微电子工艺技术-复习要点答案(完整版)
第四章晶圆制造
1．CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。答：1、溶硅2、引晶3、收颈4、放肩5、等径生长6、收晶。CZ法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石英坩埚内的高纯度电子级硅在1415度融化（需要注意的是熔硅的时间不宜过长）。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后，将籽晶
缓慢拉出，同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均
匀性。
FZ法：即悬浮区融法。将一条长度50-100cm 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化，然后
把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔
融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线
圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。
CZ法优点：①所生长的单晶的直径较大，成本相对较低；②通过热场调整及晶转，坩埚等工艺参数的优化，可以较好
的控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生
长高电阻率单晶。
FZ法优点：①可重复生长，提纯单晶，单晶纯度较CZ法高。②无需坩埚、石墨托，污染少③高纯度、高电阻率、低氧、低碳④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。缺点：直径不如CZ法，熔体与晶体界面复杂，很
难得到无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。
MCZ：改进直拉法优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用，降低了缺陷密度，氧含量，提高了电阻分布的均匀
性
2．晶圆的制造步骤【填空】
答：1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。
2、切片
3、磨片和倒角
4、刻蚀
5、化学机械抛光
3. 列出单晶硅最常使用的两种晶向。【填空】
答：111和100.
4. 说明外延工艺的目的。说明外延硅淀积的工艺流程。答：在单晶硅的衬底上生长一层薄的单晶层。
5. 氢离子注入键合SOI晶圆的方法
答：1、对晶圆A清洗并生成一定厚度的SO2层。2、注入一定的H形成富含H的薄膜。3、晶圆A翻转并和晶圆B 键合，在热反应中晶圆A的H脱离A和B键合。4、经过CMP和晶圆清洗就形成键合SOI晶圆
6. 列出三种外延硅的原材料，三种外延硅掺杂物【填空】
7、名词解释：CZ法提拉工艺、FZ法工艺、SOI、HOT(混合晶向)、应变硅
答：CZ法：直拉单晶制造法。FZ法：悬浮区融法。SOI：在绝缘层衬底上异质外延硅获得的外延材料。HOT：使用选择性外延技术，可以在晶圆上实现110和100混合晶向材料。应变硅：通过向单晶硅施加应力，硅的晶格原子将会被拉长或者压缩不同与其通常原子的距离。
第五章热处理工艺
1. 列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？
答：1、原生氧化层2、屏蔽氧化层3、遮蔽氧化层4、场区和局部氧化层5、衬垫氧化层6、牺牲氧化层7、栅极氧化层8、阻挡氧化层
2. 栅氧化层生长的典型干法氧化工艺流程
答：1、850度闲置状态通入吹除净化氮气。2、通入工艺氮气充满炉管。3、将石英或碳化硅晶圆载舟缓慢推入炉管中4、以大约10度每分钟升温。5、工艺氮气气流下稳定温度。6、关闭氮气，通入氧气和氯化氢，在晶圆表面生成SO2薄膜。
7、当氧化层达到厚度时，关掉氧气和氯化氢，通入氮气，进行氧化物退火。8、工艺氮气气流下降温。9、工艺氮气气流下将晶舟拉出，闲置状态下吹除净化氮气。
3. 影响扩散工艺中杂质分布的因素
答：1、时间与温度，恒定表面源主要是时间。2、硅晶体中存在其他类型的点缺陷p75-p77
4. 氮化硅在IC芯片上的用途
答：1、硅局部氧化形成过程中，作为阻挡氧气扩散的遮蔽层。2、作为化学抛光的遮挡层。3、用于形成侧壁空间层、氧化物侧壁空间层的刻蚀停止层或空间层。4、在金属淀积之前，作为掺杂物的扩散阻止层。5、作为自对准工艺的刻蚀停止层。
5. 离子注入后的RTA流程
答：1、晶圆进入2、温度急升3、温度趋稳4、退火5、晶圆冷却6、晶圆退出
6. 为什么晶体晶格离子注入工艺后需要高温退火？使用RTA退火有什么优点【填空】
答：消除晶格损伤，恢复载流子寿命以及迁移率，激活一定比列的掺杂原子。P112 降低了退火温度或者说减少了退
火时间，减少了退火时的表面污染，硅片不会产生变形，不会产生二次缺陷，对于高剂量注入时的电激活率较高。7. SiO2-Si界面中存在几种电荷？对器件性能有哪些影响？工艺上如何降低它们的密度【综合】
答：有5种。Li RB+ Cs+ K+几乎没有影响Na+会引起mos晶体管阈值电压的不稳定。P57 1、使用含氯的氧化工艺2、用氯周期性的清洗管道、炉管和相关的容器。3、使用超纯净的化学物质4、保证气体及气体传输过程的清洁，保证栅电极材料不受污染。
8. 扩散掺杂工艺的三个步骤【填空】
答：1、晶圆清洗。2、生长遮蔽氧化层3、光刻4、刻蚀5、去光刻胶6、清洗7、掺杂氧化物淀积8、覆盖氧化反应9、掺杂物驱入
9. 名词解释：结深、退火、RTP、RTA、RTO、合金化热处理
答：结深：如果扩散杂质与硅衬底原有杂质的导电类型不同，在两种杂质浓度的相等处会形成PN结，此深度为结深。退火：将注有离子的硅片在一定温度下，经过适当时间的热处理，则硅片中的损伤就可能部分或大部分得到消除，载流子寿命以及迁移率也会不同程度的恢复，掺杂原子得到一定比例的电激活。这样的过程叫热退火。
RTP: 快速加热工艺。是一种升温速度非常快的，保温时间很短的热处理方式。
RTA：快速加热退火系统。高温退火消除损伤恢复单晶结构并激活掺杂原子
RTO：快速加热氧化。
合金化热处理：利用热能使不同原子彼此结合成化学键而形成金属合金的一种加热工艺。
第六章光刻工艺
1. 列出光刻胶的四种成分【填空】
答：聚合物、感光剂、溶剂和添加剂
2. 光刻工艺3个主要过程【填空】
答：光刻胶涂敷、曝光和显影
3. 显影工艺的3个过程【填空】
答：显影、硬烘烤和图形检测
4. 列出4种曝光技术，并说明那种分辨率最高，说明各种曝光技术的优缺点。
答：1、接触式曝光：分辨率较高，可在亚微米范围内。接触时的微粒会在晶圆上产生缺陷，光刻版的寿命也会减短。
2、接近式曝光：光刻板寿命长，分辨率在2UM。
3、投影式曝光：解决了微粒污染，可以整片曝光，但是分辨率较低。
4、步进式曝光：分辨率高，nm级，无微粒污染。但是不能整片曝光，价格昂贵。步进式曝光的分辨率最高。
5. 光刻工艺的8道工序
答：八道工序为：晶圆清洗、预烘培和底漆涂敷、光刻胶自旋涂敷、软烘烤、对准和曝光、曝光后烘烤，以及显影、硬烘烤和图形检测
6. 软烘烤的目的是什么？列出烘烤过度和不足会产生什么后果？
答：目的：将光刻胶从液态转变为固态，增强光刻胶在晶体表面的附着力。使光刻胶含有5%-20%的残余溶剂。
不足后果: 1、光刻胶在后续工艺中因为附着力不足脱落2、过多的溶剂造成曝光不灵敏3、硬化不足，光刻胶会在晶圆表面产生微小震动，会在光刻胶上面产生模糊不清的图像。
过度后果：光刻胶过早聚合和曝光不灵敏
①解释曝光后烘烤的目的。PEB（曝光后烘烤）烘烤过度和不足会产生什么问题？
答：目的：降低驻波效应
不足：无法消除驻波效应，影响分辨率。过度：造成光刻胶的聚合作用，影响显影过程，导致图形转移失败。
②解释硬烘烤的目的。光刻胶硬烘烤过度和不足会产生什么问题？
答：目的：除去光刻胶内的残余溶剂、增加光刻胶的强度，并通过进一步的聚合作用改进光刻胶的刻蚀与离子注入的抵抗力。增强了光刻胶的附着力。
过度：影响光刻技术的分辨率。不足：光刻胶强度不够
