。电子技术基础试题库（第四版）
第一章:半导体二极管
一、填空题
1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。
导体、绝缘体、半导体
2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。
单向导电特性、导通、截止
3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。
、
4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。
最大整流电流、最高反向工作电压
5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________
小、好
6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体，
绝缘体，半导体
7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结
_________。单向导电性，导通，截止
二，判断题
１、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N
２、二极管是线性元件。（）N
３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N
４、二极管具有单向导电性。（）Y
５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N
６、二极管加正向压时一定导通（）N
7、晶体二极管是线性元件。（）N
8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y
三、选择题
１、ＰＮ结的最大特点是具有（）C
Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性
２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C
Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通
３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A
Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小
4、半导体中传导电流的载流子是（）。C
A、电子
B、空穴
C、电子和空穴
5、P型半导体是（）B
A、纯净半导体
B、掺杂半导体
C、带正电的
四、综合题
1、如图，设晶体二极管的正向压降为，当U A 分别为+5V 、-5V 、0V 时，求U B 。（5分）§1-2
2、 电路如图所示，判断二极管是导通还是截止，若导通，则求流过二极管的电流
第二章;半导体三极管及放大电路
一，填空题
1、某晶体三极管的U CE 不变，基集电流I B =30uA 时，I C =，则发射极电流I E =__________mA ，如果I B 增大到50uA 时，I C 增加到2 mA ，则发射极电流I E =__________mA ，三极管的电流放大系数B=__________。
、、40
2、三极管基集电流I B 的微小变化，将会引起集电极电流I C 的较大变化，这说明三极管具有______ ____作用。 电流放大
3当三极管的发射结__________，集电结__________是时，工作在放大区；发射结__________集电结__________，工作在饱和区；发射结__________或__________集电结__________时，工作在截止区。
加正向压（正偏）、加反向压（反偏）、加正向压（正偏）、加正向压（正偏）、加反向压（反偏）或零偏、加反向压（反偏）、
4三极管的穿透电流I CEQ 随温度的升高而__________,硅三极管的穿透电流比锗三极管的__________。
增大、小
5放大电路按三极管连接方式可分为__________，__________和__________；
共基极、共射极、共集电极、
6放大电路设置静态工作点的目的是__________。
避免失真
7利用__________通路可估算放大器的静态工作点;利用__________通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻，输出电阻和电压放大倍数。
直流通路、交流通路
8对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻__________些，以减轻信号源的负担，输出电阻__________些，以增大带负载的能力。 10K Ω
10V 20V
大、小
9放大电路产生非线性失真的根本原因是__________。
静态工作点选择不当
10影响放大电路静态工作点稳定的因素有__________波动, __________因老化而发生变化和__________变化等，其中__________的影响最大。
电源电压、晶体管、环境温度、温度
11多级放大电路常用的级间耦合方式有__________，__________和__________。
阻容耦合、变压器耦合、直接耦合
12通常用____________________法判别正反馈还是负反馈。
瞬时极性法
13在放大电路中为了稳定静态工作点应该引入__________负反馈。为了提高电路的输入电阻，应该引入__________负反馈。为了稳定输出电压，应该引入__________负反馈。
直流、串联、电压
14直流负反馈能稳定放大器的_____ ____，交流负反馈能改善放大器的_____ _____。
