电子元器件的老化问题研究
发表时间：2019-04-28T09:14:13.923Z 来源：《基层建设》2019年第6期作者：刘武能刘丽龙周健黄一腾罗长兵[导读] 摘要：在选择电子元器件时，应注意质量控制、综合考虑、科学选择、简化设计、合理使用元器件的性能参数，发挥电子元器件的作用。
云南电网有限责任公司迪庆供电局云南迪庆 674400
摘要：在选择电子元器件时，应注意质量控制、综合考虑、科学选择、简化设计、合理使用元器件的性能参数，发挥电子元器件的作用。零部件的质量应该得到控制。元器件的选型应综合考虑各方面因素，根据不利条件做出合理的选择，简化电路设计，提高可靠性，减少提高可靠性的使用量。
关键词：电子元器件；老化；
电子元器件虽然在电路图中是一个简单的图形符号，但在实际电路中，电子元器件有上百种规格。选择合适的电子元器件可以保证电路的性能满足要求。在实际选用过程中，应注意控制电子元器件的质量，充分发挥电子元器件的作用。因此，有必要对电子元器件的可靠性和筛选进行研究。
一、电子元器件及元器件的可靠性
根据我国有关国家标准，可靠性是指产品在特定条件下、特定时间内完成特定功能的能力。可靠性可分为固有可靠性和运行可靠性。电子元器件的运行可靠性主要是指电子元器件在实际使用中的可靠性。电子元器件的可靠性受自然环境、电子元器件的工作方式、电子元器件的工作条件等诸多因素的影响。国外研究统计表明，电子元器件因固有可靠性和运行可靠性引起的失效现象分别占50%。由此可见，可靠性是评价产品质量的主要指标。因此，在选择电子元器件时，首先要选择质量保证高、固有可靠性好的电子元器件；然后对电子元器件进行二次筛选。二次筛选可以检测电子元器件的不同失效模式，使电子元器件的电气性能不符合标准或其他缺陷引起的早期失效。排除、二次筛分可以有效地控制电子元器件的质量，保证产品的可靠性。
二、电子元器件的老化问题
1.元器件的老化基础问题。在元件的实际使用中，经常会出现无法解释的故障。我们通过允许组件负载工作来激活诱发的失效因子来进行老化，这样内部设计、工艺、制造缺陷可以在短时间内暴露出来，失效的组件可以被移除。为了消除具有潜在缺陷的早期失效器件，预测和识别器件的可靠性水平，提高批量使用器件的可靠性，半导体器件一般需要在安装前进行老化。故障率随时间的增加而增加，然后下降并稳定到一定的水平。这一阶段是器件制造过程中缺陷（如材料缺陷、工艺缺陷等）逐渐暴露的阶段。这一阶段是设备老化筛选阶段。当失效速率接近预定的失效速率时，失效的发生是一个随时间变化的随机过程，称为偶然失效周期。在该区域内，设备故障率较低，接近于常数，是设备的最佳工作区域。由于老化、损耗、材料疲劳、电气性能退化等综合因素，故障率随时间显著增加，即设备寿命的结束。在没有不利外部条件的情况下，其早期失效期明显，偶然失效期较长，一般难以观察到明显的损失期。对设备进行必要的老化筛选后，将具有早期失效因素的设备和不符合产品技术要求的设备从一批设备中剔除，确保安装的大量设备具有较高的可靠性。
2.高温老化原因筛选元件问题。活化能随温度的升高而降低，很明显，用缺陷激发同一组分所需的能量在温度较低时高于温度较高时；不同组分在相同温度下的活化能越高，活化时间越长；活化能越小，激活时间越短。试验表明，合理筛选后，整批产品的故障率与未筛选的零部件的故障率相差0.5-1个数量级。如果我们有一个全面的掌握组件的故障规律，正确选择筛选项目，合理安排安检程序，应用适当的压力和必要的时间，和总结的一套可行的检测方法，可以减少整个批处理组件的故障率1 - 2个数量级。长期以来，部件的老化基本上是通过在室温下添加额定功率来完成的，目前仍在使用中。然而，适当地增加老化应力（电压、时间、功率、温度等）可以更好更快地去除早期失效装置。如果在额定功率的1.2倍的条件下进行老化筛分，以后使用的故障率非常低。
三、元器件老化控制
1.元器件电功率老化控制要素。电功率老化一般是在温度恒定的情况下给元器件施加额定功率使其在规定时间内工作，激发器件潜在内部缺陷让它尽早暴露出来。常温功率老化的器件通常有二极管、三极管、可控硅、场效应管等；高温功率老化的器件有集成电路、电源模块、转换器、电容器等，一般高温电老化具有加速度筛选的性质，可以尽早暴露器件潜在的内部缺陷，有效剔除早期失效的器件。电功率老化是一种最有效的筛选项目，因为它最接近器件的实际工作状态。老化过程中必须严格控制电压、电流、功率、温度、时间等参数，稍有不慎，会给器件埋下后期失效隐患。如过应力筛选会造成器件内部隐性/隐形损伤，短时间不易察觉/发现；若欠应力筛选，器件的内部缺陷不能完全暴露，不能有效筛选掉有缺陷的器件，达不到筛选的目的，由此可见电参数控制在电功率老化筛选过程中的重要性。
2.电子元器件的参数和性能测试。经过外观检查和老化筛选后，对电子元器件的性能进行测试。电子元器件的参数性能测试应使用专用或通用测试仪器。在测试用于电子设计或电子设备的电子元器件时，通常使用万用表和其他仪器进行测试。万用表主要分为指针式和数字式。其中指针式万用表可靠耐用，更直观，但读数不够准确，分辨率较低。数字式万用表更准确、直观，但对维护要求更高。在实际检测中，检测员应根据具体情况选择万用表。在生产过程中，电子元器件的筛选时效主要包括高温功率时效、高温储存时效、高温和低温冲击时效、高温和低温循环时效等。其中，常用的高温功率老化应通过模拟电子元器件的工作条件来实现。对电子元器件进行通电，施加80-180摄氏度的温度，使电子元器件老化数小时至数十小时。老化后的电子元器件的技术性能参数可以进行测试和筛选，不能满足电子元器件的要求，经外观检查及老化的元器件，要进行性能指标的测试，淘汰已失效的元器件，要通过性能指标的检测进行挑选。元器件检测，要求有多种通用或专门测试仪器，一般性的电子设计或电子设备中使用的元器件，应运用万用表等普通仪表检测。在使用万用表进行检测时，要注意万用表的使用要求，正确地使用。
3.在电力老化前，应先确定老化的电压、电流、功率、温度、时间等电气参数。选型应严格按照第二屏规格或产品的技术要求进行，不得擅自实施。在有效的验证期内，检查老化的系统或设备是否处于良好状态，是否通过定期的验证和验证标志。按照老化设备使用说明书操作，仔细比较各工序。接触件应轻拿轻放，否则容易造成壳体变形或内部损坏（造成失效隐患）；设备插入或拔出夹具时不应用力过大，否则会因用力过猛而造成机械损伤或销子的机械应力疲劳；在接触良好的条件下，施加在器件引脚上的应力越小越好。根据测试板上的引脚原理图，正确安装测试部件。安装完毕后，检查安装方向或极性（二极管、电容正负极等）是否正确；检查短接头（或夹子、连接器）安装位置是否正确，安装是否可靠等。通电前还应检查老化设备是否接地、断路、短路。严禁在老化试验过程中拔出老化试验板。不慎操作可能导致设备燃烧失败或夹具报废。对于静电敏感器件，在整个老化筛选过程中应采取静电保护措施。
