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第七章高分子的电学性能

第七章高分子的电学性能
第七章高分子的电学性能

平行板电容器上的电荷

(a)板间是真空;(a)板间有电介质

电子极化和原子极化都是在外电场作用下,分子中正负电荷中心发生位移或分子变

形引起的,统称为位移极化或变形极化,由

此产生的偶极矩为诱导偶极矩。

③取向极化(偶极极化)

在外电场作用下,极性分子沿电场的方向排列,产生分子的取向。极性分子沿外电场

方向的转动需要克服本身的惯性和旋转阻力。耗时:

约10-9s。

损耗于克服介质的内粘滞阻力上,转化为热量,发生松弛损耗;变形极化是一种弹性过程或谐振过程,当电场的频率与原子或电子的固有振动频率相同时,发生共振吸收,损耗电场能量最大。

取向极化随电场变化示意图

(a)电场交变频率低,偶极子转向与电场同步变化

(b)电场交变频率提高,偶极子转向滞后于电场变化

极性电介质在电场中发生极化时,如果电场的频率很低,偶极子的转向完全跟得上电场的变化,电场的能量基本上不被损耗,介电损耗就很小。

当交变电场的频率提高时,由于介质的内粘滞作用,偶极子的转向受到摩擦阻力的影响,落后于电场的变化,在电场作用下发生强迫运动,电场损耗的能量很大。

⑵温度的影响

对于一个固定的频率,温度太低时,介质粘度过大,极化过程建立太慢,甚至于偶极转向完全跟不上电场的变化,因此介电损耗很小;

随着温度升高,介质粘度降低,偶极子取向能力增大,但由于取向速度跟不上电场的变化,取向时消耗能量较多;

上从低频到高频,依次用α、β、γ命名。

介电损耗温度谱示意图

聚氯乙烯和聚丙烯酸甲酯的介电松弛谱图

(a)聚丙烯酸甲酯;(b)聚氯乙烯

研究表明,α峰与大分子主链链段运动有关,而β峰反映了极性侧基的取向运动。

聚偏氟乙烯的介电松弛谱图

四、导电高分子材料

导电高分子的研究和应用是近年来高分子科学最重要的成就之一。

1974年,日本化学家白川英树(Hideki Shirakawa)等偶然发现一种制备聚乙炔自支撑膜的方法,得到聚乙炔薄膜不仅力学性能优良,且有明亮金属光泽。

白川英树教授

而后MacDiarmid、Heeger、白川英树等合作发现聚乙炔膜经过I2等掺杂后电导率提高13个数量级,达到103S/cm,成为导电材料。

这一结果突破了传统的认为高分子材料只是良好绝缘体的认识,引起广泛关注。2000年,三位科学家

共同获得诺贝尔化学奖

(导电高分子合成及

导电机理研究)。

Alan Graham MacDiarmid(April 14, 1927 –February 7, 2007) ,新西

兰裔美国化学家。

MacDiarmid教授在中科院化学所作报告

A bust of MacDiarmid

in South Gyle, Edinburgh

MacDiarmid Memorial near Langholm

Alan J. Heeger(January 22, 1936 –),美国物理学家。

导电短纤导电长丝

材料的电学性能测试

材料科学实验讲义 (一级实验指导书) 东华大学材料科学与工程中心实验室汇编 2009年7月

一、实验目的 按照导电性能区分,不同种类的材料都可以分为导体、半导体和绝缘体三大类。区分标准一般以106Ω?cm和1012Ω?cm为基准,电阻率低于106Ω?cm称为导体,高于1012Ω?cm称为绝缘体,介于两者之间的称为半导体。然而,在实际中材料导电性的区分又往往随应用领域的不同而不同,材料导电性能的界定是十分模糊的。就高分子材料而言,通常是以电阻率1012Ω?cm为界限,在此界限以上的通常称为绝缘体的高分子材料,电阻率小于106Ω?cm称为导电高分子材料,电阻率为106 ~1012Ω?cm常称为抗静电高分子。通常高分子材料都是优良的绝缘材料。 通过本实验应达到以下目的: 1、了解高分子材料的导电原理,掌握实验操作技能。 2、测定高分子材料的电阻并计算电阻率。 3、分析工艺条件与测试条件对电阻的影响。 二、实验原理 1、电阻与电阻率 材料的电阻可分为体积电阻(R v)与表面电阻(R s),相应的存在体积电阻率与表面电阻率。 体积电阻:在试样的相对两表面上放置的两电极间所加直流电压与流过两个电极之间的稳态电流之商;该电流不包括沿材料表面的电流。在两电极间可能形成的极化忽略不计。 体积电阻率:在绝缘材料里面的直流电场强度与稳态电流密度之商,即单位体积内的体积电阻。 表面电阻:在试样的某一表面上两电极间所加电压与经过一定时间后流过两电极间的电流之商;该电流主要为流过试样表层的电流,也包括一部分流过试样体积的电流成分。在两电极间可能形成的极化忽略不计。 表面电阻率:在绝缘材料的表面层的直流电场强度与线电流密度之商,即单位面积内的表面电阻。 体积电阻和表面电阻的试验都受下列因素影响:施加电压的大小和时间;电极的性质和尺寸;在试样处理和测试过程中周围大气条件和试样的温度、湿度。高阻测量一般可以利用欧姆定律来实现,即R=V/I。如果一直稳定通过电阻的电流,那么测出电阻两端的电压,就可以算出R的值。同样,给被测电阻施加一个已知电压,测出流过电阻的电流,也可以算出R的值。问题是R值很大时,用恒流测压法,被测电压V=RI将很大。若I=1μA,R=1012Ω,要测的电压V=106V。用加压测流法,V是已知的,要测的电流I=V/R将很小。因为处理弱电流难度相对小些,我们采用加压测流法,主要误差来源是微弱电流的测量。 2、导电高分子材料的分类

