苏州市职业大学 毕业设计（论文）说明书 设计（论文）题目太阳能电池片湿刻蚀的应用系电子信息工程系专业班级08电气2 姓名李华宁 学号087301218 指导教师孙洪 年月日
太阳能电池片湿刻蚀的应用 摘要 湿刻就是湿法刻蚀，它是一种刻蚀方法，主要在较为平整的膜面上刻出绒面，从而增加光程，减少光的反射，刻蚀可用稀释的盐酸等。湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。着重研究各种化学品的流量对电池片刻蚀深度的影响。首先查看各种资料，掌握本课题相关的知识:通过对氢氟酸，硝酸，盐酸，氢氧化钠等化学品流量，温度，湿度等对太阳能电池片的影响。通过技术软件分析，优化工艺参数，得到最优参数。 关键词：湿法刻蚀；腐蚀；流量；太阳能电池
Solar cell wet etching application Abstract Wet carved is wet etching, it is a kind of etching method, mainly in the relatively flat membrane surface, thereby increasing suede carving out process, reduce light light reflection, etching available dilute hydrochloric acid etc. Wet etching is will etching materials soaked in a mordant within the corrosion of technology. It is a kind of pure chemical etching, has excellent selectivity, etching the current film will cease, and won't damaged following a layer of film to other materials. Research on various chemicals to the flow the influence of battery piece etching depth. First check all kinds of material, grasps this topic relevant knowledge: by hydrofluoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sodium hydroxide etc chemicals flow, temperature, humidity and so on the influence of solar cell. Through technology software analysis, optimization of process parameters, obtain optimal parameters. Keyword:wet etching; Corrosion; Flow; Solar battery
硅片工艺程
集成电路工艺之
Materials
IC Fab Metallization CMP Dielectric deposition Test
Wafers
刻蚀
Thermal Processes Masks
Implant
Etch PR strip
Packaging
Photolithography Design
Final Test
刻蚀
1、基本介绍 2、湿法刻蚀 3、干法刻蚀 4、刻蚀工艺
刻蚀的定义
基于光刻技术的腐蚀：刻蚀 湿法称腐蚀？干法称刻蚀？ 将光刻胶上的IC设计图形转移到硅片 表面 腐蚀未被光刻胶覆盖的硅片表面，实 现最终的图形转移 化学的，物的或者两者的结合
栅极光刻对准
栅极光刻掩膜
光刻胶 多晶硅
STI P-Well
USG
栅极光刻曝光
Gate Mask
显影/后烘/检验
Photoresist Polysilicon STI P-Well USG STI
PR Polysilicon USG P-Well
多晶硅刻蚀（1）
Polysilicon
多晶硅刻蚀（2）
Gate Oxide Polysilicon
PR STI P-Well USG STI
PR USG P-Well
去除光刻胶
Gate Oxide Polysilicon
离子注入
Gate Oxide Dopant Ions, As Polysilicon
+
STI P-Well
USG
STI
n+ P-Well
n+
USG Source/Drain
第六章2 本章内容 1)光致抗蚀剂类型与机理 2)干膜光致抗蚀剂图形转移工艺(干膜)3)液态光致抗蚀剂图形转移工艺(湿膜)4)电沉积光致抗蚀剂(ED 膜) 5）激光直接成像技术
