linear Electronics Circuit 学时：72 学分：4 预修课程：电路理论，线性电子线路 适用学科方向：电子工程、电子科学与技术 本课程是高等院校电子类系必修之专业基础课，旨在让学生掌握电子器件在大信号作用下所表现出的特有的物理效应及其应用电路分析、设计的基本方法和技巧，为今后工作和深造打下基础。 本课程系统介绍了非线性电子线路的一些基本概念，着重介绍非线性器件在不同应用条件下的数学模型、分析方法以及各种由非线性器件构成的功能电路如振荡电路、幅度调制器、调频电路、混频器和检波器、鉴频器等。 教学重点：正弦振荡器；幅度检波；直接调频和鉴频电路。 教学难点：工程近似分析法。 第一章概述（4学时） 第一节非线性器件定义（1学时） 第二节非线性器件的频率变换作用（1学时） 第三节非线性器件应用简介（2学时） 第二章非线性器件分析方法（10学时） 第一节非线性电阻分析方法（6学时） 第二节线性电抗与非线性电阻组合电路分析方法（4学时） 第三章谐振功率放大器（8学时） 第一节概述（1学时） 第二节谐振功率放大器折线化分析及结论（3学时） 第三节谐振功率放大器的负载特性、调制特性和放大特性（4学时） 第四章正弦振荡器（14学时） 第一节基本原理（6学时） 第二节LC正弦振荡器电路分析及性能比较（2学时） 第三节负阻振荡器（2学时） 第四节石英晶体振荡器（4学时）
第五章模拟乘法器（4学时） 第一节宽带模拟乘法器（2学时） 第二节窄带模拟乘法器（2学时） 第六章幅度调制和解调（10学时） 第一节幅度调制原理（2学时） 第二节调幅电路（4学时） 第三节调幅波的解调-检波（4学时） 第七章混频（8学时） 第一节混频原理（2学时） 第二节混频电路与分析（2学时） 第三节混频干扰（2学时） 第四节参量电路与参量混频简介（2学时）第八章调频与鉴频（14学时） 第一节基本概念（2学时） 第二节调频信号的传输（2学时） 第三节调频信号的产生（4学时） 第四节调频信号的解调（6学时）
一、电子电气与通信工程学院简介 中国科学院大学电子电气与通信工程学院（以下简称“电子学院”）由中科院电子所承办，承担包括电子所、声学所、微电子所、电工所、半导体所、上海微系统所、上海技术物理所、西安光机所、校本部等在内的研究生培养教育工作。电子学院承担中国科学院10余个对口研究所和电子学院（校部）的研究生集中教学任务，开设了80余门专业核心课、专业普及课、专业研讨课和信息学科前沿讲座等课程。电子学院是集基础研究和高技术创新研究为一体的信息科学科技人才培养基地。电子学院拥有“信息与通信工程”、“电子科学与技术”学科的学术型硕士招生权，以及“电子与通信工程”等工程硕士招生权。学院注重研究生创新能力的培养，全面实行“研究助理”、“教学助理”、“管理助理”及奖学金制度，津贴待遇一般不低于本地区相同学科的高校。 二、中国科学院大学信号与信息处理专业招生情况、考试科目
三、中国科学院大学信号与信息处理专业分数线 2018年硕士研究生招生复试分数线 2017年硕士研究生招生复试分数线 四、中国科学院大学信号与信息处理专业考研参考书目 860通信原理 1、曹志刚，钱亚生，现代通信原理，清华大学出版社，2008年3月。 2、J. Proakis, M. Salehi著，张力军等译，数字通信，电子工业出版社，2011年6月。859信号与系统 郑君里等，《信号与系统》，上下册，高等教育出版社，2011年3月，第三版。 奥本海姆等，《信号与系统》，电子工业出版社，2013，第二版。 862计算机学科综合（非专业） 1、《数据结构（C语言版）》；严蔚敏，吴伟民编著；北京：清华大学出版社，2011年 2、《计算机操作系统（第三版）》；汤小丹，梁红兵，哲凤屏，汤子瀛；西安电子科技大学出版社，2011年 3、计算机网络（第五版）. [美] 特南鲍姆，[美] 韦瑟罗尔著严伟，潘爱民译，北京：清华大学出版社，2012年。 4、计算机网络（第六版）. 谢希仁编著，电子工业出版社，2013年。
