电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同
电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同
电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）
829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案
电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）
电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份
电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份
电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份
数字逻辑电路课后答案
拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同
电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）
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所有资料不重复。
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电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试
“数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2006
年4月22日
课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计
一、填空题（每空1分，共15分）
1、( 323 )10=( 101000011 ) 2
2、(0. 4375 )10=( 0.0111 ) 2
3、(1101．0011) 2 = ( 13.1875 )10
4、（FD．A）16 = ( 11110000.1010 ) 2= ( 360.50 )8
5、( 4531 )10 = ( 0100 0101 0011 0001 ) 8421BCD 。
6、写出与下列十进制数对应的8-bit 原码(signed-magnitude)，补码(two’s-complement)和反码(one’s-complement)表达：
十进制数+51 -72
8-bit原码0011 0011 1100 1000
8-bit补码0011 0011 1011 1000
8-bit反码0011 0011 1011 0111
7、已知二进制数 A = 10110100，对应的格雷码（GRAY CODE）表达为（ 1110 1110）
8、与非逻辑门电路的未用输入端应接在（高电平或某一个输入信号端）上。
9、已知二进制数 A 的补码为：[A]补= 10110100，求 [-A]补=( 01001100 )
二、填空题（每空3分，共30分）
1、已知一个函数的积之和（与或式, The sum of productions）列表表达式为
F =∑ABC（1，4，5，6，7），问与其对应的最简积之和表达式为：
F =（ A + B’C ）。
2、对于按照逻辑式F AC BC
'
=+实现的电路，存在静态（ 1 ）型冒险。
3、四变量逻辑函数F = ∑ABCD(2,4,5,7,9,14)的反函数F’=∏ABCD( 2,4,5,7,9,14 )。
4、已知带符号的二进制数X1 = +1110，X2 = -1011，求以下的表达，并要求字长为8位。[X2-X1]补 =（ 1110 0111 ）
5、已知一个逻辑函数为 F=(A + (BC)’+ (D+E)’)’+AD，则它的反函数最简积之和表达式为：
F’==( A’B’+A’C’+D’E’+AD’)。
6、八路复用器如图所示，该电路实现的逻辑函数F =( ∑XYZ( 1,2,4, 7) ) =( X⊕Y
⊕Z )。
7、由四个变量构成的最小项 m i 、m j 及最大项 M i 、M j ，且i ≠ j 。最大项
M i 、M j 之和是( “1” )；最小项 m i 、m j 之积是( “ 0”)。
8、正逻辑的与门对于负逻辑而言，则是（ 或 ）门。 9、已知74LS 系列的V O L max = 0.5 V , V O H min = 2.7 V , V IL max = 0.8 V , V IH min
= 2.0 V , 则高电平直流噪声容限是（ 0.7 V ）。
三、判断题（每小题
1分，共5分）
（下列各题正确者在题前括号内画“√”，错误者打“×”）
1、格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。 （ √ ）
2、在逻辑或非运算的情况下，只要有输入为0时，输出就为1。 （ × ）
3、以标准和形式构成的逻辑电路中必然存在静态冒险。 （ × ）
4、利用输入无关项，有可能使电路结构得到简化。 （ √ ）
5、卡诺图(Karnaugh Map )中奇异1单元的数量决定了最简和电路中与门的个数。（ × ）
四、选择题（每题
4分，共20分）
1）、用卡诺图(Karnaugh Map )求下列逻辑函数
F =
)15,4(d )13,9,8,7,6,5,1(Z
Y,X,W,+∑
的最简和之积表达式（或与表达式）是（ B ）
A) F= W’X + Y’Z + WX’Y’
B) F= (W + X’ + Z)(W + X + Z)(X + Y’)
C) F= W’XY + Y’Z + WX’Y’
D) F=(W + X’ + Z)(W’ +Y’)(W + X + Z)(X + Y’)
2）、已知逻辑函数为：F =(((A +B)’ + C’ )’ + D)’, 在下面的四张真值表F I、F II、F III、F IV中，符合上述要求的真值表是（F III）。
A B C D F I F II F III F IV
0 0 0 0 1 0 1 0
0 0 0 1 1 1 0 1
0 0 1 0 1 0 1 0
0 0 1 1 1 1 0 1
0 1 0 0 1 0 1 0
0 1 0 1 0 1 0 1
0 1 1 0 0 1 0 0
0 1 1 1 0 1 0 1
1 0 0 0 1 0 1 0
1 0 0 1 0 1 0 1
1 0 1 0 0 1 0 D
1 0 1 1 0 1 0 D
1 1 0 0 1 0 1 D
1 1 0 1 0 1 0 D
1 1 1 0 0 1 0 D
1 1 1 1 0 1 0 D
3）、逻辑函数F1 = ∑ABCD(2,4,5,7,9,14) 和F2 = ∏ABCD(1,6,8,10,11,13) 之间满足（对偶）关系。
A) 对偶
B) 相等
C) 香农展开
D) 反演
4）、设X,Y均为4-bit二进制数，X是一个逻辑电路的输入，Y是该电路的输出。电路满足以下要求：输入X是8421BCD 码，输出Y 为余三码。在下面的四张真值表输出I、输出II、输出III、输出IV中，符合上述要求的真值表是（输出III）。
输入
输出I 输出II 输出III 输出IV X3 X2 X1 X0 Y3 Y2 Y1 Y0 Y3 Y2 Y1 Y0 Y3 Y2 Y1 Y0 Y3 Y2 Y1 Y0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 D D D D D D D D D D D D D D D D 1 0 1 1 D D D D D D D D D D D D D D D D 1 1 0 0 D D D D D D D D D D D D D D D D 1 1 0 1 D D D D D D D D D D D D D D D D 1 1 1 0 D D D D D D D D D D D D D D D D 1 1 1 1 D
D D
D D
D D
D D
D D
D D
D D
D
5）、已知某组合逻辑电路的输入波形A ，B ，C 和输出波形F 如下图所示。问该电路的标准和表达式是（ D ）。
A. (),,1,3,5,7A B C ∑
B. (),,0,2,4,6A B C ∑
C. (),,2,3,5,7A B C ∑
D. (),,1,2,4,7A B C ∑
分析、设计题部分：
五、 电路图如下所示，试完成下述工作：
1） 写出电路对应的输出逻辑函数Y 的最
