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中科院半导体器件物理 第四章

半导体器件物理4章半导体中的载流子输运现象

第四章半导体中载流子的输运现象 在前几章我们研究了热平衡状态下,半导体导带和价带中的电子浓度和空穴浓度。我们知道电子和空穴的净流动将会产生电流,载流子的运动过程称谓输运。半导体中的载流子存在两种基本的输运现象:一种是载流子的漂移,另一种是载流子的扩散。由电场引起的载流子运动称谓载流子的漂移运动;由载流子浓度梯度引起的运动称谓载流子扩散运动。其后我们会将会看到,漂移运动是由多数载流子(简称多子)参与的运动;扩散运动是有少数载流子(简称少子)参与的运动。载流子的漂移运动和扩散运动都会在半导体內形成电流。此外,温度梯度也会引起载流子的运动,但由于温度梯度小或半导体的特征尺寸变得越来越小,这一效应通常可以忽略。载流子运动形成电流的机制最终会决定半导体器件的电流一电压特性。因此,研究半导体中载流子的输运现象非常必要。 4.1漂移电流密度 如果导带和价带都有未被电子填满的能量状态,那么在外加 作用下使载流子产生的运动称为“漂移运动”。载流子电荷的净 如果电荷密度为P的正方体以速度4运动,则它形成的电流 密度为 ^drf = P U d(°」)

其中°的单伎为C?cm~3, J drf的单位是Acm~2或C/cnr?s。 若体电荷是带正电荷的空穴,则电荷密度p = ep , e为电荷电量^=1.6X10-,9C(^仑),〃为载流子空穴浓度,单位为⑵尸。则空穴的漂移电流密度打场可以写成:丿"爾=⑷)%(4.2) %表示空穴的漂移速度。空穴的漂移速度跟那些因素有关呢? 在电场力的作用下,描述空穴的运动方程为 F = m a = eE(4.3) p £代表电荷电量,d代表在电场力F作用下空穴的加速度,加;代表空穴的有效质量。如果电场恒定,则空穴的加速度恒定,其漂移速度会线性增加。但半导体中的载流子会与电离杂质原子和热振动的晶格原子发生碰撞或散射,这种碰撞或散射改变了带电粒子的速度特性。在电场的作用下,晶体中的空穴获得加速度,速度增加。当载流子同晶体中的原子相碰撞后,载流子会损失大部分或全部能量,使粒子的速度减慢。然后粒子又会获得能量并重新被加速,直到下一次受到碰撞或散射,这一过程不断重复。因此,在整个过程粒子将会有一个平均漂移速度。在弱电场的情况下,平均漂移速度与电场強度成正比(言外之意,在强电场的情况下,平均漂移速度与电场强度不会成正比)。 S—E(4.4) 其中竹咼空穴迁移率,载流子迁移率是一个重要的参数,它描述了粒子在电场作用下的运动情况,迁移率的单位为cnr/V.s.将 式(4.4)带入(4.2),可得出空穴漂移电流密度的表达式:

中国科学院计算技术研究所学位论文答辩资格规定

自然辩证法与科技革命 速成指导 序:本文紧扣复习提纲,并进行了适当补充,是短时间内进行突击的理想材料。后附2003 欢迎大家批评指正,Email:kinguang@https://www.doczj.com/doc/bd13666228.html, 一、导言 1.辩证法(亚里士多德、黑格尔、恩格斯) ?亚里士多德的“辩证法”:论辩的方法; ?黑格尔的“辩证法”:绝对精神的规律,也是宇宙的终极规律 ?自然辩证法(恩格斯):自然辩证法作为马克思主义关于人类认识和改造自然的已有成果的概括和总结,是关于自然界和科学技术发展的一般规律以及人类认识和改造自然的一般方法的科学,将随着科学技术的发展演化而不断丰富和发展。 二、自然观 1.中国古代自然观 ?阴阳五行学说:阴阳二气、木金水火土五行相生相胜。(揭示了普遍联系的观点) ?元气论:“万物皆生于气”,元气是天地万物的本原。(强调了物质性) ?古希腊自然观 ?客观存在的物质世界 ?自然界统一于若干种具体的物质形态 ?自然界是一个永恒的变化过程 ?对立面的冲突和统一推动事物发展演化 ?万事万物的运动变化遵循逻各斯,服从数的规律 ?古代自然观的特点 ?整体上对自然界本质和规律的直观考察,勾勒了自然界发展变化的总体画面,肯定了自然界的物质性和统一性,初步论述了自然界事物相互联系、相互作用的辩证法,提出了矛盾运动是世界万物发展变化的内在原因。 ?局限: -质朴性:把自然界统一为具体事物;

-思辨性:圆圈式的简单循环; -猜测性:有启发性,但幼稚、神秘色彩。 所以,称为“朴素的辩证自然观”(与当时的科学水平相适应) ?中世纪神学自然观 2.近代形而上学自然观 特征: -以力学观点解释世界; -注重归纳、分析方法,孤立、静止地看待事物; -以物质原因解释自然现象,促进了自然科学从神学中解放出来;但难以解释物质形态的转化; -难以解释社会现象,一定程度上又求助于神学。 -绝对化,最终会严重束缚科学家的思想,阻碍科学的发展。 3.辩证唯物主义自然观 -哲学来源:黑格尔辩证法、费尔巴哈唯物主义 -科学背景:太阳系的起源与演化、地质渐变论、能量守恒与转化定律、细胞学说、进化论——揭示自然事物的相互联系与转化。 -观点的提出:《自然辩证法》 -特征:唯物、辩证 4.可持续发展 -提出的背景:生态环境危机 -概念内涵:环境与经济社会协调发展 -措施:《环境与发展宣言》、《中国21世纪议程》等 -我国必须走可持续发展的道路:经济与社会、环境协调发展;一系列的战略决策 三、科学技术方法论 ?科学技术认识方法论:是关于科学技术研究中常用的一般认识方法的理论,是关于科学研究和工程技术研究一般方法的性质、特点、内在联系和变化发展的理论体系。 1.科学认识系统:主体——中介——客体 ?主体:具有知识、经验、方法、技能、价值标准和科学实践的特殊性的人。认识中处于主动地位,具有能动性。

