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后退
NPN 型三极管符号
B (b)
E(e)
T
C(c)N
N
+P
发射区
集电区
基区发射极E(e)
集电极C(c)
发射结Je
集电结Jc
基极B(b)
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后退
PNP 型三极管符号
B (b)
E(e)
T C(c)
E(e)
发射区
集电区
基区
P
P
+N
B(b)
Je
Jc
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后退
N
N
+P
发射区
集电区
基区E
B
C
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—放大状态
原理图
电路图
E R C
R E
I C
I BE U ?+
?
+
CB
U B
I CC
V EE
V
T
V R V R C
I c
N
+
N
P
BE
U CB
U E
I b
e
B
I +
–
+
–
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后退
电流关系
发射区向基区扩散电子
形成发射极电流I E 。
发射区向基区扩散电子
EE
V E
R CC
V C
R c
N
+
N P
BE
U ?
+
?
CB
U +
E I b
e 称扩散到基区的发射区多子为非平衡少子
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后退
基区向发射区扩散空穴
发射区向基区扩散电子
EE
V E
R CC
V C
R c
N
+
N P
BE
U ?
+
?
CB
U +
E I b
e
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后退
基区向发射区扩散空穴
发射区向基区扩散电子
EE
V E
R CC
V C
R c
N
+
N P
BE
U ?
+
?
CB
U +
E I b
e
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b. 基区电子扩散和复合
非平衡少子在基区复合，形成基极电流I B
I B
非平衡少子向集电结扩散
EE
V E
R CC
V C
R c
N
+
N P
BE
U ?
+
?
CB
U +
E I b
e
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非平衡少子到达集电区
I B
集电区收集从发射区扩散过来的电子
I C
形成集电极电流I C
EE
V E
R CC
V C
R c
N
+
N P
BE
U ?
+
?
CB
U +
E I b
e
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形成反向饱和电流I CBO
少子相互漂移
I CBO
I C
I B
EE
V E
R CC
V C
R c N
+
N P
BE
U ?
+?
CB
U +
E I b
e
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共基极接法共基极接法。。输入回路
输出回路
R R BE U ?+
?
+
CB
U B
I V V T
理解为电流分配关系
则发射则发射100100100个电子个电子个电子，，扩散了扩散了9999
个，复合复合11个
α
αα
V
E
R V C R
c
N
+
N P
BE
U
?+?
CB
U+ E
I
b
e
I
B
I
C
I
CBO
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复 习 1. 一个CMOS 与非门的延迟时间为10ns ，那么由CMOS 组成的与缓冲器的延迟为多少ns ？ （a ）5 ns （b ）10 ns （c ）15 ns （d ）20 ns （e ）30 ns 2. 请看图3由CMOS 非门和与非门构成的电路，每个门的延迟时间为15 ns 。在输入端提供一脉冲，一个周期为200 ns ，占空比为60%，请问下列情况： 电路功能 ，输出一个周期为 ，占空比为 。 3. 请参看图4，试叙述电路工作原理，并说明电路功能。 4. 有四个J-K 触发器，R 和S 无效，J 和K 接高电平，第一个J-K 触发器的时钟接在外加时钟信号，第一个的输出Q 端作为第二个J-K 触发器的时钟，第二个的输出Q 端作为第三个J-K 触发器的时钟，第三个的输出Q 端作为第四个J-K 触发器的时钟，且每个J-K 触发器时钟为低电平有效，问电路完成什么功能？ 。若每个J-K 触发器时钟为高电平有效，问电路又完成什么功能？ 。 5. 请参看图5，试叙述电路工作原理，并说明电路功能。 图 3 OUT CLK BCD 码A 3A 2A 1A 0=0000（MSB …LSB ） BCD 码B 3B 2B 1B 0=1000（MSB …LSB ） 图 4
6. 请写出下列英文缩写的英文全称。 （1） ASCII ： （2） FPGA ： （3） VHDL ： （4） BCD ： （5） DRAM ： 7．图6方框图表示双极型TTL 工作电压的三个范围，如果规定正逻辑，请在适当的位置标出逻辑1、逻辑0和未定义逻辑区。 图 5 CLK 5.0V 3.5V 1.5V 0.0V 图 6
2012年安徽理工大学研究生复试试卷 适用专业电气与信息工程学院科目模拟电子技术安徽理工大学沿袭每年六道大题风格，基本内容与2012年安徽理工复试内容相近，希望大家获得优异成绩。 1.（10分）写出下图所示各电路的输出端的电压值，设二极管导通电压V D为0.7V + 2v _ (a) + 2v _ (b) + _ (c)
