放射科X光机球管技术参数
1.高压电源（中心接地）：单相或三相全波整流高压；
2.最高工作电压：透视110KV Max.
曝光125KV Max；
3.焦点标称值：大焦点2.0 小焦点1.0；
4.阳极最大输入功率（0.1s加载）：大焦点50KW
小焦点30KW
5.X射线管最大阳极热容量：140kJ（196kHU）;
6.X射线管灯丝阳极转速：50Hz 2700rpmMin;
7.X射线管灯丝伏安特性：大焦点（5.5A时）10V~13V
小焦点（5.5A时）7V~9V
8.X射线管阳极靶面角：17.5°靶材为钨
直径为90mm；
9.X射线管固有滤过为：0.8~1.2mmAL；
10.X射线管重量：≤1.75Kg；
11.X射线管阳极最大阳极加热功率为490W（650HU/s）；
12.灯丝电源频率：50Hz；
13.定子参数（见下表）：
15.X射线管组件总滤过当量≥2.5mmAL（62.5kV时）；
16.泄漏辐射加载因素值：110kV 3mA；
17.管组件最大辐射野：354mm×354mm（SID为1m时）；
18.管组件重量（约）：20Kg；
19.管组件冷却方式自然冷却或强制风冷；
20.管组件热容量为1100kJ（15000kHU）；
21.管组件最大连续热耗散（自然冷却）为200W（16kHU/min）；
22.管组件最大连续热耗散（强制冷却）为400W（32Khu/min）。
投标公司要求。
1，投标公司、生产公司的三证和投标产品的注册证
2，生产产家的产品授权和公司委托人的授权书及身份证复印件，并加盖红章。3，附带彩页。
X 射线球管工作原理 分析文档 ;. .
目录 文档说明 (3) 一．X 射线的产生 (4) 二．固定阳极管 (4) 三．旋转阳极管 (5) 四．X 线管的基本特性 (6) 五．特殊X 线管 (7) 1. 三级X 线管 (8) 2. 金属陶瓷大功率X 线管 (8) 3. 软组织摄影用X 线管 (8) ;. .
文档说明;. .
;. 一．X 射线的产生 在高度真空的X 射线管中产生的，是高速电子与阳极靶面相互作用的结果。高速电子与 核电场作用形成辐射，产生一束连续X 线，X 线由于波长短、能量大，穿透作用强，将 穿过X 管壁、油层、滤过板而射向人体，用作治疗或诊断。 高速电子与带有一定夹角的阳极靶面撞击，产生的X 射线通过X 射线出口进入束光器 供医疗使用，如图所示。 束光器又称缩光器，主要作用：（1）指示投照中心和照射野的大小。（2）避免不必要的X 线照射。（3）吸收散射线，提高影像清晰度。 X 线的产生效率随管电流和靶材料原子序数的增加而成正比例增加。管电压不仅影响X 线的量，也影响X 线的质。X 线产生的效率比较低，同时X 线的利用率也比较低。通常， 在X 线诊断和治疗中，从X 线管窗口射出被利用的那一部分射线，仅占阳极靶面产生X 线额10%以下，其余90%以上的X 线都被X 线管的管壁和管套吸收或散射掉了。 通常，X 线管可分为固定阳极管和旋转阳极管。 二．固定阳极管 固定阳极管X 线管的结构由（阳极）、（阴极）和（玻璃壳）三个部分组成，如图所示： 阳极由靶面、铜体、阳极罩、阳极柱 4 部分组成。作用是产生X 射线、散热、吸收二 次电子和散射线。阳极柱由紫铜制成，将铜体引出管外，通过与油之间的热传导把热量传导 出去。 阴极由灯丝和集射罩组成。作用：发射电子和聚焦，使打在靶面的电子束具有一定的形 状和大小，形成X 线管的焦点。灯丝由钨制成，用来发射电子。调节灯丝温度即可调节管 电流，从而调节X 射线的量。但是灯丝点燃时间越长，工作温度越高，蒸发速度越快，灯 丝寿命越短。 ;. .
