《电子技术基础》习题三答案
一、单项选择题（本大题共30小题，每小题2分，共60分）
1、测得处于放大状态的某三极管当I B=30μA时，I C=2.4mA；I B=40μA时，I C=3mA；该三极管的交流
放大倍数为（ B ）
A、80
B、60
C、75
D、100
2、图示三极管应用电路中，三极管的U BE= 0.6V，β=50，如果近似认为三极管集电极与发射极间
饱和电压U CES≈ 0，则三极管的集电极电流I C ( C )。
A、等于5mA
B、等于3mA
C、约等于4mA
D、等于0
R B R C
I B
I C
β =50+12V
3kΩ
114k
3、图示三极管应用电路中，三极管工作在 ( C )。
A、截止区
B、饱和区
C、放大区
D、击穿区
R B
I B
β =50+12V
114kΩ
I C
4、测得放大电路中某三极管各管脚对参考点的电位分别为：管脚①2.3V，管脚②3V，管脚③-9V，
则可判定( D )。
A、该三极管是锗管且管脚①是发射极
B、该三极管是硅管且管脚③是发射极
C、该三极管是硅管且管脚①是发射极
D、该三极管是硅管且管脚②是发射极
5、增强型NMOS管的电路符号是下图中的（ A ）
B
A B C D
6、图示差动电路，在电路非理想对称的条件下，增大R E对放大电路性能的影响是( B )。
A、提高共模电压放大倍数
B、提高共模抑制比
C 、提高差模电压放大倍数
D 、增加差模输入电阻
+U CC
R B
R C
u I1
R L
u O
T 1
R C
T 2
R B
R P R E
?U EE
u I2
7、图示差动电路中，增加R E 对放大电路性能的影响是( C )。 A 、减小共模抑制比 B 、减小差模电压放大倍数 C 、减小共模电压放大倍数 D 、增加差模输入电阻
+U CC
R B
R C
u R L u O
T 1
R C T 2R
B
R E
?U EE
I2
8、功率放大电路如图所示，三极管的饱和压降U CES =2V ，该电路的最大效率ηmax 为( B )。 A 、78.5% B 、62.8% C 、50% D 、100%
u i
u o
R L
+10V
?10V
8Ω
9、功率放大电路如图所示，三极管的饱和压降U CES =2V ，则负载R L 可获得的最大不失真功率P omax
为（ B ）。
A 、6.25W
B 、4W
C 、12.5W
D 、8W
u i
u o
R L
+10V
?10V
8Ω
10、为了提高放大电路的效率和带负载能力，多级放大电路的输出级常采用（ A ）。 A 、互补对称功率放大电路 B 、三极管差动放大电路 C 、共发射极放大电路 D 、共集电极放大电路 11、图示电路中R F 引入的级间反馈类型为( C )。 A 、串联电压负反馈 B 、串联电流负反馈 C 、并联电压负反馈 D 、并联电流负反馈
R 1
R
F1
u A 1
∞
∞
R F2
R F
R L
R 2
R 3
u O
A 2
12、图示电路中R F 引入的级间反馈类型为（ A ） A 、串联电压负反馈 B 、串联电流负反馈 C 、并联电压负反馈 D 、并联电流负反馈
R 1
R
R F1
u A 1
∞
∞
R F2
R F
R L
R 2
R 3
u O
A 2
13、在放大电路中引入负反馈后，对放大电路性能的影响是（ B ）。
A 、增大放大倍数，提高放大倍数的稳定性
B 、减小放大倍数，改善非线性失真
C 、提高输入电阻，减小输出电阻
D 、减小放大倍数，消除非线性失真 14、集成稳压电源W7805应用电路如图所示，输出电压U O 的大小为( C )。 A 、5V B 、6V C 、11V D 、18V
U O
W7805
18V
R L
C I
C O
D Z
6V
R
15、逻辑电路如图所示，TTL 逻辑门电路的关门电阻R OFF =0.7k ?，开门电阻R ON =2k ?，在上拉电阻
R U 取值正常的情况下，输出端F 的逻辑表达式为（ A ）。 A 、F AB C =+ B 、F AB = C 、F AB C =+ D 、F ABC =
&&
+U CC
10k Ω
F
R U
16、三态门电路如图所示，则F 的逻辑表达式为( D )。
A 、F AE BE =+
B 、F AE BE =+
C 、F AE BE =+
D 、F A
E BE =+
F
E 1
EN
1
EN
17、图示逻辑电路中，已知TTL 门电路的关门电阻R OFF =0.7k Ω，开门电阻R ON =2k Ω，则输出输出F
的逻辑表达式为( B )。
A 、F ABC =
B 、F
C = C 、F ABC =
D 、F A BC =+
A C
B
F
&
&
10k Ω
18、对TTL 与非门电路多余的输入端子，不可以（ C ）.
