诚信应考 考出水平 考出风格 浙大城市学院期末试卷 课程名称：《模拟电子技术基础》 开课单位：信电分院 ；考试形式：闭卷；考试时间： 年 月 日；所需时间：120分钟 题 序 第1题 第2题 第3题 第4题 第5题 第6题 第7题 第8题 得分 总得分 参考答案及评分标准 评阅人签名 **************************************************************************** 得分 一．填空题（本大题共 5 题，每题 4 分，共 20 分） 1． 半导体器件中有二种载流子，分别是 自由电子 和 空穴 ； 掺杂半导体可分为P 型和N 型两种，其中对于N 型半导体中的多数载流子是 自由电子 ，它由本征半导体掺入 五 价元素形成。 2． 双极型晶体管是由两个PN 结紧密排列组成的，它可以分为两种类型， 即 NPN 和 PNP 。双极型晶体管的工作模式可分为放大模式、饱和模式与截止模式，它由晶体管的PN 结偏置决定。当晶体管工作在放大模式时，要求晶体管的发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。 3． 场效应晶体管的转移特性曲线()GS D v i ~如图1-3所示。试问①号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 N 沟道耗尽型MOSFET ，它对应的开启（阈值）电压()th G S V = -1V 。②号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 P 沟道结型场效应管 ，它对应的电流DSS I = 2mA 。（注：DSS I 为()off G S G D G S V V V ==且0时的漏极电流） 。 4． 图1-4为某多级放大电路，其中各级放大器的增益、输入阻抗、输出 阻抗如图中所示，则多级放大器的总增益i o V v v A = = A V1A V2A V3 ，输入阻抗i R = R i1 ，输出阻抗o R = R o3 。多级放大电路 年级：_____________ 专业：_____________________ 班级：_________________ 学号：_______________ 姓名：__________________ …………………………………………………………..装………………….订…………………..线……………………………………………………… 0 1 1 -1 ① 2 2 3 D / 图 1-3 mA i D /V v GS /②
复 习 1. 一个CMOS 与非门的延迟时间为10ns ，那么由CMOS 组成的与缓冲器的延迟为多少ns ？ （a ）5 ns （b ）10 ns （c ）15 ns （d ）20 ns （e ）30 ns 2. 请看图3由CMOS 非门和与非门构成的电路，每个门的延迟时间为15 ns 。在输入端提供一脉冲，一个周期为200 ns ，占空比为60%，请问下列情况： 电路功能 ，输出一个周期为 ，占空比为 。 3. 请参看图4，试叙述电路工作原理，并说明电路功能。 4. 有四个J-K 触发器，R 和S 无效，J 和K 接高电平，第一个J-K 触发器的时钟接在外加时钟信号，第一个的输出Q 端作为第二个J-K 触发器的时钟，第二个的输出Q 端作为第三个J-K 触发器的时钟，第三个的输出Q 端作为第四个J-K 触发器的时钟，且每个J-K 触发器时钟为低电平有效，问电路完成什么功能？ 。若每个J-K 触发器时钟为高电平有效，问电路又完成什么功能？ 。 5. 请参看图5，试叙述电路工作原理，并说明电路功能。 图 3 OUT CLK BCD 码A 3A 2A 1A 0=0000（MSB …LSB ） BCD 码B 3B 2B 1B 0=1000（MSB …LSB ） 图 4
6. 请写出下列英文缩写的英文全称。 （1） ASCII ： （2） FPGA ： （3） VHDL ： （4） BCD ： （5） DRAM ： 7．图6方框图表示双极型TTL 工作电压的三个范围，如果规定正逻辑，请在适当的位置标出逻辑1、逻辑0和未定义逻辑区。 图 5 CLK 5.0V 3.5V 1.5V 0.0V 图 6
第5章习题 5-1常用的电流源有哪几种？各有什么特点？试举例说出几个电流源应用的实例。 5-2描述差分放大器的电路组成结构、工作原理，说明其对巩膜信号的抑制及对差模信号放大作用？ 5-3长尾式差分放大器的拖尾电阻有何作用？如改变其大小，则差分放大器的性能如何变化？ 5-4带有理想电流源的差分放大电路中的电流源有何作用？ 5-5 对比差分放大器和单管共射极放大器的放大倍数，可以得到哪些异共同点？ 5-6 常用哪些指标来表征差分放大器的性能？试推导其表达式。 5-7 多级放大器之间有几种常用的偶合方式？各有什么特点？ 5-8 多级放大器分析计算的一般步骤？多级放大器有哪描述其特点的指标？ 5-9 通常模拟集成运算放大器内部由几部分组成？各有什么特点？ 5-10判断题 (1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立，它只能放大交流信号。 (2)共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。 (3)对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发射极电阻Re 一概可视为短路。 (4)在长尾式差分放大电路单端输入情况时，只要发射极电阻Re 足够大，则Re 可视为开路。 (5)带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。 (6)一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。5-11填空题1 (1)放大电路产生零点漂移的主要原因是。 (2)在相同的条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路。这是由于。 (3)差动放大电路是为了而设置的，它主要通过 来实现。 (4)在长尾式差动电路中，R e的主要作用是。
