电子技术基础第一学期试题库（1~6章）
一、填空题：（每空1分）
1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。答：导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性，特性和特性。
答：热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。
答：单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答：0.7V、0.3V。
（中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。
答：最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和
电流，所以硅二极管的热稳定性。
答：小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转
换成信号。
答：电、光、光、电。
7、三极管有三个电极，即极、极和极。
答：集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答：NPN、PNP。
（中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极
管具有作用。
答：电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。晶体三极
管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。
答：0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。
答：I C=βI B。
（中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答：增加、小。
12、三极管的极限参数分别是，，和。答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
（中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管
可作为器件。
答：放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为，
和。
答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答：使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。
答：I BQ、I CQ、U CEQ。
u i i都是由分量和分量两部分组成。
17、放大电路工作在动态时，,,
CE B C
答：直流、交流。
18、在共射极放大电路中，输出电压u o和输入电压ui相位。
答：相反。
（中）35、画放大电路的直流通路时，把看成开路；画放大电路的交流通路时，把和看成短路。
答：电容、电容、直流电源。
19、利用通路可估算放大器的静态工作点；利用通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻，输出电阻和电压放大倍数。
答：直流、交流。
20、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻些，以减轻信号源的负担，输出电阻些，以增大带负载的能力。
答：大、小。
21、放大电路的图解分析法，就是利用三极管的和，通过方法来分析放大器的工作情况。
答：输入特性、输出特性、作图。
（中）22、放大电路中，静态工作点设置得太高，会导致失真；静态工作点设置太低时，会导致失真。
答：饱和、截止。
23、放大电路产生非线性失真的根本原因是。
答：三极管特性的非线性。
24、影响放大电路静态工作点稳定的主要原因是。
答：温度。
25、多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和。答：阻容耦合、变压器耦合、直接耦合、光电耦合。
26、把放大器的一部分或全部通过一定的电路，按照某种方式送回到并与输入信号（电压或电流）叠加，可以改变放大器性能。这种把电压或电流从放大器的输出端返送到输入端的过程叫做。
答：输出信号、输入端、反馈。
27、负反馈放大器是由电路和电路组成。
答：基本放大、反馈。
28、所谓电压反馈是指；所谓电流反馈是指。答：反馈信号取的输出电压、反馈信号取的输出电流。
29、通常采用法判别正反馈还是负反馈。
答：瞬时极性法。
30、负反馈组态有、、和四种基本
形式。
答：电流串联、电压串联、电压并联、电流并联。
31、电压负反馈的作用是，电流负反馈的作用是。
答：稳定输出电压、稳定输出电流。
32、在放大电路中为了稳定静态工作点应该引入负反馈。为了提高电路的输入电阻，应该引入负反馈。
33、直流负反馈能稳定放大器的，交流负反馈能改善放大器的。
答：静态工作点、动态性能。
34、射极输出器具有输入电阻，输出电阻，电压放大倍数近似为等特点。答：大、小、近似为1。
35、功率放大器的主要任务是。
答：放大功率。
36、功率放大器按功放管工作点的位置不同可分为放大器、放大器和
放大器三类。
答：甲类、乙类、甲乙类。
37、常用功率放大器按照输出端特点不同可分为功率放大器、功率放大器和
功率放大器。
答：变压器、无输出变压器、无输出电容。
38、两个大小且极性的输入信号称为共模信号。
答：相等、相同。
39、两个大小且极性的输入信号称为差模信号。
答：相等、相反。
40、衡量差动放大电路性能优优劣的主要指标是。
答：共模抑制比。
（中）41、利用和概念分析工作在线性区的集成运放电路，可大大简化分析和计算过程。
答：虚短、虚断。
41、理想集成运放工作在非线性区，当U P大于U N时，U0= ；理想集成运放工作在非线性区，当U P小于U N时，U0= 。
答：+Uom 、-Uom。
（中）42、集成运放线性应用时，电路中必须引入才能保证集成运放工作在区。
答：负反馈、线性。
43、正弦波振荡电路是一种能量转换装置，它无需外加信号，就能通过电路自身的正反馈把转变为的电子电路。答：输入、直流电源提供的能量、具有一定频率和振幅的交流信号。
44、正弦波振荡器由、和等组成。答：放大电路、正反馈电路、选频电路。
45、实现振荡的两个条件分别为和。答：相位平衡条件、振幅平衡条件。
46、LC正弦波振荡器有式、式和式等几种形式。答：变压器反馈、电感三点、电容三点。
47、电感三点式LC振荡器中，电感线圈三端分别与晶体三极管的、和
相接。
答：基极、集电极、发射极。
48、RC桥式振荡器的振荡频率fo= 。
答：
1
2RC
。
49、石英晶体振荡器根据选用的谐振频率，可分为型和型两种形式。
50、在变压器次级电压相同的情况下，桥式整流电路输出的直流电压是半波整流电路的
倍，而且脉动。
答：2、较小。
51、将变成的过程叫做整流。
答：交流电、脉动直流电。
52、直流电源一般由、、和组成。答：电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路。