实验二：常用电力电子器件特性测试 （一）实验目的 （1）掌握几种常用电力电子器件（SCR、GTO、MOSFET、IGBT）的工作特性；（2）掌握各器件的参数设置方法，以及对触发信号的要求。 （二）实验原理 图1.MATLAB电力电子器件模型 MATLAB电力电子器件模型使用的是简化的宏模型，只要求器件的外特性与实际器件特性基本相符。MATLAB电力电子器件模型主要仿真了电力电子器件的开关特性，并且不同电力电子器件模型都具有类似的模型结构。 模型中的电阻Ron和直流电压源Vf分别用来反映电力电子器件的导通电阻和导通时的门槛电压。串联电感限制了器件开关过程中的电流升降速度，模拟器件导通或关断时的动态过程。MATLAB电力电子器件模型一般都没有考虑器件关断时的漏电流。 在MATLAB电力电子器件模型中已经并联了简单的RC串联缓冲电路，在参数表中设置，名称分别为Rs和Cs。更复杂的缓冲电路则需要另外建立。对于MOSFET模型还反并联了二极管，在使用中要注意，需要设置体内二极管的正向压降Vf和等效电阻Rd。对于GTO和IGBT需要设置电流下降时间Tf和电流拖尾时间Tt。 MATLAB的电力电子器件必须连接在电路中使用，也就是要有电流的回路，
但是器件的驱动仅仅是取决于门极信号的有无，没有电压型和电流型驱动的区别，也不需要形成驱动的回路。尽管模型与实际器件工作有差异，但使MATLAB电力电子器件模型与控制连接的时候很方便。MATLAB的电力电子器件模型中含有电感，因此具有电流源的性质，所以在模块参数中还包含了IC即初始电流项。此外也不能开路工作。 含电力电子模型的电路或系统仿真时，仿真算法一般采用刚性积分算法，如ode23tb、ode15s。电力电子器件的模块上，一般都带有一个测量输出端口，通过输出端m可以观测器件的电压和电流。本实验将电力电子器件和负载电阻串联后接至直流电源的两端，给器件提供触发信号，使器件触发导通。 （三）实验内容 （1）在MATLAB/Simulink中构建仿真电路，设置相关参数。 （2）改变器件和触发脉冲的参数设置，观察器件的导通情况及负载端电压、器件电流的变化情况。 （四）实验过程与结果分析 1．仿真系统 Matlab平台 2．仿真参数 （1）Thyristor参数设置： 直流源和电阻参数：
电路板老化标准 为了达到满意的合格率，几乎所有产品在出厂前都要先藉由老化。制造商如何才能够在不缩减老化时间的条 件下提高其效率？本文介绍在老化过程中进行功能测试的新方案，以降低和缩短老化过程所带来的成本和时间问题。 在半导体业界，器件的老化问题一直存在各种争论。像其它产品一样，半导体随时可能因为各种原因而出现故障，老化就是藉由让半导体进行超负荷工作而使缺陷在短时间内出现，避免在使用早期发生故障。如果不藉由老化，很多半导体成品由于器件和制造制程复杂性等原因在使用中会产生很多问题。 在开始使用后的几小时到几天之内出现的缺陷(取决于制造制程的成熟程度和器件总体结构)称为早期故障，老化之后的器件基本上要求100%消除由这段时间造成的故障。准确确定老化时间的唯一方法是参照以前收集到的老化故障及故障分析统计数据，而大多数生产厂商则希望减少或者取消老化。 老化制程必须要确保工厂的产品 满足用户对可靠性的要求，除此之外， 它还必须能提供工程数据以便用来改 进器件的性能。 一般来讲，老化制程藉由工作环 境和电气性能两方面对半导体器件进 行苛刻的试验使故障尽早出现，典型 的半导体寿命曲线如右图。由图可见， 主要故障都出现在器件寿命周期开始 和最后的十分之一阶段。老化就是加 快器件在其寿命前10%部份的运行过 程，迫使早期故障在更短的时间内出 现，通常是几小时而不用几月或几年。 不是所有的半导体生 产厂商对所有器 件都需要进行老化。普通器件制造由 于对生产制程比较了解，因此可以预先掌握藉由统计得出的失效预计值。如果实际故障率高于预期值，就需要再作老化，提高实际可靠性以满足用户的要求。 本文介绍的老化方法与 10 年前几乎一样，不同之处仅仅在于如何更好地利用老化时间。提高温度、增加动态信号输入以及把工作电压提高到正常值以上等等，这些都是加快故障出现的通常做法；但如果在老化过程中进行测试，则老化成本可以分摊一部份到功能测试上，而且藉由对故障点的监测还能收集到一些有用信息，从总体
《电力电子技术实验》指导书 合肥师范学院电子信息工程学院
实验一电力电子器件 仿真过程： 进入MATLAB环境，点击工具栏中的Simulink选项。进入所需的仿真环境，如图所示。点击File/New/Model新建一个仿真平台。点击左边的器件分类，找到Simulink和SimPowerSystems，分别在他们的下拉选项中找到所需的器件，用鼠标左键点击所需的元件不放，然后直接拉到Model平台中。 图 实验一的具体过程： 第一步：打开仿真环境新建一个仿真平台，根据表中的路径找到我们所需的器件跟连接器。
提取出来的器件模型如图所示： 图 第二步，元件的复制跟粘贴。有时候相同的模块在仿真中需要多次用到，这时按照常规的方法可以进行复制跟粘贴，可以用一个虚线框复制整个仿真模型。还有一个常用方便的方法是在选中模块的同时按下Ctrl键拖拉鼠标，选中的模块上会出现一个小“+”好，继续按住鼠标和Ctrl键不动，移动鼠标就可以将模块拖拉到模型的其他地方复制出一个相同的模块，同时该模块名后会自动加“1”，因为在同一仿真模型中，不允许出现两个名字相同的模块。 第三步，把元件的位置调整好，准备进行连接线，具体做法是移动鼠标到一个器件的连接点上，会出现一个“十字”形的光标，按住鼠标左键不放，一直到你所要连接另一个器件的连接点上，放开左键，这样线就连好了，如果想要连接分支线，可以要在需要分支的地方按住Ctrl键，然后按住鼠标左键就可以拉出一根分支线了。 在连接示波器时会发现示波器只有一个接线端子，这时可以参照下面示波器的参数调整的方法进行增加端子。在调整元件位置的时候，有时你会遇到有些元件需要改变方向才更方便于连接线，这时可以选中要改变方向的模块，使用Format菜单下的Flip block 和Rotate
