2-1 为什么谐振功率放大器能工作于丙类，而电阻性负载功率放大器不能工作于丙类？
解：因为谐振功放的输出负载为并联谐振回路，该回路具有选频特性，可从输出的余弦脉冲电流中选出基波分量，并在并联谐振回路上形成不失真的基波余弦电压，而电阻性输出负载不具备上述功能。
2-2 放大器工作于丙类比工作于甲、乙类有何优点？为什么？丙类工作的放大器适宜于放大哪些信号？
解：(1)丙类工作，管子导通时间短，瞬时功耗小，效率高。
(2) 丙类工作的放大器输出负载为并联谐振回路，具有选频滤波特性，保证了输出信号的不失真。
为此，丙类放大器只适宜于放大载波信号和高频窄带信号。
2-4 试证如图所示丁类谐振功率放大器的输出功率2)sat (CE CC L 2o )2(π2
V V R P -=，集电极
效率CC
)
sat (CE CC C 2V V V -=
η。已知V CC = 18 V ，V CE(sat) = 0.5 V ，R L = 50 Ω，试求放大器的P D 、
P o 和ηC 值。
解：(1) v A 为方波，按傅里叶级数展开，其中基波分量电压振幅。)2(π
2
)sat (CE CC cm V V V -=通过每管的电流为半个余弦波，余弦波幅度，)2(π2
)sat (CE CC L
L cm cm V V R R V I -== 其中平均分量电流平均值
cm C0π
1I I =
所以 2)sat (CE CC L
2
cm cm o )2(π2
21V V R I V P -== )2(π2
)sat (CE CC CC L
2C0CC D V V V R I V P -==
CC
)
sat (CE CC D o C 2/V V V P P -=
=η
(2) W 24.1)2(π2
)sat (CE CC CC L
2D =-=
V V V R P W 17.1)2(π2
2)sat (CE CC L
2
o =-=
V V R P %36.94/D o C ==P P η
2-5 谐振功率放大器原理电路和功率管输出特性曲线如图所示，已知V CC = 12 V ，V BB = 0.5 V ，V cm = 11 V ，V bm = 0.24 V 。试在特性曲线上画出动态线。若由集电极电流i C 求得I C0 = 32 mA ，I cIm = 54 mA ，试求P D 、P o 、ηC 及所需的R e 。
解：
(1) ???+=+=-=-=V )cos 24.05.0(cos V
)cos 1112(cos bm BB BE
cm CC CE t t V V v t t V V v ωωωω
取ωt = 0?，30????120?，结果如下表
ωt
0?
30? 45? 60? 75? 90? 120? v BE /V 0.74 0.71 0.67 0.62 0.56 0.5 0.38 v CE /V
1
2.47
4.22
6.5
9.15
12
17.5
(2)
m W 384C0CC D ==I V P
m W 2972
1
cm cm o ==I V P
%34.77/D o C ==P P η
R e = V cm /I c1m = 204 Ω
2-8 谐振功率放大器工作在欠压区，要求输出功率P o = 5 W 。己知V CC = 24 V ，V BB ＝V BE(on)，R e = 53 Ω，设集电极电流为余弦脉冲，即
i C = ?
??≤>000cos b b Cmax v v t i
ω
试求电源供给功率P D 、集电极效率ηC 。
解：因为V BB = V BE(on)，放大器工作在甲乙类，近似作乙类，
m A 434221e
o c1m e 2
cm o ===R P I R I P
因为，Cmax 2π2πC C0
π1d π21i t i I ==?-ω ，Cmax 2π
2π
C c1m 2
1
d cos π1i t t i I ==?-ωτωτ 所以 m A 3.2762c1m C0==I I
则 ，W 63.6C0CC D ==I V P %42.75/D o C ==P P η
2-12 设两个谐振功率放大器具有相同的回路元件参数，它们的输出功率P o 分别为1 W 和0.6 W 。现若增大两放大器的V CC ，发现其中P o = 1 W 放大器的输出功率增加不明显，而P o = 0.6 W 放大器的输出功率增加明显，试分析其原因。若要增大P o = 1 W 放大器的输出功率，试问还应同时采取什么措施（不考虑功率管的安全工作问题）？
解：P o = 1 W 的放大器处于临界或欠压状态，增大V CC 时，放大器更趋于欠压状态，I c1m
略有增大。因此P o 增大不明显。（若 P o ↑ 需 V CC ↑ 同时R e ↑ 或V BB ↑）
P o = 0.6 W 的放大器处于过压状态，V CC 增大，发大器趋于临界，I c1m 迅速增大，所以P o 迅速增大。