简积之和表达式（与或表达式）；(4 分) 2） 判定图示电路在何种输入情况下有静
态冒险问题。(6分)
1) Y=ABC+AB ’CD+ABC ’D+BCD ①
= ABC+ABD+BCD+ACD ② 只写出式①得2分；写出式②得满分（4分）； 错扣3分。
2） 当A = C = D =“ 1”，B 变化；
或当A = B = D =“ 1”，C 变化时， 图示电路存在静态“ 1”冒险问题。
判断出有静态冒险问题得2分，并正确给出两个
变化条件得4分；直接正确给出两个变化条件得6分；
直接给出两个变化条件但均不正确得2分；正确一个得4分。
六、请设计一个四输入多数表决电路：当4个输入端有3个或3个以上为1时，输出1，否则输出0；要求只采用与非门实现；画出电路图。 (10分)
F=X3X2X0+X3X2X1+X2X1X0+X3X1X0 (A) =( ( X3X2X0)’ (X3X2X1)’ (X2X1X0)’ (X3X1X0)’ )’ (B)
① 正确写出真值表 得4分 真值表错一行扣一分，4分扣完为止。 ② 以写出的真值表为准，正确得出逻辑函数表达式(B) 得4分，
逻辑函数表达式错一处扣一分，4分扣完为止。
③ 以得出逻辑函数表达式为准，画电路图，正确的2分，
错误得0分。
七、采用一片数据选择器74X151和必要的反相器设计一个组合电路。输入为A3、A2、A1、A0的二进制数，当A3、A2、A1、A0的等效十进制数能被3整除时，输出F=1，否则F=0。要求画出逻辑电路连接图。(10分)
X3 X2 X1 X0 F
0 0 0 0
0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1
0 0 1 1 0
0 0 1 1 1
1 1 0 0 0
0 1 0 0 1
0 1 0 1 0
0 1 0 1 1
1 1 1 0 0
0 1 1 0 1
1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1
X3 X2 X1 X0 F 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1
1 0
1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 0 1
F=∑X3X2X1X0(0,3,6,9,12,15)
= (X3’X2’X1’+ X3’X2X1 + X3X2X1’)X0’+(X3’X2’X1 + X3X2’X1’+ X3X2X1)X0
=(X3’X2’X0’ + X3X2’X0 + X3X2X0’) X1’ + (X3’X2’X0 + X3’X2X0’ + X3X2X0) X1
=(X3’ X1’X0’ + X3’X1X0 + X3X1’X0) X2’+(X3’X1X0’ + X3X1’X0’ + X3X1X0) X2
=(X2’X1’X0’ + X2’X1X0 + X2X1X0’ ) X3’+(X2’X1’X0 + X2X1’X0’ + X2X1X0) X3
直接给出正确电路图得满分。
电路图有错误，无设计细节，扣8分；
电路图有错误，有设计细节：真值表正确，得4分；函数关系推到正确得4分。
电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期期末考试
模拟电路基础课程考试题 B 卷（ 120 分钟）考试形式：开卷考试日期 2006 年月日
课程成绩构成：平时 10 分，期中 30 分，实验 0 分，期末 60 分一二三四五合计
一（20分）、问答题 1．（4分）波形失真（如削顶失真、削底失真）属于频率失真还是非线性失真？
2．（5分）试叙述负反馈技术能改善放大器的哪些性能？
3．（3分）功放电路中，采用复合管的目的是什么？
4．（8分）为什么阻容耦合放大电路的频率特性具有带通性？而集成运放构成的放大电路具有低通特性？
二（10分）、 电路如图1所示，已知0100,0.7,,()bb V
V V r BE on A β'≈===∞
1． 求小信号电压增益v o A v v
i
=
2． 求输入电阻i
R
3． 求输出电阻o
R
图1
三（10分）、 图2是一个电桥放大器，图中集成运放可看成是理想的，电阻f R R 、和参考
电压源R V 均为已知，且R f >>R ，δ<<1。试推导输出电压V o 与微变量δ的近似线性关系式。
四（10分）、电路如图3所示，已知晶体管参数为BE(on)A =0.7V,V =β=100,V ∞ 1．若I
=150μA E
，则E ?R =
2．求双端输出差模电压增益A vd
；
3．求差模输入电阻R
id
图3
五（10分）、反馈放大电路如图4所示。
1．判断电路中的级间交流反馈类型和极性；
2．说明该反馈对放大电路有何影响；
。
3．在深度负反馈条件下，写出放大电路的闭环电压增益A
vf
图4
电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期期末考试
模拟电路基础课程考试题 B 卷（ 120 分钟）考试形式：开卷考试日期 2006 年月日
课程成绩构成：平时 10 分，期中 30 分，实验 0 分，期末 60 分一二三四五合计
一（20分）、问答题 1．（4分）波形失真（如削顶失真、削底失真）属于频率失真还是非线性失真？ 非线性失真
2．（5分）试叙述负反馈技术能改善放大器的哪些性能？ 1）提高增益的稳定性 2）减小非线性失真 3）扩展带宽
4）改变输入电阻和输出电阻
5）稳定静态工作点
3．（3分）功放电路中，采用复合管的目的是什么？ 提高电流放大倍数
4．（8分）为什么阻容耦合放大电路的频率特性具有带通性？而集成运放构成的放大电路具有低通特性？
耦合电容限制了低端截止频率，三极管内部电容限制了高端截止频率，所以具有带通性；
集成运放没有耦合电容，只有三极管内部电容，所以具有低通特性。
二（10分）、 电路如图1所示，已知0100,0.7,,()bb
V V V r BE on A β'≈===∞
1． 求小信号电压增益v o A v v
i
=
2． 求输入电阻i
R
3． 求输出电阻o
R
图1 解：1. () 4.65(1)BE on B
B E
V V A R R I μβ-
--=
≈++——————————————（2分）
0.465I
I
I
mA E
C
B
β≈==———————————————（1分）
26(1) 5.6be
bb E
mV r
k I r
β'
=++≈Ω————————————（1分）
40(1)v
R o c
A v v
r R i
be E
ββ=
=-
≈-++———————————（2分）
2. //[(1)]100i B be E B R r R R k R β=++≈=Ω—————————（2分）
3．800R R
k o
c
==Ω——————————————（2分）
三（10分）、 图2是一个电桥放大器，图中集成运放可看成是理想的，电阻f R R 、和参考电压源R V 均为已知，且R f >>R ，δ<<1。试推导输出电压V o 与微变量δ的近似线性关系式。 解： 1.写出理想运放的两个重要法则————————（2分）
2.正确列出同相端和反相端的节点方程—————（6分）
3.计算出正确结果 2R V f
R
V o R
δ≈
—————（2分）
图2
四（10分）、电路如图3所示，已知晶体管参数为BE(on)A =0.7V,V =β=100,V ∞ 1．若I
=150μA E
，则E ?R =
2．求双端输出差模电压增益A vd
3．求差模输入电阻R
id
解：1. 1
75122
I I I A E E E
μ==
=——————————————（1分）
0.7E V V ≈——————————————————————（1分）
4112
V V
E EE
R k E I E -=
≈Ω——————————————（2分）
2．1
26(1)
35be bb E mV r k I r β'=++Ω ————————————（2分）
1712v
R od c A vd v
R
r id
B be
β=
=-
≈-+———————————（2分）
3．2()71id
B
be
R r k R =+=Ω——————————————（2分）
五（10分）、反馈放大电路如图4所示。 1． 判断电路中的级间交流反馈类型和极性 2． 说明该反馈对放大电路性能有何影响
3． 在深度负反馈条件下，写出放大电路的闭环电压增益A vf
图4
解:1电压串联负反馈————————————————（3分）
2．提高闭环电压增益的稳定性，输入电阻增大，输出电阻减小，展宽通频带，减小非线性失真
——（5分）
3.