（中）53、单相半波整流电路中，若电源变压器次级电压的有效值是200V，则负载电压是。
答：90 V。
（中）54、在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A，则流过每只晶体二极管的电流是。
答：10 A。
53、常用滤波电路有、、等几种，滤波电路一般接在
电路的后面。
答：电容滤波、电感滤波、复式滤波、整流。
54、滤波电路中，滤波电容和负载联，滤波电感和负载联。
答：并、串。
55、若变压器次级电压为Ｕ２则单相半波整流电容滤波电路负载获得的直流电压在接负载时为，不接负载时为。
。
答：U2
2
56、所谓稳压电路，就是当或时，能使稳定的电路。答：电源电压波动、负载变化、输出电压。
57、晶闸管的三个电极分别是________、________和________。
答：阴极、阳极、门极。
58、晶闸管导通的条件是：在_____和_____之间加正向电压的同时，在______和_____之间也加正向电压。
答：阳极、阴极、门极、阴极。
59、晶闸管导通后_______就失去控制作用，这时晶闸管本身的压降为_______V左右。答：门极、1。
（中）60、晶闸管整流电路与二极管整流电路的最大区别是：晶闸管整流电路的输出电压是________，二极管整流电路的输出电压是________。
答：可变的、不变的。
61、快速熔断器在使用时，应________在电路中。
答：串联。
62、为了保证晶闸管长时间安全可靠的工作，实际使用时除主要考虑晶闸的和电压等级外，还必须采取适当的________和________保护措施。
答：、电流等级、过电压、过电流。
63、过电流保护通常采用______来进行。
答：快速熔断器。
64、过电压保护主要有______和______来保护。
答：阻容吸收、压敏电阻。
（中）65、阻容吸收回路可以并联在晶闸管整流电路______、_____或_____。
答：交流侧、直流侧、保护电路。
二、判断题：（每题1分）
（）1、半导体随温度的升高,电阻会增大。
（）2、PN结正向偏置时电阻小，反正偏置时电阻大。
（）3、硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（）4、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）5、二极管一旦反向击穿就一定损坏。
（）6、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。
（）7、发光二极管可以接受可见光线。
（）8、发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。
答：1、×2、√3、×4、×5、×6、√7、×8、×
（）9、放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真。
（）10、在共射极放大电路中，输出电压与输入电压同相。
（）11、放大器具有能量放大作用。
（）12、放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量。
（）13、共射放大电路的电压放大倍数随负载R L而变化，R L越大，电压放大倍数越大。答：9、√10、×11、×12、√13 、√；
（）14、固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定。
（中）（）15、稳定静态工作点，主要是稳定三极管的集电极电流I C。
（）16、采用阻容耦合的放大电路，前后级的静态工作点互相影响。
（）17、采用直接耦合的放大电路，前后级的静态工作点互相牵制。
（）18、分析多级放大电路时，可把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。答：14、√15、√16、×17 、√18、√；
（）19、反馈信号与输入信号的相位相同称为负反馈。
（）20、负反馈可以使放大倍数提高。
（）21、串联反馈就是电流反馈，并联反馈就是电压反馈。
（）22、若将负反馈放大器的输出端短路，则反馈信号也一定随之消失。
（）23、电压反馈送回到放大器输入端的信号是电压。
（）24、电流反馈送回到放大器输入端的信号是电流。
（）25、负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性。
（）26、负反馈可以减小放大器非线性失真。
答：19、×20、×21、×22、×23、×24、×25、√26、√；
（）27、负反馈对放大器的输入电阻和输出电阻都有影响。
（）28、射极输出器输入电阻大，输出电阻小。
（中）（）29、射极输出器电压放大倍数小1而接近于1，所以射极输出器不是放大器。（中）（）30、乙类功率放大器静态时，I CQ≈0，所以静态功率几乎为零，效率高。（中）（）31、甲乙类功率放大器能消除交越失真，是因为两只晶体三极管有合适的偏流。（）32、OTL功率放大器输出电容的作用仅仅是将信号传递到负载。
答：27、√28、√29、×30、√31 、√32、×；
（）33、直接耦合放大电路是把第一级的输出直接加到第二级的输入端进行放大的电路。（）34、直接耦合放大器级数越多，零点漂移越小。
（）35、直接耦合放大电路能够放大缓慢变化的信号和直流信号，但不能放大漂移信号。
（）36、阻容耦合放大电路不存在零点漂移问题。
（中）（）37、只要有信号输入，差动放大电路就可以有效地放大输入信号。
（中）（）38、共模抑制越小，差动放大电路的性能越好。
（中）（）39、差动放大电路对共模信号没有放大作用，放大的只是差模信号。
（）40、具有恒流源的差动放大电路，会影响差模信号的放大。
（）41、差动放大电路的共模放大倍数实际上为零。
（）42、R E大时，克服零点漂移的作用大。
答：33、√34、×35、×36、√37、×38、×39、√40 、×41、×42、√；
（）43、集成运算放大器是具有高放大倍数的直接耦合放大电路。
（）44、集成运放的引出端只有三个。
（）45、因为集成运放的实质是高放大倍数的多级直流放大器，所以它只能放大直流信号。（）46、只要具有正反馈，就能产生自激振荡。
（）47、振荡器为了产生一定频率的正弦波，必须要有选频网络。
（）48、正弦波振荡器只有在外界信号的激励之后，才能产生振荡。
（）49、放大器必须同时满足相位平衡条件和振幅平衡条件才能产生自激振荡。
（）50、振荡器一般分为正反馈振荡器和负反馈振荡器。
答：43、√44、×45、×46、×47、√48 、×49、√50、×；
（）51、振荡器中依靠非线性元件可以达到稳幅振荡。
（中）（）52、振荡的实质是把直流电能转变为交流电能。
（中）（）53、在LC振荡电路中，正反馈电压取自电感者称为电感三点式振荡电路。（中）（）54、在LC振荡电路中，正反馈电压取自电容者称为电容三点式振荡电路。（）55、若要获得低频信号，通常采用RC正弦波振荡器。
（）56、石英晶体振荡器的最大特点是振荡频率比较高。
（）57、单相桥式整流电路的整流二极管承受的最大反向电压为变压器次级电压的2倍。答：51、√52、√53、√54、√55、√56、×57、×；