全国研究所代码 (标准)

研究所代码 代码研究所 80005 中国科学院武汉岩土力学研究所 80007 中国科学院力学研究所 80008 中国科学院物理研究所 80009 中国科学院高能物理研究所 80010 中国科学院声学研究所 80012 中国科学院理论物理研究所 80014 中国科学院上海原子核研究所 80017 中国科学院近代物理研究所 80018 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所80019 中国科学院国家天文台长春人造卫星观测站80020 中国科学院武汉物理与数学研究所 80021 中国科学院紫金山天文台 80022 中国科学院上海天文台 80023 中国科学院云南天文台 80024 中国科学院国家授时中心 80025 中国科学院国家天文台 80026 中国科学院声学研究所东海研究站 80027 中国科学院渗流流体力学研究所 80028 中国科学院新疆理化技术研究所 80029 中国科学院自然科学史研究所 80030 中国科学院理化技术研究所 80032 中国科学院化学研究所 80033 中国科学院广州化学研究所 80035 中国科学院上海有机化学研究所 80036 中国科学院成都有机化学研究所 80037 中国科学院长春应用化学研究所 80038 中国科学院大连化学物理研究所 80039 中国科学院兰州化学物理研究所 80040 中国科学院上海硅酸盐研究所 80041 中国科学院过程工程研究所 80042 中国科学院生态环境研究中心 80043 中国科学院山西煤炭化学研究所 80045 中国科学院福建物质结构研究所 80046 中国科学院青海盐湖研究所 80053 中国科学院兰州地质研究所 80054 中国科学院古脊椎动物与古人类研究所 80055 中国科学院南京地质古生物研究所 80057 中国科学院测量与地球物理研究所 80058 中国科学院大气物理研究所 80060 中国科学院地理科学与资源研究所 80061 中国科学院南京地理与湖泊研究所

半导体器件物理_复习重点

第一章 PN结 1.1 PN结是怎么形成的? 耗尽区:正因为空间电荷区内不存在任何可动的电荷,所以该区也称为耗尽区。 空间电荷边缘存在多子浓度梯度,多数载流子便受到了一个扩散力。在热平衡状态下,电场力与扩散力相互平衡。 p型半导体和n型半导体接触面形成pn结,p区中有大量空穴流向n区并留下负离子,n区中有大量电子流向p区并留下正离子(这部分叫做载流子的扩散),正负离子形成的电场叫做空间电荷区,正离子阻碍电子流走,负离子阻碍空穴流走(这部分叫做载流子的漂移),载流子的扩散与漂移达到动态平衡,所以pn 结不加电压下呈电中性。 1.2 PN结的能带图(平衡和偏压) 无外加偏压,处于热平衡状态下,费米能级处处相等且恒定不变。 1.3 内建电势差计算 N区导带电子试图进入p区导带时遇到了一个势垒,这个势垒称为内建电势差。

1.4 空间电荷区的宽度计算 n d p a x N x N = 1.5 PN 结电容的计算 第二章 PN 结二极管 2.1理想PN 结电流模型是什么? 势垒维持了热平衡。 反偏:n 区相对于p 区电势为正,所以n 区内的费米能级低于p 区内的费米能级,势垒变得更高,阻止了电子与空穴的流动,因此pn 结上基本没有电流流动。 正偏:p 区相对于n 区电势为正,所以p 区内的费米能级低于n 区内的费米能级,势垒变得更低,电场变低了,所以电子与空穴不能分别滞留在n 区与p 区,所以pn 结内就形成了一股由n 区到p 区的电子和p

区到n 区的空穴。电荷的流动在pn 结内形成了一股电流。 过剩少子电子:正偏电压降低了势垒,这样就使得n 区内的多子可以穿过耗尽区而注入到p 区内,注入的电子增加了p 区少子电子的浓度。 2.2 少数载流子分布(边界条件和近似分布) 2.3 理想PN 结电流 ?? ????-??? ??=1exp kT eV J J a s ?? ? ? ? ?+=+= 0020 11p p d n n a i n p n p n p s D N D N en L n eD L p eD J ττ 2.4 PN 结二极管的等效电路(扩散电阻和扩散电容的概念)? 扩散电阻:在二极管外加直流正偏电压,再在直流上加一个小的低频正弦电压,则直流之上就产生了个叠加小信号正弦电流,正弦电压与正弦电流就产生了个增量电阻,即扩散电阻。 扩散电容:在直流电压上加一个很小的交流电压,随着外加正偏电压的改变,穿过空间电荷区注入到n 区内的空穴数量也发生了变化。P 区内的少子电子浓度也经历了同样的过程,n 区内的空穴与p 区内的电子充放电过程产生了电容,即扩散电容。