方多系曲尤＜200/200学年第学期考试题（卷）宀 子 签 审 任 主 ） 系 （ 室 研 教 师教题命 记 标 何 任 作 准 不 内 以 线 订订 名 姓 装 一号 学 一、选择填空题：下列各题每题有一个最优答案，任选10题，并在空格中填入答案序号多做按错的计分（每小题6分，共60分）0 1.普通晶闸管是 A. B . C. D. 一二极四层结构的 一三极三层结构的 一三极四层结构的 一五极四层结构的 PN型器件，它具有单向导电性。 PNP型器件，它具有双向导电性。 PNPN型器件，它具有单向导电性。 PNPNP型器件，它不具有双向导电性。 2.三相整流电路，共阳极组与共阴极组接法晶闸管的触发控制角 A.不同，相位相差120° C.有点区别，但差别不大 B.相同 a计算的起 点 D.不同，相位相差180° 3.单向桥式全控整流电路电阻负载时，输出直流电压Ud的计算公式 A. B . C . D . U d U d U d U d O.225U2(1 O.45U2(1 O.225U2(1 O.225U2(1 COS ），此时晶闸管导通角为 COS ），此时晶闸管导通角为 COS ），此时晶闸管导通角为2 。 COS ），此时晶闸管导通角为 4.三相半波可控整流电路，电阻负载下 A. a > 30o后电流不连续，此 时 B . 60o后电流不连续，此时 C . > 90°后电流不连续，此 时 D . a > 60°后电流不连续，此 时 O.675U2[1 COS(- 6 ) ] O.765U2[1 COS(- 6 )] O.655U2[1 COS(- 6 )] O.675U2[1 COS(- ) ] U d U d U d U d
实验一三相桥式全控整流实验 一．实验目的 1．熟悉MCL-18, MCL-33组件。 2．熟悉三相桥式全控整流及有源逆变电路的接线及工作原理。 3．了解集成触发器的调整方法及各点波形。 二．实验内容 1．三相桥式全控整流电路 2．观察整流下或模拟电路故障现象时的波形。 三．实验线路及原理 实验线路下图所示。主电路由三相全控变流电路桥给直流电机供电。可实现直流电动机的调压调速。触发电路为数字集成电路，可输出经高频调制后的双窄脉冲链。 四．实验设备及仪器 1．MCL系列教学实验台主控制屏。 2．MCL—18组件（适合MCL—Ⅱ)或MCL—31组件（适合MCL—Ⅲ）。 3. 电机导轨及测速发电机（或光电编码器） 4．二踪示波器 5．万用表 五．实验方法 1．按图接线，未上主电源之前，检查晶闸管的脉冲是否正常。 （1）打开MCL-18电源开关，给定电压有电压显示。 （2）用示波器观察MCL-33的双脉冲观察孔，应有间隔均匀，相互间隔60o的幅度相同的双脉冲。 （3）检查相序，用示波器观察“1”，“2”单脉冲观察孔，“1”脉冲超前“2”脉冲600，则相序正确，否则，应调整输入电源。 （4）用示波器观察同步变压器电压和触发脉冲波形，观察移相控制过程并记录波形。其中一个探头接脉冲信号另一个接同步电压信号，两探头共15V地线。 U 注：将I组桥式触发脉冲的六个开关均拨到“接通”。GT和AP1已内部连线无需接线。将 blf 接地。 （5）将给定器输出Ug接至MCL-33面板的Uct端，调节偏移电压Ub，在Uct=0时，使 =150o。 2．三相桥式全控整流电路供电直流电动机调压调速实验 (1)按上图接线,UVW电源线按实验板指定颜色接入保存相序正确，经指导教师检查后方可送电。送电前注意将给定电位器逆时针转到底，保证给定为0V或负给定。 (2)送电顺序合上电源总开关后先送控制电源，再按启动按扭送主回路电源。停机时前将给定电压降至零，按先停主电源后停控制电源顺序停电。 (3)调节Uct，移相控制整流电压，缓慢升速，用示波器观察记录转速为400、800、1200转/分时，整流电压u d=f（t），晶闸管两端电压u VT=f（t）的波形，并记录相应的Ud和交流输入电压U2数值，计算相应的移相控制角数值。
一、单选题（共 6 道试题，共 30 分。） V 1. 全控型器件在较高频率下工作，当器件关断时，因正向电流的迅速降低而由线路电感在器 件两端感应出的过电压称为（）。 A. 操作过电压 B. 雷击过电压 C. 换相过电压 D. 关断过电压 满分：5 分 2. 电力电子器件采用的主要材料是（）。 A. 铁 B. 钢 C. 银 D. 硅 满分：5 分 3. 使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（）V。 A. （-5）-（-15） B. 10-15 C. 15-20 D. 20-25 满分：5 分 4. （）是将电力MOSFET与晶闸管SCR组合而成的复合型器件。 A. MCT B. SIT C. SITH D. IGCT 满分：5 分 5. 电力二极管的最高工作结温通常在（）℃之间。
A. 0-100 B. 50-125 C. 100-175 D. 125-175 满分：5 分 6. 电力场效应晶体管的英文表示为（）。 A. GTO B. GTR C. 电力MOSFET D. IGBT 满分：5 分 二、多选题（共 6 道试题，共30 分。） V 1. GTR的主要特性是（）。 A. 耐压低 B. 耐压高 C. 电流大 D. 电流小 满分：5 分 2. 下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（） A. 触发脉冲有足够的幅值 B. 触发脉冲波形有一定的宽度 C. 触发脉冲功率足够 D. 触发电路有良好的抗干扰性能 满分：5 分 3. 下列属于晶闸管的派生器件的是（）。 A. 快速晶闸管
B. 双向晶闸管 C. 逆导晶闸管 D. 光控晶闸管 满分：5 分 4. 晶闸管门极说法正确的是（）。 A. 可以控制其导通 B. 可以控制其关断 C. 不能控制其导通 D. 不能控制其关断 满分：5 分 5. 下列是常用的过电流保护措施的是（）。 A. 快速熔断器 B. 直流快速断路器 C. 过电流继电器 D. 以上都不正确 满分：5 分 6. 下列不是电力电子器件并联均流措施的是（）。 A. 尽量采用特性一致的元器件进行并联 B. 尽量采用特性不一致的元器件进行并联 C. 安装时尽量使各并联器件具有对称的位置 D. 安装时不能使各并联器件具有对称的位置 满分：5 分 三、判断 1~8 ABBAABBB
一、外观质量检查 拿到一个电子元器件之后，应看其外观有无明显损坏。比如变压器，要看其所有引线有否折断，外表有无锈蚀，线包、骨架有无破损等。又如三极管，要看其外表有无破损，引脚有无折断或锈蚀，还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。对于电位器、可变电容器之类的可调元件，还要检查在调节范围内，其活动是否平滑、灵活，松紧是否合适，无机械噪声，手感好，并保证各触点接触良好。 各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求，爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点，积累经验。 二、电气性能的筛选 要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作，并且经得起应用环境和其他可能因素的考验，这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。