1
1
1
R
v v f
o o
A vf
v B v R
i f e
=≈==+——————（2分）
电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同
电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同
电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案
电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）
电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份
电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份
数字逻辑电路课后答案
各位2012年要包括电子科技大学的学弟学妹你们好，我是2011年考过电子科技大学。报考的是微电子学829数字电路和模拟电路，今天刚刚开了淘宝，就把资料放在上面了，我敢向大家保证，我收集的资料绝对是最全的整理的每份试卷绝不重复，光是电子科技大学模拟电路的本科试卷就有30份（一份都不重复），电子科技大学数字逻辑（数字电路）17份+数字逻辑书答案。还有829的真题全部都有，这些资料在市场上从来没这么齐过。原因就是真正考过的人才知道这些资料很重要，这些资料一部分是我去年网上买的，一部分是问电子科大老师些要的。…………，反正是最齐的。有需要的同学可以上我淘宝上看看。绝对不后悔的资料。淘宝地址：https://www.doczj.com/doc/5b16066538.html,/item.htm?id=9960243831
政治考试，有时候复习两个月的人会超过准备半年的人，有人说运气很重要。其实不然，政治其实是最容易的，只要你花了一些工夫，而且方法正确的话，70分是很容易拿下的。政治从9月份大纲下来了开始准备就OK了。我政治报了班，一路跟着李凡老师走下来的。对一个工科生来说，只要能拿到平均分就可以了，毕竟背诵不是强项。有人以为政治只是背背就行了，我觉得并不全是，马哲就需要靠人的理解。我做了《政治新时器》的课后习题和习题集中的选择题部分，所以最后选择题正确率很高。政治想考低分难，想考高分也难。低分难是因为大题随便答答就可得不少分；高分难是因为多选题正确率非常低。所以多做题提高选择题正确率很重要。而大题，主要在背，当然还有答题技巧。还有老师的押题卷中的大题一定要背熟，也许会有意想不到的效果。 英语。我考的不算很高。由于的复习首先就是考研单词，一定要坚持每天背诵，我在这里推荐《一本单词》，我买了好几本单词书，但这本书讲的比较清晰透彻适合大家背诵英语。英语复习中最重要的部分就是真题，你不能单纯的把真题当做题。而应该把他当做一本值得研究的书。书上的每一个字每一句话都要好好研究过去。有一本好的考研真题和解析也显得十分重要，我在这里推荐《木糖英语真题手译版》，这本书包括阅读题的问题和选项的解析。而且做题的时候，每一遍做都要研究为什么选这个？在文中找到依据么？为什么不选这个？我到后期第三遍做真题以后就从应试的角度整理的很多东西。包括文章容易出题的点有哪些？比如有主旨啊例子啊转折啊某人观点啊等等。正确选项有什么特点？错误选项喜欢怎么个错法？真题的文章结构有什么特点？审题要注意什么东西？光阅读就总结好多张纸了。 还有翻译啊，作文啊，都很多可以总结的东西，比如翻译常考的词、翻译常出现的句型、被动句怎么翻译、否定的翻译有哪些情况?各种情况的出现的标志是什么等等可能这些东西很多书上都有。但我坚持认为书上的东西不是你自己的。看进去以后或者你自己得出的才是你自己的。如果自己能力不够的话，大家可以参考蛋核英语微信公众号和木糖英语微信公众号这两个公众号上总结的知识点和大题技巧。 专业课： 因为本科的时候基础比较弱，所以整个九月份开始到十二月份我都在无时不
模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
《材料科学基础》试题库 一、名词解释 1、铁素体、奥氏体、珠光体、马氏体、贝氏体、莱氏体 2、共晶转变、共析转变、包晶转变、包析转变 3、晶面族、晶向族 4、有限固溶体、无限固溶体 5、晶胞 6、二次渗碳体 7、回复、再结晶、二次再结晶 8、晶体结构、空间点阵 9、相、组织 10、伪共晶、离异共晶 11、临界变形度 12、淬透性、淬硬性 13、固溶体 14、均匀形核、非均匀形核 15、成分过冷 16、间隙固溶体 17、临界晶核 18、枝晶偏析 19、钢的退火，正火，淬火，回火 20、反应扩散 21、临界分切应力 22、调幅分解 23、二次硬化 24、上坡扩散 25、负温度梯度 26、正常价化合物 27、加聚反应 28、缩聚反应 29、 30、 二、选择
1、在柯肯达尔效应中，标记漂移主要原因是扩散偶中_____。 A、两组元的原子尺寸不同 B、仅一组元的扩散 C、两组元的扩散速率不同 2、在二元系合金相图中，计算两相相对量的杠杆法则只能用于_____。 A、单相区中 B、两相区中 C、三相平衡水平线上 3、铸铁与碳钢的区别在于有无_____。 A、莱氏体 B、珠光体 C、铁素体 4、原子扩散的驱动力是_____。 A、组元的浓度梯度 B、组元的化学势梯度 C、温度梯度 5、在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为_____。 A、原子互换机制 B、间隙机制 C、空位机制 6、在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为_____。 A、肖脱基缺陷 B、弗兰克尔缺陷 C、线缺陷 7、理想密排六方结构金属的c/a为_____。 A、1.6 B、2×√(2/3) C、√(2/3) 8、在三元系相图中，三相区的等温截面都是一个连接的三角形，其顶点触及_____。 A、单相区 B、两相区 C、三相区 9、有效分配系数Ke表示液相的混合程度，其值范围是_____。（其中Ko是平衡分配系数） A、1 2016年陕西师范大学运动人体科学考研 以下内容由凯程老师搜集整理，供考研的同学们参考。更多考研辅导班的详细内容，请咨询凯程老师。 一、陕西师范大学运动人体科学考研研究方向有哪些？ 