中国科学院计算技术研究所攻读博士学位研究生培养方案

中国科学院计算技术研究所攻读博士学位研究生培养方案 (2010年10月) 一、培养目标 1、拥护党的基本路线和方针政策,热爱祖国,遵纪守法,具有良好的职业道德和敬业精神,具有科学严谨和求真务实的学习态度和工作作风,弘扬“科研为国分忧,创新与民造福”的价值理念。 2、掌握本学科坚实宽广的基础理论和系统深入的专门知识;具有严谨的治学态度、理论与实践相结合的科学方法和作风;熟练掌握一~两门外国语。 3、具有独立从事科学研究或独立担负专门技术研发工作的能力;了解本专业领域学科发展前沿和动向;具有团结协作精神,能在工程技术或科学理论方面做出创新性成果。 4、具有良好的身体和心理素质。 二、研究方向 本方案适用于本所“计算机科学与技术”一级学科所有专业的博士研究生培养。三、学习年限 博士生的学习年限为3~6年。硕博连读研究生在转博后学习年限同博士生。 四、培养方式 1、博士生的培养方式以科学研究工作为主,重点培养博士生独立从事学术研究工作的能力,并使博士生通过完成一定学分的课程学习,包括跨学科课程的学习,系统掌握所在学科领域的理论和方法,拓宽知识面,提高分析问题和解决问题的能力。使博士生在掌握坚实宽广的基础理论和系统深入的专门知识的基础上,学会进行创造性的研究工作所必须的科学工作方法,培养严谨的科学作风。 2、博士生的培养工作由导师负责,并实行导师个别指导或导师负责与指导小组集体培养相结合的指导方式。鼓励跨学科、跨专业聘请有关专家参加指导小组,以利于拓宽知识领域,开阔研究思路,发展交叉边缘学科。 3、导师应与博士生定期交流,关心博士生的思想品德、业务能力和综合素质。促进博士生德、智、体全面发展。研究生所在的党支部、辅导员和导师要积极帮助和关心学生的思想进步和政治成长,有针对性地开展集体主义、爱国主义教育。 五、培养环节 博士生的培养主要包括以下环节:制定个人培养计划、课程学习、必修环节及论文

我的中科院理化所考研经历

我的中科院理化所考研经历 回想起考研那段经历,感受最深的就是考研是一场生命的历练,是一次重要的洗礼,是人生中的一次蜕变。只有真正体验过,才能真正感悟其中的奥妙,才能获得身心的提升,才能变得更加成熟! 国学大师王国维在他的《人间词话》中这样描述了人生的三种境界:第一种是"昨夜西风凋碧树,独上高楼,望断天涯路";第二种是"衣带渐宽终不悔,为伊消得人憔悴";第三种是"众里寻他千百度,蓦然回首,那人却在灯火阑珊处"。这里姑且借用它来描述我的考研历程。 昨夜西风凋碧树,独上高楼,望断天涯路 我考研的想法在大二时就已萌发,但当时并没有去准备,对于包括要考哪里、考什么方向等在内的问题都没有认真地去考虑,只是感觉自己对研究一直抱有很高的热情,比较适合从事研究工作。真正开始认真地考虑这个问题是在大三下学期。那时,2004级的师兄师姐刚面试完,所以很多同学到他们那里取经、搜集资料,学院里也组织了几次考研经验交流会。经过多方面的比较之后,我决定报考中国科学院有机化学方向的研究生。刚开始选定的是上海有机所,但后来却历经波折,直到网上确认完才算真正定下来。9月下旬我们学校通知保研名额,但是学院里说不能外保,这样前十个中九个放弃保研,其中有四个选择报考上海有机所,而且他们的实力都非常强。选择保研还是继续考试?当时家人、同学都劝我慎重考虑,理由是竞争压力太大,我们学校不是非常好的名校,所以即使过线也不可能全要,相对而言,选择保送就稳妥得多;还有女生从事有机化学研究危害性太大但是我们学院没有外保,如果想保研只能留在本校。难道就要这样放弃自己曾经的梦想,从此与中国科学院无缘?不,这不是我想要的!经过慎重考虑,我决定和命运赌一次,就算结果不如想象得理想,但至少自己已尽力了,不会留下太多的遗憾 衣带渐宽终不悔,为伊消得人憔悴 大三下学期我们的课程还是比较多,看了一段时间的有机化学之后,我感觉这东西太繁杂,没有比较完整的时间对知识进行梳理是很难系统掌握的。当时我们的专业课正在学习结构化学和物理化学(下册),所以我就决定先把开设的课程学好,暑假再开始有机化学的复习。可那年暑假因为奥运会,学校限电,教室晚上也不开,整个暑假也就没有认真地复习。不过,每天晚上和同学一块儿听奥运广播成了那个暑假最深刻而美好的记忆。9月开学后算是真正进入备考阶段:先是系统地复习专业课的主要内容和基本知识点,然后就是做习题、做真题、研究真题。这期间我对重要知识点、易错知识点和难点作了比较详细的整理。最后冲刺阶段我基本上是按照考试安排在作适应性训练:上午、下午分别做相应科目的试题,晚上就开始分析、总结,不断地查漏补缺。 对于英语,我一向不大喜欢单纯地记单词,而且也记不住,而是比较喜欢阅读。所以,在其他同学拿着词汇书记单词时,我选择了多看多读,以此来扩充词汇量。就这样我每周坚持一定的阅读量,如《英语文摘》、《英语沙龙》、《21世纪报》等,有时间我就会去读。