一、填空题 1. 丙类功放按晶体管集电极电流脉冲形状可分为__欠压、__临界__、__过压__ 三种工作状态，它一般工作在___临界____ 状态。 2. 振荡器的主要性能指标_频率稳定度_、_振幅稳定度_。 3. 放大器内部噪声的主要来源是__电阻__和__晶体管__。 4. 某发射机输出级在负载RL=1000Ω上的输出信号Us(t)=4(1+0.5cosΩt)COSWctV。试问Ma=__0.5__，Ucm=__4V__，输出总功 率Pav=__0.009W_ 。 5. 实现频率调制就是使载波频率与调制信号呈线性规律变化，实现这个功能的方法很多，通常可分为__直接调频__和__间接调频___ 两大类。 6. 相位鉴频器是先将调频信号变换成__调相-调频__信号，然后用___相位检波器___进行解调得到原调制信号。 二、选择题 1. 频率在1.5—30MHz范围的短波主要依靠（C ）方式传播。 A 沿地面传播 B 沿空间直线传播 C 依靠电离层传播 2. 在实际振荡器中，有时会出现不连续的振荡波形，这说明振荡器产生了周期性的起振和停振现象，这种现象称为（B ）。 A 频率占据 B 间歇振荡 C 寄生振荡 4. 集成模拟相乘器是（B ）集成器件。 A 线性 B 非线性 C 功率 5. 自动增益控制电路是（A ）。 A AGC B AF C C APC 三、分析题（共4题，共45分） 1. 通信系统中为什么要采用调制技术。（8分） 答：调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。 采用调制技术可使低频基带信号装载到高频载波信号上，从而缩短天线尺寸，易于天线辐射，实现远距离传输；其次，采用调制可以进行频分多路通信，实现信道的复用，提高信道利用率。 2.晶体振荡电路如图1所示，若f1为L1C1的谐振频率，f2为L2C2的谐振频率，试分析电路能否产生自激振荡。若能振荡，指 出振荡频率与f!、f2之间的关系。（12分） +V CC 答：由图可见电路可构成并联型晶体振荡器。由于并联型晶体振荡器中，石英晶体起电感元件作用，所以要产生自激振荡，L1C1并联回路与L2C2串联回路都必须呈容性，所以，WL1 > 1/WC1即f > f1，WL2 < 1/WC2即f < f2，振荡频率f与f1、f2之
声明：由不动脑筋而直接抄取答案的行为引发的后果自负，与本人无任何关联，愿好自为之。解释权归本人所有。 1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W，当集电极效率ηC由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少？ 解： 当ηC1 = 40%时，P D1 = P o/ηC = 2500 W，P C1 = P D1P o=1500 W 当ηC2 = 70%时，P D2 = P o/ηC =1428.57 W，P C2 = P D2P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D下降，(P D1 P D2) = 1071.43 W P C 下降，(P C1 P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a）所示，已知V CC = 5 V，试求下列条件下的P L、P D、ηC（运用图解法）：（1）R L= 10Ω，Q点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ同（1）值，I cm = I CQ；（3）R L = 5Ω，Q点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q点在负载线中点，充分激励。 解：(1) R L = 10 Ω时，作负载线(由V CE = V CC I C R L)，取Q在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V， I CQ1 = 220mA，I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1V CE(sat) = (2.6 0.2) V = 2.4 V，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 264 2 1 cm cm L = =I V P，P D= V CC I CQ1 = 1.1 W，ηC = P L/ P D = 24% (2) 当R L = 5 Ω时，由V CE = V CC I C R L 作负载线，I BQ同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA，得Q2点，V CEQ2 = 3.8V，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以mW 156 2 1 cm cm L = =I V P，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W，ηC = P L/ P D = 12%
装 订 线 内 不 要 答 题 自 觉 遵 守 考 试 规 则，诚 信 考 试，绝 不 作 弊
三．如图所示为一振荡器的交流等效电路图，试判断其类型（电容三点式还是电感三点式），若H L pF C pF C μ100,320,8012===，求该电路的振荡频率和维持振荡所必须的最小放大倍数min K 。(10分) 四．在振幅条件已满足的条件下，用相位条件判断如图所示振荡器能否振荡；若能振荡，说明其振荡频率范围。(8分) 五．如图所示， f(t)为调制信号，当用其对一个高频载波进行调幅时，请画出m=0.5和m=1时的AM 信号U AM (t)和DSB 信号U DSB (t) (12分)
