国产医用X光球管
球管型号替代型号备注XD1 XD1-3/100
配 30mA 机
XD2
XD2-1 ，
4/85
配
10mA ， 15mA 机
XD3 XD3-3 ， 5/100 配 50mA
单焦点机
XD4-2
XD4-2 ，
9/100
配 100mA ，
200mA 固定机
XD6
XD6-1.1 ，
3.5/100
配 50mA 双
焦点机
XD7
XD7-1.05/35 配乳腺机
XD12
XD12-
0.56/70 配牙科光机
XZ1
X
Z1-4/250 深部治疗机
XD55
XD5
5-10.2/125
配
100maX 线立透机
KL74-1/2-100 XD51-20,40/100 E7239
配200maX 线机
KL74-1/2-125
XD51-20, 40/125 ,
RAD-8,DRX- 1
403/1603
配
300maX 线机
KL74-1/2-125S XD51-20,40/125S X40S ,E7239
配300maX 线机
KL90-1/2-125 XD52-30,50/125
配进口500maX 线机
KL90-1/2-150 XD52-30,50/150
配进口500maX 线机
KL90-0.3/1.2-15 0 XD52-10,40/150
配进口
500maX 线机
KL74-0.6/1.2-15 0H XD51-20,40/150RAD-68 ， A132
配进口
500maX 线机
KL90-0.6/1.2-15 0H P18C ， SR033 ， XH03 ， E7252
配进口
500ma800maX 线
机
kL80-0.3/1.2-12
5
RAD-14 ， DRX-1725 ， E7299 小焦点
KL100-0.6/1.2-1 50H
RAD21 ，
P38C ， E7254 ， DRX3724/0324 ， A192
配进口 500mA
800mAX 线机
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产品名称：东芝
产品类别：美国瓦里安可替代各种X线球管
产品说明
东芝X线球管
原球管型号焦点功率靶角度热容量KHU
OEM MODEL FOCAL SPOTS KW RATING TARGET ANGLE
ANODE HEAT
CAPACITY E7239X 1.0-2.0 21/42.5 16°140
E7299X 0.3-1.0 3.4/35.5 12°140
E7240X 0.6-1.2 14/29 12°140
E7242X 0.6-1.5 16.5/47 14°200
E7843X 0.6-1.2 20/46 12°150
E7252X
E7254X
0.6-1.2
0.6/1.2
27/75 12°300 E7255X 0.6-1.2 40/100 12°300
E7264X 0.6-1.2 40/100 12°400
---------------------------------------------------------------------------------------------------- --------------------------------------------------
--------------------------------------------------
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各种X光机球管
原球管型号焦点功率靶角度热
容量 KHU
OEM MODEL FOCAL SPOTS KW RATING TARGET
ANGLE ANODE HEAT CAPACITY
岛津 (SHIMADZU)
0.3-0.8
P18C 0.3-0.8 11/49 12° 300
0.3-0.8
P38C 0.3-0.8 11/49 12° 300
0.6-1.2
P38C(P323PK) 0.6-1.2 40/100 12°
300
0.6-1.2
P18C 0.6-1.2 40/100 12° 300
1-2 P18C 1.0-2.0 55/120 12° 300 1-2 P38C 1.0-2.0 55/120 12° 300 东芝 (TOSHIBA)