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机
放射科常用X线投照技术常规手正位 骨骼部分 位置：患者在摄影台旁边侧坐，肘部弯曲。手掌紧靠暗盒，将第三掌骨头放于暗盒中心。各手指稍分开。 中心线：对准第三掌骨头，与暗盒垂直。 显示部位：显示所有指、掌、腕骨，尺桡骨下端的后前位影像，但拇指显示斜位像。 手后前斜位 位置：患者在摄影台旁边侧坐，肘部弯曲。将小指和和第五掌骨靠近暗盒外缘，手放成侧位。然后将手内转，使手掌与暗盒约成45度角。各手指均匀分开稍弯曲。 中心线：对准第五掌骨头，与暗盒垂直。 显示部位：此位置显示手部各骨的斜位影像。第二、三和四掌骨互相分开，第四、五掌骨可能稍有重叠。 手前后斜位 位置：患者面对摄影台正坐，前臂伸直。将小指和第五掌骨靠近暗盒内缘，手放成侧位。然后将手外转，使手与暗盒约成45度角。各手指均匀分开。 中心线：对准第五掌骨头，与暗盒垂直。 显示部位：此位置显示手部各骨的斜位影像。第三、四、五掌骨互相分开，第二和第三掌骨可能稍有重叠。 拇指前后位 位置：（1）患者面对摄影台正坐，前臂伸直，肘部垫高。手和前臂极度外转，使拇指背面紧靠暗盒。（2）患者面对摄影台正坐，前臂伸直，前用沙袋垫高。手和前臂极度内转，使拇指背面紧靠暗盒。其他四指伸直，也可用对侧手将其扳住，避免与拇指重叠。 中心线：对准拇指的掌指关节，与暗盒垂直。 显示部位：（1）此位置显示拇指指骨和第一掌骨的前后位影像，腕掌关节和其周围结构也都能清晰显示。（2）此位置显示拇指指骨和第一掌骨的前后位影像，腕掌关节常被遮蔽，显影不清。 拇指侧位 位置：患者面对摄影台正坐，前臂伸直。或侧坐于摄影台旁，肘部弯曲。拇指外侧缘紧靠暗盒，其余四指握拳，用以支持手掌，防止抖动。 中心线：对准拇指的指掌关节，与暗盒垂直。 显示部位：显示拇指指骨和第一掌骨的侧位影像。 腕关节后前位 位置：患者侧坐摄影台前，肘部弯曲。腕关节放于暗盒中心，手指握拳，使腕部掌面易与暗盒靠紧。
国产医用X 光球管 球 管 型 号 替代型号 备 注 XD1 XD1-3/100 配 30mA 机 XD2 XD2-1 ， 4/85 配 10mA ， 15mA 机 XD3 XD3-3 ， 5/100 配 50mA 单焦点机 XD4-2 XD4-2 ， 9/100 配 100mA ， 200mA 固定机 XD6 XD6-1.1 ， 3.5/100 配 50mA 双焦点机 XD7 XD7-1.05/35 配乳腺机 XD12 XD12-0.56/70 配 牙科光机 XZ1 XZ1-4/250 深 部治疗机 XD55 XD55-10.2/125 配 100maX 线立 透机 KL74-1/2-100 XD51-20,40/100 E7239 配 200maX 线 机 KL74-1/2-125 XD51-20, 40/125 , RAD-8,DRX- 1403/1603 配 300maX 线 机 KL74-1/2-125S XD51-20,40/125S X40S ,E7239 配 300maX 线 机 KL90-1/2-125 XD52-30,50/125 配进口 500maX 线机 KL90-1/2-150 XD52-30,50/150 配进口 500maX 线机 KL90-0.3/1.2-150 XD52-10,40/150 配进口 500maX 线机 KL74-0.6/1.2-150H XD51-20,40/150RAD-68 ， A132 配 进口 500maX 线 机 KL90-0.6/1.2-150H P18C ， SR033 ， XH03 ， E7252 配进口 500ma800maX 线机 kL80-0.3/1.2-125 RAD-14 ， DRX-1725 ， E7299 小焦点 KL100-0.6/1.2-150H RAD21 ， P38C ， E7254 ， DRX3724/0324 ， A192 配进口 500mA 800mAX 线机
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