实验报告 课程名称：电路与模拟电子技术实验指导老师：楼珍丽成绩： 实验名称：三极管共射放大电路实验实验类型：同组学生姓名： 输入、输出电阻测量原理图： Rb120.642k Rb212k Rc 1k Re 750 RL 1k C122u C222u Ce 100u v 1 15Vdc out V2 FREQ = 1k VAMPL = 10mv VOFF = 0AC = 1v Q1 Q2N3904 in Vdc Vdc
四、实验须知： 五、实验步骤：
1. 静态工作点的测量和调整 （理论估算时β=100~200，r bb'=200Ω，K1：）： V CC =15V 2. 测量放大电路的电压放大倍数A v ： 在下面的坐标系中画出相应的波形： （CH1-Vs ；CH2-Vo ） V BQ (V) V BEQ (V) V CEQ (V) I CQ (mA) 理论估算值 5.24 0.713 4.473 6 测量值 5.12 0.59 4.47 6 测试条件 实测值(有效值) 理论值 V s （mV ） V i （mV ） V o （V ） A v A v R L =∞ 9.89 10 1.87 187 149 R L =1k Ω 9.78 10 0.955 95.5 76.5
3.测量输入电阻R i (R L=1 kΩ)： 输入电阻（实测值）理论值 V s (mV) V i(mV) R i(kΩ) R i(kΩ) 50 9.2 1.15 0.975 4.测量输出电阻R o： 输出电阻（实测值）理论值 V o’(V) V o(V) R o(kΩ) R o(kΩ) 1.87 0.955 0.958 0.948 5.测量上限频率和下限频率 (R L=∞)：
第二篇 第3章习题 题2.3.1 某集成运放的一个偏置电路如图题2.3.1所示，设T 1、T 2管的参数完全相同。问： (1) T 1、T 2和R REF 组成什么电路？ (2) I C2与I REF 有什么关系？写出I C2的表达式。 图题2.3.1 解：(1) T 1、T 2和R 2组成基本镜像电流源电路。 (2) I C2与参考电流I REF 相同，REF BE CC REF C R V V I I -= =2 题2.3.2 在图题2.3.2所示的差分放大电路中，已知晶体管的β =80，r be =2 k Ω。 (1) 求输入电阻R i 和输出电阻R o ； (2) 求差模电压放大倍数vd A 。 图题 2.3.2 解：(1) 该电路是双端输入双端输出电路，所以差模输入电阻：
1.4)05.02(2)(2=+?=+=e be i R r R k Ω 差模输出电阻为：R o =2R c =10 k Ω (2) 差模电压放大倍数为：66 05 .0812580)1(-=?+?- =β++β-=e be c vd R r R A 题2.3.3 在图题2.3.3所示的差动放大电路中，设T 1、T 2管特性对称，β1=β2=100，V BE =0.7V ，且r bb ′=200Ω，其余参数如图中所示。 (1) 计算T 1、T 2管的静态电流I CQ 和静态电压V CEQ ，若将R c1短路，其它参数不变，则T 1、T 2管的静态电流和电压如何变化？ (2) 计算差模输入电阻R id 。当从单端（c 2）输出时的差模电压放大倍数2d A =?； (3) 当两输入端加入共模信号时，求共模电压放大倍数2 c A 和共模抑制比K CMR ； (4) 当v I1=105 mV ，v I2=95 mV 时，问v C2相对于静态值变化了多少？e 点电位v E 变化了多少？ 图题2.3.3 解：(1) 求静态工作点： mA 56.010 2101/107122)1/(1=?+-= +β+-= e b BE EE CQ R R V V I V 7.07.010100 56.01-≈-?- =--=BE b BQ E V R I V V 1.77.01056.012=+?-=--=E c CQ CC CEQ V R I V V 若将R c1短路，则 mA 56.021==Q C Q C I I （不变） V 7.127.0121=+=-=E CC Q CE V V V
考研《数字电子技术》考试大纲 暨南大学2016考研《数字电子技术》考试大纲 Ⅰ、考查目标 1.考查考生对数字电路的基本概念和基本定理的理解程度; 2.考查考生应用数字电路的基本原理和方法对组合逻辑电路、时序逻辑电路进行分析和设计的能力; 3.考查考生对脉冲电路、A/D、D/A转换器工作原理的了解和对可编程逻辑器件的应用程度。 Ⅱ、考试形式和试卷结构 一、试卷满分及考试时间 本试卷满分为150分，考试时间为180分钟 二、答题方式 答题方式为闭卷、笔试 三、试卷内容结构 基础知识50分 电路分析和设计100分 四、试卷题型结构 单项选择题30分(10小题，每小题3分) 填空题10分(5个空，每空2分) 综合应用题110分 五、参考书：《数字电子技术基础》阎石，第四版，高等教育出版社 Ⅲ、考查范围 第一章逻辑代数基础 1、数制和码制、各码制之间的换算 2、逻辑代数中的基本运算和复合运算关系 3、逻辑代数中的基本公式和常用公式和三个基本定理 4、逻辑函数及其表示方法 5、逻辑函数的两种标准形式 6、逻辑函数的公式化简法 7、逻辑函数的卡诺图化简法 第二章门电路 1、TTL门电路 2、TTL反相器的电路结构和工作原理 3、TTL反相器的静态输入特性和输出特性 4、TTL门电路输入端的的动态特性 5、其他类型的TTL门电路 6、COMS反相器的工作原理 7、COMS反相器的静态输入和输出特性