7. 什么是驻波效应？如何减小驻波效应
答：驻波效应：当曝光的光纤从光刻胶与衬底的界面反射时，会与入射的曝光光线产生干涉，会使曝光过度和不足的区域形成条纹状结构。
减小驻波效应的办法：1、光刻胶内加染料可以减小反射强度。2、经验表面淀积金属薄膜与电介质层作为抗反射镀膜减少晶圆表面的反射。3、采用有机抗反射镀膜层。4、通过曝光后烘烤降低。
8. 名词解释：光刻技术、正光刻胶、负光刻胶、PSM 移相掩膜、OPC光学临界校正、离轴照明、浸入式光刻答：光刻技术：图形化工艺中将设计好的图形从光刻板或背缩光刻板转印到晶圆表面的的光刻胶上使用的技术。
正光刻胶：曝光区域变软并最后被溶解。负胶则相反。
PSM移相掩膜：相移掩膜上的电介质层在光刻版上开口部分以间隔的方式形成相移图形，通过没有相移涂敷开口部分的光线，会与通过有相移涂敷开口的光线产生破坏性干涉，相反的相移会在高密度排列区形成非常清晰的图像。
Opc光学临界校正：补偿当图形尺寸和曝光光线尺寸临近时所产生的衍射效应。
离轴照明：通过使用光圈将入射光以一定角度入射到光学系统的透镜上，收集光刻板上光栅的一级衍射，提高分辨率。
浸入式光刻：通过在物镜和晶圆表面空隙之间填充离子水以提高光刻分辨率
第七章等离子体工艺
1. 等离子体工艺在半导体制造中的应用
答：(1) IC制造中所有图形化刻蚀均为等离子体刻蚀或干法刻蚀。（2）应用于电介质积淀。（3）离子注入使用等离子体源制造晶圆掺杂所需的离子，并提供电子中和晶圆表面上的正电荷。（4）物理气相淀积用离子轰击金属靶表面，使金属
溅镀淀积于晶圆表面。（5）遥控等离子体广泛应用于清洁机台的反应室、薄膜去除、薄膜淀积工艺中。
2. 半导体工艺中等离子体最重要的三种碰撞【填空】答：离子化碰撞、激发-松弛碰撞、分解碰撞
3. 名词解释：离子化碰撞、激发-松弛碰撞、分解碰撞、平均自由程、
答：离子化碰撞：当电子和原子或者分子碰撞时，会将部分能量传递到受原子核或分子核束缚的轨道上。
激发-松弛碰撞：当电子和原子或者分子碰撞时，电子没有脱离核的束缚，而是跃迁到更高的能级叫激发。处于激发状
态的电子落回到基态或者最低能级叫松弛。
分解碰撞：当电子和分子碰撞时，碰撞的能量比分子的化学键能量高，打破了化学键的自由基。叫分解碰撞。
平均自由程：粒子和粒子碰撞前能够移动的平均距离。
第八章离子注入工艺
1. 离子注入工艺和扩散工艺相比的优点
答：温度低，使用PR遮蔽层（扩散硬遮蔽层），非等向性掺杂轮廓，可独立控制掺杂浓度和结深，批量及单晶圆工艺（扩散为单晶圆工艺）
2. 离子注入的两种阻滞机制【填空】
答：原子核阻滞和电子阻滞。
3. 离子注入的通道效应和减小通道效应的方法
答：通道效应：如果一个电子以正确的角度进入通道，它只需要很少的能量就可以行进很长的距离。
方法：（1）对大的离子，沿沟道轴向（110）偏离7-10度。（2）表面用二氧化硅掩膜。（3）用Si，Ge,F,Ar等离子使表面预非晶化，形成非晶层。（4）增加注入剂量（晶格损失增加，非晶层形成，沟道离子减少）。
4. 离子注入后为什么要进行热退火
答：离子注入的过程中，离子与晶格原子碰撞会使原子从晶格的束缚能中释放出来。热退火可以修复单晶结构并激活掺杂物。
5. 离子注入工艺在元器件中的应用(8+)
答：（1）阱区注入。（2）对重度阱区注入，抑制结击穿效应。（3）调整阈值电压。（4）多晶硅掺杂降低电阻系数。（5）扩散阻挡层的离子注入。（6）LDD注入抑制热电子效应。（7）源\漏极注入使源\漏极与多晶硅栅正下方的沟道分开以抑制热电子效应。（8）沟道终止注入形成P型掺杂隔离区。
6. 集成电路制造中常用的3种掺杂物
三氟化硼B10H14 硼烷C2B10H12
7. 离子注入设备的主要组成部分(7部分)【填空】
答：气体系统、电机系统、真空系统、控制系统、射线系统、电荷中性化系统、晶圆处理系统
8. 名词解释：通道效应
答：通道效应：如果一个电子以正确的角度进入通道，它只需要很少的能量就可以行进很长的距离。
第九章刻蚀工艺
1. IC芯片工艺过程中包括的刻蚀工艺过程(8)
答：（1）图形化和整面全区刻蚀。（2）单晶硅刻蚀用于浅槽隔离。（3）多晶硅刻蚀用于界定栅和局部互连线。（4）氧化物刻蚀界定接触窗和金属层间接触孔。（5）金属刻蚀形成金属互连线。（6）氧化层CMP停止在氮化硅层后的氮化硅剥除工艺。（7）电介质的非等向性回刻蚀形成侧壁空间层。（8）钛金属硅化物形成合金之后的钛剥离。
2. 什么是刻蚀的选择性【填空】
答：图形化刻蚀中对于光刻胶、被刻蚀薄膜和衬底三种材料的刻蚀速率不同。
3. 湿法刻蚀氧化硅、硅、氮化硅、金属的化学试剂【填空】
答：氧化硅：HF 硅：硝酸和氢氟酸的混合液氮化硅：磷酸金属：磷酸0.8 醋酸0.05 硝酸0.05 水0.1 4. 等离子刻蚀中非等性刻蚀的原理：损伤机制和阻绝机制
5. 名词解释：负载效应过刻蚀主刻蚀
答：负载效应：等离子体图形化刻蚀过程中，刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓。
过刻蚀：刻蚀薄膜时，晶圆内的刻蚀速率和薄膜厚度并不完全均匀，主刻蚀后，会有少部分的薄膜留下，移除剩余薄膜的过程称为过刻蚀。移除大部分薄膜的过程称为主刻蚀。
第十章化学气相淀积与电介质薄膜
1. 半导体工艺中常用的三种CVD反应器类型【填空】答：APCVD：常压化学气相淀积LPCVD: 低压化学气相淀积PECVD：等离子增强型化学气相淀积
2. 热生长氧化物和CVD氧化物的本质区别是什么？答：生长的薄膜与消耗的硅衬底，淀积的薄膜不消耗硅衬底。热生长的二氧化硅来自气相氧，硅来自衬底，当薄膜生长进入衬底时，这个过程会消耗衬底的硅。CVD氧化物的硅与氧都来自气相状态，并没有消耗硅衬底
3. 电介质CVD工艺最常使用的硅来源气体、氮化硅淀积中的三种源材料气体、CVD氧化物的氧来源气体答：电介质CVD中生长的硅最常用的气体是硅烷(SiH4)与TEOS(四乙氧基硅烷，Si(OC2H5)4)。
对于低k介质层：3MS(三甲基硅烷或(CH 3)3SiH )是最常使用的源材料；
对于超低k介质材料：常采用DEMS(C5H14Si)和CHO(氧化环乙烯或C4H10O)作为源材料。
4. PSG用于ILD0的2种原因；BPSG用于ILD0的原因是什么？
答：（1）可捕捉移动的钠离子（2）减小硅玻璃的加热回流温度 2.降低再流动温度
5. CVD工艺的的工艺流程
答：（1）气体或气相源材料进入反应器（2）源材料扩散穿过边界层并接触衬底（3）源材料吸附在衬底表面（4）吸附的源材料在衬底表面移动（5）源材料在衬底表面开始化学反应（6）固体产物在晶体表面形成晶核（7）晶核生长形成岛状物（8）岛状物结合形成连续的薄膜（9）其他气体副产品从衬底表面上放出（10）气体副产品扩散过边界层（11）气体副产品流出反应器
6. 源材料扩散穿过边界表面时的两种表面吸附【填空】答：化学吸附：衬底表面的原子与吸附的源材料的分子内的原子形成化学键；物理吸附：吸附在源材料的表面；
7. 半导体工艺中电介质薄膜的应用(5种)
答：（1）作为钝化保护层（2）ILD0的掺杂物阻挡层（3）紫外线可以穿透的保护层（4）作为ILD材料
8. 名词解释：APCVD、LPCVD、PECVD、黏附系数、化学吸附、物理吸附、USG、PSG、BPSG
答：APCVD：常压化学气相淀积；LPCVD: 低压化学气相淀积；PECVD：等离子增强型化学气相淀积；黏附系数：当原子或分子与衬底表面发生一次碰撞时，与表面形成化学键并被化学吸附的概率；USG：未掺杂的硅玻璃；PSG：磷掺杂硅玻璃；BPSG：磷硼掺杂的氧化硅。
第十一章金属化工艺
1. 90年代以前，哪些因素影响铜用于IC工艺
答：器件尺寸；器件密度；化学机械研磨工艺；多重金属连线；
铝金属的电导率在金属中排第四,仅次于银、铜、金。铝是这四种金属中唯一容易进行干法刻蚀形成很细金属连线的材料。
然而铜和二氧化硅的附着能力很差。铜在硅和二氧化硅中的扩散速率很高，铜的扩散将引起严重的金属污染使元器件失效。
2. 什么叫“结尖刺效应”，集成电路工艺中如何避免铝的结尖刺效应？
答：硅可以溶解在铝中。在源/漏区，铝金属会与硅直接接触，硅会溶入铝中，而铝会扩散进入硅内形成铝尖凸物。铝的尖凸物可以穿透掺杂界面使源漏区，铝金属会与硅直接接触，铝的尖凸物可以穿透掺杂界面使源/漏与衬底形成短路，这将增加器件的漏电并引起可靠性问题，该效应称为结尖刺现象。
