《电力工程基础》作业三
如图所示单电源辐射形电网，保护1、2、3均采用阶段式电流保护，巳知线路电抗X1=0.4Ω/km ，发电机电压等级110kV ，AB 线路最大工作电流。.max 400fh I A =，BC 线路最大工作电流 .max 350fh I A =，保护l
的Ⅰ段定值.1 1.3dz I kA I =,Ⅲ段时限 .11dz t s =Ⅲ,保护4的Ⅲ段时限 .43dz t s =Ⅲ
；可靠系数k K I 、k K Ⅲ取1.2，k K 取1.1, K zq ＝1.5；最大
运行方式下A 点故障电流(3)..max 12d A I kA =, 最小运行方式下A 点故障电
流(3)
..min 10d A I kA =.
求：保护3的各段定值。
解： 1．短路电流计算
(1) 求系统阻抗：最大运行方式时
最小运行方式时
Ω=Ω==
???53.512
3/115)3(max min A d s I E x φΩ
==???64.6)
3(min max A d s I E x φ
浙江大学远程教育学院 《电子技术基础》课程作业 模拟电子技术基础部分 题1 在图1电路中,设V t v i ωsin 12=,试分析二极管的导电情况(假定D 均为理想二极管)。 解:题中的电路就是二极限幅电路,对电路(a), 当输入电压幅度6+≥i v V 时, 二极管导电,输出电压电压6+≤i v 时D 截止,为+6V,当输入输入电压i o v v =;对电输出电压等于电压幅度6+≤i v V 时 路(b),当输入 二极管导电,输出电压为i o v v =,输入电压6+≥i v V 时,二极管截止,输出电压为+6V ;对电路(c),就是一个双向限幅电路,当输入电压6-≤i v V 时,D 1导电、D 2截止,输出为—6V ,当输入电压8+≥i v V 时,D 2导电、D 1截止,输出电压为+8V 。 题2 电路如图2所示,分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管D 的导通压降V D =0、7 V,并求出D 导通时电流I D 的大小。 (1)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1= 2 k Ω,R 2= 3 k Ω; (2)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1=R 2= 3 k Ω; (3)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1= 3 k Ω,R 2= 2 k Ω。 图2 解:(1)求出二极管两端 的开路电压,如开路电压使二极管正偏,则二极 管导电,然后再求出流过二极管 的电流。二极管开路后流过R1与R2的电流:mA R R V V I CC CC 4.25 12 2121==++= ,则二极 管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 2.11122=-=-=,由于二极管两端开路电压大于0、7V ,所以二极管导电,导电后,二极管二端压降为0、7V 。此时流过二极管的 图1
电工电子技术基础_在线作业_5 交卷时间：2017-01-16 13:54:47 考试成绩100分 一、单选题 1. (5分)555集成定时器内部属于（）电路。 ? A. 模拟 ? B. 模拟和数字 ? C. 数字 ? D. 分立元件 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 2. (5分)74290的控制信号R9(1)、R9(2)均为高电平时，计数器的输出为（）。
? A. 0 0 0 0 ? B. 1 0 0 1 ? C. 1 1 1 1 ? D. 1 0 0 0 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础展开解析 答案B 解析 3. (5分) ? A. 串联电 压负反馈 ? B. 并联电流负反馈 ? C. 串联电流负反馈 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 某测量放大电路，欲提高输入电阻、稳定输出电流，应引入（）。
答案C 解析 4. (5分)为了提高电感性负载的功率因数，可以采用与电感性负载串联电容的办法。（） ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 5. (5分)恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化，但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。（） ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分：5
知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 6. (5分)可以表示为（）。 ? A. ? B. ? C. ? D. 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案D 解析 7. (5分)555集成定时器内部3个电阻的作用是（）。 ? A. 加压 ? B. 充电
【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热