1. （20分已知 V CC =12V R b 1 =2.5K Ω R b 2 =7.5K Ω R e =1K Ω R C =2K Ω R L =2K Ω β=30 V BEQ =0.7V r bb ' =300Ω （1） 估算静态电流I CQ I BQ V CEQ （2） 计算 A V R i R （3） 如果换上三极管β=60，电路其他参数不变，则静态工作点会如何变化 + _ + V CC V 0 2. （10分）换出下图各电路的直流和交流电路 + _ V CC (a)
_ + (b) 3. （15分）是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，正反馈还是负反馈。设电容对交 流信号均视为短路 R 3 V 0 (a) Vi V 0 V CC (c)
4. （15分） 2 V 0 （1） 存在何种反馈？ （2） 运放是何种类型应用？ （3） 如何输入电压是峰值10V 的正弦波， D W 1 D W 2 的正向电压均为0.7V ，方向击穿 电压均为5.3V ，输出电压是正弦波还是脉冲波？ 6（15分）正弦波振荡电路如图所示 C V 0 R 1=R 2 =10K Ω C 1 =C 2 =0.22UF (1) R 3 R 4满足何种条件才能产生正弦波振荡？ （2）计算振荡频率 7（15分）下图为整流滤波电路 Tr V 0 +_
第一章 幅度失真：由于放大器得带宽所限制，导致对不同频率信号幅值的放大倍数不同而产生的失真。 相位失真：放大电路对不同频率信号产生的时延不同时会产生失真 幅度失真和相位失真统称为频率失真。他们是由线性电抗元件引起得又称线性失真。 放大电路的性能指标：输入输出电阻，增益，频率响应，非线性失真。 戴维南定理等效电路：理想电压源和源内阻串联 诺顿等效电路：理想电流源和源内阻并联 第二章 理想运算放大器：输入电阻无穷大，输出电阻为零，开环增益无穷大，带宽无穷大。 虚短：在深度负反馈下Vp=Vn，称为虚短。 虚断：由于输入电阻很高，输入电流为零，流经两输入端之间电流为Ip=-In=0； 电压跟随器的特点输入阻抗高，输出阻抗低，带负载能力强。 运算放大器有两个工作区域：线性区（必须是引入深度负反馈）这时运算放大器才有虚短和虚断的特性。非线性区（有虚断）（引入正反馈和开环）输出为饱和值±Vom。 运算放大器为什么要接平衡电阻？同相端和反相端外接直流电阻必须相等，才能保证运算放大器输入端处于平衡。接入平衡电阻可消除由I1b引起输入端的偏差电压。 第三章 P型半导体参入三价元素，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。施主杂质原子 N型半导体参入五价元素，空穴为少数载流子，自有电子为多少载流子。受主杂质原子PN结形成：漂移(内运动)由于电场作用导致载流子的运动；扩散（浓度差，外运动）由于载流子的浓度差和随机热运动，载流子会从高浓度区向低浓度区扩散，从而形成扩散电流。PN结的基本特性：单向导电性。反向击穿特性和电容效应。 PN结的反向击穿：PN结加反向电压增加到一定数值时，反向电流突然增加，称为PN结的反向击穿。雪崩击穿和齐纳击穿都是可逆的。 PN结电容效应为扩散电容和势垒电容。 二极管的主要新能参数：最大整流电流（电流过大管子发热会烧坏管子），反向击穿电压（被击穿时，反向电流剧增，二极管单向导电性被破坏，发热烧坏管子），反向电流（越小越好，越小单向导电性越好），极间电容，反向恢复时间。 一般硅管比则管反向电流小的多。 静态工作点：电路工作在直流工作状态称为静态工作，Q为静态工作点。 二极管模型：理想型，恒压降模型，折线型。
同学们，又是一年考研热，在这炎热的暑假里，我们每个考研学子都是怀着一样的梦想，一样的希望，聚集起来，共同奋斗，考上我们理想的学校。这一年注定了艰辛万苦，注定了我们要放弃很多，虽然这一年我们只有通过我们不懈的努力，才能达到幸福的彼岸，学习没有捷径，这是我们公认的道理，但是学习方法可以大大的提高我们的学习效率，有时候还有事半功倍的效果。 考研历程——各个阶段 考研注定了是份艰辛的工作，和大家一样，从大三上半学期就开始投入考研，但也是热热身，真正的投入考研的状态也是在暑假以后，暑假的这个假期是我们提高最快，最有效果的阶段，所以大家一定要好好把握这个阶段的复习（特别是数学、英语的复习）。从暑假开始到8月份之前，我一直就专供数学和英语，每天早上6点起床，去自习室把前一天不会的英语单词和不理解的句子统统在过一遍，时间充裕的同学可以在读读新概念4的短文，自我感觉在8月份之前重要的就是英语单词。大概读到8点，就翻开数学书，暑假这个阶段都是在做李永乐的全书，每天给自己制定计划，下午2点半到5点半的时间都是给英语的，开始先做得是张剑的150篇，之后就是把从05年之前的英语考研真题阅读理解部分开始做，把不会的单词和一些自己翻译不通顺的句子做好笔记。晚上还是数学部分的复习（主要是课本基础知识）。考研最主要就是不停的重复，重复才能避免遗忘，才能避免生疏。如果要考好学校的同学，建议在8月份就开始着手专业课的复习，这样时间充沛，容易查漏补缺。 ——13年专业课考试（数电，模电） 数电大家都觉得很容易，但往往很容易的科目，考研时候，出的题目会比较恶心，所以大家不要掉以轻心。例如在13年南开大学专业课考试当中就不走寻常路，在涵盖以往考试重点的情况下，加以创新（特别是最后一大题的设计题）。模电可能给大家的印象会比较难，难也有难得好处，出题方面会比较注重基础，例如13年模电考试，和以往的题目没什么太大的变化，基础的放大电路，基础的反馈电路，还有对放大电路的设计，估算等等。 ——专业课复习（数电、模电） 建议大家在8月份开始就着手专业课的复习，最基础的就是教材，南开大学模电（秦世才，贾香鸾）和数电（杨文霞、孙青林）的教材，版本比较陈旧，（我买的时候就很难买到），特备是模电数，概念和题目都比较生涩难懂，建议大家可以先看看自己学校的数电模电教材，之后在看指定教材，这样会更好理解，而且所花的时间比较短。大概10月份之前就是注重教材，重基础，课后练习题。10月份之后就要专心研究历年真题，因为真题就涵盖了这个学院比较容易考的重点。在冲刺阶段可以适当做些模拟题，掌握做题方法和技巧。 ——关于上辅导班 这个大家可以按需分配，我当时因为英语不好，报了一个英语辅导班，感觉提高很大，所以大家如果时间允许可以报一个辅导班，因为考研老师教你的一些方法对你确实有帮