纳米材料表面效应

纳米材料的表面效应 材料0701 李愿 学号:1002070101 参考文献: 1、卢柯、卢磊金属纳米材料力学性能的研究进展 金属学报 2000年8月第36卷第8期:785—789 摘要 金属纳米按体材料具有独特的力学性能如高强度、超高延展性等。近年来得到广泛深入的研究。在对其新进展进行简要评述的基础上,讨论了它的强度、塑性、弹性模量、应变强化、超塑性、蠕变及变形机理等相关问题。 2、吴锦雷纳米材料的电学、光学和光电性能及应用前景 真空电子学术 2002年第4期:23—27 摘要: 简要介绍了纳米材料的电学性能以及单电子器件的基本原理和应用;纳米材料的光学性能和光电性能,高的光吸收系数和光致荧光现象可使其应用于敏感元件,由于其光电特性具有超快响应速度,可望在超快光电子器件中得到应用。 3、齐卫宏、汪明朴纳米金属微粒表征量的基本关系 材料导报 2002年9月第16卷第9期:76—77 摘要: 在假定纳米微粒近似成球形的前提下,推导出了粒径、微粒原子数、表面原子百分数及比表面积之间的相互关系式,这些关系式对实验将会有一些指导作用。 4、梁海弋、倪向贵、王秀喜表面效应对纳米铜杆拉伸性能影响的原子模拟 金属学报 2001年8月第37卷第8期 833—836 摘要: 采用EAM势对纳米铜杆的拉伸力学性能进行零温分子动力学模拟。研究表面效应对原子能量、截面应力分布的影响模拟结果表明,表面原子弛豫降低了纳米杆初始阶段的拉伸弹性模量。表面效应明显影响截面应力的发展与分布。 5、黄丹、陶伟明、郭乙木分子动力学模拟纳米镍单晶的表面效应 固体力学学报 2005年6月第26卷第2期:241—244 摘要: 对单晶镍纳米丝、纳米薄膜零温准静态拉伸破坏过程进行了分子动力学模拟。模拟表明表面效应对单晶纳米材料的原子运动及整体力学行为有显著影响。自由表面增加纳米材料的塑

电学性能测试设备的制作方法

本技术新型公开了一种电学性能测试设备,包括加工装置、测试装置和分析装置,加工装置、测试装置和分析装置安装在基座上面并呈直线排布,加工装置在右侧,测试装置在中间,分析装置在左侧,传送带安装在加工装置与测试装置中间,线缆安装在电气设备连接处,支撑架安装在基座底部边缘;本电学性能测试设备,在使用时只需将所检测材料在加工装置加工成检测装置所需状态,通过传送带运输到检测装置,经检测后将数据传输到分析电脑中即可,本设备安装五种常用的检测装置,能够同时检测多种电学性能,并将数据统一传输到分析电脑,做到全方位系统的测试材料的电学性能。 技术要求

1.一种电学性能测试设备,包括加工装置(1)、测试装置(3)和分析装置(5),其特征在于:所述加工装置(1)、测试装置(3)和分析装置(5)安装在基座(6)上面并呈直线排布,加工装置(1)在右侧,测试装置(3)在中间,分析装置(5)在左侧,传送带(2)安装在加工装置(1)与测试装置(3)中间,线缆(4)安装在电气设备连接处,支撑架(7)安装在基座(6)底部边缘;所述加工装置(1)包括放料口(11)和加工台(12),放料口(11)放置在加工台(12)顶部中间,加工台(12)安装在基座(6)右侧,测试装置(3)包括介电强度检测装置(31)、介电常数检测装置(32)、介电损耗检测装置(33)、体积电阻系数和表面电阻系数检测装置(34)、耐电弧性检测装置(35)、检测架(36)、排污口(37)和废料盒(38),介电强度检测装置(31)、介电常数检测装置(32)、介电损耗检测装置(33)、体积电阻系数和表面电阻系数检测装置(34)、耐电弧性检测装置(35)安装在检测架(36)上面并且呈线性排布,从右到左以依次为介电强度检测装置(31)、介电常数检测装置(32)、介电损耗检测装置(33)、体积电阻系数和表面电阻系数检测装置(34)、耐电弧性检测装置(35),检测架(36)安装在基座(6)中部,排污口(37)安装在检测架(36)右侧下方,废料盒(38)放置在基座(6)之上并且在排污口(37)的下方,分析装置(5)包括分析电脑(51)和分析台(52),分析电脑(51)放置在分析台(52)上面,分析台(52)安装在基座(6)左侧。 2.根据权利要求1所述的一种电学性能测试设备,其特征在于:所述电气设备均用线缆(4)连接。 3.根据权利要求1所述的一种电学性能测试设备,其特征在于:所述检测装置均为标准设备。 4.根据权利要求1所述的一种电学性能测试设备,其特征在于:所述支撑架(7)共6个并均匀分布在基座(6)下方边缘。 技术说明书 一种电学性能测试设备 技术领域

第三章 纳米材料的特性

(一)纳米材料的结构与形貌 ZnO nanotube (一)纳米材料的结构与形貌 1D ZnO nanostructures 热学性能电学性能磁学性能光学性能

开 热学性能 开始烧结温度下降 开始烧结温度下降 TiO2微粒的烧结与 尺寸关系 纳米颗粒的晶化温度降低

电阻特性介电特性压电效应 电阻特性 纳米金属与合金的电阻 Gleiter等对纳米金属Cu,Pd,Fe块体的电阻与温度关系,电阻温度系数与颗粒尺寸的关系进行与常规材料相比,Pd纳米相固体z 随颗粒尺寸减小,电阻温度系Pd纳米固相的电阻温度系 数与尺寸的关系 例如,纳米银细粒径20nm 18nm 11nm 纳米金属与合金的电阻 电阻特性

电阻特性介电特性是材料的基本物性? 介电常数:? 最新的纳米材料微波损耗机制是如今吸波材料分析的一大热点常规材料的极化都与结构的有序相联系,而纳米材料在结构上与常规粗晶材料存在很大的差别.它的介电行为(介电常数、介电损耗)有自己的特点。介电特性 减小明显增大。在低频范围内远高于体材料。 介电特性 目前,对于不同粒径的纳米非晶氮化硅、纳米钛矿、金红石和纳米(个损耗峰.损耗峰的峰位随粒径增大移向高频。 7nm 27nm 84nm 258nm 介电特性 压电效应

压电效应 纳米压电电子学 (Nanopiezotronics) 全新研究领域和学科, 有机地把压电效应和 半导体效应在纳米尺 度结合起来 高磁化率超顺磁性 :当铁磁质的磁化达到饱和之后,如果将外 磁场去掉,由于介质中的掺杂内应力阻碍磁畴恢复到原来的 纳米微粒尺寸高于超顺磁 临界尺寸时通常呈现高的 矫顽力 右图为用惰性气体蒸发冷 凝方法制备的Fe纳米微粒

