第七章沉积法图形转移技术
将曝光或压印形成的有机聚合物纳米图形结构转移到各种功能材料上，是微纳米加工技术的重要组成部分。
主要内容
1.简介
2.薄膜沉积技术
3.溶脱剥离法
4.电镀法
5.嵌入法
6.模板法
7.喷墨打印法
8.掠角沉积法
（一）简介
以上各章介绍的曝光技术和压印技术，主要形成了基于光刻胶或抗蚀剂等有机聚合物材料的微纳米结构，其功能是作为掩模，帮助形成衬底材料的微纳米结构。之后，需要将曝光或压印形成的有机聚合物材料微纳米结构转移到衬底材料来。
这种图形转移技术主要分为两大类：沉积法图形转移和刻蚀法图形转移。
（二）薄膜沉积技术
◆蒸发
◆溅射
◆溶胶-凝胶法
◆化学气相沉积
◆原子层沉积
◆分子束外延
化学气相沉积(CVD)技术
（一种广为应用的制膜方法）
CVD技术的关键是，找到合适的气相化合物作为源材料。
化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）
把含有构成薄膜元素的一种或者几种化合物气体供给衬底，借助气相作用或在衬底上的化学反应生成所需薄膜。
例如：用硅烷SiH4来制备硅薄膜（SiH4 = Si +4H）
气体分解方式
(1) thermal deposition
(2) plasma deposition
(3) photon (laser, UV) deposition
其技术特征在于：
（1）高熔点物质能够在低温下合成
（2）可以制备多种薄膜材料
各种CVD技术
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是利用由输入射频功率源产生的等离子体裂解反应前驱物的CVD工艺，其主要优点是可以降低基片温度，并可精确控制化学剂量比，实现薄膜的原价掺杂。
热丝化学气相沉积(HWCVD)是利用由高温热丝来分解反应前驱物的CVD工艺，其主要优点是可以降低基片温度，沉积速率快。
激光诱导化学气相沉积(LCVD)是利用激光束的能量分解反应前驱物的CVD 工艺。根据对激光束的控制，既可进行大面积的薄膜沉积，也可进行微米范围的局部微区沉积。
金属有机物化学气相沉积法（MOCVD），以金属有机化合物作为源材料的CVD法。
（Plasma Enhanced CVD，PECVD)
包括：
真空获得及测量系统
反应室
等离子体系统
供气控制系统
将反应气体硅烷（SiH4）和H2通入真空反应室，用等离子辉光放电加以分解，产生包括带电离子、中性粒子、活性基团和电子等，它们落在衬底表面生成Si薄膜。
（Plasma Enhanced CVD，PECVD)
低压CVD中利用辉光放电等离子体的影响生长薄膜。
压强：5～500Pa
硅薄膜的热丝化学气相沉积包括以下过程：
1）反应气体（SiH4和H2）在高温热丝表面的分解
过程；
2）分解的基元向衬底的输运过程；
3）在输运过程中与其它分子发生碰撞的气相反应
过程；
4）生长基元到达衬底表面，在表面的吸附、反应
及成膜过程。
热丝化学气相沉积过程（HWCVD
）
从左到右依次是HWCVD 腔体、进样室和PECVD 腔体。每个腔体之间用闸板阀隔离，通过磁力杆在各腔体之间传递样品。HWCVD 腔体和PECVD 腔体均采用前级机械泵和次级分子泵组成的真空系统，可-4
金属有机物化学气相沉积技术（MOCVD）
例：制备YBa2Cu3O7高温超导体薄膜
●普通的Y、Ba、Cu的化合物需要在相当高的温度下才有足够的蒸气压，不适宜作为CVD的源材料。
●以Y、Ba、Cu的金属有机化合物作为源材料。
如：Y(C11H19O2)3、Ba(C11H19O2)2、Cu(C12H19O2)2作为Y、Ba、Cu的源材料。
●在MOCVD法中，通常以H2气作为稀释和载运气体，化合物源材料在气相混合后进入反应室，在加热区产生热解反应，生成相应的化合物在基片上沉积。
●合金的组分和掺杂水平由各种气体源的相对流量来控制，可用质量流量计和各种阀门进行调节控制。
原子层沉积
（ALD：atomic layer deposition）
ALD技术的商业应用是由Suntola和他的合作者在
70年代中期发展起来的。当时是为了生产薄膜电
致发光平板显示器，现在已经发展到多种工业应
用，包括半导体器件的生产。
1974, Finland, Suntola
原子层沉积是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相沉积薄膜的方法。
先驱体：两种或者两种以上含有所需沉积薄膜的元素，交替吸附在基片表面，每次只有一种先驱体，彼此独立。每种先驱体使基片表面饱和形成一单分子层。
冲洗气体：冲去表面吸附后多余的先驱体——保证每一脉冲在基片表面形成一单分子层。一般是惰性气体，如Ar气、N2等。
时间：几秒，基于反应设备和过程的设计
温度：通常是200-400度
沉积速率：一般1埃/周期
极佳的保角性是原子层沉积的独特优点
ALD
原子层沉积
用于半导体器件沟
槽的涂层
深宽比：50：1
同样适用于沟槽的平面填充
衍射光部件的平面涂层
原子层沉积
超薄的薄膜
生长速率约1埃/周期使精确控制薄膜的厚度及规整性成为可能，厚度在纳米及亚纳米的范围。
这个特征吸引了半导体工业，2005年实现了在半导体工业的应用，在2007被intel用于微处理器的门氧化层。
另一个广泛适用超薄薄膜的是硬盘驱动器的薄膜磁头里的绝缘体。
同样应用于纳米技术的研究。
原子层沉积
分子束外延(MBE)技术
一种目前最先进的二维平面生长技术所谓“外延”就是在一定的单晶体材料
的衬底上，沿着衬底的某个指数晶面向
外延伸生长一层单晶薄膜。
分子束外延(molecular beam epitaxy，MBE)
◆分子束外延是1970年左右，在真空蒸发的基础上发展起来的，制备极薄单晶薄膜的精控蒸发技术。
◆这是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分或不同掺杂的薄膜而形成超晶格结构。