静态工作点、非线性失真
15功率放大器的主要任务是____ ______。功率放大器按功放管工作点的位置不同可分为__________放大器，__________放大器和__________放大器三类。
输出足够大的功率、甲类、乙类、甲乙类
16\放大器按放大信号的频率可分为____________________，____________________和____________________等。
直流放大器、高频放大器、低频放大器
二，判断题
1、三极管有两个ＰＮ节，因此它具有单向导电性。（）N
2、发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。（）N
3、发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。（）N
4、放大器带上负载后，放大倍数和输出电压都会上升。（）N
5、在共射集放大电路中，输出电压和输入电压同相。（）N
6、放大器具有能量放大作用（）N
7、变压器能把电压升高，所以变压器也是放大器。（）N
8、造成放大器工作点不稳定的主要因数是电源电压波动。（）N
9、放大器静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。（）N
10、负反馈可以使放大倍数提高。（）N
11、负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性。（）Y
12、负反馈可以消除放大器非线性失真。（）N
13、负反馈对放大器的输入电阻和输出电阻都有影响。（）Y
14、乙类功率放大器静态时，ＩＣＱ＝０，所以静态功率几乎为零，效率高。（
三、选择题
1、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。A
Ａ、电流放大Ｂ、电压放大Ｃ、功率放大Ｄ、电压放大和电流放大
2、ＮＰＮ型三极管处于放大状态时，各极电压关系是（）A
Ａ、ＵＣ＞ＵＢ＞ＵＥＢ、ＵＣ＞ＵＥ＞ＵＢＣ、ＵＣ＜ＵＢ＜ＵＥＤ、ＵＣ＜ＵＥ＜ＵＢ
3、放大器的静态是指（）A
Ａ、输入信号为零Ｂ、输出信号为零Ｃ、输入、输出信号均为零Ｄ、输入、输出信号均不为零
4、放大器输出信号的能量来源是（）A
Ａ、电源Ｂ、晶体三极管Ｃ、输入信号Ｄ、均有作用
5、放大器的电压放大倍数在（）时增大B
Ａ、负载增加Ｂ、负载减小Ｃ、负载不变Ｄ、电压升高
6、当放大电路设置合适的静态工作点时，如加入交流信号，工作点将（）B
Ａ、沿直流负载线移动Ｂ、沿交流负载线移动Ｃ、不移动Ｄ、沿坐标上下移动
7、已知电路处于饱和状态，要使电路恢复成放大状态，通常采用的方法是（）。A
A、增大电阻R B
B、减小电阻R B
C、电阻R B不变
8、影响放大器工作点稳定的主要因素是（）。C
A、B值
B、穿透电流
C、温度
D、频率
9、当温度升高时，会造成放大器的（）。A
A、Q点上移，容易引起饱和失真
B、Q点下移，容易引起饱和失真
C、Q点上移，容易引起截止失真
D、Q点下移，容易引起截止失真
10、某多级放大器电路由三级基本放大器组成，以知每级电压放大倍数为A U
，则总的电压放大倍数为( ).B
A、3A U
B、A U3
C、A U
11、欲使放大器净输入信号消弱，应采取的反馈类型是（）。D
A、串连反馈
B、并联反馈
C、正反馈
D、负反馈
12、放大电路采用负反馈后，下列说法不正确的是（）A
A、放大能力提高
B、放大能力降低
C、通频带变宽
D、非线性失真小
13、射极输出器是典型的（）放大器。A
A、电压串联负反馈
B、电流串联负反馈
C、电压并联负反馈
D、电流并联负反馈
14、给乙类功率放大器电路设置适当的静态工作点，其目的是（）。C
A、消除饱和失真
B、减小放大倍数
C、消除交越失真
四、综合题
1、测得工作在放大状态的某三极管，其电流如图，在图中标出各管的管脚极性，并说明三极管的管型。
2、测得某放大电路中三极管各管脚间电压如图，问1、
2和3各脚分别是什么电极该管是硅管还是锗管是NPN型还
是PNP型
3、如图示电路，U CC=15V ，R B=300K，R C=3K，R L=6K，晶体管B=50，求（1）、静态工作点。
1 2 3
C 2 U CC R L R R B 1 C 1 （2）、放大电路的输入、输出电阻。
（3）、空载和有载时的电压放大倍数。
4、如图示电路，R B1=60K ，R B2=20K ，R C =3K ，R E =2K ，R L =6K ，U CC =16V ，晶体管B=50，求（1）、静态工作点。
（2）、放大电路的输入、输出电阻。
（3）、空载和有载时的电压放大倍数。
5、分析图中R F1和R F2引入的反馈类型。
第三章；集成运算放大器及其应用
一填空题
1产生零点漂移的原因有（ ），（ ）和（ ）等。
温度变化、电源电压波动、元件参数变化
2衡量差动放大电路性能优劣的主要指标是（ ）。
共模拟制比
3集成运算放大器一般由（ ）、（ ）、（ ）和（ ）几部分组成。 输入级、中间级、输出级、偏置电路
4利用（ ）和（ ）概念分析工作在线性区的集成运放电路，可大大简化分析和计算过程。 虚短、虚断
5理想集成运放电路工作在非线性区，当ｕＰ＞ｕＮ时，ｕｏ＝（ ），当ｕＰ＜ｕＮ时，ｕｏ＝（ ），；而两个输入V C E
R E R C R B R B U C
R L
端的电流ｉＰ＝ｉＮ＝（）
+U om、-U om、0
6单门限电压比较器中的集成运放工作在（）状态，属于（）应用。
开环、非线性应用、
7双门限电压比较器是在单门限电压比较器中引入了（），在两种输出状态下有各自的（），从而提高了电路抗干扰的能力。
正反馈、门限电压
二，判断题
１、直接耦合放大器级数越多，零点漂移越小。（）N
２、共模拟制比越小，差动放大电路的性能越好。（）N