高分子材料的电学性能

第六节 高分子材料的电学性能 高分子材料的电学性能是指在外加电场作用下材料所表现出来的介电性能、导电性能、电击穿性质以及与其他材料接触、摩擦时所引起的表面静电性质等。 种类繁多的高分子材料的电学性能是丰富多彩的。就导电性而言,高分子材料可以是绝缘体、半导体、导体和超导体。多数聚合物材料具有卓越的电绝缘性能,其电阻率高、介电损耗小,电击穿强度高,加之又具有良好的力学性能、耐化学腐蚀性及易成型加工性能,使它比其他绝缘材料具有更大实用价值,已成为电气工业不可或缺的材料。另一方面,导电高分子的研究和应用近年来取得突飞猛进的发展。以MacDiarmid 、Heeger 、白川英树等人为代表高分子科学家发现,一大批分子链具有共轭π-电子结构的聚合物,如聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等,通过不同的方式掺杂,可以具有半导体(电导率σ=10-10-102 S ?cm -1)甚至导体(σ=102-106 S ?cm -1)的电导率。通过结构修饰(衍生物、接枝、共聚)、掺杂诱导、乳液聚合、化学复合等方法人们又克服了导电高分子不溶不熔的缺点,获得可溶性或水分散性导电高分子,大大改善了加工性,使导电高分子进入实用领域。白川英树等人因其开创性和富有成效的工作获得2000年度诺贝尔化学奖。 研究聚合物电学性能的另一缘由是因为聚合物的电学性质非常灵敏地反映材料内部的结构特征和分子运动状况,因此如同力学性质的测量一样,电学性质的测量也成为研究聚合物结构与分子运动的一种有效手段。 一、聚合物的极化和介电性能 (一)聚合物电介质在外电场中的极化 在外电场作用下,电介质分子中电荷分布发生变化,使材料出现宏观偶极矩,这种现象称电介质的极化。极化方式有两种:感应极化和取向极化。根据分子本身是否具有永久偶极矩,物质分子可分为极性分子和非极性分子两大类,其极化方式不同。 非极性分子本身无偶极矩,在外电场作用下,原子内部价电子云相对于原子核发生位移,使正负电荷中心分离,分子带上偶极矩;或者在外电场作用下,电负性不同的原子之间发生相对位移,使分子带上偶极矩。这种极化称感应极化,又称诱导极化或变形极化。其中由价电子云位移引起的极化称电子极化;由原子间发生相对位移引起的极化称原子极化。原子极化比电子极化弱得多,极化过程所需的时间略长。 感应极化产生的偶极矩为感应偶极矩1μ,对各向同性介质,1μ与外电场强度E 成正比: ()E E a e 11αααμ=+= (4-127) 式中,α1称感应极化率,αe 和αa 分别为电子极化率和原子极化率。αe 和αa 的值不随温度而变化,仅取决于分子中电子云和原子的分布情况。电子极化和原子极化在所有电介质中(包括极性介质和非极性介质)都存在。 极性分子本身具有永久偶极矩,通常状态下由于分子的热运动,各偶极矩的指向杂乱无章,因此宏观平均偶极矩几乎为零。当有外电场时,极性分子除发生电子极化和原子极化外,其偶极子还会沿电场方向发生转动、排列,产生分子取向,表现出宏观偶极矩。这种现象称取向极化或偶极极化(图4-71)。 图4-71 极性分子的取向极化

纳米材料的力学和电学性能

纳米材料地力学和电学性能及其应用 摘要:主要介绍了纳米材料地力学性能(包括超硬、高强、高韧、超塑性以及高性能陶瓷)和电学性能(包括压敏材料、量子器材、非线性电阻等),以及这些性能地应用. 关键词:纳米材料;力学性能;电学性能;应用领域. 随着人类社会地发展和进步,现代科学技术探索地主要领域有:航空航天、火箭、卫星;热核反应发电站;深海探索;高温燃气轮机;高压贮罐以及生物环境仿生学等.在大多数情况下,其工作条件非常复杂和恶劣.如:超高压、超高温、超真空、强辐射、强腐蚀等,这些恶劣地条件对我们地材料提出了更高地要求.而传统地金属、非金属等材料已经远远不能满足这些极其苛刻地要求了,这就需要我们发展新型地高性能材料.这时,纳米材料以其卓越地性能进入了人们地视野,纳米材料在力学和电学方面地性能满足了多领域地需求.文档收集自网络,仅用于个人学习 普通多晶材料地强度(或硬度).随晶粒尺寸地变化通常服从一关系 Σ=σ+kd-1/2 其中,为σ一强度常数, 为一正常数.即随晶粒细化材料地强度(或硬度)按-1/2关系线性增大.等人利用分子动力学计算模拟,发现在0及,纳米(晶粒尺寸在一范围)屈服强度和流变强度均表现出反常一关系,即< .表明“ 理想” 纳米材料(无污染、全致密、完全驰豫态、细小均匀晶粒) 地性能可能与常规多晶材料完全不同.文档收集自网络,仅用于个人学习 材料超塑变形基本上是晶界在高温下滑移造成地.根据晶界滑移地理论模型, 如晶界扩散蠕变模型, 其形变速率ε可表述为文档收集自网络,仅用于个人学习 ε=BωσξDgb/d3KT 其中σ为拉伸应力,ω为原子体积, 为平均晶粒尺寸, 为常数, Dgb为晶界扩散率, ξ为晶界厚度, 为常数.文档收集自网络,仅用于个人学习 介电特性是材料地重要性能之一, 当材料处于交变电场下, 材料内部会发生极化, 这种极化过程对交变电场有一个滞后响应时间, 即弛豫时间.弛豫时间长, 则会产生较大地介电损耗.纳米材料地微粒尺寸对介电常数和介电损耗有很大影响, 介电常数与交变电场地频率也有密切关系.例如纳米在频率不太高地电场作用下,介电常数是随粒径增大而增大,达到最大值后下降,出现介电常数最大值时地粒径为.一般讲, 纳米材料比块体材料地介电常数要大, 介电常数大地材料可以应用于制造大容量电容器, 或者说在相同电容量下可减小体积, 这对电子设备地小型化来讲很有用. 文档收集自网络,仅用于个人学习 一维纳米材料有望成为纳米装置中地连接线和功能单元,如用做扫描隧道显微镜()地针尖、光导纤维、超大规模集成电路() 中地连线、微型钻头等.文档收集自网络,仅用于个人学习一维纳米材料在光电转换效应方面有很多特有地性能,当金属纳米微粒埋藏于半导体介质中,纳米微粒要向周围介质输运电子,在微粒表面形成电荷积累,于是界面地等效位垒高度降低,当电子受到光地激发,电子容易逸出薄膜表面而发射到真空中去.文档收集自网络,仅用于个人学习 纳米材料在微电子学上地应用:连接超高密度集成线路元件地纳米导线,日本理化研究所科学家青野正和等使用有机导电高分子材料研制出线宽仅为纳米地极微细导线, 大大突破了现在半导体加工技术地极限线宽; 文档收集自网络,仅用于个人学习 制备金属鲍缘体多层膜地新方法,中国科技大学通过紫外光照射地方法将有机混合溶液中地无机盐还原,合成出被有机配位体所包裹地稳定地纳米颗粒; 然后利用电泳法将这些有机配位体包裹地纳米粒子沉淀到涂碳显微栅格上; 文档收集自网络,仅用于个人学习纳米陶瓷基板,低温共烧多层基板(),可采用一等电阻率低地金属作多层布线导体材料, 可使布线更加细微化,提高布线密度和组装密度;文档收集自网络,仅用于个人学习