莆田学院期末考试试卷 （A ）卷 2010 — 2011 学年第 一 学期 课程名称： 非线性电子线路 适用年级/专业： 08/通信 试卷类别 开卷（ ） 闭卷（√） 学历层次 本科 考试用时 120分钟 《．考生．．注意：答案要全部抄到答题纸上，做在试卷上不给分．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．》． 一、填空题（每空2分，共26分） 1.混频电路中存在着多种失真，如： ① 、寄生通道干扰、交调失真、互调失真；寄生通道干扰中有两个最强的干扰，它们是： ② 和中频干扰。 2.下图为某二极管电路，已知已调信号为V SS ，本振信号为V LS ,I 端为信号的输出端，则可判断得该电路实现的功能为 ① ，若输出电流表达式为 ....]3cos 34 cos 4[2cos 2+-+- =t t R R t V i L L D L c sm O ωπ ωπω,且令C L I ωωω-=,可推算得中 频电流的幅值= ② 。 3.下图(a)为调制信号的频谱图，采用两种不同的调制方式后获得的已调信号的频谱图如图（b ）、（c ）所示，根据频谱结构可判断得（b ）图采用的调制方式是： ① ，（c ）图采用的调制方式是： ② 。 (a) (b) (c)
4.右图为某三点式振荡电路，其中C C 、 C B 、C E 的容量较大，那么根据三点 式振荡电路的组成原则可判定该电路 为①三点式振荡电路，其产 生的正弦波的频率计算式为②。 5.右图为二极管包络检波电路的示意图， 若要实现正常的检波，除了对电路中 的元件参数有要求外，V S (t)只能是 ①波，若V S (t)为平衡调幅波， 为了能够实现检波，必须加入一个与 已调信号载频②的参考信号。 6.下图为某已调波的波形图以及解调情况示意图，根据波形可判断该已调信号为 ①；若解调后的包络如图中的锯齿 状波形所示，说明出现了②失真， 为避免该失真的出现对检波电容C和负载电 阻R L 的取值要求是：R L C ③。 二、单项选择题（每小题3分，共24分）。 1.图示为谐振功放功率管集电极的电流波形，已知电流脉冲中的I C0 =32mA I C1m =54mA，且负载上的基波电压幅值Vc 1m =11V, 电源电压V CC =12V,那么可推算得 该功率放大器的效率约为______ 。 A. % B. % C. % D. % 2.在功率合成电路中，对隔离条件含义描述错误的是______ 。 A. 必须采用类似屏蔽等措施把两个功率源隔开 B. 当其中一个功率源发生故障时不会影响到另外一个功率源 C. 功率合成电路不同，隔离条件也可能随之发生变化 D. 同相功率合成端和反向功率合成端的负载电阻取值要满足特定关系 3.混频电路是超外差式接收机不可缺少的组成部分，其功能是______ 。
一、填空题：（20分）（每空1分） 1、某小信号放大器共有三级，每一级的电压增益为15dB, 则三级放大器的总电压增益为 。 2、实现调频的方法可分为 和 两大类。 3、集电极调幅电路应工作于 状态。某一集电极调幅电路，它的载波输出功率为50W ，调幅指数为0.5,则它的集电极平均输出功率为 。 4、单向化是提高谐振放大器稳定性的措施之一，单向化的方法有 和 。 5、谐振动率放大器的动态特性不是一条直线，而是折线，求动态特性通常可 以 采用 法和 法。 6、在串联型晶体振荡器中，晶体等效为 ，在并联型晶体振荡器中，晶体等效为 。 7、高频振荡的振幅不变，其瞬时频率随调制信号线性关系变化，这样的已调波称为 波，其逆过程为 。 8、反馈型LC 振荡器的起振条件是 ；平衡条件是 ；振荡器起振后由甲类工作状态逐渐向甲乙类、乙类或丙类过渡，最后工作于什么状态完全由 值来决定。 9、变频器的中频为S L I ωωω-=，若变频器的输入信号分别为 ()t m t U u f s sm s Ω+=sin cos ω和t U u s sm s )cos(Ω-=ω，则变频器的输出信号分别为 和 。 10、变容二极管的结电容γ)1(0 D r j j U u C C += 其中γ为变容二极管的 ； 变容二极管作为振荡回路总电容时，要实现线性调频，变容二极管的γ值应 本科生考试试卷(A) （ 2007-2008 年 第一 学期）
等于 。 二、单项选择题（10分）（每空1分） 1、具有抑制寄生调幅能力的鉴频器是 。 A. 比例鉴频器 B.相位鉴频器 C. 双失谐鉴频器 D.相移乘法鉴频器 2、图1是 电路的原理方框图。图中t t U u c m i Ω=cos cos ω；t u c ωcos 0= 图 1 A. 调幅 B. 混频 C. 同步检波 D. 鉴相 3、下面的几种频率变换电路中， 不是频谱的线性搬移。 A . 调频 B .调幅 C .变频 D . 包络检波 4、图2所示是一个正弦波振荡器的原理图，它属于 振荡器 。 图 2 A . 互感耦合 B .西勒 C .哈特莱 D .克拉泼5、若载波频率为c f ，调制信号频率为F ，那么双边带调幅波的频带宽度 为 。 A. 无穷大 B. 2F C. 2c f D. F 6、在保持调制规律不变的情况下，将输入的已调波的载波频率s f 变换成固定的中频I f 的过程称为 。 A. 调制 B. 解调 C. 倍频 D. 变频 7、图3所示是振荡器的高频等效电路，有可能振荡的电路是 。