8、其他类型的COMS门电路 第三章组合逻辑电路 1、组合逻辑电路的分析方法和设计方法 2、若干常用的组合逻辑电路的功能及应用 2.1编码器 2.2译码器 2.3数据选择器 2.4加法器 2.5数值比较器 第四章触发器 1、触发器的电路结构与动作特点 2、触发器的逻辑功能及其描述方法(各种触发器的特性表及特性方程) 3、不同逻辑功能的触发器之间的转换 第五章时序逻辑电路 1、时序逻辑电路的分析方法 1.1、同步时序逻辑电路的分析方法 1.2、时序逻辑电路的状态转换表、状态转换图和时序图 1.3、简单的异步时序逻辑电路的分析(通过画时序图分析电路的逻辑功能) 2、若干常用的时序逻辑电路的功能和应用 2.1寄存器和移位寄存器 2.2计数器 2.3顺序脉冲发生器 2.4序列信号发生器 3、同步时序逻辑电路的设计方法 第六章脉冲波形的产生和整形 1、施密特触发器电路、特性、应用 2、单稳态触发器电路、特性、应用 3、多谐振荡器电路、特性、应用 4、555定时器及其应用 4.1、555定时器的电路结构与功能 4.2、用555定时器接成的施密特触发器 4.3、用555定时器接成的单稳态触发器 4.4用555定时器接成的多谐触发器 第七章半导体存储器 7.1、只读存储器(ROM) 7.2、掩模只读存储器 7.3、可编程只读存储器(PROM) 7.4、可擦除的可编程只读存储器(EPROM) 7.5、随机存储器(RAM) 7.6、用存储器实现组合逻辑函数 第八章可编程逻辑器件 8.1、现场可编程逻辑阵列(FPLA) 8.2、可编程阵列逻辑(PLA)
第二篇第4章习题 题2.4.1怎样分析电路中是否存在反馈？如何判断正、负反馈；动态、静态反馈（交、直流反馈）；电压、电流反馈；串、并联反馈？ 解：根据电路中输出回路和输入回路之间是否存在信号通路，可判断是否存在反馈。 利用瞬时极性法，可以判断正、负反馈：若反馈信号的引入使放大器的净输入量增大，则为正反馈；反之为负反馈。 在静态条件下(v i=0)将电路画成直流通路，假设因外界条件(如环境温度)变化引起静态输出量变化，若净输入量也随之而变化，则表示放大器中存在静态反馈。当v i加入后，将电路画成交流通路，假定因电路参数等因素的变化而引起输出量变化，若净输入也随之而变化，则表示放大器中存在动态反馈。 利用反证法可判断电压、电流反馈。假设负载短路后，使输出电压为零，若此时反馈量也随之为零，则是电压反馈；若反馈量依然存在(不为零)，则为电流反馈。 在大多数电路中(不讨论个别例外)，若输入信号和反馈信号分别加到放大电路的二个输入端上，则为串联反馈，此时输入量（电压信号）和反馈量（电压信号）是串联连接的；反馈电量（电流量）和输入电量（电流量）若加到同一输入端上，则为并联反馈。 题2.4.2电压反馈与电流反馈在什么条件下其效果相同，什么条件下效果不同？ 解：在负载不变的条件下，电压反馈与电流反馈效果相同；当负载发生变化时，则二者效果不同，如电压负反馈将使输出电压恒定，但此时电流将发生更大的变化。 题2.4.3在图题2.4.3所示的各种放大电路中，试按动态反馈分析： （1）各电路分别属于哪种反馈类型？（正/负反馈；电压/电流反馈；串联/并联反馈）。 （2）各个反馈电路的效果是稳定电路中的哪个输出量？（说明是电流，还是电压）。 （3）若要求将图（f）改接为电压并联负反馈，试画出电路图（不增减元件）。 (a)(b)(c)
第三章 三极管放大电路基础习题解答 3．1 对于典型的晶体管，其β值范围一般为150~50，试求其对应的α值范围。 解：因为β β α+= 1，当β值范围为150~50，α值的范围为0.98~0.993。 3．2 如果两个晶体管的参数α分别为0.99和0.98，则两个晶体管的β分别为多少？若其集电极的电流为mA 10，则对应的基极电流分别为多少？ 解：因为α α β-= 1，C B I I β 1 = 。当99.0=α时，100=β，mA I B 1.0=；当98 .0=α时，50=β，mA I B 2.0=。 3．3 对于一个晶体管，若其基极电流为A μ5.7，集电极电流为A μ940，试问晶体管的β和α分别为多少？ 解：33.1255.7940=== B C I I β， 992.033 .125133 .1251=+=+=ββα 3．4 对于一个PNP 型晶体管，当集电极电流为mA 1，其发射结电压V v EB 8.0=。试问，当集电极电流分别为mA 10、A 5时，对应的发射结电压EB v 分别为多少？ 解：因为T BE V V S C e I I =，则有???? ??=S C T BE I I V V ln ，因此有??? ? ??=S C T BE I I V V 11ln 。所以有??? ? ??=-C C T BE BE I I V V V 11ln 若令 mA I C 101=时，V I I V V V C C T BE BE 06.0110ln 26ln 11=??? ???=? ?? ? ??=-，则 V V V BE BE 86.006.08.006.01=+=+= 若令 A I C 51=时，V I I V V V C C T BE BE 22.015000ln 26ln 11=??? ???=??? ? ??=-，则 V V V BE BE 02.122.08.022.01=+=+=。 3．5 在图P3.5所示的电路中，假设晶体管工作在放大模式，并且晶体管的β为无限大，试确定各图中所对应标注的电压、电流值。