陕西师范大学运动人体科学考研研究方向有： 01机能评定与运动处方 02运动心脏生物学 03运动血管生物学 04体育保健康复学 05运动与心血管保护 06运动生化与分子生物学 07运动营养与健康 二、陕西师范大学运动人体科学考研科目有哪些？ 陕西师范大学运动人体科学考研科目有： ①101思想政治理论 ②201英语一 ③728运动生理学与运动训练学 复试内容： 专业笔试（150分）： 运动生物化学、运动解剖学、体育保健学 专业综合（100分） 外语听力及口语（50分） 三、陕西师范大学运动人体科学考研参考书目有哪些？ 728运动生理学与运动训练学： 邓树勋、王健、乔德才主编：《运动生理学》，高等教育出版社，2005年7月。田麦久主编：《运动训练学》，高等教育出版社，2006-2008年历年版。 运动生物化学、运动解剖学、体育保健学： 《运动生物化学》，张蕴琨、丁树哲主编，高等教育出版社，2006年第1版。《运动解剖学》，李世昌主编，高等教育出版社，2006年第1版。 《体育保健学》，姚鸿恩主编，高等教育出版社，2006年第4版。 建议考生及时登陆陕西师范大学学校官方网站关注有关陕西师范大学运动人体科学考研参考书目的最新考研资讯。 四、运动人体科学专业研究生毕业就业方向有哪些？ 运动人体科学专业研究生毕业就业方向主要为教学单位、体育科研机构、运动训练基地、保健康复和健身俱乐部、体育器材公司等部门，从事运动人体科学方面的教学、科学研究，以及指导运动训练、保健康复和全民健身、器械推广等工作。 五、运动人体科学考研推荐院校有哪些？ 1北京体育大学、2华东师范大学、3上海体育学院、4华南师范大学、5武汉体育学院、6北京师范大学、7清华大学、8福建师范大学、9苏州大学、10天津体育学院、11沈阳体育学院、12吉首大学、13华中师范大学、14四川大学、15广州体育学院、16成都体育学院、17集美大学、18陕西师范大学、19湖北大学、20浙江大学。 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 一、名词： 相图：表示合金系中的合金状态与温度、成分之间关系的图解。 匀晶转变：从液相结晶出单相固溶体的结晶过程。 平衡结晶：合金在极缓慢冷却条件下进行结晶的过程。 成分起伏：液相中成分、大小和位置不断变化着的微小体积。 异分结晶：结晶出的晶体与母相化学成分不同的结晶。 枝晶偏析：固溶体树枝状晶体枝干和枝间化学成分不同的现象。 共晶转变：在一定温度下，由—定成分的液相同时结晶出两个成分一定的固相的转变过程。 脱溶：由固溶体中析出另一个固相的过程，也称之为二次结晶。 包晶转变：在一定温度下，由一定成分的固相与一定成分的液相作用，形成另一个一定成分的固相的转变过程。 成分过冷：成分过冷：由液相成分变化而引起的过冷度。 二、简答： 1. 固溶体合金结晶特点？ 答：异分结晶；需要一定的温度范围。 2. 晶内偏析程度与哪些因素有关？ 答：溶质平衡分配系数k0；溶质原子扩散能力；冷却速度。 3. 影响成分过冷的因素？ 答：合金成分；液相内温度梯度；凝固速度。 三、书后习题 1、何谓相图？有何用途？ 答：相图：表示合金系中的合金状态与温度、成分之间关系的图解。 相图的作用：由相图可以知道各种成分的合金在不同温度下存在哪些相、各个相的成分及其相对含量。 2、什么是异分结晶？什么是分配系数？ 答：异分结晶：结晶出的晶体与母相化学成分不同的结晶。 分配系数：在一定温度下，固液两平衡相中溶质浓度之比值。 3、何谓晶内偏析？是如何形成的？影响因素有哪些？对金属性能有何影响，如何消除？ 答：晶内偏析：一个晶粒内部化学成分不均匀的现象 形成过程：固溶体合金平衡结晶使前后从液相中结晶出的固相成分不同，实际生产中，液态合金冷却速度较大，在一定温度下扩散过程尚未进行完全时温度就继续下降，使每个晶粒内部的化学成分布均匀，先结晶的含高熔点组元较多，后结晶的含低熔点组元较多，在晶粒内部存在着浓度差。 影响因素：1）分配系数k0：当k0<1时，k0值越小，则偏析越大；当k0>1时，k0越大，偏析也越大。2）溶质原子扩散能力，溶质原子扩散能力大，则偏析程度较小；反之，则偏析程度较大。3）冷却速度，冷却速度越大，晶内偏析程度越严重。 对金属性能的影响：使合金的机械性能下降，特别是使塑性和韧性显著降低， 体育教育训练学是2003年国务院学位委员会批准的硕士学位授予点，依托浙江省财政厅“运动人体科学专项实验室”、国家体育总局“水上运动科学重点实验室”、宁波市教育系统“健康体适能测试中心”和宁波市重点学科“体育教育训练学”。 学位点涵盖了运动机（技）能测量评价与运动装备研发、运动训练理论与实践和体育资源开发与应用三大模块。与国家体育总局运动项目管理中心、浙江省体育局和国内知名体育用品企业建立了稳定持久的合作关系，在运动（技）机能测量评价与运动装备研发、运动训练理论与实践、体育教学改革与发展三大领域的研究成果达到国内先进水平。 体育教育训练学 2012年考研云南师范大学体育学专业基础综合(运动生理学、运动解剖学)专业课高分基础资料 1、运动生理学 （参考书目：《运动生理学》，王瑞元主编，人民体 育出版社，2002年） 2、1、运动生理学 （参考书目：《运动生理学》，王瑞元主编，人民体 育出版社，2002年） 3、专业课高分基础资料 3、云南师范大学2011年硕士研究生复试加试科目表 一、985定义： 985工程”就是“世界一流大学建设项目”。 1998年5月4日，时任总书记的江泽民在北京大学建校100周年庆祝大会上指出：“为了实现现代化，我国要有若干所具有世界先进水平的一流大学。”他说：“这样的大学，应该是增强和造就高素质的创造性人才的摇篮，应该是认识未知世界、探求客观真理、为人类解决面临的重大课题提供科学依据的前沿，应该是知识创新、推动科学技术成果向现实生产力转化的重要力量，应该是民族优秀文化与世界先进文明成果交流借鉴的桥梁。” 1998年12月24日，教育部制订了《面向21世纪教育振兴行动计划》，明确提出要“创建若干所具有世界先进水平的一流大学和一批一流学科”，简称“985工程”。“985工程”建设的总体思路是：以建设若干所世界一流大学和一批国际知名的高水平研究型大学为目标，建立高等学校新的管理体制和运行机制，牢牢抓住本世纪头20年的重要战略机遇期，集中资源，突出重点，体现特色，发挥优势，坚持跨越式发展，走有中国特色的建设世界一流大学之路。