六．某发射机的输出级在R L =100Ω的负载上的输出电压信号为Vs(t)=4(1+0.5cos Ωt)cos ωC t (V),求发射机总的输出功率Pav ， 载波功率P o 和边频功率P SB 各为多少？(9分) 七．已知调角波表示式63()10cos(21010cos 210)()t t t v υππ=?+?,调制信号为 3()3cos 210t t υπΩ=?，试问： 1、该调角波是 波；（调频、调相）； 2、调角波的最大频偏为 ； 3、其有效频谱宽度为 Z K H . (8分)
八．设用调相法获得调频，调制频率F=300～3000Z H 。在失真不超过允许值的情况下，最大允许相位偏移0.5rad θ?=。如要求在任一调制频率得到最大的频偏f ?不低于75Z K H 的调频波，需要倍 频的次数为多少？(12分) 九．设非线性元件的伏安特性为2210u a u a a i ++=， 用此非线性元件作变频器件，若外加电压为t U t t m U U u L Lm s Sm ωωcos cos )cos 1(0+Ω++=，求变频后中频（s L I ωωω-=）电流分量的振幅。（8分） 十．若两个电台频率分别为KHz 5741=f ，KHz 11352=f ，则它们对短波（MHz 12~MHz 2= S f ）收音机的哪些接收频率将产生三阶互调干扰？（9分） 十一.基本 PLL 处于锁定时,VCO 频率_______输入信号频率,鉴相器两个输入信号的相位差为_______数,输出______电压。(6分)
1．判断题 (1) 在N 型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 正确错误 (2) 少数载流子是自由电子的半导体称为P 型半导体。 正确错误 (3) 对于NPN 三极管，当＞0，＞，则该管的工作状态是饱和状态。 正确错误 (4) 某晶体三极管的时，；当时，，则 它的电流放大系数β = 45。 正确错误 (5) 放大器常采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入阻抗。 正确错误 (6) 晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流选得偏低。 正确错误 (7) 共发射极电路也就是射极输出器，它具有很高的输入阻抗和很低的输出阻抗。 正确错误 (8) 射极输出器是共集电极电路，其电压放大倍数小于1，输入电阻小，输出电阻大。 正确错误 (9) 直耦放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。 正确错误 (10) 差分放大器有单端输出和双端输出两大类，它们的差模电压放大倍数是相等的。 正确错误 (11) 在多级放大器中，级间常常接有去耦滤波电路，用以防止电源内阻的耦合作用引起的自激振荡。 正确错误 (12) 任何“电扰动”，如接通直流电源、电源电压波动、电路参数变化等，都能供给振荡器作为自激的初始信号。 正确错误 (13) 当输入信号为零时，则输出功率也为零，电源供给电路的功率最小，这时单管功
率放大器的效率最高。 正确错误 (14) 推挽功率放大器输入交流信号时，总有一只功放三极管是截止的，所以输出波形必然失真。 正确错误 (15) 稳压电源中的稳压电路有并联型和串联型两种，这是按电压调整元件与负载连接方式之不同来区分的。 正确错误 2．选择题 (1) 当晶体二极管的PN 结导通后，则参加导电的是( )。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2) 面接触型晶体二极管比较适用于( )。 A．小信号检波 B．大功率整流 C．大电流开关 (3) 晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管所处的状态是( )。 A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 (4) 晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是( )。 A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 (5) 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管( )。 A．发射结为反向偏置 B．集电结为正向偏置
(1)在半导体内部，只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 (3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。 A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。 A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。 A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A．同相位 B．相位差90° C．相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。 