硅在铝中的饱和溶解度为1%，所以增加大约1%的硅到铝中可以使硅在铝中达到饱和而有效防止硅进一步溶解在铝中避免形成结尖刺。400℃的热退火也会在铝硅界面形成合金，这样也可以预制铝硅相互扩散形成结尖刺现象。
3. 什么叫“电迁移现象”，集成电路工艺中如何减小电迁移现象。
答：铝金属是一种多晶态材料，包含了许多小的单晶态晶粒。当电流通过铝线时，电流会持续不断碰撞晶粒。一些较小的晶粒就开始移动，如在一条溪流底部的小石头一样，它们会在洪水的冲刷下被冲刷下来，该效应称为电迁移。
当少量百分比的铜与铝形成合金时，铝的电迁移率将显著增强，因为铜起了铝晶粒之间的黏着剂作用，并防止晶粒因
为电子轰击而迁移，Al-Si-Cu 合金就是利用了这个原理。
4. 双重镶嵌铜互连技术的几个挑战及双镶嵌铜互连工艺流程
答：挑战：①高深宽比的金属层间接触孔需要点击一层铜阻挡层以防止铜扩散，这个阻挡层需要良好的侧壁和底层阶
梯覆盖、优良的电介质附着层和低的接触电阻。②高质量的铜薄膜淀积、低电阻率及无空洞高深宽比沟槽和金属层间接触
窗孔填充。③无缺陷的铜研磨和后CMP清洗技术。
工艺流程：预淀积、清洗；PVD Ta阻挡层、Cu 籽晶层；ECD 或CVD 铜，铜热退火；Cu 和Ta CMP密封氧化物CVD；
5. 钽在铜互连工艺中的作用【填空】
答：①钽作为铜淀积前的阻挡层，可以防止铜扩散穿过氧化硅进入硅衬底损坏元器件。
②钽与钛、氮化钛阻挡层材料相比，是一种很好的阻挡层材料，一般利用溅镀工艺淀积
6. 铝铜多层互连技术，最常用的四种金属：Al, W, Ti, TiN; 铜互连技术最常用的金属：Cu, Ta或TaN【填空】
7. 金属硅化物可以用于减小局部互连线电阻和接触孔电阻【填空】
8. IC工艺中氮化钛的3种应用【填空】
答：IC工艺中氮化钛广泛应用于阻挡层、附着层以及抗反射涂层膜。
第十二章化学机械研磨工艺(CMP)
1. IC工艺中有哪些技术可以用于介质平坦化(5)
答：加热流动技术；溅射回刻蚀技术；光刻胶回刻蚀技术；自旋涂敷氧化硅回刻蚀技术；电介质CMP技术；
电介质CMP 工艺是20 世纪80 年代由IBM公司发展并作为电介质平坦化的一种技术。
2.CMP技术的优点(5)
答：优点：（1）CMP可以将晶圆表面平坦化，可以允许高解析度的光刻技术。被平坦化的表面可以消除侧壁变薄引起金属导线高电阻和高迁移率问题，这种侧壁变薄与金属PVD工艺的阶梯覆盖有关。（2）CMP 平坦化不存在金属导线薄化问题。（3）被平坦化的表面也可以减小为了消除由于电介质阶梯形成的厚光刻胶引起的过度曝光和显影的需求。（4）平坦化的表面允许更均匀的薄膜淀积，减小过刻蚀所需的时间，并可以减小刻蚀技术中长时间过刻蚀有关的底切形成衬底损失。（5）只需很少的过刻蚀。
3.对于铝铜互连，CMP工艺在IC制造中的两个主要运用：(①STI、钨塞工艺中晶圆表面大量薄膜移除②电介质层平坦化)【填空】
第十三章半导体工艺整合
1. 集成电路制造中的四种隔离技术【填空】
答：整面全区覆盖氧化层、局部硅氧化(LOCOS)、浅槽隔离(STI) 、P型掺杂结也可以用于形成相邻晶体管的电气隔离。
2. 集成电路制造中使用哪两种方法来避免MOS管的源漏穿通效应：(①中等能量低电流的抗穿通离子注入工艺
②45°大倾角注入工艺)【填空】
3. CMOS IC工艺中的三种阱区形成工艺【填空】
答：高能量、低电流的离子注入；加热退火/扩散工艺;自对准双阱工艺。
4. 解释说明自对准栅工艺流程，为什么当图形化尺寸小到0.18um时，使用钴硅化物取代钛硅化物？为什么当图形化尺寸小到65nm时，使用镍硅化物取代钴硅化物？
答1：这种工艺用一个有源区光刻在场氧化层上开出刻蚀窗口定义晶体管区域。流程：晶圆清洗、栅极氧化层生长和多晶硅淀积后，栅极光刻定义出栅极和连线。离子注入和加热退火后，晶体管就制造完成了。对于闪存器件，广泛使用钴硅化物；对于CMOS逻辑器件，用于局部互连的硅化物通常为硅化钛( 大于180nm)、钴硅化物(250nm-90nm) 和镍硅化物(65nm及更小)。
答2：低电阻的晶粒C-54 相钛硅化物的尺寸约0.2um。当栅的宽度小于这种晶粒尺寸时，钛硅化物就不能应用。因此，开始在局部互连中使用钴硅化物。钴硅化物具有低的电阻率，而且也可以通过自对准硅化物工艺形成。Ti Si2 和CoSi2形成大约需要形成大约需要750 ℃的退火，这个温度对于特征尺寸为65nm或更小的器件来说太高，因此开始发展镍硅化物工艺并应用于CMOS 集成电路制造中。NiSi 的退火温度约为450 ℃。
5. 什么是LOCOS？简介LOCOS工艺的工艺流程并说明LOCOS的主要缺点。
答：局部硅氧化技术(LOCOS)从20世纪70年代起就一直应用于IC芯片生产中，其中的一个优点是二氧化硅是在沟道隔离注入后才生长的。流程：晶圆清洗→生长垫底氧化层(a)→CVD氮化硅→光刻→氮化硅→光刻1：LOCOS→刻蚀氮化硅→去光刻胶→清洗→隔离注入，硼(b)→湿法氧化，形成LOCOS(c)→去氮化层和垫底氧化层(d)→清洗。
LOCOS工艺主要的缺点之一就是所谓的鸟嘴效应。因为二氧化硅是等向性生长，从而使得在氮化硅层下形成侧面侵蚀。加热氧化期间，鸟嘴由二氧化硅内部的等向性扩散形成。
6. 什么是STI？简介先进STI工艺流程(使用CMP工艺
的那种)答：浅槽隔离(STI)
7. 列出铜互连
工艺流程，列出铝硅合金多层互连工艺流程，解释之间的区别？
答：铜互连的技术是在介质表面刻蚀沟槽，然后铜淀积在沟槽中，随后通过铜CMP工艺去除晶圆表面大量的铜，只将铜线埋在介质层内。通过使用这种镶嵌工艺，并不需要金属的刻蚀过程。
铝合金多层互连工艺步骤包括: 电介质CVD、电介质平坦化、电介质刻蚀、钨化学气相淀积、去除大量的钨、金属叠层、电介质平坦化、电介质刻蚀、钨化学气相淀积、去除大量的钨、金属叠层PVD以及金属刻蚀。
第十四章
1．20世纪90年代集成电路工艺中使用的18道光刻工艺中使用到的掩膜版。【综合】
(Mask X共18个)
Mask1,n-well
MASK2，p-well
mask3,shallow trench isolation
Mask4,n-channel Vt adjust
Mask5,p-channel Vt Adjust
Mask6,gate&local interconnection
Mask7,N-channel LDD
Mask8,P-channel LDD
Mask9,N-channel Source/Drain
Mask9,P-channel Source/Drain
Mask10,Contact Hole
Mask11,Metal 1 Interconnect
Mask12,Via 1
Mask13,Metal 2 Interconnect
Mask14,Via 2
Mask15,Metal 3 interconnects
Mask16,Via3
Mask17,Metal 4 Interconnects
Mask18,Bonding Pad
2．2010’s集成电路工艺中使用的光刻工艺中使用到的掩膜版【综合】
(Mask X +Bonding Pad 共15个)
Mask1,Shallow Trench Isolation
Mask2,N-Well
Mask3,P-Well
Mask4,gate&local interconnection
Mask5,NMOS LDD Implantation
Mask6,PMOS LDD Implantation
Mask7,NMOS S/D Implantation
Mask8,PMOS S/D Implantation
Mask9,Contact and Local Tnterconnection
Mask10,Via1
Mask11,Metal Trench 1
Mask12,Metal Trench 2
Mask13,Via2
Mask14,Via3
Mask15,Metal Trench 3
Mask16,Bonding Pad
统计(大概)：填空21、名词解释35、简答34-35(有重复)、综合3-4
考试形式：闭卷
考试(大概)：填空20(1’X20空)+名词15(1.5’X10个)+简答(5’X10题)+综合(15’X1题)