（）58、在整流电路中，负载上获得的脉动直流电压常用平均值来说明它的大小。
（）59、单相桥式整流电路在输入交流电的每个半周内都有两只二极管导通。
（中）（）60、电容滤波电路带负载的能力比电感滤波电路强。
（中）（）61、单相整流电容滤波电路中，电容器的极性不能接反。
（中）（）62、整流电路接入电容滤波后，输出直流电压下降。
（中）（）63、单相桥式整流电路采用电容滤波后，每只二极管承受的最高反向工作电压减小。
（中）（）64、带有电容滤波的单相桥式整流电路，其输出电压的平均值与所带负载无关。答：58、×59、√60、×61、√62 、×63、×64、×；
（）65、硅稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向特性来实现的。
（）66、硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。
（）67、硅稳压二极管可以串联使用，也可以并联使用。
（）68、只要限制击穿电流，硅稳压管就可以长期工作在反向击穿区。
（）69、并联型稳压电路中负载两端的电压受稳压管稳定电压的限制。
（）70、串联型电压电路中调整管的作用相当于一只可变电阻。
（中）（）71、直流稳压电源只能在市电变化时使输出电压基本不变，而当负载电阻变
化时它不能起稳压作用。
答：65、×66、×67、×68、√69、√170 、√71×；
（）72、串联型稳压电路的稳压过程，实质是电压串联负反馈的自动调节过程。
（）73、晶闸管和二极管一样具有反向阻断能力，但没有正向阻断能力。
（）74、晶闸管触发导通后，门极仍具有控制作用。
（）75、晶闸管导通后，若阳极电流小于维持电流ih,晶闸管必然自行关断。
（）76、单相半波可控整流电路中，控制角越大，负载上得到的直流电压平均值也越大。（）77、晶闸管承受过电压，过电流的能力很强。
（）78、快速熔断器使用时应和被保护电路串联。
答：72、√73、×74、×75、√76 、×77、×78、√。
（）79、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（中）（）80、凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。
（）81、在RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为C，则其振荡频率f0＝1/RC。
（）83、只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。
（）84、当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。
（）85、一般情况下，在电压比较器中，集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入了正反馈。
答：83、√84√85√
三、选择题
1、PN结的最大特点是具有（）。
Ａ．导电性Ｂ．绝缘性Ｃ．单向导电性
2、半导体受光照，导电性能( )。
Ａ．增强Ｂ．减弱Ｃ．不变
（中）3、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（）。
Ａ．立即导通Ｂ．到0.3V才开始导通Ｃ．超过死区电压时才开始导通Ｄ．不导通（中）4、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。
Ａ．基本正常Ｂ．将被击穿Ｃ．将被损坏Ｄ．电流为零
5、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）。
Ａ．约等于150V Ｂ．略大于150V Ｃ．等于75V Ｄ．等于300V
6、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。
Ａ．增大Ｂ．减小Ｃ．不变Ｄ．先变大后变小
7、发光二极管工作时，应加（）。
A．正向电压 B.反向电压 C.正向电压或反向电压
答：1、C 2、A 3、C 4、C 5、C 6、A 7、A
8、变通信号灯采用的是（）管。
Ａ．发光二极管Ｂ．发电二极管Ｃ．变容二极管Ｄ．整流二极管
9、满足Ic=βI B的关系时，三极管的工作在（）。
Ａ．饱和区Ｂ．放大区Ｃ．截止区Ｄ．击穿区
10、晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）。
Ａ．随基极电流的增加而增加Ｂ．随基极电流的增加而而减小
Ｃ．与基极电流变换无关，只取决于U CC和R C
11、三极管是一种（ ）的半导体器件。
Ａ．.电压控制 Ｂ．电流控制
Ｃ．既是电压又是电流控制 Ｄ．功率控制
12、三极管的（ ）作用是三极管最基本和最重要的特性。
Ａ．电流放大 Ｂ．电压放大
Ｃ．功率放大 Ｄ．电压放大和电流放大
（中）13、NPN 型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（ ）。
Ａ．C E B U U U >>
Ｂ．C B E U U U >> Ｃ．C B E U U U << Ｄ．C B E U U U <<
答： 8、A 9、B10、C 11、B1 2、A 13、B
（中）14、在三极管的输出特性曲线中，当I B 减小时，它对应的输出特性曲线（ ）。
Ａ．向下平移 Ｂ．向上平移 Ｃ．向左平移 Ｄ．向右平移
（中）15、放大电路工作在动态时，为避免失真，发射结电压直流分量和交流分量大小关系为（ ）。
Ａ．直流分量大 Ｂ．交流分量大
Ｃ．直流分量和交流分量相等 Ｄ．以上均可
16、放大器输出信号的能量来源是（ ）。
Ａ．电源 Ｂ．晶体三极管 Ｃ．输入信号 Ｄ．均有作用
17、放大器的交流通路是指（ ）。
Ａ．电压回路 Ｂ．电流通过的路径
Ｃ．交流信号流通的路径 Ｄ．直流信号流通的路径
答： 14、A 15、A 16、A 17、C
18、某放大器的电压放大倍数为Au=-100,其负号表示（ ）。
Ａ．衰减 Ｂ．表示输出信号与输入信号的相位相同
Ｃ．放大 Ｄ．表示输出信号与输入信号的相位相反
19、在放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（ ）。
Ａ．集电极电压U CE 上升 Ｂ．集电极电压U CE 下降
Ｃ．基极电流不变 Ｄ．基极电流也随着增大
20、影响放大器工作点稳定的主要因素是（ ）。
Ａ．β Ｂ．穿透电流 Ｃ．温度 Ｄ．频率
21、在分压式偏置电路中，当环境温度升高时，通过三极管发射极电阻R E 的自动调节，会使（ ）。
Ａ．U BE 降低 Ｂ．I B 降低 Ｃ．I C 降低 Ｄ．I C 升高
22、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为A U ，则总的电压放大倍数为（ ）。
Ａ．3A U Ｂ． A U 3 Ｃ．A U
答：18、D 19、B 20、C 21、C 22、B
23、阻容耦合多级放大器（ ）。
Ａ．只能传递直流信号 Ｂ．只能传递交流信号
Ｃ．交直流信号都能传递 Ｄ．交直流信号都不能传递