A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。 A．增大 B．反向 C．中断 （9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是( )。 A．放大电流 B．调节偏置电流I BQ C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。 （10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三．填充题（2’×10） (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V C≈V G，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。
1-2 一功率管，它的最大输出功率是否仅受其极限参数限制？为什么？ 解：否。还受功率管工作状态的影响，在极限参数中，P CM 还受功率管所处环境温度、散热条件等影响。 1-3 一功率放大器要求输出功率P。= 1000 W，当集电极效率ηC 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D和功率管耗散功率P C各减小多少？ 解： 当ηC1 = 40%时，P D1 = P o/ηC = 2500 W，P C1 = P D1P o=1500 W 当ηC2 = 70%时，P D2= P o/ηC =1428.57 W，P C2= P D2P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D下降，(P D1 P D2) = 1071.43 W P C下降，(P C1 P C2) = 1071.43 W 1-6 如图所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图1-2-1（a）所示，已知V CC = 5 V，试求下列条件下的P L、P D、ηC（运用图解法）：（1）R L = 10Ω，Q点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ同（1）值，I cm = I CQ；（3）R L = 5Ω，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q点在负载线中点，充分激励。
解：(1) R L = 10 Ω 时，作负载线(由V CE = V CC I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ， I BQ1 = I bm = 2.4mA 因为V cm = V CEQ1 V CE(sat) = (2.6 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW 2642 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ，η C = P L / P D = 24% (2) 当R L = 5 Ω 时，由V CE = V CC I C R L 作负载线，I BQ 同(1) 值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA 这时，V cm = V CC V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW 1562 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ，η C = P L / P D = 12% (3) R L = 5 Ω，Q 在放大区内的中点，激励同(1)， 由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA 相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。 因为V cm = V CEQ3 v CEmin = 1.2 V ，I cm = i Cmax I CQ3 = 240 mA 所以mW 1442 1cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ3 = 2.3 W ，η C = P L / P D = 6.26% (4) R L = 5 Ω，充分激励时，I cm = I CQ3 = 460 mA ，V cm = V CC
电子线路非线性期末总结
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2-1 为什么谐振功率放大器能工作于丙类，而电阻性负载功率放大器不能工作于丙类？ 解：因为谐振功放的输出负载为并联谐振回路，该回路具有选频特性，可从输出的余弦脉冲电流中选出基波分量，并在并联谐振回路上形成不失真的基波余弦电压，而电阻性输出负载不具备上述功能。 3-5 试判断下图所示交流通路中，哪些可能产生振荡，哪些不能产生振荡。若能产生振