◆MBE设备主要由超高真空生长系统、生长过程的控制系统和监测分析仪器等三大部分组成。
苏州市职业大学 毕业设计（论文）说明书 设计（论文）题目太阳能电池片湿刻蚀的应用系电子信息工程系专业班级08电气2 姓名李华宁 学号087301218 指导教师孙洪 年月日
太阳能电池片湿刻蚀的应用 摘要 湿刻就是湿法刻蚀，它是一种刻蚀方法，主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等。湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。着重研究各种化学品的流量对电池片刻蚀深度的影响。首先查看各种资料，掌握本课题相关的知识:通过对氢氟酸，硝酸，盐酸，氢氧化钠等化学品流量，温度，湿度等对太阳能电池片的影响。通过技术软件分析，优化工艺参数，得到最优参数。 关键词：湿法刻蚀；腐蚀；流量；太阳能电池
Solar cell wet etching application Abstract Wet carved is wet etching, it is a kind of etching method, mainly in the relatively flat membrane surface, thereby increasing suede carving out process, reduce light light reflection, etching available dilute hydrochloric acid etc. Wet etching is will etching materials soaked in a mordant within the corrosion of technology. It is a kind of pure chemical etching, has excellent selectivity, etching the current film will cease, and won't damaged following a layer of film to other materials. Research on various chemicals to the flow the influence of battery piece etching depth. First check all kinds of material, grasps this topic relevant knowledge: by hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide etc chemicals flow, temperature, humidity and so on the influence of solar cell. Through technology software analysis, optimization of process parameters, obtain optimal parameters. Keyword:wet etching; Corrosion; Flow; Solar battery
硅片工艺程
集成电路工艺之
Materials
IC Fab Metallization CMP Dielectric deposition Test
Wafers
刻蚀
Thermal Processes Masks
Implant
Etch PR strip
Packaging
Photolithography Design
Final Test
刻蚀
1、基本介绍 2、湿法刻蚀 3、干法刻蚀 4、刻蚀工艺
刻蚀的定义
基于光刻技术的腐蚀：刻蚀 湿法称腐蚀？干法称刻蚀？ 将光刻胶上的IC设计图形转移到硅片 表面 腐蚀未被光刻胶覆盖的硅片表面，实 现最终的图形转移 化学的，物的或者两者的结合
栅极光刻对准
栅极光刻掩膜
光刻胶 多晶硅
STI P-Well
USG
栅极光刻曝光
Gate Mask
显影/后烘/检验
Photoresist Polysilicon STI P-Well USG STI
PR Polysilicon USG P-Well
多晶硅刻蚀（1）
Polysilicon
多晶硅刻蚀（2）
Gate Oxide Polysilicon
PR STI P-Well USG STI
PR USG P-Well
去除光刻胶
Gate Oxide Polysilicon
离子注入
Gate Oxide Dopant Ions, As Polysilicon
+
STI P-Well
USG
STI
n+ P-Well
n+
USG Source/Drain
广东省高级技工学校文化理论课教案（首页）（代号A——3）
【组织教学】 1、师生互致问候语 2、考勤、组织教学。 【导入】 用于沉淀滴定法的沉淀反应必须符合下列几个条件： 1．生成的沉淀应具有恒定的组成，而且溶解度必须很小； 2．沉淀反应必须迅速、定量地进行； 3．能够用适当地指示剂或其他方法确定滴定地终点。 其中，银量法应用较为广泛，根据滴定方式、滴定条件和选用指示剂的不同，将银量法分为莫尔法、佛尔哈德法及发扬司法，本次课程主要学习这三类方法，并通过习题巩固本章知识点。 【课堂教学】 7.4沉淀滴定法 7.4.1摩尔法（Mohr）－用铬酸钾作指示剂AgNO 3 滴定NaCl 1.原理：Ag+ + Cl- = AgCl↓（白色）—滴定反应 Ag+ + CrO 42- = Ag 2 CrO 4 ↓(砖红色 ) —指示剂反应 计量点时：[][] 4.7 10 Ag Cl +-- ==＝1.25?10－5mol/L 2.指示剂浓度：K 2CrO 4 的最佳浓度为5.0?10-3mol/L3. pH：最宜范围为6.5-10.5（中 性或弱碱性）. 4.适用范围：直接滴定Cl-、Br－。 5．干扰：凡能与CrO 4 2-或 Ag+生成沉淀的离子都干扰测定。如：Ba2+、Pb2+、Hg2+以 及PO 43-、AsO 4 3-、S2-、C 2 O 4 2-等。