考题形式：①填空，一空一分，加长空格的看情况
②名词解释，一题一个名词，一个名词用一句话解释
③简答：一般一个要点一句话
④综合：具体看情况，一般是一个要点一分
微电子电路生产实习课程教学大纲 英文名称：Microelectronics Circuit Production Practice 课程编码：B09078 课程类别：必修 学分数： 1 学时数（理论、实验分别表示）：10 /30 周学时：8 课内学时/课外学时：10/30 授课学期：第七学期 适用专业：电子科学与技术 先修课程：集成电路制造技术 考核方式：写总结 一、教学目的要求。 生产实习是微电子技术专业教学计划中重要的实践性教学环节。目的是使学生了解微电子产品制作的全过程，巩固和丰富已学过的专业知识，培养学生的动手能力，理论联系实际能力。学生通过在实际操作中观察现象、发现问题，并分析与解决问题，从而掌握解决实际问题的方法和提高解决实际问题的能力，为后续课程学习和工作打好坚实的基础。 二、课程主要内容及基本要求。（标“*”者为重点内容；标“△”者为难点） 第一次熟悉分立器件生产线 参观：分立器件生产线△* 组织参观生产分立器件生产厂商或有关单位，了解分立器件生产的组织机构和生产情况。由生产实习指导教师联系组织生产实习产品厂参观，主要参观内容包括： （1）分立器件的生产流程与生产工艺； （2）分立器件的组装、检测与调试； （3）请公司技术人员讲解产品的工作原理及相关技术； （4）请企业经理介绍工厂的组织机构和生产组织管理情况。
第二次熟悉光电生产线 参观：光电生产线△* 组织参观光电生产厂商或有关单位，了解光电生产的组织机构和生产情况。由生产实习指导教师联系组织生产实习产品厂参观，主要参观内容包括：（1）请光电企业的经理介绍工厂的组织机构和生产组织管理情况； （2）请光电公司的业务骨干讲解产品的生产流程与LED的新技术； （3）请光电企业的技术人员讲解仪器的操作技术和产品的制造流程。 第三次熟悉功率器件流程 参观：功率器件制造企业△* 由生产实习指导教师联系组织功率器件制造企业参观，主要参观内容包括：（1）功率器件的生产流程与生产工艺； （2）功率器件的组装、检测与调试； （3）请功率器件公司的业务骨干讲解产品的工作原理及相关工艺技术； （4）请功率器件公司的经理介绍工厂的组织机构和生产组织管理情况。 第四次熟悉PCB板生产流程 参观：PCB板制造企业 由生产实习指导教师联系组织PCB板制造企业参观，主要参观内容包括：（1）PCB板的生产流程与生产工艺； （2）PCB板的组装、检测与调试； （3）请电路公司的业务骨干讲解产品的工作原理及相关工艺技术； （4）请电路公司的经理介绍工厂的组织机构和生产组织管理情况。 第五次实习后的观感及交流相互经验 实习后的观感及交流相互经验。 三、课程主要环节及时数分配见下表： 由厂方带领学生参观实习。 四、教学的深度与广度 掌握集成电路生产流程，了解集成电路设计、生产和工艺的最新动态。了解校内主要工艺的工作流程。
2015年6月微积分2期末复习提纲 1、 本学期期末考试考察的知识点如下: 第六章隐函数的偏导数求解P194例9-10，条件极值应用题（例10）求解，约占12% 第七章二重积分（二重积分的概念，比较大小P209课后习题，直角坐标系下的交换积分次序P212例题3&P213习题1（7），直角坐标与极坐标系下的二重积分计算）约占26%; 第八章无穷级数（无穷级数的概念,几何级数，P-级数，正项级数的比较判别法和比值判别法，任意项级数的敛散性，幂级数的收敛半径及收敛域，求幂级数的和函数，间接 展开以 1 ,,ln(1)1x e x x +-为主）约占35%; 第九章微分方程（微分方程及其解的概念，一阶分离变量,齐次和一阶线性微分方程求解(通解和特解），二阶常系数齐次，非齐次微分方程的通解(三角型的不要求）。约占27%. 2、样题供参考（难度、题型） 一、填空题：（14小题） 1、若D ：224x y y +≤，则 D d σ=??4π。(表示求解积分区域D 的面积——圆) ● 或D ：9122≤+≤y x ，则 ??=D dxdy 8π。(表示求解积分区域D 的面积——圆环) ● 或2 2 :4D x y y +≤，将 dxdy y D ??化为极坐标系下的累次积分4sin 20 sin d r dr π θ θθ? ? ． (判断θ的范围作为上下限，判断r 的范围作为上下限，y 用rsin θ代入) 7.3极坐标系下二重积分的计算 2、交换积分次序 1 1 (,)y dy f x y dx = ? ?1 (,)x dx f x y dy ? ?。 （依题得：010<
发酵工程与设备实验 1.决定摇瓶溶氧量的因素有哪些？它们如何影响摇瓶溶氧量？答：⑴摇瓶的透气性：8层纱布，纱布透气性越好，摇瓶溶氧量越大。⑵摇瓶的转速：转速越大，培养基流动越剧烈，增大与气体接触面积。⑶培养基的粘稠度：粘稠度越大，氧气越难进入，溶氧量越低。 2.采用磷钼蓝法测定发酵液中的植酸酶活性实验中，空白对照中并未发生酶和底物的水解反应，但经过显示后，颜色却呈较深的蓝色，试解释其原因。 答：①磷钼蓝受热，易被氧化成蓝色还原物。②植酸钠中含杂质磷太多。 3.红曲米发酵实验中，为何要添加酸水？无菌酸水如何制得？答：是为了洗脱菌种，同时为红曲霉生长创造酸性环境。 制备：取一烧杯的蒸馏水，往水中加入乳酸并调PH至4.0.然后取10ml配制好的溶液于干净的试管中，密封包扎后，放入高压灭菌锅灭菌，即可得到无菌酸水。 4.产植酸酶黑曲霉的分离实验中，为何选用植酸钙而不选用植酸钠？ 答：钠盐易溶解、钙盐难容，易形成透明圈，从而筛选。 5.产植酸酶黑曲霉的分离实验中，为什么不将脱氧胆酸钠溶液
和氯霉素眼药水加入到筛选培养基中一起灭菌？ 答：①脱氧胆酸钠会与铁盐高温时反应。②细菌性抗生素、自身就是杀菌的，且本身无菌，也不能灭菌。 6.请详细说明产植酸酶黑曲霉的分离实验的实验原理。 答：以植酸钙为唯一磷来源的选择培养基，同时以透明圈法，从土壤中分离筛选产植酸酶的黑曲霉 7.产植酸酶黑曲霉的摇瓶发酵实验中，摇瓶的作用有哪些？答：①气体和营养分布均匀②温度保持恒定③代谢产物分散④避免影响其他菌丝生长⑤防止细胞沉淀 8.植酸酶酶活力测定实验中，若显色后的反应体系测定吸光度值为2.23，说明什么问题？该如何调整实验方案？ 答：浓度过大，该稀释。 9.植酸酶活力测定时做标线的目的是什么？ 答：标线是反应吸光度与无机磷浓度之间的关系，待我们测的样品吸光度后即可在标线上读出对应无机磷浓度，从而进行酶活计算。 10.简述灭菌锅的使用方法及步骤。 答：①向锅内注入水至三脚架上边缘、预热。 ②放入物品，将直排气管并放入排气槽。 ③关盖，拧紧对应螺栓，打开开关加热 ④待压力达到0.05MPa，排冷空气，归零。
一、填空题 1．设)(x P 是x 的多项式，且26)(lim 23=-∞→x x x P x ，3) (lim 0=→x x P x ，则=)(x P 2．=-++∞ →))(arcsin(lim 2 x x x x 6 π x x x 3262 3++↑ 3．=?? ? ??-∞ →3 21lim x x x 32 -e 4．设A x x ax x x =-+--→1 4 lim 31，则有=a ，=A 4，－2 5．设x x x x x f sin 2sin )(+=，则=∞→)(lim x f x 2 6．=?+→2 32031 sin sin lim x x x x x 31 7．函数) 2)(1(1+-+=x x x y 的间断点是 1=x 8．为使函数()x x x f tan 1 ?=在点0=x 处连续，应补充定义()=0f 1 9．设函数?????=≠-=00)1(3 x K x x y x 在0=x 处连续，则参数=K 3-e 10．函数???>+≤+=0 10 )(x e x a x x f x 在点0=x 处连续，则=a 2 二、单项选择题 1．设0>n x ，且n n x ∞→lim 存在，则n n x ∞ →lim ② ①0> ②0≥ ③0= ④0< 2．极限=-→1 11 lim x e x ③ ①∞ ②1 ③不存在 ④0 3．=++∞→- →x x x x x x 1 sin lim ) 1(lim 10 ④ ①e ； ②1e -； ③1e +； ④1 1e -+ 4．()() 213 ++-= x x x y 的连续区间是__________________ ② ①()()()+∞----∞-,11,22, ②[)+∞,3 ③()()+∞--∞-,22, ④()()+∞--∞-,11, 5．函数1 2 111 11+----=x x x x y 的不连续点有 ③ ①2个 ②3个 ③4个 ④4个以上 6．下列函数中，.当0→x 时，与无穷小量x 相比是高阶无穷小量的是___________；是等价无穷小量的是__________________ ①，② ①x cos 1- ②2 x x + ③x ④x 2sin
