电子电路基础知识
电源source
电压源voltage source
电流源current source
理想电压源ideal voltage source
理想电流源ideal current source
伏安特性volt- ampere characteristic 电动势electromotive force
电压voltage
电流current
电位potential
电位差potential difference
欧姆Ohm
伏特Volt
安培Ampere
瓦特Watt
焦耳Joule
电路circuit
电路元件circuit element
电阻resistance
电阻器resistor
电感inductance
电感器inductor
电容capacitance
电容器capacitor 电路模型circuit model
参考方向reference direction
参考电位reference potential
欧姆定律Ohm’s law
基尔霍夫定律Kirchhof f’s law
基尔霍夫电压定律Kirchhoff’s voltage
law（KVL）
基尔霍夫电流定律Kirchhoff’s current
law（KCL）
结点node
支路branch
回路loop
网孔mesh
支路电流法branch current analysis
网孔电流法mesh current analysis
结点电位法node voltage analysis
电源变换source transformations
叠加原理superposition theorem
网络network
无源二端网络passive two-terminal
network
有源二端网络active two-terminal
network
戴维宁定理Thevenin’s theorem
诺顿定理Norton’s theorem
开路（断路）open circuit
短路short circuit
开路电压open- circuit voltage
短路电流short-circuit current
直流电路direct current circuit (dc)
交流电路alternating current circuit (ac)
正弦交流电路sinusoidal a-c circuit
平均值average value
有效值effective value
均方根值root- mean-squire value (rms)
瞬时值instantaneous value
电抗reactance
感抗inductive reactance
容抗capacitive reactance
法拉Farad
亨利Henry
阻抗impedance
复数阻抗complex impedance
相位phase
初相位initial phase
相位差phase difference
相位领先phase lead
相位落后phase lag
倒相，反相phase inversion
频率frequency
角频率angular frequency
赫兹Hertz
相量phasor
相量图phasor diagram
有功功率active power
无功功率reactive power
视在功率apparent power
功率因数power factor
功率因数补偿power-factor
compensation
串联谐振series resonance
并联谐振parallel resonance
谐振频率resonance frequency
频率特性frequency characteristic
幅频特性amplitude- frequency
response characteristic
相频特性phase- frequency response
characteristic
截止频率cutoff frequency
品质因数quality factor
通频带pass-band
带宽bandwidth (BW)
滤波器filter
一阶滤波器first- order filter
二阶滤波器second-order filter
低通滤波器low-pass filter
高通滤波器high- pass filter
带通滤波器band-pass filter
带阻滤波器band-stop filter
转移函数transfer function
波特图Bode diagram
傅立叶级数Fourier series
三相电路three -phase circuit
三相电源three-phase source
对称三相电源symmetrical three- phase source
对称三相负载symmetrical three-phase load
相电压phase voltage
相电流phase current
线电压line voltage
线电流line current
三相三线制three-phase three -wire system
三相四线制three-phase four-wire system
三相功率three-phase power
星形连接star connection(Y-connection) 三角形连接triangular connection(D- connection ,delta connection)
中线neutral line 电路的暂态过程分析暂态transient
state
稳态steady state
暂态过程，暂态响应transient response
换路定理low of switch
一阶电路first-order circuit
三要素法three-factor method
时间常数time constant
积分电路integrating circuit
微分电路differentiating circuit
磁场magnetic field
磁通flux
磁路magnetic circuit 磁感应强度flux
density
磁通势magnetomotive force
磁阻reluctance
电动机motor
直流电动机dc motor
交流电动机ac motor 异步电动机
asynchronous motor
同步电动机synchronous motor
三相异步电动机three- phase
asynchronous motor
单相异步电动机single-phase
asynchronous motor
旋转磁场rotating magnetic field
定子stator
转子rotor
转差率slip
起动电流starting current
起动转矩starting torque
额定电压rated voltage
额定电流rated current
额定功率rated power
机械特性mechanical characteristic
按钮button
熔断器fuse
开关switch
行程开关travel switch
继电器relay
接触器contactor
常开(动合)触点normally open contact
常闭(动断)触点normally closed contact
时间继电器time relay
热继电器thermal overload relay
中间继电器intermediate relay
可编程控制器（PLC）
可编程控制器programmable logic
controller
语句表statement list
梯形图ladder diagram
本征半导体intrinsic semiconductor
掺杂半导体doped semiconductor
P型半导体P- type semiconductor
N型半导体N--type semiconductor
自由电子free electron
空穴hole
载流子carriers
PN结PN junction
扩散diffusion
漂移drift
二极管diode
硅二极管silicon diode
锗二极管germanium diode
阳极anode
阴极cathode
发光二极管light- emitting diode (LED)
光电二极管photodiode
稳压二极管Zener diode
晶体管（三极管）transistor
PNP型晶体管PNP transistor
NPN型晶体管NPN transistor
发射极emitter
集电极collector
基极base
电流放大系数current amplification coefficient
场效应管field- effect transistor (FET) P沟道p-channel
N沟道n-channel
结型场效应管junction FET （JFET）
金属氧化物半导体metal-oxide semiconductor (MOS)
耗尽型MOS场效应管depletion mode MOSFET（D-MOSFET）
增强型MOS场效应管enhancement mode MOSFET（E-MOSFET）
源极source
栅极grid
漏极drain
跨导transconductance
夹断电压pinch-off voltage
热敏电阻thermistor
开路open
短路shorted
放大器amplifier
正向偏置forward bias
反向偏置backward bias
静态工作点quiescent point (Q-point) 等效电路equivalent circuit