24、直接耦合多级放大器（ ）。
Ａ．只能传递直流信号Ｂ．只能传递交流信号
Ｃ．交直流信号都能传递Ｄ．交直流信号都不能传递
25、欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（）。
Ａ．串联反馈Ｂ．并联反馈Ｃ．正反馈Ｄ．负反馈
26、负反馈使放大电路（）。
Ａ．放大倍数降低，放大电路的稳定性提高
Ｂ．放大倍数降低，放大电路的稳定性降低
Ｃ．放大倍数提高，放大电路的稳定性提高
Ｄ．放大倍数提高，放大电路的稳定性降低
27、以下不属于负反馈对放大器性能影响的是（）。
Ａ．提高放大倍数的稳定性Ｂ．改善非线性失真
Ｃ．影响输入输出电阻Ｄ．使通频带变窄
答：23、B 24、C 25、D 26、A 27、D
28、射极输出器是典型的（）放大器。
A.电压串联负反馈
B.电流串联负反馈
C.电压并联负反馈
D.电压并联负反馈
29、乙类功率放大器电路比单管甲类功率放大电路（）。
Ａ．输出电压高Ｂ．输出电流大Ｃ．效率高Ｄ．功率低
（中）56、给乙类功率放大器电路设置适当的静态工作点，其目的是（）。Ａ．消除饱和失真Ｂ．减小放大系数Ｃ．消除交越失真
30、直流放大器常采用（）克服零点漂移。
Ａ．分压式电流负反馈电路Ｂ．振荡电路
Ｃ．滤波电路Ｄ．差动放大电路
答：28、A29、C 30、D
31、电压比较器中，集成运放工作在（）状态。
Ａ．非线性Ｂ．开环放大Ｃ．闭环放大
32、选用差动放大电路的原因是差动放大电路可以（）。
Ａ．克服零点漂移Ｂ．提高输入电阻
Ｃ．提高放大倍数Ｄ．减少输出电阻
33、差动放大器是利用（）抑制零点漂移的。
Ａ．电路的对称性Ｂ．共模负反馈
Ｃ．电路的对称性和共模负反馈Ｄ．差模负反馈
34、所谓差模输入信号是指两输入信号为（）。
Ａ．大小和相位都相同Ｂ．相位相反Ｃ．大小相同，相位相反35、反相比例运算电路的反馈类型为（）。
Ａ．电压串联负反馈Ｂ．电压并联负反馈
Ｃ．电流串联负反馈Ｄ．电流并联负反馈
36、在同相输入运算放大器电路中，R f为电路引入了（）反馈。
Ａ．电压串联负反馈Ｂ．电压并联负反馈
Ｃ．电流串联负反馈Ｄ．电流并联负反馈
答：31、A 32、A 33、C 34、C35、B 36、A
37、正弦波振荡器中正反馈网络的作用是（）。
Ａ．满足起振的相位和振幅平衡条件Ｂ．提高放大器放大倍数
Ｃ．使某一频率的信号满足相位和振幅平衡条件
（中）73、振荡电路维持等幅振荡的条件是（）
Ａ．AF>1 Ｂ．AF=1 Ｃ．AF<1
38、LC振荡器的振荡频率取决于（）。
Ａ．反馈元件的参数Ｂ．正反馈的强度
Ｃ．三极管的放大系数Ｄ．选频网络的参数
39、电容三点式正弦波振荡器属于（）振荡器
Ａ．RC Ｂ．LC Ｃ．RL Ｄ．石英晶体
40、RC正弦波振荡器可产生（）频率的正弦信号。
Ａ．几十兆赫以下Ｂ．一百兆赫以上Ｃ．几百千赫以下
41、石英晶体振荡器的最大特点是（）。
Ａ．振荡频率高Ｂ．输出波形失真
Ｃ．振荡频率稳定度非常高Ｄ．振荡频率低
42、单相半波整流电路输出电压平均值为变压器次级电压有效值的（）倍。
Ａ．0.9 Ｂ．0.45 Ｃ．0.707 Ｄ．1
答：37、C 38、D 39、B 40、C 41、C 42、B
43、某单相半波整流电路，若变压器次级电压U2=100V，则负载两端电压及二极管承受的反向电压分别是（）。
Ａ．45V和141V Ｂ．90V和141V Ｃ．90V和282V Ｄ．45V和282V
44、单相桥式整流电路输出电压平均值为变压器次级电压有效值（）倍。
Ａ．0.9 Ｂ．0.45 Ｃ．0.707 Ｄ．1
45、某单相桥式整流电路，变压器次级测电压为U2 ,当负载开路时，整流输出电压为（）。Ａ．0.9 U2Ｂ．U2 Ｃ．√2U2 Ｄ．1.2U2
46、单相半波整流电容滤波电路，当负载开路时，输出电压为（）。
Ａ．０Ｂ．√2U2Ｃ．０.４５U2Ｄ．U2
47、单相桥式整流电路中，通过二极管的平均电流等于（）。
Ａ．输出平均电流的1/4 Ｂ．输出平均电流的1/2
Ｃ．输出平均电流Ｄ．输出平均电流的1/3
48、某单相桥式整流电路，变压器次级电压U2，若改成单相桥式整流电路，负载上仍得到原有的直流电压，则改成桥式整流后，变压器次级电压为（）。
Ａ．0.5 U2Ｂ．U2Ｃ．2 U2Ｄ．√2U2
49、在单相桥式整流电路中，如果电源变压器次级电压有效值时U2，则每只整流二极管所承受的最高反向电压是（）。
Ａ．U2Ｂ．√2U2Ｃ．2U2 Ｄ．3 U2
50、整流电路的作用是（）。
Ａ．把交流电变成平滑的直流电Ｂ．把交流电变成所需的电压值
Ｃ．把交流电变成方向不变，但大小随时间变化的脉动直流电
Ｄ．把交流电变成方向不变，大小不随时间变化的直流电
答：43、A44、A 45、A 46、B 47、B 48、A 49、B50、C
51、利用电抗元件的（）特性能实现滤波。
Ａ．延时Ｂ．储能Ｃ．稳压Ｄ．负担
52、单相桥式整流电容滤波电路中，如果电源变压器次级电压为１００Ｖ，则负载电压为（）Ｖ。
Ａ．１００Ｂ．１２０Ｃ．９０Ｄ．１３０
53、在滤波电路中，与负载并联的元件是（）。
Ａ．电容Ｂ．电感Ｃ．电阻Ｄ．开关
答：51、B 52、B53、A
四、简答题：（每题5分）
1、什么是PN结？PN结最基本的特性是什么？
答：把P型半导体和N型半导体用特殊的工艺使其结合在一起，在交界处形成的特殊薄层就是PN结。PN结最基本的特性是加正向电压时导通，加反向电压截止。
2、什么是近似估算法？
答：近似估算法是已知电路各元器件的参数，利用公式通过近似计算来分析放大器性能的方法。
3、什么是直流通路？如何画直流通路？
答：直流通路是指直流信号通过的路径。在画直流通路时，把电容看做断路。
4、什么是交流通路？如何画交流通路？
答：交流通路是指交流信号通过的路径。在画交流通路时，把电容和直流电源都视为交流短路。
5、什么是图解法？
答：图解法就是利用三极管的输入输出特性和电路参数，通过作图来分析放大器性能的方法。（中）6、简述瞬时极性法的步骤。
答：（1）先假设输入信号在某一瞬间对地为“+”；（2）从输入端到输出端依次标出放大器各点的瞬时极性；（3）反馈信号的极性与输入信号进行比较，确定反馈极性。
7、负反馈对放大器的性能有哪些影响？
答：（1）提高放大倍数的稳定性；（2）改善非线性失真；（3）影响输入电阻和输出电阻。8、什么是通用型运放电路？
答：通用型运放电路十指这种运放的性能指标基本上兼顾了各方面的使用要求，没有特别的参数要求，基本上能满足一般应用的需要。
9、什么是专用型运放电路？
答：专用型运放电路又称高性能型，它有一项或几项特殊要求，可在特定场合或特定要求下使用。
（中）10、什么叫“虚短”？
答：“虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一特性称为虚假短路，简称虚短。但不能将两输入端真正短路。
（中）11、什么叫“虚断”？
答：“虚断”是指在分析运放处于线性状态时，可以把两输入端视为等效开路，这一特性称为虚假开路，简称虚断。显然不能将两输入端真正断路。
（中）12、什么叫“虚地”？在什么情况下存在虚地？
答：“虚地”是指在分析运算放大器处于线性状态时，工作在反相输入状态下，反相输入端的电位为零，这一特性称为虚假接地，简称虚地。
13、什么是零点漂移现象？