同学们，又是一年考研热，在这炎热的暑假里，我们每个考研学子都是怀着一样的梦想，一样的希望，聚集起来，共同奋斗，考上我们理想的学校。这一年注定了艰辛万苦，注定了我们要放弃很多，虽然这一年我们只有通过我们不懈的努力，才能达到幸福的彼岸，学习没有捷径，这是我们公认的道理，但是学习方法可以大大的提高我们的学习效率，有时候还有事半功倍的效果。 考研历程——各个阶段 考研注定了是份艰辛的工作，和大家一样，从大三上半学期就开始投入考研，但也是热热身，真正的投入考研的状态也是在暑假以后，暑假的这个假期是我们提高最快，最有效果的阶段，所以大家一定要好好把握这个阶段的复习（特别是数学、英语的复习）。从暑假开始到8月份之前，我一直就专供数学和英语，每天早上6点起床，去自习室把前一天不会的英语单词和不理解的句子统统在过一遍，时间充裕的同学可以在读读新概念4的短文，自我感觉在8月份之前重要的就是英语单词。大概读到8点，就翻开数学书，暑假这个阶段都是在做李永乐的全书，每天给自己制定计划，下午2点半到5点半的时间都是给英语的，开始先做得是张剑的150篇，之后就是把从05年之前的英语考研真题阅读理解部分开始做，把不会的单词和一些自己翻译不通顺的句子做好笔记。晚上还是数学部分的复习（主要是课本基础知识）。考研最主要就是不停的重复，重复才能避免遗忘，才能避免生疏。如果要考好学校的同学，建议在8月份就开始着手专业课的复习，这样时间充沛，容易查漏补缺。 ——13年专业课考试（数电，模电） 数电大家都觉得很容易，但往往很容易的科目，考研时候，出的题目会比较恶心，所以大家不要掉以轻心。例如在13年南开大学专业课考试当中就不走寻常路，在涵盖以往考试重点的情况下，加以创新（特别是最后一大题的设计题）。模电可能给大家的印象会比较难，难也有难得好处，出题方面会比较注重基础，例如13年模电考试，和以往的题目没什么太大的变化，基础的放大电路，基础的反馈电路，还有对放大电路的设计，估算等等。 ——专业课复习（数电、模电） 建议大家在8月份开始就着手专业课的复习，最基础的就是教材，南开大学模电（秦世才，贾香鸾）和数电（杨文霞、孙青林）的教材，版本比较陈旧，（我买的时候就很难买到），特备是模电数，概念和题目都比较生涩难懂，建议大家可以先看看自己学校的数电模电教材，之后在看指定教材，这样会更好理解，而且所花的时间比较短。大概10月份之前就是注重教材，重基础，课后练习题。10月份之后就要专心研究历年真题，因为真题就涵盖了这个学院比较容易考的重点。在冲刺阶段可以适当做些模拟题，掌握做题方法和技巧。 ——关于上辅导班 这个大家可以按需分配，我当时因为英语不好，报了一个英语辅导班，感觉提高很大，所以大家如果时间允许可以报一个辅导班，因为考研老师教你的一些方法对你确实有帮
第四章 习题解答 4-1 如题4-1图所示MOSFET 转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？ 答：（a ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 2-= （b ）P-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或统称为开启电压()V V th GS 2)= （c ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 4-= （d ）N-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或也称为开启电压()V V th G S 4)-= 4-2 4个FET 的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所示。设漏极电流i D 的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET ？分别指出i D 的实际方向是流进还是流出？ 答：（a ）P-JFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。 （b ）N-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。 （c ）P-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。 （d ）N-EMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。 4-3 已知N 沟道EMOSFET 的μn C ox =100μA/V 2，V GS(th)=0.8V ，W/L=10，求下列情况下的漏极电流： （a ）V GS =5V ，V DS =1V ； （b ）V GS =2V ，V DS =1.2V ； （c ）V GS =5V ，V DS =0.2V ； （d ）V GS =V DS =5V 。 解：已知N-EMOSFET 的()108.0, /1002 ===L W th G S ox n V V V A C μμ （a ）当V V V V D S G S 1,5==时，MOSFET 处于非饱和状态()() th G S G S D S V V V -< ()()[]()[] mA V V V V I V mA th GS GS W C D D S D S x o n 7.3118.052101.022122=-?