考研《数字电子技术》考试大纲 暨南大学2016考研《数字电子技术》考试大纲 Ⅰ、考查目标 1.考查考生对数字电路的基本概念和基本定理的理解程度; 2.考查考生应用数字电路的基本原理和方法对组合逻辑电路、时序逻辑电路进行分析和设计的能力; 3.考查考生对脉冲电路、A/D、D/A转换器工作原理的了解和对可编程逻辑器件的应用程度。 Ⅱ、考试形式和试卷结构 一、试卷满分及考试时间 本试卷满分为150分，考试时间为180分钟 二、答题方式 答题方式为闭卷、笔试 三、试卷内容结构 基础知识50分 电路分析和设计100分 四、试卷题型结构 单项选择题30分(10小题，每小题3分) 填空题10分(5个空，每空2分) 综合应用题110分 五、参考书：《数字电子技术基础》阎石，第四版，高等教育出版社 Ⅲ、考查范围 第一章逻辑代数基础 1、数制和码制、各码制之间的换算 2、逻辑代数中的基本运算和复合运算关系 3、逻辑代数中的基本公式和常用公式和三个基本定理 4、逻辑函数及其表示方法 5、逻辑函数的两种标准形式 6、逻辑函数的公式化简法 7、逻辑函数的卡诺图化简法 第二章门电路 1、TTL门电路 2、TTL反相器的电路结构和工作原理 3、TTL反相器的静态输入特性和输出特性 4、TTL门电路输入端的的动态特性 5、其他类型的TTL门电路 6、COMS反相器的工作原理 7、COMS反相器的静态输入和输出特性
8、其他类型的COMS门电路 第三章组合逻辑电路 1、组合逻辑电路的分析方法和设计方法 2、若干常用的组合逻辑电路的功能及应用 2.1编码器 2.2译码器 2.3数据选择器 2.4加法器 2.5数值比较器 第四章触发器 1、触发器的电路结构与动作特点 2、触发器的逻辑功能及其描述方法(各种触发器的特性表及特性方程) 3、不同逻辑功能的触发器之间的转换 第五章时序逻辑电路 1、时序逻辑电路的分析方法 1.1、同步时序逻辑电路的分析方法 1.2、时序逻辑电路的状态转换表、状态转换图和时序图 1.3、简单的异步时序逻辑电路的分析(通过画时序图分析电路的逻辑功能) 2、若干常用的时序逻辑电路的功能和应用 2.1寄存器和移位寄存器 2.2计数器 2.3顺序脉冲发生器 2.4序列信号发生器 3、同步时序逻辑电路的设计方法 第六章脉冲波形的产生和整形 1、施密特触发器电路、特性、应用 2、单稳态触发器电路、特性、应用 3、多谐振荡器电路、特性、应用 4、555定时器及其应用 4.1、555定时器的电路结构与功能 4.2、用555定时器接成的施密特触发器 4.3、用555定时器接成的单稳态触发器 4.4用555定时器接成的多谐触发器 第七章半导体存储器 7.1、只读存储器(ROM) 7.2、掩模只读存储器 7.3、可编程只读存储器(PROM) 7.4、可擦除的可编程只读存储器(EPROM) 7.5、随机存储器(RAM) 7.6、用存储器实现组合逻辑函数 第八章可编程逻辑器件 8.1、现场可编程逻辑阵列(FPLA) 8.2、可编程阵列逻辑(PLA)
第3章 多级放大电路 一、填空题 1．差分放大电路的输入端未加输入信号时，收到附近手机造成的10微伏电磁干扰，该电路的差模放大倍数是－30，共模抑制比是80dB ，则该差分放大电路的差模输出电压是( )，共模输出电压是( )。[北京邮电大学2010研] 【答案】－0.3mv ；0.015v μ。 【解析】共模抑制比为80db ，则有 20l g 80 C M R K = 43010| |||ud CMR uc uc A K A A -===， 3 310 uc A -=? 差模输出电压：30100.3m d ud id u A u v v μ==-?=- 共模输出电压：310 3100.0152 c uc ic u A u v v μμ-==??=。 2．直接耦合放大电路零点漂移产生的原因是________(①电源电压不稳定，②晶体管参数随温度变化)。[中山大学2010研] 【答案】② 【解析】在放大电路中，任何元件参数的变化，如电源电压的波动、元件的老化、半导体器件参数随温度变化而产生的变化，都将产生输出电压的漂移。 二、选择题
1．差分放大电路中发射极接入电阻R E的主要作用是( )。[北京邮电大学2010研] A．提高差模电压增益 B．增大差模输入电阻 C．抑制零点漂移 D．减小差模输入电阻 【答案】C 【解析】在差分放大电路中，增大发射极电阻 R的阻值，能有效抑制每一边电路的温 E 漂，提高共模抑制比。 2．图3-1电路中，电阻R E的作用是（）。[北京科技大学2011研] 图3-1 A．仅对共模信号起负反馈作用 B．仅对差模信号起负反馈作用 C．对共模、差模信号都起负反馈作用 D．对共模、差模信号都无负反馈作用 【答案】A 【解析】差动电路对共模信号具有很强的抑制作用，在差模信号作用下Re中的电流变
东北电力大学电路分析考研模拟试题（Ⅰ） 二. 填空（每题1分，共10分） 1．KVL体现了电路中守恒的法则。 2．电路中，某元件开路，则流过它的电流必为。 3．若电路的支路数为b，节点数为n，则独立的KCL方程数 为。 4．在线性电路叠加定理分析中，不作用的独立电压源应将 其。 5．如果两个单口网络端口的完全相同，则这两个单口网络等效。 6．若一阶电路电容电压的完全响应为uc(t)= 8 - 3e-10t V,则电容电压的零输入响应为。 7．若一个正弦电压的瞬时表达式为10cos(100πt+45°)V,则它的周期T 为。 8．正弦电压u1(t)=220cos(10t+45°)V, u2(t)=220sin(10t+120°)V, 则相位差φ12＝。 9．若电感L＝2H的电流i =2 cos(10t+30°)A (设u ,i为关联参考方向)，则它的电压u为。 10．正弦稳态电路中,若无源单口网络吸收的复功率S~＝80＋j60 VA,则功率因数λ＝。 *11．L1=5H, L2=2H, M=1H 的耦合电感反接串联的等效电感 为。 三．求下图单口网络的诺顿等效电路，并画等效电路图。(15分) a b 四．用结点分析法，求各结点电位和电压源功率。(15分) 1 2 五．一阶电路如图，t = 0开关断开，断开前电路为稳态，求t ≥ 0电感电流i L(t) ,并画出波形。(15分) 六．含理想变压器正弦稳态相量模型电路如图，Us&＝100∠0°V，求U&3。(15分) *七．含空心变压器正弦稳态电路如图，u S(t)2°)V, 求电流i1(t), i2(t)。(15分) 东北电力大学电路分析考研模拟试题（Ⅱ） 一．单项选 D．10∠180°V