答：输入电压为零而输出电压不为零且缓慢变化的现象，称为零点漂移现象。
（中）14、零点漂移产生的原因有哪些？
答：在放大电路中，参数的变化，如电源电压的波动、元件的老化、半导体元件参数随温度变化而产生的变化，都将产生输出电压的漂移。
15、直接耦合放大器有什么特殊问题，应如何解决？
答：直接耦合放大器存在零点漂移现象，可采用差动放大电路抑制。
16、什么是整流电路？
答：整流电路就是把交流电变换成脉动直流电的电路。
17、什么是滤波电路？
答：滤波电路就是将脉动直流电中的交流成分滤掉，转变为平滑的直流电的电路。
18、什么是稳压电路？
答：稳压电路就是使直流电源的输出电压稳定，消除电网电压的波动、负载变化等对输出电压的影响的电路。
（中）19、简述晶闸管导通的条件。
答：晶闸管导通需同时满足以下两个条件：（1）阳极与阴极间加正向电压；（2）门极与阴极间加正向电压，这个电压称为触发电压。
（中）20、晶闸管关断的条件是什么？
答：晶闸管关断只需满足以下任一条件：（1）降低阳极与阴极间的电压，使通过晶闸管的电流小于维持电流；（2）阳极与阴极间的电压减小为零；（3）将阳极与阴极间加反向电压。
五、问答、计算题：（每题15分）
1、从二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？
答：（1）死区电压不同：硅管是0.5V ，锗管是0.2V ；（2）导通压降不同：硅管是0.7V ，锗管是0.3V ；（3）反向电流不同：硅管反向电流较锗管小。
2、三极管的主要功能是什么？三极管放大的外部条件是什么？
答：三极管的主要功能是具有电流放大作用。三极管放大的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
（中）3、说明基本共射放大电路各元件的作用。
答： 三极管 V ：实现电流放大作用，是放大器的核心；
直流电源 U CC : 一是为电路提供能量，二是为电路提供工作电压；
基极电阻 R B : 为放大电路提供静态偏流；
集电极电阻 R C : 将三极管集的电流放大作用变换为电压放大作用；
耦合电容 C 1 和 C 2 : 隔直流，使三极管中的直流电流独立；通交流，使交流信号顺利
通过。
（中）4、测得工作在放大电路中的三极管的各个电极对地的电位1U 、2U 、3U 分别为1232.5,6, 1.8U V U V U V ===，试判断它是硅管还是锗管?并判断管型(是NPN 还是PNP)?并确定三个电极。
答：∵213U U U >>， （3分）
∴该管为123,,NPN U U U 型管，且是基极集电极是发射极。 （3分）
又∵13-=0.7U U V ， （3分）
∴该管为硅管。 （3分）
∴该管为123,,NPN U U U 型硅管，是基极集电极是发射极。 （3分）
（中）5、测得工作在放大电路中的三极管的各个电极对地的电位1U 、2U 、3U 分别为1236,3, 2.8U V U V U V =-=-=-，试判断它是硅管还是锗管?并判断管型(是NPN 还是PNP)?并确定三个电极。
答：∵123U U U <<， （3分）
∴该管为123,,PNP U U U 型管，且是集电极是基极是发射极。 （3分）
又∵32-=0.2U U V ， （3分）
∴该管为锗管。 （3分）
∴该管为123,,PNP U U U 型锗管，是集电极是基极是发射极。 （3分）
6、试比较功率放大器与小信号电压放大器电路的异同。
答：相同点：从能量控制的观点看，两种放大器没有本质区别。电压放大器主要是要求它向负载提供不失真的电压信号，讨论的主要是电压放大倍数，输入、输出电阻等；而对低频功率放大器主要要求它输出足够大的不失真（或失真很小）的功率信号，因此对它就有一些特殊要求。
不同点；从完成的任务看是不同的。
7、什么是交越失真？如何消除？
答：工作在乙类状态的放大电路，当输入信号很小时，达不到三极管的开启电压，三极管不导电。因此在正、负半周交接处产生波形的非线性失真，称为交越失真。为解决交越失真，可给三极管稍稍加一点偏置，使两管均处微导通状态，使之工作在甲乙类。
（中）8、试判断图示电路中的元件能否起滤波作用。
（1） （2） （3） 答：（1）电容滤波电路中，电容与负载是并联的，所以不能起滤波作用； （5分）
（2）电容滤波电路中，电容与负载是并联的，所以能起滤波作用； （5分）
（3）滤波电路中，电容与负载并联，电感与负载串联，所以能起滤波作用。（5分）
（难）9、图示电路，已知CC U =12V ，1B R =20k Ω， 2B R = 10k Ω,C R =3k Ω， E R =2k Ω，
L R =3k Ω，β=50。试估算静态工作点。 解：212101241020
B BQ C
C B B R U U V R R ≈=?=++ （3分）
R
R C R
R
CC U o
4EQ BQ BEQ BQ U U U U V =-≈= （3分） 422EQ BQ CQ
EQ E E U U I I mA R R ≈=
≈== （3分） 24050
CQ BQ I I A μβ=== （3分） ()V R R I U U E C CQ CC CEQ 2=+-= （3分）
（难）10、如图所示，在电路中，Ucc=12V ，R B =300K,Rc=3k.R L =6k,晶体管的β=50.求：放大电路的静态工作点。
解：1240300CC BEQ
CC BQ B B U U U I A R R μ-=≈== （5分） 40502CQ BQ I I mA β==?= （5分） 12236CEQ CC CQ C U U I R V =-=-?= （5分）
11、电路如图所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，请填下表。
u I /V
0.1 0.5 1.0 1.5 u O1/V
u O2/V
（中）11、单相半波整流电路，已知变压器一次侧电压U 1=220V ，变压比n=10,负载电阻R L =10K Ω，试计算整流输出电压U L ；二极管通过的电流和承受的最大反向电压。
解： 22202210
i U U V n === （3分） 20.450.452299L U U V ==?= （3分）
V C R B R 2C 1
C CC
U +o i
u L R + + +
- - +
99110
L L L U I mA R ==≈ （3分） 1F L I I mA == （3分）
（3分）
（难）12、单相桥式整流电路，要求输出直流电压25V ，输出直流电流200mA ，试计算二极管的电压、电流应满足什么要求。
已知：25L U V =,200L I mA =
（3分）
解： 225
280.90.9L
U U V ==≈
（4分）
（4分） 200F L I I mA ==
（4分）
2 1.42230.8RM U V =?
=2 1.42839.2RM U V
==?=