7.4.2佛尔哈德法（Volhard）－铁铵矾（NH 4Fe（SO 4 ） 2 ）作指示剂1.直接滴定法 －在硝酸介质中，用NH 4 SCN标准溶液滴定Ag+。（1）原理：Ag++ SCN- = AgSCN↓（白）滴定反应 Fe3+ + SCN- = FeSCN2+（红）指示剂反应 （2）溶液酸度控制在0.1-1mol/L之间 （3）Fe3+浓度一般控制在0.015 mol/L 2．返滴定法－测定鹵素离子（1）优点：选择性高。 （2）缺点：终点时，过量的SCN-易使下列反应发生： AgCl + SCN－＝AgSCN+ Cl– 所以，溶液出现的红色不稳定，随着不断地摇动溶液，红色又逐渐消失，得不到正确的终点。 解决措施：分离AgCl沉淀 b.用有机溶剂将AgCl沉淀表面覆盖，使其不与溶液接触。 C．提高Fe3+的浓度以减小终点时SCN－的浓度，从而减小滴定误差。 7.4.3法扬司法（Fajans）－吸附指示剂吸附指示剂是一类有机燃料，当它被吸附在胶粒表面之后，可能是由于形成某种化合物而导致指示剂分子结构的变化，因而引起颜色的变化。 AgNO 3 滴定Cl－，用荧光黄作指示剂。HFI＝H＋＋FI－ AgCl?Ag＋＋ FI－（黄绿色）＝AgCl?Ag＋?FI－（淡红色） 注意： （1）应尽量使沉淀的比表面大一些。 （2）被滴定离子的浓度不能太低 （3）避免在强的阳光下进行滴定。
重量分析法和沉淀滴定法 思考题 1.沉淀形式和称量形式有何区别？试举例说明之。 答：在重量分析法中，沉淀是经过烘干或灼烧后再称量的。沉淀形式是被测物与沉淀剂反应生成的沉淀物质，称量形式是沉淀经过烘干或灼烧后能够进行称量的物质。有些情况下，由于在烘干或灼烧过程中可能发生化学变化，使沉淀转化为另一物质。故沉淀形式和称量形式可以相同，也可以不相同。例如：BaSO 4 ,其沉淀形式和称 量形式相同，而在测定Mg2+时，沉淀形式是MgNH 4PO 4 ·6H 2 O，灼烧后所得的称量形式却 是Mg 2P 2 O 7 。 2．为了使沉淀定量完全，必须加人过量沉淀剂，为什么又不能过量太多? 答：在重量分析法中，为使沉淀完全，常加入过量的沉淀剂，这样可以利用共同离子效应来降低沉淀的溶解度。沉淀剂过量的程度，应根据沉淀剂的性质来确定。若沉淀剂不易挥发，应过量20%~50%；若沉淀剂易挥发，则可过量多些，甚至过量100%。但沉淀剂不能过量太多，否则可能发生盐效应、配位效应等，反而使沉淀的溶解度增大。 3．影响沉淀溶解度的因素有哪些？它们是怎样发生影响的？在分析工作中，对于复杂的情况，应如何考虑主要影响因素? 答：影响沉淀溶解度的因素有：共同离子效应，盐效应，酸效应，配位效应，温度，溶剂，沉淀颗粒大小和结构等。共同离子效应能够降低沉淀的溶解度；盐效应通过改变溶液的离子强度使沉淀的溶解度增加；酸效应是由于溶液中H+浓度的大小对弱酸、多元酸或难溶酸离解平衡的影响来影响沉淀的溶解度。若沉淀是强酸盐，如BaSO 4 ， AgCl等，其溶解度受酸度影响不大，若沉淀是弱酸或多元酸盐[如CaC 2O 4 、Ca 3 (PO 4 ) 2 ] 或难溶酸（如硅酸、钨酸）以及与有机沉淀剂形成的沉淀，则酸效应就很显著。除沉淀是难溶酸外，其他沉淀的溶解度往往随着溶液酸度的增加而增加；配位效应是配位剂与生成沉淀的离子形成配合物，是沉淀的溶解度增大的现象。因为溶解是一吸热过程，所以绝大多数沉淀的溶解度岁温度的升高而增大。同一沉淀，在相同质量时，颗粒越小，沉淀结构越不稳定，其溶解度越大，反之亦反。综上所述，在进行沉淀反应时，对无配位反应的强酸盐沉淀，应主要考虑共同离子效应和盐效应；对弱酸盐或难溶酸盐，多数情况应主要考虑酸效应，在有配位反应，尤其在能形成较稳定的配合物，而沉淀的溶解度又不太大时，则应主要考虑配位效应。 4．共沉淀和后沉淀区别何在？它们是怎样发生的？对重量分析有什么不良影响？在分析化学中什么情况下需要利用共沉淀？
6.1 下列各沉淀反应，哪个不属于银量法？（ C ） Ａ．↓=+-+AgCl Cl Ag B ．↓=+-+AgI I Ag Ｃ．↓=+-+S Ag S Ag 222 D ．↓=+-+AgSCN SCN Ag 6.2 摩尔法滴定时，所用的指示剂为：（ B ） Ａ．NaCl Ｂ．K 2CrO 4 Ｃ.Na 3AsO 4 Ｄ.荧光黄 6.3 摩尔法测定氯的含量时，其滴定反应的酸度条件是：（ D ） Ａ．强酸性 Ｂ．弱酸性 Ｃ．强碱性 Ｄ．弱碱性或近中性 6.4 以硫酸铁铵为指示剂的银量法叫（ C ） Ａ．摩尔法 Ｂ．返滴定法 Ｃ.佛尔哈德法 Ｄ．法扬斯法 6.5 Mohr(摩尔法)适用的pH 范围一般为6.5～10.5。但当应用于测定NH4Cl 中氯的含量时，其适宜的酸度为（ D ） Ａ．pH<７ Ｂ．pH>7 C.pH=6.5～10.5 Ｄ.pH=6.5～7.2 6.6 用佛尔哈德法测定（ A ）的纯度时，引入误差的比率最大。 Ａ．NaCl B ．NaCl Ｃ．NaI D.NaSCN 6.7 以Fe 3+为指示剂，NH 4SCN 为标准溶液滴定Ag +时，应在（ A ）条件下进行。 Ａ．酸性 Ｂ．碱性 Ｃ．弱碱性 Ｄ．中性 6.8 用摩尔法测定时，阳离子（ C ）不能存在。 Ａ．K + Ｂ．Na +