2013-2014年第2学期课程离线作业 课程名称：_______________ 基础工程B ____________________ 班级（全称）:土木工程（工民建）2013-16班（专本） 姓名： _______________ 陈士生 ____________________ 学号： ______________ 13821935 __________________ 西南交通大学网络教育学院福建宁德学习中心
第一次作业 21.某原状土样测得土的密度p= 1.9g/cm 3 , 土粒比重G=2.65 , 土的含水率w= 2 0.0 %。求孔隙比、孔隙率、饱和度、干密度、饱和密度、有效重度？ G/JI 十的 丫 2.65x10x(1 + 020). “升 = ----------------- 1 = --------------------------- 1 = U.C7J ' 19 n= ----- = 1+E S 严空 e 1 + 0.673 严心°』盹 0,673 p 1 9 . C = ^—= =1. 583^ 1+w 1 + 0.20 p.wp 虫 2.65 + 0.673x1 .: p = ---- --- 匚旦= ----------------------- =1.跖 b g cm , 1 + e 1 + 0.673 ■人一人 263-10 : / - 口——A — ----------- -- = 9. 盒?\ m 1+左 1+0.673 22.某土样内摩擦角 '一-",黏聚力：'-二九 问：（：）作单轴压力试验时，垂直压力加到多大土样将被剪破？ （^ ）液压为5
第一篇 第4章习题 题1.4.1 在图题1.4.1所示电路中，设BJT 的100=β，Ω=k r be 1，0=s R 。 （1）求电路的下限频率L f ； （2）当信号源频率下降到下限频率L f 时，电压放大倍数为多少？输出电压与信号源电压的相位差为多少？ 图题1.4.1 图题1.4.2 答：（1）考虚了耦合电容和输入回路电阻后，可求得时间，然后计算Hz f L 159=；（2）141=vL A ，相位差-225o ； 题1.4.2 电路如图题1.4.2所示，设BJT 的50=β，Ω=k r be 1。 （1）求电路的下限频率L f ； （2）当信号源频率下降到下限频率L f 时，电压放大倍数为多少？ 答：（1）它的下限频率由输出回路决定，考虚了耦合电容和回路电阻后，可求得时间，然后计算Hz f L 8.39=；（2）36.1=vL A ； 题1.4.5 某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为 ()() kHz 50/1Hz 10/1)Hz 10/(100jf jf jf A v ++-= 画出波特图，求其下限截止频率L f 和上限截止频率H f 。 答：波特图如下。f L =10Hz ， f H =50kHz 。
题1.4.6 某放大电路电压放大倍数高频段的频率特性表达式为 ()() MHz 1/1kHz 100/1100jf jf A v ++-= 画出波特图，求其上限截止频率H f 的近似值。 答：波特图为： 图3.1.20 上限截止频率 f H ≈100kHz 。 题1.4.7 已知某反相放大电路电压放大倍数的对数幅频特性曲线如图题1.4.7所示： (1) 写出该放大电路电压放大倍数的频率特性表达式； (2) 写出该放大电路电压放大倍数的相频特性表达式，画出对数相频特性曲线。 图题1.4.7 答：（1）频率特性表达式为： （2）对数相频特性表达式为： )100/arctan()10arctan()1.0/arctan(180z f z f z f o MH -MH -MH --=? )100/1)(10/1)(1.0/1(104 . z jf z jf z jf A V MH +MH +MH +-=
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错） 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 1
西南交《数字电子技术基础A》离线作业 1. 已知输入信号A、B、C的波形，试画出图2所示各电路输出（L1、L2、L3）的波形。设触发器的初态为0。（10分） 图2 2. 如图3所示，为检测水箱的液位，在A、B、C、三个地方安置了三个水位检测元件，当水面低于检测元件时，检测元件输出低电平，水面高于检测元件时，检测元件输出高电平。试用与非门设计一个水位状态显示电路，要求：当水面在A、B之间的正常状态时，仅绿灯G亮；水面在B、C 间或A以上的异常状态时，仅黄Y灯亮；水面在C以下的危险状态时，仅红灯R亮。（10分）
3. 逻辑电路如图4所示，试画出Q0、Q1、Q2的波形。设各触发器初态为0。（10分） 4. 已知某同步时序逻辑电路的时序图如图5所示。（10分） 1．列出电路的状态转换真值表，写出每个触发器的驱动方程和状态方程 2．试用D触发器和与非门实现该时序逻辑电路，要求电路最简。画出逻辑电路图。
电路具自启动能力 5. 用移位寄存器74194和逻辑门组成的电路如图6所示。设74194的初始状态Q3Q2Q1Q0 =0001，试画出各输出端Q3、Q2、Q1、Q0和L的波形。（10分） 解：
6. 电路如图7所示，图中74HC153为4选1数据选择器。试问当MN为各种不同输入时，电路分别是那几种不同进制的计数器。（10分） 7. 由555定时器组成的脉冲电路及参数如图8 a所示。已知vI的电压波形如图b所示。试对应vI画出图中vO1、vO2的波形；（10分） 解： 8.逻辑电路如图2 a、b、c所示。试对应图d所示输入波形，分别画出输出端