所谓筛选，就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验，暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。筛选的理论是：如果试验及应力等级选择适当，劣质品会失效，而优良品则会通过。人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效，经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。过了正常使用阶段，电子元器件便进入了耗损老化期阶段，那将意味着寿终正寝。这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线。 电子元器件失效，是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。因此，人们只能人为地创造早期工作条件，从而在制成产品前就将劣质品剔除，让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段，减少失效，增加其可靠性。 在正规的电子工厂里，采用的老化筛选项目一般有：高温存储老化；高低温循环老化；高低温冲击老化和高温功率老化等。其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电，模拟实际工作条件，再加上＋80℃～＋180℃的高温经历几个小时，它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施，也是目前采用得最多的一种方法。对于业余爱好者来说，在单件电子制作过程中，是不太可能采取这些方法进行老化检测的，在大多数情况下，采用了自然老化的方式。例如使用前将元器件存放一段时间，让电子元器件自然地经历夏季高温和冬季低温的考验，然后再来检测它们的电性能，看是否符合使用要求，优存劣汰。对于一些急用的电子元器件，也可采用简易电老化方式，用一台输出电压可调的脉动直流电源，使加在电子元器件两端的电压略高于元件额定值的工作电压，调整流过元器件的电流强度，使其功
实验一 SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验 一、实验目的 (1)掌握各种电力电子器件的工作特性。 (2)掌握各器件对触发信号的要求。 二、实验所需挂件及附件 序 型号备注 号 1DJK01 电源控制屏该控制屏包含“三相电源输出”等几个模块。2DJK06 给定及实验器件该挂件包含“二极管”等几个模块。 3DJK07 新器件特性实验 DJK09 单相调压与可调负 4 载 5万用表自备 将电力电子器件(包括SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种)和负载电阻R 串联后接至直流电源的两端，由DJK06上的给定为新器件提供触发电压信号，给定电压从零开始调节，直至器件触发导通，从而可测得在上述过程中器件的V/A特性；图中的电阻R用DJK09 上的可调电阻负载，将两个90Ω的电阻接成串联形式，最大可通过电流为1.3A；直流电压和电流表可从DJK01电源控制屏上获得，五种电力电子器件均在DJK07挂箱上；直流电源从电源控制屏的输出接DJK09上的单相调压器，然后调压器输出接DJK09上整流及滤波电路，从而得到一个输出可以由调压器调节的直流电压源。 实验线路的具体接线如下图所示： 四、实验内容 (1)晶闸管（SCR）特性实验。
(3)功率场效应管（MOSFET）特性实验。
(5)绝缘双极性晶体管（IGBT）特性实验。 五、实验方法 (1)按图3-26接线，首先将晶闸管（SCR）接入主电路，在实验开始时，将DJK06上的给定电位器RP1沿逆时针旋到底，S1拨到“正给定”侧，S2拨到“给定”侧，单相调压器逆时针调到底，DJK09上的可调电阻调到阻值为最大的位置；打开DJK06的电源开关，按下控制屏上的“启动”按钮，然后缓慢调节调压器，同时监视电压表的读数，当直流电压升到40V时，停止调节单相调压器(在以后的其他实验中，均不用调节)；调节给定电位器RP1，逐步增加给定电压，监视电压表、电流表的读数，当电压表指示接近零（表示管子完全导通），停止调节，记录给定电压U
实验三 常用电力电子器件的特性和驱动实验 一、实验目的 (1) 掌握常用电力电子器件的工作特性。 (2) 掌握常用器件对触发MOSFET 、信号的要求。 (3) 理解各种自关断器件对驱动电路的要求。 (4) 掌握各种自关断器件驱动电路的结构及特点。 (5) 掌握由自关断器件构成的PWM 直流斩波电路原理与方法。 二、预习内容 (1) 了解SCR 、GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 的结构和工作原理。 (2) 了解SCR 、GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 有哪些主要参数。 (3) 了解SCR 、GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 的静态和动态特性。 （4）阅读实验指导书关于GTO 、GTR 、MOSFET 、IGBT 的驱动原理。 三、实验所需设备及挂件 四、实验电路原理图 1、SCR 、GTO 、MOSFET 、GTR 、IGBT 五种特性实验原理电路如下图X-1所示： 图 X-1特性实验原理电路图 X-2虚框中五种器件的1、2、3标号连接示意图 三相电网电压
2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图如下图X-3所示： 图X-3 GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图 3、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验的流程框图如图X-4 图X-4 GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验的流程框图 五、实验内容 1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 五种器件特性的测试 2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT驱动电路的研究。 六、注意事项 （1）注意示波器使用的共地问题。 （2）每种器件的实验开始前，必须先加上器件的控制电压，然后再加主回路的电源；实验结束时，必须先切断主回路电源，然后再切断控制电源。 （3）驱动实验中，连接驱动电路时必须注意各器件不同的接地方式。 （4）不同的器件驱动电路需接不同的控制电压，接线时应注意正确选择。 七、实验方法与步骤 1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 五种器件特性的测试 1）关闭总电源，按图X－5的框图接主电路 图X－5实验接线框图