荡，则说明属于哪种振荡电路。 解：(a) 不振。同名端接反，不满足正反馈； (b) 能振。变压器耦合反馈振荡器； (c) 不振。不满足三点式振荡电路的组成法则； (d) 能振。但L2C2回路呈感性，ωosc < ω2，L1C1回路呈容性，ωosc > ω1，组成电感三点式振荡电路。 (e) 能振。计入结电容C b'e，组成电容三点式振荡电路。 (f) 能振。但L1C1回路呈容性，ωosc > ω1，L2C2回路呈感性，ωosc > ω2，组成电容三点式振荡电路。 3-22 试判断如图所示各RC振荡电路中，哪些可能振荡，哪些不能振荡，并改正错误。图中，C B、C C、C E、C S对交流呈短路。
解：改正后的图如图所示。 (a)为同相放大器，RC移相网络产生180?相移，不满足相位平衡条件，因此不振。改正：将反馈线自发射极改接到基极上。 (b)中电路是反相放大器，RC移相网络产生180?相移，满足相位平衡条件，可以振荡。 (c)中放大环节为同相放大器，RC移相网络产生180?相移，不满足相位平衡条件，因此不振。改正：移相网络从T2集电极改接到T1集电极上。 (d)中放大环节为反相放大器，因为反馈环节为RC串并联电路，相移为0?，所以放大环节应为同相放大。改正：将T1改接成共源放大器。 3-23 图（a）所示为采用灯泡稳幅器的文氏电桥振荡器，图（b）为采用晶体二极管稳幅的文氏电桥振荡器，试指出集成运算放大器输入端的极性，并将它们改画成电桥形式的电路，指出如何实现稳幅。并求线性频率f
四川信息职业技术学院 《高频电子线路》模拟考试试卷一 班级姓名学号 一、填空题（每空1分，共30分） 1、无线电通信中，信号是以形式发射出去的。它的调制方式有、、。 2、针对不同的调制方式有三种解调方式，分别是、、和。 3、在单调谐放大器中，矩形系数越其选择性越好；在单调谐的多级放大器中，级数越多，通频带越（宽或窄），其矩形系数越（大或小）。 4、调幅波的表达式为：u AM（t）= 20（1 +0.2COS100πt）COS107πt（V）；调幅波的振幅最大值为 V，调幅度Ma为，带宽f BW为 Hz，载波f c为 Hz。 5、在无线电技术中，一个信号的表示方法有三种，分别是、 、。 6、调频电路有、两种方式。 7、检波有和两种形式。 8、反馈式正弦波振荡器按照选频网络的不同，可分为、、等三种。 9、变频器可由和两部分组成。 10、列出三个常见的频谱搬移电路__________、_________、_________。 11、用非线性器件实现调幅最为理想。 二、选择题（每小题2分、共20分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1、下列哪种信号携带有调制信号的信息（） A、载波信号 B、本振信号 C、已调波信号
2、小信号谐振放大器的主要技术指标不包含（） A、谐振电压增益 B、失真系数 C、通频带 D、选择性 3、丙类谐振功放其谐振回路调谐于（）分量 A、基波 B、二次谐波 C、其它高次谐波 D、直流分量 4、并联型石英晶振中，石英谐振器相当于（）元件 A、电容 B、电阻 C、电感 D、短路线 5、反馈式正弦波振荡器的起振条件为（） A、|AF|=1，φA+φF= 2nπ B、|AF| >1，φA+φF = 2nπ C、|AF|>1，φA+φF≠2nπ D、|AF| =1，φA+φF≠2nπ 6、要实现集电极调制特性应使功放工作在（）状态 A、欠压状态 B、过压状态 C、临界状态 D、任意状态 7、自动增益控制可简称为（） A、MGC B、AGC C、AFC D、PLL 8、利用非线性器件相乘作用来实现频率变换其有用项为（） A、一次方项 B、二次方项 C、高次方项 D、全部项 9、如右图所示的电路是（） A、普通调幅电路 B、双边带调幅电路 C、混频器 D、同步检波器 10、在大信号包络检波器中，由于检波电容放电时间过长而引起的失真是（） A、频率失真 B、惰性失真 C、负峰切割失真 D、截止失真 三、判断题，对的打“√”,错的打“×”（每空1分，共10分） 1、谐振放大器是采用谐振回路作负载的放大器。（） 2、基极调幅实现的是普通调幅，也是高电平调幅。（） 3、已知某调幅波的最大振幅10V，最小振幅为6V，则调幅度Ma为40%。（）
第一章：电子线路 一：判断：（每题1分）难度系数：（）1、在半导体的内部，导电的载流子都是自由电子。0.6 （）2、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。0.7 （）3、N型半导体的多数载流子是自由电子，因此，N型半导体带负电。0.7 （）4、电视机的遥控装置时应用半导体的热敏性来实现控制的。0.8 （）5、二极管是由两个PN结组成的。0.8 （）6、一般来说，锗二极管的死区电压小于硅二极管的死区电压。0.5 （）7、用指针式万用表测某二极管的正向电阻时，插在万用表标有“+”号插孔中的测试棒所连接的二极管引脚是二极管的正极。0.4 二：填空（每空1分） 1、半导体是一种导电能力介于_______与_______绝缘体之间的物质。0.8 2、制造半导体元器最常用的材料是_______和______。0.8 3、利用半导体材料的_______特性可制成热敏电阻，利用_______特性可制成光电器件。0.6 4、使ＰＮ结正偏的方法是：将Ｐ区接______电位，N区接______电位。正偏时PN结处于_____状态，反偏时PN结处于_____状态。0.6 5、在常温下，硅二极管的死区电压约为_____V正向导通后的管压降约为_____V。0.5 三：选择题（每题2分） 1. N型半导体中的少数载流子是_____. 0.6 A．自由电子B．空穴C．中子D．质子 2.当温度升高时，纯净半导体中的自由电子和空穴的数量_____. 0.8 A．增加B．减少C．不变D．不确定 3.当环境升温时，二极管的反向饱和电流将_____。0.7 A．减小B．增大C．不变D．基本不变 四：简答题（5分） 半导体具有什么特性？说明这些特性的主要应用。0.6 三：分析题（5分） 如图1-2-3所示，设V为理想二极管，分析Id、Vd的数值。0.4 V D