电压放大倍数voltage gain 总的电压放大倍数overall voltage gain
饱和saturation
截止cut-off
放大区amplifier region
饱和区saturation region
截止区cut-off region
失真distortion
饱和失真saturation distortion
截止失真cut- off distortion
零点漂移zero drift
正反馈positive feedback
负反馈negative feedback
串联负反馈series negative feedback
并联负反馈parallel negative feedback
共射极放大器common-emitter
amplifier
射极跟随器emitter-follower
共源极放大器common-source
amplifier
共漏极放大器common- drain amplifier
多级放大器multistage amplifier
阻容耦合放大器resistance-
capacitance coupled amplifier
直接耦合放大器direct- coupled
amplifier
输入电阻input resistance
输出电阻output resistance
负载电阻load resistance
动态电阻dynamic resistance
负载电流load current
旁路电容bypass capacitor
耦合电容coupled capacitor
直流通路direct current path
交流通路alternating current path
直流分量direct current component
交流分量alternating current
component
变阻器（电位器）rheostat
电阻（器）resistor
电阻（值）resistance
电容（器）capacitor
电容（量）capacitance
电感（器，线圈）inductor
电感（量），感应系数inductance
正弦电压sinusoidal voltage
差动放大器differential amplifier
运算放大器operational
amplifier(op-amp)
失调电压offset voltage
失调电流offset current
共模信号common-mode signal
差模信号different-mode signal
共模抑制比common-mode rejection
ratio (CMRR)
积分电路integrator（circuit）
微分电路differentiator（circuit）
有源滤波器active filter
低通滤波器low-pass filter
高通滤波器high-pass filter
带通滤波器band-pass filter
带阻滤波器band-stop filter
波特沃斯滤波器Butterworth filter
切比雪夫滤波器Chebyshev filter
贝塞尔滤波器Bessel filter
截止频率cut-off frequency
上限截止频率upper cut- off frequency
下限截止频率lower cut-off frequency
中心频率center frequency
带宽Bandwidth
开环增益open-loop gain
闭环增益closed-loop gain
共模增益common- mode gain
输入阻抗input impedance
电压跟随器voltage-follower
电压源voltage source
电流源current source
单位增益带宽unity-gain bandwidth
频率响应frequency response
频响特性（曲线）response characteristic 波特图the Bode plot
稳定性stability
补偿compensation
比较器comparator
迟滞比较器hysteresis comparator
阶跃输入电压step input voltage
仪表放大器instrumentation amplifier 隔离放大器isolation amplifier
对数放大器log amplifier
反对数放大器antilog amplifier
反馈通道feedback path
反向漏电流reverse leakage current
相位phase
相移phase shift
锁相环phase-locked loop(PLL)
锁相环相位监测器PLL phase detector 和频sum frequency
差频difference frequency
振荡器oscillator
RC振荡器RC oscillator
LC振荡器LC oscillator
正弦波振荡器sinusoidal oscillator 三角波发生器triangular wave
generator
方波发生器square wave generator
幅度magnitude
电平level
饱和输出电平（电压）saturated output
level
功率放大器power amplifier
交越失真cross-over distortion
甲类功率放大器class A power amplifier
乙类推挽功率放大器class B push-pull
power amplifier
OTL功率放大器output transformerless
power amplifier
OCL功率放大器output capacitorless
power amplifier
半波整流full-wave rectifier
全波整流half-wave rectifier
电感滤波器inductor filter
电容滤波器capacitor filter
串联型稳压电源series (voltage)
regulator
开关型稳压电源switching (voltage)
regulator
集成稳压器IC (voltage) regulator
晶闸管thyristor
单结晶体管unijunction transistor（UJT）
可控整流controlled rectifier
可控硅silicon- controlled rectifier
峰点peak point 谷点valley point
控制角controlling angle
导通角turn-on angle
二进制binary
二进制数binary number
十进制decimal
十六进制hexadecimal
二-十进制binary coded decimal （BCD）
门电路gate
三态门tri-state gate
与门AND gate
或门OR gate
非门NOT gate
与非门NAND gate
或非门NOR gate
异或门exclusive-OR gate
反相器inverter
布尔代数Boolean algebra
真值表truth table
卡诺图the Karnaugh map
逻辑函数logic function
逻辑表达式logic expression
组合逻辑电路combination logic circuit
译码器decoder
编码器coder
比较器comparator
半加器half -adder
全加器full-adder
七段显示器seven-segment display
时序逻辑电路sequential logic circuit
R-S
触发器R-S flip-flop
D触发器D flip-flop
J-K触发器J-K flip-flop
主从型触发器master-slave flip-flop
置位set
复位reset
直接置位端direct -set terminal
直接复位端direct-reset terminal
寄存器register
移位寄存器shift register
双向移位寄存器bidirectional shift
register
计数器counter
同步计数器synchronous counter
异步计数器asynchronous counter
加法计数器adding counter
减法计数器subtracting counter
定时器timer
清除（清0）clear
载入load
时钟脉冲clock pulse
触发脉冲trigger pulse
上升沿positive edge
下降沿negative edge
时序图timing diagram
波形图waveform
单稳态触发器monostable flip-flop
双稳态触发器bistable flip- flop
无稳态振荡器astable oscillator
晶体crystal
555定时器555 timer
模拟信号analog signal
数字信号digital signal
AD转换器analog -digital converter (ADC)
DA转换器digital-analog converter (DAC)
只读存储器read-only memory （ROM）随机存取存储器random-access memory（RAM）
可编程ROM programmable ROM （PROM）
1、电阻
固定电阻：RES
半导体电阻：RESSEMT
电位计；POT
变电阻；RVAR
可调电阻;res1..