高分子材料的基本物理性能

高分子材料的主要物理性能 高分子材料与小分子物质相比具有多方面的独特性能,其性能的复杂性源自于其结构的特殊性和复杂性。联系材料微观结构和宏观性质的桥梁是材料内部分子运动的状态。一种结构确定的材料,当分子运动形式确定,其性能也就确定;当改变外部环境使分子运动状态变化,其物理性能也将随之改变。这种从一种分子运动模式到另一种模式的改变,按照热力学的观点称作转变;按照动力学的观点称作松弛。例如天然橡胶在常温下是良好的弹性体,而在低温时(<-100℃)失去弹性变成玻璃态(转变)。在短时间内拉伸,形变可以恢复;而在长时间外力作用下,就会产生永久的残余形变(松弛)。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA )在常温下是模量高、硬而脆的固体,当温度高于玻璃化温度(~100℃)后,大分子链运动能力增强而变得如橡胶般柔软;温度进一步升高,分子链重心能发生位移,则变成具有良好可塑性的流体。 本着“结构?分子运动?物理性能”这样一条思维线路,本章有选择地介绍高分子材料的热性能、力学性能、高弹性和粘弹性、溶液性质、流变性质、电学性能等。同时通过介绍结构与性能的关系,帮助我们根据使用环境和要求,有目的地选择、使用、改进和设计高分子材料,设计和改进加工工艺和设备,扩大高分子材料使用范围。 第一节 高分子材料的分子运动、力学状态转变及热性能 一、高分子运动的特点 与低分子材料相比,高分子材料的分子热运动主要有以下特点: (一)运动单元和模式的多重性 高分子的结构是多层次、多类型的复杂结构,决定着其分子运动单元和运动模式也是多层次、多类型的,相应的转变和松弛也具有多重性。从运动单元来说,可以分为链节运动、链段运动、侧基运动、支链运动、晶区运动以及整个分子链运动等。从运动方式来说,有键长、键角的变化,有侧基、支链、链节的旋转和摇摆运动,有链段绕主链单键的旋转运动,有链段的跃迁和大分子的蠕动等。 在各种运动单元和模式中,链段的运动最为重要,高分子材料的许多特性均与链段的运动有直接关系。链段运动状态是判断材料处于玻璃态或高弹态的关键结构因素;链段运动既可以引起大分子构象变化,也可以引起分子整链重心位移,使材料发生塑性形变和流动。 (二)分子运动的时间依赖性 在外场作用下,高分子材料从一种平衡状态通过分子运动而转变到另一种平衡状态是需要时间的,这种时间演变过程称作松弛过程,所需时间称松弛时间。例如将一根橡胶条一端固定,另一端施以拉力使其发生一定量变形。保持该形变量不变,但可以测出橡胶条内的应力随拉伸时间仍在变化。相当长时间后,内应力才趋于稳定,橡胶条达到新的平衡。 设材料在初始平衡态的某物理量(例如形变量、体积、模量、介电系数等)的值为x 0,在外场作用下,到t 时刻该物理量变为x (t ),许多情况下x (t )与x 0满足如下关系: ()τ /0t e x t x -= (4-1) 公式(4-1)实质上描述了一种松弛过程,式中τ称松弛时间。当t =τ时,()e x x /0=τ,可见松弛时间相当于x 0变化到x 0/e 时所需要的时间。 低分子物质对外场的响应往往是瞬时完成的,因此松弛时间很短,而高分子材料的松弛时间可能很长。高分子的这种松弛特性来源于其结构特性,由于分子链的分子量巨大,几何构型具有明显不对称性,分子间相互作用很强,本体粘度很大,因此其松弛过程进行得较慢。 不同运动单元的松弛时间不同。运动单元越大,运动中所受阻力越大,松弛时间越长。比如键长、键 角的变化与小分子运动相仿,其松弛时间与小分子相当,约10-8-10-10 s ;链段运动的松弛时间较长,可达到分钟的数量级;分子整链的松弛时间更长,可长达几分、几小时,甚至几天、几个月。由于高分子材料结构具有多重性,因此其总的运动模式具有一个广阔的松弛时间谱。 了解材料的松弛时间谱十分重要,因为材料的不同性质是在不同的松弛过程(它们具有不同的松弛时间)中表现出来的。在实际测试或使用材料时,只有那些松弛时间与外场作用时间数量级相当的分子运动模式(或性质)最早和最明显地被测试或表现出来。例如要研究链段的运动,实验进行的速度应当掌握在分钟数量级,太快或太慢的实验都不能测到链段的运动。如果要研究分子整链的运动(如材料的流动),

纳米材料物理基础

讲课内容——纳米半导体光催化技术 主要内容 一、简介 ?纳米 纳米——10-9米,由于颗粒尺寸的微细化,使得纳 米材料具有块状材料所不具备的独特性质,如比表面 积大大增大,吸附能力大大增强。 ?半导体 半导体——常温下导电性能介于导体与绝缘体之间 的材料,具有热敏、光敏等特性。 半导体的能带结构 半导体存在一系列的满带,最下面的满带成为价带(valence band,VB);存在一系列的空带,最上面的空带称为导带(conduction band,CB);价带和导带之间为禁带。 当用能量等于或大于禁带宽度(Eg)的光照射时,半导体价带上的电子可被激发跃迁到导带,同时在价带上产生相应的空穴,这样就在半导体内部生成电子(e-)-空穴(h+)对。 为了形象地说明电子空穴对,利用生活中常见的石榴来比喻:石榴籽:光致电子 石榴籽留下的空洞:光致空穴 光致电子:存在于导带中。光致空穴:存在