-??=--= μ （b ）当V V V V D S G S 2.1,2==时，()D S th G S G S V V V V ==-2.1，MOSFET 处于临界饱和 ()()()()mA V V C I V mA th GS GS W ox n D 72.08.02101.02212 1=-???=-?=μ （c ）当V V V V DS GS 2.0,5==时，()D S th G S G S V V V V >=-2.4，MOSFET 处于非饱和状态 ()()( )[]()[] mA V V V V C I V m A D S D S th G S G S L W ox n D 82.02.02.08.052101.022212212=-?-??=--=μ
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第二章 异步电机的控制
浙江大学 电气工程学院
年珩 副教授 nianheng@https://www.doczj.com/doc/f313830173.html,
? 浙江大学电气工程学院
2009
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异步电机的控制
§2-8 异步电机变频调速系统
☆异步电机变频调速系统分类 （1）频率开环系统 特点：●频率 频率给定后不再调节 不再调节——同步速固定 频率 不再调节 同步速固定 ●电机转速 转速决定于负载，有变化 s = 0 ~ sN ） 有变化（ 转速 有变化 ●静态 静态调速性能不佳，有差 静态 有差
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（2）频率闭环系统 特点： 频率随转速自动调节，通过改变同 特点：●速度给定后频率随转速自动调节 频率随转速自动调节 步速来补偿转速随负载的变化 转速与负载无关 ●电机转速与负载无关 恒定 转速与负载无关，恒定 ●静态特性好 动态性能满足一定要求 静态特性好，动态性能满足一定要求 静态特性好
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（3）高性能控制系统 ） ●能实现转矩的动态控制，动、静态性能俱好 转矩的动态控制， 转矩的动态控制 矢量变换控制， ●已实用的有矢量变换控制，直接转矩控制 矢量变换控制 ☆本节主要介绍
电压源型逆变器——异步电机变频调速系统
●频率开环系统
电流源型逆变器——异步电机变频调速系统
●频率闭环系统——转差频率控制异步电机变频调速系统 频率闭环系统 转差频率控制异步电机变频调速系统
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2009
第一篇 第2章习题 题 1.2.1 有二个晶体管，一个200=β，A I CEO μ200=；另一个50=β， A I CEO μ10=，其余参数大致相同。你认为应选用哪个管子较稳定？ 解： 选β=50，I CEO =10μA 的管子较稳定。穿透电流大，电流放大系数也大的管子稳定性较差。 题 1.2.2 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压分别为：甲管V V X 9=，V V Y 6=，V V Z 7.6=；乙管V V X 9-=，V V Y 6-=，V V Z 2.6-=。试分析三个电极中，哪个是发射极、基极和集电极？它们分别是NPN 型还是PNP 型，是锗管还是硅管？ 解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极； 乙管为PNP 型锗管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。 题1.2.3 从图题1.2.3所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。 （1）是锗管还是硅管？ （2）是NPN 型还是PNP 型？ （3）是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈-=，锗管V V BE 3.0≈，且V V V V E C CE 7.0>-=；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。]
图题1.2.3 解：该题中的锗管还是硅管，看V BE 是0.7V 还是0.3V ，0.7V 是硅管，0.3V 左右是锗管，也可以看第二个英文字母，如果第二个字母是D 、C 则通常为硅管，如果第二个字母是A 、则为锗管。第三个英文是高频管还是低频管，还是开关管或是大功率管。（G 是高频管、K 是开关管、X 是低频管、D 是大功率管），据此有： (a) NPN 硅管，工作在饱和状态； (b) PNP 锗管，工作在放大状态； (c) PNP 锗管，管子的b-e 结已开路； (d) NPN 硅管，工作在放大状态； (e) PNP 锗管，工作在截止状态； (f) PNP 锗管，工作在放大状态； (g) NPN 硅管，工作在放大状态； (h) PNP 硅管，工作在临界饱和状态。 题1.2.4 图题1.2.4所示电路中，设晶体管的50=β，V V BE 7.0=。 （1）试估算开关S 分别接通A 、B 、C 时的B I 、C I 、CE V ，并说明管子处于什么工作状态。 （2）当开关S 置于B 时，若用内阻为10 k Ω的直流电压表分别测量BE V 和CE V ，能否测得实际的数值？试画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所测得的电