2、电容
定值无极性电容；CAP
定值有极性电容;CAP
半导体电容：CAPSEMI
可调电容：CAPVAR
3、电感：INDUCTOR
4、二极管：DIODE.LIB
发光二极管：LED
5、三极管:NPN1
6、结型场效应管：JFET.lib
7、MOS场效应管
8、MES场效应管
9、继电器：PELAY. LIB
10、灯泡:LAMP
11、运放:OPAMP
12、数码管：DPY_7-SEG_DP
(MISCELLANEOUS DEVICES.LIB)
13、开关;sw_pb
1：最常用的稳定静态工作点的放大电路
是（负反馈放大电路）。
2：PNP管的符号是（发射极箭头向里）。
3：多级放大器的极间耦合方式有（直接）
耦合，（电容）耦合（变压器）耦合和（电
阻）耦合等四种。
判断题：
1：稳压二极管按材料分手硅个锗管。
2：某晶体管体三极管的IB=10uA时，
Ic=0.44mA；当IB=20uA时，Ic=0.29mA
则它的电流放大系数β=45
3：变压器也能把电压升高，变压器也可
称放大器
4：交流信号输入放大器后，流过三极管
的是交流电
5：放大器的静态工作点确定后，就不会
受到外界因素的影
6：共极放大器没有电流放大作用，所以
没有功率放大功能
7：多级放大器的级间组合耦合，电压放
大倍数越大，通频带就越宽
8：直流放大器的级间耦合，可采用变压
器耦合
9：直接耦合放大器的各级静态工作点会
互相影响
10：差分放大器的共模抑制比越大，就
说明抑制零漂的能力越强
1、锗材料不适合做稳压二极管；
2、当Ib由10微安增至20微
安，Ic 不应减小；
3、放大器必须是功率放大倍数
大于1，变压器在放大电压时，
电流同时减小了，功率放大倍数
等于1，不是放大器；
4、流过三极管的是在直流上迭
加的交流，但是，交流的最大值
是不能大于直流的，所以不能说
流过三极管的是交流电；
5、静态工作点是会受外界温度
影响的；
6、共集放大器的电流放大倍数
小于1，但接近于1，但是它的
电压放大倍数比1大得多，两者
相乘，功率放大倍数是大于1
的；
7、多级放大器，电压放大倍数
越大，通频带越窄；
8、直流放大器是不能使用变压
器耦合的；
9、这是对的；
10、这也是对的。
所以只有最后两个是对的。
VCC、VDD和VSS三种标号的区别在电子电路中，常可以看到VCC、VDD和VSS三种不同的符号，它们有什么区别呢？
一、解释
VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压；
VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压；
VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。
二、说明
1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS 指的是元件引脚，而不表示供电电压。
看集成电路图的方法和要求
激光视盘机使用了各种型号、功能的集成
电路（IC），并以几块大规模或超大规模
集成电路为核心，配合其它集成电路和分
立件电路，组成整机电路。这些起核心作
用的集成电路，可以含有一个或几个系统
电路的功能。看整机电路图、板块电路图
和系统电路图都是看以集成电路为核心
的电路图。应当怎样看集成电路图？看什
么内容？应当达到什么要求呢？下面作
简要叙述。
1）看集成电路图的方法和内容
看集成电路图的方法，可以采用前述三句
话、三步聚；也可以集成电路为中心，在
该芯片内信号通路的基础上，向块外联系
和扩大，然后建立各集成块之间的联系，
最后掌握全局和细节；也可以几种方法相
结合，因图制宜地看图。
看集成电路图时，应主要看哪些内容呢？
可以归纳为以下四句话：职能类型，信号
流程，内外联系，引脚功能。下面分别解
释。
a、职能类型
首先要搞清楚所使用的集成电路的型号、
类型和主要职能，这是识读集成电路的第
一步。例如CD唱机所用集成块的类型主
要有RF放大器、伺服信号处理及数字信
号解调电路、伺服驱动、系统控制器（一
般集成在DSP集成电路中）等等。首先
心须清楚集成电路的具体型号，还要搞清
该集成电路的类型，尤其要熟悉其主要功
能。各种不同型号的集成电路，其内部主
要功能和电路结构可能是相似的；也可能
电路结构和电路程式不相同，但能够完成
相同的功能。熟悉功能是最重要的。
为了迅速、正确地识读电路图，读者应当
有意识地积累一些常用集成电路的有关
资料，有目的地铭记一些集成电路的具体
型号、类型，了解使用集成电路的大趋势
和最新情况。有些集成电路之间的型号不
同，但功能相同，甚至可直接互相代用；
有些块的序号相近，但功能和引出脚截然
不同；后期出现的某些集成电路可完成早
期若干个集成块的功能。读者掌握这些资
料后，在识读集成电路图时，将显示出巨
大的优越性。附表2、3、4、5列出了我
公司部分激光视盘机常见集成块型号、功
能和参考电压一览表，可供读者看图时参
阅。
b、信号流程
读电路图时，不应满足于仅掌握集成电路
的类型和基本功能，还应当熟悉信号的基
本处理过程。通常，集成块内部电路的结
构十分复杂，读图者不需要对它作过细的
分析研究，但应当熟悉内电路的信号处理
过程，或者说，应搞清楚其内部的功能方
框图。由方框图可以看出信号的流通过
程，可以看出集成块可完成哪些具体功
能。可以把集成电路看成一个元器件，不
必过于追求这个元器件的结构和详细工
作过程，但应当明确集成电路内各个方框
完成的具体功能，即熟悉输入、输出什么
信号，熟悉信号的波形幅度、频率的变化
规律，熟悉各个方框之间的联系，熟悉信
号在集成块内的来龙去脉。作到这一点，
才算是初步搞清了集成电路图。
目前，有些整机电路图信息资料标注不够
全面，仅给出了集成块的引出脚数目和各
引出脚的符号，没有给出集成块内部方框图，没有给出集成块引出脚的直流工作点。它将给深入地读图带来不便，读者应当再查找一些其它资料，来弥补其不足。还有，许多内部组成方框图往往使用外文字母或缩写词来标注，也给初学者还来一定困难，这就要读者尽快熟悉字母和缩写词的中文含义，否则难以识读这些电路图。
c、内外联系
由于集成工艺的特点所决定，集成电路必须通过引出脚与外围元器件相联系。为了使集成电路完成一定的功能，必须与外部单元电路或元件发生联系，还必须通过引出脚与前级、后级电路发生联系。在读电路图时，必须将集成电路内外电路联系起来，它们作为一个电路系统的整体，来完成某些特定的功能。不能够联系内外电路，将看不出信号的来龙去脉，难于分析电路的功能。
对于同一个集成电路，在不同的整机设计者手中，可能设计出不同的外接电路，配接不同的元件网络。由于外接分立件电路可以千变万化，这些分立件电路经常是读
图的疑难电路。要花些气力来突破这些难
点，否则将不能全面、正确地识读整机电
路图。
d、引脚功能
在集成电路图上，各个引脚不仅需要标出
顺序号，还使用简单字母符号标出其名
称。这些字母符号经常是英语的缩写词，
它可以表示该引出脚的功能。在看集成电
路图时，必须十分重视各个引出脚的功
能。引出脚是内外电路联系的纽带，要明
确各引出脚与内部各功能方框图的联系，
它是内部相应方框的引出脚；还要明确引
出脚外接元件的功能作用，外电路通过引
出脚来配合内电路工作。有些引出脚是集
成电路的输入、输出端口，这些引出脚在
看电路图时，具有重要意义。在识读集成
电路图时，要逐个观察代表内部功能的各
个方框图，还要同时识别各自相应的引出
脚，识别外接电路或元件，这些工作经常
是识读集成电路图的主要工作。
通常，集成电路引出脚和外接元件有一定
的规律性，但是，其规律也不是一成不变
的，在不同的机型当中，某些引出脚不使
用，或者信号流向有所不同，读者应当灵
活掌握。
场效应晶体管知识综合
现在越来越多的电子电路都在使用场效
应管,特别是在音响领域更是如此,场效应
管与晶体管不同,它是一种电压控制器件
（晶体管是电流控制器件）,其特性更象
电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功
率增益由于是电压控制器件所以噪声小.
场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。由于场效应
管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容