半导体器件物理4章半导体中的载流子输运现象

第四章 半导体中载流子的输运现象 在前几章我们研究了热平衡状态下,半导体导带和价带中的电子浓度和空穴浓度。我们知道电子和空穴的净流动将会产生电流,载流子的运动过程称谓输运。半导体中的载流子存在两种基本的输运现象:一种是载流子的漂移,另一种是载流子的扩散。由电场引起的载流子运动称谓载流子的漂移运动;由载流子浓度梯度引起的运动称谓载流子扩散运动。其后我们会将会看到,漂移运动是由多数载流子(简称多子)参与的运动;扩散运动是有少数载流子(简称少子)参与的运动。载流子的漂移运动和扩散运动都会在半导体内形成电流。此外,温度梯度也会引起载流子的运动,但由于温度梯度小或半导体的特征尺寸变得越来越小,这一效应通常可以忽略。载流子运动形成电流的机制最终会决定半导体器件的电流-电压特性。因此,研究半导体中载流子的输运现象非常必要。 4.1漂移电流密度 如果导带和价带都有未被电子填满的能量状态,那么在外加电场的作用下,电子和空穴将产生净加速度和净移位。电场力的作用下使载流子产生的运动称为“漂移运动”。载流子电荷的净漂移会产生“漂移电流”。 如果电荷密度为ρ的正方体以速度d υ运动,则它形成的电流密度为 ()4.1drf d J ρυ=

其中ρ的单位为3C cm -,drf J 的单位是2Acm -或2/C cm s 。 若体电荷是带正电荷的空穴,则电荷密度ep ρ=,e 为电荷电量191.610(e C -=?库仑),p 为载流子空穴浓度,单位为3cm -。则空穴的漂移电流密度/p drf J 可以写成: ()()/ 4.2p drf dp J ep υ= dp υ表示空穴的漂移速度。空穴的漂移速度跟那些因素有关呢? 在电场力的作用下,描述空穴的运动方程为 ()* 4.3p F m a eE == e 代表电荷电量,a 代表在电场力F 作用下空穴的加速度,*p m 代 表空穴的有效质量。如果电场恒定,则空穴的加速度恒定,其漂移速度会线性增加。但半导体中的载流子会与电离杂质原子和热振动的晶格原子发生碰撞或散射,这种碰撞或散射改变了带电粒子的速度特性。在电场的作用下,晶体中的空穴获得加速度,速度增加。当载流子同晶体中的原子相碰撞后,载流子会损失大部分或全部能量,使粒子的速度减慢。然后粒子又会获得能量并重新被加速,直到下一次受到碰撞或散射,这一过程不断重复。因此,在整个过程粒子将会有一个平均漂移速度。在弱电场的情况下,平均漂移速度与电场强度成正比(言外之意,在强电场的情况下,平均漂移速度与电场强度不会成正比)。 ()4.4dp p E υμ= 其中p μ是空穴迁移率,载流子迁移率是一个重要的参数,它描述了粒子在电场作用下的运动情况,迁移率的单位为2/cm V s 。将

中国科学院沈阳计算技术研究所

中国科学院沈阳计算技术研究所 研究生国家奖学金评选实施细则 为推进研究生培养机制改革,提高研究生培养质量,激励广大研究生积极进取、勇于创新,培养德才兼备的高素质创新创业人才,秉承“科教融合、育人为本、协同创新、服务国家”办学理念,践行“博学笃志、格物明德”校训,根据《中国科学院大学研究生国家奖学金评选办法》,制定本实施细则。 第一条本实施细则适用于在中国科学院沈阳计算技术研究所(以下简称“沈阳计算所”)按照国家招生计划录取的、接受研究生学历教育的全日制学生(以下简称“学生”,包含非在职少数民族骨干计划学生)的研究生国家奖学金(以下简称“国家奖学金”)评选工作。 第二条本所国家奖学金名额由国科大根据当年财政部、教育部下达计划按比例分配。博士生国家奖学金奖励标准为每生每年3万元;硕士生国家奖学金奖励标准为每生每年2万元。 国家奖学金必须足额发至获奖者本人。不得替代、拆解国家奖学金,不得以获得国家奖学金为理由停发或扣发其它已获得或应获得的各类奖助学金。 第三条评选条件: 一、热爱社会主义祖国,拥护中国共产党的领导; 二、遵守宪法和法律,遵守国科大及所在研究所各项规章制度; 三、诚实守信,道德品质优良; 四、在学期间获得过国科大优秀学生荣誉称号,学习成绩优异,科研能力显著,发展潜力突出。

五、在学期间同时获得过所优秀学生或所优秀奖学金等荣誉称号者优先。 第四条有以下情况之一者,不得获得国家奖学金: 一、在学期间受到过国科大或本所纪律处分者; 二、学位课考试或必修环节考核有一门及以上不及格或不通过者; 三、由于个人原因,在各种实验、实践环节中严重损坏仪器设备或出现安全责任事故者。 第五条直博生根据当年所修课程的层次阶段确定身份参与国家奖学金的评选,在选修硕士课程阶段按照硕士研究生身份参与评定;进入选修博士研究生课程阶段按照博士研究生身份参与评选。硕博连读生按申请时的学籍注册培养层次参与评选。 第六条评选工作开始时已毕业离校的学生、在职生、港澳台学生和留学生不在国家奖学金评选之列。 第七条评审组织: 一、本所依据《中国科学院大学研究生国家奖学金评选办法》,结合本单位实际情况,确定国家奖学金评审委员会组成人员。 二、本所国家奖学金评审委员会,负责本所国家奖学金的初步评审等工作。评审委员会由所领导、学位评定委员会主任、学位评定委员会代表、研究生部主任、导师代表和学生代表担任委员。评审委员应出席评审委员会会议和参加投票表决。未出席会议的委员不得委托他人或以通讯方式投票。评审委员会办公室设在研究生部。 第八条评审程序: 一、本人申请。参评国家奖学金的学生,应在规定时限内如实填写并向奖学金评审委员会办公室提交《研究生国家