数字电子技术基础期末考试试卷 1.时序逻辑电路一般由和两分组成。 2.十进制数（56）10转换为二进制数为和十六进制数为。 3.串行进位加法器的缺点是，想速度高时应采用加法器。 4.多谐振荡器是一种波形电路，它没有稳态，只有两个。 5.用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M=。 123（1（24．T ，图1 5 时，6．D 触发器 的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图 D=Q n+1=Q 1= 7.已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表；
⑤电路功能。图4 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A 、B 、C 输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。 要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2ABCF 2求： （1（21.3.4.产生5.32 10分，共 70分） 1．解： 2．证明：左边 3．解： （1）化简该 函数为最简与或式： 解： F 3()43A B C D E A B C D E AB AC A D E =++++--------------=?+++--------------=++-------------分 分 分 ()()33()(1)22BC D B C AD B BC D BAD CAD BC BC BC D BA CA =++++--------------=++++--------------=++++-----------------------分 分分分
填对卡诺图圈对卡诺图-----------2分 由卡诺图可得： F A B A C D A C D B C B D =++++------------------------------2分 （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 则可得电路图如下：------------------------------------------------2分 4．T 1=0.7T=0.7f= T 1=q= 1T T 5．6． 方程： n n n Q Q K Q 0 0000=+ 1111110(n n n n Q J Q K Q Q X +=+=⊕（2分） ③输出方程：n n Q Q Y 01=-----------------------------------------（1分） ④状态表：--------------------------------------------------------------------（3分） ⑤从状态表可得：为受X 控制的可逆4进制值计数器。-----------------------------（2分） 1．解：（1）依题意得真值表如下:--------------------------3分 0102J J Q ⊕（分）
第一章：直流稳压电路 第一节：整流滤波电路 一、填空题 1、整流是将交流电压转换为_________电压，但整流后的电压是脉动直流电压，含有交流成分。 2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。 3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量，使之成为___________电压。 4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端，滤除交流分量。 5、电感滤波即将电感器与________串联，以限制交流分量通过负载。 6、二极管最主要的特性是___________ 二、判断题 1、二极管的正向电阻比反向电阻大。（） 2、二极管两端加上正向电压就能导通。（） 3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的倍。（） 4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（） 5、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。 （） 6、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压（） 7、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性，将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。（） 8、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性。（） 9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。（） 10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。（） 11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变，在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。（） 12、电容滤波电路通常选电容比较大，效果越好。（） 13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。 （） 三、选择题 1、二极管具有（ ) A、信号放大作用 B、单向导电性 C、双向导电性 2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（） A、特性良好 B、已被击穿 C、内部开路 3、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同，主要原因是（） A、万用表在不同的档位，其内阻不同 B、二极管有非线性的伏安特性 C、被测二极管质量差 4、关于电容滤波，下列说法错误的是（）
电子技术基础(模拟篇) 第一章 半导体二极管 一、单选题 1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂 移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ） A. U I e S B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I 4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z 且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不 同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 12. 在25oC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35oC 时，下列哪组 数据可能正确：（ ）。
《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.