老化测试老化试验 老化检测是可靠性检测的一部分，是模拟产品在现实使用条件中涉及到的各种因素对产品产生老化的情况进行相应条件加强实验的过程。 主要通过使用各种环境试验设备模拟气候环境中的高温、低温、高温高湿以及温度变化等情况，加速激发产品在使用环境中可能发生的失效，来验证其是否达到在研发、设计、制造中的预期的质量目标，从而对产品整体进行评估，以确定产品可靠性寿命。老化检测正是可靠性测试的重要部分。 一、主要的测试范围包括： 材料寿命推算 冷热冲击 盐雾测试 快速温变 老化检测气候老化（自然气候暴晒试验，人工气候老化） 紫外老化检测 臭氧老化检测 老化试验湿热老化检测 氙灯老化检测 碳弧灯老化检测 二、重点检测项目 1、紫外老化检测 采用荧光紫外灯为光源（有UVA,UVB不同型号灯源），通过模拟自然阳光中的紫外辐射和冷凝，对材料进行加速耐气候性试验，以获得材料耐候性的结果。 紫外老化测试，可以再现阳光、雨水和露水所产生的破坏。设备通过将待测材料曝晒放在经过控制的阳光和湿气的交互循环中，同时提高温度的方式来进行试验。试验设备采用紫外线荧光灯模拟阳光，同时还可以通过冷凝或
喷淋的方式模拟湿气影响。用来评估材料在颜色变化、光泽、裂纹、起泡、催化、氧化等方面的变化。 紫外老化试验机并不模拟全光谱太阳光，但是却模拟太阳光的破坏作用。通过把荧光灯管的主要辐射控制在太阳光谱的紫外波段来实现。这种方式是有效的，因为短波紫外线是造成户外材料老化的最主要因素。 2、盐雾老化检测 盐雾试验是一种主要利用盐雾试验设备所创造的人工模拟盐雾环境条件来考核产品或金属材料耐腐蚀性能的环境试验。 盐雾试验分为：天然环境暴露试验；人工加速模拟盐雾环境试验。 人工模拟盐雾试验： 包括中性盐雾试验、醋酸盐雾试验、铜盐加速醋酸盐雾试验、交变盐雾试验。 3、臭氧老化检测 臭氧老化就是将试样暴露于密闭无光照的含有恒定臭氧浓度的空气和恒温的试验箱中，按预定时间对试样进行检测，从试样表面发生的龟裂或其它性能的变化程度，以评定试样的耐臭氧老化性能。 臭氧老化分为静态拉伸测试和动态拉伸测试，在这个测试中臭氧浓度、温度、试样定伸比是非常重要的三个参数。 4、湿热老化检测 湿热老化检测适用于可能在温暖潮湿的环境中使用的产品，湿度试验、恒定湿热、交变湿热，是可靠性测试的一种。 试验的目的：检验产品对温暖潮湿的环境的适应能力。对塑性材料、PCB、PCBA多孔性材料或成品等而言,各种不同材料对温度与湿气有不同形态之物理反应，温度所产生效应多为塑性变形或产品过温或低温启动不良等等,多孔性材料在湿度环境下会应毛细孔效应而出现表面湿气吸附,渗入、凝结等情形，在低湿环境中会因静电荷累积效应诱发产品出现失效。 常见湿度效应：物理强度的丧失、化学性能的改变、绝缘材料性能的退化、电性短路、金属材料氧化腐蚀、塑性的丧失、加速化学反应、电子组件的退化等现象。
实验一锯齿波同步移相触发电路实验 一、实验目的 (1)加深理解锯齿波同步移相触发电路的工作原理及各元件的作用。 (2)掌握锯齿波同步移相触发电路的调试方法。 三、实验线路及原理 锯齿波同步移相触发电路的原理图如图1-11所示。锯齿波同步移相触发电路由同步检测、锯齿波形成、移相控制、脉冲形成、脉冲放大等环节组成，其工作原理可参见1-3节和电力电子技术教材中的相关内容。 四、实验内容 (1)锯齿波同步移相触发电路的调试。 (2)锯齿波同步移相触发电路各点波形的观察和分析。 五、预习要求 (1)阅读本教材1-3节及电力电子技术教材中有关锯齿波同步移相 触发电路的内容，弄清锯齿波同步移相触发电路的工作原理。 (2)掌握锯齿波同步移相触发电路脉冲初始相位的调整方法。 六、思考题 (1)锯齿波同步移相触发电路有哪些特点? (2)锯齿波同步移相触发电路的移相范围与哪些参数有关? (3)为什么锯齿波同步移相触发电路的脉冲移相范围比正弦波同步移相触发电路的移相范围要大? 七、实验方法 (1)将DJK01电源控制屏的电源选择开关打到“直流调速”侧,使输出线电压为200V（不能打到“交流调速”侧工作，因为DJK03-1的正常工作电源电压为220V 10%，而“交流调速”侧输出的线电压为240V。如果输入电压超出其标准工作范围，挂件的使用寿命将减少，甚至会导致挂件的损坏。在“DZSZ-1型电机及自动控制实验装置”上使用时，通过操作控制屏左侧的自藕调压器，将输出的线电压调到220V左右，然后才能将电源接入挂件），用两根导线将200V交流电压接到DJK03-1的“外接220V”端，按下“启动”按钮，打开DJK03-1电源开关，这时挂件中所有的触发电路都开始工作，用双踪示波器观察锯齿波同步触发电路各观察孔的电压波形。 ①同时观察同步电压和“1”点的电压波形，了解“1”点波形形成的原因。 ②观察“1”、“2”点的电压波形，了解锯齿波宽度和“1”点电压波形的关系。 ③调节电位器RP1，观测“2”点锯齿波斜率的变化。 ④观察“3”～“6”点电压波形和输出电压的波形，记下各波形的幅值与宽度，并比较“3”点电压U3和“6”点电压U6的对应关系。 (2)调节触发脉冲的移相范围
一、填空题(本题共8小题，每空1分，共20分) 1、电子技术包括_信息电子技术__和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在―开关 _______ 状态。当器件的工作频率较高时，__ 开关______损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为___________ 载波比__________ ，当它为常数时的调制方式称 为—同步________ 调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之 比为桓定的调制方式称为_______ 分段同步_________ 调制。 4、面积等效原理指的是，—冲量________ 相等而—形状—不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相 同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___________ M OSFET________ ，单管输出功 率最大的是___ GTO _______________ 应用最为广泛的是_______ IGBT __________ 。 