于价带中。 二者有复合的趋势,即在持续的光照射下,光子不断的轰击价带,导致光致电子和光致空穴不断产生,该分离过程以纳秒计算,然后,光致电子重新回到光致空穴中,二者复合。 ?光催化 光催化于1967年被当时还是东京大学研究生的藤岛昭教授发现。在一次试验中对放入水中的氧化钛单晶进行了紫外灯照射,结果发现水被分解成了氧和氢。这一效果作为“本多·藤岛效果”(Honda-Fujishima Effect)而闻名于世,该名称组合了藤岛教授和当时他的指导教师----东京大学校长本多健一的名字。 1976 年,John.H.Carey报道了TiO2光催化氧化法用于污水中PCB 化合物脱氯去毒的成功结果后,自从那时起,针对光催化技术,学术界围绕太阳能利用、光催化降解有机物等展开了多方面的研究。 1985年,Mutsunaga等发现在金属卤灯发出的近紫外光照射下,TiO2 - Pt电极具用杀菌效果,这一发现开创了用光催化方法杀菌消毒的先河。因其具备良好的耐候性、耐化学腐蚀性、抗紫外线能力强、透明性优异等特点,被广泛应用于汽车、感光材料、光催化剂、化妆品、食品包装材料、陶瓷添加剂、气体传感器及电子材料等。 我国的光催化研究 起步于上世纪90年代,现在正在蓬勃发展; 国家环境光催化工程技术研究中心,位于福州大学内,付贤智院士领衔,是我国目前光催化领域中规模最大、科研实验条件最好、在国内外光催化领域具有重要影响的研究机构。 中科院化学所光化学重点实验室,赵进才院士领衔,致力于可见光下有毒有机污染物催化降解,取得重要成果,在国内外具有广泛影响。 南京大学长江学者特聘教授邹志刚教授,973计划“光催化材料及其应用的基础研究”的

纳米材料特性

纳米材料特性

《纳米材料导论》作业 1、什么是纳米材料?怎样对纳米材料进行分类? 答:任何至少有一个维度的尺寸小于100nm或由小于100nm的基本单元组成的材料称作纳米材料。它包括体积分数近似相等的两部分:一是直径为几或几十纳米的粒子,二是粒子间的界面。纳米材料通常按照维度进行分类。 原子团簇、纳米微粒等为0维纳米材料。纳米线为1维纳米材料,纳米薄膜为2维纳米材料,纳米块体为3维纳米材料,及由他们组成的纳米复合材料。 按照形态还可以分为粉体材料、晶体材料、薄膜材料。 2、纳米材料有哪些基本的效应?试举例说明。 答:纳米材料的基本效应有:一、尺寸效应,纳米微粒的尺寸相当或小于光波波长、传导电子的德布罗意波长、超导态的相干长度或投射深度等特征尺寸时,周期性的边界条件将被破坏,声、光、电、磁、热力学等特征性即呈现新的小尺寸效应。出现光吸收显著增加并产生吸收峰的等离子共振频移; 磁有序态转为无序态;超导相转变为正常相;声子谱发生改变等。例如,纳米微粒的熔点远低于块状金属;纳米强磁性颗粒尺寸为单畴临界尺寸时,具有很高的矫顽力;库仑阻塞效应等。二、量子效应,当能级间距δ大于热能、磁能、静磁能、静电能、光子能量或超导态的凝聚能时,必须考虑量子效应,随着金属微粒尺寸的减小,金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象和半导体微粒存在不连续的最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道,能隙变宽的现象均称为量子效应。例如,颗粒的磁化率、比热容与所含电子的奇、偶有关,相应会产生光谱线的频移,介电常数变化等。 三、界面效应,纳米材料由于表面原子数增多,晶界上的原子占有相当高的 比例,而表面原子配位数不足和高的表面自由能,使这些原子易与其它原子相结合而稳定下来,从而具有很高的化学活性。引起表面电子自旋构象和电子能谱的变化;纳米微粒表面原子运输和构型的变化。四、体积效应,由于纳米粒子体积很小,包含原子数很少,许多现象不能用有无限个原子的块状物质的性质加以说明,即称体积效应。久保理论对此做了些解释。 3、纳米材料的晶界有哪些不同于粗晶晶界的特点? 答:纳米晶的晶界具有以下不同于粗晶晶界结构的特点:1)晶界具有大量未被原子占据的空间或过剩体积,2)低的配位数和密度,3)大的原子均方间距,4)存在三叉晶界。此外,纳米晶材料晶间原子的热振动要大于粗晶的晶间原子的热振动,晶界还存在有空位团、微孔等缺陷,它们与旋错、晶粒内的位错、孪晶、层错以及晶面等共同形成纳米材料的缺陷。 4、纳米材料有哪些缺陷?总结纳米材料中位错的特点。

高分子材料的主要物理性能汇总

第四章 高分子材料的主要物理性能 高分子材料与小分子物质相比具有多方面的独特性能,其性能的复杂性源自于其结构 的特殊性和复杂性。联系材料微观结构和宏观性质的桥梁是材料内部分子运动的状态。一种结构确定的材料,当分子运动形式确定,其性能也就确定;当改变外部环境使分子运动状态变化,其物理性能也将随之改变。这种从一种分子运动模式到另一种模式的改变,按照热力学的观点称作转变;按照动力学的观点称作松弛。例如天然橡胶在常温下是良好的弹性体,而在低温时(<-100℃)失去弹性变成玻璃态(转变)。在短时间内拉伸,形变可以恢复;而在长时间外力作用下,就会产生永久的残余形变(松弛)。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA )在常温下是模量高、硬而脆的固体,当温度高于玻璃化温度(~100℃)后,大分子链运动能力增强而变得如橡胶般柔软;温度进一步升高,分子链重心能发生位移,则变成具有良好可塑性的流体。 本着“结构?分子运动?物理性能”这样一条思维线路,本章有选择地介绍高分子材料的热性能、力学性能、高弹性和粘弹性、溶液性质、流变性质、电学性能等。同时通过介绍结构与性能的关系,帮助我们根据使用环境和要求,有目的地选择、使用、改进和设计高分子材料,设计和改进加工工艺和设备,扩大高分子材料使用范围。 第一节 高分子材料的分子运动、力学状态转变及热性能 一、高分子运动的特点 与低分子材料相比,高分子材料的分子热运动主要有以下特点: (一)运动单元和模式的多重性 高分子的结构是多层次、多类型的复杂结构,决定着其分子运动单元和运动模式也是多层次、多类型的,相应的转变和松弛也具有多重性。从运动单元来说,可以分为链节运动、链段运动、侧基运动、支链运动、晶区运动以及整个分子链运动等。从运动方式来说,有键长、键角的变化,有侧基、支链、链节的旋转和摇摆运动,有链段绕主链单键的旋转运动,有链段的跃迁和大分子的蠕动等。 在各种运动单元和模式中,链段的运动最为重要,高分子材料的许多特性均与链段的运动有直接关系。链段运动状态是判断材料处于玻璃态或高弹态的关键结构因素;链段运动既可以引起大分子构象变化,也可以引起分子整链重心位移,使材料发生塑性形变和流动。 (二)分子运动的时间依赖性 在外场作用下,高分子材料从一种平衡状态通过分子运动而转变到另一种平衡状态是需要时间的,这种时间演变过程称作松弛过程,所需时间称松弛时间。例如将一根橡胶条一端固定,另一端施以拉力使其发生一定量变形。保持该形变量不变,但可以测出橡胶条内的应力随拉伸时间仍在变化。相当长时间后,内应力才趋于稳定,橡胶条达到新的平衡。 设材料在初始平衡态的某物理量(例如形变量、体积、模量、介电系数等)的值为x 0,在外场作用下,到t 时刻该物理量变为x (t ),许多情况下x (t )与x 0满足如下关系: ()τ/0t e x t x -= (4-1) 公式(4-1)实质上描述了一种松弛过程,式中τ称松弛时间。当t =τ时,()e x x /0=τ,可见松弛时间相当于x 0变化到x 0/e 时所需要的时间。 低分子物质对外场的响应往往是瞬时完成的,因此松弛时间很短,而高分子材料的松弛时间可能很长。高分子的这种松弛特性来源于其结构特性,由于分子链的分子量巨大,几