3 图形转移技术 图形转移-----PCB制造中最关键的工序之一; 生产中的关键控制点，也是技术难点所在。 PCB图形转移方法有: 1）丝网印刷（Screen Printing）图形转移技术; 2）干膜（Dry Film）图形转移技术; 3）液态光致抗蚀剂（Liquid Photoresist）图形转移技术; 4）电沉积光致抗蚀剂（ED膜）制作技术; 5）激光直接成像技术（Laser Drect Image）。P163 4
图形转移： ----在PCB制造过程中将底版上的电路图形转移到覆铜箔层压板上，形成一种抗蚀或抗电镀的掩膜图形的工艺过程。 抗蚀图形----用于“印制蚀刻工艺”，即用抗蚀材料在覆铜箔层压板上形成正相图形，未被抗蚀剂保护的铜箔，在随后 的化学蚀刻工序中被去掉，蚀刻后去除抗蚀层，便得到所 需的铜电路图形。 抗电镀图形----用于“图形电镀工艺”，即用抗蚀材料在覆铜层压板上形成负相图形，使所需要的表面裸铜图形，经过 清洁、粗化等处理后，在其上电镀铜或电镀金属保护层(锡 铅、锡镍、锡、金等)，然后去掉抗蚀层进行蚀刻，电镀的 金属保护层在蚀刻工序中起抗蚀作用。 5 印制蚀刻工艺流程： →贴干膜———— 下料→板面前处理→涂湿膜→烘干→曝光→显影→正相图形→蚀刻→去膜→→下工序 图形电镀工艺过程： 下料→钻孔→孔金属化→预镀铜→板面清洁→→贴干膜———— →涂湿膜→烘干→曝光→显影→负相图形→图形镀铜→图形电镀金属抗蚀层→去膜→蚀刻→下工序 6
Creative Education Studies 创新教育研究, 2016, 4(1), 1-5 Published Online February 2016 in Hans. https://www.doczj.com/doc/5b13029423.html,/journal/ces https://www.doczj.com/doc/5b13029423.html,/10.12677/ces.2016.41001 The Reform Research of Materials Micro/Nano-Processing Teaching in Hylology Major Hailin Cong*, Bing Yu, Xiaodan Xu, Ruixia Yang College of Materials Science and Engineering, Qingdao University, Qingdao Shandong Received: Feb. 2nd, 2016; accepted: Feb. 22nd, 2016; published: Feb. 25th, 2016 Copyright ? 2016 by authors and Hans Publishers Inc. This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY). https://www.doczj.com/doc/5b13029423.html,/licenses/by/4.0/ Abstract Material micro/nano-processing was one of the basic courses of materials science and engineering. The teaching reform was an eternal and important part of the college education to improve educa-tion quality. The teaching methods about material micro/nano-processing, which included small class teaching, bilingual teaching, online teaching, experimental teaching and discussion teaching, were reformed and enriched in this paper. All of the new teaching methods lead to great im-provements in students’ learning interest and learning efficiency, and a better teaching quality. Keywords Material Micro/Nano-Processing, Teaching Methods, Small Class Teaching, Bilingual Teaching, Online Teaching 材料学专业微纳米加工技术课程的教学方式 改革研究 丛海林*，于冰，徐晓丹，杨瑞霞 青岛大学材料科学与工程学院，山东青岛 *通讯作者。