(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性
. 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题： 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ，振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业（班级） 姓名 学号
图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 图2 6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线………………………
D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 三、设计题：（每10分，共20分） 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 2．试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图5所示波形VO1、VO2，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表；
一、填空题 1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。 2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。 4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。 7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为 2 Ω。 8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。 9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。 9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。 11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。
12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V ，则其最大值为 311 V ，频率为 100 Hz ，初相位为 -60o 。 13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V ，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o ，电阻消耗的功率P= 4840 W 。 14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V ，则相电压为 380 V ；若相电流为10 A ，则线电流为 17.32 A 。 15．式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16．正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3，则称此种相序为 正序 。 19．在正弦交流电路中，电源的频率越高，电感元件的感抗越 大 。 20．已知正弦交流电压的有效值为200V ，频率为100Hz ，初相角为30o，则其瞬时值表达式u= 282.8sin （628t+30o） 。 21．正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22．对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23．电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作 短路 ，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。
数字电子技术基础考题 一、填空题：（每空3分，共15分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（0 ）。 3．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。4．TTL器件输入脚悬空相当于输入（高）电平。 5．基本逻辑运算有: （and ）、（not ）和（or ）运算。 6．采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（最高）位。 7．触发器按动作特点可分为基本型、（同步型）、（主从型）和边沿型；8．如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用（积分型单稳态）触发器 9．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 10．施密特触发器有（2）个稳定状态.，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11．数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种；12．两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（半）加器。 13．不仅考虑两个_______本位_____相加，而且还考虑来自___低位进位____相加的运算电路，称为全加器。 14．时序逻辑电路的输出不仅和___该时刻输入变量的取值______有关，而且还与_电路原来的状态_______有关。 15．计数器按CP脉冲的输入方式可分为__同步计数器和____异步计数器_。 16．触发器根据逻辑功能的不同，可分为_____rs______、______jk_____、___t________、___d________、___________等。 17．根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用__反馈归零法_________、__预置数法_________、__进位输出置最小数法__等方法可以实现任意进制的技术器。 18．4. 一个JK 触发器有 2 个稳态，它可存储 1 位二进制数。 19．若将一个正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波，应采用多谐振荡器电路。20．把JK触发器改成T触发器的方法是 j=k=t 。 21．N个触发器组成的计数器最多可以组成2n 进制的计数器。 22．基本RS触发器的约束条件是rs=0 。
、填空题 1 已知图中U i = 2V, U2= -8V，贝y U B=_-10_ 2. 电路的三种工作状态是通路、断路、短路 3. 有三个6Q的电阻，若把它们串联，等效电阻是18 Q;若把它们并联，等效电阻2Q；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是_9—Q。 4. 用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表 测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5. 电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6. 电路如图所示，设U=12V I=2A、R=6Q，贝S U B= -24 V 7. 直流电路如图所示，R所消耗的功率为2W则R的阻值应为2—Q &电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化 9. 在直流电路中，电感可以看作_短路—，电容可以看作_断路— 9.我国工业交流电采用的标准频率是50 Hz 10. 三相对称负载作三角形联接时，线电流I I与相电流I P间的关系是: I P= . 3 I L。
11. 电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件 12. 已知一正弦电压u=311sin(628t-60 o )V，则其最大值为311 V , 频率为100 Hz，初相位为-60 o 。 13. 在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60 o )V，电阻 R=10Q，则电流I=22A,电压与电流的相位差? = 0 o ，电阻消耗的功率P= 4840 W。 24 .表征正弦交流电振荡幅度的量是它的 _最大值表征正弦交流电随时间变 化快慢程度的量是_角频率3_；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的—初相_。 25 .在RLC串联电路中，已知电流为5A,电阻为30 Q,感抗为40Q, 容抗为80Q，那么电路的阻抗为_50Q_,该电路为_容_性电路。电路中吸收的有功功率为_750W，吸收的无功功率为_1000var_。 26 .对称三相负载作丫接，接在380V的三相四线制电源上。此时负载 端的相电压等于1倍的线电压；相电流等于1倍的线电流；中线电流等于 寸3 0_。 27. 铁磁材料分为—软磁—材料、—硬磁_材料和—矩磁—材料三种。 28. 变压器除了可以改变_交变电压、—交变电流_之外还可以用来变换阻 抗。 29. 接触器的电磁机构由—吸引线圈_、_静铁心_和_动铁心_三部分组成。 30 .变压器运行中，绕组中电流的热效应所引起的损耗称为 _铜_损耗；交 变磁场在铁心中所引起的_磁滞—损耗和—涡流—损耗合称为_铁_损耗。 31、Y—△形降压启动是指电动机启动时，把定子绕组接成_Y形—，以降低启动电压，限制启动电流，待电动机启动后，再把定子绕组改接成_△形，使
数字电子技术基础1 一．1．（1５分） 试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。 二．（15分） 已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。 八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项。 三．（8分） 试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A （A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分） 试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。 74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。 五．（15分） 已知同步计数器的时序波形如下图所示。试用维持-阻塞型D触发器实现该计数器。要求按步骤设计。 六．（18分） 按步骤完成下列两题 1．分析图5-1所示电路的逻辑功能：写出驱动方程，列出状态转换表，画出完全状态转换图和时序波形，说明电路能否自启动。 2．分析图5-2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器，并画出状态转换图。 图5-1
图5-2 七． 八．（10分） 电路下如图所示，按要求完成下列问题。 1．指出虚线框T1中所示电路名称. 2．对应画出V C 、V 01、A 、B 、C 的波形。并计算出V 01波形的周期T=？。 数字电子技术基础2 一．（20分）电路如图所示，晶体管的β＝100,Vbe=0.7v 。 （1）求电路的静态工作点; （2） 画出微变等效电路图, 求Au 、r i 和r o ； （3）若电容Ce 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？并定性说明变化趋势. 二．（15分）求图示电路中a U 、b U 、b U 、c U 及L I 。 三．（8分）逻辑单元电路符号和具有“0”、“1”逻辑电平输入信号X 1如下图所示，试分别画出各单元电路相应的电压输出信号波形Y 1、Y 2、Y 3。设各触发器初始状态为“0”态。 四．（8分）判断下面电路中的极间交流反馈的极性（要求在图上标出瞬时极性符号）。如为负反馈，则进一步指明反馈的组态。 （a ） （b ）
数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。
A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0.7、0.3 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有 _____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