A 、接高电位
B 、与有用输入端子并联
C 、接地
D 、通过10k Ω电阻接地 19、TTL 逻辑电路如图所示中、输出F 的高、低电平值约为（ D ）。 A 、OH OL 5V,0V U U == B 、OH OL 3.6V,0.3V U U == C 、OH OL 15V,0V U U == D 、OH OL 15V,0.3V U U ==
&
F
R
+15V +5V
20、时序逻辑电路如图(a)所示，设D 触发器的初始状态为“0”，在时钟脉冲CP 作用下Q 端的波
形为图(b)中的（ D ）。
Q
C1
1D Q
CP
CP
Q Q
Q Q
C.D.A.B.图(a)
图(b)
21、JK 触发器组成的电路如图(a)所示，设触发器的初始状态为“0”，时钟脉冲CP 的波形如图(b)中所示，则输出Q 的波形为图(b)中的( A )。
CP
Q Q
Q Q
A.B.C.D.S
R Q
Q
1J 1K C111
CP
图(a)
图(b)
22、555集成定时器构成的应用电路如图所示，当开关S 接通后扬声器( A )。 A 、将会一直发出声响 B 、发出声响一段时间后自动停止
C 、永远不会发出声响
D 、开始不会发出声响，延时一段时间后会一直发出声响
846
27
315
0.01μF
555+U CC
12C
S
C 1
23、由555集成定时器构成的应用电路如图所示，当把按钮SB 按下并迅速释放后，发光二极管
( C )。
A 、将会一直发光
B 、永远不会发光
C 、发光一段时间后自动熄灭
D 、开始不发光，过一段时间后一直发光
846
27
3155550.01μF
100k Ω
SB 20k Ω
C
＋5V
10μF
R R 1
24、具有定时功能的电路是（ C ）。
A 、多谐振荡器
B 、双稳态触发器
C 、单稳态触发器
D 、施密特触发器
25、某10位数模转换器，当输入二进制数为0000000001时，输出为0.01V ，若输入二进制数为
010*******时，输出将为（ C ）。
A 、0.7325V
B 、1.465V
C 、2.93V
D 、5.86V
26、在数字系统中，为了把模拟量转换为数字量，应采用的集成器件是（ B ）。 A 、D/A 转换器 B 、A/D 转换器 C 、计数器 D 、译码器
27、在数字系统中，为了把数字量转换为模拟量，应采用的集成器件是（ A ）。 A 、D/A 转换器 B 、A/D 转换器 C 、计数器 D 、译码器 28、存储容量为8k 8?的ROM ，其地址线数和位线数分别为（ D ）。
A 、12和7
B 、8和12
C 、8和13
D 、13和8
29、为了将1k ×4的RAM 扩展为4k ×8的RAM ，所需的1k ×4的RAM 片数为（ D ） A 、2片 B 、4片 C 、6片 D 、8片
30、交流放大电路如图所示，已知三级管β=100，U BE = 0.6V ，其余参数值如图中所示，电压放大倍数A u 为（ B ）
A 、-0.99
B 、0.99
C 、-1.98
D 、1.98
二、判断题（本大题共20小题，每小题2分，共40分，正确填“T ”，错误填“F ”）
1、各种比较器的输出只有两种状态。（ T ）
2、微分运算电路中的电容器接在电路的反相输入端。（ T ）
3、理想运放的两个重要结论是虚短与虚地。（ F ）
4、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是线性与非线性区。（ T ）
5、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是虚断。（ F ）
6、集成运放的反相输入端为虚地时，同相端所接的电阻起平衡作用。（ T ）
7、绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。（ F ）
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为仍为正弦。（ F ）
9、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是发射结反偏、集电结反偏。（ F ）
10、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。（ F ）
11、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。（ F ）
12、“虚地”现象只存在于反相的线性应用运放电路中。（ T ）
13、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（ F ）
14、集成运放使用时不接负反馈电路中的电压增益称为开环电压增益。（ F ）
15、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（ T ）
16、“虚地”是指该点与“地”点相接后具有“地”点的电位。（ F ）
17、微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。（ T ）
18、集成运放在开环状态下输入与输出之间存在线性关系。（ F ）
19、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（ F ）
20、理想运放构成的线性应用电路电压增益与运放本身的参数无关。（ F ）
1 电子技术基础试题（八） 一．填空题：（每题 3 分，共 30 分） 1、 PN 结具有 __单向导电特性____ 性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而___ 增大__ 。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的______输入电阻_____ 大和___ 输出电阻小_____ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻 RL 和信号源的内阻 rs__相等 __时，负载获得的功率最大，这种现象称为__ 阻抗匹配 ___。 5、运算放大器的输出是一种具有__深度负反馈高增益 ___的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：________ 甲__类功放， ___乙 ___类功放和___ 甲乙___类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量__偏流IBQ _____ ，以减少 __交越__失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__采样电路 _ 、基准电源，比较放大电路和__调整元件 __四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是_逻辑乘 __ 、 __逻辑加 _和 ___逻辑非 __。 10．主从触发器是一种能防止 __空翻 _现象的实用触发器。 二．选择题（每题 3 分，共 30 分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－ 10V ，负极电位是－ 5V ，则该晶体二极管处于：（ C ）。A. 零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（ A）。A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压 VCE上升 C.集电极电流增大