6.1 沉淀滴定法是以（）为基础的滴定分析法。 答案：沉淀反应 6.2 在沉淀滴定的滴定曲线上，突跃大小取决于沉淀的（） 答案：溶解度 6.3 摩尔法应在pH=6.5～10.5之间的溶液中进行，这是由于（）和（）原因。 答案：pH＜6.5时，CrO 42-+H+→HcrO 4 -使Ag 2 CrO 4 溶解，造成终点推迟，pH＜ 10.5时，2Ag++2OH-→Ag 2O+H 2 O 6.4 用摩尔法只能测定（）而不能测定（）,这是由于（）。 答案：Cl-和Br-，I-和SCN- ，AgI对I-强烈吸附，AgSCN对SCN-强烈吸附且不能通过振荡而解析 6.5 用摩尔法测定Cl-浓度时，体系中不能含有（）、（）、（）等阴离子，以及（）、（）、（）等阳离子，这是由于（）。 答案：PO 43-，AsO 4 3-，S2-，Pb2+，Ba2+，Cu2+，阴离子与银离子生成沉淀，阳 离子与铬酸根生成沉淀 6.6 法扬斯法测定Cl-时，在荧光黄指示剂溶液中常加人淀粉，其目的是保护（），减少（），增加（）。 答案：胶状沉淀，聚沉，吸附 6.7 佛尔哈德法中消除AgCl沉淀转化影响的方法有（）除去AgCl沉淀或加入( )包围AgCl沉淀。 答案：加热至沸，硝基苯 6.8 摩尔法测定Cl-含量时，若指示剂K 2CrO 4 的用量过大时，将会使滴定终点推 迟，这是由于( )。 答案：指示剂的黄色影响终点的观察 6.9 在佛尔哈德法中，指示剂Fe3+的实际用量比计算量（）,这是由于（）。 答案：小，Fe3+的颜色影响终点的观察 6.10 荧光黄指示剂的变色是因为它的（）离子被（）的沉淀颗粒吸附而产生。 答案：负，吸附了Ag＋ 6.11 用法扬斯法测定Cl-时，不能用（）指示剂，这是由于（）。 答案：曙红，吸附力大小顺序为：曙红>Cl-，而使终点提前 6.12 佛尔哈德法的滴定终点理论上应在计量点（）到达，但实际操作中常常在计量点（）到达，这是因为AgSCN沉淀吸附（）离子之故。 答案：时，提前，Ag＋ 6.13 佛尔哈德法既可直接用于测定（）离子，又可间接用于测定（）、（）、（）和（）离子。 答案：Ag＋，Cl-，Br-， I-， SCN- 6．14 因为卤化银（）后易分解，故银量法的操作应尽量避免（）。 答案：见光，光的照射 6.15 用佛哈德法测定Br-和I-时,不需要过滤除去银盐沉淀，这是因为（）、（）的溶解度比（）的小，不会发生（）反应。 答案：Ag Br-，AgI ， AgSCN，沉淀的转化
分析化学课程教案 授课题目(教学章节或主题): 第6章重量分析法和沉淀滴定法 授课类型 理论课 授课时间 6学时 教学目标或要求: 掌握沉淀重量法对沉淀的要求,影响沉淀溶解度的因素,理解溶解度,溶度积和条件溶度积,了解沉淀形成一般过程. 掌握减少沉淀沾污的方法,影响沉淀颗粒大小的因素,沉淀条件的选择,理解共沉淀,后沉淀,了解有机沉淀的应用. 教学内容(包括基本内容,重点,难点): 第6章重量分析法 概述 一,重量法的分类和特点 二,沉淀重量法的分析过程和对沉淀的要求. 1. 对沉淀形要求, 2. 对称量形的要求 沉淀的溶解度及其影响因素 一,溶解度,溶度积和条件溶度积 二,影响沉淀溶解度的因素 盐效应,2. 同离子效应,3. 酸效应,4. 络合效应,5. 其他影响因素 沉淀的类型与形成过程 一,沉淀的类型 二,沉淀形成一般过程 三,影响沉淀颗粒大小的因素 1. 沉淀物质的本性, 2. 过饱和程度, 3. 临界比 影响沉淀纯度的因素 一,共沉淀 1. 表面吸附, 2. 吸留与包夹, 3. 生成混晶或固溶体 二,后沉淀(继沉淀) 三,减少沉淀沾污的方法 沉淀条件的选择 沉淀条件的选择和沉淀后的处理:1. 晶形沉淀,2. 无定形沉淀,3. 均匀沉淀法 称量形的获得――沉淀的过滤,洗涤,烘干或灼烧 有机沉淀的应用 重量分析结果的计算 第6章重量分析法和沉淀滴定法 §概述 重量分析是通过称量物质的质量进行测定的,测定时通常先用适当的方法使被测组分与其他组分分离.然后称重,由称得的质量计算该组分的含量. 一,重量法的分类和特点 根据被测组分与其他组分分离方法的不同,重量法分为挥发法,电解法和沉淀法三类,其中以沉淀法最为重要.
第六章2 本章内容 1)光致抗蚀剂类型与机理 2)干膜光致抗蚀剂图形转移工艺(干膜)3)液态光致抗蚀剂图形转移工艺(湿膜)4)电沉积光致抗蚀剂(ED 膜) 5）激光直接成像技术
3 图形转移技术 图形转移-----PCB制造中最关键的工序之一; 生产中的关键控制点，也是技术难点所在。 PCB图形转移方法有: 1）丝网印刷（Screen Printing）图形转移技术; 2）干膜（Dry Film）图形转移技术; 3）液态光致抗蚀剂（Liquid Photoresist）图形转移技术; 4）电沉积光致抗蚀剂（ED膜）制作技术; 5）激光直接成像技术（Laser Drect Image）。P163 4
图形转移： ----在PCB制造过程中将底版上的电路图形转移到覆铜箔层压板上，形成一种抗蚀或抗电镀的掩膜图形的工艺过程。 抗蚀图形----用于“印制蚀刻工艺”，即用抗蚀材料在覆铜箔层压板上形成正相图形，未被抗蚀剂保护的铜箔，在随后 的化学蚀刻工序中被去掉，蚀刻后去除抗蚀层，便得到所 需的铜电路图形。 抗电镀图形----用于“图形电镀工艺”，即用抗蚀材料在覆铜层压板上形成负相图形，使所需要的表面裸铜图形，经过 清洁、粗化等处理后，在其上电镀铜或电镀金属保护层(锡 铅、锡镍、锡、金等)，然后去掉抗蚀层进行蚀刻，电镀的 金属保护层在蚀刻工序中起抗蚀作用。 5 印制蚀刻工艺流程： →贴干膜———— 下料→板面前处理→涂湿膜→烘干→曝光→显影→正相图形→蚀刻→去膜→→下工序 图形电镀工艺过程： 下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→→贴干膜———— →涂湿膜→烘干→曝光→显影→负相图形→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→下工序 6