高分子材料力学性能

高分子材料的力学性能及表征方法 用途 聚合物的力学性能是高分子聚合物在作为高分子材料使用时所要考虑的最主要性能。它牵涉到高分子新材料的材料设计,产品设计以及高分子新材料的使用条件。因此了解聚合物的力学性能数据,是我们掌握高分子材料的必要前提。聚合物力学性能数据主要是模量(E),强度(σ),极限形变(ε)及疲劳性能(包括疲劳极限和疲劳寿命)。由于高分子材料在应用中的受力方式不同,聚合物的力学性能表征又按不同受力方式定出了拉伸(张力)、压缩、弯曲、剪切、冲击、硬度、摩擦损耗等不同受力方式下的表征方法及相应的各种模量、强度、形变等可以代表聚合物受力不同的各种数据。由于高分子材料类型的不同,实际应用及受力情况有很大的差变,因此对不同类型的高分子材料,又有各自的特殊表征方法、例纤维、橡胶的力学性能表征。 表征方法及原理 (1)拉伸性能的表征 用万能材料试验机,换上拉伸实验的样品夹具,在恒定的温度、湿度和拉伸速度下,对按一定标准制备的聚合物试样进行拉伸,直至试样被拉断。仪器可自动记录被测样品在不同拉伸时间样品的形变值和对应此形变值样品所受到的拉力(张力)值,同时自动画出应力-应变曲线。根据应力-应变曲线,我们可找出样品的屈服点及相应的屈服应力值,断裂点及相应的断裂应力值,样品的断裂伸长值。将屈服应力,断裂应力分别除以样品断裂处在初制样时样品截面积,即可分别求出该聚合物的屈服强度σ屈和拉伸强度(抗张强度)σ拉值。样品断裂伸长值除以样品原长度,即是聚合物的断裂伸长率ε。应力-应变曲线中,对应小形变的曲线中(即曲线中直线部分)的斜率,即是聚合物的拉伸模量(也称抗张模量)E值。聚合物试样拉伸断裂时,试样断面单维尺寸(厚或宽的尺寸)的变化值除以试样的断裂伸长率ε值,即为聚合物样品的“泊松比”(μ)的数值。 (2)压缩性能、弯曲性能、剪切性的表征。 用万能材料试验机,分别用压缩试验,弯曲试验,剪切试验的样品夹具,在恒定的温度、湿度及应变速度下进行不同方式的力学试验。并根据不同的计算公式,求出聚合物的压缩模量、压缩强度、弯曲模量、弯曲强度、剪切模量、剪切强度等数据。 (3)冲击性能的表征。

(整理)南昌大学材料性能学重点 材料电学性能.

第二章材料电学性能 内容概要:本章介绍金属的导电机理,以及影响金属导电的因素,导电率的测量方法及其它材料的电学性质。 具体内容和学时安排如下: 第一节导电性能及本质 要求学生掌握导电的三大理论:经典电子理论;电子的量子理论;能带理论。这三大理论的成功或不足点。理解自由电子、能级和能带、周期性势场、能带密度、K空间的概念。 第二节金属导电性能影响因素 理解温度、相变、应力和热处理(淬火和退火)对材料导电性能的影响。 第三节合金的导电性能 理解固溶体和化合物的导电性 第四节电阻率的测量 电阻率的测量方法有单电桥法;双电桥法;电子四探针法。重点要求掌握单电桥法。第五节电阻分析应用 根据电阻率与温度的线性关系,可来研究材料的相变,材料的组织结构变化。 第六节超导电性 掌握超导的两大性能:完全导电性和完全抗磁性。掌握超导态转变为正常态的三个条件:临界温度;临界电流;临界磁场。超导的本质-BCS理论。 第七节材料的热电性能 了解三大热电现象:第一热导效应、第二热电效应、第三热电效应。 第八节半导体导电性的敏感效应 了解半导体能带结构特点;半导体导电有本征导电和杂质导电;实现导电的条件。 第九节介电极化与介电性能 掌握电介质极化机理和介电常数的本质 第十节电介质的介电损耗 了解电介质的能量损耗。 (共12个学时) 第一节导电性能及本质

材料的电学性能是指材料的导电性能,与材料的结构、组织、成分等因素有关。 一、电阻与导电的概念 R=U/I R 不仅与材料的性质有关,还与材料的几何形状有关 。 S L R ρ= L 与材料的长度,s与材料的横截面积,ρ为电阻率,单位为 m Ω? ρ σ1 = 值越小,a 值越大。 ρ 值愈小,σ值愈大。 纯金属:e 为10-8~10-7 合金: 10-7~10-5 半导体:10-3~10 9 绝缘体:﹥10 9 导电性能最好的金属是银、铜、金,其电阻率分别为1.5×10-8Ω?m 、1.73×10-8Ω?m 、等 二、导电机理及能带理论 关于材料的导电机理有三大理论:经典电子理论;电子的量子理论;能带理论。 1 金属及半导体的导电机理 1〉经典电子理论 经典电子理论认为(以Drude 和Lorentz 为代表):在金属晶体中,离子构成晶格点阵,并形成一个均匀的电场,价电子是完全自由的,称为自由电子,它们弥散分布于整个点阵之中,就像气体分子充满整个容器一样,因此称为“电子气”。它们的运动遵循经典气体分子的运动规律,自由电子之间以及自由电子与正离子之间仅仅是机械碰撞而已。在没有外加电场时,金属中的自由电子沿各个方向的运动几率相同,因此不产生电流。当对金属施加外电场,自由电子沿电场方向加速运动,从而产生电流。在自由电子定向运动时,要与正离子发生碰撞,使电子受阻,这就是电阻。 设电子两次碰撞之间所经历的时间为τ 2* 2n e m τσ*= m*为电子的有效质量(考虑了晶体场对电子的相互作用) τ为电子在两次碰撞之间的时间间隔,τ为时间自由程. v 为电子运动的平均速度。 在T=0K 时,电子不受到散射.p=0.σ→∞。理想晶体。 T ≠0K 时,晶体的阵热振动或经典电子理论成功计算了电导率以及电导率与热导率的关系;但经典电子理论不能解释以下几种现象:电子的长平均自由程;材料导电性能差异;金属电子比热小。 2〉量子自由电子理论 量子自由电子理论认为:金属中正离子形成的电场是均匀的,价电子与离子间没有相互作用,且为整个金属所有,可以在整个金属中自由运动。但这一理论认为:金属中每个原子的内层电子基本保持单个原子时的能量状态,而所有的价电子却按量子规律具有不同的能量状态,即具有不同的能级。 量子电子理论认为:电子具有波粒二象性。运动着的电子作为物质波,其频率与电子的运动速