1 全国2018年10月高等教育自学考试 非线性电子电路试题 课程代码：02342 一、选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中有一个至四个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.某发射机输出级在负载R L =100Ω上的输出信号为u s (t)=4(1+0.5cos Ωt)cos ωc t(V),则发射机输出的边频总功率为（ ） A. 80mW B. 90mW C. 5mW D. 10mW 2.模拟乘法器混频器的优点是（ ） A. 电路简单 B. 输出电流频谱纯净 C. 允许的输入信号动态范围大 D. 工作频率很高 3．叠加型同步检波器适用于哪种调幅波的解调？（ ） A. 普通调幅波 B. 抑制载波双边带调幅波 C. 单边带调幅波 D. 残留边带调幅波 4．DSB 调幅波的数学表达式为u AM (t)=U o cos10?π103tcos2?π106t, 则此调幅波占据的频带宽度是（ ） A. 20kHz B. 2MHz C. 10kHz D. 5kHz 5．一个并联谐振回路，若谐振频率由f 0变至2f 0, 与此同时，回路Q 值由Q 减至2 1 Q ，则回路带宽（ ） A. 不变 B. 增大一倍 C. 增大4倍 D. 减小4倍 6．已知某调相波的载波频率f c =50?106Hz, 调制信号频率F=2?103Hz ，最大相偏m p =4.5rad,则此调相波占据的频带宽度B s 为（ ） A. 4?103Hz B. 100?106Hz C. 22?103Hz D. 550?106Hz 7．欲实现无误差的频率跟踪，应采用（ ） A. 自动幅度控制 B. 自动频率控制 C. 自动相位控制 D. 调频 8．某调频波，若调制信号的振幅不变，调制频率增大一倍，则调频波的最大频偏m f ?（ ）
全国2001年10月自考非线性电子电路试题 课程代码：02342 第一部分选择题 一、选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个选项中有一个或一个以上选项是符合 题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1．高频小信号谐振放大器的负载采用调谐回路，其目的是为了实现（）功能。 A．提高增益B．阻抗变换 C．选频滤波D．减小失真 2．反馈型振荡器的相位稳定条件是（） A．T(jω)=1 B．?T ?U i <0 C．?K ?U i <0D． ?? ?ω <0 3．在LC选频网络中，常将串联谐振称为（） A．电压谐振B．电流谐振 C．电阻谐振D．功率谐振 4．音频信号的频率范围为0.1～6kHz，因其主要能量集中在（）范围内，因而只要传送该频率范围的话音信号就可以保证电话通信的质量。 A．0.5～3.4kHz B．0.8～4.8kHz C．0.3～3.4kHz D．0.3～4.8kHz 5．AM波的调幅度m的大小，反映了载波振幅受uΩ控制的强弱，其定义式是（） A．调制信号振幅与载波振幅之比 B．调幅波的最小幅度与最大幅度之比 C．调幅波的最小幅度与载波振幅之比 D．载波振幅受调后的振幅变化量与载波振幅之比 6．同步检波器能解调的已调信号有（） A．AM信号B．DSB信号 C．SSB信号D．FM信号 7．AM信号中，若m=0.5，则含有信息的功率只占信号总功率的（）％ A．4.3 B．11.1 C．20 D．33.3 8．调频时，如调制信号振幅增大一倍，调制信号频率升高一倍，则最大频偏（） A．不变B．增大一倍 C．减小一半D．增大二倍 9．二极管峰值包络检波器中，它的交、直流负载电阻相差越大，其结果是（） A．越不容易出现惰性失真B．越容易出现惰性失真 C．越不容易出现底部切削失真D．越容易出现底部切削失真 10．调频波在负载R L上消耗的平均功率等于（） A．边频总功率的1 2 m f2倍B．载波功率 C．载波功率的(m f+1)倍D．载波功率与边频功率之和11．对调频器的主要技术要求是（） A．调制线性好B．调制灵敏度高