第六章重量分析法和沉淀滴定法 一、选择题 1．下述（）说法是正确的。 （A）称量形式和沉淀形式应该相同 （B）称量形式和沉淀形式必须不同 （C）称量形式和沉淀形式可以不同 （D）称量形式和沉淀形式中都不能含有水分子 2．盐效应使沉淀的溶解度（），同离子效应使沉淀的溶解度（）。一般来说，后一种效应较前一种效应（） （A）增大，减小，小得多（B）增大，减小，大得多 （C）减小，减小，差不多（D）增大，减小，差不多 3．氯化银在1mol/L的HCl中比在水中较易溶解是因为（） （A）酸效应（B）盐效应（C）同离子效应（D）络合效应 4．CaF2沉淀在pH=2的溶液中的溶解度较在pH=5的溶液中的溶解度( ) （A）大（B）相等（C）小（D）难以判断 5．如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（） （A）表面吸附（B）机械吸留（C）包藏（D）混晶 6．用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是（） （A）混晶共沉淀（B）吸附共沉淀 （C）包藏共沉淀（D）后沉淀 7．若BaCl2中含有NaCl、KCl、CaCl2等杂质，用H2SO4沉淀Ba2+时，生成的BaSO4最容易吸附（）离子。 （A）Na+（B）K+（C）Ca2+（D）H+ 8．晶形沉淀的沉淀条件是（） （A）稀、热、快、搅、陈(B) 浓、热、快、搅、陈 （C）稀、冷、慢、搅、陈(D) 稀、热、慢、搅、陈 9．待测组分为MgO，沉淀形式为MgNH4PO4·6H2O，称量形式为Mg2P2O7，化学因素等于（） （A）0.362 （B）0.724 （C）1.105 （D）2.210 10．关于以K2CrO4为指示剂的莫尔法，下列说法正确的是（）
第七章 沉淀溶解平衡和沉淀滴定法 习题7-1 Even through Ca(OH)2 is an inexpensive base, its limited solubility restricts its use. What is the pH of a saturated solution of Ca(OH)2? 解： Ca(OH)2(s) 〓 Ca 2+ + 2OH - 平衡 S 2S 4S 3 = 5.5×10-6 S = 1.1×10-2 mol·L -1 pH = 14 -[-lg(2×1.1×10-2 )]=14 -2 + lg2.2 = 12.34 习题7-2 根据θsp K 值计算下列各难溶电解质的溶解度：（1）Mg(OH)2在纯水中，（2）Mg(OH)2在0.010 mol·L -1 MgCl 2溶液中，（3）CaF 2在pH=2的水溶液中。 解： Mg(OH)2 (s ) 〓 Mg 2+ (aq) + 2OH - (aq) 1) Mg(OH)2在纯水中 4S 3 = θsp K = 5.61 ? 10-12 S = 1.12 ? 10-4 mol·L -1 2) Mg(OH)2在0.010 mol·L -1 MgCl 2中 S = 1 2c (OH -) = 12 12 =S = 1.2?10-5mol·L -1 3) CaF 2 (S) + 2H + 〓 Ca 2+ (aq) + 2HF 节平衡时c /(mol·L -1 ) 10-2 S 2S θJ K =θsp K (CaF 2)/θ2a K (HF ) = 1.46 ? 10 -10 / (3.53 ? 10-4 )2 = 1.17 ? 10-3 θJ K = 4S 3 / (10-2 )2 = 1.17 ? 10-3 S = 3.08?10-3 mol·L -1 习题7-3 欲从0.0020 mol·L -1 Pb(NO 3)2溶液中产生Pb(OH)2沉淀，问溶液的pH 值至少为多少？解： Pb 2+ + 2OH - 〓 Pb(OH)2 (s) 0.0020 x 0.0020 · x 2 = 1.42 ? 10-20 x =2.7 ? 10-9 mol·L -1 pH = 14 - [-lg(2.66 ? 10-9 )] = 5.43 习题7-4 下列溶液中能否产生沉淀？（1）0.020 mol·L -1 BaCl 2溶液与0.010 mol·L -1 Na 2CO 3溶
第六章沉淀测定法 二、内容概要 重量分析法是用适当方法先将试样中待测组分与其它组分分离，然后称重测其含量。它是最古老、准确度最高、精密度最好的常量分析方法之一。 沉淀滴定法是以沉淀反应为基础的一种滴定分析方法。通常是利用生成银盐的银量法。银量法根据所用指示剂的不同，按创立者的名字命名。 思考题 1.什么叫沉淀反应定量地进行完全？ 解：利用沉淀反应进行重量分析时，要求沉淀反应进行完全，一般可以根据沉淀溶解度的大小来衡量。溶解度小，沉淀完全；溶解度大，沉淀不完全。 在重量分析中，通常要求被测组分在溶液中的残留量不超过0.0001g，即小于分析天平的允许称量误差。 2.为什么沉淀完全，必须加入过量沉淀剂，为什么又不能过量太多？ 解：加入过量的沉淀剂，由于同离子效应，沉淀的溶解度将减小，沉淀溶解损失减小。但加入过量太多的沉淀剂，则由于盐效应、络合效应等因素起主导作用，而使沉淀的溶解度增大。 3.在含有AgCl沉淀剂的饱和溶液中，分别加入下列试剂，对AgCl的溶解度有什么影响？ （1）适量HCl ；（2）大量HCl ；（3）大量NaCl ；（4）NH3?H2O； (5) NH3?HCl ；(6)HNO3。 解：1）溶解度降低。2）溶解度增大。3）溶解度增大。 4）溶解度增大。5）溶解度增大。6）溶解度增大。 4.沉淀过程中沉淀为什么会玷污？ 解：因共沉淀和后沉淀将引入杂质而玷污沉淀。 5.以H2SO4沉淀Ba2+测定钡含量为例，回答下列问题： （1）加入的H2SO4沉淀剂过量较多，有何影响？ （2）沉淀为什么在稀溶液中进行？ （3）试液中为什么要加入少量HCl？ （4）沉淀为什么要陈化？ （5）沉淀为什么要在热溶液中进行？是否要趁热过虑？为什么？ 解：1）加入的H2SO4沉淀剂过量较多，由于酸效应： B aSO4↓+H2SO4=Ba2++2HSO-4 生成HSO-4,而使溶解度增大。 2）沉淀作用应当在适当稀的溶液中进行。这样，在沉淀过程中，溶液的相对过饱和度不大，均相成核作用不显著，容易得到大颗粒的晶型沉淀。这样的沉淀易滤、易洗。同时，由于晶粒大、比表面小、溶液稀，杂质的浓度相应减小，所以共沉淀现象也相应减小，有利于得到纯净的沉淀。但，对于溶解度较大的沉淀，溶液不宜过分稀释。