数电考研阎石《数字电子技术基础》考研真题与复习 笔记 第一部分考研真题精选 第1章数制和码制 一、选择题 在以下代码中，是无权码的有（）。[北京邮电大学2015研] A．8421BCD码 B．5421BCD码 C．余三码 D．格雷码 【答案】CD查看答案 【解析】编码可分为有权码和无权码，两者的区别在于每一位是否有权值。有权码的每一位都有具体的权值，常见的有8421BCD码、5421BCD码等；无权码的每一位不具有权值，整个代码仅代表一个数值。 二、填空题 1（10100011.11）2＝（）10＝（）8421BCD。[电子科技大学2009研] 【答案】163.75；000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时，按公式D＝∑k i×2i求和即可，再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数（39.875）10的二进制数为（），十六进制数为（）。[重庆大学2014研] 【答案】100111.111；27.E查看答案
【解析】将十进制数转化为二进制数时，整数部分除以2取余，小数部分乘以2取整，得到（39.875）10＝（100111.111）2。4位二进制数有16个状态，不够4位的，若为整数位则前补零，若为小数位则后补零，即（100111.111）2＝（0010 0111.1110）2＝（27.E）16。 3（10000111）8421BCD＝（）2＝（）8＝（）10＝（）16。[山东大学2014研] 【答案】1010111；127；87；57查看答案 【解析】8421BCD码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制，八进制和十六进制的转换。（1000 0111）8421BCD＝（87）10＝（1010111）2 2进制转8进制，三位为一组，整数向前补0，因此（001 010 111）2＝（127）8。同理，2进制转16进制每4位为一组，（0101 0111）2＝（57）16。 4（2B）16＝（）2＝（）8＝（）10＝（）8421BCD。[山东大学2015研] 【答案】00101011；53；43；01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态，因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数，得到（2B）16＝（0010 1011）2；八进制由0～7八个数码表示，可以将一组二进制数从右往左，3位二进制数分成一组，得到（00 101 011）2＝（53）8；将每位二进制数与其权值相乘，然后再相加得到相应的十进制数，（0010 1011）2＝（43）10；8421BCD码是一种二进制的数字编码形式，用二进制编码的十进制代码。因此可以将每位二进制数转化为4位8421BCD码，（43）10＝（0100 0011）8421BCD。
可能会问一些比较基本的问题，比如说触发器的类型啊，什么是米勒状态机啊？什么是CMOS管子的截断电流啦，简易的低通滤波器，高通滤波器怎么搭啦，之类的 考外校一般会问的比较多，考本校都问的很简单。一般也就问问竞争-冒险的原因和处理办法，正反馈对电压还是电流起作用啊，是放大还是减小啊之类的。滤波器分哪几类） 1.TTL与COMS的区别 2.桥式整流+3端稳压管连线 3.直流负反馈和交流负反馈的作用，对电路参数的影响 4.A/D,D/A转换的一些基本概念 5.时序逻辑电路有什么特点，举3种时序电路常用器件 基本要求：模电数电中的“三基”，即基本概念、基本分析方法，典型单元电路。 主要内容： 一、模拟部分 1、晶体管（包括二极管、Bipolar、MOS晶体管）的基本结构和放大、开关工作原理、输出特性曲线、参数、处于三个工作区的条件和特点、小信号等效电路； 2、基本放大电路的三种电路组态及其特点（共发、共基、共集）； 3、基本放大电路的基本分析方法（如何求静态工作点、负载线、电路增益、输入电阻和输出电阻）；微变参数等效电路分析方法； 4、放大器的频率相应和频带相关概念和简要计算方法； 5、放大器中的反馈，反馈、负反馈的概念、反馈类型及其性质、反馈的判别，反馈电路的计算特别是深反馈电路的判别和计算； 6、放大电路中的非线性失真、和线性失真； 7、功率放大电路的特殊问题及设计原则，典型功率放大单元电路：甲类、乙类、OCL电路；
8、正弦波振荡器的起振条件及其判别，RC振荡器、LC各类振荡器、振荡频率的计算； 9、运算放大器的电路分析、运放的开环运用和闭环运用的特点，虚短（地）和虚断、运放的性能参数、 10、负反馈接法的运放的直流计算； 11、运放电路组成的运算电路（加、减、积分、微分、对数） 12、运放电路构成波形发生电路（迟滞比较器、方波、锯齿波发生器） 13、A/D 和D/A 转换电路 二、数字部分 1、数字逻辑基础 1）数制和代码，二进制数和十进制、八进制数的转换； 2）三种基本逻辑运算； 3）逻辑函数表达式、真值表、逻辑图、逻辑电路；逻辑函数的基本定律及逻辑函数的代数法化简和变换；卡诺图的化简方法； 4）基本门电的结构及其工作原理（二极管的简单与、或、非门，TTL 门电路的静态特性和动态特性，ECL门电路，I2L门电路，CMOS门电路静态特性和动态特性等。） 2、组合逻辑电路的含义、逻辑功能的描述；组合逻辑电路的分析和设计方法，编码器和译码器、数据选择器、数字比较器、全加器、超前进位加法器，减法器； 组合逻辑电路中的竞争冒险； 3、时序逻辑电路的分析和设计方法