数字电子技术基础期末考试试卷 1.时序逻辑电路一般由和两分组成。 2.十进制数（56）10转换为二进制数为和十六进制数为。 3.串行进位加法器的缺点是，想速度高时应采用加法器。 4.多谐振荡器是一种波形电路，它没有稳态，只有两个。 5.用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M=。 123（1（24．T ，图1 5 时，6．D 触发器 的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图 D=Q n+1=Q 1= 7.已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表；
⑤电路功能。图4 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A 、B 、C 输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。 要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2ABCF 2求： （1（21.3.4.产生5.32 10分，共 70分） 1．解： 2．证明：左边 3．解： （1）化简该 函数为最简与或式： 解： F 3()43A B C D E A B C D E AB AC A D E =++++--------------=?+++--------------=++-------------分 分 分 ()()33()(1)22BC D B C AD B BC D BAD CAD BC BC BC D BA CA =++++--------------=++++--------------=++++-----------------------分 分分分
填对卡诺图圈对卡诺图-----------2分 由卡诺图可得： F A B A C D A C D B C B D =++++------------------------------2分 （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 则可得电路图如下：------------------------------------------------2分 4．T 1=0.7T=0.7f= T 1=q= 1T T 5．6． 方程： n n n Q Q K Q 0 0000=+ 1111110(n n n n Q J Q K Q Q X +=+=⊕（2分） ③输出方程：n n Q Q Y 01=-----------------------------------------（1分） ④状态表：--------------------------------------------------------------------（3分） ⑤从状态表可得：为受X 控制的可逆4进制值计数器。-----------------------------（2分） 1．解：（1）依题意得真值表如下:--------------------------3分 0102J J Q ⊕（分）
第一章：直流稳压电路 第一节：整流滤波电路 一、填空题 1、整流是将交流电压转换为_________电压，但整流后的电压是脉动直流电压，含有交流成分。 2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。 3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量，使之成为___________电压。 4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端，滤除交流分量。 5、电感滤波即将电感器与________串联，以限制交流分量通过负载。 6、二极管最主要的特性是___________ 二、判断题 1、二极管的正向电阻比反向电阻大。（） 2、二极管两端加上正向电压就能导通。（） 3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的倍。（） 4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（） 5、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。 （） 6、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压（） 7、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性，将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。（） 8、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性。（） 9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。（） 10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。（） 11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变，在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。（） 12、电容滤波电路通常选电容比较大，效果越好。（） 13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。 （） 三、选择题 1、二极管具有（ ) A、信号放大作用 B、单向导电性 C、双向导电性 2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（） A、特性良好 B、已被击穿 C、内部开路 3、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同，主要原因是（） A、万用表在不同的档位，其内阻不同 B、二极管有非线性的伏安特性 C、被测二极管质量差 4、关于电容滤波，下列说法错误的是（）
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
电子技术基础（三）试题答案及评分参考 第 1 页 （共 5 页） 绝密★启用前 2020 8 04730 一、单项选择题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 1．B 2．C 3．D 4．A 5．D 6．A 7．B 8．A 9．B 10．D 11．D 12．A 13．B 14．B 15．D 二、填空题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 16．0 17．?∠1.5310 18．0 19．单向导电性 20．截止 21．电压串联 22．反 23．同 24．增大 25．1A 26．1 27．32 28．4 29．2kHz 30．可编程 三、分析题：本大题共8小题，每小题5分，共40分。 31．（1）5 '31010V 105U =??=+,（1分） 10 ''1510V 105U =?=+,（1分） 101020V U =+=（1分） （2）2 2 2040W 10U P R ===（2分) 32．（1）1 o i u u dt t RC =-=?（3分） （2）t=3s 时，3V o u =；而t=6s 时，输出电压饱和，所以5V o u =（2分） 33．（1）U O(A V) =0.9U 2=18V （1分） （2）U O(A V) =1.2U 2=24V （1分） （3）U O(A V) =0.45U 2=9V （1分） （4）I D(A V) =0.5*18V/1 k Ω=9mA （2分） 34．（01000111）2=（71）10 （2分） （01000111）2=（47）16 （2分） （01000111）2=（01110001）8421BCD （1分）