第七章重量分析法和沉淀滴定法 1．什么叫沉淀滴定法？沉淀滴定法所用的沉淀反应必须具备哪些条件？ 答：沉淀滴定法是以沉淀反应为基础的一种滴定分析方法。 沉淀滴定法所应的沉淀反应，必须具备下列条件： （1）反应的完全程度高，达到平衡的速率快，不易形成过饱和溶液。，即反应能定量进行。（2）沉淀的组成恒定，沉淀的溶解度必须很小，在沉淀的过程中不易发生共沉淀现象。（3）有确定终点的简便方法。 2．写出莫尔法、佛尔哈德法和法扬斯法测定Cl-的主要反应，并指出各种方法选用的指示剂和酸度条件。 答：（1）莫尔法 主要反应：Cl-+Ag+=AgCl↓ 指示剂：铬酸钾 酸度条件：pH=6.0∽10.5 (2)佛尔哈德法 主要反应：Cl-+Ag+（过量）=AgCl↓ Ag+（剩余）+SCN-=AgSCN↓ 指示剂：铁铵矾。 酸度条件：0.1∽1 mol/L （3）法扬斯法 主要反应：Cl-+Ag+=AgCl↓ 指示剂：荧光黄 酸度条件：pH=7∽10.5 3．用银量法测定下列试样：(1)BaCl2,(2)KCl,(3)NH4Cl,(4)KSCN,(5)NaCO3+NaCl,(6)NaBr,各应选用何种方法确定终点？为什么？ 答:（1）BaCl2用佛尔哈德法或法扬斯法。因为莫尔法能生成BaCrO4沉淀。 （2）Cl-用莫尔法。此法最简便。 （3）NH4Cl用佛尔哈德法或法扬斯法。因为当、[NH4+]大了不能用莫尔法测定，即使[NH4+]不大酸度也难以控制。 （4）SCN-用佛尔哈德法最简便。 （5）NaCO3+NaCl用佛尔哈德法。如用莫尔法、法扬斯法时生成Ag2CO3沉淀造成误差。 （6）NaBr 用佛尔哈德法最好。用莫尔法在终点时必须剧烈摇动，以减少AgBr吸附Br-而使终点过早出现。用法扬斯法必须采用曙红作指示剂。 4．在下列情况下，测定结果是偏高、偏低，还是无影响？并说明其原因。 （1）在pH=4的条件下，用莫尔法测定Cl-; （2）用佛尔哈德法测定Cl-既没有将AgCl沉淀滤去或加热促其凝聚，有没有加有机溶剂； （3）同（2）的条件下测定Br-； （4）用法扬斯法测定Cl-，曙红作指示剂； （5）用法扬斯法测定I-，曙红作指示剂。 答：（1）偏高。因部分CrO42-转变成Cr2O72-，指示剂剂浓度降低，则终点推迟出现。 （2）偏低。因有部分AgCl转化成AgSCN沉淀，返滴定时，多消耗硫氰酸盐标准溶液。
Creative Education Studies 创新教育研究, 2016, 4(1), 1-5 Published Online February 2016 in Hans. https://www.doczj.com/doc/c210318763.html,/journal/ces https://www.doczj.com/doc/c210318763.html,/10.12677/ces.2016.41001 The Reform Research of Materials Micro/Nano-Processing Teaching in Hylology Major Hailin Cong*, Bing Yu, Xiaodan Xu, Ruixia Yang College of Materials Science and Engineering, Qingdao University, Qingdao Shandong Received: Feb. 2nd, 2016; accepted: Feb. 22nd, 2016; published: Feb. 25th, 2016 Copyright ? 2016 by authors and Hans Publishers Inc. This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY). https://www.doczj.com/doc/c210318763.html,/licenses/by/4.0/ Abstract Material micro/nano-processing was one of the basic courses of materials science and engineering. The teaching reform was an eternal and important part of the college education to improve educa-tion quality. The teaching methods about material micro/nano-processing, which included small class teaching, bilingual teaching, online teaching, experimental teaching and discussion teaching, were reformed and enriched in this paper. All of the new teaching methods lead to great im-provements in students’ learning interest and learning efficiency, and a better teaching quality. Keywords Material Micro/Nano-Processing, Teaching Methods, Small Class Teaching, Bilingual Teaching, Online Teaching 材料学专业微纳米加工技术课程的教学方式 改革研究 丛海林*，于冰，徐晓丹，杨瑞霞 青岛大学材料科学与工程学院，山东青岛 *通讯作者。