放射科常用X 线投照技术常规手正位 骨骼部分位置：患者在摄影台旁边侧坐，肘部弯曲。手掌紧靠暗盒，将第三掌骨头放于暗盒中心。各手指稍分开。中心线：对准第三掌骨头，与暗盒垂直。显示部位：显示所有指、掌、腕骨，尺桡骨下端的后前位影像，但拇指显示斜位像。 手后前斜位位置：患者在摄影台旁边侧坐，肘部弯曲。将小指和和第五掌骨靠近暗盒外缘，手放成侧位。然后将手内转，使手掌与暗盒约成45 度角。各手指均匀分开稍弯曲。 中心线：对准第五掌骨头，与暗盒垂直。显示部位：此位置显示手部各骨的斜位影像。第二、三和四掌骨互相分开，第四、五掌骨可能稍有重叠。手前后斜位位置：患者面对摄影台正坐，前臂伸直。将小指和第五掌骨靠近暗盒内缘，手放成侧位。然后将手外转，使手与暗盒约成45 度角。各手指均匀分开。 中心线：对准第五掌骨头，与暗盒垂直。显示部位：此位置显示手部各骨的斜位影像。第三、四、五掌骨互相分开，第二和第三掌骨可能稍有重叠。拇指前后位 位置：（1）患者面对摄影台正坐，前臂伸直，肘部垫高。手和前臂极度外转，使拇指背面紧靠暗盒。（2）患者面对摄影台正坐，前臂伸直，前用沙袋垫高。手和前臂极度内转，使拇指背面紧靠暗盒。其他四指伸直，也可用对侧手将其扳住，避免与拇指重叠。 中心线：对准拇指的掌指关节，与暗盒垂直。 显示部位：（1）此位置显示拇指指骨和第一掌骨的前后位影像，腕掌关节和其周围结构也都能清晰显示。（2）此位置显示拇指指骨和第一掌骨的前后位影像，腕掌关节常被遮蔽，显影不清。 拇指侧位位置：患者面对摄影台正坐，前臂伸直。或侧坐于摄影台旁，肘部弯曲。拇指外侧缘紧靠暗盒，其余四指握拳，用以支持手掌，防止抖动。 中心线：对准拇指的指掌关节，与暗盒垂直。显示部位：显示拇指指骨和第一掌骨的侧位影像。 腕关节后前位位置：患者侧坐摄影台前，肘部弯曲。腕关节放于暗盒中心，手指握拳，使腕部掌面易与暗盒靠紧。中心线：对准尺骨和令人满意的骨茎突联线的中点，与暗盒垂直。显示部位：显示所有腕骨、尺桡骨下端与掌骨近端的后前位影像。 腕关节侧位位置：患者侧坐摄影台前，肘部弯曲。手和前臂侧放，将第五掌骨和前臂尺侧紧靠暗盒。尺骨茎突放于暗盒中心。 中心线：对准桡骨茎突，与暗盒垂直。显示部位：显示腕骨、掌骨近端和尺桡骨下端的侧位影像，但都相互重叠。 腕关节轴位 位置：患者面对摄影台正坐，前臂伸直。将腕关节掌面放于暗盒的前1/3处，腕部垫高约3cm左右。然后 嘱患者将手掌极度后倾，并用对侧手扳住被检侧手指，使保持后倾姿势。为了使豌豆骨和钩骨的影像不致互相重叠，可将手指稍偏向桡侧。 中心线：向肘侧倾斜25?30度，对准第三掌骨底部上约2cm处，射入暗盒中心。显示部位：显示大多角骨掌面、舟骨、小多角骨、头状骨、钩骨、三角骨和豌豆骨等轴位影像。舟骨后前位（尺偏位） 位置：患者面对摄影台正坐，前臂伸直。暗盒放于20度角度板上，或将暗盒前端用沙袋垫高20度。腕部 平放于暗盒上，这样可使舟骨与胶片平行。然后将手掌尽量偏向尺侧，肘部也向外偏，使舟骨和它的邻接面分开，舟
国产医用X光球管 球管型号替代型号备注XD1 XD1-3/100 配 30mA 机 XD2 XD2-1 ， 4/85 配 10mA ， 15mA 机 XD3 XD3-3 ， 5/100 配 50mA 单焦点机 XD4-2 XD4-2 ， 9/100 配 100mA ， 200mA 固定机 XD6 XD6-1.1 ， 3.5/100 配 50mA 双 焦点机 XD7 XD7-1.05/35 配乳腺机 XD12 XD12- 0.56/70 配牙科光机 XZ1 X Z1-4/250 深部治疗机 XD55 XD5 5-10.2/125 配 100maX 线立透机 KL74-1/2-100 XD51-20,40/100 E7239 配200maX 线机 KL74-1/2-125 XD51-20, 40/125 , RAD-8,DRX- 1 403/1603 配 300maX 线机 KL74-1/2-125S XD51-20,40/125S X40S ,E7239 配300maX 线机 KL90-1/2-125 XD52-30,50/125 配进口500maX 线机 KL90-1/2-150 XD52-30,50/150 配进口500maX 线机 KL90-0.3/1.2-15 0 XD52-10,40/150 配进口 500maX 线机 KL74-0.6/1.2-15 0H XD51-20,40/150RAD-68 ， A132 配进口 500maX 线机 KL90-0.6/1.2-15 0H P18C ， SR033 ， XH03 ， E7252 配进口 500ma800maX 线 机 kL80-0.3/1.2-12 5 RAD-14 ， DRX-1725 ， E7299 小焦点 KL100-0.6/1.2-1 50H RAD21 ， P38C ， E7254 ， DRX3724/0324 ， A192 配进口 500mA 800mAX 线机