L1、、L2 和L3的波形。(设触发器的初态为0) （10分） 图 2 9.发由全加器FA、2-4线译码器和门电路组成的逻辑电路如图3 a所示。试在图b中填写输出逻辑函数L的卡诺图（不用化简）。（10分）
电工电子技术基础-在线作业_C最终成绩：100.0 一单项选择题 1. 字符“A”的ASCII码为（）。 1000100 1000001 0001100 1001000 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答： 1000001 知识点： 2. 逻辑变量的取值，1比0大。（）。 错 对 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 3. 异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（） 对 错 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 4. 的逻辑表达式为（）。
本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答： 知识点： 5. 上图电路的逻辑表达式为（）。 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答： 知识点： 6. 若两个函数具有相同的真值表，则两个逻辑函数必然相等。（） 错 对 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 7. 若两个函数具有不同的逻辑函数式，则两个逻辑函数必然不相等。（） 错
本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：错 知识点： 8. 上图是一位（）电路符号。 全加器 译码器 半加器 编码器 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：全加器 知识点： 9. “竞争-冒险”现象是由于门电路出现互补输入信号的缘故。（） 错 对 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 10. 时序逻辑电路的输出（）。 与电路的上一个状态无关 只与输入信号有关 与电路的上一个状态有关 与输入信号无关 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：与电路的上一个状态有关
《数字电路与逻辑设计》作业 教材：《数字电子技术基础》 （高等教育出版社，第2版，2012年第7次印刷）第一章： 自测题： 一、 1、小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路 5、各位权系数之和，179 9、01100101，01100101，01100110； 11100101，10011010，10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题： 1.3、解： (1) 十六进制转二进制： 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制：010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制：(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以：(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制： 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制：011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制：(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以：(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10
(3) 十六进制转二进制：8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101二进制转八进制：100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制：7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制：011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解： (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 （1）(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 （2）(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 （3）(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 （4）(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补