可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合
作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级
作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
场效应管工作原理
场效应晶体管。简称场效应管。一般的
晶体管是由两种极性的载流子,即多数载
流子和反极性的少数载流子参与导电,因
此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数
载流子参与导电,它与双极型相反,也称为
单极型晶体管。它属于电压控制型半导体
器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、
噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、
没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优
点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管
的强大竞争者。
电子电路基础知识 电路基础知识(一) 电路基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） 第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。 第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。 第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻a1} 二、电阻器的分类 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。
4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：、、、、1、2、5、10、25、50、1004、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。 阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。
《电路与电子技术基础》参考解答 习题七 7-1 什么是静态工作点如何设置静态工作点若静态工作点设置不当会出现什么问题估算静态工作点时，应根据放大电路的直流通路还是交流通路 答：所谓静态工作点就是输入信号为零时，电路处于直流工作状态，这些直流电流、电压的数值在三极管特性曲线上表示为一个确定的点，设置静态工作点的目的就是要保证在被被放大的交流信号加入电路时，不论是正半周还是负半周都能满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的三极管放大状态。 可以通过改变电路参数来改变静态工作点，这就可以设置静态工作点。 若静态工作点设置的不合适，在对交流信号放大时就可能会出现饱和失真（静态工作点偏高）或截止失真（静态工作点偏低）。 估算静态工作点是根据放大电路的直流通路。 7-2 试求题图7-1各电路的静态工作点。设图中的所有三极管都是硅管。 解：图(a)静态工作点 V R I U U mA I I A mA I c c cc ce b c b 3.14101107.9247.9194.050194194.010 1207 .024333 =???-=-==?===≈?-=-βμ 图(b)和图(c)的发射结反向偏置，三极管截止，所以I b =0，I c =βI b ≈0，三极管工作在截止区，U ce ≈U cc 。 图(d)的静态工作点 c R e R b 3V 6V R e R b 1 R e
) 1.3712(]10)212(1065.212[)]()6(6[65.226026.01 65.21027 .06333 --=?+??--=+----≈=≈=≈+= =?-= -e c c ce e c e b e R R I U mA I I A mA I I mA I μβ 依此I c 电流，在电阻上的压降高于电源电压，这是不可能的，由此可知电流要小于此值，即三极管工作在饱和状态。 图(e)的静态工作点 V R I U U mA I I I I mA I V U e e cc ce e b e c e B 3.161021085.3240475.01 8085.3185.310 27.08810310)6030(24333 3 3=???-=-==+=+=≈=?-==???+= -β 7-3 放大电路的输入电阻与输出电阻的含义是什么为什么说放大电路的输入电阻可以用来表示放大电路对信号源电压的衰减程度放大电路的输出电阻可以用来表示放大电路带负载的能力 答：输入电阻就是将放大电路看为一个四端元件，从输入端看入的等效电阻。即输入端的电压与输入端的电流之比。输出电阻也是将放大电路看作一个四端元件，从输出端看的等效电阻。即戴维南等效电路的内阻。 因为信号源为放大电路提供输入信号，由于信号源内阻的存在，因此当提供给放大电路的信号源是电压源串电阻的形式时，输入电阻越大，则放大电路对信号源的衰减越小；若信号源是电流源与电阻并联，则输入电阻越小，放大电路对信号源的衰减越小。 放大电路我们可以根据戴维南等效电路将其化简为一个电压源与电阻的串联形式，输出电阻可以看作一个电源的内阻，因此，输出电阻越小，放大电路的带负载能力越强。 请参看下图，可以增强对上面文字描述的理解。
电子电路基础知识点总结 1、 纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、 射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于 1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器 （ 射极跟随器 ）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为 0,其共模抑制比为乂。 般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 限幅电路是一种波形整形电路， 因它削去波形的部位不同分为 4、 5、 上限幅、 下限幅和双向限幅电路。 6、 主从 JK 触发器的功能有保持、计数、置 0、置 1 。 7、 多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、 带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路 和比较放大电路分组成。 9、 时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还 与输出端的原状态有关。 10、 当PN 结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的。
11、 半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、 利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、 硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压 管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 倍，对全波整流电路而言较为倍。 15、处于放大状态的NPN 管，三个电极上的电位的分布必须符合 UC>UB>UE 而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射 结正偏。 16、 在 P 型半导体中，多数载流子是空穴，而 N 型半导体中，多 数载流子是自由电子。 晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时， 三极管应始终工作在放大区。 般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 14、 17、 二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、 当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、 20、
