SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史
Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盘和MP3中最常用的内存就是Nand Flash。
Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit 数据。
SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit 数据，这样同样大小的晶圆就可以存放更多的数据，也就是成本相同的情况下，容量可以做的更大，这也是同样容量，MLC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
区分SLC(停产)和MLC（现在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ）
1、看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。
2、测试读写速度：SLC的非常快，MLC的很慢。
SLC闪存：即单层式储存 (Single Level Cell；SLC)，包括三星电子、Hynix、美光（Micron）以及东芝都是此技术使用者
MLC闪存：多层式储存（Multi Level Cell；MLC)，目前有东芝、Renesas、三星使用，英飞凌（Infineon）与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存（Multi Bit Cell；MBC）。MLC是英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功的，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，透过内存储存的电压控制精准读写，假设以4种电压控制、1个晶体管可存取2bits的数据，若是控制8种电压就可以存取3 bits的数据，使Flash 的容量大幅提升，类似Rambus的QRSL技术，通过精确控制Floating Gat上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值（从00到11）。
三星与东芝这两家Flash(闪存)制造商长期统治着快速增长的NAND Flash市场。其中三星属于最大的玩家，不断采用先进工艺尺寸，以维持竞争优势。本次主要对这两家公司的最新闪存进行比较，同时也兼顾与Hynix、美光和英特尔等公司的比照。
从历史来看，三星将研发重点集中在了单层单元(SLC)上。SLC架构中每个闪存单元只能存储1个比特的信息。而东芝在转向先进工艺技术方面同样积极，不过其竞争优势在于多层单元(NAND闪存方面的设计经验和能力。MLC闪存在每个存储单元存储2个比特的信息，使得东芝可在给定面积的硅片上存储更多的比特信息，并在存储器尺寸既定的情况下降低生产成本。因此，尽管东芝在工艺技术上可能落后于三星，但在裸片密度上仍是领跑者。
东芝的MLC闪存已经历经数代，其中包括新近发布的采用70nm工艺的8Gb闪存。2005年，东芝曾采用90nm技术与三星的73nm技术展开肉搏。东芝90nm MLC闪存的比特密度为29Mb/mm2，远远高于三星73nm闪存的25.8Mb/mm2的比特密度。
在存储密度固定时，东芝甚至拥有比三星更小的裸片尺寸。例如，东芝90nm工艺生产的4Gb NAND闪存的裸片尺寸为138mmsup>2，与之相比，三星73nm工艺生产的4Gb NAND闪存尺寸则为156mmsup>2。这使得东芝在成本方面更具竞争力。在用于文件存储方面，NAND闪存不可避免地面临价格战，我们也常常听到，只有价格领导者才会赢得iPod设计中标。
虽然MLC在某些方面获得相当的认可，但如今对闪存芯片的狂热需求模糊了业界的视线。存储卡制造商需要价格低廉的芯片，但他们也需要稳定的供货。正是基于这个原因，据报道，去年Kingston已就购买SLC芯片作为第二货源与三星进行了商谈。他们商讨该协议时，全然
不顾MLC方案的成本比SLC要低30%。