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
电子技术基础（三）试题 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．以下关于脉动直流电压的描述中，正确的是（） A．电压的大小和方向均不随时间变化 B．电压的大小随时间变化，但方向不随时间变化 C．电压的大小不随时间变化，但方向随时间变化 D．电压的大小和方向均随时间变化 2．以下关于理想电流源特性的描述中，正确的是（） A．理想电流源的信号源内阻接近于零 B．理想电流源任何时候都可以串联在一起 C．理想电流源的输出电流与负载无关 D．理想电流源两端的电压与负载无关 3．电路如题3图所示，已知相量电流则向量电流I为（） A．10∠90° (A) B．10∠-90° (A) C．2∠45° (A) D．2∠-45° (A) 4．N型半导体中的多数载流子是（） A．自由电子B．空穴 C．五价杂质原子D．五价杂质离子 5．已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位 如题5图所示，则a、b、c三个电极分别为（） A．发射极、基极、集电极 B．发射极、集电极、基极 C．基极、发射极、集电极 D．基极、集电极、发射极 6．理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为（） A．R id=0，R O=0 B．R id=0，R O=∞ C．R id=∞，R O=0 D．R id=∞，R O=∞ 7．为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏，在两输入端间应采取的措施是（） A．串联两个同向的二极管B．串联两个反向的二极管 C．并联两个同向的二极管D．并联两个反向的二极管 8．在单相半波整流电路中，如变压器副方电压的有效值为U2，则二极管所承受的最高反向电压为（）
. 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题： 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ，振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业（班级） 姓名 学号
图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 图2 6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线………………………
D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 三、设计题：（每10分，共20分） 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 2．试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图5所示波形VO1、VO2，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表；
《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.
(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性
模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三（本科）及其参考答案 试卷三 一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（） a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。 a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差
模电压增益 100vd =A &，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。 a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流， 则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈 二、判断下列管子的工作状态（共10分） 1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。设所有的三极管和二极管均为硅管。 图2-1 2．电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。
电子技术基础试题（八） 一、填空题（每题3分，共30分） 1、P N结具有—单向导电特性—性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的—输入电阻—大和—输出电殂—小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R和信号源的内阻r s一相等—时，负载获得的功率最大，这种现象称为—阻抗匹配_。 一5、运算放大器的输出是一种具有—深度负反馈高增益_的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：_甲_类功放，_乙_类功放和—甲 乙_类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量—偏流 I B^，以减少_交越—失真。 8带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由—采样电路、基准电源、比较放大电路和—调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、逻辑加和逻辑非。 10、主从触发器是一种能防止_空翻一现象的实用触发器。 二、选择题（每题3分，共30分） 1 ?晶体管二极管的正极的电位是一10V,负极电位是一5V,则该晶体二极管处于：（C ）。 A.零偏 B. 反偏 C. 正偏 2?若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（A ）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（B ）。 A.3A V B.A 3V C.A V3/3 D.A V 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（A ）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（C）。 A.有交越失真 B. 易产生自激 C. 效率低 6.有两个2CW15急压二极管，其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极 并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是： （B ）。 A.8V 7?为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（A ）。 A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8.逻辑函数式E F+E F+EF,化简后答案是：（C ）。 A.EF B. F E+E F C.E+F 9.基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态：（B ）。A.