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小
、填空题 1、_信源一就是信息的来源。 2、电信系统中规定的语音信号频率范围是从_300 Hz到_3.4K Hz。 3、信道是连接发送、接收两端的信息的通道，也称为传输媒质。 4、通信系统中应用的信道分为「有线_ _信道和无线信道两种。 5、常用的有线信道传输媒质有架空明线、光缆和同轴电缆。 6无线电波传播的方式有_ 一沿地面_ 传播，也称_ 一中长波―波;__沿空间—传播也称 _ 超短波_波；电离层传播，称为短波波。 7、为了有效地发射和接收电磁波，天线的尺寸必须与电磁波的_波长—_相比拟。 8、现代通信系统中一般不采用将信号直接传输的工作方式，而是要对信号进行调制一后再送入 信道传输。 9、小信号选频放大器的矩形系数越接近1 越好。 10、小信号谐振放大器应当设法，减小一负载和信号源内阻对谐振回路的影响。 11、小信号谐振放大器中的变压器采用抽头接入，是为了减少负载和信号源内阻________ 对谐振回路的影响。 12采用共射-共基电路是解决小信号谐振放大器稳定性问题的有效方法。 13、声表面波滤波器的优点有：体积小、工作稳定、无需调试等。 14、常用的固体（态）滤波器有：声表面_ 、陶瓷一和____ 石英_______ 。 15、常用晶体管的高频等效电路有丫参数等效电路和混合n参数等效电路。 16、影响晶体管高频性能的主要因素是它的内部存在结电容_ 。 17、晶体管的一个重要高频参数是它的_特征_频率f T，它是晶体管的下降为_1_ _时的工作 频率。晶体管的结电容越小，其f T参数越大。 18、LC串联谐振回路谐振发生时，呈现很小的阻抗：电容上的谐振电压大于输入电压, 是输入电压的Q倍。因此串联谐振也叫电_压_ 谐振。 19、LC并联谐振回路谐振发生时，呈现—很大____ 的阻抗；流过电容的谐振电流大于于输入电流，是输入电流的Q倍。因此并联谐振也叫电 _流_谐振。 20、LC谐振回路的Q值与电感器的寄生电阻r大小有关，r越小Q值越.大。 21、LC谐振回路的通频带计算公式为___ BW7 ______ 。 22、单LC谐振回路的矩形系数K01塑10 。 0,1 B% ——
班级学号姓名分数 2015-2016学年第2学期电子专业 《电子线路CAD》试卷 一、选择题（共30分，每题2分） 1. 在进行电原理图编辑时，双击“Schematic Document”图标后，在“Document”文档下自动创建一个文件，其名为A A、Sheet B、Sheet C、Sheet D、Sheet 2. 原理图文件、印制板文件一般放在C文件夹内 A、Design Team B、Recycle Bin C、Documents 3. 在进行电原理图编辑时，如单击鼠标左键选定目标元件，这时如按空格键，则执行的操作是B A、移动元件 B、使选定对象沿逆时针方向旋转90度 C、左右对称 D、上下对称 4. 在画电原理图时，用于连线的只能用A工具栏中的导线 A、Wiring Tools B、Drawing Tools C、 Main Tools 5. 多层板的顶层或底层通过 B 与内部的导电层相连 A、导线 B、过孔 C、网络标号 6. 单面板中用来放置元件的工作层是A A、顶层（ Top Layer） B、底层（Bottom Layer） C、禁止布线层（Keep Out Layer） D、多层（Multilayer） 7. Protel99 SE在初次启动时没有以下 C菜单 A、File B、View C、Design 8. 在Preferences对话框的Schematic选项卡中，如果取消选择Auto-Junction复选框，当原理图中出现T字形连接的时候，表面上连在一起的导线实际上并没有电气意义上的连接，需要用C命令才能将交叉的导线连接起来 A、Place菜单下的Bus Entry命令 B、Place菜单下的Wire命令 C、Place菜单下的Junction命令 D、Place菜单下的Text Frame命令 9. 执行 B命令操作，元件将按顶端对齐 A、Align Right B、Align Top C、Align Left D、Align Bottom