6设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即—■' ■亠 ____________ ，其承受的最大正向电压为: I _ ■ 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为________ 有源____ 逆变，如果接到负载，则称为_______ 无源—逆变。 &如下图，指岀单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2 表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为—VD1 __________ ; (2) t1~t2时间段内，电流的通路为—V1 _________ ; (3) t2~t3时间段内，电流的通路为—VD2 _________ ; (4) t3~t4时间段内，电流的通路为—V2 _________ ; (5) t4~t5 时间段内，电流的通路为—VD1 ________ ;
第一章复习题 1.使晶闸管导通的条件是什么？ 答：当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。 2．维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：（1）维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 （2）若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 3.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？ 答：（1）GTO在设计时，a2较大，这样晶体管v2控制灵敏，易于GTO关断； （2）GTO导通时a1+a2的更接近于1，普通晶闸管a1+a2≥1.5，而GTO则为约等于1.05，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制提供了有利条件； （3）多元集成结构每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得p2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 4．如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？ 答：（1）一般在不用时将其三个电极短接； （2）装配时人体，工作台，电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地； （3）电路中，栅，源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高。 （4）漏，源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。 5.IGBT,GTR,GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？ 答：IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。 GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。 电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。 6.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。 答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du/dt或过电流和di/dt，
德信诚培训网 更多免费资料下载请进：https://www.doczj.com/doc/a215424735.html, 好好学习社区 电子元器件可靠性试验规范 目 录 4.1 高温反向偏压试验 ------------------------------------ 第4页 4.2 压力蒸煮试验 ------------------------------------ 第6页 4.3 正向工作寿命试验 ------------------------------------ 第7页 4.4 高温储存试验 ------------------------------------ 第8页 4.5 低温储存试验 ------------------------------------ 第9页 4.6 温度循环试验 ------------------------------------ 第10页 4.7 温度冲击试验 ------------------------------------ 第11页 4.8 耐焊接热试验 ------------------------------------ 第12页 4.9 可焊性度试验 ------------------------------------ 第13页 4.10 拉力试验 ------------------------------------ 第14页 4.11 弯曲试验 ------------------------------------ 第15页 4.12 稳态湿热试验 ------------------------------------ 第18页 4.13 变温变湿试验 ------------------------------------ 第20页 4.14 正向冲击电流(浪涌电流)试验 -------------------------- 第23页
实验三常用电力电子器件的特性和驱动实验、实验目的 (1) 掌握常用电力电子器件的工作特性。 (2) 掌握常用器件对触发MOSFET、信号的要求。 (3) 理解各种自关断器件对驱动电路的要求。 (4) 掌握各种自关断器件驱动电路的结构及特点。 (5) 掌握由自关断器件构成的PWM 直流斩波电路原理与方法。 、预习内容 (1)了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT 的结构和工作原理。 (2)了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT 有哪些主要参数。 (3)了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT 的静态和动态特性。 (4)阅读实验指导书关于GTO、GTR、MOSFET、IGBT的驱动原理。 三、实验所需设备及挂件 序号型号备注 1DJK01电源控制屏主电源控制屏(已介绍) 2DJK06给定及实验器件包含二极管、开关，正、负15伏直流给定等3DJK07新器件特性试验含SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT五种 器件 4DJK09单相调压与可调负载 5DJK12功率器件驱动电路实验箱 6万用表 1 )设备及列表 7 件2)挂图片