1. 若规定一个电路元件的电压与电流参考方向相关联，并计算得出其功率大于0，则该电路元件是吸收功率。（） 对 错 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 2. 对于电路中的一个线性电阻元件，若规定其电压u和电流i的参考方向一致，则。（） 对 错 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 3. 对于电路中的一个线性电感元件，若规定其电压u和电流i的参考方向一致，则。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点：
4. 对于电路中的一个线性电容元件，若规定其电压u和电流i的参考方向一致，则。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 5. 恒压源和恒流源可以等效互换。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：错 知识点： 6. 恒压源的端口电压不会随负载的变化而变化，但恒压源的端口电流却会随负载的变化而变化。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点：
7. 恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化，但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：错 知识点： 8. 当电路发生换路时，对电容元件来说，应有。（） 对 错 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 9. 当电路发生换路时，对电感元件来说，应有。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：错 知识点： 10. 若购得一个耐压为300V的电器，则可以用在220V的交流电源上。（） 对
2、分析电路中，各二极管是导通还是截止？并求出 管)。 3、二极管接成所示的电路，分析在下述条件下各二极管的通断情况。 (1) V C CI =6V, V CC =6V, R=2kQ, R 2=3k Q (2) V CCI =6V, V C C 2=6V, R I = F 2=3kQ (3) V C CI =6V, V CC =6V, F=3kQ , F 2=2k Q 设二极管D 的导通压降 V D =0.7V ，求出D 导通时电流I D 的大小。 4、图所示电路中，设晶体管的 3 =50, V BE =0.7V 。 (1) 试估算开关S 分别接通A 、B C 时的I B 、I C 、V CE 并说明管子处于什么工作状态。 (2) 当开关S 置于B 时，若用内阻为10k Q 的直流电 压表分 别测量 V BE 和V CE ,能否测得实际的数值？试 画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所 测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？ (3) 在开关置于A 时，为使管子工作在饱和状态 (设 临界饱和时的 V CE =0.7V ), F C 值不应小于多 少？ (1) V =12V, R=4KQ , Fb=8k (2) V =12V, R=4KQ , R z =4k Q ; (3) V =24V, R=4KQ , R z =2k Q ; (4) V =24V, R=4KQ , R z =1k Q 。 试确定输出电压V O 的值。 5、图所示均为基本放大电路，设各三极管的 r bb =200Q , 3 =50, V BE =0.7V 。 计算各电路的静态工作点; 何 2) A 、O 两端的电压 V A 。(设D 为理想二极 0.5 V (+15 V)
第二篇 第5章习题 题2.5.1 一双电源互补对称电路如图题2.5.1所示，设已知V CC =12V ，R L =16Ω，v I 为正弦波。求： （1）在三极管的饱和压降V CES 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P om =？ （2）每个管子允许的管耗P CM 至少应为多少？ （3）每个管子的耐压｜V (BR)CEO ｜应大于多少？ 图题2.5.1 解：(1) 负载上可能得到的最大输出电压幅度V om =12V (W 5.41621222 2=?== L om om R V P ) (2) (W)9.02.0(max)==om CM p P ∴CM P ≥0.9W (3) CEO BR V )(≥24V 题2.5.2 在图题2.5.2 所示的OTL 功放电路中，设R L =8Ω，管子的饱和压降｜ＶCES ｜可以忽略不计。若要求最大不失真输出功率（不考虑交越失真）为9W ，则电源电压V CC 至少应为多大？（已知v i 为正弦电压。） 图题2.5.2