中国科学院理化技术研究所科研物资采购管理暂行办法

中国科学院理化技术研究所 科研物资采购管理暂行办法 为规范理化所科研物资采购管理,严格执行国家相关法规和管理制度,根据财政部和中国科学院有关事业单位国有资产管理实施办法以及政府采购的相关规定,结合我所实际情况特制订《理化所科研物资采购管理暂行办法》。 一、科研物资采购范围 科研物资采购范围包括科研材料与科研设备等。 科研材料主要指用于科研活动直接需要和间接需要的不纳入固定资产管理的各类物资; 科研设备包括整机设备、自行研制设备、委托加工设备等。 二、科研物资采购经费 科研物资采购经费包括课题项目经费、所公用经费以及研究所其它经费等。 三、科研物资采购流程 科研物资采购流程包括采购计划报批、确定采购方案、实施采购、验收入库等环节。 1.采购计划报批:

凡属政府采购范围内的科研物资,采购部门须在采购计划报批之前,根据上级部门的统一要求提前跨年度申报预算(具体申报时间以所资产办下发通知为准)。 采购3万元(含)以上科研物资,采购部门须填报《理化所科研物资采购审批表》(附件1)。其中主管业务部门须依据项目任务书或科研活动的需要对物资采购申请进行严格把关。 其中对于采购金额在50万元(含)以上的进口设备,采购部门实施采购前,还需通过资产办组织所外专家进行评审,并上报财政部审批。 2.确定采购方案: 采购部门在完成《理化所科研物资采购审批表》逐级审批后,即可进入采购方案的论证阶段。须组建采购小组,由采购小组组织并通过调研和论证等方式确定采购方案,填报《理化所科研物资采购方案论证报告》(附件2)。 对于单项或批量采购金额一次性在50万元(含)以上的科研物资,须执行政府采购相关规定。 对于单项或批量采购金额一次性在120万元(含)以上的科研物资,须采用公开招标方式(由资产办组织实施),附招投标过程相关文件与材料。 对于委托加工与研制的科研物资,附选定供货商的资质证明等(有效期限内的营业执照、生产许可证复印件)。

半导体器件物理第四章习题

第四章 金属-半导体结 4-1. 一硅肖脱基势垒二极管有0.01 cm 2的接触面积,半导体中施主浓度为1016 cm 3?。 设V 7.00=ψ,V V R 3.10=。计算 (a )耗尽层厚度, (b )势垒电容,(c )在表面处的电场 4-2. (a )从示于图4-3的GaAs 肖脱基二极管电容-电压曲线求出它的施主浓度、自建电 势势垒高度。 (b) 从图4-7计算势垒高度并与(a )的结果作比较。 4-3. 画出金属在P 型半导体上的肖脱基势垒的能带结构图,忽略表面态,指出(a )s m φφ> 和(b )s m φφ<两种情形是整流节还是非整流结,并确定自建电势和势垒高度。 4-4. 自由硅表面的施主浓度为15310cm ?,均匀分布的表面态密度为122110ss D cm eV ??=, 电中性级为0.3V E eV +,向该表面的表面势应为若干?提示:首先求出费米能级与电中性能级之间的能量差,存在于这些表面态中的电荷必定与表面势所承受的耗尽层电荷相等。 4-5. 已知肖脱基二极管的下列参数:V m 0.5=φ,eV s 05.4=χ,31910?=cm N c , 31510?=cm N d ,以及k=11.8。假设界面态密度是可以忽略的,在300K 计算: (a )零偏压时势垒高度,自建电势,以及耗尽层宽度。 (b)在0.3v 的正偏压时的热离子发射电流密度。 4-6.在一金属-硅的接触中,势垒高度为eV q b 8.0=φ,有效理查逊常数为222/10*K cm A R ?=,eV E g 1.1=,31610?=cm N d ,以及31910?==cm N N v c 。 (a )计算在300K 零偏压时半导体的体电势n V 和自建电势。 (b )假设s cm D p /152=和um L p 10=,计算多数载流子电流对少数载流子电流的注 入比。 4-7. 计算室温时金-nGaAs 肖脱基势垒的多数载流子电流对少数载流子电流的比例。已知施主浓度为10153?cm ,um L p 1=,610p s τ?=,以及R R 068.0*=。 4-8. 在一金属-绝缘体势垒中,外电场ε=104V/cm ,介电常数为(a )4,()12,k b k ==计 算φΔ和m x ,将所得的结果与4-3节中的例题进行比较。 4-9. 在一金属一绝缘体势垒中,外加电场cm V E ext /104 =,介电常数为(a )k=4及(b) k=12,