３、集成运算放大器是具有高放大倍数的直接耦合放大电路。（）Y
４、集成运算放大器的偏置电流越大越好。（）N
５、“虚短”概念在集成运算放大器的非线性应用中依然成立。（）N
６、电压比较器是集成运放的线性应用。（）N
７、比较器能实现波形的变换。（）Y
８、利用电压比较器可将矩形波变换成正弦波。（）N
三、选择题
1、直流放大器级间常采用（）耦合方式。C
A、阻容
B、变压器
C、直接
D、光电
2、选用差动放大电路的原因是差动放大电路可以（）。A
A、克服零点漂移
B、提高输入电阻
C、提高放大倍数
D、减小输出电阻
3、集成运放在运算电路中，工作在（）状态。C
A、开环
B、闭环
C、深度负反馈
4、在单门限比较放大器中，集成运放工作在（）状态。B
A、放大
B、开环放大
C、闭环放大
四、综合题
6、如图、若u i1=-2v，u i2=3v，u i3=4v，u i4=-5v，求u o的值。
7、如图示，求集成运放电路的输出电压u o。
第四章；正弦波振荡电路
一，填空题
1正弦波振动器由（）、（）和（）组成，其中（）是为了满足震荡的相位平衡条件，（）是为了满足震荡的幅度平衡条件，（）是为了实现单一频率的正弦波振动。
放大电路、反馈电路、选频电路、反馈电路、放大电路、选频电路
二，判断题
1、振荡器一般分为正反馈振荡器和负反馈振荡器。（）N
2，只要具有正反馈，就能产生自激振荡（）Ｎ
3，振荡器为了产生一定频率的正弦波，必须要有选频网络( )Ｙ
三、选择题
1、振荡电路维持等幅震荡的条件是（）。D
A、AF>1
B、AF=1
C、AF<1
D、AF≥1
2、电路形成自激振荡的主要原因是在电路中（）。A
A、引入正反馈
B、引入负反馈
C、电感线圈的作用
D、电容的作用
3、LC振荡器的振荡频率取决于（）D
A、反馈元件的参数
B、正反馈的强度
C、三极管的放大系数
D、选频网络的参数
4，电容三点式正弦波振荡器属于（）振荡器Ｂ
Ａ.ＲＣＢ.ＬＣＣ.ＲＬＤ石英晶体
第五章，直流稳压电路
一、填空题
１、将（）变成（）的过程叫整流
交流电，直流电
2、直流电源一般由（）（）（）和（）组成。
电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路
3、在单相半波整流电路中、变压器次级电压有效值为200V,则负载电压将是（）V
90
4、在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只二极管的电流是（）A
10
5、整流二极管的冷却方式有（）（）和（）三种。
自冷、风冷、水冷
6、滤波电路中，滤波电容和负载（），滤波电感和负载（）。
串联、并联
7、电容滤波适应与（）场合，电感滤波适应与（）场合。
小电流、大电流
8、并联稳压电路是利用稳压管（）的变化，引起限流电阻（）的变化，达到稳压的目的。
电流、电压
9、带放大环节的串联稳压电路包括（）（）（）和（）几部分。
调整管、比较放大电路、基准电源、取样电路
二，判断题
1、单相桥式整流电路的整流二极管承受的最大反向电压为变压器次级电压的2倍。（）N
2、单相桥式整流电路在输入交流电的每个半周期内都有两只二极管导通。（）Y
3、三相整流电路中，承受正向电压的二极管一定导通。)N
4、三相桥式整流电路中，每个整流原件中流过的电流值是负载电流值的1/6。（）N
5、整流电路接入电容滤波后，输出直流电压下降（）N
6、稳压二极管按材料分为硅管和锗管。（）N
7、串联型稳压电路中调整管的作业相当于一只可变电阻（）Y
三、选择题
1、整流电路的输出电压应属于（）C
A平直直流电压B交流电压C脉动直流电压D稳恒直流电压
2、单相半波整流电路输出电压平均值为变压器次级电压有效值的（）倍B
A、B、0.45 C、D、1
3、单相桥式整流电路中有一只二极管断路、则该电路（）B/C
A、不能工作
B、仍能工作
C、输出电压降低
D、输出电压升高
4、下列电路中，输出电压脉动最小的是( )D
A、单相半波整流B单相桥式整流C三相半波整流D三相桥式整流
5、每个整流元件中流过负载电流平均值的1/3的电路是（）A
A三相桥式整流B单相半波整流C单相桥式整流D都不是
6、在滤波电路中，与负载并联的元件是（）A
A、电容
B、电感
C、电阻D开关
7、单相桥式整流电路中接入电容滤波后，二极管的导通时间（）B
A、变长
B、变短
C、不变D变化不一定
8、稳压管是利用其伏安特性的（）特性进行工作的B
A、反向
B、反向击穿
C、正向起始
D、正向导通
9在硅稳压管稳压电路中、稳压管与负载（）B
A、串联
B、并联
C、有时串联、有时并联
D、混联
10串联稳压电路的调整管工作在（）C
A截至区B、饱和区C、放大区D、任意区
四、综合题
1、单相半波整流电路中，已知变压器一次侧电压U=220V,变比n=10，负载电阻R=10K，试计算(1)整流输出电压。（2）二极管通过的电流和承受的最大反向电压。
2、在三相半波整流电路中，负载电阻为10欧，若要求负载电流为100安，试求
（！）变压器次级电压有效值
（2）二极管承受的最大反向峰值电压
（3）流过二极管的平均电流
第六章；晶闸管及应用电路
一、填空题
1、晶闸管的三个电极分别为（），（），（）
阳极、阴极、门极
2、一般容量在4KW以下的可控整流装置多采用（）可控整流，对大功率的负载
采用（）可控整流
单相、三相
3、在电阻性负载三相半控桥式可控整流电路中，1移相范围是（），晶闸管最大导通角是（）180、120
4过电流保护通常采用（）来进行。
快速熔断器
5、过电压保护主要有（）。（）、保护。
阻容吸收回路、压敏电阻
6、单结晶体管的发射极和第一基极电阻随发射极电流增大而（）
减小
二，判断题多
1、晶闸管和二极管一样具有反向阻断能力，但没有正向阻断能力（）N
2、晶闸管触发导通后门极仍具有控制作用（）N