第一章 思考题与习题 1.1. 半导体材料都有哪些特性？为什么电子有源器件都是由半导体材料制成 的？ 1.2. 为什么二极管具有单向导电特性？如何用万用表判断二极管的好坏？ 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管？ 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别？它们与通常电阻有什么不同？ 1.5. 三极管的放大原理是什么？三极管为什么存在不同的工作状态？ 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路，它与图P1-1(b)所示的 二极管有何异同？ 1.7.稳压二极管为何能够稳定电压？ 1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别？共射和共基电 流放大倍数的关系是什么？ 1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么？ 1.10. 如图P1-2所示，设I S ＝10－11A ，U T ＝26mV ，试计算 u i =0，0.3V ，0.5V ，0.7V 时电流I 的值，以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。 解： 由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时，I=0； 当U i =0.3V 时，I=1.026×10－6A ； 当U i =0.5V 时，I=2.248×10－3A ； 当U i =0.7V 时，I=4.927A ； 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω ∵exp(U i / U T )>>1 ∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10－3 Ω (a) (b) 图 P1-1 图P1-2 ＋ － u i D i
1.11. 电路如图P1-3所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ， U T ＝26mV ，电源U ＝3.3V ，电阻R ＝1k Ω，电容C 对交流信号可视为短路；输入电压u i 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：U ＝3.3V>>100mV ， I ＝（U －U D ）/R ＝ (3.3－0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻：R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值：Id = Ui/Rd = 1 mA 1.1 2. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路，二极管的导通电压U D ＝0.3V 、 反向击穿电压足够大，设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示，试画出输出u o 的波形。 解： 1.13. 如图P1-5所示电路，设二极管为理 想二极管(导通电压U D =0，击穿电压U BR =∞ )，试画出输出u o 的波形。 解： 5V u 1 t u 2 t 5V 图P1-4(a) 图P1-4(b) ＋ D1 u 1 u o R u 2 D2 P1-5 R ＋ － u o D 2 D 1 D 3 D 4 图P1-3 ＋ － u i D R C U 4.7V u 0 t u o t
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 电子电路基础知识 () 电平标准 下面总结一下各电平标准。和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL 等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 VCC：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系 统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL： VCC：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL： VCC：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就 OK了。 TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻； TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 VCC：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS： VCC：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS： VCC：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC 一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。 ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构) VCC=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。 速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。 为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。 PECL：Pseudo/Positive ECL VCC=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V LVPELC：Low Voltage PECL VCC=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.94V ECL、PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器（射极跟随 器）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0,其共模抑制比为 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK 触发器的功能有保持、计数、置0、置 1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由 少数载流子形成的 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的 1 倍，对全波整流电路而言较为 1.2 倍。 15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE而PNP管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合 UE>UE>UC总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 16、在P型半导体中，多数载流子是空穴，而N型半导体中，多数载流子是自由电子。 17、二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管应始终工作在放大区。 