电子产品制造工艺论文 一、概述 电子产品制造工艺针对电子产品制造企业的技术发展及岗位需求，注重描写电子产品制造流程中的几个主要环节：装配、焊接、调试和质量控制，详细介绍电子制造业技能型人才应该掌握的基本知识；SMT工艺中的印刷、贴片、焊接(包括当前的工艺热点无铅焊接)、检测技术及相关工具(如ICT、AOI、BGA植球器等)的调试与使用；生产过程的防静电问题；作为检验人员应该熟悉的知识与方法；作为工艺人员编写工艺文件、管理技术档案的知识；为企业出口产品而参加各种认证的工作等。 二、电子工艺技术入门 （1）、主要介绍了电子工艺技术的基础知识，在研究电子整机产品制造过程中材料、设备方法、操作者和管理者这几个要素是电子工艺的基本特点，通常用“4m+m”来简化电子产品制造过程的基本要素。 （2）、了解电子工艺学具有涉及众多科学技术领域，形成时间较晚发展迅速的特点及我国电子工业的发展现状及其薄弱环节。 (3）、熟悉了电子产品工艺操作安全的知识，了解电子产品中电路板生产的基本流程如下： 1.生产设备 2.自动贴片 3.再流焊 4.自动插件 5.人工插件 6.波峰焊（浸焊） 7.手工补焊 8.修理 9.检验测试 10.包装 三、从工艺的角度认识电子元器件 通常说来，在电子行业，元件是指电阻器、电容器、电感器、接插件和开关等无源元件：器件是指晶体管、集成电路等有源元件。但在实际工作中，对两者不严格区别，统称电子元件即可。 ( 1)、通过本章的学习熟悉了解电子元器件的型号命名以及标注方法。通常电子元件的名称反映他们的种类、材料、特征、型号、生产序号及区别代号，并且能够表示出主要的电气参数。电子元器件的名称有字母和数字组成。而其型号和各种参数应当尽可能的在元器件的表面上标注出来。常用的标注方法有三种： 直标法： 把元器件的主要参数直接印制在元器件的表面上即直标法。这种方法直观，只能用于体积较大的元器件。例如：电阻器的表面上印有RXYC-50-T-1K5-+10%(-10%),表示其种类为耐潮披釉线绕可调电阻器，额定功率50W，阻值为1.5千欧，允许偏差为正负10%。 文字符号法：
类。 微生物的育种方法主要有三类： 诱变法，细胞融合法，基因工程法。 发酵培养基主要由 碳源，氮源，无机盐，生长因子 组成。 6、利用专门的灭菌设备进行连续灭菌称为 连逍，用高压蒸汽进行空罐灭菌称为 空消。 7、可用于生产酶的微生物有 细菌、真菌、酵母菌。 常用的发酵液的预处理方法有 酸化、加热、加絮凝剂。 8、根据搅拌方式的不同， 好氧发酵设备可分为 机械搅拌式发酵罐 和通风搅拌式发酵罐 两种。 9、 依据培养基在生产中的用途，可将其分成 孢子培养基、种子培养基、发酵培养 10、 现代发酵工程不仅包括菌体生产和代谢产物的发酵生产，还包括微生物机能的利用。 11、发酵工程的主要内容包括 生产菌种的选育、发酵条件的优化与控制、反应器的设计及 产物的分离、提取 与精制。 12、发酵类型有微生物菌体的发酵、微生物酶的发酵、微生物代谢产物的发酵、微生物转 化发酵、生物工程细胞的发酵 。 13、发酵工业生产上常用的微生物主要有 细菌、放线菌、酵母菌、霉菌。 14、当前发酵工业所用的菌种总趋势是从野生菌转向 变异菌，从自然选育转向 代谢调控育种, 从诱发基 因突变转向 基因重组的定向育种。 15、根据操作方式的不同，液体深层发酵主要有 分批发酵、连续发酵、补料分批发酵。 16、分批发酵全过程包括 空罐灭菌、加入灭过菌的培养基、接种、发酵过程、放罐和洗罐， 所需的时间总和为一个发酵周期。 发酵工程 、名词解释 1、 分批发酵：在发酵中，营养物和菌种一次加入进行培养，直到结束放出，中间除了空气 进入和尾气排出外，与外部没有物料交换。 2、 补料分批发酵：又称半连续发酵，是指在微生物分批发酵中，以某种方式向培养系统不 加一定物料的培养技术。 3、 絮凝：在某些高分子絮凝剂的作用下，溶液中的较小胶粒聚合形成较大絮凝团的过程。 二、填空 1、 生物发酵工艺多种多样，但基本上包括 菌种制备、种子培养、发酵和提取精^_等下游 处理几个过程。 2、 根据过滤介质截留的物质颗粒大小的不同, 过滤可分为粗滤、微滤、超滤和反渗透四大 3、 4、 5、青霉素发酵生产中，发酵后的处理包括: 过滤、提炼，脱色，结晶。 基三种。
1、举出几例微生物大规模表达的产品,及其产生菌的特点？ A.蛋白酶表达产物一般分泌至胞外，能利用廉价的氮源，生长温度较高， 生长速度快 ,纯化、分离及分析快速；安全性高，得到 FDA的批准的菌种。 B.单细胞蛋白生长迅速，营养要求不高，易培养，能利用廉价的培养基或生 产废物。适合大规模工业化生产，产量高，质量好。安全性高，得到 FDA的批准的菌种。 C.不饱和脂肪酸生长温度较低，安全性高，能利用廉价的碳源，不饱和脂 肪酸含量高， D.抗生素生产性能稳定，产量高，不产色素，，能利用廉价原料 F.氨基酸代谢途径比较清楚，代谢途径比较简单 2、工业化菌种的要求？ A能够利用廉价的原料，简单的培养基，大量高效地合成产物 B有关合成产物的途径尽可能地简单，或者说菌种改造的可操作性要强C. 遗传性能要相对稳定 D.不易感染它种微生物或噬菌体 E.产生菌及其产物的毒性必须考虑（在分类学上最好与致病菌无关） F.生产特性要符合工艺要求 4、讨论：微生物（包括动、植物）可以生产我们所需的一切产品，但是涉 及到工业化生产，对于某一种特定的产品，为何只有特定的微生物才具有大量 表达的潜力？ 在不同的环境条件下，微生物细胞对遗传信息作选择性的表达，实现代谢 的自动调节。代谢的协调能保证在任何特定时刻、特定的细胞空间，只合成必 要的酶系（参与代谢的多种酶）和刚够用的酶量。一旦特定物质的合成达到足 够的量，与这些物关系支持细胞自身的增殖（生产细胞），不支持（人的）目
的产物的过量生产（生产特定的初级代谢产物）。而工业化生产要求特定表达 某种或某类物质，只有正常代谢被打破，代谢协调失常的微生物才能达到要求 5、自然界分离微生物的一般操作步骤？ 样品的采取→预处理→培养→菌落的选择→初筛→复筛→性能的鉴定→菌种保藏 6、从环境中分离目的微生物时，为何一定要进行富集培养？ 自然界中目的微生物含量很少，非目的微生物种类繁多，进行富集培养， 使目的微生物在最适的环境下迅速地生长繁殖，数量增加，由原来自然条件下 的劣势种变成人工环境下的优势种，使筛选变得可能。 7、菌种选育分子改造的目的？ 防止菌种退化 ; 解决生产实际问题 ; 提高生产能力 ; 提高产品质量 ; 开发新产品 . 8、以目前的研究水平，土壤中能够培养的微生物大概占总数的多少？什么 是 16sRNA同源性分析？ 目前能够培养的微生物不到总数的 1%。以 16sRNA为靶基因，设计引物， 建立 pcr 扩增体系，再通过 DNA 测序进行细菌同源性分析。 9、什么叫自然选育？自然选育在工艺生产中的意义？ 自然选育就是不经人工处理，利用微生物的自然突变进行菌种选育的过 程。
课程设计报告 微电子电路 带有源负载的共源极放大器与带有源负载的cascode 放大器 集成电路设计 目录 1.课程设计目的···································页码3 2.课程设计题目描述和要求·························页码3 3.设计思路·······································页码4 4.带有源负载的共源极放大器设计过程及结果·········页码5 5.带有源负载的cascode放大器设计过程及结果·······页码7 6.心得体会·······································页码9 7.参考书目·······································页码9