课号: 课程名称：非线性电子线路Non-Linear Electronics Circuit 学时：72 学分：4 预修课程：电路理论，线性电子线路 适用学科方向：电子工程、电子科学与技术 本课程是高等院校电子类系必修之专业基础课，旨在让学生掌握电子器件在大信号作用下所表现出的特有的物理效应及其应用电路分析、设计的基本方法和技巧，为今后工作和深造打下基础。 本课程系统介绍了非线性电子线路的一些基本概念，着重介绍非线性器件在不同应用条件下的数学模型、分析方法以及各种由非线性器件构成的功能电路如振荡电路、幅度调制器、调频电路、混频器和检波器、鉴频器等。 教学重点：正弦振荡器；幅度检波；直接调频和鉴频电路。 教学难点：工程近似分析法。 第一章概述（4学时） 第一节非线性器件定义（1学时） 第二节非线性器件的频率变换作用（1学时） 第三节非线性器件应用简介（2学时） 第二章非线性器件分析方法（10学时） 第一节非线性电阻分析方法（6学时） 第二节线性电抗与非线性电阻组合电路分析方法（4学时） 第三章谐振功率放大器（8学时） 第一节概述（1学时） 第二节谐振功率放大器折线化分析及结论（3学时） 第三节谐振功率放大器的负载特性、调制特性和放大特性（4学时） 第四章正弦振荡器（14学时） 第一节基本原理（6学时） 第二节LC正弦振荡器电路分析及性能比较（2学时） 第三节负阻振荡器（2学时） 第四节石英晶体振荡器（4学时）
第五章模拟乘法器（4学时） 第一节宽带模拟乘法器（2学时） 第二节窄带模拟乘法器（2学时） 第六章幅度调制和解调（10学时） 第一节幅度调制原理（2学时） 第二节调幅电路（4学时） 第三节调幅波的解调-检波（4学时） 第七章混频（8学时） 第一节混频原理（2学时） 第二节混频电路与分析（2学时） 第三节混频干扰（2学时） 第四节参量电路与参量混频简介（2学时）第八章调频与鉴频（14学时） 第一节基本概念（2学时） 第二节调频信号的传输（2学时） 第三节调频信号的产生（4学时） 第四节调频信号的解调（6学时）
高频电子线路试题库 错误！未指定书签。错误！未指定书签。 一、填空题 (2) 第1章绪论 (2) 第2章选频网络 (3) 第3章高频小信号放大器 (3) 第4章非线性电路、时变参量电路和变频器 (4) 第5章高频功率放大器 (4) 第6章正弦波振荡器 (4) 第7章振幅调制与解调 (5) 第8章角度调制与解调 (5) 第9章数字调制与解调 (5) 第10章反馈控制电路 (5) 第11章频率合成技术 (6) 二、判断题 (6) 第1章绪论 (6) 第2章选频网络 (6) 第3章高频小信号放大器 (6) 第4章非线性电路、时变参量电路和变频器 (6) 第5章高频功率放大器 (7) 第6章正弦波振荡器 (7) 第7章振幅调制与解调 (7) 第8章角度调制与解调 (7) 第9章数字调制与解调 (7) 第10章反馈控制电路 (7) 第11章频率合成技术 (8) 三、选择题 (8) 第1章绪论 (8) 第2章选频网络 (8) 第3章高频小信号放大器 (8) 第4章非线性电路、时变参量电路和变频器 (9) 第5章高频功率放大器 (9) 第6章正弦波振荡器 (10) 第7章振幅调制与解调 (11) 第8章角度调制与解调 (11) 第9章数字调制与解调 (12) 第10章反馈控制电路 (12) 第11章频率合成技术 (12) 四、简答题（简单分析计算题） (12) 第1章绪论 (12) 第2章选频网络 (13) 第3章高频小信号放大器 (13) 第4章非线性电路、时变参量电路和变频器 (14) 第5章高频功率放大器 (14)
第6章正弦波振荡器 (15) 第7章振幅调制与解调 (16) 第8章角度调制与解调 (16) 第9章数字调制与解调 (16) 第10章反馈控制电路 (16) 第11章频率合成技术 (16) 五、计算题 (17) 第1章绪论 (17) 第2章选频网络 (17) 第3章高频小信号放大器 (19) 第4章非线性电路、时变参量电路和变频器 (20) 第5章高频功率放大器 (20) 第6章正弦波振荡器 (21) 第7章振幅调制与解调 (21) 第8章角度调制与解调 (22) 第9章数字调制与解调 (23) 第10章反馈控制电路 (23) 第11章频率合成技术 (23) 一、填空题 第1章绪论 1. 我国中波广播采用AM 调制方式，中波收音机的中频频率是465 KHz 。接收载频为535KHZ勺电台, 则收音机的本地振荡频率应调到1065 KHZ 。 2. 无线电通信中，信号是以电磁波形式发射出去的。它的调制方式有调幅、调频、调相。 3. 针对不同的调制方式有三种解调方式，分别是检波、鉴频、和鉴相。 4. 接收机分为直接放大式、和超外差式两种。 5. 通常将携带有信息的电信号称为调制信号，未调制的高频振荡信号称为载波，通过调制后的高频振荡信号称为已调
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为 。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于 状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500μV, u i2=500μV，则差模输入电压u id为μV，共模输入信号 u ic为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最； 组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受 最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE减小 B. β和I CBO增加，u BE减小 C．β和u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的茶分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。 A.变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