“985工程”领导小组组长由教育部部长周济担任，“985工程”建设工作小组组长由教育部副部长吴启迪担任。在“211工程”的基础上，根据我国国防、民用，东、中、西部协调发展的原则而筛选出来列入“985工程”的大学全国不到40所，上海为复旦大学、上海交通大学、同济大学3所。 据悉，“985工程”二期（2004－2007）建设目标是巩固一期建设成果，为创建世界一流大学和一批国际知名的高水平研究型大学进一步奠定坚实基础，使一批学科达到或接近国际一流学科水平，经过更长时间的努力，建成若干所世界一流大学。 二、“985工程”高校名单 一期名单：（34所） 清华大学 北京大学 中国科技大学 南京大学 复旦大学 上海交通大学 西安交通大学 浙江大学 哈尔滨工业大学 西北工业大学 大连理工大学 北京航空航天大学 南开大学 天津大学 东南大学 1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA 变为2mA，那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降 UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。 选择一个合适的答案填入空。 （1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈；【】 A.2V B.3V C.6V U ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW， （2）当 i 则输出电压的幅值将；【】 A.减小 B.不变 C.增大 U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大（3）在 i 输入电压，则输出电压波形将；【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 （4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。【】 A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】 A．输入电阻增大B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。【】 A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】 2009年硕士研究生入学考试材料科学基础试题... 西北工业大学 2009年硕士研究生入学考试试题 试题名称：材料科学基础（B 卷） 试题编号：832 说 明：所有答题一律写在答题纸上 第 1 页 共 3 页 1. 简答题（每题10分，共60分） 1. 在位错发生滑移时，请分析刃位错、螺位错和混合位错的位错线l 与柏氏矢量b 、外加切应力τ与柏氏矢量b 、外加切应力τ与位错线l 之间的夹角关系，及位错线运动方向。（请绘表格作答，答案务必写在答题册上） 2. 什么是置换固溶体？影响置换固溶体溶解度的因素有哪些？形成无限固溶体的条件是什么？ 3. 置换扩散与间隙扩散的扩散系数有何不同？在扩散偶中，如果是间隙扩散，是否会发生柯肯达尔效应？为什么？ 4. 在室温下对铁板（其熔点为 1538℃ ）和锡板（其熔点为 232℃ ），分别进行来回弯折，随着弯折的进行，各会发生什么现象？为什么？ 5. 何为固溶强化？请简述其强化机制。 6. 请比较二元共晶转变与包晶转变的异同。 二、作图计算题（每题10分，共40分） 混合位错 螺位错 刃位错 位错线运动 方向 τ与 l τ 与 b b 与 l 类型 1.请比较FCC晶体中和两位错的畸变能哪个较大。 2.面心立方晶体沿[001]方向拉伸，可能有几个滑移系开动？请写出各滑移系指 数，并分别绘图示之。 3.在Al单晶中，（111）面上有一位错，面上另一位错 。若两位错发生反应，请绘出新位错，并判断其性质。 4. 请分别写出立方晶系中{110}和{100}晶面族包括的晶面。 1)综合分析题（每题25分，共50分） 1. 请分析影响回复和再结晶的因素各有哪些，以及影响因素的异同，并请分析其原因。 23 35 ℃ ℃ ℃ ℃℃℃ 北京体育大学612运动生理学及运动解剖学2010年硕士研究生入学考试试题 运动人体科学专业 注意：考生需将本试题答案写在试题纸上，写在答题纸上无效 第一部分运动生理学（150分） 一、名词解释（共5题，6×5≒30分） 1、新陈代谢 2、姿势反射 3、时间肺活量 4、心电图 5、有氧代谢 二、简答题（共3题，20×3≒60分） 1、少年儿童疲劳的特点。 2、青少年的四大系统特点。 3、什么是运动后过量氧耗？与氧亏的区别是什么？ 三、论述题（共2题，30×2≒60分） 4、人体的内分泌机能对运动能力的影响。 5、最大摄氧量的测试方法。 第二部分运动解剖学（150分） 一、名词解释（共5题，6×5≒30分） 1、足关节 2、迷走神经 3、固定工作和加固工作 4、骨松质和骨密质 5、微循环 二、简答题（共3题，20×3≒60分） 1、少年儿童骨的特点及训练时应注意的地方。 2、.肘关节的构造及前臂回旋、旋转运动时的结构基础。 3、躯干运动肌肉的分布和功能。 三、论述题（共2题，30×2≒60分） 1、什么是肌肉工作条件，包括那些？举例说明肌肉工作条件在动作解剖学分析时的应用。 2、视觉产生的途径、视觉的调节、保障机制，并写出排球运动中从发现来球到出手击球的过程的神经传导通路 北京体育大学612运动生理学及运动解剖学2010年硕士研究生入学考试试题参考答案 第一部分运动生理学（150分） 一、名词解释（共5题，6×5≒30分） 1、新陈代谢（绪论） 是生物体自我更新的最基本的生命活动过程。 2、姿势反射（八） 在身体活动过程中，中枢不断地调整不同部位骨骼肌的张力，以完成各种动作，保持或变更躯体各部分的位置，这种反射活动称姿势反射。 3、时间肺活量：在最大吸气之后，以最快速度进行最大呼气，记录在一定时间内所能呼出的气量，称为时间肺活量。时间肺活量是一个评价肺通气功能较好的动态指标，它不仅反映肺活量的大小，而且还能反映肺的弹性是否降低、气道是否狭窄、呼吸阻力是否增加等情况。 4、心电图：用引导电极置于肢体或躯体的一定部位记录出来的心脏电变化曲线称心电图（ECG）。