高等学校电子类辅导教材 《电子线路》学习指导书 - 1 - 第1章 半导体器件的特性 1.1知识点归纳 1.杂质半导体与PN 结 在本征半导体中掺入不同杂质就形成N 型和P 型半导体。半导体中有两种载流子，自由电子和空穴，载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动，因电位差而产生的运动成为漂移运动。在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体，在它们的交界面上，上述两种运动达到动态平衡，就形成了PN 结。其基本特性是单向导电性。 2.半导体二极管 一个PN 结引出电极后就构成了二极管，加上正向偏压时形成扩散电流，电流与电压呈指数关系，加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小。体现出单向导电性。 3晶体管 晶体管具有电流放大作用，对发射极正向偏置集电极反向偏置时，从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流B I ，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流C I ，体现出B I 对C I 的控制，可将C I 视为B I 控制的电流源。晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。 4.场效应管 场效应管是电压控制器件，它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流，因输入回路的PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。场效应管局又夹断区（即截止区）、横流区（即线性区）和可比阿安电阻区三个工作区域。 学完本章后应掌握： 1.熟悉下列定义、概念和原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区，PN 结，耗尽层，导电沟道，二极管单向导电性，晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。 2.掌握二极管、稳压管、晶体管，场效应管的外特性，主要参数的物理意义。 1.2习题与思考题详解
2009年10月非线性电子电路自考试题 全国2009年10月非线性电子电路自考试题 一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.高频谐振功率放大器放大调幅信号时，其工作状态应选择（） A.临界 B.欠压 C.过压 D.弱过压 2.超外差接收机的中频频率是465kHz，有人在收听1480kHz 电台的广播时，还能听到740kHz的强电台播音，此现象属于何种干扰（） A.干扰哨声 B.中频干扰 C.镜像干扰 D.其他组合副波道干扰 3.石英晶体振荡器的最大特点是（） A.工作频率高 B.频率稳定度高 C.输出幅度稳定性高 D.转换效率高 4.当需要产生频率稳定性较高，且振荡频率在较宽的范围调节的高频振荡时，以下振荡器应选用（） A.RC振荡器 B.克拉泼振荡器 C.西勒振荡器 D.一般电容反馈振荡器
5.设载波信号为uc（t）=Uccosωct，需要传输的信号为uΩ（t）=UΩcosΩt，则已调信号uo（t）=Uccos（ωct+mcosΩt）是（）A.AM波B.FM波 C.DSB波 D.PM波 6.某混频器输入信号是调制频率F=lkHz、载频fc=620kHz的AM波，混频器本振频率为fL=1085kHz，取下混频，则混频输出信号的带宽为（） A.2kHz B.465kHz C.620kHz D.1705kHz 7.自动增益控制电路中，比较的参量是（） A.增益 B.频率 C.相位 D.信号电平 8.锁相频率合成器是利用锁相环的（） A.环路锁定后没有剩余频差 B.跟踪特性 C.滤波特性 D.易于集成化 二、多项选择题（本大题共5小题。每小题2分，共10分）在每小题列出的四个备选项中至少有两个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选、少选或未选均无分。 9.对高频小信号放大器的主要要求有（） A.增益高 B.频带宽