可能会问一些比较基本的问题，比如说触发器的类型啊，什么是米勒状态机啊？什么是CMOS管子的截断电流啦，简易的低通滤波器，高通滤波器怎么搭啦，之类的 考外校一般会问的比较多，考本校都问的很简单。一般也就问问竞争-冒险的原因和处理办法，正反馈对电压还是电流起作用啊，是放大还是减小啊之类的。滤波器分哪几类） 1.TTL与COMS的区别 2.桥式整流+3端稳压管连线 3.直流负反馈和交流负反馈的作用，对电路参数的影响 4.A/D,D/A转换的一些基本概念 5.时序逻辑电路有什么特点，举3种时序电路常用器件 基本要求：模电数电中的“三基”，即基本概念、基本分析方法，典型单元电路。 主要内容： 一、模拟部分 1、晶体管（包括二极管、Bipolar、MOS晶体管）的基本结构和放大、开关工作原理、输出特性曲线、参数、处于三个工作区的条件和特点、小信号等效电路； 2、基本放大电路的三种电路组态及其特点（共发、共基、共集）； 3、基本放大电路的基本分析方法（如何求静态工作点、负载线、电路增益、输入电阻和输出电阻）；微变参数等效电路分析方法； 4、放大器的频率相应和频带相关概念和简要计算方法； 5、放大器中的反馈，反馈、负反馈的概念、反馈类型及其性质、反馈的判别，反馈电路的计算特别是深反馈电路的判别和计算； 6、放大电路中的非线性失真、和线性失真； 7、功率放大电路的特殊问题及设计原则，典型功率放大单元电路：甲类、乙类、OCL电路；
8、正弦波振荡器的起振条件及其判别，RC振荡器、LC各类振荡器、振荡频率的计算； 9、运算放大器的电路分析、运放的开环运用和闭环运用的特点，虚短（地）和虚断、运放的性能参数、 10、负反馈接法的运放的直流计算； 11、运放电路组成的运算电路（加、减、积分、微分、对数） 12、运放电路构成波形发生电路（迟滞比较器、方波、锯齿波发生器） 13、A/D 和D/A 转换电路 二、数字部分 1、数字逻辑基础 1）数制和代码，二进制数和十进制、八进制数的转换； 2）三种基本逻辑运算； 3）逻辑函数表达式、真值表、逻辑图、逻辑电路；逻辑函数的基本定律及逻辑函数的代数法化简和变换；卡诺图的化简方法； 4）基本门电的结构及其工作原理（二极管的简单与、或、非门，TTL 门电路的静态特性和动态特性，ECL门电路，I2L门电路，CMOS门电路静态特性和动态特性等。） 2、组合逻辑电路的含义、逻辑功能的描述；组合逻辑电路的分析和设计方法，编码器和译码器、数据选择器、数字比较器、全加器、超前进位加法器，减法器； 组合逻辑电路中的竞争冒险； 3、时序逻辑电路的分析和设计方法
数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习 笔记 第一部分考研真题精选 第1章数制和码制 一、选择题 在以下代码中，是无权码的有（）。[北京邮电大学2015研] A．8421BCD码 B．5421BCD码 C．余三码 D．格雷码 【答案】CD查看答案 【解析】编码可分为有权码和无权码，两者的区别在于每一位是否有权值。有权码的每一位都有具体的权值，常见的有8421BCD码、5421BCD码等；无权码的每一位不具有权值，整个代码仅代表一个数值。 二、填空题 1（10100011.11）2＝（）10＝（）8421BCD。[电子科技大学2009研] 【答案】163.75；000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时，按公式D＝∑k i×2i求和即可，再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数（39.875）10的二进制数为（），十六进制数为（）。[重庆大学2014研] 【答案】100111.111；27.E查看答案
【解析】将十进制数转化为二进制数时，整数部分除以2取余，小数部分乘以2取整，得到（39.875）10＝（100111.111）2。4位二进制数有16个状态，不够4位的，若为整数位则前补零，若为小数位则后补零，即（100111.111）2＝（0010 0111.1110）2＝（27.E）16。 3（10000111）8421BCD＝（）2＝（）8＝（）10＝（）16。[山东大学2014研] 【答案】1010111；127；87；57查看答案 【解析】8421BCD码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制，八进制和十六进制的转换。（1000 0111）8421BCD＝（87）10＝（1010111）2 2进制转8进制，三位为一组，整数向前补0，因此（001 010 111）2＝（127）8。同理，2进制转16进制每4位为一组，（0101 0111）2＝（57）16。 4（2B）16＝（）2＝（）8＝（）10＝（）8421BCD。[山东大学2015研] 【答案】00101011；53；43；01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态，因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数，得到（2B）16＝（0010 1011）2；八进制由0～7八个数码表示，可以将一组二进制数从右往左，3位二进制数分成一组，得到（00 101 011）2＝（53）8；将每位二进制数与其权值相乘，然后再相加得到相应的十进制数，（0010 1011）2＝（43）10；8421BCD码是一种二进制的数字编码形式，用二进制编码的十进制代码。因此可以将每位二进制数转化为4位8421BCD码，（43）10＝（0100 0011）8421BCD。