解：W 982)21 (2)21(2 2(max)=?==CC L CC om V R V P V CC =24(V) ∴电源电压V CC 至少24V 题2.5.3 OTL 放大电路如图题2.5.3所示，设T 1、T 2特性完全对称，v i 为正弦电压，V CC =10V ，R L =16Ω。试回答下列问题： （1）静态时，电容C 2两端的电压应是多少？调整哪个电阻能满足这一要求？ （2）动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？ （3）若R 1=R 3=1.2k Ω，T 1、T 2管的β=50，｜V BE ｜=0.7V ，P CM =200mW ，假设D 1、D 2、R 2中任意一个开路，将会产生什么后果？ 图题2.5.3 解：(1) 静态时，电容C 2两端的电压应为5V 。调整R 1、R 3，可调整上、下两部分电路的对称性，从而使C 2两端电压为5V 。 (2) 若出现交越失真，应调大R 2，使b １b 2间电压增大，提供较大的静态电流。 (3) 若D 1、D 2、R 2中任意一个开路，则(m A)58.3221 21=-==R V V I I BE CC B B I C1=I C2=βI B1=179(mA) P C =I C1·V CE =I Ｃ１·5V=895(mW)＞Pcm,∴功率管会烧坏。 题2.5.4 在图题2.5.3电路中，已知V CC =35V ，R L =35Ω，流过负载的电流i L =0.45cos ωt （A ）。求： （1）负载R L 所能得到的信号功率P o ； （2）电源供给的功率P E ； （3）两个管子的总管耗P T 。 解：(1) (W)54.3)2 ( 2≈=L Lm o R i P
浙江大学远程教育学院 《电子技术基础》课程作业 姓名：学号: 年级：学习中心： 模拟电子技术基础部分 题1在图1电路中，设v I2sin t V，试分析二极管的导电情况（假定D均为理想二极管） 图1 解：题中的电路是二极限幅电路，对电路（a），当输入电压幅度v i6V时，二极管导电，输出电压为+6V,当输入电压V i 6时D截止，输出电压等于输入电压V。V i ；对电路（b）,当输入电压幅度v i 6 V时二极管导电，输出电压为V。 v i，输入电压v i 6 V 时，二极管截止，输出电压为+6V；对电路（c）,是一个双向限幅电路，当输入电压v i 6 V 时，D1导电、D2截止，输出为一6V，当输入电压v i 8V时，D2导电、D1截止，输出电 压为+8V。 -0 V
5 题 2 电路如图2所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管 D 的导通压 解：（1）求出二极管两端的开路电压，如开路电压使二极管正偏，则二极管导电，然后再求 出流过二极管的电流。二极管开路后流过 R1和R2的电流： IR 2 V Q V cci IR i 1.2V ，由于二极管两端开路电压大于 降V D =0.7 V ，并求出 D 导通时电流I D 的大小。 (1)V C CI = 6 V , V cc = 6 V , R i = 2 k Q, R ?= 3 k Q; V cci V cC2 R i R 2 12 2.4mA ，则二极管两端的开路电压 0.7V ，所以二 ■l E) J 1Z 06 %宁 !■ I II f. (2) V Cci = 6 V , V cc = 6 V , R i =Ra= 3 k Q; 图2
电工电子技术基础_在线作业_2 交卷时间：2016-10-30 12:37:53 一、单选题 1. (5分)要使JK触发器的输出Q处于反转的状态，它的输入信号JK应为（）。 A. 0 0 B. 1 0 C. 0 1 D. 1 1 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 2. (5分)由555集成定时器组成单稳态触发器时，需要外加的元件是（）。 A. 两个电阻、一个电容 B. 两个电容
C. 一个电阻、一个电容 D. 两个电阻 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 3. (5分)要使JK触发器的输出Q=0的状态，它的输入信号JK应为（）。 A. 不变 B. 0 1 C. 1 0 D. 翻转 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析
4. (5分)上图是（）电路符号。 A. 逻辑与 B. 逻辑非 C. 逻辑或 D. 逻辑加 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 5. (5分)计数器电路由触发器组成。（） A. 对 B. 错 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础
收起解析 答案 A 解析 6. (5分)在交流电路中，电动势、电压及电流的有效值分别表示为（）。 A. B. C. D. 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 7. (5分)字符“A”的ASCII码为（）。 A. 0001100 B. 1001000 C. 1000100
D. 1000001 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 8. (5分)在交流电路中，容抗随频率的增大而增大。（） A. 对 B. 错 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 9. (5分)逻辑变量的取值，1比0大。（）。