数字电路基本概念 一．基本概念。 1.门是实现一些基本逻辑关系的电路。 2.三种基本逻辑是与、或、非。 3.与门是实现与逻辑关系的电路，或门是实现或逻辑关系的电路，非门是实现非逻辑关系的电路。 4.按集成度可以把集成电路分为小规模（SSI）中规模（MSI）大规模（LSI）和超大规模（VLSI）集成电路。 5.仅有一种载流子参与导电的器件叫单极性器件；有两种载流子参与导电的器件叫双极性器件。单极性器件主要有：PMOS.NMOS.CMOS双极性器件主要有：TTL.HTL.ECL.IIL. 6.TTL门电路的低电平噪声容限为V NL =V OFF -V IL; 高电平噪声容限为V NH =V IH -V ON 7.直接把两个门的输出连在一起实现“与”逻辑关系的接法叫线与；集电极开门路可以实现线与；普通TTL门不能实现线与。 8.三态门的输出端可以出现高电平、低电平和高阻三种状态。 9.三态门的主要用途是可以实现用一条导线（总线）轮流传送几个不同的数据或控制性号。 10.用工作速度来评价集成电路，速度快的集成电路依次是ECL.TTL.CMOS 11.用抗干扰能力来评价集成电路，抗干扰能力的集成电路一次是CMOS.TTL.ECL 12.CMOS门电路的输入阻抗很高，所以静态功耗很小，但由于存在输入电容，所以随着输入信号频率的增加，功耗也会增加。 13.逻代数的四种表示方法是真值表、函数表达式、卡诺图和逻辑图。 14.逻辑变量和函数只有0和1两种取值，而且它们只是表示两种状态。 15.逻辑代数只有“与”“或”“非”三种基本逻辑运算。 16.描述逻辑函数各个变量取值组合和函数值对应关系的代数式叫函数表达式。 17.逻辑函数表达式的标准形式有标准与或式即最小项表达式和标准或与式即最大项表达式。 18.逻辑函数的化简方法有代数法即公式法和图形法及卡诺图法。 19.最简与或式是指乘积项数最少，乘积项中的变量个数最少的与或式。 20.约束项是不会出现的变量组合，其值总为0. 21.约束条件是由约束项加起来构成的逻辑表达式，是一个值恒为0的条件等式。 22.按逻辑功能的特点，数字电路可以分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。 23.用二进制代码表示有关对象的过程叫二进制编码：n为二进制编码器有2n个输入，有n个输出。 24.将十进制数的十个数字编成二进制代码的过程叫二—十进制编码，简称为BCD编码。 25.在几个信号同时输入时，只对优先级低额最高的进行编码叫优先编码。 26.把代码的特定含义“翻译”出来的过程叫码译；n位二进制译码器有n个输入，有2n个输出。，工作时译码器只有一个输出有效。 27.两个一位热劲制数相加叫做半加。两个同位的加和来自低位的进位三者相加叫做全加。 28.从若干输入数据中选择一路作为输出叫多路选择器。 29.组合逻辑电路任意一时刻的输出仅仅取决于该时刻的输入，而与过去的输入
数电模电教案 徐潇 Tip： 考试课程名称：电子技术基础[826] 1、从模电开始。一是模电在试卷中占的比例远大于数电，二是与数电相比，模电的内容多、难度大。对模电的基础部分掌握之后，再加入数电的学习。 2、对模电的掌握要求：会看、会算、会选、会调。初看模电，对此要求不以为然，随着学习深入，愈感此四点即为考研试卷中的全部。特别是后面两点，往往被我们忽略而造成遗憾。 3、初步拟定，学生在上课的过程中把课本按计划逐步看完。（因为感觉如果自己提前看课本，会浪费较多时间，只是个人建议。） 4、来自大纲上的参考书目。我使用的是华成英的模电和阎石的数电。 0804仪器科学与技术826 电子技术基础《模拟电子技术基础》（第四版）华成英、童诗白高等教育出版社，2006 《数字电子技术基础》（第五版）阎石高等教育出版社，2006 《模拟电子技术基础》王淑娟、蔡惟铮、齐明. 高等教育出版社. 2009年5月出版 《数字电子技术基础》杨春玲、王淑娟高等教育出版社. 2011年7月出版 《电子技术基础》（模拟部分第5版）康华光高等教育出版社. 2006年1月出版 《电子技术基础》（数字部分第5版）康华光2006年1月出版 ５、按照大纲的划分，我将模电分为７部分，数电分为５部分。参照大纲的考核内容，我对10次课的安排如下：
第一课： 模电部分：1、基本放大电路（课本的前两章） (1)放大电路的基本概念和技术指标； (2)基本放大电路的分析（包括静态分析和动态分析）； (3)三种基本放大电路（共射、共集和共基）的比较； (4)FET的结构和分类，MOSFET工作原理、特性曲线和参数； (5)场效应管共源放大电路的静态分析和动态分析，三种基本放大电路（共源、共栅和共漏）的比较。 # 第一章中以了解为主。了解半导体、PN结，会分析二极管在电路中的通断、注意稳压管，区分双极性晶体管和场效应管。 第二章是第一课的重点，也是整个模电的重点。理解第二章是理解模电的关键。 补充：１、第四章中关于集成运放概念的部分。 ２、课堂ｐｐｔ补充和课后题目。 ３、数电的基础知识：布尔代数 ４、２０１１年考研真题。 ５、学生提出学习中的问题，留待下次答疑解决。 第二课： 模电部分：２、集成运算放大器的线性应用电路（课本的第４章和第７章前半部分） (1)虚短、虚断和虚地的概念； (2)比例运算电路； (3)求和运算电路； (4)积分和微分运算电路； (5)集成运放其他几种线性应用电路，包括电流-电压变换器、电压-电流变换器、数据放大器、绝对值电路和二极管限幅电路； (6)集成运放的频率响应和补偿。 ＃第四章和第七章应该放到一起讲，因为这两章都是对集成运放的讲解，第四章为原理，第七章为应用实例。这一部分的内容比较多，所以这一课需要较多的时间来消化。 补充：１、继续补充数电的布尔代数部分。 ２、课后题目已经绿皮书的题目。 ３、答疑并提出问题。 第三课： 模电部分：