长期以来，三星都在鼓吹SLC而非MLC型NAND闪存，不过2004年和2005年该公司提交给国际固态电路大会(ISSCC)上提交的MLC技术论文，标志着该公司的观点发生了变化。虽然在三星的网站上仍旧没有任何有关MLC闪存的营销信息，但该公司的确已生产出了4Gb MLC NAND闪存芯片。虽然我们已对该芯片的样品进行了分析，但要在市场中找到其样品仍旧非常困难。其裸片尺寸是156mm2，同东芝采用90nm工艺的MLC型4Gb NAND闪存相比，还是大了18mm2，因此要能与东芝相匹敌，三星在其下一代NAND MLC技术上还需要改进。
除了三星，Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术积累而在MLC技术上占据优势，但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存，从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。
MLC闪存技术并非没有不足，实际上，在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。随着闪存技术的演进，在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了，使得检测存储的信息变得更加困难，尤其是对MLC芯片而言，它需要识别四个电压值，而非两个。尽管如此，据报道，东芝在70nm工艺中能够保证采用与90nm技术相同的代码纠错方案。这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐，最少是就现在而言。
此外，与SLC闪存相比，MLC闪存在可靠性方面存在不足。虽然对于消费者而言，可靠性不是他们关注的核心问题，但在其它消费市场却显然是一个弊端。
三星正准备推出采用65nm工艺的4Gb SLC NAND闪存，其尺寸比采用73nm工艺的器件稍为紧凑。由此引发的问题是：在工艺缩放方面是否已经无计可施了？
如果实际情况真的如此，那么情况显得对东芝更为有利，因为目前它已经生产出70nm 工艺的MLC闪存。作为权宜之计，三星转向65nm工艺的芯片或许能够立马同东芝的90nm MLC 竞争。但是东芝的70nm工艺8Gb MLC技术已取得重大成就，实现了56.5Mb/mm2的比特密度，比三星65nm工艺31.3Mb/mm2的额定比特密度要高出80%。一些并非出自东芝公司的报告暗示，该公司将会跨过65nm工艺，直接转到50-60nm线宽的16Gb闪存。当然，在成功实现低于65nm线宽的工艺，仍有一些技术障碍有待克服。
闪存器件的工艺缩放并非易事，过去业界曾多次出现过闪存走向终结的预言。然而国际半导体技术路线图(ITRS)显示，在32nm工艺节点出现之前，在所有赌注似乎仍然都压在闪存而非任何新型替换品上。
有必要使在每个单元中所存储的比特数翻番，使得浮动栅技术继续前进，而这很可能推动闪存首个替代物面市，诸如相变存储器(PCM)。但是目前闪存供应商首先必须克服现有的缩放挑战，其中包括这样一些关键领域：单元校准(cell alignment)、隧道氧化层、多晶硅层间介电质(interpoly dielectirc)、相邻单元耦合和高压晶体管设计。
缩放挑战
随着芯片尺寸缩小，改进图层之间的校准颇受关注。更小的芯片需要更低的操作电压，反过来也推动了更薄隧道电介质的需求，以将电荷传输至浮动栅或传输出浮动栅，但问题是，电介层较薄的话，可靠性就较低。
在先进的工艺尺寸中，一个浮动栅的活动区域对存储单元晶体管的影响较小，但从控制到浮动栅的耦合比例需要保持恒定。所以，需要更薄的多晶硅层间介电质(IPD)。
在有两种介电质情况下，介电常数更高(higher-k)的材料能减少有效电荷厚度，同时具有更大的物理厚度，并能维护更高的可靠性。然而，采用新型材料会给自身带来挑战，存储单元封装得更加紧密，会增加风险，导致一个浮动栅上的电荷会影响相邻存储单元的操作。最后，闪存的操作依赖于较高电压来写入或擦除存储单元。需要在给定硅片面积条件且无损存储单元效率的条件下，设计和应用能够转换电压的控制晶体管。
东芝的新型芯片集成了很多有趣的特性。当然，基本的存储单元结构已经缩降至90nm