一、选择题（每小题3分，共30分） 1. 对桩的布置方案有影响的因素是（ ABC ）。 A.桩的中心距； B.上部结构布置； C.荷载分布； D.承台标高和其材料性能 2. 在极限承载力下，桩顶荷载主要由桩侧阻力承担的桩称为（CD ）。 A.摩擦端承桩； B.端承桩； C.摩擦桩； D.端承摩擦桩 3. 减少建筑物不均匀沉降的建筑措施包括下述（ ABC ） A建筑物体型力求简单； B 适当设置沉降缝； C 合理确定相邻建筑物的间距； D 设置圈梁 4.某地区标准冻深为1.9m，地基由均匀的粉砂土组成，为冻胀土，场地位于城市市区，基底平均压力为130 kPa，建筑物为民用住宅，基础尺寸2.0m×2.0m，基础的最小埋深（ B ）m。 A 1.2； B 1.15； C 1.25； D 1.9 5.在地下水位较高的市区建设高层建筑，适宜采用的桩型有（ AC ）。 A.静压式预制桩； B.打入式预制桩； C.钻孔灌注桩； D.挖孔灌注桩 6. 淤泥、淤泥质土、湿陷性黄土等地基的浅层处理，宜采用（ D ）。 A堆载预压法； B 强夯法； C 振冲法； D 换填法 7. 对于基底压力分布下列说法中( BCD )正确。 A柔性基础底面的接触压力是均匀分布的； B 柔性基础基底反力分布与作用荷载分布相同； C 刚性基础在中心荷载作用下沉降均匀，基底的沉降处处相等，基底保持水平； D刚性基础当中心荷载不大时，基底反力呈马鞍形分布 8混凝土灌注桩的桩身混凝土强度等级不得低于（ D ） A C35； B C25； C C20； D C15
9.地基基础设计为甲级的建筑物，在进行地基基础设计时，需要进行的计算和满足的是（ABCD） A.持力层地基承载力； B.软弱下卧层地基承载力； C.地基变形设计； D.地基的抗冻胀要求 10. 部分挤土桩中包括（ BD ）。 A混凝土预制桩； B 钢管桩； C 沉管灌注桩； D 预钻孔打入式预制桩 二、简答题（每小题8分，共40分） 1.刚性基础有哪些主要特点？ 受荷后基础部产生挠曲，当基础顶面承受的外荷载合力通过基底形心时基底沉降处处相等。它的的优点是稳定性好施工方便 能承受较大荷载，缺点是由于受到刚性角的限制而使基础高度较大材料用量多。有钢筋混凝土柱下独立基础和钢筋混凝土墙下条形基础。适用于6层和6层以下的民用建筑和砌体承重的厂房以及荷载较小的桥梁基础。台阶宽高比的限值与基础材料和基底反力大小有关。 2.地基处理方法有哪些？ (1)换填法：当建筑物基础下的持力层比较软弱、不能满足上部结构荷载对地基的要求时，常采用换土垫层来处理软弱地基。 (2)预压法：预压法是一种有效的软土地基处理方法。 (3)强夯法：即用几十吨重锤从高处落下，反复多次夯击地面，对地基进行强力夯实。 (4)振冲法：是振动水冲击法的简称，按不同土类可分为振冲置换法和振冲密实法两类。振冲法在粘性土中主要起振冲置换作用，置换后填料形成的桩体与土组成复合地基；在砂土中主要起振动挤密和振动液化作用。振冲法的处理深度可达10m左右。 (5) 深层搅拌法：利用水泥或其它固化剂通过特制的搅拌机械，在地基中将水泥和土体强制拌和，使软弱土硬结成整体，形成具有水稳性和足够强度的水泥土桩或地下连续墙，处理深度可达8～12m。 施工过程：定位—沉入到底部—喷浆搅拌（上升）—重复搅拌（下沉）—重复搅拌
第二篇第5章习题 题2.5.1 一双电源互补对称电路如图题2.5.1所示，设已知V=12V，R=16Ω，v为正弦波。求：ILCC （1）在三极管的饱和压降V可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率CES P=？om （2）每个管子允许的管耗P至少应为多少？CM（3）每个管子的耐压｜V｜应大于多少？(BR)CEO 图题2.5.1 解：(1) 负载上可能得到的最大输出电压幅度V=12V om22V12om??4.5(WP?) om2R2?16L P?0.2p?0.9(W) (2) ∴≥0.9W P om(max)CMCM(3) ≥24V V CEO(BR)Ｖ｜可以忽略Ω，管子的饱和压降｜OTL功放电路中，设R=82.5.2 题2.5.2 在图题 所示的CESL不计。若要求最大不失真输出功率（不考虑交越失真）为9W，则电源电压V至少应 为多大？CC（已知v为正弦电压。）i 图题2.5.2 335 1122)((V)V CCCC22 解：W9P???(max)om8?R22L=24(V) V CC24V 至少∴电源电压V CC ，V=10V2.5.3所示，设T、T特性完全对称，v为正弦电压，题2.5.3 OTL放大电路如图题CC2i1Ω。试回答下列问题：R=16L C两端的电压应是多少？调整哪个电阻能满足这一要求？（1）静 态时，电容2）动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？（2、=200mW，P，假设D、D，R=1.2kΩT、T管的β=50，｜V｜=0.7V）若（3R=23BE2CM111 R中任意一个开路，