liuzhidong 1 LOGO 第七章集成电路制造的 刻蚀工艺方法 liuzhidong 2 在硅片表面形成光刻胶图形后,下一步的工作是通过刻蚀的工艺将该图形转移到光刻胶下面的层上，这就是本章要讨论的内容。 liuzhidong 3 刻蚀和清洗处理过程包括的内容 在微细加工中，刻蚀和清洗处理过程包括许多内容。1.在覆盖光刻胶前，对于适当取向的半导体薄片的锯痕首先要机械抛光，以除去全部的机械损伤，之后进行化学抛光，以获得无损伤的光学平面。这种工艺往往能去除以微米级计算的材料表层。 2.对薄片进行化学清洗和洗涤，以除去因操作和贮存而产生的污染; 3.然后用热处理的方法生长Si02(对于硅基集成电路)，或者沉积氮化硅(对于砷化镓电路)，以形成初始保护层。 4.对光刻胶光刻后,刻蚀过程和图案的形成相配合。在保护膜层上刻出许多小窗，并通过该层保护膜进行物质的注入或扩散，以便形成半导体区。重复这一过程，直到全部形成器件。 liuzhidong 4 进一步的刻蚀和图案形成的工艺，还用于刻蚀单层或多层的金属布线。通常这种工艺是沉积PSG(磷硅玻璃)或氮化硅保护层。最后通过光刻的方法在键合区开孔，供引线的焊接及引出。 刻蚀也包括半导体的化学加工，它是半导体制造工艺的一部分。 liuzhidong 5 刻蚀工艺方法 刻蚀一般分为:湿法刻蚀技术、干法刻蚀技术。 湿法刻蚀.利用化学溶液，通过化学反应将不需要的薄膜去掉的图形转移方法。 干法刻蚀.利用具有一定能量的离子或原子通过离子的物理轰击或化学腐蚀，或者两种的协同作用，以达到刻蚀的目的。干法刻蚀包括等离子体刻蚀、离子体喷射、电子束和X射线照射等。 本章重点介绍等离子体刻蚀的一些规律和特性 liuzhidong 6 第一节 湿法刻蚀技术 半导体材料与酸、碱等溶液进行相互作用而使材料自行分解的现象称为半导体的腐蚀，利用腐蚀的方法在半导体表面上刻蚀出点、斑、线条、孔、槽以及各种图案的方法称为半导体的刻蚀。 湿法刻蚀技术：借助于半导体与电解液界面的反应达到刻蚀的目的，从广义上讲它还应该包括电化学刻蚀和光电化学刻蚀。 应用领域：半导体集成电路、光电子、微机械、新结构器件等。
第程滋圈思麟曲H 2020 总 4 JJ 19 B
液态感光至抗蚀刻及图形转移工艺 PCB制造工艺(Technology)中,无论是单、双面板及多层板(MLB),最基本、最关键的工序之一是图形转移，即将照相底版(Art-work)图形转移到敷铜箔基材上。图形转移是生产中的关键控制点,也是技术难点所在。其工艺方法有很多，如丝网印刷(Screen Printing)图形转移工艺、干膜(Dry Film)图形转移工艺、液态感光至抗蚀剂(Liquid Photoresist)图形转移工艺.电沈积光至抗蚀剂(ED膜)制作工艺以及激光直接成像技术(Laser Drect Image) o当今能取而代之干膜图形转移工艺的首推液态感光至抗蚀剂图形转移工艺，该工艺以膜薄,分辨率(Resolution)S,成本低，操作条件要求低等优势得到广泛应用。本文就PCB图形转移中液态感光至抗蚀剂及其制作工艺进行浅析。 一?液态感光至抗蚀剂(Liquid Photoresist) 液态感光至抗蚀剂(简称湿膜)是由感旋光性树脂,配合感光剂、色料、填料及溶剂等制成，经光照射后产生光聚合反应而得到图形，属负性感光聚合型。与传统抗蚀油墨及干膜相比具有如下特点:□
a）不需要制丝网模版。采用底片接触曝光成像（Contact Printig）, Qj 避免网印所带来的渗透、污点、阴影、图像失真等缺陷。解像度（Resolution）大大提高，传统油墨解像度为200 u m,湿膜可达40 u m o b）由于是光固化反应结膜，其膜的密贴性、结合性、抗蚀能力（Etch Resistance）及其抗电镀能力比传统油墨好。 c）湿膜涂布方式灵活、多样,工艺操作性强，易于掌握。 d）与干膜相比，液态湿膜与基板密贴性好，可填充铜箔表廂轻微的凹 坑、划痕等缺陷。再则湿膜薄可达5_10 u m,只有干膜的1/3左右，而 且湿膜上层没有覆盖膜（在干膜上层覆盖有约为25 u m厚的聚酯盖膜）， 故其图形的解像度、清晰度高。如:在曝光时间为4S/7K时，干膜的解像度为75 u m,而湿膜可达到40 u m。从而保证了产质量量。 e）以前使用干膜常出现的起翘、电镀渗镀、线路不整齐等问题。湿 是液态膜，不起翘、渗镀、线路整齐，涂覆工序到显形工序允许搁置时 间可达4 8 h r,解决了生产工序之间的关联矛盾，提高了生产效率。 f）对于当今日益推广的化学镀磚金工艺,一般干膜不耐镀金液，而湿 膜耐镀金液。 g）由于是液态湿膜，可挠性强，特别适用于挠性板（Flexible Printed Board）制作。 h）湿膜由于本身厚度减薄而物d料成本降低，且与干膜相比,不需要 载体聚酯盖膜（Polyester Cover sheet）和起保护作用的聚乙烯隔膜
第七章重量分析法及沉淀滴定法 （4 学时） 【本章重点】： 1银量法的基本原理 2.指示剂的使用条件与指示终点的方法 3沉淀滴定法中的常用基准物质和滴定液的配制和标定 4沉淀滴定法测定无机卤化物，有机卤化物和有机碱氢卤酸盐的含量方法 重量分析法 一、选择题 1 重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（C） A. 表面吸附 B. 吸留与包藏 C. 混晶 D. 后沉淀 2 下列说法中违背了晶形沉淀条件的是（B） A. 沉淀应在热溶液中进行 B. 沉淀应在浓的溶液中进行 C. 应在不断搅拌下慢慢滴加沉淀剂 D. 沉淀应放置过夜使沉淀陈化 3 在重量分析中对无定形沉淀洗涤时，洗涤液应选择（B） A. 冷水 B. 热的电解质浓溶液 C. 沉淀剂稀溶液 D. 有机溶剂 4 下列说法中违背了无定形沉淀条件的是（D） A. 沉淀可在浓溶液中进行 B. 沉淀应在不断搅拌下进行 C. 沉淀在热溶液中进行 D. 在沉淀后放置陈化 5 若BaCl2中含有NaCl、KCl、CaCl2等杂质，用H2SO4沉淀Ba2+时，生成的BaSO4最易吸附的离子是（D） A. H+ B. K+ C. Na+ D. Ca2+ 6 沉淀重量法中，称量形的摩尔质量越大，将使（D） A. 沉淀易于过滤洗涤 B. 沉淀纯净 C. 沉淀的溶解度减小 D. 测定结果准确度高 7 用BaSO4重量法测定Ba2+含量，若结果偏低，可能原因是 ( B )