数字电子技术基础考题 一、填空题：（每空3分，共15分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（0 ）。 3．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。4．TTL器件输入脚悬空相当于输入（高）电平。 5．基本逻辑运算有: （and ）、（not ）和（or ）运算。 6．采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（最高）位。 7．触发器按动作特点可分为基本型、（同步型）、（主从型）和边沿型；8．如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用（积分型单稳态）触发器 9．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 10．施密特触发器有（2）个稳定状态.，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11．数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种；12．两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（半）加器。 13．不仅考虑两个_______本位_____相加，而且还考虑来自___低位进位____相加的运算电路，称为全加器。 14．时序逻辑电路的输出不仅和___该时刻输入变量的取值______有关，而且还与_电路原来的状态_______有关。 15．计数器按CP脉冲的输入方式可分为__同步计数器和____异步计数器_。 16．触发器根据逻辑功能的不同，可分为_____rs______、______jk_____、___t________、___d________、___________等。 17．根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用__反馈归零法_________、__预置数法_________、__进位输出置最小数法__等方法可以实现任意进制的技术器。 18．4. 一个JK 触发器有 2 个稳态，它可存储 1 位二进制数。 19．若将一个正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波，应采用多谐振荡器电路。20．把JK触发器改成T触发器的方法是 j=k=t 。 21．N个触发器组成的计数器最多可以组成2n 进制的计数器。 22．基本RS触发器的约束条件是rs=0 。
内蒙古应用技术专修学院2014 — 2015 学年第 2 学期 电子技术基础期末考试卷（A卷） 班级姓名学号 一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。） 1、半导体二极管加正向电压时，有（） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（） A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（） A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（） A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC 应当（） A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（） A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（） A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（） A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A、大 B、小 C、恒定 D、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（） A、U0=0.45U2 B、U0=1.2U2 C、U0=0.9U2 D、U =1.4U2 二、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共计10分。每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”，叙述错误的在答题卡上选涂“ B”。）1.P型半导体中，多数载流子是空穴（） 2.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降（） 3.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开（） 4.稳压二极管工作在反向击穿区域（） 5.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件（） 图2
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
数字电子技术基础1 一．1．（1５分） 试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。 二．（15分） 已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。 八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项。 三．（8分） 试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A （A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分） 试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。 74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。 五．（15分） 已知同步计数器的时序波形如下图所示。试用维持-阻塞型D触发器实现该计数器。要求按步骤设计。 六．（18分） 按步骤完成下列两题 1．分析图5-1所示电路的逻辑功能：写出驱动方程，列出状态转换表，画出完全状态转换图和时序波形，说明电路能否自启动。 2．分析图5-2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器，并画出状态转换图。 图5-1
图5-2 七． 八．（10分） 电路下如图所示，按要求完成下列问题。 1．指出虚线框T1中所示电路名称. 2．对应画出V C 、V 01、A 、B 、C 的波形。并计算出V 01波形的周期T=？。 数字电子技术基础2 一．（20分）电路如图所示，晶体管的β＝100,Vbe=0.7v 。 （1）求电路的静态工作点; （2） 画出微变等效电路图, 求Au 、r i 和r o ； （3）若电容Ce 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？并定性说明变化趋势. 二．（15分）求图示电路中a U 、b U 、b U 、c U 及L I 。 三．（8分）逻辑单元电路符号和具有“0”、“1”逻辑电平输入信号X 1如下图所示，试分别画出各单元电路相应的电压输出信号波形Y 1、Y 2、Y 3。设各触发器初始状态为“0”态。 四．（8分）判断下面电路中的极间交流反馈的极性（要求在图上标出瞬时极性符号）。如为负反馈，则进一步指明反馈的组态。 （a ） （b ）
一、填空题 1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。 2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。 4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。 7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为 2 Ω。 8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。 9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。 9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。 11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。 12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V，则其最大值为 311 V，频率为 100 Hz，初相位为 -60o。 13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o，电阻消耗的功率P= 4840 W。 14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V，则相电压为 380 V；
若相电流为10 A ，则线电流为 17.32 A 。 15．式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16．正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3，则称此种相序为 正序 。 19．在正弦交流电路中，电源的频率越高，电感元件的感抗越 大 。 20．已知正弦交流电压的有效值为200V ，频率为100Hz ，初相角为30o，则其瞬时值表达式u= 282.8sin （628t+30o） 。 21．正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22．对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23．电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作 短路 ，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。 24．表征正弦交流电振荡幅度的量是它的 最大值 ；表征正弦交流电随时间变化快慢程度的量是 角频率ω ；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的 初相 。 25．在RLC 串联电路中，已知电流为5A ，电阻为30Ω，感抗为40Ω，容抗为80Ω，那么电路的阻抗为 50Ω ，该电路为 容 性电路。电路中吸收的有功功率为 750W ，吸收的无功功率为 1000var 。
数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。
A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0.7、0.3 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题