２ 1.课程设计目的 深刻理解课本上学到的知识，建立各个章节的知识体系之间的联系。 加强动手能力和运用课本知识理论解决问题的能力。 对于放大器的性能和参数有更深刻的理解和掌握。 2.课程设计题目描述和要求 分析如图这样的带有源负载的共源极放大器与带有源负载的cascode 放大器的开环增益，3dB 频宽，单位增益频率。其中负载电容为3PF ，电源电压为5V ，要求CS 放大器的开环增益大于30dB ，cascode 放大器的开环增益大于60 dB 。对仿真结果进行分析，功耗小于2mW 。 Vdd C
３ Vdd C 3.设计思路：根据题目要求来计算以cs 放大器为例 ⑴功率不超过2mW ，电源为 5v ，得到总电流不能超过400uA 。 ⑵开始分配给ID 的电流为50u 运用了镜像电流源，电流大小之比为2，在长度一定时候的宽度之比也是2，故在右边电路的id 为100u ⑶根据公式 对于n 管来说，预估一个过驱动电压0.4v （大约0.2-0.5v ）均可。计算出来n 管宽长比为11.26，取11。因为实验中给定了n 管的阈值电压为0.723v ，所以，可以确定栅源电压为1.1v 左右。 对于p 管来说，预估一个过驱动电压为0.5v （大约0.2-0.5v ）均可。经过计算，p 管的宽长比为11.59，取12 。
电子工艺的现状及发展 《电子工艺》按照电子产品生产工艺，结合劳动部《电子元器件质量检验员》职 业资格证书考试的有关要求，主要介绍:电子元器件的符号、结构、作用及外观认识和元器件的质量检测；电子元器件的焊接机理及焊接操作和质量监控；电子产品的装配工艺及文件的制作；电子产品生产过程中的安全防范；电子产品调试方法；最后通过收音机、万用表、MP3的组装实例，综合运用前面所学的知识点，达到理论联系实际、学做合一的目的。 《电子工艺》编者由长期从事电子工艺教学与研究的学者、电子元器件质量检验人员和电子技术应用技术人员组成，大量教学实例来自于生产实践和研究成果，既有较强的理论性，又具有鲜明的实用性。读者通过学习《电子工艺》，能全面了解电子产品的生产、安装、调试的整个过程，从而更好地掌握相关技术与操作技能，并有助 于读者通过相关职业资格证书的考试。 《电子工艺》可以作为高等职业技术学院的电子信息工程、应用电子技术、通信技术、电子检测、计算机主板与维修、自动化等相关专业的教材，也可作为中等职业学校电子类专业的教材，还可供有关教师与工程技术人员参考。 广义的电子制造工艺包括基础电子制造工艺和电子产品制造工艺两个部分。基础电 子制造工艺包括电子信息技术核心的微电子制造工艺、无源元件制造工艺和印刷电路板 （PCB）制造工艺；电子产品制造工艺又称为整机制造工艺或电子组装工艺，包括印刷电路板组件（PCBA）制造工艺、其他零部件制造工艺和整机组装工艺。狭义的电子制造工艺就是电子产品制造工艺。对于工业企业及其产品来说，工艺工作的出发点是为提高劳动生产率，生产优良产品以及增加生产利润。它建立在对于时间、速度、能源、方法、程序、生产手段、工作环境、组织机构、劳动管理、质量控制等诸多因素的科学研究之上。工艺学的理论研究及应用指导从原材采购进厂开始，加工、制造、检验的每一个环节，直到产品包装、运输、入库和销售（包括销售过程中的技术服务和用户信息反馈），为企业组织有节奏的均衡生产提供科学依据。因此，掌握先进的电子工艺技术，对于提高企业的经济效益、保证产品质量和促进新产品研发等都具有明显的作用。电子工艺的工艺流程包括试验、装配、焊接、调整、检验等。传统的电子设计工作必须经过原理设计、初步验证、批量生产等几个过程，并且必须保证原理设计和初步验证这两个过程完全正确才能将电路设计图绘制成ＰＣＢ图，并进行下一步的生产。 近年来，随着电子工艺的飞速发展，人们可以对各种器件进行数学建模，借助计算机 软件对其进行分析、计算，并在计算机上仿真出近似于实际结果的数据及各种波形。这种 由软件进行的设计方法克服了传统方法的缺点，解决了传统设计和调试中存在的问题。而 且由于这种方法可以事先排除大部分设计上的缺陷，设计工程师就可以将大量的精力用于设计而不是调试，因而大大提高了设计速度，使新产品可以更快地推出，为企业创造更好的经济效益。 进入21世纪，一种被称作“无机电子(organicelectronics)”的新型电子材料因3 位科学家的获奖，遭到世界各次要国度的注重。 2000年，诺贝尔化学奖授予美国人阿兰·西 爵(AlanJ.Heeger)、阿兰·麦克达尔密(AlanG.MacDiarmid)和日本人白川英树(HidekiShirakawa)。短短几年，基于无机电子的新产品、新使用大批涌现。目前，无机电子技术还处于展开后期，一些关键的技术还有待打破，但其无可比较的优势和普遍的使用前景，将给信息产业乃至整个经济、社会带来又一次深化的影响，展开潜力宏大。 无机电子产业展开现状
2018年《公共基础知识》试题及答案 公共基础知识主要测试应试者胜任党政领导工作必须具备的素质。以下是小编为大家搜集整理提供到的公共基础知识试题及答案，希望对您有所帮助。欢迎阅读参考学习！ 一、单选题(50 题，每题 1 分，共 50 分) 1、第二届中国质量奖颁奖大会3月29日在京召开。批示指出：_____是强国之基、立业之本和转型之要。 A、质量发展 B、教育发展 C、科技发展 D、人才发展 2、我国首个开展空间引力波探测的重大基础科研项目“______”于3月20日在中山大学珠海校区奠基，正式启动了其基础设施工程建设。 A、千人计划 B、天琴计划 C、火炬计划 D、星火计划 3、第十二届全国人民代表大会第四次会议通过_____，国家主席签署第43号主席令予以公布。 A、反恐怖主义法 B、反家庭暴力法 C、国家勋章和国家荣誉称号法 D、慈善法 4、2017年4月24日是我国首个“_____”。 A、中国无车日 B、中国航天日 C、中国环保日 D、中国低碳日
5、对在全党开展“_____”学习教育作出重要指示强调，“_____”学习教育是加强党的思想政治建设的一项重大部署。 A、三严三实 B、两学—做 C、四个全面 D、五大发展理念 6、从人力资源和社会保障部了解到，_____将合并实施，并将确保参保职工生育待遇水平不降低。 A、工伤保险和基本医疗保险 B、养老保险和工伤保险 C、养老保险和基本医疗保险 D、生育保险和基本医疗保险 7、用于清偿债务、缴纳租金、缴纳税款的货币所执行的职能是( )。 A、价值手段 B、流通手段 C、贮藏手段 D、支付手段 8、目前我国经济增长方式转变趋势为( )。 A、由粗放型向集约型转变 B、由质量向数量的转变 C、由产业向个体的转变 D、由技术进步向投资拉动的转变 9、贯彻“三个代表”重要思想，必须使全党始终保持( )的精神状态，能否做到这一点，决定党和国家的前途命运。 A、与时俱进 B、实事求是 C、团结奋发 D、荣辱与共 10、在我国现阶段的所有制结构中，国有经济对发展起主导作用的体现是( )。 A、在社会总资产中占量的优势 B、在所有制结构中占主体地位 C、对国民经济的控制力
础基计算机第1章选择题 1.1 计算机概述 [1]. 下列说法中，错误的是________。C [A]集成电路是微电子技术的核心 [B]硅是制造集成电路常用的半导体材料微处理器芯片属于超大规模集[D] [C]现代集成电路制造技术已经用砷化镓取 代了硅成电路 可将其分为通用集成电路按照集成电路的[2]. 可以从不同角度给集成电路分类，________D和专用集成电路两类。 用途[D] [C]工艺 [A]晶体管数目[B]晶体管结构和电路 [3]. 下列关于集成电路的叙述错误的是________。D [A]将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上就构成集成电路。 [B]现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓。 [C]集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路。 [D]集成电路按用途可分为通用和专用两大类。微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路。 [4]. 关于集成电路（IC），下列说法中正确的是________。