以下。东芝在90nm工艺上引入了完全自校准存储单元，并且继续用于70nm工艺。隧道和多晶硅层间介电质同样降低了。为了减少干扰，对浮动栅的高度也作了优化。MLC技术在这方面需要更多关注，因为要从存储单元中读出4个状态，所以感应(sensing)边界更小。
在存储列阵方面，东芝转而采用新型的沟槽蚀刻工艺处理来实现浅槽隔离(STI)。70nm 工艺中更小的间距要求东芝使用两个沟槽深度。存储阵列深度对隔离性能的要求较低，以便闪存单元能够排列得更加密集。控制晶体管——特别是那些用于控制写入/删除电压的晶体管，需要更好的电压隔离特性。所以，他们要更深一些。
沟槽填充方式也发生了改变；现在使用一种新型沉积材料进行两步处理。在90nm工艺中，采用钨(tungsten)触点来代替多晶硅。也许最显著的一个创新是采用了一种新颖的电容器结构。
所有这些改进加在一起，相当于一个大小仅为0.020μm2的物理单元，换言之，保存1个比特信息仅需0.010μm2。相比较而言，三星的73nm技术保存1个比特信息则需要0.021μm2，而三星的65nm 4Gb器件保存1比特信息预计要0.017μm2。
体系架构上的改进
东芝的70nm NAND闪存还包括一些架构上的改变，包括焊盘布局和排列结构的调整，旨在减小裸片面积。东芝的焊盘设计是单面的，也就是说所有的焊盘都位于芯片的一边。这与其它大多数NAND闪存大相径庭，后者上下两面都分布着焊盘。
焊盘全部移到裸片的一边就不再需要两面都设计焊盘条，芯片尺寸随之减小。为了获得单面布局的最大好处，对阵列结构作一些变动，从而能有效地访问芯片的上部或在芯片的边上远离焊盘的存储单元，并为其供电。为了更大程度地减小芯片尺寸，东芝还将改变了其冗余管理方案。
在单个存储地址存储2个比特的信息，要求感应电路能够分辨出四个电压等级的差别。自然地，要读取存储单元信息的感应放大器需要进行优化，从而为与单层感应相比所存在的较低的噪声裕量提供补偿。接下来的事情，就是为四个不同等级的电荷编程。
东芝选择了步步为营的方法，其中包括运行一系列“即编程即验证”的循环，直到获得期望的程序状态。我们的分析检查了用来写入四个状态的时序和电压。
实际上，该方法是东芝的闪存合作伙伴Sandisk所开发出来的，并授权东芝采用其专利编程方法。东芝与Sandisk在MLC芯片的研发和生产上已经合作多年。毫不奇怪，两家公司都积极申请与MLC技术相关的方法、电路和结构方面的专利。
然而，我们却惊奇地发现，三星在MLC领域的专利申请也相当积极。2002年三星和Sandisk 之间达成了一项交叉授权协议，双方在2009年之前不会提起任何专利争端。不过，如果三星被卷入MLC价格战，问题也许会再次提上日程。
也许仅是巧合，ITRS计划转向每单元4比特存储的时间也是2009年。既然有关MLC知识产权的争端还没有最后掀起，那么现在还很难说谁更强。
尽管有这些比较，三星始终还是NAND闪存市场的佼佼者，并且极具竞争力。虽然东芝依靠在MLC技术上的积累，东芝获得了些许优势，但三星已被证明是一个斗志顽强、勇往直前的对手。让我们拭目以待：在未来几年中，为了追赶MLC技术，三星会不懈努力。
三星和东芝还承受着后来者的压力，如Hynix公司，后者于2004年2月开始发售其首批NAND产品，就非常成功地从DRAM转向到闪存。2005年Hynix利润增加了525%，并且与两个领军公司争夺市场份额。同时，英特尔与美光的合资又诞生了一个强有力的市场竞争者，而英飞凌也开始显示出令人鼓舞的利润增长。
这些公司使得NAND市场的竞争更加激烈；但是至少在目前，三星和东芝仍然是市场和技术的领先者。
对于我们消费者而言，最关心的就是产品的质量问题，因此，网上流传很多说法，好像只有
使用SLC闪存的产品才是质量好的产品，其实不尽然，产品的质量好坏第一个关节是采用的物料的好坏，第二个关节是厂家是否在生产过程中偷工减料。这两者都是很重要的。再其次，就是产品的成熟程度，一般刚推出来的产品一般都会存在一些不为人知的问题，只能靠以后的不断改进才能使产品日趋完善。随着MP3、MP4控制芯片的更新换代和软件控制技术的更新，克服了很多难关，目前对于MLC闪存芯片的架驽能力已经很成熟了，再加上MLC闪存生产技术的改进，因此目前很多厂家（包括IPOD）都采用MLC闪存用于消费类数码产品的生产，尤其是大容量的数码产品，非它不可.