数电模电教案 徐潇 Tip： 考试课程名称：电子技术基础[826] 1、从模电开始。一是模电在试卷中占的比例远大于数电，二是与数电相比，模电的内容多、难度大。对模电的基础部分掌握之后，再加入数电的学习。 2、对模电的掌握要求：会看、会算、会选、会调。初看模电，对此要求不以为然，随着学习深入，愈感此四点即为考研试卷中的全部。特别是后面两点，往往被我们忽略而造成遗憾。 3、初步拟定，学生在上课的过程中把课本按计划逐步看完。（因为感觉如果自己提前看课本，会浪费较多时间，只是个人建议。） 4、来自大纲上的参考书目。我使用的是华成英的模电和阎石的数电。 0804仪器科学与技术826 电子技术基础《模拟电子技术基础》（第四版）华成英、童诗白高等教育出版社，2006 《数字电子技术基础》（第五版）阎石高等教育出版社，2006 《模拟电子技术基础》王淑娟、蔡惟铮、齐明. 高等教育出版社. 2009年5月出版 《数字电子技术基础》杨春玲、王淑娟高等教育出版社. 2011年7月出版 《电子技术基础》（模拟部分第5版）康华光高等教育出版社. 2006年1月出版 《电子技术基础》（数字部分第5版）康华光2006年1月出版 ５、按照大纲的划分，我将模电分为７部分，数电分为５部分。参照大纲的考核内容，我对10次课的安排如下：
第一课： 模电部分：1、基本放大电路（课本的前两章） (1)放大电路的基本概念和技术指标； (2)基本放大电路的分析（包括静态分析和动态分析）； (3)三种基本放大电路（共射、共集和共基）的比较； (4)FET的结构和分类，MOSFET工作原理、特性曲线和参数； (5)场效应管共源放大电路的静态分析和动态分析，三种基本放大电路（共源、共栅和共漏）的比较。 # 第一章中以了解为主。了解半导体、PN结，会分析二极管在电路中的通断、注意稳压管，区分双极性晶体管和场效应管。 第二章是第一课的重点，也是整个模电的重点。理解第二章是理解模电的关键。 补充：１、第四章中关于集成运放概念的部分。 ２、课堂ｐｐｔ补充和课后题目。 ３、数电的基础知识：布尔代数 ４、２０１１年考研真题。 ５、学生提出学习中的问题，留待下次答疑解决。 第二课： 模电部分：２、集成运算放大器的线性应用电路（课本的第４章和第７章前半部分） (1)虚短、虚断和虚地的概念； (2)比例运算电路； (3)求和运算电路； (4)积分和微分运算电路； (5)集成运放其他几种线性应用电路，包括电流-电压变换器、电压-电流变换器、数据放大器、绝对值电路和二极管限幅电路； (6)集成运放的频率响应和补偿。 ＃第四章和第七章应该放到一起讲，因为这两章都是对集成运放的讲解，第四章为原理，第七章为应用实例。这一部分的内容比较多，所以这一课需要较多的时间来消化。 补充：１、继续补充数电的布尔代数部分。 ２、课后题目已经绿皮书的题目。 ３、答疑并提出问题。 第三课： 模电部分：
数字电路基本概念 一．基本概念。 1.门是实现一些基本逻辑关系的电路。 2.三种基本逻辑是与、或、非。 3.与门是实现与逻辑关系的电路，或门是实现或逻辑关系的电路，非门是实现非逻辑关系的电路。 4.按集成度可以把集成电路分为小规模（SSI）中规模（MSI）大规模（LSI）和超大规模（VLSI）集成电路。 5.仅有一种载流子参与导电的器件叫单极性器件；有两种载流子参与导电的器件叫双极性器件。单极性器件主要有：PMOS.NMOS.CMOS双极性器件主要有：TTL.HTL.ECL.IIL. 6.TTL门电路的低电平噪声容限为V NL =V OFF -V IL; 高电平噪声容限为V NH =V IH -V ON 7.直接把两个门的输出连在一起实现“与”逻辑关系的接法叫线与；集电极开门路可以实现线与；普通TTL门不能实现线与。 8.三态门的输出端可以出现高电平、低电平和高阻三种状态。 9.三态门的主要用途是可以实现用一条导线（总线）轮流传送几个不同的数据或控制性号。 10.用工作速度来评价集成电路，速度快的集成电路依次是ECL.TTL.CMOS 11.用抗干扰能力来评价集成电路，抗干扰能力的集成电路一次是CMOS.TTL.ECL 12.CMOS门电路的输入阻抗很高，所以静态功耗很小，但由于存在输入电容，所以随着输入信号频率的增加，功耗也会增加。 13.逻代数的四种表示方法是真值表、函数表达式、卡诺图和逻辑图。 14.逻辑变量和函数只有0和1两种取值，而且它们只是表示两种状态。 15.逻辑代数只有“与”“或”“非”三种基本逻辑运算。 16.描述逻辑函数各个变量取值组合和函数值对应关系的代数式叫函数表达式。 17.逻辑函数表达式的标准形式有标准与或式即最小项表达式和标准或与式即最大项表达式。 18.逻辑函数的化简方法有代数法即公式法和图形法及卡诺图法。 19.最简与或式是指乘积项数最少，乘积项中的变量个数最少的与或式。 20.约束项是不会出现的变量组合，其值总为0. 21.约束条件是由约束项加起来构成的逻辑表达式，是一个值恒为0的条件等式。 22.按逻辑功能的特点，数字电路可以分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。 23.用二进制代码表示有关对象的过程叫二进制编码：n为二进制编码器有2n个输入，有n个输出。 24.将十进制数的十个数字编成二进制代码的过程叫二—十进制编码，简称为BCD编码。 25.在几个信号同时输入时，只对优先级低额最高的进行编码叫优先编码。 26.把代码的特定含义“翻译”出来的过程叫码译；n位二进制译码器有n个输入，有2n个输出。，工作时译码器只有一个输出有效。 27.两个一位热劲制数相加叫做半加。两个同位的加和来自低位的进位三者相加叫做全加。 28.从若干输入数据中选择一路作为输出叫多路选择器。 29.组合逻辑电路任意一时刻的输出仅仅取决于该时刻的输入，而与过去的输入