《电工电子技术》课程复习资料 一、填空题： 1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。 2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。 3.变压器有三大作用，分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。 结具有单向导电性，可描述为正偏导通、反偏截止。 5.以比较的风格分类，电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。 6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。 7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟（脉冲）信号。 8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。 9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。 10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。 11.电容和电感储能的数学表达式是和。 12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。 13.实际变压器存在两种损耗，分别是铜耗和铁耗。 14.已知三相异步电动机的工频为50HZ，五对磁极，则同步转速为600r/min。 15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。 16.已知三相异步电动机的工频为50HZ，四对磁极，则同步转速为750 r/min。 17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。 18.要使晶体三极管处于截止状态，其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。 19.反相比例运算关系是.，同相比例运算关系是。 20.多发射极管的作用是实现与运算、提高（逻辑）转换速度。 21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。 22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV 。 23.理想变压器的变压公式是。 24.已知三相异步电动机的工频为50HZ，三对磁极，则同步转速为1000r/min。 25.晶体三极管有三种工作状态，分别为放大、截止和饱和。 26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。 28.与时序电路相比，组合电路的特点是输出只与当前输入有关，而与初态无关。 29.理想变压器的变流公式是。 30.已知三相异步电动机的工频为50HZ，二对磁极，则同步转速为1500r/min
数字电子技术基础期末考试试卷 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 =F 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度T ，振荡频率f 和占空比q 。 图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 …… …… … … …… …密 … … …… … … … … 封 …… … … … … … … … … 装 … … … … … … … 订 … … … … … … … … … 线 … … … … … … … … … 学院 专业 （班级） 姓名 学号 …… … … … … 线 …
6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D触发器的Q和Q1的表达式，并画出其波形。 图 D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。 要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 A B C F
《电子技术基础》习题库 第一章 一、填空（1分共28分） 1、PN结正偏时，P区接电源的____极，N区接电源的____极；PN结反偏时则相反。 2、PN结具有________特性，即加正向电压时PN结________，加反向电压时PN结________。 3、二极管P区引出端叫____极或____极，N区的引出端叫____极或____极。 4、二极管的正向接法是__________接电源的正极，__________接电源的负极。反向接法则相反。 5、硅二极管导通时的正向管压降约为____V，锗二极管导通时的管压降约为____V。 6、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________和________________。 7、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的极. 8检测二极管极性时，与黑表棒相接触的电极是二极管的极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已 经。
9、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常____于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较____。 10、发光二极管将____信号转换成____信号；光电二极管将____信号转换成____信号。 二、判断题（1分共9分） 1、半导体随温度的升高，电阻会增大。（） 2、PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。（） 3、二极管是线性元件。（） 4、不论哪种类型的二极管，其正向电压都为0.3V左右。（） 5、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（） 6、二极管加正向电压就一定导通。（） 7、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档 位。（） 8、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击 穿。（） 9、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。（） 三、选择（2分共12分） 1、PN结最大的特点是具有（） A、导电性； B、绝缘性； C、超导性； D、单向导电性。
电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020
一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 （错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 （错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。 （对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。 （错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。 （错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。 （对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （ 错 ） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。 （ 对 ） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 （ 对 ） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。 （ 对 ） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。 （ 错 ） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（ 错 ） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。 （对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （对）
D C B A D C A B ++《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1.?有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（147），作为8421BCD 码时，它相当于十进制数（93 ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（高阻）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（高电平或悬空）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（高）电平。 5. 已知某函数?? ? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F = （ ）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ 7）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（5 ）V ，其输出高电平为（3.6）V ，输出低电平为（0.35）V ， CMOS 电路的电源电压为（ 3--18） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ 11）根地址线，有（16）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ 100）位。 11. ＝（AB ）。 12. 13 二、分） 1.?函数 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ C ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ C ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8
。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________与__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0、7、0、3 4、使用二极管时,应考虑的主要参数就是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱与电流常__________于锗二极管的反向饱与电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为 _______ 、_________与__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有 _____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 １、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N ２、二极管就是线性元件。()N ３、不论就是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为０、３Ｖ左右。()N ４、二极管具有单向导电性。()Y ５、二极管的反向饱与电流越大,二极管的质量越好。()N ６、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管就是线性元件。 ( )N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。( )Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点就是具有()C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时,硅二极管()C Ａ、立即导通Ｂ、到０、３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子就是( )。C A、电子 B、空穴 C、电子与空穴 5、P型半导体就是( )B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
一、填空题 1.已知图中U1＝2V, U2＝-8V,则U AB＝-10。 2.电路的三种工作状态就是通路、断路、短路。 3.有三个6Ω的电阻,若把它们串联,等效电阻就是18 Ω;若把它们并联,等效电阻2Ω;若两个并联后再与第三个串联,等效电阻就是9 Ω。 4.用电流表测量电流时,应把电流表串联在被测电路中;用电压表测量电压时,应把电压表与被测电路并联。 5.电路中任意一个闭合路径称为回路;三条或三条以上支路的交点称为节点。 6.电路如图所示,设U=12V、I=2A、R=6Ω,则U AB= -24 V。 7.直流电路如图所示,R1所消耗的功率为2W,则R2的阻值应为 2 Ω。 8.电路中电位的参考点发生变化后,其她各点的电位均发生变化。 9.在直流电路中,电感可以瞧作短路 ,电容可以瞧作断路。 9.我国工业交流电采用的标准频率就是 50 Hz。 10.三相对称负载作三角形联接时,线电流I L与相电流I P间的关系就是:I P＝3I L。 11.电阻元件就是耗能元件,电容元件就是储能元件。 12.已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V,则其最大值为311 V,频率为100 Hz,初相位为-60o。 13.在纯电阻交流电路中,已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V,电阻R=10Ω,则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o,电阻消耗的功率P= 4840 W。 14.三角形联结的三相对称负载,若线电压为380 V,则相电压为380 V;若相电流为10 A,则线电流为17、32 A。 15.式Q C=I2X C就是表示电容元件在正弦电路中的无功功率计算公式。