信息存储技术由来已久,随着科技的高速发展以及海量数据存储需求的不断推动，存储介质和存储技术也发生着日新月异的变化。 1、存储介质的发展 从存储介质来说，目前主要可以分为磁盘、闪速存储器、固态硬盘和光盘等。 传统的磁盘采用盘片作为存储介质，利用马达和磁头的运转进行数据的读取，这些部件的物理和机械特性具有功耗高、体积大、易损坏、机械运动造成摩擦发热等局限，限制了磁盘存储系统性能的应用场合。 闪速存储器(Flash Memory)最早源于EPROM器件，不需要高电压就可以实现擦除和重复编程，可靠性较高，其读写速度和容量近年来还在大幅提升中。 固态硬盘(Solid State Disk，SSD)又称电子硬盘，是一种以大量半导体存储器(FLASH或DRAM)作为存储介质的硬盘，通过SSD控制芯片实现对存储介质的主机传输协议(如SATA协议)，实现数据的传输，具有抗震、宽温、无噪、可靠等优点。 光盘以“光信息”做为存储物的载体，具有容量大、可随机存取等优点，分不可擦写光盘，如CD-ROM，DVD-ROM等;和可擦写光盘，如CD-RW，DVD-RAM等。 在存储介质的研究，闪存以其独特的优势发展迅速，在容量和读写速度方面都在大幅提升，同时在各个领域里都有广泛的应用，美光公司推出的MT29F256G08A FLASH芯片单片的存储容量达到了256Gb。 纳米技术的突破使得纳米存储在不久的将来走向商业化。光存储技术也在飞速进步，常规的磁光和相变存储密度不断提高。 2、存储技术的发展 一直以来，存储系统的高速数据流与通用计算机低速的读写速度之间的矛盾是整个存储系统的瓶颈。 磁盘冗余阵列(Redundant Array of Independent Disk，RAID)技术、固态硬盘技术的使用缓解了这一矛盾。
NAND Flash 存储器 和 使用ELNEC编程器烧录NAND Flash 技术应用文档 Summer 翻译整理 深圳市浦洛电子科技有限公司 August 2006
目录 一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18
U盘/移动硬盘不识别 常使用电脑的用户一般也涉及到U盘、移动硬盘、闪存等作为移动存储，有时候就有可能遇到接电脑后无法正常使用的问题，这个不妨参考下面内容（天伟数据恢复建议重要数据多备份，硬盘数据恢复要慎重）： 1. USB接口供电不足 系统为每个USB接口分配500mA的最大输出电流，一般的U盘只需要100mA的工作电流，因此在使用过程中不会出现什么问题。大多数移动硬盘所使用的是普通的2.5英寸硬盘，其工作电流介于500mA~1000mA之间，此时假如仅仅通过USB接口供电，当系统中并无其他USB设备时，还是可以勉强使用的，但如果电压不稳的话，就随时可能出现供电不足的问题。特别是使用支持USB 2.0的移动硬盘时，情况更为严重。另外，如果笔记本电脑使用电池供电，那么USB接口所分配的电量就更小了。 2. 使用了外接的USB 扩展卡 当我们在笔记本电脑中使用USB 2.0的U盘或移动硬盘时，如果笔记本电脑不支持USB 2.0技术，一般必须通过PCMCIA卡转USB 2.0的扩展卡来间接实现支持，由于PCMICA接口提供的电源功率比板载USB接口小，这样就会因供电不足而导致移动硬盘出现问题。 解决方法： 上述问题主要发生在大容量的U盘(例如兼具MP3播放器或录音功能的U盘)、移动硬盘上。解决的办法也很简单：利用产品附带的电源补偿线(也称“键盘取电线”)，从USB连接线上接移动硬盘的
一端，引出一根转接线，插入电脑背后的PS/2接口取电，这里可以提供比USB接口更大的电流输出。当然，如果U盘或移动硬盘的包装盒中提供了选配的电源适配器，你就可以直接使用外接电源，这样就可以从根本上避免供电不足的情况了。 无法正常退出:解决方法 Windows XP使用过程中大家是不是经常遇见"现在无法停止‘通用卷’设备。请稍候再停止该设备"的问题?经常插上u盘，mp3，移动硬盘等设备，想要安全删除它时经常会出现图上的无用提示!有些情况关掉相应窗口，刷新几次就可以安全删除!不过大多数情况是我们不得不强行拔出! 第一种方法： 一个国外的十分小巧实用的软件，只有191KB，叫unlocker，十分好用! 这个软件能解锁USB连接设备!就能实现100%安全删除USB连接了!，该软件还可以删除一些不能删除的文件和文件夹^_^(附件有下载) 第二种方法： 我们只需要把系统的预览功能关掉，这种问题就不会再出现了，操作办法是：双击我的电脑-工具-文件夹选项-常规-任务-使用windows传统风格的文件夹，然后点击应用-确定就行了.这样就ok 了! 第三种方法： 先关闭存在于移动设备上的打开文件。进其他硬盘分区做简单操作例如“复制”“粘贴”等，然