莆田学院期末考试试卷 （A ）卷 2010 — 2011 学年第 一 学期 课程名称： 非线性电子线路 适用年级/专业： 08/通信 试卷类别 开卷（ ） 闭卷（√） 学历层次 本科 考试用时 120分钟 《．考生．．注意：答案要全部抄到答题纸上，做在试卷上不给分．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．》． 一、填空题（每空2分，共26分） 1.混频电路中存在着多种失真，如： ① 、寄生通道干扰、交调失真、互调失真；寄生通道干扰中有两个最强的干扰，它们是： ② 和中频干扰。 2.下图为某二极管电路，已知已调信号为V SS ，本振信号为V LS ,I 端为信号的输出端，则可判断得该电路实现的功能为 ① ，若输出电流表达式为 ....]3cos 34 cos 4[2cos 2+-+- =t t R R t V i L L D L c sm O ωπ ωπω,且令C L I ωωω-=,可推算得中 频电流的幅值= ② 。 3.下图(a)为调制信号的频谱图，采用两种不同的调制方式后获得的已调信号的频谱图如图（b ）、（c ）所示，根据频谱结构可判断得（b ）图采用的调制方式是： ① ，（c ）图采用的调制方式是： ② 。 (a) (b) (c)
4.右图为某三点式振荡电路，其中C C 、 C B 、C E 的容量较大，那么根据三点 式振荡电路的组成原则可判定该电路 为①三点式振荡电路，其产 生的正弦波的频率计算式为②。 5.右图为二极管包络检波电路的示意图， 若要实现正常的检波，除了对电路中 的元件参数有要求外，V S (t)只能是 ①波，若V S (t)为平衡调幅波， 为了能够实现检波，必须加入一个与 已调信号载频②的参考信号。 6.下图为某已调波的波形图以及解调情况示意图，根据波形可判断该已调信号为 ①；若解调后的包络如图中的锯齿 状波形所示，说明出现了②失真， 为避免该失真的出现对检波电容C和负载电 阻R L 的取值要求是：R L C ③。 二、单项选择题（每小题3分，共24分）。 1.图示为谐振功放功率管集电极的电流波形，已知电流脉冲中的I C0 =32mA I C1m =54mA，且负载上的基波电压幅值Vc 1m =11V, 电源电压V CC =12V,那么可推算得 该功率放大器的效率约为______ 。 A. % B. % C. % D. % 2.在功率合成电路中，对隔离条件含义描述错误的是______ 。 A. 必须采用类似屏蔽等措施把两个功率源隔开 B. 当其中一个功率源发生故障时不会影响到另外一个功率源 C. 功率合成电路不同，隔离条件也可能随之发生变化 D. 同相功率合成端和反向功率合成端的负载电阻取值要满足特定关系 3.混频电路是超外差式接收机不可缺少的组成部分，其功能是______ 。
一、填空题：（20分）（每空1分） 1、某小信号放大器共有三级，每一级的电压增益为15dB, 则三级放大器的总电压增益为 。 2、实现调频的方法可分为 和 两大类。 3、集电极调幅电路应工作于 状态。某一集电极调幅电路，它的载波输出功率为50W ，调幅指数为0.5,则它的集电极平均输出功率为 。 4、单向化是提高谐振放大器稳定性的措施之一，单向化的方法有 和 。 5、谐振动率放大器的动态特性不是一条直线，而是折线，求动态特性通常可 以 采用 法和 法。 6、在串联型晶体振荡器中，晶体等效为 ，在并联型晶体振荡器中，晶体等效为 。 7、高频振荡的振幅不变，其瞬时频率随调制信号线性关系变化，这样的已调波称为 波，其逆过程为 。 8、反馈型LC 振荡器的起振条件是 ；平衡条件是 ；振荡器起振后由甲类工作状态逐渐向甲乙类、乙类或丙类过渡，最后工作于什么状态完全由 值来决定。 9、变频器的中频为S L I ωωω-=，若变频器的输入信号分别为 ()t m t U u f s sm s Ω+=sin cos ω和t U u s sm s )cos(Ω-=ω，则变频器的输出信号分别为 和 。 10、变容二极管的结电容γ)1(0 D r j j U u C C += 其中γ为变容二极管的 ； 变容二极管作为振荡回路总电容时，要实现线性调频，变容二极管的γ值应 本科生考试试卷(A) （ 2007-2008 年 第一 学期）
等于 。 二、单项选择题（10分）（每空1分） 1、具有抑制寄生调幅能力的鉴频器是 。 A. 比例鉴频器 B.相位鉴频器 C. 双失谐鉴频器 D.相移乘法鉴频器 2、图1是 电路的原理方框图。图中t t U u c m i Ω=cos cos ω；t u c ωcos 0= 图 1 A. 调幅 B. 混频 C. 同步检波 D. 鉴相 3、下面的几种频率变换电路中， 不是频谱的线性搬移。 A . 调频 B .调幅 C .变频 D . 包络检波 4、图2所示是一个正弦波振荡器的原理图，它属于 振荡器 。 图 2 A . 互感耦合 B .西勒 C .哈特莱 D .克拉泼5、若载波频率为c f ，调制信号频率为F ，那么双边带调幅波的频带宽度 为 。 A. 无穷大 B. 2F C. 2c f D. F 6、在保持调制规律不变的情况下，将输入的已调波的载波频率s f 变换成固定的中频I f 的过程称为 。 A. 调制 B. 解调 C. 倍频 D. 变频 7、图3所示是振荡器的高频等效电路，有可能振荡的电路是 。