DRX-1603 1.2-2.0 22/47 16° 150 DRX-2825 0.3-1.2 7.5/75 12° 400 DRX-3535 0.3-0.6 11/49 12° 400 DRX-3724 0.6-1.2 40/100 12° 300 DRX-0324 0.6-1.2 40/100 12° 300 GE (CGR)
GE-HRT 1.0-2.0 37/78 15° 300 GE-HRT 0.6-1.2 27/70 12.5° 300 MX75 1.0-2.0 37/78 15° 300 MX75FL(R/X) 0.6-1.2 27/70 12.5°
300
MX100 0.6-1.2 21/57 15° 300 MSN742 0.6-1.2 14/44 15° 300
R-622 0.6-1.25 34/100 13.5° 400 RN-620 1.0-1.8 33/67 13° 400 R640 1.0-2.0 24/52 17.5° 550 RSN720 1.0-1.8 71/141 13° 600 RSN722 0.6-1.2 34/92 13° 600
RSN722 0.6-1.2 34/92 13° 850 MX120 0.6-1.2 34/92 13.5° 800 飞利浦 (PHILIPS)
SRO33/100 0.6-1.2 33/100 12° 32
5
SRO17/50 0.6-1.2 17/50 16° 325 西门子 (SIEMENS)
Bi-30-50R 0.6-1.0 30/50 12° 600
OPTI150
40/82C 0.6-1.0 40/82 12° 600
OPTI150
30/50C 0.6-1.0 30/50 16° 600
OPTI150
30/100C 0.6-1.2 40/100 13° 600
东芝X光球管
原球管型号焦点功率靶角度热
容量KHU
OEM MODEL FOCAL SPOTS KW RATING TARGET
ANGLE ANODE HEAT CAPACITY
E7239X 1.0-2.0 21/42.5 16° 140 E7299X 0.3-1.0 3.4/35.5 12° 140 E7240X 0.6-1.2 14/29 12° 140
E7242X 0.6-1.5 16.5/47 14° 200 E7843X 0.6-1.2 20/46 12° 150 E7252X 0.6-1.2 27/75 12° 300
E7255X 0.6-1.2 40/100 12° 300
E7264X 0.6-1.2 40/100 12° 400
美国瓦里安X光球管
原球管型号焦点功率靶角度热
容量KHU
OEM MODEL FOCAL SPOTS KW RATING TARGET
ANGLE ANODE HEAT CAPACITY
RAD-8 1.0-2.0 25/47 16° 150
RAD-14 0.6-1.2 32/77 12° 300 RAD-68 1.0-2.0 38/66 14° 300 A132 0.6-1.2 32/76 12° 300 A192 0.6-1.2 40/100 12° 300 G1082 0.3-1.0 13/90 10° 1000 G1092 0.6-1.2 10/100 12° 1000
意大利IAE X光球管
原球管型号焦点功率靶角度热
容量KHU
OEM MODEL FOCAL SPOTS KW RATING TARGET
ANGLE ANODE HEAT CAPACITY
X20P 0.3-0.6 5/17 10° 200 X40 1.0-2.0 20/40 16° 140 RTM782 0.6-1.2 32/78 12.5° 300 RTM90 0.3-0.6 9/35 12.5° 300
0.6-1.2 35/85 12.5° 300
0.6-1.3 35/95 12.5° 300
1.0-
2.0 70/137 12.5° 300
RTM780 0.3-0.6 6/25 10° 300 RTM82HS 0.6-1.2 22/65 15° 300 RTM101 0.3-0.8 12/55 12.5° 400
0.6-1.2 40/100 12.5° 400
1.0-
2.0 80/150 12.5° 400 RTC800 0.6-1.2 43/100 13° 600 RTC802 0.6-1.0 28/50 16° 600 RTC700 0.6-1.2 40/100 13° 800
0.6-1.3 40/105 13° 800 RTC1000 0.6-1.2 40/100 13° 1100