闪存芯片封装技术和存储原理技术介绍 目前NAND Flash封装方式多采取TSOP、FBGA与LGA等方式,由于受到终端电子产品转向轻薄短小的趋势影响,因而缩小体积与低成本的封装方式成为NAND Flash封装发展的主流趋势 TSOP(Thin smaller outline package)封装技术,为目前最广泛使用于NAND Flash的封装技术,首先先在芯片的周围做出引脚,采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面.TSOP封装时,寄生参数减小,因而适合高频的相关应用,操作方便,可靠性与成品率高,同时具有价格便宜等优点,因此于目前得到了极为广泛的应用. FBGA(Ball Grid Array,也称为锡球数组封装或锡脚封装体)封装方式,主要应用于计算机的存、主机板芯片组等大规模集成电路的封装领域,FBGA封装技术的特点在于虽然导线数增多,但导线间距并不小,因而提升了组装良率,虽然
功率增加,但FBGA能够大幅改善电热性能,使重量减少,信号传输顺利,提升了可靠性. 采用FBGA新技术封装的存,可以使所有计算机中的存在体积不变的情况下容量提升数倍,与TSOP相比,具有更小的体积与更好的散热性能,FBGA封装技术使每平方英寸的储存量有很大的提升,体积却只有TSOP封装的三分之一,与传统TSOP封装模式相比,FBGA封装方式有加快传输速度并提供有效的散热途径,FBGA封装除了具备极佳的电气性能与散热效果外,也提供存极佳的稳定性与更多未来应用的扩充性. LGA(land grid array) 触点列封装,亦即在底面制作有数组状态坦电极触点的封装,装配时插入插座即可,现有227触点(1.27mm 中心距)和44触点(2.54mm 中心距)的瓷LGA,应用于高速逻辑LSI电路,由于引线的阻电抗小,对高速LSI相当适用的,但由于插座制作复杂,成本较高,普及率较低,但未来需求可望逐渐增加. 目前NAND Flash一般封装大多采用TSOP、FBGA 与LGA的方式,而记忆卡则多采用COB方式进行封装手机应用领域则多用MCP的封装形式,随着终端产品的变化,未来WLP与3D TSV的封装方式也将逐渐为业界广为应用. U盘的一个大特点便是它的写入速度远不如读取速度快,但这并不不是所有U盘的共同问题,只是较大围存在这样的问
NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)2012-03-30 00:57:33 NOR-FLASH是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架 构.NOR-FLASH在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,但是由于NOR-FLASH只支持块擦除,其擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，导致擦除和编程操作所花费的时间很长,所以在纯数据存储和文件存储的应用中显得力不从心. NOR-FLASH的特点是: 1. 程序和数据可存放在同一芯片上，FLASH芯片拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随 机读取，并且允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行； 2. 可以单字节或单字读取，但不能单字节擦除，必须以部分或块为单位或对整片执行擦除操 作，在执行写操作之前,必需先根据需要对部分,块或整片进行擦除,然后才能写入数据。 以SST系列NOR-FLASH芯片为例介绍FLASH的使用方法及驱动. 首先,在驱动的头文件中,要根据芯片的具体情况和项目的要求作如下定义: 1. 