20、一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗管的死区电压。 第三章放大器的负反馈 §3-1反馈的基本概念 一、填空题 1、放大器的反馈，就是将输出量（电压或电流）的一部分或全部，通过的电路形式送回到输入回路，并与输入量进行叠加 过程。 2、反馈放大器由基本放大和反馈电路两部分组成，能否从电路中找到是判断有无反馈的依据。 3、按反馈的极性分，有正反馈和负反馈，判断方法可采用瞬时极性法，反馈结果使净输入量减小的是负反馈，使净输入量增大的是正反馈。 4、按反馈信号从输出端的取样方式分，有电压反馈与电流反馈；按反馈信号与输入信号的连接方式分，有串联反馈和并联反馈。采用输出短路法，可判断是电压反馈还是电流反馈；采用输入短路法，可判断是串联反馈还是 并联反馈，对常用的共发射极放大器，若反馈信号加到三极管基极为并联反馈，加到三极管发射极为串联反馈。 5、按反馈的信号分，有直流反馈和交流反馈。直流负反馈主要用于稳定放大器的静态工作点，交流负反馈可以改善放大器的动态特性。 二、判断题 1、瞬时极性法既能判断反馈的对象，也能判断反馈的极性。（对） 2、串联负反馈都是电流负反馈，并联负反馈都是电压反馈。（错） 3、将负反馈放大器的输出端短路，则反馈信号也随之消失。（错） 4、在瞬时极性法判断中，+表示对地电压为正，—表示对地电压为负。（错） 5、在串联反馈中，反馈信号在输入端是以电压形式出现，在并联反馈中，反馈信号在输入端是以电流形式出现。（对） 三、选择题 1、反馈放大短路的含义是（C ）。 A．输入与输出之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路 C．除放大电路外，还有反向传输的信号通路 2.图3-1-1所示为某负反馈放大电路的一部分，Re1引入（C ），Re2引入（B ）。 知识| 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器(射极跟随器)。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0，其共模抑制比为∞。 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1 。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是由少数载流子形成的。 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍，对全波整流电路而言较为1.2倍。15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE，而PNP 管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。 总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 习题答案 2-2 电路如题图2-2所示，已知30Ω电阻中的电流I 4=0.2A ，试求此电路的总电压U 及总电流I 。 解： 如上图所示，可得 V 901009.010090A 9.03010A 6.02A 3.02060 306030A 1.05.0323254345=?==Ω =+==+=Ω =+====+=Ω=+?= ==IR U R R I I I R R I I I I I R I I ac bc ac bc 2-6 六个相等电阻R ，各等于20Ω，构成一个闭合回路（题图2-6所示）。若将一外电源依次作用a 和b ，a 和c ，a 和d 之间，求在各种情况下的等效电阻。 Ω 题图2-2 习题2-2电路图 Ω 习题2-2电路图 解： 如上图所示，若将电源作用于a 和b ，则有 Ω =====350 65//52 2121R R R R R R R R R ab 同理，若将电源作用于a 和c ，则有 Ω =====380 68//422 2121R R R R R R R R R ac 若将电源作用于a 和d ，则有 Ω =====3069//332 2121R R R R R R R R R ad 题图2-6 习题2-6电路 2-11 试为题图2-11所示的电路，写出 （1） 基尔霍夫电流定律独立方程（支路电流为未知量）； （2） 基尔霍夫电压定律独立方程（支路电流为未知量）； （3） 网孔方程； （4） 节点方程（参考节点任选）。 解： 如上图所示。 （1） 由KCL ，有 00 524321164=--=--=--I I I I I I I I I （2） 由KVL ，有 I I 5 电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体 三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数 相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是 空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是 电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后， 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。 7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为+5V。 电源电路单元 按单元电路的功能可以把它们分成若干类，每一类又有好多种，全部单元电路大概总有几百种。下面我们选最常用的基本单元电路来介绍。让我们从电源电路开始。 一、电源电路的功能和组成 每个电子设备都有一个供给能量的电源电路。电源电路有整流电源、逆变电源和变频器三种。常见的家用电器中多数要用到直流电源。直流电源的最简单的供电方法是用电池。但电池有成本高、体积大、需要不时更换（蓄电池则要经常充电）的缺点，因此最经济可靠而又方便的是使用整流电源。 电子电路中的电源一般是低压直流电，所以要想从 220 伏市电变换成直流电，应该先把220 伏交流变成低压交流电，再用整流电路变成脉动的直流电，最后用滤波电路滤除脉动直流电中的交流成分后才能得到直流电。有的电子设备对电源的质量要求很高，所以有时还需要再增加一个稳压电路。因此整流电源的组成一般有四大部分，见图 1 。其中变压电路其实就是一个铁芯变压器，需要介绍的只是后面三种单元电路。 二、整流电路 整流电路是利用半导体二极管的单向导电性能把交流电变成单向脉动直流电的电路。 （ 1 ）半波整流 半波整流电路只需一个二极管，见图 2 （ a ）。在交流电正半周时 VD 导通，负半周时 VD 截止，负载 R 上得到的是脉动的直流电 （ 2 ）全波整流 全波整流要用两个二极管，而且要求变压器有带中心抽头的两个圈数相同的次级线圈，见图2 （ b ）。负载 R L 上得到的是脉动的全波整流电流，输出电压比半波整流电路高。 （ 3 ）全波桥式整流 用 4 个二极管组成的桥式整流电路可以使用只有单个次级线圈的变压器，见图 2 （ c ）。负载上的电流波形和输出电压值与全波整流电路相同。 （ 4 ）倍压整流 用多个二极管和电容器可以获得较高的直流电压。图 2 （ d ）是一个二倍压整流电路。当 U2 为负半周时 VD1 导通， C1 被充电， C1 上最高电压可接近 1.4U2 ；当 U2 正半周时 VD2 导通， C1 上的电压和 U2 叠加在一起对 C2 充电，使 C2 上电压接近 2.8U2 ，是C1 上电压的 2 倍，所以叫倍压整流电路。 三、滤波电路 整流后得到的是脉动直流电，如果加上滤波电路滤除脉动直流电中的交流成分，就可得到平滑的直流电。 （ 1 ）电容滤波 把电容器和负载并联，如图 3 （ a ），正半周时电容被充电，负半周时电容放电，就可使负载上得到平滑的直流电。 北京交通大学远程与继续教育学院2016——2017学年第一学期网络教育期末考试年级2015专业层次 《数字电子电路基础》答案（闭卷）C卷姓名学号 一、填空题（每空2分，共20分） 1.45、8FA.C6 2.10000111、000100110101 3.基本触发器、同步触发器、边沿触发器 4.2n>N 5. F = A · B、F = A ＋B 二、判断题（每题2分，共10分） 1.