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X-2虚框中五种器件的1、2、3标号连接示意图 3、GTO 、 MOSFET 、GTR 、 图X-4 GTO 、MOSFET 、GTR 、IGBT 四种驱动实验的流程框图 五、实验内容 四、实验电路原理图 图X-1特性实验原理电路图 1 、 SCR 、 GTO 、MOSFET 、 GTR 、IGBT 五种器件特性的测试 MOSFET 、GTR 、IGBT 四种驱动实验原理电路框图 图 X-3 GTO 、 2、GTO 、MOSFET 、GTR 、IGBT 四种驱动实验原理电路框图如下图 X-3所示: IGBT 四种驱动实验的流程框图如图 X-4
部分电子器件的测试和判断方法 1、二极管和桥堆 二极管的检测是用万用表的二极管档测PN结的压降，二极管的正极是PN结的正端，负极是PN结的负端。PN结的正向压降约为0.3—0.8V，反向为∞。桥堆的检测和二极管一样，分别测四个二极管的好坏，若其中有一个坏的，则桥堆是坏的。 2、三极管 三极管有NPN型和PNP型，用万用表的二极管档测两个PN结的压降，可粗略判断三极管的好坏，PN结的正向压降约为0.2—0.7V，反向为∞。也可以测三极管的放大倍数，数值为0或∞的管子一般是坏的。三极管的损坏形式一般是b-e结击穿，严重时连c-b结也击穿。 3、MOS管 场效应管（常用MOS管）有N沟道型和P沟道型，测试时用万用表的二极管档，栅极（G）对源极（S）和漏极（D）是双向绝缘的（数值为∞）；S对D相当于一个PN结（P沟道型为D对S），测试时可参照PN结的测试。MOS管的损坏形式一般是D-S结击穿，严重时连G-S绝缘也击穿。 4、IGBT IGBT模块可通过测量G-E间的结电容来判断，模块的G-E结电容与它的耐流值有关，一般好的100A以下模块G-E结电容在4~20nF间，100A以上模块的G-E结电容可能超过20nF。我们也可以通过测量模块G-E、G-C、C-E的电阻来判断，常见模块的损坏形式是G-E击穿或C-E击穿。 5、变压器 变压器的损坏一般是匝间短路或开路。开路的情况可以用万用表测量；对于短路情况，我们可以在它的高压端加交流市电，然后测它的空载损耗和或副边电压来判断它的好坏。对于小变压器而言，损坏较多的情况还是原边开路。 6、电容 温度升高而形成恶性循环，继而膨胀、失效。有些损坏的电容可从外观上来判断， 膨胀、变形或出现漏液的电容一般是坏的。电容也可以万用表来测量，对于容值较小的，可 以用万用表的电容档测其容值，偏差不大的电容是好的；对于容值较大的电容，可用万用表
电子元器件老化标准 YKK standardization office【 YKK5AB- YKK08- YKK2C- YKK18】
一、外观质量检查 拿到一个电子元器件之后，应看其外观有无明显损坏。比如变压器，要看其所有引线有否折断，外表有无锈蚀，线包、骨架有无破损等。又如三极管，要看其外表有无破损，引脚有无折断或锈蚀，还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。对于电位器、可变电容器之类的可调元件，还要检查在调节范围内，其活动是否平滑、灵活，松紧是否合适，无机械噪声，手感好，并保证各触点接触良好。 各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求，爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点，积累经验。 二、电气性能的筛选 要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作，并且经得起应用环境和其他可能因素的考验，这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。所谓筛选，就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验，暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。筛选的理论是：如果试验及应力等级选择适当，劣质品会失效，而优良品则会通过。人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效，经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。过了正常使用阶段，电子元器件便进入了耗损老化期阶段，那将意味着寿终正寝。这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线。 电子元器件失效，是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。因此，人们只能人为地创造早期工作条件，从而在制成产品前就将劣质品剔除，让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段，减少失效，增加其可靠性。 在正规的电子工厂里，采用的老化筛选项目一般有：高温存储老化；高低温循环老化；高低温冲击老化和高温功率老化等。其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电，模拟实际工作条件，再加上＋80℃～＋180℃的高温经历几个小时，它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施，也是目前采用得最多的一种方法。对于业余爱好者来说，在单件电子制作过程中，是不