电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同 电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同 电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同） 829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案 电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右） 电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份 电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份 电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份 数字逻辑电路课后答案 拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同 电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同） 829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案 电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右） 电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份 电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份 电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份 数字逻辑电路课后答案 所有资料不重复。 淘宝网：https://www.doczj.com/doc/be3652720.html,/item.htm?id=9960243831 电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试 “数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2006 年4月22日 课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计 一、填空题（每空1分，共15分） 1、( 323 )10=( 101000011 ) 2
第一章：逻辑代数基础 （山大 无线电物理1997） 1、 已知逻辑 CD B A F ++=，试求 1） F 的最小项表达式 2） F 的最大项表达式 3） F 的反函数F 的最简与或表达式 4） F 的对偶函数F '的最简与非表达式 2、 化简下面的函数 D C B A D C A D C B A D C B A F ++++=)( 1=+++D C B A （约束条件） （山大 信号与信息处理1998） 3、 代数法化简 1）C B E C B BD C A A F ++++=)()(1 2）)(2P E CD AB C B C A F ++++= 4、 卡诺图法化简 1）∑=m D C B A F )9,8,7,6,5,4,3,1,0(),,,(1 2）D A C B A B A D C AB CD B A F ++++=2 5、填空题 1）（1100110011000.00010001011）8421BCD =( )10 2）D BC C A AB F ++=1 D C A AB F ++=2 试问1F 与 2F 的关系为（ ） 3）写出C B A B A F )()(++=的对偶式 （ ） 4）对应六变量的卡诺图应有（ ）个小方块。 5）同一个逻辑函数的两个不同的最小项逻辑与的值应为（ ） 6、选择题 单项选择 1）8进制（5323）8对应的16进制数为（ ） ① A53 ②529 ③553 ④AD3 2）（83.375）对应的二进制数为( ) ① 1100101.0101 ②1010011.1010 ③1100101.10101 ④1010011.0101 多项选择 3) 可使逻辑函数B A C B A B ++⊕)1(取值为1的ABC 变量组合为( ) ① 101 ②011 ③111 ④010 ⑤ 110 （山大 无线电物理1998） 7、将以下形式表示的逻辑函数化为最简与或和最简或与式，方法不限。 1）D B A D C B C B A D B A D C A D C B A F ++++=),,,(1 2）131110702),,,(m m m m m D C B A F ++++= 任意项为158521,,,,m m m m m 3）E C AB C B D A C D A B D C B A F ++⊕++⊕=)(),,,(3 （山大 电路系统、通信与信息系统1999） 8、填空题 1） 把下列二进制换算成十进制 （110101）2=（ ）10 （101.101）2=( )10 2) 二进制的数码有( )和( ), 基数为( ), 它逢( )进( ). 3) 逻辑代数中的反演规则是: 由已知逻辑函数F , 求其反函数F 时, ( ) 4）数码转换（10011100）2=（ ）8=（ ）8421BCD
模电数电考研面试总 结