国产医用X光球管
球管型号替代型号备注
XD1-3/100 XD1-3/100 配 30mA 机XD2-1 ， 4/85 XD2-1 ， 4/85 配 10mA ， 15mA 机XD3-3 ， 5/100 XD3-3 ， 5/100 配 50mA 单焦点机
XD4-2 ， 9/100 XD4-2 ， 9/100 配 100mA ， 200mA 固定机XD6-1.1 ， 3.5/100 XD6-1.1 ， 3.5/100 配 50mA 双焦点机XD7-1.05/35 XD7-1.05/35 配乳腺机
XD12-0.56/70 XD12-0.56/70 配牙科光机
XZ1-4/250 XZ1-4/250 深部治疗机
KL64-0.8/1.8-125 XD55-10.2/125 XD55-10.2/125 配 100maX
线立透机
KL74-1/2-100 XD51-20,40/100 E7239 配 200maX 线机
KL74-1/2-125 XD51-20, 40/125 , RAD-8,DRX-1403/1603 配
300maX 线机
KL74-1/2-125S XD51-20,40/125S X40S ,E7239 配 300maX 线
机
KL90-1/2-125 XD52-30,50/125 配进口 500maX 线机
KL90-1/2-150 XD52-30,50/150 配进口 500maX 线机KL90-0.3/1.2-150 XD52-10,40/150 配进口 500maX 线机KL74-0.6/1.2-150H XD51-20,40/150RAD-68 ， XH01 ，
VARIANA132 配进口 500maX 线机
KL90-0.6/1.2-150H P18C ， SR033 ， XH03 ， E7252 配进口
500ma800maX 线机
kL80-0.3/1.2-125 RAD-14 ， DRX-1725 ， E7299 小焦点
KL100-0.6/1.2-150H RAD21 ， XH02 ， P38C ， E7254 ， DRX3724/0324 ，A192 配进口 500mA 800mAX 线机
CT球管
原型号 IAE 瓦里安当立热容
量保用次数
GE (CGR)
Light
Speed DA200 6.3M
联系公司
Hi-Speed FWI DX/I
LX/I RTC165 GS3576S MX165NP 3.
5M 120000
Hi-Speed
Advantage/Cti GS3576HS MX165 3
.5M 120000
Prospeed(QJ) RTC165 GS3576PS MX165PS
3.5M 90000
Prospeed
AI,CT/e,AII,EII,FII GS2276 MX135
2.0M 80000
Synergy/Sir/Advantage RTM135 GS2176
2.0M 80000
PACE/SYTEC2000-4000 RTM117 GS1562 MX115
1.5M 80000
CT9800,Hilight,9800Q RTM135 GS2076/GS2076K
2.0M 50000
CT9000 GS1575 1.5M
50000
CT8800 GS1079 1.0M
40000
SYTEC1600/1800,CTMAX RTM103 GS270 MX100
0.6M 40000
匹克PICKER
1200SX GS1596 CTR1555 1.5M
40000
1200SX RTC127PQ GS2096 CTR1562
2.0M 50000
IQ
PREMIER RTC127IQ GS2086IQ CTR1568
2.0M 50000
PQ2000/PQS RTC127PQ GS2086PQ CTR1563
2.0M 50000
PQ5000/6000
UitraZ CTR1970 5.0M
100000
PQ5000/6000
UitraZ CTR1971 4.0M
80000
PQ5000/6000
UitraZ CTR1972 6.5M
120000
东芝TOSHIBA
TCT-80A/300/400/500/600 CTV158 GS1588 DA18
0 1.5M 40000
TCT-600S,SPEED,SPRESS,Xvision GS2078 DA220
2.0M 50000
Xvision 系列
Xpress,TCT00sx GX3078 DA240 3.