3、单相半波可控整流电路中、控制角越大，直流输出压越大。（）N
4、三相半波可控整流的移相范围和导通角都是150度。（）N
5、电阻性负载三相半波可控整流中，控制角为60度时，输出压刚好维持连续。（）N
6、晶闸管承受过电压和过电流的能力很强（）N
三、选择题
1、单向晶闸管的管芯由（）层杂质半导体组成D
A、1
B、2
C、3
D、4
2普通晶闸管甴中间P层引出的电极是（）B
A、阳极
B、门极
C、阴极D无法确定
3、晶闸管具有什么__________性B
A、单向导电
B、可控的单向导电
C、电流放大
D、负阻效应
4、晶闸管的导通角越大，则控制角（）A
A越小B、越大C、不改变D、不一定
5在可控整流电路中，输出电压随控制角的变大而()Ｂ
Ａ变大Ｂ变小Ｃ不变Ｄ没规律
６、单结晶体管的发射极电压高于（）电压就导通Ａ
Ａ、峰点Ｂ、额定Ｃ谷点Ｄ安全
７、单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管的（）工作的Ｃ
Ａ截止区Ｂ放大区Ｃ负阻区Ｄ任意区
四、综合题
１、单相半波可控整流电路中，变压器次级电压有效值为２２０Ｖ负载电阻５欧，控制角为60，求输出电压平均值和负载中的平均电流。
２、在电阻性负载三相半控桥式整流电路中，变压器次级相电压为２２０Ｖ控制角４５度，负载１０欧，试计算输出直流电压平均值，负载中电流平均值，及流过晶闸管的电流。
第七章；门电路及组合逻辑电路
一、填空题
１、逻辑电路的两种逻辑体制中，正逻辑的高电平用（）表示，低电平用（）表示，负逻辑的高电平用（）表示，低电平用（）
１、０、０、１
２、逻辑函数的表示方法有（）( )（）。
逻辑函数式、真值表、逻辑电路图
3、常用的逻辑电路是（）和（）
译码器、编码器
二，判断题多
1、与门的逻辑功能是“有1出1，全0出0”（）N
2、逻辑代数又叫布尔代数__________
三、选择题
1、符合或逻辑关系的表达式是__________C
A、1+1=2
B、1+1=10
C、1+1=1 D1+1=0
2、能实现“有0出0，全1出1”逻辑功能的是（）A
A、与门
B、或门
C、与非门
D、或非门
3将2进制数转换为十进制数，正确的是（）A
A、149 B269 C267 D147
4将十进制数99化为2进制数，正确的是（）B
A/01010011 B、1100011 C、01100011 D
5、十进制数36用B421BCD码表示为（）B
A00100 B 、00110110 C00000100 D 、110110
6、下列表达式中，表示不对的是（ ）A
A/A*0=A B 、A+0=A C 、A*0=0 D 、A+0=0
7、逻辑函数式A+A,简化后的结果是（ ）B
A 、2A D.
四、综合题
1、将下列十进制数转化为2进制数
(1)、5 （2）、8 （3）、36 （4）、235 （5）、1782
101 1000 100100
2、将下列二进制数转化为十进制数
（1）、101 （2）1011 （3）11010 （4）101010 （5）11 001100
5 11 2
6 195 204
3、分析如图的逻辑功能
4、已知逻辑电路图如图题2.1.8所示，试写出它的输出逻辑表达式，并列出真值表。（5分）§6-5
5、根据下列逻辑函数，画出相应逻辑图。
（1）、Y=AB+BC
(2)、Y=(A+B)(A+C)
(3).Y=A(B+C)+BC &
& & & ≥1 A
B C
Y
≥1
≥1
≥1 1 1 A
B
L
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
数字电子技术基础期末考试试卷 1.时序逻辑电路一般由和两分组成。 2.十进制数（56）10转换为二进制数为和十六进制数为。 3.串行进位加法器的缺点是，想速度高时应采用加法器。 4.多谐振荡器是一种波形电路，它没有稳态，只有两个。 5.用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M=。 123（1（24．T ，图1 5 时，6．D 触发器 的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图 D=Q n+1=Q 1= 7.已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表；
⑤电路功能。图4 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A 、B 、C 输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。 要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2ABCF 2求： （1（21.3.4.产生5.32 10分，共 70分） 1．解： 2．证明：左边 3．解： （1）化简该 函数为最简与或式： 解： F 3()43A B C D E A B C D E AB AC A D E =++++--------------=?+++--------------=++-------------分 分 分 ()()33()(1)22BC D B C AD B BC D BAD CAD BC BC BC D BA CA =++++--------------=++++--------------=++++-----------------------分 分分分