liuzhidong 1 LOGO 第七章集成电路制造的 刻蚀工艺方法 liuzhidong 2 在硅片表面形成光刻胶图形后,下一步的工作是通过刻蚀的工艺将该图形转移到光刻胶下面的层上，这就是本章要讨论的内容。 liuzhidong 3 刻蚀和清洗处理过程包括的内容 在微细加工中，刻蚀和清洗处理过程包括许多内容。1.在覆盖光刻胶前，对于适当取向的半导体薄片的锯痕首先要机械抛光，以除去全部的机械损伤，之后进行化学抛光，以获得无损伤的光学平面。这种工艺往往能去除以微米级计算的材料表层。 2.对薄片进行化学清洗和洗涤，以除去因操作和贮存而产生的污染; 3.然后用热处理的方法生长Si02(对于硅基集成电路)，或者沉积氮化硅(对于砷化镓电路)，以形成初始保护层。 4.对光刻胶光刻后,刻蚀过程和图案的形成相配合。在保护膜层上刻出许多小窗，并通过该层保护膜进行物质的注入或扩散，以便形成半导体区。重复这一过程，直到全部形成器件。 liuzhidong 4 进一步的刻蚀和图案形成的工艺，还用于刻蚀单层或多层的金属布线。通常这种工艺是沉积PSG(磷硅玻璃)或氮化硅保护层。最后通过光刻的方法在键合区开孔，供引线的焊接及引出。 刻蚀也包括半导体的化学加工，它是半导体制造工艺的一部分。 liuzhidong 5 刻蚀工艺方法 刻蚀一般分为:湿法刻蚀技术、干法刻蚀技术。 湿法刻蚀.利用化学溶液，通过化学反应将不需要的薄膜去掉的图形转移方法。 干法刻蚀.利用具有一定能量的离子或原子通过离子的物理轰击或化学腐蚀，或者两种的协同作用，以达到刻蚀的目的。干法刻蚀包括等离子体刻蚀、离子体喷射、电子束和X射线照射等。 本章重点介绍等离子体刻蚀的一些规律和特性 liuzhidong 6 第一节 湿法刻蚀技术 半导体材料与酸、碱等溶液进行相互作用而使材料自行分解的现象称为半导体的腐蚀，利用腐蚀的方法在半导体表面上刻蚀出点、斑、线条、孔、槽以及各种图案的方法称为半导体的刻蚀。 湿法刻蚀技术：借助于半导体与电解液界面的反应达到刻蚀的目的，从广义上讲它还应该包括电化学刻蚀和光电化学刻蚀。 应用领域：半导体集成电路、光电子、微机械、新结构器件等。
第程滋圈思麟曲H 2020 总 4 JJ 19 B
液态感光至抗蚀刻及图形转移工艺 PCB制造工艺(Technology)中,无论是单、双面板及多层板(MLB),最基本、最关键的工序之一是图形转移，即将照相底版(Art-work)图形转移到敷铜箔基材上。图形转移是生产中的关键控制点,也是技术难点所在。其工艺方法有很多，如丝网印刷(Screen Printing)图形转移工艺、干膜(Dry Film)图形转移工艺、液态感光至抗蚀剂(Liquid Photoresist)图形转移工艺.电沈积光至抗蚀剂(ED膜)制作工艺以及激光直接成像技术(Laser Drect Image) o当今能取而代之干膜图形转移工艺的首推液态感光至抗蚀剂图形转移工艺，该工艺以膜薄,分辨率(Resolution)S,成本低，操作条件要求低等优势得到广泛应用。本文就PCB图形转移中液态感光至抗蚀剂及其制作工艺进行浅析。 一?液态感光至抗蚀剂(Liquid Photoresist) 液态感光至抗蚀剂(简称湿膜)是由感旋光性树脂,配合感光剂、色料、填料及溶剂等制成，经光照射后产生光聚合反应而得到图形，属负性感光聚合型。与传统抗蚀油墨及干膜相比具有如下特点:□
a）不需要制丝网模版。采用底片接触曝光成像（Contact Printig）, Qj 避免网印所带来的渗透、污点、阴影、图像失真等缺陷。解像度（Resolution）大大提高，传统油墨解像度为200 u m,湿膜可达40 u m o b）由于是光固化反应结膜，其膜的密贴性、结合性、抗蚀能力（Etch Resistance）及其抗电镀能力比传统油墨好。 c）湿膜涂布方式灵活、多样,工艺操作性强，易于掌握。 d）与干膜相比，液态湿膜与基板密贴性好，可填充铜箔表廂轻微的凹 坑、划痕等缺陷。再则湿膜薄可达5_10 u m,只有干膜的1/3左右，而 且湿膜上层没有覆盖膜（在干膜上层覆盖有约为25 u m厚的聚酯盖膜）， 故其图形的解像度、清晰度高。如:在曝光时间为4S/7K时，干膜的解像度为75 u m,而湿膜可达到40 u m。从而保证了产质量量。 e）以前使用干膜常出现的起翘、电镀渗镀、线路不整齐等问题。湿 是液态膜，不起翘、渗镀、线路整齐，涂覆工序到显形工序允许搁置时 间可达4 8 h r,解决了生产工序之间的关联矛盾，提高了生产效率。 f）对于当今日益推广的化学镀磚金工艺,一般干膜不耐镀金液，而湿 膜耐镀金液。 g）由于是液态湿膜，可挠性强，特别适用于挠性板（Flexible Printed Board）制作。 h）湿膜由于本身厚度减薄而物d料成本降低，且与干膜相比,不需要 载体聚酯盖膜（Polyester Cover sheet）和起保护作用的聚乙烯隔膜