5M 100000
岛津(SHIMADZU)
2000-4000 CTV158 GS1585 DA180
1.5M 40000
4000-5000 GS2078 DA220 2.0M
50000
6000-8000 GS3075 DA240 3.5M
100000
SIEMENS
OPTI151/155/156 GS2030 2.0M
50000
艾尔森（ EISCINT ）
Exei1800 1900SUPER
2000SPRINT GS1089 1.0M
50000
Exei1800 1900 UPER
2000SPRINT GS1589 1.5M
50000
2400Elect GS1579 1.5M
50000
2400Elite GS2079 2.0M
50000
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机
电脑主板适用场效应管参数及代换 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩ TO-252 3353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩ T O-263 3354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ 2SK 3355-ZJ 2SK 3355-ZJ TO-263 3355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ 2SK 3354-S-Z 2SK 3354-S-Z TO-263 3366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑 中的DC-DC转换 30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩ TO-252 3367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑 中的DC-DC转换 30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩ TO-252 3377-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩ TO-252 3385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ 2SK 3386-Z 2SK 3386-Z TO-252 3386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ 2SK 3385-Z 2SK 3385-Z TO-252 3900-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩ TO-263 3901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩ TO-263 3902-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩ TO-263 3943-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩ TO-263 738-Z N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管 30V，2A，20W，Ron=0.25Ω TO-252 MTD 10N05A N通道，功率场效应管 50V，10A，1.8W，Ron=0.1Ω MTD 3055A TO-252 10N05E 10N05E1 N通道，功率场效应管 50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1Ω TO-252 10N08E 10N08E1 N通道，功率场效应管 80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12Ω TO-252 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 3055A N通道，功率场效应管 60V，8A，1.8W，Ron=1.5Ω MTD 10N05A TO-252
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号：大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在，大屏幕彩色电视大都是数字高清，原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点，所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度，即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行，这样就会使行扫描的频率提高一倍，自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加，普通的行输出管已经不能胜任，要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有：C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等，这些行输出管的耐压都在1500V以上，电流多大于20A，但是由于其功耗比较大，损坏率还是比较高。归纳起来，其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足，行管不能迅速截止与饱和，导致行管内阻变大，将造成行输出电路的功耗增加，引起行输出管发烫，一旦超过行管功耗的极限值，便会使行管烧坏。 在海信高清电视中，行振荡方波信号是由数字变频解码板输出，经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后，送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态，故障率相对较高，损坏后就会造成行激励不足，损坏行输出管，对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外，行管基极的限流电阻阻值一般为Ω，与行管的发射极串联，再与行激励变压器并联，若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障，且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高 在行逆程期间，偏转线圈会对逆程电容充电，逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小，充电时间越短，充电电压越高，因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以，当行一旦超过行管的耐压值，就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时，一般是测量电容的直流参数，而一些ESR等交流参数无法测量，所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降，产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善，则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善，所以这种情况不多见，表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的，电源设计比较合理，保护功能全，不像以前的老式电源电路，电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现，但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高，最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻，如果采用普通行管，发射结并联电阻的阻值比较小，会造成基极驱动电流小，激励不足，行电流过大（正常高清行电流在500mA~600mA）而再次损坏。更换行管后测量行电流，如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的，可将电阻阻值增大，甚至拿掉；如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的，可减小该电阻阻值，再次测量行电流，如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
一：场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS (2)交流参数 低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 (3)极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 本站链接:场效应管的参数查询
二：场效应管的特点 场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高； （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强。 三. 符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件 场效应管分三个极：
Ｄ极为漏极（供电极） Ｓ极为源极（输出极） Ｇ极为栅极（控制极） Ｄ极和Ｓ极可互换使用 场效应管图例： 四. 场效应管的分类： 场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。 按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。 五主板上用的场效应管的特性：
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在 R X 1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。 当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则 该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两
个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 （2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G 1与栅极G 2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于RX1 0或RX 100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于RX10 k档，再测栅极G 1与G 2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R X 100档，红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5 V的电源电压，此时表针指示出的漏源极
（IRF系列） 型号 厂 家用 途 构 造 沟 道 方 式 v111(V) 区 分 ixing(A) pdpch(W) waixin g IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3
IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3 IRF222 IR N 200 4.0 4.0 TO-3 IRF223 IR N 150 4.0 40 TO-3 IRF224 IR N 250 3.8 40 TO-204AA IRF225 IR N 250 3.3 40 TO-204AA IRF230 IR N 200 9.0 75 TO-3 IRF231 IR N 150 9.0 75 TO-3 IRF232 IR N 200 8.0 75 TO-3 IRF233 IR N 150 8.0 75 TO-3 IRF234 IR N 250 8.1 75 TO-204AA
型号PDF 资料 厂商特性用途 极限 电压 Vm(V) 极限电 流Im(A) 耗散功 率(W) 代换型号 2SK2518-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放 大 200 20 50 2SK2519-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放 大 200 10 40 2SK2520-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放 大 200 10 30 2SK2521-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放 大 200 18 50 2SK2522-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放 大 300 18 40 2SK2523-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放 大 450 9 60 2SK2524-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放 大 450 9 40 2SK2525-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放 大 450 9 80 2SK2526-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放 大 900 5 60 2SK2527-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放 大 900 5 40 2SK2528-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放 大 900 4 80 2SK2529 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 35 2SK2530 SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 2 20 2SK2532 SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 10 40
常用场效应管（25N120等）参数及代换 FGA25N120AND （IGBT）1200V/25A//TO3P （电磁炉用） FQA27N25 （MOSFET）250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 （MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 （MOSFET）250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A FQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 （MOSFET）600V/24A/TO3P FQA10N80 （MOSFET）800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 （MOSFET）800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 （MOSFET）900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C （MOSFET）900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C （MOSFET）900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN （快恢复二极管）200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管）600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN （快恢复二极管）600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基）100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU （肖特基）45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 （快恢复二极管）600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管）600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 （MOSFET）100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET）100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460 KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动 IC RHRP860 （快恢复二极管）600V/8A/30NS/TO-220 MUR860 RHRP1560 （快恢复二极管）600V/15A/TO0220 MUR1560 RHRP8120 （快恢复二极管）1200V/8A/75W/TO220 RHRP15120 （快恢复二极管）1200V/15A/TO220 RHRP30120 （快恢复二极管）1200V/30A/125W/TO220单DSEI20-10A RHRG30120 （快恢复二极管）1200V/30A/T03P SSH45N20B （MOSFET）200V/45A/TO3P IRFP260 FGL40N150D （IGBT）1500V/40A/TO264快速IGBT FGL60N100BNTD （IGBT）1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100 HGTG10N120BND （IGBT）1200V/35A/298W/100ns/TO247 HGTG11N120CND （IGBT）1200V/43A/298W/TO247 HGTG18N120BND （IGBT）1200V/54A/390W/90ns/TO247 FQP5N50C （MOSFET）500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35W
2009-11-16 14:24 IRF 系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P 沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管, 没注明的均为N 沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage 漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current 漏极连续电流（TC=25 ℃ ） PD Total Power Dissipation 总功率耗散（TC=25 ℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商 型号耐压（V ）内阻电流功率封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF233 150 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF234 250 - 8.1 75 TO-204AA - IR IRF235 250 - 6.5 75 TO-204AA - IR IRF240 200 - 18 125 TO-204AE - IR
电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号 2SK 3225-Z 3353- Z 3354-S 3354-Z 3355-ZJ 3366-Z 3367-Z 3377-Z 3385-Z 3386-Z 3900-ZP 3901-ZK 3902-ZK 3943-ZP 738-Z MTD 10N05A 10N05E
10N05E1 10N08E 10N08E1 器件型号用途及参数替换型号 N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/110ns， Ron=0.018mΩ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关2SK 60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ3355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 2SK 60V，83A，100W，130/510ns， Ron=5.8mΩ3354-S-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本 电脑中的DC-DC转换 30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩ N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本 电脑中的DC-DC转换 30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩ
N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关2SK 60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ3386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关2SK 60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ3385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩ N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管 30V，2A，20W，Ron=0.25Ω N通道，功率场效应管 50V，10A，1.8W，Ron=0.1Ω N通道，功率场效应管 50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1Ω N通道，功率场效应管
场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件 -------------------------------------------------------------- 1.概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图: 3.场效应管的主要参数: Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流）