心电图反映心脏兴奋的产生、传导和恢复过程中的生物电变化，它与心脏的机械收缩活动无直接关系。分析研究心电图对了解心脏活动情况和诊断心脏疾病具有重要价值。 5、有氧代谢： 有氧代谢是指以增强人体吸入、输送与使用氧气为目的的耐久性运动。在整个运动过程中，人体吸入的氧气大体与需要的氧气相等。有氧代谢运动的特点是强度低、有节奏、不中断，持续时间长，而且方便易行，容易坚持。 有氧代谢运动种类繁多，如：步行、慢跑、走跑交替、长时间游泳、骑自行车、滑冰、越野滑雪、划船、跳绳、上下楼梯、步行、健身舞以及多种球类活动等。 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。 材料科学基础习题 叶荷 11 及材料班2013-1-10 第三章二元合金相图和合金的凝固 一、名词：相图：表示合金系中的合金状态与温度、成分之间关系的图解。匀晶转变：从液相结晶出单相固溶体的结晶过程。 平衡结晶：合金在极缓慢冷却条件下进行结晶的过程。 成分起伏：液相中成分、大小和位置不断变化着的微小体积。 异分结晶：结晶出的晶体与母相化学成分不同的结晶。 枝晶偏析：固溶体树枝状晶体枝干和枝间化学成分不同的现象。共晶转变：在一定温度下，由—定成分的液相同时结晶出两个成分一定的固相的转变过程。 脱溶：由固溶体中析出另一个固相的过程，也称之为二次结晶。 包晶转变：在一定温度下，由一定成分的固相与一定成分的液相作用，形成另一个一定成分的固相的转变过程。 成分过冷：成分过冷：由液相成分变化而引起的过冷度。 二、简答： 1. 固溶体合金结晶特点？答：异分结晶；需要一定的温度范围。 2. 晶内偏析程度与哪些因素有关？ 答：溶质平衡分配系数ko；溶质原子扩散能力；冷却速度。 3. 影响成分过冷的因素？ 答：合金成分；液相内温度梯度；凝固速度。 4. 相图分折有哪几步？答：以稳定化合物为独立组元分割相图并分析；熟悉相区及相；确定三相平衡转变性质。 三、绘图题 绘图表示铸锭宏观组织三晶区。 四、书后习题 1、何谓相图？有何用途？ 答：相图：表示合金系中的合金状态与温度、成分之间关系的图解。 相图的作用：由相图可以知道各种成分的合金在不同温度下存在哪些相、各个相的成分及其相对含量。 2、什么是异分结晶？什么是分配系数？答：异分结晶：结晶出的晶体与母相化学成分不同的结晶。 分配系数：在一定温度下，固液两平衡相中溶质浓度之比值。 考研专业解析：运动人体科学考研 日常我们总是把对2015考研专业的关注目光放在诸如科研、金融、法律、语言等方面，其实体育学考研也是考研的一大方向，下面凯程小编针对体育生考研专业从专业概况、就业前景、专家建议三大方面做以分析整理分享给广大考生。 一、专业概况 运动人体科学主要研究体育运动与人的机体相互关系及其规律，从生物学的角度分析人体与运动的关系，也是一门研究关于养生与运动关系的学科。该专业对研究生的培养特点是专业性较强，要求对人体运动体系的理论和知识有深层次的了解，并能针对不同类型的人群体质策划培养和康复计划等。 运动人体科学下设运动生物力学、运动生理学、运动训练与营养、体质与健康、运动损伤与康复、运动解剖学、运动与适应、人体机能评定、体育保健学、运动生物化学、高原训练的医务监督、运动医学等研究方向。 二、就业前景 1.体育竞技专职人员 可以选择进入竞技运动训练基地、运动队等从事医疗保健工作，为运动训练服务，保证训练的正常进行，同时也可兼任一定科研工作。 除了运动员、教练员之外，训练中最重要的就是队医的工作，具体包括运动员的营养师、药剂师、理疗师、保健师、医务监督人员等。 2.体育院类教师校师范人员 工作性质来看，主要进入各级教学单位(主要是大、中专院校)，从事运动人体科学专业教学工作。教书育人是社会层次较高的职业，生活相对稳定和自由，也比较受人尊敬。 偏向理科的专业性质使其教学的条理性比其他3个专业清晰，系统性比较强。 3.体育综合人员 随着全民健身活动的开展，人们的生活方式、消费观念都发生了很大改变，因而到高级宾馆、饭店、俱乐部及体育健身场所从事机能测试和评定、运动健身指导和营养指导工作也成为一种不错的就业选择。而从目前状况来看，各健身中心健身设备先进完备，健身教练也不少，健康指导却十分缺乏。因而运动人体科学专业人才将会得到较大的发展，收入不低。 4.其他 此专业毕业生还可以进入军队系统。或者进入体育科研机构(主要是国家体委科研所，各省市、自治区的体育科研所等)，主要任务就是做科研，并将研究成果应用于体育运动实践。 该专业科研工作的实践性比较强，与社会需要紧密相联。 三、专家建议 运动人体科学的优势在于专业性强、起点高、待遇优厚。越来越多的理科和医科的考研生选择在该专业进修深造，因为该专业与医科和理科在学习内容上有一些共同性，学起来相对容易，在竞争中占有优势。 同时，有的院校还有一些相应的优惠政策，如南京体育学院的运动人体科学专业在招生时，对有生物、医学教育背景的考研生在同等条件下优先录取。 二O 一二年招收硕士研究生入学考试试题 考试科目及代码： 材料科学基础810 可使用的常用工具：（计算器、尺和量角器） 答题内容写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上一律无效考完后试题随答题纸交回。 考试时间3小时，总分值150分。 姓 名： 报考学科、专业： 准考证号码： 密封线内不要写题 计算简单立方晶体中（110）和（121）的面间距。（材控专业10已知纯铝（fcc）τc=0.79Mpa，使()111面产生[101]方向的滑移，需在上施加多大的力？（8分） 1 、2和3题，共26分；其他专业只有2题不做，共 什么是单滑移、多滑移和交滑移？滑移在抛光金属表面留下线， 晶体错动留下台阶是怎样形成？（10分） 如右图一楔型纯铜铸锭，经连轧机组轧制成板材后，其 0，右边为60%。然后将板带进行再结晶退火 后，画出最终晶粒示意图，并分析退火对板带的加工性能和 力学性能带来的变化？（6分） 二O一二年招收硕士研究生入学考试试题参考答案 考试科目及代码： 材料科学基础810 适用专业：材料学、材料加工学、等离子物理和材料物理与化学 一、名词解释，24分 （材料加工学任选6题，每题4分，其他专业任选8题，每题3分） 1、晶格：晶体中原子（或离子、分子、原子集团）在三维空间有规律的周期性的重复排列，若假想用三组平行直线将它们几何中心连接，这些直线所形成的空间格子。 