填对卡诺图圈对卡诺图-----------2分 由卡诺图可得： F A B A C D A C D B C B D =++++------------------------------2分 （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 则可得电路图如下：------------------------------------------------2分 4．T 1=0.7T=0.7f= T 1=q= 1T T 5．6． 方程： n n n Q Q K Q 0 0000=+ 1111110(n n n n Q J Q K Q Q X +=+=⊕（2分） ③输出方程：n n Q Q Y 01=-----------------------------------------（1分） ④状态表：--------------------------------------------------------------------（3分） ⑤从状态表可得：为受X 控制的可逆4进制值计数器。-----------------------------（2分） 1．解：（1）依题意得真值表如下:--------------------------3分 0102J J Q ⊕（分）
74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数 减法计数 命 题 人 ： 审 题 人 ： 命 题 时 间 ： 系名 专业 年级、班 学号 姓名 数字电子技术 课程试题（ 卷） 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 （请将答案写在答题纸上，答在试卷上不给分） 一． 选择题（16分） 1．已知A B A B B A Y +++=，下列结果正确的是（ ） a ． Y =A b ．Y=B c ．A B Y += d ．Y=1 2．已知A=（10．44）10（下标表示进制），下列结果正确的是（ ） a ． A=（1010．1）2 b ．A=（0A ．8）16 c ． A=（12．4）8 d ．A=（20．21）5 3．下列说法不正确的是（ ） a ．当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b ．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低电平） c ．OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d ．集电极开路的门称为OC 门 4．以下错误的是（ ） a ．数字比较器可以比较数字大小 b ． 半加器可实现两个一位二进制数相加 c ．编码器可分为普通全加器和优先编码器 d ．上面描述至少有一个不正确 5．下列描述不正确的是（ ） a ．触发器具有两种状态，当Q=1时触发器处于1态 b ．时序电路必然存在状态循环 c ．异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d ．主从JK 触发器具有一次变化现象 6．电路如下图（图中为上升沿Jk 触发器），触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”，请问在时钟作用下，触发器下一状态（Q 3 Q 2 Q 1）为（ ） a ．“101” b ．“100” c ．“011” d ．“000” 7．电路如下图，已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”，74LS191具有异步置数的逻辑功能，请问在时钟作用下，电路的下一状态（Q 3 Q 2 Q 1 Q 0）为（ ） a ．“1100” b ．“1011” c ．“1101” d ．“0000” 8．下列描述不正确的是（ ） a ．EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b ．DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c ．积分型单稳触发器电路只有一个状态 d ．上面描述至少有一个不正确 二．判断题（9分） 1．TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA （ ） 2．TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空（ ） 3．当决定事件发生的所有条件中任一个（或几个）条件成立时，这件事件就会发生，这种因果关系称为与运算。（） 4．将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。（） 5．设计一个3进制计数器可用2个触发器实现（ ） 6．移位寄存器除了可以用来存入数码外，还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器（ ） 7． 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现（ ） 8． 施密特触发器电路具有两个稳态，而多谐振荡器电路没有稳态（ ） 9． DRAM 需要定期刷新，因此，在微型计算机中不如SRAM 应用广泛（ ） 三．计算题（8分） 1、在如图所示电路中，U cc =5V ，U BB =9V ，R 1=5.1kΩ， R 2=15kΩ，R c =1kΩ，β=40，请计算U I 分别为5V ，0.3V 时输出U O 的大小？。 密 线 封 A B
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门： xxx 时间： xxx 整理范文，仅供参考，可下载自行编辑