型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
国产医用X光球管 球管型号替代型号备注 XD1XD1-3/100 配30mA 机 XD2 XD2-1 ，4/85 配10mA ，15mA 机 XD3 XD3-3 ，5/100 配50mA 单焦点机 XD4-2 XD4-2 ，9/100 配100mA ，200mA 固定机 XD6，100 配50mA 双焦点机 XD735 配乳腺机XD1270 配牙科光机XZ1XZ1-4/250 深部治疗机 XD55 125 配100maX 线立透机 KL74-1/2-100 XD51-20,40/100 E7239 配200maX 线机 KL74-1/2-125 XD51-20, 40/125 , RAD-8,DRX- 1403/1603 配300maX 线 机 KL74-1/2-125S XD51-20,40/125S X40S ,E7239 配300maX 线机 KL90-1/2-125 XD52-30,50/125 配进口500maX 线机 KL90-1/2-150 XD52-30,50/150 配进口500maX 线机 XD52-10,40/150 配进口500maX 线机 XD51-20,40/150RAD-68 ，A132 配进口500maX 线机 P18C ，SR033 ，XH03 ，E7252 配进口 500ma800maX 线机 RAD-14 ，DRX-1725 ，E7299 小焦点 RAD21 ， P38C ，E7254 ，DRX3724/0324 ，A192 配进口500mA 800mAX 线机 点击数：录入时间：【打印此页】【关闭】
产品名称：东芝 产品类别：美国瓦里安可替代各种X线球管 产品说明 东芝X线球管 原球管型号焦点功率靶角度热容量KHU OEM MODEL FOCAL SPOTS KW RATING TARGET ANGLE ANODE HEAT CAPACITY E7239X 12°300 E7255X 各种X光机球管 原球管型号焦点功率靶角度热容量KHU OEM MODEL FOCAL SPOTS KW RATING TARGET ANGLE ANODE HEAT CAPACITY 岛津(SHIMADZU) P18C 11/49 12°300 P38C 11/49 12°300 P38C(P323PK) 40/100 12°300 P18C 40/100 12°300 1-2 P18C 55/120 12°300 1-2 P38C 55/120 12°300 东芝(TOSHIBA) DRX-1603 22/47 16°150
迈瑞DigiEye560T医用X射线射影系统 拓展应用范围新一代U型臂设计，单板多功能 U型臂与平板探测器多角度电动旋转，满足全身各部位、多体位投照要求，尤其对多种特殊体位的投照有明显优势，提高病人舒适度，减轻技师工作量 卓越的图像质量全球领先的平板探测器技术，优异的影像链 非晶硅平板探测器 采用当前最先进的碘化铯非晶硅平板探测器，环境适应性强，性能可靠稳定，高量子探测效率，高空间分辨率，高动态范围，获取最佳图像质量 优异的影像链 高性能X线产生系统；14bit灰阶采集，3K×3K有效像素的非晶硅平板探测器；自动优化的图像采集与处理功能，展现更加完美的图像品质 加快病人流通多模式智能操控 高端智能遥控操作 多种智能控制模式，简洁快速的操作界面，为工作人员操作提供最大限度的便捷，加快临床摄片的速度及准确度 遥控器操控触摸屏操控探测器按键操控 一键到位 根据临床不同需求可预设多达20个投照部位，摆位、体位切换、检查结束均可实现一键到位，优化工作流程，提高检查效率