纳米材料的物理化学性能

第四章纳米材料的物理化学性能 纳米微粒的物理性能 第一节热学性能 ※1.1. 纳米颗粒的熔点下降 由于颗粒小,纳米颗粒的表面能高、比表面原子多,这些表面原子近邻配位不全,活性大以及体积远小于大块材料的纳米粒子熔化时所需要增加的内能小得多,这就使纳米微粒熔点急剧下降。 金的熔点:1064o C;2nm的金粒子的熔点为327o C。 银的熔点:960.5o C;银纳米粒子在低于100o C开始熔化。 铅的熔点:327.4o C;20nm球形铅粒子的熔点降低至39o C。 铜的熔点:1053o C;平均粒径为40nm的铜粒子,750o C。 ※1.2. 开始烧结温度下降 所谓烧结温度是指把粉末先用高压压制成形,然后在低于熔点的温度下使这些粉末结合成块,密度接近常规材料的最低加热温度。 纳米颗粒尺寸小,表面能高,压制成块材后的界面具有高能量,在烧结中高的界面能成为原子运动的驱动力,有利于界面中的孔洞收缩,空位团的湮灭,因此,在较低的温度下烧结就能达到致密化的目的,即烧结温度降低。 ※1.3. NPs 晶化温度降低 非晶纳米颗粒的晶化温度低于常规粉末,且纳米颗粒开始长大温度随粒径的减小而降低。 ※熔点降低、烧结温度降低、晶化温度降低等热学性质的显著变化来源于纳米材料的表(界)面效应。 第二节电学性能 2.1 纳米金属与合金的电阻特性 1. 与常规材料相比,Pd纳米相固体的比电阻增大; 2. 比电阻随粒径的减小而逐渐增加; 3. 比电阻随温度的升高而上升 4. 随粒子尺寸的减小,电阻温度系数逐渐下降。电阻的温度变化规律与常规粗晶基本相似,差别在于温度系数强烈依赖于晶粒尺寸。 随着尺寸的不断减小,温度依赖关系发生根本性变化。当粒径为11nm时,电阻随温度的升高而下降。 5. 当颗粒小于某一临界尺寸时(电子平均自由程),电阻的温度系数可能会由正变负,即随着温度的升高,电阻反而下降(与半导体性质类似). 电子在晶体中传播由于散射使其运动受阻,而产生电阻。 ※纳米材料的电阻来源可以分为两部分: 颗粒组元(晶内):当晶粒大于电子平均自由程时主要来自晶内散射 界面组元(晶界):晶粒尺寸与电子平均自由程相当时,主要来自界面电子散射?纳米材料中大量的晶界存在,几乎使大量电子运动局限在小颗粒范围。 ?晶界原子排列越混乱,晶界厚度越大,对电子散射能力就越强。 ?界面的这种高能垒是使电阻升高的主要原因。 总之:纳米材料体系的大量界面使得界面散射对电阻的贡献非常大,当纳米材料尺寸非常小时,这种贡献对总电阻占支配地位。当粒径低于临界尺寸时,量子尺寸效应造成的能级离散性不可忽视,最后温升造成的热激发电子对电导的贡献增大,即温度系数变负。 ※金属纳米颗粒材料的电阻增大的现象主要归因于小尺寸效应。 第三节磁学性能 许多生物体内就有天然的纳米磁性粒子,如向磁性细菌,蜜蜂,螃蟹,海龟等。

纳米材料有哪四个特性

纳米材料有哪四个特性 纳米材料是指在三维空间中至少有一维处在纳米尺度范围(1nm~100nm)或由他们作为基本单元构成的材料。这是指纳米晶体粒表面原子数与总原子数之比随粒径变小而急剧增大后所引起的性质上的变化。例如粒子直径为10纳米时,微粒包含4000个原子,表面原子占40%;粒子直径为1纳米时,微粒包含有30个原子,表面原子占99%。纳米材料的基本特性由于纳米材料是由相当于分子尺寸甚至是原子尺寸的微小单元组成,也正因为这样,纳米材料具有了一些区别于相同化学元素形成的其他物质材料特殊的物理或是化学特性例如:其力学特性、电学特性、磁学特性、热学特性等,这些特性在当前飞速发展的各个科技领域内得到了应用。 纳米微粒尺寸小,表面能高,位于表面原子占相当大的比例。随着粒径减小,表面原子数迅速增加。这是由于粒径小,表面积急剧变大所致。由于表面原子数增多,原子配位不足及高的表面能,使这些表面原子具有高的活性,极不稳定,很容易与其它原子结合。例如:金属的纳米粒子在空气中会燃烧,无机的纳米粒空子暴露在空气中会吸附并与气体进行反应。 纳米材料的表面效应是指纳米粒子的表面原子数与总原子数之比随粒径的变小而急剧增大后所引起的性质上的变化。随着粒径变小,表面原子所占百分数将会显著增加。当粒径降到1nm时,表面原子数比例达到约90%以上,原子几乎全部集中到纳米粒子表面。由于纳米粒子表面原子数增多,表面原子配位数不足和高的表面能,使这些原子易与其它原子相结合而稳定下来,故具有很高的化学活性。 2、小尺寸效应当超细微粒的尺寸与光波波长、德布罗意波长以及超导态的相干长度或透射深度等物理特征尺寸相当或更小时,晶体周期性的边界条件将被破坏;非晶态纳米微粒的颗粒表面层附近原子密度减小,导致声、光、电磁、热力学等待性呈现新的小尺寸效应。例如:光吸收显著增加并产生吸收峰的等离子共振频移;磁有序态向磁无序态的转变;超导相向正常相的转变;声子谱发生改变等 由于颗粒尺寸变小所引起的宏观物理性质的变化称为小尺寸效应。对超微颗粒而言,尺寸