（√） 2.（×） 3.（×） 4.（×） 5.（√） 三、选择题（每空2分，共10分） A C C B C 四、名词解释（每题4分，共20分） 1.门电路 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，成为逻辑门电路。 2.D/A转换器 将数字量转换成模拟量的电路成为数/模转换器，简称D/A转换器。 3.BCD码 把十进制数的十个数码0~9用二进制数码来表示，称为BCD码，即二—十进制编码。 4.逻辑与 只有决定事物的所有条件都具备时，结果才发生，这种逻辑关系成为逻辑与。 5.同步触发器 输入信号经过控制门输入，管理控制们的信号为时钟脉冲信号CP，只有在CP信号到来时，输入信号才能进入触发器，否则就会被拒之门外，对电路不起作用。 五、简答题（每题10分，共40分） 1.试用公式法证明逻辑代数基本定律中的分配率A +B· C=(A+B) ·(A +C) 证明：(A+B) ·(A +C)=A· A+A· B+A· C+B· C =A+AB+ AC+BC =A(1+B+C)+BC =A +BC 2.在数字电路中，基本的工作信号是二进制数字信号和两种状态逻辑信号， 而触发器就是存放这些信号的单元电路，那么触发器需要满足哪些基本要求？何为触发器的现态和次态？ 答：触发器需要满足： 电子技术基础试题(八) 一、填空题(每题3分，共30分) 1、PN结具有单向导电特性性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s 相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。 5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流I BQ，以减少交越失真。 带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。 10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。 二、选择题(每题3分，共30分) 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C)。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A)。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A)。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C)。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低 6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( B)。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：( A )。 A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8．逻辑函数式E F+E F+EF，化简后答案是：( C)。 A.EF B.F E+E F C.E+F 电子电路基础知识--测试 第一篇电子电路基础知识 一、判断题（正确的打√，错误的打×） 1、射极输出器不具有电压放大作用。（√） 2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。（√） 3、在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。（×） 说明：效率最高是的乙类功放. 4、逻辑电路中“1”比“0”大。（×） 说明：逻辑电路中“1”与“0”不存在大小之分。 5、石英晶体振荡器的主要优点是振荡频率稳定性高。（√） 6、直流放大器只能放大直流信号。（√） 7、在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。（√） 8、振荡器的负载变动将影响振荡频率稳定性（×） 9、直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号（√） 10、差动放大器如果注意选择元件，使电路尽可能对称，可以减小零点漂移（√） 11、放大器具有正反馈特性时，电路必然产生自激振荡（×） 12、多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄（×）说明：级数愈少，通频带愈宽。 13、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类型半导体构成的，所以e极和c极可以互换使用（×） 14、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（×） 15、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。（×） 16、晶体二极管击穿后立即烧毁。（×） 17、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。（×） 18、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。（×） 19、PNP三极管处于截止状态时，发射结正偏（×） 20、晶体三极管具有能量放大功能。（×） 21、当集电极电流值大于集电极最大允许时，晶体三极管一定损坏。（√） 22、一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。（×） 23、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（√） 24、Ｎ型半导体是在本征半导体中加入少量的三价元素构成的杂质半导体。（×） 25、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多。故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。（√） 26、运算放大器的输入电流接近于零，因此，将输入端断开，运算放大器仍可以正常工作。（×） 27、运算放大器的输入失调电压Ui0是它的两个输入端电压之差。（×） 28、Ｐ型半导体是在本征半导体中加入少量的五价元素构成的杂质半导体。（×） 29、运算放大器的输入电压接近于零，因此，将输入端短路，运算放大器仍可以正常工作。（×） 电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体与半导体三大类,最常用的半导体材料就是硅与锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体与P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴与自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子就是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子就是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0、5 V,锗二极管的开启电压约为0、1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0、7 V,锗二极管的正向压降约为 0、3 V。 5、锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6、稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。 