C [A]集成电路的发展导致了晶体管的发明子系中规模集成电路通常以功能部件、 [B] 统为集成对象 [C]IC芯片是计算机的核心 [D]数字集成电路都是大规模集成电路 [5]. 集成电路是现代信息产业的基础。目前PC机中CPU芯片采用的集成电路属于_______。D [A]小规模集成电路 [B]中规模集成电路 [C]大规模集成电路 [D]超大规模 和极大规模集成电路 C从原料熔炼开始到最终产品包装大约需要[6]. 集成电路制造工序繁多， _______道工序。 几千 [D] [A]几 [B]几十 [C]几百 [7]. Intel公司的创始人Gordon E.Moore 曾预测，单块集成电路的集成度平均每 ________左右翻一番C [A]半年 [B]1年 [C]1年半 [D]2年半 [8]. 线宽是集成电路芯片制造中重要的技术指标，目前CPU芯片制造的主流技术中线宽为____。D [A]几个微米 [B]几个纳米 [C]几十个微米 [D]几十个纳米 [9]. 下列关于IC卡的叙述中，错误的是_________。D [A]IC卡按卡中镶嵌的集成电路芯片不同可分为存储器卡和CPU卡 [B]IC卡按使用方式不同可分为接触式IC卡和非接触式IC卡 [C]手机中使用的SIM卡是一种特殊的CPU卡 [D]只有CPU卡才具有数据加密的能力 [10]. 下列说法错误的是________。B
精品文档 一、填空题：(20分，每空1分) 1、淀粉水解方法有酸法、酶法和酸酶结合法。 2、根据微生物生长速度与产物合成速度之间的关系，可以将发酵分为三种类型，分别是生长偶联型、非生长偶联型和混合生长偶联型。 3、呼吸抑制发酵的现象叫巴斯德效应。 4、高温灭菌的原理是高温使微生物蛋白质变性失活。 5、常用的干燥方法有对流加热干燥、接触加热干燥和冷冻升华干燥等。 6、发酵醪中菌体分离可采用离心分离和过滤分离方法。 7、发酵热包括生物热、搅拌热、蒸发热和辐射热。 8、发酵过程中，调节PH值常用方法有添加CaCO3法、流加尿素、 加缓冲剂法等。 二、名词解释：（15分，每题3分） 1、分解代谢物阻遏 当菌体利用葡萄糖作C源进行生长时（1分），葡萄糖分解产物能阻遏参与次级代谢产物的合成的酶系生成（1分），从而影响次生代谢物的合成（1分）。 2、对数残留定律 在高温灭菌时，菌的死亡速率与任一瞬间残留的活菌数N成正比（3分）。 3、反馈抑制 酶促反应的终产物（1分）抑制代谢途径第一个酶的活性（2分），这称反馈抑制。 4、限制性基质 微生物生长速率与底物浓度有一定的依赖关系（1分），当底物浓度很小（1分），微生物生长速率与底物浓度成正比，此时基质叫限制
性基质（1分）。 精品文档． 精品文档 5、次级代谢产物 从初级代谢途径中形成分枝代谢途径（1分），并用初级代谢产物生成与菌体生长繁殖无关的物质或功能还未明的化合物（2分），这个过程称次级代谢。 二、判断题（对的在下面的表格中打“√”，错的打“Χ”，10分） 1、柠檬酸发酵主要防止前期染菌。 2、疫苗深层培养，如果中期染菌不严重，考虑继续发酵。 3、介质过滤除菌，必须保证介质之间的孔径小于细菌直径，才能达到除菌目的。 4、发酵醪需先进行菌、液的分离，才能进行后续的提取和精制过程。 5、谷氨酸发酵中，加速DCA循环有利于产物积累。 6、发酵生产单细胞蛋白，需要供氧。 7、在发酵过程中，随着通气量的提高，溶氧系数也增大。 8、为了提高发酵效率及便于控制，在整个发酵期内，我们要选定一个最适温度，控制发酵在该温度下进行。 9、一般来说，种子培养基的碳氮比低于发酵培养基的碳氮比。 10、消毒不一定能达到灭菌的要求，而灭菌则可达到消毒的目的。 分1每题四、简答：（40分，每题5分） 1、微生物工程的发展经历了哪几个时期？ 答：1.自然发酵时期（1分） 2.纯培养技术的建立（1分） 3.通气搅拌好气性发酵工程技术建立（1分） 4.人工诱变育种与代谢调控发酵工程技术的建立（1分） 5.发酵动力学、发酵的连续化自动化工程技术的建立 6.基因工程阶段。或答微生物酶反应生物合成和化学合成反应相结合工程技术建立。（1分） 2、谷氨酸生产如何防止噬菌体污染？ 答：注意环境卫生（1分），防止菌种流到发酵罐等设备以外（1分），发酵液必
微积分习题集带参考答案 一、填空题（每小题4分，本题共20分） ⒈函数x x x f -++=4) 2ln(1 )(的定义域是]4,1()1,2(-?--． ⒉若24sin lim 0=→kx x x ，则=k 2 ． ⒊曲线x y e =在点)1,0(处的切线方程是1+=x y ． ⒋ =+?e 1 2 d )1ln(d d x x x 0 ． ⒌微分方程1)0(,=='y y y 的特解为x y e =． 6函数24)2(2 -+=+x x x f ，则=)(x f 62 -x ． 7.当→x 0时，x x x f 1 sin )(=为无穷小量. 8.若y = x (x – 1)(x – 2)(x – 3)，则y '(1) = 2-． 9. =+-? -x x x d )135(1 1 32． 10.微分方程1)0(,=='y y y 的特解为x y e =. 11.函数x x x f 2)1(2 +=+，则=)(x f 12 -x ． 1⒉=∞ →x x x 1 sin lim 1 ． 1⒊曲线x y =在点)1,1(处的切线方程是2 121+= x y ． 1⒋若 ?+=c x x x f 2sin d )(，则=')(x f in2x 4s -． 1⒌微分方程x y xy y cos 4)(7) 5(3 =+''的阶数为 5 ． 16.函数74)2(2 ++=+x x x f ，则=)(x f 32 +x ． 17.若函数???=≠+=0, ,2)(2x k x x x f ,在0=x 处连续，则=k 2 ． 18.函数2 )1(2+=x y 的单调增加区间是).1[∞+-． 19. = ? ∞ -dx e x 0 22 1 ． 20.微分方程x y xy y sin 4)(5) 4(3 =+''的阶数为 4 ． 21.设函数54)2(2 ++=+x x x f ，则=)(x f 12 +x ． 22.设函数????? =-≠+=0, 10 ,2sin )(x x k x x x f 在x = 0处连续，则k =1-．
电子工艺 工艺是生产者利用生产设备和生产工具对各种原材料、半成品进行加工和处理，使之最后成为符合技术要求的产品的艺术（程序、方法、技术）。它是人类在生产中逐渐积累起来的并经过总结的操作经验和技术能力。简单说，工艺就是制造产品的方法和流程。 工艺是一种应用科学，最先得到学术界公认，并取得长足发展的工艺技术机械制造就是制造业的基础。工艺学是一种系统科学，在生产中有着明确的流程和目的，是企业科学生产的法律和法规。 近年来，随着信息科学的发展，传统的工艺生产被注入了新的血液—电子技术，催生出电子工艺。广义的电子制造工艺包括基础电子制造工艺和电子产品制造工艺两个部分。基础电子制造工艺包括电子信息技术核心的微电子制造工艺、无源元件制造工艺和印刷电路板（PCB）制造工艺；电子产品制造工艺又称为整机制造工艺或电子组装工艺，包括印刷电路板组件（PCBA）制造工艺、其他零部件制造工艺和整机组装工艺。狭义的电子制造工艺就是电子产品制造工艺。 对于工业企业及其产品来说，工艺工作的出发点是为提高劳动生产率，生产优良产品以及增加生产利润。它建立在对于时间、速度、能源、方法、程序、生产手段、工作环境、组织机构、劳动管理、质量控制等诸多因素的科学研究之上。工艺学的理论研究及应用指导从原材采购进厂开始，加工、制造、检验的每一个环节，直到产品包装、运输、入库和销售（包括销售过程中的技术服务和用户信息反馈），为企业组织有节奏的均衡生产提供科学依据。因此，掌握先进的电子工艺技术，对于提高企业的经济效益、保证产品质量和促进新产品研发等都具有明显的作用。 电子工艺的工艺流程包括试验、装配、焊接、调整、检验等。 传统的电子设计工作必须经过原理设计、初步验证、批量生产等几个过程，并且必须保证原理设计和初步验证这两个过程完全正确才能将电路设计图绘制成ＰＣＢ图，并进行下一步的生产。随着电子工艺的飞速发展，人们可以对各种器件进行数学建模，借助计算机软件对其进行分析、计算，并在计算机上仿真出近似于实际结果的数据及各种波形。这种由软件进行的设计方法克服了传统方法的缺点，解决了传统设计和调试中存在的问题。