实验一电力电子器件的驱动与保护电路实验 一、实验目的 (1)理解各种自关断器件对驱动与保护电路的要求。 (2)熟悉各种自关断器件的驱动与保护电路的结构及特点。 (3)掌握由自关断器件构成PWM 直流斩波电路原理与方法。 二、实验设备及仪器 1．THPE-1 型实验箱 2．双踪示波器 三、GTR实验线路及实验方法 1、实验线路 自关断器件GTR驱动和保护实验的实验接线及实验原理图如图2所示。主回路由GTR、灯泡负载组成，为了测量主回路电流，在主回路中还应串入直流电流表。主回路由实验箱上的直流220V电压供电，接线时，应从直流电源的正极出发，经过主回路各串联器件回到直流电源负端。 GTR驱动和保护电路的输入信号为PWM发生器的输出信号，GTR驱动和保护电路的三个输出端子则分别连接到GTR器件的相应端子。GTR驱动和保护电路的由实验箱的+5V和-5V供电。
2、实验方法及步骤 （1）断开主回路，把PWM模块的频率选择开关拨至“低频档”，并使用示波器在输出端观察输出波形，调节频率按钮，使PWM波输出频率在“1KHz”左右。 （2）检查驱动电路的工作情况。在未接通主电路的情况下，接通驱动模块的电源并按图2所示将输入端与PWM模块的输出端相连接。使用示波器在驱动模块的输出端观察驱动电路输出波形，调节PWM 波形发生器的频率及占空比，观测PWM 波形的变化规律。 （3）驱动电路正常工作后，将占空比调小，然后合上主电路电源开关，再调节占空比，用示波器观测、记录不同占空比时GTR基极的驱动电压、GTR 管压降及负载上的波形。 （4）测定并记录不同占空比α时负载的电压平均值U a于下表中： 表1 GTR实验结果 3、注意事项 驱动与保护电路接线时，要注意控制电源及接地的正确连接。对于GTR 器件，采用±5V 电源驱动。 四、GTO实验线路及实验方法 GTO实验方法与GTR的实验方法相同。 表2 GTO实验结果
份测验电力电子技术第一次作业
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2014年9月份考试电力电子技术第一次作业 一、单项选择题（本大题共100分，共 40 小题，每小题 2.5 分） 1. 晶闸管从阻断转为导通，必须同时具备的两个条件是（）。 A. A、阳极正向电压和门极反向电流 B.阳极反向电压和门极反向电流 C. C、阳极反向电压和门极正向电流 D、阳极正向电压和门极正向电流 2. 利用附加的换流电路对晶闸管施加反向电压或反向电流的换流方式，称为（）。 A.电网换流 B.强迫换流 C.负载换流 D.器件换流 3. 无源逆变指的是（）。 A. 将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给负载 B. 将直流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给电网 C. 将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给负载 D. 将交流电能转变为某一频率或频率可调的交流电能，送给电网 4. 晶闸管的额定电流是用一定条件下流过的最大工频正弦半波（）来确定。 A. 电流有效值 B. 电流峰值 C. 电流瞬时值 D. 电流平均值 5. 晶闸管工作过程中，管子本身的损耗等于管子两端的电压乘以（）。 A. 阳极电流 B. 门极电流 C. 阳极电流与门极电流之差 D. 阳极电流与门极电流之和 6. 晶闸管导通后，要使晶闸管关断，必须（） A. 在门极施加负脉冲信号 B. 使控制角应该大于90度 C. 使阳极电流小于维持电流 D. 使控制角小于90度 7. 单相桥式全控整流电路带反电势负载，串联电感L，工作在有源逆变状态，的工作范围 是（） A. B. C. D. 8. 三相半波带电阻性负载时， 为（）度时，可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。 A. 0 B. 60 C. 30 D. 120 9. 逆变角β值的大小等于（）。 A. B. C. D. 10. 题目：以下正确的叙述是（）。 A. A、晶闸管只存在动态损耗，而不存在静态损耗 B. B、晶闸管只存在静态损耗，而不存在动态损耗 C. C、晶闸管既不存在动态损耗，也不存在静态损耗 D. D、晶闸管既存在动态损耗，也存在静态损耗 11. 三相半波可控整流电路的自然换相点是( )。 A. 交流相电压的过零点 B. 本相相电压与相邻相电压正半周的交点处 C. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30° D. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
试题 1．第1题单选题普通晶闸管是一种单向导电器件，它在电压阻断能力方面的特点是：____。 A、仅具有正向阻断能力 B、仅具有反向阻断能力 C、正、反向电压阻断能力都具备 D、接入反并联二极管时，正、反向电压阻断能力才都具备 标准答案：C 您的答案：C 题目分数：4 此题得分：4.0 批注： 2．第2题单选题单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是____。 A、0°-180° B、0°-15° C、0°-120° D、0°-90° 标准答案：A 您的答案：A 题目分数：4 此题得分：4.0 批注： 3．第3题单选题为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入____。 A、三极管
B、续流二极管 C、保险丝 D、电力场效应晶体管 标准答案：B 您的答案：B 题目分数：3 此题得分：3.0 批注： 4．第4题单选题三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值为____。 A、0.45U2 B、0.9U2 C、1.17U2 D、2.34U2 标准答案：D 您的答案：D 题目分数：4 此题得分：4.0 批注： 5．第5题单选题单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值应该等于整流前交流电压的____倍。 A、1 B、0.5 C、0.45 D、0.9 标准答案：D 您的答案：D 题目分数：3
此题得分：3.0 批注： 6．第6题单选题对于可控整流电路，其换流重叠角大小的影响因素，主要包括：____。 A、变压器等效漏感LB B、直流侧电流Id C、A、B两个方面都有影响 D、Ud代表的平均值电压的增加量 标准答案：C 您的答案：C 题目分数：4 此题得分：4.0 批注： 7．第7题多选题晶闸管的工作状态有____状态。 A、正向导通 B、正向阻断 C、反向导通 D、反向阻断 标准答案：A,B,D 您的答案：A,B,D 题目分数：6 此题得分：6.0 批注： 8．第8题多选题有源逆变的条件包括____。 A、与晶闸管的导通方向一致的直流电动势 B、与晶闸管导通方向不一致的直流电动势 C、