1.5 限幅电路如图P1.5所示，设D 为理想二极管，输入电压v i 为正弦波，其振幅大于V R 。试绘出输出电压v O 的波形。 解：(1)当v i 2011年1月非线性电子电路自考试题 全国2011年1月非线性电子电路自考试题 一、单项选择题(本大题共10小题，每小题2分，共20分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.若某高频功放工作在临界状态下，则与同一功放工作在欠压或过压状态时相比，以下描述中正确的为( ) A.此时该功放具有最大的输出基波电压 B.此时该功放具有最大的输出基波电流 C.此时该功放具有最高的效率 D.此时该功放具有最大的输出功率 2.信号在混频过程中，若要不失真，则要求信号频谱在搬移过程中，各频率分量要保持( ) A.相对振幅不变，但相对位置可以改变 B.相对位置不变，但相对振幅可以改变 C.相对振幅和相对位置都不可以改变 D.相对振幅和相对位置均可以改变 3.调制信号为uΩ(t)=UΩcosΩt，载波信号为uc(t)=Uccosωct，则表达式u0(t)=Uccos(ωct+mcosΩt)是( ) A.调频波 B.调相波 C.普通调幅波 D.抑制载波双边带调幅波 4.适合于频率稳定度较高且宽波段工作的振荡器应选取( ) A.串联型晶体振荡器 B.并联型晶体振荡器 C.西勒振荡器 D.克拉泼振荡器 5.若某器件的伏安特性为i=a3u3，则用此器件( ) A.能完成频谱的线性搬移 B.不能完成频谱的线性搬移 C.能实现振幅调制与解调 D.能实现混频 6.对于高频小信号谐振放大器来说，最理想的矩形系数为( ) A.0B.1 C.无穷大 D.根据电路实际情况而定 7.用(300～3400)Hz的多频信号进行DSB调幅后的信号频带宽度为( ) A.300Hz B.600Hz C.3400Hz D.6800Hz 8.设某串联谐振电路与并联谐振电路具有相同的谐振频率，且在谐振频率处两个电路具有相同的阻抗，则当频率低于谐振频率时，串联谐振电路的阻抗模值将比并联谐振电路的阻抗模值要( ) A.大 B.相等 C.小 D.不定 9.设放大器A的噪声系数为10dB，放大器B的噪声系数为13dB，若给两个放大器输入具有相同信噪比的信号，且保证电路处于匹配状态，则放大器A输出端的信噪比将是放大器 一、地质与地球物理研究所简介 中科院地质与地球物理研究所只招收学术型硕士研究生，旨在培养德智体全面发展，爱国守法，在本学科内掌握坚实的基础理论和系统的专门知识，具有从事科学研究、教学、管理或独立担负专门技术工作能力、富有创新精神的高级专门人才。 中国科学院地质与地球物理研究所是从事固体地球科学研究与教育的综合性国家学术机构。以固体地球各圈层相互作用及其资源、环境、工程地质问题作为主攻方向。研究所现建有岩石圈演化国家重点实验室和国家空间环境野外科学观测研究站，以及地球与行星物理、页岩气与地质工程、矿产资源研究、油气资源研究和新生代地质与环境等5个中国科学院重点实验室，并成立了深部资源探测先导技术与装备研发中心。地质与地球物理研究所拥有良好的学术氛围、雄厚的师资力量、强大的科研支撑以及安定的生活条件，能够为研究生提供大量的国内外学术交流机会，创造积极向上的学习与工作环境。 根据地质与地球物理研究所2019年推免生拟录取情况，地质与地球物理研究所070901矿物学、岩石学、矿床学专业的03矿床学方向、070904构造地质学专业、081801矿产普查与勘探专业2019年不招收全国统考硕士生。 2019年面向全国计划招收学术型硕士研究生82人（以最终下达指标为准），包括将接收各高校学习成绩优异的推免生45人左右，统考硕士生37人左右。2019年我所实际招收 二、中国科学院大学地球与空间探测技术专业招生情况、考试科目 0708Z2地球与空间探测技术计划3人 ①101思想政治理论②201英语一③601高等数学(甲)④804半导体物理或810理论力学或856电子线路 三、中国科学院大学地球与空间探测技术专业考研参考书目 601高等数学(甲)： 《高等数学》（上、下册），同济大学数学教研室主编，高等教育出版社，1996年第四版，以及其后的任何一个版本均可。 804半导体物理 刘恩科，朱秉升，罗晋生．《半导体物理学》，电子工业出版社，2008。 810理论力学 1. 哈尔滨工业大学理论力学教研组编，理论力学上、下(第6版). 高等教育出版社，2002年。 2. 郭应征, 周志红编著，理论力学. 清华大学出版社，2005年 856电子线路 1、Robert L.Boylestad, Louis Nashelsky（作者）, 李立华, 李永华 (译者)， 模拟电子技术，电子工业出版社; 第1版 (2008年6月1日)，国外电子与通信教材系列1月非线性电子电路自考试题
2020-2021年中国科学院大学地球与空间探测技术考研招生情况、分数线、参考书目、经验指导信息汇总!
相关主题
文本预览