而且由于这种方法可以事先排除大部分设计上的缺陷，设计工程师就可以将大量的精力用于设计而不是调试，因而大大提高了设计速度，使新产品可以更快地推出，为企业创造更好的经济效益。 电子产品装配的工艺过程包括装配准备、部件装配和整件装配。装配准备又分为技术准备：做好技术资料的准备工作，例如工艺文件，必要的技术图纸等，特别是新产品的生产技术资料更应该准备齐全；生产准备：分为生产组织准备（根据工艺文件确定供需步骤和装配方法，进行流水线作业安排、人员配备等）及装配工具和设备（如切线剥线机、元器件刮头机、自动插件机、波峰焊接机等）准备；材料准备：按照产品的材料工艺文件进行购料、领料、备料等工作，并完成下列任务：１．协作零部整件的质量检查，２．元器件测量，３．导线和线把加工，屏蔽导线和电缆加工，４．元器件引线成形与搪锡，５．打印标记。部件装配包括印刷电路板的装配，机壳、面板装配技术和其他常用部件的装配。由于一台电子整机通常是由不同的不见组成的，所以部件装配质量的好坏将直接影响到整机的质量。整机装配又叫整机总装，是把组成整机的有关零件和部件等通过检验合格的半成品装配成合格的整机产品的过程。 焊接是被焊工件的材质（同种或异种），通过加热或加压或两者并用，并且用或不用填充材料，使工件的材质达到原子间的建和而形成永久性连接的工艺过程。焊接过程中，工件和焊料熔化形成熔融区域，熔池冷却凝固后便形成材料之间的连接。这一过程中，
发酵工程 一、名词解释 1、分批发酵：在发酵中，营养物和菌种一次加入进行培养，直到结束放出，中间除了空气 进入和尾气排出外，与外部没有物料交换。 2、补料分批发酵：又称半连续发酵，是指在微生物分批发酵中，以某种式向培养系统不加 一定物料的培养技术。 3、絮凝：在某些高分子絮凝剂的作用下，溶液中的较小胶粒聚合形成较大絮凝团的过程。 二、填空 1、生物发酵工艺多种多样，但基本上包括菌种制备、种子培养、发酵和提取精制等下游处理几个过程。 2、根据过滤介质截留的物质颗粒大小的不同，过滤可分为粗滤、微滤、超滤和反渗透四大类。 3、微生物的育种法主要有三类：诱变法，细胞融合法，基因工程法。 4、发酵培养基主要由碳源，氮源，无机盐，生长因子组成。 5、青霉素发酵生产中，发酵后的处理包括：过滤、提炼，脱色，结晶。 6、利用专门的灭菌设备进行连续灭菌称为连消，用高压蒸汽进行空罐灭菌称为空消。 7、可用于生产酶的微生物有细菌、真菌、酵母菌。 常用的发酵液的预处理法有酸化、加热、加絮凝剂。 8、根据搅拌式的不同，好氧发酵设备可分为机械搅拌式发酵罐和通风搅拌式发酵罐两种。 9、依据培养基在生产中的用途，可将其分成孢子培养基、种子培养基、发酵培养基三种。 10、现代发酵工程不仅包括菌体生产和代产物的发酵生产，还包括微生物机能的利用。 11、发酵工程的主要容包括生产菌种的选育、发酵条件的优化与控制、反应器的设计及产物的分离、提取与精制。 12、发酵类型有微生物菌体的发酵、微生物酶的发酵、微生物代产物的发酵、微生物转化发酵、生物工程细胞的发酵。 13、发酵工业生产上常用的微生物主要有细菌、放线菌、酵母菌、霉菌。 14、当前发酵工业所用的菌种总趋势是从野生菌转向变异菌，从自然选育转向代调控育种，从诱发基因突变转向基因重组的定向育种。 15、根据操作式的不同，液体深层发酵主要有分批发酵、连续发酵、补料分批发酵。 16、分批发酵全过程包括空罐灭菌、加入灭过菌的培养基、接种、发酵过程、放罐和洗罐，所需的时间总和为一个发酵期。
电子产品生产工艺 电子产品系统是由整机、整机是由部件、部件是由零件、元器件等组成。由整机组成系统的工作主要是连接和调试，生产的工作不多，所以我们这里讲的电子产品生产工艺是指整机的生产工艺。 电子产品的装配过程是先将零件、元器件组装成部件，再将部件组装成整机，其核心工作是将元器件组装成具有一定功能的电路板部件或叫组件（PCBA）。本书所指的电子工艺基本上是指电路板组件的装配工艺。 在电路板组装中，可以划分为机器自动装配和人工装配两类。机器装配主要指自动铁皮装配（SMT）、自动插件装配（AI）和自动焊接，人工装配指手工插件、手工补焊、修理和检验等。 生产准备是将要投入生产的原材料、元器件进行整形，如元件剪脚、弯曲成需要的形状，导线整理成所需的长度，装上插接端子等等。这些工作是必须在流水线开工以前就完成的。 自动贴片是将贴片封装的元器件用SMT技术贴装到印制板上，经回流焊工艺固定焊接在印制板上。 经装贴有表面封装元器件的电路板，送到自动插件机上，机器将可以机插的元器件插到电路板上的相应位置，经机器弯角初步固定后就可转交到手工插接线上去了。 人工将那些不适合机插、机贴的元器件插好，经检验后送入波峰焊机或浸焊炉中焊接，焊接后的电路板个别不合格部分由人工进行补焊、修理，然后进行ICT 静态测试，功能性能的检测和调试，外观检测等检测工序，完成以上工序的电路板即可进入整机装配了。 3 电子企业的场地布局 电子工业从来都既是技术密集型，又是劳动密集型的行业。生产电子产品，采用流水作业的组织形式，生产线是最合适的工艺装备。生产线的设计、订购、制造水平，将直接影响产品的质量及企业的经济效益。生产线的布局也是企业的场地工艺布局。目前各电子企业的规模、产品结构、技术水平、资金状况及场地大小不同，对场地的利用和布局大不一样，但场地的工艺布局的好坏，直接影响到企业的生产组织、场地的利用效率、物流的通畅、生产的效率和效益。提高生产场地布局的设计水平已经成为有关专家和工程技术人员必须面对的问题。 4 设计场地工艺布局应考虑的因素 企业场地的工艺布局设计是一个系统工程，是由许多因素相互作用、相互制约和
姓名： 报考专业： 准考证号码： 密封线内不要写题 2019年全国硕士研究生招生考试初试自命题试题 科目名称：发酵工程（□A 卷 B 卷）科目代码：862 考试时间： 3 小时 满分 150 分 可使用的常用工具： 无 □计算器 □直尺 □圆规（请在使用工具前打√） 注意：所有答题内容必须写在答题纸上，写在试题或草稿纸上的一律无效；考完后试题随答题纸交回。 一、单项选择题(共 10 小题，每小题 2 分，共 20 分) 1. 下列不可．．做食品用酶的生产菌为 【 】 A 黑曲霉 B 米曲霉 C 米根酶 D 黄曲霉 2. 下列不属于．．．淘汰野生型方法是 【 】 A 饥饿法 B 差别杀菌 C 抗生素法 D 影印培养法 3. 下列只能用作培养基碳源的是 【 】 A 葡萄糖 B 玉米浆 C 硫酸铵 D 大豆粉 4. 下列不适．．用于空气除菌的方法是 【 】 A 过滤除菌 B 高压蒸汽除菌 C 静电除菌 D 辐射除菌 5. 引起发酵过程中pH 下降的因素有 【 】 A C/N 比过低 B 感染噬菌体 C 添加生理酸性物质 D 添加生理碱性物质 6. 可导致发酵染菌的是 【 】 A 空气过滤器失效 B 质粒分离丢失 C C/N 比不合适 D 菌种老化 7. 下列不属于．．．连续灭菌设备的是 【 】 A 预热器 B 加热塔 C 保温维持管 D 过滤器 8. 下列选项不适于．．． 加大接种量所采用的方法是 【 】
2019年全国硕士研究生招生考试初试自命题试题答案 考试科目及代码：发酵工程 862 B 卷 适用专业： 化学专业：化学生物学 答题内容写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效考完后试题随答题纸交回。 考试时间3小时，总分值 150 分。 一、单项选择题 （共10小题，每小题2分，共20分） 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 D D A B C A D C D C 二、填空题 （共 10 小题，每小题 2 分，共 20 分） 11. 蒸汽大量潜热使蛋白质变形 12. μ（比生长速率） 13. 1KN dL dN =- 14. 一次性、阶梯性 15. 产物促进剂 16. 厌氧（或嫌气） 17. （化学）消泡 18. 基因突变 19. 苯乙酸 20. 涡轮、螺旋桨 三、是非判断（共 5 小题，每小题 2 分，共 10 分） 21. 正确 22. 错误 23. 错误 24. 错误 25. 正确 四、名词解释题（共 10 小题，每小题 3 分，共 30 分） 26. 呼吸强度：单位重量的干菌体每小时所消耗的氧量（mmol/g ?h ）