将会产生什么后果？2 2.5.3 图题，可调整上、下两部分电路的对称5V。调整R、R解：(1) 静态时，电容C两端的电压应为321性，从而使。C两端电压为5V2间电压增大，提供较大的静态电流。，使bb (2) 若出现交越失真，应调大R22１V2V?CCBE中任意一个开路，则R (3) 若D、D、??I.58(mA)I?321221BB R21 II=I=β=179(mA) B1C2C1·5V=895(mW)＞∴功率管会烧坏。Pcm,·P=IV=I CEC1C （流过负载的电流i=0.45cosωtA）。Ω，已知2.5.4 题在图题2.5.3电路中，V=35VR=35，Ｃ１求： LLCC）负载（1R所能得到的信号功率P；oL；2）电源供给的功率P（E P。3（）两个管子的总管耗T i2Lm解：(1) (W)??P()R543.Lo2336 ??22 (2) t?cos?tdVV?d?i?t?0P?.45CCELCC???2?2??221 ??11 =(W)?545?0.?2?V CC?2 (3) (W).46P?P?1P?oTE题2.5.6 图题2.5.6功放电路中，设运放A 的最大输出电压幅度为±10 V，最大输出电流为±10mA，晶体管T、T的｜V｜=0.7V。问：BE12（1）该电路的电压放大倍数A=？vf（2）为了得到尽可能大的不失真输出功率，T、T管的β值至少应取多少？21（3）该电路的最大不失真输出功率P=？om（4）当达到上述功率时，输出级的效率是多少？每个管子的管耗多大？
精品文档 一、填空题： 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。 2、三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。三极管对外引出的电极分别是极、极和极。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） （）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。 （）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 三、选择题 1、单极型半导体器件是（）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 四、简述题 1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？ 2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？ 精品文档
基础工程B第1次作业 一、单项选择题(只有一个选项正确，共20道小题) 1. 天然状态砂土的密实度一般用（）来测定 (A) 载荷试验 (B) 轻便触探试验 (C) 现场十字板剪切试验 (D) 标准贯入试验 =19,该土为（） 2. 某黏性土的I L (A) 粉土 (B) 粉质粘土 (C) 黏土 (D) 砂土 3. 软土的特点之一是（） (A) 透水性好 (B) 强度较高 (C) 天然含水量较少 (D) 压缩性高 4. 原岩经风化作用而残留在原地的碎屑物称为（） (A) 坡积土 (B) 残积土 (C) 洪积土 (D) 冲积土 5. 下列指标中，( )不是描述无粘性土性质的指标 (A) 灵敏度 (B) 相对密实度 (C) 标准贯入数 (D) 均不是 6. 黏性土软硬状态的划分依据是（） (A) 含水量 (B) 液限 (C) 液性指数 (D) 塑性指数 将随着深度 7. 地基表面作用有矩形均布荷载，则矩形中心点下的竖向应力
的增加而( )。 (A) 保持不变 (B) 线性减小 (C) 线性增大 (D) 呈非线性衰减 8. 采用简化算法计算矩形基础基底压力分布时，若偏心方向的边长为，则当偏心距（），基底压力呈梯形分布。 (A) (B) (C) (D) 9. 通常，地基的最终沉降量与土的（）密切相关。 (A) 强度 (B) 压缩性 (C) 渗透性 (D) 前述三项 10. 由于大量抽水导致了地下水位的下降，由此可能产生的结果是( )。 (A) 土层中有效应力增大,地表上升 (B) 土层中有效应力减小，地表下 (C) 土层中有效应力不变,地表下沉 (D) 土层中有效应力增大,地表下沉 11. 所谓“无粘性土”，是指其( ) (A) (B) (C) (D) 12. 在渗流场中某点的渗流力( ) (A) 随水力梯度的增加而增加 (B) 随水力梯度的增加而减小
第二篇 第4章习题 题2.4.1 一个负反馈放大器产生自激振荡的相位条件为π?)12(+=n AF ，而正弦振荡器中的相位平衡条件是π?n AF 2=，这里有无矛盾？ 答：负反馈反馈回来的信号与原信号应该是-180o 的正数倍，才能形成负反馈； 而振荡电路必须是正反馈，即反馈回来的信号应该是原信号360o 的正数倍。 题2.4.2 振荡器的幅度平衡条件为1=。 。F A ，而起振时，则要求1>。 。F A ，这是为什么？ 答：平衡条件是稳定振荡时的幅度要求，而起振必须要求正反馈量不断地大于原信号，才能振起来。振起来后，如一直还大于，则放大器会进入饱和，使信号失真，所以应该进入稳定振荡，即要求振幅自动维持在1的水平。 题2.4.3 RC 桥式正弦振荡器如图题2.4.3 所示，其中二极管在负反馈支路内起稳幅作用。 图题2.4.3 （1）试在放大器框图A 内填上同相输入端（+）和反相输入端（-）的符号，若A 为μA741型运放，试注明这两个输入端子的管脚号码。 （2）如果不用二极管，而改用下列热敏元件来实现稳幅：（a ）具有负温度系数的热敏电阻器；（b ）具有正温度系数的钨丝灯泡。试挑选元件（a ）或（b ）来替代图中的负反馈支路电阻（R 1或R 3），并画出相应的电路图。 答：(1) RC 桥式正弦振荡器中，由于RC 串并联网络在f=f o 时，其相移φAF =0，为满足相位条件：φAF =φA +φF =0，放大器必须接成同相放大器，因此与RC 串并联网络连接的输入端为(+)，与负反馈支路连接的输入端为(-)，若A 为A741，其管脚号为：反相输入端为2，同相输入端为3。 (2) (a)负温度系数的热敏电阻取代R 3；