触发器，输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下， A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则的是<） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<） A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为<） A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为<） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为<） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分）<对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴< ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降< ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开<） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<）
注：将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里， 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.<10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： <1）R开路；<2）RL开路；<3）稳压二极管V接反； <4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.<16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： <1）列出状态表，状态转换图； <2）说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q2Q1Q0=000
第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管 7V 0.7V 0V ① ② ③
电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020
一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 （错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 （错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。 （对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。 （错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。 （错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。 （对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （ 错 ） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。 （ 对 ） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 （ 对 ） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。 （ 对 ） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。 （ 错 ） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（ 错 ） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。 （对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （对）
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
. 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题： 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ，振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业（班级） 姓名 学号
图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 图2 6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线………………………
D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 三、设计题：（每10分，共20分） 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 2．试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图5所示波形VO1、VO2，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表；
模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小
中南大学网络教育课程考试（专科）复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( )
数字电子技术基础考题 一、填空题：（每空3分，共15分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（逻辑图）、（逻辑表达式）和（卡诺图）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（0 ）。 3．由555定时器构成的三种电路中，（）和（）是脉冲的整形电路。4．TTL器件输入脚悬空相当于输入（高）电平。 5．基本逻辑运算有: （and ）、（not ）和（or ）运算。 6．采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较（最高）位。 7．触发器按动作特点可分为基本型、（同步型）、（主从型）和边沿型；8．如果要把一宽脉冲变换为窄脉冲应采用（积分型单稳态）触发器 9．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（TTL ）电路和（CMOS ）电路。 10．施密特触发器有（2）个稳定状态.，多谐振荡器有（0 ）个稳定状态。 11．数字系统按组成方式可分为功能扩展电路、功能综合电路两种；12．两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是（半）加器。 13．不仅考虑两个_______本位_____相加，而且还考虑来自___低位进位____相加的运算电路，称为全加器。 14．时序逻辑电路的输出不仅和___该时刻输入变量的取值______有关，而且还与_电路原来的状态_______有关。 15．计数器按CP脉冲的输入方式可分为__同步计数器和____异步计数器_。 16．触发器根据逻辑功能的不同，可分为_____rs______、______jk_____、___t________、___d________、___________等。 17．根据不同需要，在集成计数器芯片的基础上，通过采用__反馈归零法_________、__预置数法_________、__进位输出置最小数法__等方法可以实现任意进制的技术器。 18．4. 一个JK 触发器有 2 个稳态，它可存储 1 位二进制数。 19．若将一个正弦波电压信号转换成同一频率的矩形波，应采用多谐振荡器电路。20．把JK触发器改成T触发器的方法是 j=k=t 。 21．N个触发器组成的计数器最多可以组成2n 进制的计数器。 22．基本RS触发器的约束条件是rs=0 。
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
电子技术基础试卷 一、填空题（20分） 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络，即________。 10、负反馈放大电路有四种类型：___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型：_______、_______、_______和_______。 二、判断题（1—5题每题2分，6—15题每题1分，共20分） 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2
3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态，T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小，说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较，从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题（1题12分，2题13分，3题15分，共40分） 1、设计一反相加法器，使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4），允许使用的最大电阻为280kΩ，求各支路电阻。
数字电子技术基础1 一．1．（1５分） 试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。 二．（15分） 已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。 八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项。 三．（8分） 试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A （A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分） 试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。 74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。 五．（15分） 已知同步计数器的时序波形如下图所示。试用维持-阻塞型D触发器实现该计数器。要求按步骤设计。 六．（18分） 按步骤完成下列两题 1．分析图5-1所示电路的逻辑功能：写出驱动方程，列出状态转换表，画出完全状态转换图和时序波形，说明电路能否自启动。 2．分析图5-2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器，并画出状态转换图。 图5-1