2、配位数：晶体结构中，与任一原子最近邻并且等距离的原子数。 3、成分过冷：由于溶液中溶质分布的变化，改变了熔点，从而产生的过冷称为成分过冷。 4、离异共晶：当合金成分偏离共晶成分很远时，在不平衡凝固时会形成两相分离的共晶组织，称为离异共晶。 5、位错密度：单位体积晶体中位错线的总长度。 6、枝晶偏析：金属与合金凝固时固相以枝晶方式生长，使晶内高次枝晶与低次枝晶部成分不均匀的现象。 7、柏氏矢量：代表位错畸变总量和方向的矢量 8、取向因子：当晶体受到外力时，如果外力轴与滑移面法线夹角为ψ，与滑移方向夹角为λ，则cosλcosψ称为取向因子。 9、再结晶温度：通常把再结晶温度定义为经过严重冷变形的金属（ε>70%），加热1小时，再结晶体积占到总体积的95%的温度。 10、加工硬化：金属材料在再结晶温度以下塑性变形时，由于晶粒发生滑移，出现位错的缠结，使晶粒拉长、破碎和纤维化，使金属的强度和硬度升高，塑性和韧性降低的现象。 11、动态回复：热加工时由于温度很高，金属在变形的同时发生回复，同时发生加工硬化和软化两个相反的过程。这种在热变形时由于温度和外力联合作用下发生的回复过程称为“动态回复”。 12、间隙扩散：扩散原子在点阵的间隙位置之间跳迁而导致的扩散。间隙固溶体中溶质原子半径较小，间隙位置数目较多，易发生间隙扩散。 二、填空题（1×20＝20分） 1、14，7， 2、空位，间隙原子，温度 3、粗糙，光滑 4、温度，成分，0 5、{110}，<111>，12 6、切过，绕过 7、化学位梯度，冷变形产生的储存能的释放，晶粒长大前后的界面能差 8、平行，直线 9、激冷细小等轴晶区，柱状晶区，粗大等轴晶区 10、f=C-P+1 三、画图题（材料加工44分，其他专业40分） 北京体育大学04-09年运动人体科学专业的真题 04年 生理： 名词解释：兴奋收缩耦连局部兴奋有效过滤压 简答：1。比较原发性主动转运和继发性主动转运 2。简述组织或细胞兴奋及恢复过程中兴奋行变化的特点 3。简述心脏异常调节的作用 论述：1。用实验的方法具体分析生理学的研究水平有整体水平，器官水平，细胞水平和分子水平 2。你是如何认识人体的基本生理特点与体育的关系 解剖： 名词解释：腱鞘和肌腱袖骨盆气血屏障和滤血屏障侧枝循环和微循环迷路和壶腹嵴 简答：1。试从解剖学角度简述骨质的年龄变化及其在实际运动中应注意的问题 2。简述视网膜的构造，并说明黄斑和中央凹处感觉最敏锐的结构基础 3。简述自主神经的概念，结构与分布特征及其功能 4。简述内分泌系统与神经系统在作用方式上的区别和联系 论述：1。举例详细说明运动技术动作的解剖学分析全过程并阐述体育实践中此方法如何与专项力量的训练相结合2。试述心脏各腔的形态和结构特征，并详述心脏内所有防止血液逆流结构的构造特征和作用机理 3。试述脊髓的结构与功能并说明脊髓处于中枢神经系统较低级部位却对人体起至关重要作用的原因 05年： 生理： 名词解释：生物节律基础代谢呼吸熵新陈代谢反射弧 简答：1。简述血脑脊液屏障和血脑屏障 2。简述血浆渗透压的形成和作用 3。简述含氮类激素的作用机理 试述：1。试述心血管活动是如何调节的 2。试述细胞的生物电现象及其产生机理 解剖： 名词解释：关节面软骨和关节内软骨多关节肌功能性“被动不足”和运动杠杆 房水循环和脑脊液循环本体感受器和Corti器下丘脑和神经垂体 简述：1。简述足弓的构造和功能并说明静止站立时运动时维持足弓的结构 2。简述肌肉的大体构造并说明通过改善肌肉的哪些结构可以有助于提高肌肉的力量 3。简述腹膜和腹膜腔的结构和功能，并举例说明其与腹盆腔脏器的关系 4。简述大脑皮质技能中枢的概念并举例说明大脑各皮质技能中枢的位置与其功能的对应关系 论述：1。请任选一个运动项目，为该项目设计发展专项肌肉力量的辅助练习，并通过该项目某个具体动作进行解剖学分析，说明设计依据 2。试述控制、调节和营养心肌的结构和构造特点以及各结构间的相互关系 3。综合分析中枢神经系统中控制与调节躯体运动的具体结构名称、位置和功能 06年： 生理： 名词解释：心指数等渗溶液氧脉搏代谢当量超量恢复 简答：1。简述肌电图在体育科学中的应用 2。简述正常情况下心脏兴奋传导的途径 3。简述骨骼肌不同收缩形式的力量比较 4。简述高原应激对机体心肺功能的影响 论述：1。试述骨骼肌收缩机制与收缩速度和力量的关系 2。试述有氧耐力与循环句能的关系 3。试述运动恢复的生理特点 解剖： 名词解释：骨盆睫状体和晶状体硬脑膜窦和冠状窦 简答：1。简述影响肌肉力量的解剖因素及发展肌肉力量的方法 2。试比较肝、肺、肾血管分布的异同点 3。简述心壁的构造、功能及体育锻炼对其的影响 论述：1。试述确定原动肌的方法并举例说明运动技术动作解剖学分析的具体过程及其意义 2。综合分析锥体系和锥体外系的概念、组成及其对躯体运动的调节功能并说明二者之间的区别 07年 名词解释： 生理： 名词解释：运动单位运动性心脏肥大最大摄氧量乳酸阈进入工作状态 电子电工专业试卷 说明：本试卷分第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，第Ⅰ卷XXX页，第Ⅱ卷XXX页。两卷满分为100分，考试时间120分钟。Ⅰ卷答案涂在答题卡上，Ⅱ卷答案写在试卷上。 第Ⅰ卷（选择题，共35分） 注意事项： 每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。 一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。） 1、半导体二极管加正向电压时，有（） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（） A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（） A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（） A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（） A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（） A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（） 图2 A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（） A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) 2004年西北工业大学硕士研究生入学试 题 一、简答题：（共40分，每小题8分） 1、请简述间隙固溶体、间隙相、间隙化合物的异同点？ 