A. 沉淀中含有Fe3+等杂质 B 沉淀中包藏了BaCl2 C 沉淀剂H2SO4在灼烧时挥发 D 沉淀灼烧的时间不足 二、填空题 1 重量分析法对称量形式的要求是①组成必须固定，且与化学式完全符合；②称量形式的性质要稳定；③称量形式的摩尔质量要大。 2 吸留共沉淀与表面吸附共沉淀的主要区别在于吸留发生在沉淀内部，吸附发生在沉淀表面。 3 陈化过程是沉淀与母液一起放置一段时间的过程，它的作用是①晶体完整化以及小晶粒溶解，大晶粒长大使沉淀变得更加纯净②将吸附、吸留或包藏在沉淀内部的杂质重新转移进入溶液，使沉淀纯度升高。 4由于无定形沉淀颗粒小，为防止沉淀穿滤,应选用致密(慢速) 滤纸。 5 获得晶型沉淀控制的主要条件是稀溶液、热,沉淀剂缓慢加入、不断搅拌、 陈化。 6 均匀沉淀法是指利用溶液中的化学反应使沉淀剂逐步地、均匀地产生，从而使沉淀缓慢地均匀地形成。其优点是能获得紧密的大颗粒沉淀。 7 在含有Ca2+ 和H2C2O4的酸性溶液中，加入尿素CO(NH2)2并加热煮沸，能析出较大颗粒的CaC2O4沉淀，其原因是随加热反应逐渐进行，NH3浓度均匀增加，[C2O42-]随之增大，过饱和度小，故颗粒大。尿素发生的反应。 三、问答题 1 无定形沉淀的条件之一是在浓溶液中进行，这必然使吸附杂质量增多，为了避免这个问题，在实验中采取的措施是什么 答: 沉淀完毕之后，加一定量热水稀释，充分搅拌，使表面吸附杂质转移到溶液中去。 2 当用冷水洗涤AgCl沉淀时，为什么会产生胶溶现象应当选用什么洗涤液 答: 用冷水洗涤沉淀时，外双电层中带电荷离子被洗掉，使AgCl颗粒带相同电荷，互相排斥，使之均匀分散，故产生胶溶现象，应当选电解质溶液洗。 3简要说明下列溶液中微溶化合物的溶解度变化规律。
第六章沉淀滴定法 第一节概述 沉淀滴定法是以沉淀反应为基础的一种滴定分析方法。虽然沉淀反应很多，但由于条件的限制，能用于沉淀滴定法的反应并不多。能用于滴定分析的沉淀反应必须符合下列条件： (1) 生成的沉淀溶解度必须很小，组成恒定。 (2) 沉淀反应迅速，定量地完成。 (3) 有确定滴定终点的简单方法。 因此许多沉淀反应不能完全符合要求。目前在生产上应用较广的是生成难溶性银盐沉淀为基础的沉淀滴定法, 例如 Ag+ + Cl-＝AgCl↓ Ag+ + SCN-＝AgSCN↓ 利用生成难溶性银盐反应来进行测定的方法，称为银量法。银量法可以测定C1-、Br-、I-、Ag+、SCN-等，还可以测定经过处理而能定量地产生这些离子的有机物，如666、二氯酚等有机药物的测定。 根据滴定的方式不同，银量法又可分为直接滴定法和返滴定法两类。 一、直接滴定法 是用沉淀剂作标准溶液，直接滴定被测物质。例如，在中性溶液中测定C1-或Br-时，用K2CrO4作指示剂，用AgNO3标准溶液直接滴定溶液中的C1-或Br-。根据AgNO3标准溶液所用的体积及样品的质量，即可计算C1-或Br-的百分含量。 二、返滴定法（或称间接滴定法） 在被测定物质的溶液中，加入一定体积的过量的沉淀剂标准溶液，再用另外一种标准溶液滴定剩余的沉淀剂。例如，在酸性溶液中测定C1-时，先将过量的AgNO3标准溶液，加入到被测-溶液中，再以铁铵矾作指示剂，用KSCN标准溶液滴定剩余的AgNO3。根据AgNO3和KSCN两种标准溶液所用的体积及样品的质量，即可计算氯的百分含量。 银量法主要用于化学工业如烧碱厂食盐水的测定，电解液中C1-的测定，以及一些含卤素的有机化合物的测定。在环境检测、农药检验、化学工业及冶金工业等方面具有重要的意义。 根据确定滴定终点采用的指示剂不同，银量法分为莫尔法、佛尔哈德法和法扬司法。
章序 名称 第七章沉淀滴定法 周次第 15 周至第 16 周授课时间2016年11月14日至2016年11月20日教 学目的要求1.掌握沉淀滴定法的条件要求； 2.掌握莫尔法、费尔哈德法和法扬司法的测定原理和应用； 3.掌握沉淀滴定法的计算。 教学重点1．沉淀滴定法的要求； 2. 摩尔法、佛尔哈德法、发扬斯法滴定条件原理；3．应用与计算； 教 学 难 点 三种滴定方法的条件控制和适应的范围 教学场所 环境 教室 授课 方式 课堂讲授（√）；实验（）；实践（）；双语（）课时分配2学时 教学方法讲授、比较 教学 手段 网络教学（）；多媒体（√） 教学 用具 投影仪
教学内容提要备注 §7-1 概述 一、直接滴定法 二、返滴定法 §7-2 确定滴定终点的方法 一、莫尔法 二、佛尔哈德法 三、法扬斯法 §7-3 沉淀滴定法应用实例 一、可溶性氯化物中氯的测定 二、银合金中银的测定 §7-4 沉淀滴定法的计算示例
日程及课时分配节序内容学时第七章沉淀滴定法2学时第一节概述0.5 第二节确定终点的方法 1 第三节滴定滴定法应用示例0.5 第三节沉淀滴定法的计算示例 复习思考题1.什么叫沉淀滴定法？沉淀滴定法所用的沉淀反应必须具备哪些条件？ 2.使比较摩尔法、佛尔哈德法、发扬斯法滴定条件原理； 滴定原理和应用； 3.通常要求沉淀对指示剂的吸附能力略小于待测离子的吸附能力为什么？4．称取纯KIOx试样0.5000g, 将碘还原成碘化物后, 用0.1000mol· L-1 AgNO 3 标准溶液滴定, 用去23.36mL。计算分子式中的x。
讨论练习 1.写出摩尔法、佛尔哈德法、发扬斯法测定Cl-的主要反应，并指出各种方法选定用的指示剂和酸度条件。 2.用银量法测定下列试样：（1）BaCl 2 （2）KCL（3）NH 4 CL（4）KSCN（5） Na 2 CO 3 +NaCL（6）NaBr，各应选用何种方法确定终点。 拓 展 学 习 使比较酸碱、络合、氧化还原滴定法的原理和滴定曲线。 课程作业P245 1，2，3，4，5， P246 7，8，11 完成方式 书面版（√） 电子版（） 提交时间2016、11、30 必 读 书 目 《分析化学》，高等教育出版社，五汉大学编。 学生 学习 质量 监控 与 评价 从完成作业情况看，本章内容掌握较好。 教 学 后 记 本章内容少、简单，学生容易理解。注意几种方法的比较。