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中国科学院数学与系统科学研究院 *中国科学院数学研究所 *中国科学院应用数学研究所 *中国科学院系统科学研究所 *中国科学院计算数学与科学工程计算研究所 中国科学院物理研究所 中国科学院理论物理研究所 中国科学院高能物理研究所 中国科学院力学研究所 中国科学院声学研究所 中国科学院理化技术研究所 中国科学院化学研究所 中国科学院生态环境研究中心 中国科学院过程工程研究所 中国科学院地理科学与资源研究所 中国科学院国家天文台 *中国科学院云南天文台 *中国科学院乌鲁木齐天文工作站 *中国科学院长春人造卫星观测站 *中国科学院南京天文光学技术研究所 中国科学院遥感应用研究所 中国科学院地质与地球物理研究所 中国科学院古脊椎动物与古人类研究所 中国科学院大气物理研究所 中国科学院植物研究所 中国科学院动物研究所 中国科学院心理研究所 中国科学院微生物研究所 中国科学院生物物理研究所 中国科学院遗传与发育生物学研究所 *中国科学院遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心(原中国科学院石家庄农业资源研究所) 中国科学院计算技术研究所 中国科学院软件研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院微电子研究所 中国科学院电子学研究所 中国科学院自动化研究所 中国科学院电工研究所 中国科学院工程热物理研究所 中国科学院空间科学与应用研究中心 中国科学院自然科学史研究所 中国科学院科技政策与管理科学研究所

中国科学院光电研究院 北京基因组研究所 中国科学院青藏高原研究所 国家纳米科学中心 院直属事业单位(京外) 中国科学院山西煤炭化学研究所 中国科学院沈阳分院 中国科学院大连化学物理研究所 中国科学院金属研究所 中国科学院沈阳应用生态研究所 中国科学院沈阳自动化研究所 中国科学院海洋研究所 青岛生物能源与过程研究所(筹) 烟台海岸带可持续发展研究所(筹) 中国科学院长春分院 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中国科学院长春应用化学研究所 中国科学院东北地理与农业生态研究所 *中国科学院东北地理与农业生态研究所农业技术中心(原中国科学院黑龙江农业现代化研究所) 中国科学院上海分院 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院上海光学精密机械研究所 中国科学院上海硅酸盐研究所 中国科学院上海有机化学研究所 中国科学院上海应用物理研究所(原子核研究所) 中国科学院上海天文台 中国科学院上海生命科学院 *生物化学与细胞生物学研究所 *神经科学研究所 *药物研究所 *植物生理生态研究所 *国家基因研究中心 *健康科学研究中心 *中国科学院上海生命科学信息中心 *营养科学研究所 *中国科学院上海生物工程研究中心 中国科学院上海巴斯德研究所(筹) 中国科学院福建物质结构研究所 中国科学院城市环境研究所 中国科学院宁波材料技术与工程研究所(筹) 中国科学院南京分院

2020-2021年中国科学院大学(物理研究所)理论物理考研招生情况、分数线、参考书目及备考经验

一、物理研究所简介 中国科学院物理研究所(以下简称“物理所”)前身是成立于1928年的国立中央研究院物理研究所和成立于1929年的北平研究院物理研究所,1950年在两所合并的基础上成立了中国科学院应用物理研究所,1958年9月30日启用现名。 物理所是1998年国务院学位委员会批准的首批物理学博士、硕士学位授予单位之一,现设有物理学、材料科学与工程等2个专业一级学科博士研究生培养点,材料工程、光学工程等2个专业学位硕士研究生培养点,并设有物理学1个专业一级学科博士后流动站,共有在学研究生882人(其中硕士生266人、博士生616人、留学生11人)。在站博士后65人。物理所是中国物理学会的挂靠单位;承办的科技期刊有《物理学报》、Chinese Physics Letters、Chinese Physics B和《物理》。 2019年物理所在本科起点的研究生招收中,预计计划招收学术型硕博连读生约110名(含推免生90人),全日制专业学位工程硕士研究生约10名。 二、中国科学院大学理论物理专业招生情况、考试科目

三、中国科学院大学理论物理专业分数线 2018年硕士研究生招生复试分数线 2017年硕士研究生招生复试分数线 四、中国科学院大学理论物理专业考研参考书目 601高等数学(甲) 《高等数学》(上、下册),同济大学数学教研室主编,高等教育出版社,1996年第四版,以及其后的任何一个版本均可。 617普通物理(甲) 全国重点大学理科类普通物理教材 809固体物理 黄昆编著,《固体物理学》,第1版,北京大学出版社,2009年9月1日 阎守胜编著,《固体物理基础》,第3版,北京大学出版社,2011年6月1日 811量子力学 《量子力学教程》曾谨言著(科学出版社 2003年第1版)。 五、中国科学院大学理论物理专业复试原则