图5-2 七． 八．（10分） 电路下如图所示，按要求完成下列问题。 1．指出虚线框T1中所示电路名称. 2．对应画出V C 、V 01、A 、B 、C 的波形。并计算出V 01波形的周期T=？。 数字电子技术基础2 一．（20分）电路如图所示，晶体管的β＝100,Vbe=0.7v 。 （1）求电路的静态工作点; （2） 画出微变等效电路图, 求Au 、r i 和r o ； （3）若电容Ce 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？并定性说明变化趋势. 二．（15分）求图示电路中a U 、b U 、b U 、c U 及L I 。 三．（8分）逻辑单元电路符号和具有“0”、“1”逻辑电平输入信号X 1如下图所示，试分别画出各单元电路相应的电压输出信号波形Y 1、Y 2、Y 3。设各触发器初始状态为“0”态。 四．（8分）判断下面电路中的极间交流反馈的极性（要求在图上标出瞬时极性符号）。如为负反馈，则进一步指明反馈的组态。 （a ） （b ）
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。
A、通过大电阻接地（>1.5KΩ） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（）。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为（）。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时，最多可以有（）个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简（每题5分，共10分） 1、用代数法化简为最简与或式
试卷二 系别学号姓名成绩 考试课程模拟电子技术基础考试日期2002 年１２月１２日 题号一二三四五六七八九总分分数 得分核分人阅卷人 1．单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分，共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。 A．掺杂浓度 B．工艺 C.温度 D．晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( )。 A．正向导通状态 B．反向电击穿状态 C．反向截止状态 D．反向热击穿状态 (3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示， A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管 (4)温度上升时，半导体三级管的( )。 A．β和I CBO 增大，U BE 下降 B．β和U BE 增大，I CBO 减小 C．β减小，I CBO 和U BE 增大 D．β、I CBO 和U BE 均增大 (图1) (5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕ ｏ与ｕ ｉ 相位相反、 ︱A U ︱>1的只可能是( )。 A．共集电极放大电路 B．共基极放大电路 C．共漏极放大电路 D．共射极放大电路 (6)在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是( )。 A．电压并联负反馈 B．电压串联负反馈 C．电流并联负反馈 D．电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。 A．A ｕ等于各级电压放大倍数之积 B．R ｉ 等于输入级的输入电阻 C．R。等于输出级的输出电阻 D．Ａ ｕ 等于各级电压放大倍数之和 （8）用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的 ( )。 A．︱A ｕｄ ︱ B．︱A ｕｅ ︱ C．Ｒ ｉｄ D．Ｋ ＣＭＲ (9)电路如图2所示，其中U ２ ＝20V，C＝100ｕF。变压器内阻及各二极管正向导通时 的电压降、反向电压均可忽略，该电路的输出电压U ０ ≈( )。 A．24V B．28V C．－28V D．－18V (图2) (10)在下列四种比较器中．抗干扰能力强的是( )。 A．迟滞比较器 B．零比较器 C．三态比较器 D．窗口比较器 2．填充题(每格１分，共20分) (11)当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数 而产生的输出失真称为失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输 出失真称为失真，这两种失真统称为失真或失真。 (12)半导体三极管属控制器件，而场效应管属于控制器件。 (13)按结构不同，场效应管可分为型和型两大类。 (14)集成运放内部电路实际上是一个、、放大电路。 (15)直流稳压电源由、、、四个部分组成。 (16)按幅频特性不同，滤波器可分为滤波器、滤波器、滤 波器、滤波器及滤波器等五种。 3．分析计算题（共60分） （17）电路如图３所示．已知R B1＝50KΩ, R B2＝10KΩ, R C＝6KΩ, R E＝750Ω,信号源内阻R S＝ 5KΩ,负载电阻R L＝10KΩ,电源电压＋V CC=12V,电容C1、C2的电容量均足够大,晶体管的β=99、 r be=1 KΩ、U BE=0.7V。试求：（a）电压放大倍数A u（=U O/U I）及A us（=U O/U S）; （b）输入电阻R i和输出电阻R O。 ① -2V ② -8V ③ -2.2V + u1 － TR + u2 － D1 D4 D3 D 2 C + U o －