1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子） 2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。（未知） 3、最基本的如三极管曲线特性。（未知） 4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。（仕兰微电子） 5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知） 6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子） 7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。（未知）8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。（凹凸）9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。（未知） 10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。（未知） 11、画差放的两个输入管。（凹凸） 12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。（仕兰微电子） 13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。（未知） 14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的 rise/fall时间。(Infineon笔试试题) )
15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C 上电压和R上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。当RC< 以下为当年用的复习重点，不会有太大变化的，因为老师对这些东西已经烂熟于心 我来分享一下近几年专业课考试电路的变化情况。 总体来说，电路这几年的考研专业课试题经历了从2004~2006年的难度一般（05年略微偏难）到2007~2009年的较为偏难（其中以2008年为甚）再到2010~2012年的较为简单的过程。期间，学校出题老师虽然不同，但是可以大致看出，一些基础的知识点所占分数比重越来越大。比如以第一到第四章的基础知识部分，是整个电路的基础和灵魂。此部分分值由以前的20分左右增加到最近的接近40分，其实更多的是增加来大题中的运用。更考察大家的灵活解题能力。相比而言，正弦电路中对于耦合部分的考察最近越来越少了，三相电路的考察比重也有所下降。动态电路中，不再要求用运算法去计算电路，以前的状态方程的列写最近基本上也在试卷中绝迹。这些偏难考点的消失无疑降低了电路的难度，同时也给出一份合理的试卷造成了难度。因此，改革也就出现了。 改革后，试卷可能有什么变化呢？ 从2012年考研出卷的情况来看，出题老师已经越来越倾向于不再对小题进行考察，2012年已经取消了选择题，不排除这次改革连填空题也取消的可能。但是无论是否取消填空，填空所占的分值都不可能很大。而且填空可涉及的知识点很多，也不方便总结，在此略去。个人分析，考试中完全以大题出现的可能性还是比较大的。 对于电路来说，基本的重点不会改变，对1~4章即线性电阻电路部分的考察，应该不会离开回路法，节点法这些基本计算方法。但是，其他内容不可能与这部分分开。也可能加入功率计算，最大功率传输的问题，也不排除计算中要应用到戴维宁定理等问题。当然，这部分可能出一个大题也可能出两个。 5~8章属于交流电路的分析问题，基本正弦稳态电路的计算依然是必会的内容。对于以前出现的考点，如耦合问题和三相电路，不能绝对保证能从2013年考研的考点中消失。但是这几年这部分考点较为弱化，大家复习的时候可以有所侧重。第八章基本上是不出题的。9~10章属于动态电路的问题，从这些年的考察中可以看出，对于一阶电路三要素法解题的考察还是非常看重的。因此也是经常考的问题。估计在2013年考研中不会去掉这种问题。11章，即二端口网络这几年出题也很少。但是12章的节点电压方程矩阵形式的列些，还是经常考的，这部分大家应该注意。第13章非线性电路的考察一直很少，历年来只考过小信号法分析非线性电路的问题。因此大家可以不用特别在意这部分。混合入模电问题后，这部分可作为放大电路分析的内容而不再进行考察。 从电路占40%的分值看来，这部分出4道大题的可能性很大，作为上面的分析，可能一部分出一道大题。 模拟电路部分 电子技术部分的介绍着重以本学校讲课即期末考试的重点为大家讲解。 模拟电子中最重要的一部分就是放大电路（对应2~3章），单管放大电路也好，两级放大电路也好。考察重点一般为三极管放大电路。MOS管放大电路的考察从来都很少，但是不排除出现的可能性。这是一个重要的复习重点：放大电路的计算，可能涉及的计算包括静态工作点，电压放大倍数，输入输出电阻。 放大电路的复合形成多级放大电路，并集成运算放大器。因此运算放大器的考察也是一个重点（对应4章和7.8章）。第四章来说考察内容较少，主要是第七章和第八章的分析计算，也包括振荡电路的形成（主要是正反馈条件的判断），画波形图和分析等。 模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点 总结 第1章常用半导体器件 1.1 复习笔记 本章首先介绍了半导体的基础知识，随后重点阐述了半导体二极管、晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件，因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习，应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数，并熟悉半导体相关基础知识，最后需要了解半导体器件的选用原则，为今后的模拟电路分析和设计打下基础。 一、半导体基础知识 半导体器件是构成电子电路的基本元件，所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料，所以在学习半导体器件之前，需要了解一些半导体的基本名词术语（见表1-1-1）。 