全面网络兼容 系统全面支持DICOM协议，可与RIS/HIS/PACS实现无缝连接，快速的图像存储、浏览、查询、打印，大大加快工作流程 全面安全呵护多重保护措施 低剂量 自动曝光控制系统（AEC），特设儿童曝光程序，高量子探测效率（DQE），有效降低辐射剂量 智能过载保护 X射线管智能过载保护功能，时时监视X射线管状态，确保安全运行 防碰撞装置 平板探测器具有缓冲器装置，避免碰撞障碍物，有效保护探测器 如何更换X光机球管 准备工作： 1，先准备一个同型号的球管，在安装之前先记下球管的出厂编号 2，准备好25#变压器油。 3，还要把变压器油，加热到100摄氏度。 安装步骤： 1，先把阳极打开，这样可以看到有一根从电缆套部分过去的一根线，先把这根线拆掉。 2，先把球管的阴极的盖打开。 3，能后把三根线拆除，大焦点，小焦点，公用线。 4，能后把固定 5，这样就可以把圆形环拿出来，这样就除下X线管了。 6，这时，用一只手伸进去握稳X线管，能后一手稳好球管，里面的手要用力向阳极，向逆时钟方向转下，这样就可以拿下X线管了。 7，安装时，要小心，安照这个想反的顺序来，还要注意X线管的中心点要对在窗口的中心位子，8，等所有的东西固定后，就可以把烧好的变压器油加入球管了（要低于60摄氏度） 9,要静置一段时间，或反复排净空气后再使用。 万东F52-8C程控500mA X线机故障维修四例 万东F52—8C程控x线设备，该设备性能稳定，故障率低，使用成本低。介绍几例日常故障的分析排除方法，供参考。
（IRF系列） 型号 厂 家用 途 构 造 沟 道 方 式 v111(V) 区 分 ixing(A) pdpch(W) waixin g IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3
IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3 IRF222 IR N 200 4.0 4.0 TO-3 IRF223 IR N 150 4.0 40 TO-3 IRF224 IR N 250 3.8 40 TO-204AA IRF225 IR N 250 3.3 40 TO-204AA IRF230 IR N 200 9.0 75 TO-3 IRF231 IR N 150 9.0 75 TO-3 IRF232 IR N 200 8.0 75 TO-3 IRF233 IR N 150 8.0 75 TO-3 IRF234 IR N 250 8.1 75 TO-204AA
1．X射线的发现 1895年11月8日，德国物理学家伦琴在做真空管高压放电试验时发现了一种射线。这种射线是肉眼看不见，但具有很强的穿透本领，能使某些物质发出荧光并能使暗箱中的胶卷感光。由于当时人们对它还缺乏了解，因此就把这种射线称为X射线。后来经过试验证明，它是一种波长极短的电磁波（0.01~0.5?)。后人为了纪念伦琴的这一伟大发现，还把X射线称为伦琴射线。由于X射线后来在工业和医疗领域中得到了广泛的应用，为此伦琴于1901年荣获了首届诺贝尔物理学奖 ２．X射线特性 一. 物理特性 ?穿透性：可以穿透物体，反映出物体的密度和厚度差异性。医学上利用它可以检查人体内的病变。工业上使用它对钢铁进行探伤 ?荧光作用：X线波长很短，肉眼看不见，照射到某些化合物被其吸收后，就可以产生波长较长且肉眼可见的荧光，荧光的强弱与所接收的X射线量的多少成正比，与被穿透物体的密度及厚度成反比。根据X线的荧光作用，利用这些化合物制成透视荧光屏或暗盒的增感屏，供透视或拍片用。 ?电离作用：X射线通过物质被吸收后，可使组成物质的分子分解成正、负离子，称为电离，离子的数量和物质吸收X线量的多少成正比。利用X线的电离作用，使用电离室就可以测量穿过人体X线量的多少。 二. 化学特性 ?使溴化银发生光化学反应，在胶片上形成潜影。 三. 生物效应 X射线穿透人体时，可以使体内组织细胞的机能形态受到不同的影响。使肿瘤的细胞组织得到抑制。医学上利用X线的这种效应，对患有肿瘤的患者进行放射治疗。