中科院计算机技术研究所1999年硕士生入学考试试题

中科院计算机技术研究所1999年硕士生入学试题 数据结构和程序设计 一、选择题(20 分每空2分) 1.___ 的遍历仍需要栈的支持。 1.前序线索树 2.中序线索树 3.后序线索树 2.若度为m的哈夫曼树中,其叶结点个数为n,则非叶结点的个数为___。 1.n-1 2.[n/m]-1 3.[(n-1)/(m-1)] 4.[n/(m-1)]-1 5.[(n+1)/(m+1)]-1 3.最优二*树(哈夫曼树)、最优查找树均为平均查找路径长度∑wh最小的树,其中对最优二*树,n表示___,对最优查找树,n表示___; 构造这两种树均___。 1.结点数 2.叶结点数 3.非叶结点数 4.度为二的结点数 5.需要一张n各关键字的有序表 6.需要对n个关键字进行动态插入 7.需要n个关键字的查找概率表 8.不许要任何前提 4.对于前序遍历与中序遍历结果相同的二*树为___; 对于前序遍历与后序遍历结果相同的二*树为___。 1.一般二*树 2.只有根结点的二*树 3.根结点无左孩子的二*树 4.根接点无右孩子的二*树 5.所有结点只有左子树的二*树6所有结点只有右子树的二*树 5.m路B+树是一棵___, 其结点中关键字最多为___个, 最少为___个。 1.m路平衡查找树 2.m路平衡索引树 3.m路trie树 4.m路键树 5.m-1 6.m 7.m+1 8.[m/2]-1 9.[m/2] 10.[m/2]+1 二、填空题(10 分,每空一分) 1.对于给定的n个元素,可以构造出的逻辑结构有___,___,___,___四种。 2.具有n个关键字的B-树的查找路径长度不会大于___。 3.克鲁斯卡尔算法的时间复杂度为___, 他对___图较为适合。 4.深度为k(设根的层数为1)的完全二*树至少有___个结点, 至多有___个结点, k 和结点数n之间的关系是___。 三、问答题(10 分,每题5分) 1.一棵非空的有向树中恰有一个顶点入度为0,其他顶点入度为1.但一个恰有一个顶点的入度为0,其他顶点入度为一的有向图却不一定是一棵有向树。请举例说明之。 2.若有n个元素以构成一个小根堆,那么如果增加一个元素为K(n+1),请用文字简要说明你如何在log2(n) 的时间内将其重新调整为一个堆? 四、阅读下述程序,指出程序的输出。(10 分) void g(int**); main(){ int line[100],i; int *p=line;

中科院计算机技术研究所1998年硕士生入学考试试题

中科院计算机技术研究所1998年硕士生入学试题 数据结构和程序设计 (要求:算法题目写注解) 一.填空(15分,每空一分) 1.用循环链表表示的队列长度为n,若只设头指针,则出队和入队的时间复杂度分别是__和__; 若只设尾指针,则出队和入队的时间复杂度分别是__和__. 2.设广义表L=( (),() ) ,则head(L)是___;tail(L)是___;L的长度是___;深度是___. 3.深度为h的完全二*树至少有__个结点;至多有__个结点;h和结点总数n之间的关系是__. 4.在n个记录的有序顺序表中进行折半查找,最大的比较次数是___. 5.在一棵m阶B+树中,若在某结点中插入一个新关键字而引起该结点分裂,则此结点中原有的关键字的个数是___. 6.n个顶点的连通图用邻接矩阵表示时,该矩阵至少有__个非零元素. 二.请在下列各题中选择一个正确的答案(20分,每题2分) 1.算法的时间复杂度取决于 a.问题的规模 b.待处理数据的初态 c.both a and b 2.消除递归不一定需要使用栈,此说法 a.true b.false 3.假定有k个关键字互为同义词,若用线性探测法把这k个关键字存入散列表中,至少要进行多少次探测? a.k-1 b.k c.k=1 d.k(k+1)/2 4.若需要在O(nlog2(n))的时间内完成对数组的排序,且要求排序是稳定的,则可选择的排序方法是: a.快速排序 b.堆排序 c.归并排序 d.直接插入排序 5.用ISAM和VSAM组织文件属于: a.顺序文件 b.索引文件 c.散列文件 6.若一个有向图的邻接矩阵中,主对角线以下的元素均为零,则该图的拓扑有序序列 a.存在 b.不存在 7.将两个各有n个元素的有序表归并成一个有序表,其最少的比较次数是 a.n b.2n-1 c.2n d.n-1 8下述二*树中,那一种满足性质:从任意结点出发到根的路径上所经过的结点序列按其关键字有序: a.二*排序树 b.哈夫曼树 c.AVL树 d.堆 9.以知待排序的n个元素可分为n/k个组,每个组包含k个元素,且任一组内的个元素均分别大于前一组内的所有元素和小于后一组内的所有元素,若采用基于比较的排序,其时间下限应为: a.O(klog2(k)) b.O(klog2(n)) c.O(nlog2(k)) d.O(nlog2(n)) 10.在叶子数目和权值相同的所有二*树中,最优二*树定是完全二*树,该说法: a.正确 b.错误

中国科学院理化技术研究所科技成果转移转化奖励办法

中国科学院理化技术研究所 科技成果转移转化奖励办法 第一章总则 第一条为激励技术创新并促进科技成果转化,建立适应科技创新规律的体制和机制,保护国家、集体、个人等相关各方的权益和利益,促进中国科学院理化技术研究所(以下简称理化所)从重视科技创新向同时重视转移转化转变,根据《国务院办公厅转发科技部等部门关于促进科技成果转化若干规定的通知》(国办发[1999]29号)、《中央级事业单位国有资产管理暂行办法》(财教[2008]13号)、《中国科学院院属事业单位对外投资管理暂行办法》(科发计字〔2010〕42号)、《中关村国家自主创新示范区企业股权和分红激励实施办法》(财企〔2010〕8号)等制定本条例。 第二条中国科学院理化技术研究所代表国家和中国科学院行使理化所科技成果及相关的知识产权的权利,对创新成果的知识产权享有使用权、处置权和收益权;科技成果和成果价值贡献者依法享有相应的权利。 第三条科学合理的安排短、中、长期收益,鼓励重大项目或有重要商业价值的成果入股企业。