表1-1-1 半导体基本名词术语 二、半导体二极管 1二极管的结构和分类（见表1-1-2） 表1-1-2 二极管的结构和分类 2二极管的伏安特性 与PN结一样，二极管具有单向导电性，但由于二极管结构上的不同，具体的伏安特性与PN结又有区别（见表1-1-3）。 表1-1-3 二极管的伏安特性 3二极管的主要参数 为描述二极管性能，常引用以下几个主要参数（见表1-1-4）。 表1-1-4 二极管主要参数 4二极管的等效电路 二极管的伏安特性具有非线性，这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析，常在一定的条件下，用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性，并取代电路中的二极管，称为二极管的等效电路，也叫等效模型（见表1-1-5）。 表1-1-5 二极管等效电路 5稳压二极管 稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。 表1-1-6 稳压二极管 2018年 科目名称：模拟电子技术科目代码：841 满分：150分 考生请注意：所有答案必须写在答题纸上，做在试题纸或者草稿纸上的一律无效！ 一、填空题（20分，每空1分） 1、二极管的基本特性是。 2、稳压管在稳压时，其工作状态为。 3、放大电路中的某晶体管，现测得三个电极对地电位分别是－2V、－1.3V、－7V， 则三个电极分别是、、。 4、N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是。 5、双端输入双端输出差分放大电路，两个输入信号分别为5mV和3mV，则差模信号 为mV、共模信号为mV。 6、集成运算放大器的输入级通常采用差分放大电路，目的是。 7、在放大电路中，当静态工作点（Q点）位置偏高，容易出现失真。 8、某单管共射放大电路的频率特性曲线包括幅频特性曲线和，与中频 区相比，当f=f L时，幅值下降dB、相位（填超前或滞后）度。 9、如果某个通带截止频率为30kHz，通带放大倍数为2的理想高通滤波器与另一个通 带截止频率为80kHz，通带放大倍数为3的理想低通滤波器相串联，整个电路将呈现为滤波器特性。其通带放大倍数为，带宽为。 10、正弦波振荡电路起振时的幅值条件为，相位条件为。 11、单相桥式整流电路中（带负载），若变压器副边电压有效值为20V，则输出电压平 均值U O(A V)为V。 二、简答题（43分） 1、电路如下图(a)、(b)所示，请作答：（10分） 判断图(a)、(b)所示电路的晶体管是否可能工作在放大状态，若不能，请改正。 T1 (a)(b) 2、电路如下图(a)所示，二极管D 1、D 2的导通压降为0.7V ，u i 的波形如下图(b)所示， 请在图(b)中画出u o 的波形（并标出u o 的幅值）。（8分） u o + 0(a) 参考试卷（1 ） -1- 期中测验试卷 一、填空题 （20分）（每题4分） 1. 十进制数 128 对应的二进制数是 ，对应 8421BCD 码是 ________ ， 对应的十六进制数是 ________ 。 2. 拉电流负载是门电路输出为____电平时的负载，灌电流负载是门电路输出为 ____电平时的负载。 3. TTL 或门的多余输入端应接____电平，或者与有用端 。 4. 在 C = 0，D = 1 时，函数 D C ACD F +=的值为 _________ 。 5. 右图中的CD = 。 二、将下列函数化简为最简与或式。(20分) 1. 用代数法化简 2. 用卡诺图法化简 三、三变量奇校验电路的功能为：当输入奇数个“1”时，输出为1，否则输出为0。试列 出其真值表，写出简化逻辑式，并用下列电路实现之。（30分） 1） 与非门 2） 四选一数据选择器（74LS153） 3） 三线八线译码器（741LS38）和必要的门电路。 四、求下列各题的最简与或表达式。（30分） ∑∑+=） ，，，64()7,3,2,0()(d m C B A Y Y = AB + AC + ABD +BCD 参考试卷（ 1）-2- 1. 2. 求下图中Y的最简与或式。( 8 分) Y 一、填空题( 每空1 分，共20 分) 1. (62 ) 10 = ( ____ ) 2 = ( __________ ) 8421BCD码。 2. 已知函数∑ B C Y，可知使Y = 0 的输入变量最小项有____个。 (m A ) = =)5,4,3,1( , , 3. 施密特触发器有____个阀值电压，分别称作________ 和________ 。 4.D触发器的特性方程为____________________ ；J-K触发器的特性方程为 ____________________ 。 5. 将模拟量转换为数字量，采用________ 转换器，将数字量转换为模拟量，采用 ________ 转换器。 6. 单稳态触发器有____ 个稳定状态；多谐振荡器有____ 个稳定状态。 7. 输出状态不仅取决于该时刻的输入状态，还与电路原先状态有关的逻辑电路，称 为__________ ，输出状态仅取决于该时刻输入状态的逻辑电路，称________ 。 8. TTL 与非门的多余输入端应接____ 电平，或者与有用输入端。 9. PLD 的基本结构由____ 阵列、____ 阵列、输入缓冲电路和输入电路构成。 10. _______ 存储器在断电后数据不会丢失，而_______ 存储器断电后将丢失数据。 二、单项选择题( 每小题2 分，共10分) ( ) 1. 下列电路中不属于PLD 的为 (A) PROM；(B) ispPLD；(C) ROM；(D) GAL。 ( ) 2．能把三角波转换为矩形脉冲信号的电路为 (A) 多谐振荡器；(B) DAC；(C) ADC；(D) 施密特触发器。河北工业大学电气考研电路数电模电
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