３．X射线的质和量 ?X射线的质： 是指X射线的穿透能力，它取决射线的波长。医用射线波长在0.1~0.01?之间。通过调整球管阴、阳极两端的电压可以改变X射线的质。X射线的质常用用kVp表示。通常用半价层来测量射线的质。X线的质影响胶片的对比度。 ?X射线的量： 表示单位时间内通过与射线垂直方向上的单位面积的光子数的多少。通常用mAs表示。调整球管的灯丝电压和曝光时间可以改变射线的量。X射线的量影响胶片的黑化度（密度） ４．X射线管的发展历史 ?气体X射线管 1895年德国Siemens公司发明了气体电离式X射线管。缺点是容量小，效率低，穿透力弱。管电压只有40～50kV。管电流为1mA左右。 ?固定阳极X射线管 1910年美国物理学家coolidge发明了固定阳极X射线管。并与1913年开始使用。由于固定阳极X 射线管的功率较低，曝光过程中容易造成运动模糊。而且焦点大又可以产生几何失真，因此临床使用中存在一定的局限性。 ?1923年发明了双焦点固定X射线管 ?旋转阳极X射线管 1927年Browers研制成功了旋转阳极X射线管。并于1929年由荷兰Philips公司投入临床使用。与固定阳极X射线管相比，它具有功率大，焦点小等优点。 ５．X射线管的结构 一．固定阳极：阳极头、阳极帽、阳极圈和阳极柄组成 用来吸收和加速电子，使高速运动的电子轰击靶面产生X射线。同时又起到吸收二次电子和散乱线的作用。
常用场效应管（25N120等）参数及代换 FGA25N120AND （IGBT）1200V/25A//TO3P （电磁炉用） FQA27N25 （MOSFET）250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 （MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 （MOSFET）250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A FQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 （MOSFET）600V/24A/TO3P FQA10N80 （MOSFET）800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 （MOSFET）800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 （MOSFET）900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C （MOSFET）900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C （MOSFET）900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN （快恢复二极管）200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管）600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN （快恢复二极管）600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基）100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU （肖特基）45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 （快恢复二极管）600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管）600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 （MOSFET）100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET）100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460 KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动 IC RHRP860 （快恢复二极管）600V/8A/30NS/TO-220 MUR860 RHRP1560 （快恢复二极管）600V/15A/TO0220 MUR1560 RHRP8120 （快恢复二极管）1200V/8A/75W/TO220 RHRP15120 （快恢复二极管）1200V/15A/TO220 RHRP30120 （快恢复二极管）1200V/30A/125W/TO220单DSEI20-10A RHRG30120 （快恢复二极管）1200V/30A/T03P SSH45N20B （MOSFET）200V/45A/TO3P IRFP260 FGL40N150D （IGBT）1500V/40A/TO264快速IGBT FGL60N100BNTD （IGBT）1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100 HGTG10N120BND （IGBT）1200V/35A/298W/100ns/TO247 HGTG11N120CND （IGBT）1200V/43A/298W/TO247 HGTG18N120BND （IGBT）1200V/54A/390W/90ns/TO247 FQP5N50C （MOSFET）500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35W
注意事项： 1、有效焦点大小的选择：小焦点一般适用于体薄和不易动的部位，如四肢、头部的局部片等；大焦点用于一些体厚和易活动的部位，如腹部、胸部、脊椎等；高KV摄影时也可用小焦点。在条件许可的情况下，尽量选用小焦点，以提高照片锐利度。 2、焦片距和肢片距的选择：投照时病人应尽量使肢体贴近暗盒，并且与胶片平行。在肢体与胶片不能靠近时，应尽量增加焦片距，可同样收到放大率小、锐利度高的效果。不能平行时，应根据几何投影原理减少影像变形。 3、中心线与斜射线的利用：中心线垂直于被摄体和胶片为最好的投影方式。与胶片不平行而成角者中心线应与肢体与胶片夹角的分角面垂直，倾斜中心线与利用斜射线可得到相同效果。 4、滤线设备的应用：一般在摄影千伏超过70KV以上均需使用滤过板，滤去软射线。体厚超过15㎝或60KV以上管电压时需用滤线栅，应注意滤线设备的选择和使用。 5、X线管、肢体、胶片的固定：肢体安置不仅要使患者舒适，便于配合，更重要的是要符合摄影要求。片盒一般为平放或垂直放置摄影架上。中心线、被摄部位和胶片对准后，将X 线管固定。 6、照射量的选择：根据摄影部位、体厚和机器性能，选择合适的管电压、管电流和照射时间，对不能合作者尽量用高KV，高mA,短S。 7、呼气与吸气的应用：摄片时被检者的呼吸动作对影像质量有重要影响。一般不因呼吸运动而产生移动的部位，勿需屏气曝光；有五种情况，即平静呼吸下屏气、深吸气后屏气、深呼气后屏气、缓慢连续呼吸及平静呼吸不屏气。 8、体厚的测量：首先要目测体厚测量尺的横杆与游标杆是否平行，使两杆平行才能测得正确的数字，然后选择适当的测量点，如胸片取第六胸椎处，并应按曝光时状态测量。 骨骼部分 手正位 位置：患者在摄影台旁边侧坐，肘部弯曲。手掌紧靠暗盒，将第三掌骨头放于暗盒中心。各手指稍分开。 中心线：对准第三掌骨头，与暗盒垂直。 显示部位：显示所有指、掌、腕骨，尺桡骨下端的后前位影像，但拇指显示斜位像。 手后前斜位位置：患者在摄影台旁边侧坐，肘部弯曲。将小指和和第五掌骨靠近暗盒外缘，手放成侧位。然后将手内转，使手掌与暗盒约成45度角。各手指均匀分开稍弯曲。 中心线：对准第五掌骨头，与暗盒垂直。 显示部位：此位置显示手部各骨的斜位影像。第二、三和四掌骨互相分开，第四、五掌骨可能稍有重叠。 手前后斜位
场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件 -------------------------------------------------------------- 1.概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图: 3.场效应管的主要参数: Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流）