7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型与平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光与光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱与电流与最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流与动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M相接时,A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V、 13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、 流过电阻的电流就是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中,二极管就是理想器件,则流过二极管V1的电流为0、25mA ,流过V2的电流为0、25mA ,输出电压U0为+5V。 电子电路单元分布一般规律 电源电路在图右下方，信号源电路在电路图左侧，负载电路在右侧。 各级放大器电路从左向右排列，双声道电路中的左右声道是上下排列的 产生电流的两个条件 1.闭合回路 2.电源 电平概念解说 其是表示电功率、电压和电流相对大小的量 电平用分贝(dB) 分贝=10lgP2/P1=20lgU2/U1=20lgI2/I1 其中： P2为放大器输出功率，P1为放大器输入功率 U2为放大器输出信号电压，U1为放大器输入信号电压 I2为放大器输出信号电流，I1为放大器输入信号电流 电阻在电路中的作用 1.给电路中某点加上电压 2.降低电路中某点电压 3.将电路中的两点隔离 4.将电流转换成电压 5.分压 6.分流 7.阻尼 8.限流保护 电位器参数标注解说 某电位器外壳上标出：51K-0.25/X 其中， 51K是标称阻值51k欧姆，0.25表示额定功率为0.25瓦。X表示X型电位器电位器共分三种： X型-----线性变化，可以用于音响电路，构成立体声平衡控制器 Z型-----指数特性变化，可用来构成音响控制其电路 D型-----对数特性变化，用于一些音调控制器电路，作为音调电位器 电容电路解说 1.耦合电容 2.滤波电容 3.退耦电容 4.高频削震电容 5.谐振电容 6.旁路电容 7.积分电容8.微分电容9小火花电容10.分频电容 电解电容故障 击穿、漏电大故障、容量减小故障、开路故障、爆炸故障 需要注意的是： 爆炸故障：此种情况只出现在有极性电解电容器在跟换新电容器之后，由于正负脚接反而发生爆炸 电容并联解析 1.一大一小电容并联 主要出现在电源滤波电路中，并且在大电容的容量很大很大时才出现这种情况 如果容量不是很大，感抗不明显，则没有必要再接一个小电容 作用： 大电容为电源滤波电容 小电容为高频滤波电容 2.两个大电容并联 用于电源滤波电路或者是OTL功放电路输出回路作为输出端耦合电容 作用：高频滤波电容 3.两个等容量小电容并联 这是彩色电视机行震荡器电路中的行定时电容电路 其中： 一个为聚酯电容，是正温度系数电容 一个为聚丙烯电容，师负温度系数电容主要是为了实现温度的互补！！ RC电路分析 1.RC串联 RC串联电路总的阻抗是随频率变化而变化的 总的阻抗=电阻+C容抗 转折频率公式: f=1/2∏RC 2.RC并联 转折频率公式: f=1/2∏RC 3.RC串并联 XX 中学XX 年XX 学期期末考试 电子电路基础试卷（XX 班） （试卷满分100分 考试时间120分钟） 班级 姓名 学号 得分 一、填空题（每空1分，共20分） 1.在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。 2.在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。 3.数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。 4.在逻辑关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。 5.十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制。 6.最简与或表达式是指在表达式中 或项 最少，且 与项 也最少。 7.具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 ，其中最基本的有 与门 、 或门 和非门。 8.两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有 清零 、 置1 和 保持 。 9.组合逻辑电路的基本单元是 门电路 ，时序逻辑电路的基本单元是 触发器 。 二、选择题（每题2分，共30分） 1.逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。 A 、逻辑加 B 、逻辑乘 C 、逻辑非 2.十进制数100对应的二进制数为（ C ）。 A 、1011110 B 、1100010 C 、1100100 D 、11000100 3.和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。 A 、 B A + B 、B A ? C 、B B A +? D 、A B A + 4.数字电路中机器识别和常用的数制是（ A ）。 A 、二进制 B 、八进制 C 、十进制 D 、十六进制 5.所谓机器码是指（ B ）。 A 、计算机内采用的十六进制码 B 、符号位数码化了的二进制数码 C 、带有正负号的二进制数码 D 、八进制数 6.具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是（ B ）。 A 、与非门 B 、或非门 C 、异或门 D 、同或门 7.下列各型号中属于优先编译码器是（ C ）。 电子电路基础知识点总结 电子电路基础知识点总结 1、纯净的单晶半导体又称本征半导体，其内部载流子自由电子空 穴的数量相等的。 2、射极输出器属共集电极放大电路，由于其电压放大位数约等于1，且输出电压与输入电压同相位，故又称为电压跟随器（射极跟随器）。 3、理想差动放大器其共模电压放大倍数为0,其共模抑制比为呂 4、一般情况下，在模拟电器中，晶体三极管工作在放大状态，在 数字电器中晶体三极管工作在饱和、截止状态。 5、限幅电路是一种波形整形电路，因它削去波形的部位不同分为上 限幅、下限幅和双向限幅电路。 6、主从JK触发器的功能有保持、计数、置0、置1。 7、多级放大器的级间耦合有阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。 8、带有放大环节串联稳压电路由调整电路、基准电路、取样电路和比较放大电路分组成。 9、时序逻辑电路的特点是输出状态不仅取决于当时输入状态，还与输出端的原状态有关。 10、当PN结外加反向电压时，空间电荷区将变宽。反向电流是 由少数载流子形成的 11、半导体具有热敏性、光敏性、力敏性和掺杂性等独特的导电 特性。 12、利用二极管的单向导电性，可将交流电变成脉动的直流电。 13、硅稳压管正常工作在反向击穿区。在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围变化时，硅稳压管两端的电压基本不变。 14、电容滤波只适用于电压较大，电流较小的情况，对半波整流 电路来说，电容滤波后，负载两端的直流电压为变压级次级电压的1倍，对全波整流电路而言较为 1.2倍。 15、处于放大状态的NPN管，三个电极上的电位的分布必须符合UC>UB>UE，而PNP管处于放大状态时，三个电极上的电位分布须符合UE>UE>UC。总之，使三极管起放大作用的条件是：集电结反偏，发射结正偏。 16、在P型半导体中，多数载流子是空穴，而N型半导体中，多数载流子是自由电子。 17、二极管在反向截止区的反向电流基本保持不变。 18、当环境温度升高时，二极管的反向电流将增大。 19、晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管应始终工作在放大区。 20、一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于错管的死区电压。电子电路基础知识
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