第2章 习题解答 2-1 电话线路上的直流电压约为50V ，用于电话机通话时的直流电源。话机内部电路对电压有极性的要求。话机电路中有一个导向电路，如题2-1图所示。外线与话机引线相接时不必考虑电压极性。试说明其工作原理。 答：当外线与话机引线相接时，如果话机引线的上端接正、下端接负，则电源正端经过D 1，话机内的其他电路、D 4到电源负端，形成电流回路，此时二极管D 1、D 4正向导通，D 2、D 3截止。如果话机引线的下端接正、上端接负，则电源正端经过D 2、话机内的其他电路、D 3到电源负端，形成电流回路。由此或见，无论话机引线的上端接正还是下端接正，对于话机内的其他电路来说都符合对电压极性的要求，这就是导向电路所起的作用。 2-2 已知硅和锗PN 结的反向饱和电流分别为10-14A 和10-8A 。若外加电压为0.25V 、0.45V 、0.65V 时，试求室温下各电流I ，并指出电压增加0.2V 时，电流增加的倍数。 解：根据式（1-2-4） ()1/-=T v v S e I I ，室温时mV V T 26≈ 对于硅PN 结：A I S 1410-=，则 电压增加0.2V 时电流增加的倍数为 倍219126/20026/2.0≈=mV mv mV V e e 对于锗PN 结，A I S 810-=，则 电压增加0.2V 时电流同样增加2191倍。
2-3 在室温时锗二极管和硅二极管的反向饱和电流分别为1μA 和0.5pA ，若两个二极管均通过1mA 正向电流，试求它们的管压降分别为多少。 解：根据二极管的伏安特性 ()1/-≈T V V S e I I 当V ＞＞V T 时 T V V S e I I /≈ 则S T I I V V e = / S I I T V v ln =∴ 若锗二极管的A I S μ1=， mA I 1=，则 V mV V 18.010ln 026.0ln 263 10 106 3==?=-- 若硅二极管的PA I S 5.0=，mA I 1=，则 ( )V mV V 557.010 2ln 026.0ln 269 10 5.010 12 3 ≈?=?=--? 2-4 两个硅二极管在室温时反向饱和电流分别为2×10-12A 和2×10-15A ，若定义二极管电流I=0.1mA 时所需施加的电压为导通电压，试求各V D （on ）。若I 增加到10倍，试问V D （on ）增加多少伏。 解：根据二极管的伏安特性 ()1/-≈T V V S e I I 当I ＞＞I S 时 T V V S e I I /≈ 则S T I I V V e = / S I I T V v ln =∴ 当硅二极管的12102-?=S I 时，mA I 1.0=，则 ()V mV mv V on D 461.0461ln 2612 410 210 =≈=--? 当硅二极管的15102-?=S I 时，mA I 1.0=，则 ()V mV mv V on D 641.0641ln 2615 410 210 =≈=--? 若I 增加到10倍，则 ()mV mV V on D 6010ln 26≈=?
模电数电考研面试总 结
1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子） 2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。（未知） 3、最基本的如三极管曲线特性。（未知） 4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。（仕兰微电子） 5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知） 6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子） 7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。（未知）8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。（凹凸）9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。（未知） 10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。（未知） 11、画差放的两个输入管。（凹凸） 12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。（仕兰微电子） 13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。（未知） 14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的 rise/fall时间。(Infineon笔试试题) )
15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C 上电压和R上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。当RC<
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