第四条本办法所称科技成果转移转化包含成果的转移、转化、成果对外投资、所企联合实验室或共建研发中心及创新创业等一切关于技术成果和知识产权的创造、增值、交易等经济行为。 第五条本条例坚持公开、公平、公正原则。 第二章奖励、激励 第六条根据《国务院办公厅转发科技部等部门关于促 进科技成果转化若干规定的通知》(国办发[1999]29号)等有关规定,对成果的完成人和为成果转化做出重要贡献的其他人员依法给予奖励。 奖励依照成果转化方式,采用现金、股权、期股期权或与其它方式的组合等。 第七条科技成果作价入股企业的,成果入股金额的一 定比例(≤30%)奖励给成果完成人和为成果转化做出重要 贡献的其他人员;由研究所持有的其余股权,按研究所50%、研究单元50%的比例进行收益分配; 对成果完成人的奖励,经职代会讨论通过可超过30%, 其余的股权收益分配比例由成果完成人和策划部共同提出 建议案报所务会确定。 对外投资时未实行股权奖励的,其投资收益或股权出售收入参照本条款执行。

高金明教授简介 - 中国科学院理化技术研究所网

高金明教授简介 高金明 (Jinming Gao) 工作单位:Simmons Comprehensive Cancer Center, University of Texas Southwestern Medical Center 职称:Associate Professor 副教授 教育背景: 1987- 1991:北京大学化学系获学士学位 1991-1996:哈佛大学药物化学专业获博士学位,导师: George M. Whitesides 1996-1998:麻省理工学院生物医学工程专业博士后,导师: Robert S. Langer 工作经历: 2005年7月起:达拉斯德克萨斯大学西南医学中心Simmons综合肿瘤中心肿瘤学科副教授(tenure),细胞应力及肿瘤纳米医学计划负责人。同时兼任达拉斯德克萨斯大学西南医学中心药理学系副教授、达拉斯德克萨斯大学化学系副教授以及凯斯西储大学生物医学工程系副教授。 2004-2005:克里夫兰凯斯西储大学生物医学工程系副教授(tenure)。2000-2005: 克里夫兰凯斯西储大学医学院放射医学系助理教授。校医院Ireland肿瘤中心成员。 1998-2004:克里夫兰凯斯西储大学生物医学工程系助教授。 主要学术成果: 高金明曾先后师从哈佛大学G. M. Whitesides及麻省理工学院R. S. Langer教授等世界级学术大师。目前为世界著名的生物医学研究机构达拉斯德克萨斯大学西南医学中心Simmons综合肿瘤研究中心终生职位副教授,兼任达拉斯德克萨斯大学西南医学中心药理学系副教授、达拉斯德克萨斯大学化学系副教授以及凯斯西储大学生物医学工程系副教授,并兼任国内中山大学客座教授。多年来主要从事针对肿瘤探测及治疗的聚合物纳米医学技术研究,在药物传输高效、靶向、智能释放以及肿瘤早期诊断用显像纳米探针等多个重要领域做出了开创性的研究工作并取得非常突出的成就,例如:以抗肿瘤血管生成为目的,通过配体靶向技术,实现了药物负载纳米载体对肿瘤血管的高效靶向传输。迄今为止,高金明课题

中国科学院计算技术研究所接收推免生的工作程序及要求

中国科学院计算技术研究所接收推免生 的工作程序及要求 一、申请条件 凡可在高等院校获得(计划获得)推荐免试资格的应届本科毕业生均可申请免试攻读中国科学院研究生学位,含“硕博连读研究生”(学术型)、“全日制专业型硕士研究生”、“直博生”(攻读博士学位)三种,申请者应具备如下条件: 1.热爱科学事业,有较好的科研潜力,道德品质良好,遵纪守法。 2.学生所在学校必须是教育部规定的具有当年免试生推荐资格的高校。 3.学生最终可获得其所在高校推荐免试资格,占用母校推荐免试生名额。 4.申请人在大学本科阶段学习成绩优异,在学期间无重修科目或补考记录,在校期间没有受过纪律处分。 5.具有较强的独立调查研究的能力和综合分析问题、解决问题的能力; 6.英语具有较强的英语听、说、读、写及应用能力; 7.身体健康状况符合规定的体检标准,心理健康状况良好。 注:根据前三年学习等情况,预计可获得推免的学生也可同时申请,研究所鼓励优质学生进所攻读学位。同时,教育部已正式放开推免政策,请对“内保”“外保”等政策或事宜有疑虑的考生联系研究生处进行咨询,我处愿提供保研/考研指导服务。 二、申请材料 (一)必须提供的材料 1.填写完整的《中国科学院武汉病毒研究所推荐免试攻读硕士学位研究生申请表》(见附件)。 2.所在学校教务部门开具的具备推荐免试生资格的证明。 如所在学校暂时尚未正式确定推免名单,考生可根据情况先行提交申请材料至我所研究生处,参加研究所推荐免试生的面试,待学校确定资格后补充推免证明。 3.所在学校教务部门(或院系)出具并加盖公章的大学本科前三年所修课程成绩单(五年制的提供前四年课程成绩单); 4.辅导员(指导教师)推荐书(可参考附件):政治辅导员对被推荐人应从德、能、勤、绩若干方面介绍推荐,包括学习成绩、外语能力、科研能力和合作交流能力;写明推荐人姓名,职务,与被推荐人的关系和熟悉程度。 5. 个人简历一份,含专业学习情况介绍及个人其他成绩等情况; 6.英语相关证书复印件(成绩单复印件或扫描件);身份证复印件。 (二)自愿提供的材料 1.《申请推荐免试攻读中国科学院武汉病毒所硕士学位研究生专家推荐书》(由副教授或相当职称以上专家推荐,推荐书需密封并在封口骑缝处签字。(见附件) 2.在公开发行的学术刊物或全国性学术会议上发表的学术论文、所获专利或其它原创性工作成果的复印件或证明; 3.大学期间的获奖证书(复印件或者扫描件);

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