纳米材料的形貌控制

纳米材料的形貌控制 1 概述 纳米材料是指材料的三维尺寸中至少有一维处于纳米尺度(1-100 nm),或由纳米尺度结构单元构成的材料。随着纳米材料尺寸的降低,其表面的晶体结构和电子结构发生了变化,产生了如小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应等宏观物质所不具有的特殊效应,从而具有传统材料所不具备的物理化学性质。纳米材料的尺度处于原子簇和宏观物质交界的过渡域,是介于微观原子或分子和宏观物质间的过渡亚稳态物质,它有着与传统固体材料显著不同的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应[1],表现出奇异的光学、磁学、电学、力学和化学特性。 1.1 纳米材料的特性 1.1.1 量子尺寸效应 当粒子的尺寸下降到某一临界值时,其费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级,并且纳米半导体微粒存在不连续的最高被占据的分子轨道和最低未被占据的分子轨道能级,使得能隙变宽的现象,称为纳米材料的量子尺寸效应。当能级间距大于磁能、热能、静电能或超导态的凝聚能时,量子尺寸效应会导致纳米颗粒光、电、磁、热及超导电性能与宏观性能显著不同。量子尺寸效应是未来光电子、微电子器件的基础。 1.1.2 小尺寸效应 当纳米材料的尺寸与光波波长、德布罗意波长以及超导态的相干长度或透射深度等外部物理量的特征尺寸相当或更小时,晶体周期性的边界条件将被破坏,非晶态纳米颗粒表面层附近的原子密度减小,从而导致其光、电、磁、声、热、力学等物质特性呈现出显著的变化:如熔点降低;磁有序向磁无序态,超导相向正常相的转变;光吸收显著增加,并产生吸收峰的等离子共振频移;声子谱发生

改变等,这种现象称为小尺寸效应。纳米材料的这些小尺寸效应为实用技术开拓了新领域。 1.1.3 表面效应 表面效应是指纳米粒子的表面原子数与总原子数之比随粒径的变化而急剧增大后引起的材料性质上的变化。随着材料尺寸的减小,比表面积和表面原子所占的原子比例将会显著增加。例如,当颗粒的粒径为10 nm时,表面原子数为晶粒原子总数的20%,而当粒径为l nm时,表面原子百分数增大到99%。由于表面原子数增多,原子配位不足及高的表面能,使这些原子易与其他原子相结合以降低表面能,故具有很高的化学活性。这种表面原子的活性不但能引起纳米粒子表面输运和构型的变化,也会引起电子能级和电子自旋构象的变化,从而对纳米材料的电学、光学、光化学及非线性光学性质等产生重要影响。通过利用有机材料对纳米材料表面的修饰和改性,可以得到超亲水和超疏水等性能可调的纳米材料,可以广泛的应用于民用工业。 1.1.4 宏观量子隧道效应 量子物理中把微观粒子具有的贯穿势垒的能力称为隧道效应。近年来的研究发现一些宏观量,如超微颗粒的磁化强度,量子相干器件中的磁通以及电荷等也具有隧道效应,它们可以穿越宏观系统的势垒而发生变化。故称为宏观量子隧道效应。对宏观量子隧道效应的研究对基础及应用研究都有着重要意义。宏观量子隧道效应与量子尺寸效应一起都将会是未来微电子、光电子器件的基础。此外,纳米粒子还具有其它的一些特殊性质,如库伦阻塞与量子隧穿及介电限域效应等。 1.2 纳米材料特性对材料性能的影响 1.2.1 电学性能 电学性能发生奇异的变化,是由于电子在纳米材料中的传输过程受到空间维度的约束而呈现出量子限域效应。纳米材料晶界上原子体积分数增大,晶界部分

热电材料的电学性能

1、实验目的 装订线 1. 通过实验了解热电材料的Seebeck系数和电阻率的测定方法; 2. 测量在特定温度范围内热电材料电学电学性能随温度的变化 关系; 3. 结合实验结果分析并热电材料电功率因子与温度的关系。2、实验原理 1. 塞贝克系数 塞贝克效应是材料的一个物理性能,是一种由电流引起的可逆热效应或者说是温度差引起的电效应,其示意图如下: 对于两种不同的导体串联组成的回路,在导体b的开路位置y和z之间,将会有一个电位差,称为热电动势,数值是:,当T不是很大时,为常数,定义为两种导体的相对Seebeck系 数,即 (1) Seebeck系数常用的单是uV/K, Seebeck系数的测量原理如下图所示,1、3和2、4分别是NiCr和NiSi热电偶臂。测量时两段温差保持10℃,S两端存在 温差时会产生热电势差Vs,相对于热电偶的其中一个电偶臂 1、3的Seebeck系数为

2. 电阻率 从原理上讲,对电阻为R,长度为L,截面积为A的样品,电导率=R(A/L)。然而,由于半导体热电材料通常电阻率较小,接触电阻相对较大,容易引入实验误差。实验中电阻率的测定采用下图所示的两探针原理以避免接触电阻的影响。电阻率测量在试样两端等温进行,当△T足够小时,才对样本施加测试电流,这是电阻 R=V R/I const, V R为样品两端电压探针的电压降,I const为恒流源电流,取一特定值。为消除附加的Seebeck电压影响,试验通过改变电流方向进行两次电压测量,取其平均值。得R值后,有公式=R(A/L)算出其电阻率。

3、实验设备与装备 测量装置温度由AI-708P智能控制器控制。样品两端电压利用Agilent970A数据采集仪输入微机。 所用电源为恒流源。测量时抽真空以防样品氧化。 4、实验方法与步骤 1. 实验样品的制备方法: 原料称量→悬浮熔炼→(快速凝固→)机械研磨→热压成型(获 得样品) 2. 实验样品的安装 双眼中先将被测样品两端抛光,并真空镀银或覆盖银浆,形成欧姆接触,以保证样品与纯铜夹具间的良好接触。 3. 热电性能的测定 夹好样品后抽真空,然后根据两个AI-708P控制仪中事先设定的升温程序程序升温至不同的温度,在每一个选定的温度,待温度稳定后才开始测量。 4. 数据处理得到的Seebeck系数和电阻率 5、实验结果处理 本次实验采用5#组数据。 1.以Seebeck系数对温度作图: 首先以直线拟合,获得结果为y=-52.1-0.176x 但是由图上各点位置看出,并非理想结果。误差较大。 再以二次曲线拟合,如图: 可见曲线精确度高了不少,此时方程为 y=-188.87+0.54x-0.000935x2 个人认为还是二次曲线比较理想一些。 电阻率对温度作图

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