2、请简述影响扩散的主要因素有哪些。 3、临界晶核的物理意义是什么？形成临界晶核的充分条件是什么？ 4、有哪些因素影响形成非晶态金属？为什么？ 5、合金强化途径有哪些？各有什么特点？ 二、计算、作图题：（共60分，每小题12分） 1、求]111[和]120[两晶向所决定的晶面，并绘图表示出来。 2、氧化镁（MgO ）具有NaCl 型结构，即具有O 2-离子的面心立方结构。问： （1） 若其离子半径+2Mg r =0.066nm ，-2O r ＝0.140nm ，则其原子堆积密度 为多少？ （2） 如果+2Mg r /-2O r ＝0.41，则原子堆积密度是否改变？ 3、已知液态纯镍在1.013×105 Pa （1大气压），过冷度为319 K 时发生均匀形核，设临界晶核半径为1nm ，纯镍熔点为1726 K ，熔化热ΔH m ＝ 18075J/mol ，摩尔体积V s ＝6.6cm 3/mol ，试计算纯镍的液－固界面能和临 界形核功。 4、图示为Pb-Sn-Bi 相图投影图。问： （1）写出合金Q （w Bi ＝0.7，w Sn ＝0.2）凝固过程及室温组织； （2）计算合金室温下组织组成物的相对含量。 5、有一钢丝（直径为1mm ）包复一层铜（总直径为2mm ）。若已知钢的屈服强度σst ＝280MPa ，弹性模量E st ＝205GPa ，铜的σCu ＝140MPa ，弹性模量 E Cu ＝110GPa 。问： （1）如果该复合材料受到拉力，何种材料先屈服？ （2）在不发生塑性变形的情况下，该材料能承受的最大拉伸载荷是多 少？ （3）该复合材料的弹性模量为多少？ 三、综合分析题：（共50分，每小题25分） 1、某面心立方晶体的可动滑移系为]101[ )111(、 。 （1） 请指出引起滑移的单位位错的柏氏矢量； （2） 若滑移由刃位错引起，试指出位错线的方向； （3） 请指出在（2）的情况下，位错线的运动方向； （4） 假设在该滑移系上作用一大小为0.7MPa 的切应力，试计算单位 刃位错线受力的大小和方向（取点阵常数为a ＝0.2nm ）。 2、若有，某一Cu-Ag 合金（w Cu ＝0.075，w Ag ＝0.925）1Kg ，请提出一种方案 从该合金中提炼出100g 的Ag ，且要求提炼得到的Ag 中的Cu 含量w Cu 低于0.02。（假设液相线和固相线固相线均为直线）。 2005年西北工业大学硕士研究生入学 试题 一、简答题（每题8分，共40分） 1. 请简述二元合金结晶的基本条件有哪些。 2. 同素异晶转变和再结晶转变都是以形核长大方式进行的，请问两者之间有何差别？ 3. 两位错发生交割时产生的扭折和割阶有何区别？ 4. 请简述扩散的微观机制有哪些？影响扩散的因素又有哪些？ 5. 请简述回复的机制及其驱动力。 电子科技大学20 -20 学年第 学期期 考试 卷 课程名称：_________ 考试形式： 考试日期： 20 年 月 日 考试时长：____分钟 课程成绩构成：平时 10 %， 期中 10 %， 实验 %， 期末 80 % 本试卷试题由___2__部分构成，共_____页。 一、填空题（共20分，共 10题，每题2 分） 1. 设随机过程0()cos(),X t A t t ω=+Φ-∞<<∞，其中0ω为常数，A Φ和是相互独立的随机变量， []01A ∈，且均匀分布，Φ在[]02π，上均匀分布，则()X t 的数学期望为： 0 2. 已知平稳随机信号()X t 的自相关函数为2()2X R e ττ-=，请写出()X t 和(2)X t +的协方差12-e 3. 若随机过程()X t 的相关时间为1τ，()Y t 的相关时间为2τ，12ττ>，则()X t 比()Y t 的相关 性要__大___,()X t 的起伏特性比()Y t 的要__小___。 4. 高斯随机过程的严平稳与___宽平稳_____等价。 5. 窄带高斯过程的包络服从___瑞利___分布，相位服从___均匀___分布，且在同一时刻其包络和相 位是___互相独立___的随机变量。 6. 实平稳随机过程的自相关函数是___偶____（奇、偶、非奇非偶）函数。 7. 设)(t Y 是一均值为零的窄带平稳随机过程，其单边功率谱密度为)(ωY F ，且0()Y F ωω-为一偶函 数，则低频过程)()(t A t A s c 和是___正交___。 二、计算题（共80分） 1. (16分)两随机变量X 和Y 的联合概率密度函数为(,)=XY f x y axy ，a 是常数，其中0,1x y ≤≤。求： 1) a ; 2) X 特征函数； 3) 试讨论随机变量X 和Y 是否统计独立。 解：因为联合概率密度函数需要满足归一性，即 （2分） 11 00 1 1 1(,)124 XY f x y dxdy Axydxdy A xdx ydy A ∞∞ -∞-∞= ===?? ????（分） 所以4A = （1分） X 的边缘概率密度函数： 1 ()4201X f x xydy x x ==≤≤? （2分） 所以特征函数 1 1 02 ()2()2122 12j X X j x X j x j x j x j j E e f x e dx xe dx e xe j j e j e ωωωωωωω φωωωωω∞ -∞??=?? ==?? =-??????= --??? ?（分） （分）（分） 容易得1 ()4201Y f y xydx y y ==≤≤? 则有 (,)()()XY X Y f x y f x f y = （2分） 因此X 和Y 是统计独立。 （2分） 2. (12分)设随机过程()0xt X t e t -=<<∞，其中x 在(]0,2π均匀分布，求： 1) 求均值()X m t 和自相关函数(,)X R t t τ+；陕西师范大学运动人体科学考研
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