定义操作的单位,如 typedef unsigned char BYTE; // BYTE is 8-bit in length typedef unsigned short int WORD; // WORD is 16-bit in length typedef unsigned long int Uint32; // Uint32 is 32-bit in length 在这里地址多是32位的,芯片写操作的最小数据单位为WORD,定义为16位,芯片读操作的最小数据单位是BYTE,定义为8位. 2. 因为芯片分为16位和32位的,所以对芯片的命令操作也分为16位操作和32位操作(命令 操作在介绍具体的读写过程中将详细介绍). #ifdef GE01 /*宏NorFlash_32Bit，若定义了为32位NorFlash，否则为16位NorFlash*/ #define NorFlash_32Bit #endif 3. 根据芯片的情况,定义部分(段)和块的大小. #define SECTOR_SIZE 2048 // Must be 2048 words for 39VF160X #define BLOCK_SIZE 32768 // Must be 32K words for 39VF160X
分别： 分别，fēn bié，意为分界；离别；区别；分辨。 分别感是人与人在分开的时候产生的一种特殊的感情。是一种依依不舍的感觉。正是这样，从古至今才会有如此众多出色的诗作。 U盘： U盘是USB盘的简称，据谐音也称“优盘”。U盘是闪存的一种，故有时也称作闪盘。U盘与硬盘的最大不同是，它不需物理驱动器，即插即用，且其存储容量远超过软盘，极便于携带。 U盘集磁盘存储技术、闪存技术及通用串行总线技术于一体。USB的端口连接电脑，是数据输入/输出的通道；主控芯片使计算机将U盘识别为可移动磁盘，是U盘的“大脑”；U盘Flash芯片保存数据，与计算机的内存不同，即使在断电后数据也不会丢失；PCB 底板将各部件连接在一起，并提供数据处理的平台。 简介： U盘，全称USB闪存驱动器，英文名“ USB flash disk”。它是一种使用USB接口的无须物理驱动器的微型高容量移动存储产品，通过USB接口与电脑连接实现即插即用。U盘的称呼最早来源于朗科科技生产的一种新型存储设备，名曰“优盘”，使用USB接口进行连接。U盘连接到电脑的USB接口后，U盘的资料可与电脑交换。而之后生产的类似技术的设备由于朗科已进行专利注册，而不能再称之为“优盘”，而改称谐音的“U盘”。后来，U盘这个称呼因其简单易记而广为人知，是移动存储设备之一。
电脑硬盘： 电脑硬盘是计算机最主要的存储设备。硬盘由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。这些碟片外覆盖有铁磁性材料。 绝大多数硬盘都是固定硬盘，被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。早期的硬盘存储媒介是可替换的，不过今日典型的硬盘是固定的存储媒介，被封在硬盘里（除了一个过滤孔，用来平衡空气压力）。随着发展，可移动硬盘也出现了，而且越来越普及，种类也越来越多.大多数微机上安装的硬盘，由于都采用温切斯特技术而被称之为“温切斯特硬盘”，或简称“温盘”。 移动硬盘： 移动硬盘，主要指采用USB或IEEE1394接口，可以随时插上或拔下，小巧而便于携带的硬盘存储器，可以较高的速度与系统进行数据传输。在USB1.1接口规范的产品上，在传输较大数据量时，将考验用户的耐心。而USB2.0、IEEE1394、cSATA移动硬盘接口就相对好很多。USB 2.0接口传输速率是60MB/s，USB 3.0接口传输速率是625 MB/s，IEEE 1394接口传输速率是50～100 MB/s。移动硬盘的优点：容量大；兼容性好，即插即用；速度快；体积小，质量小；安全可靠。
浅谈NorFlash的原理及其应用 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR
WIN7@USB攻略：把Windows 7旗舰版装到移动硬盘/U盘（VHD版） 真正的移动版WIN7，在移动硬盘/U盘上运行的WIN7 为什么要用VHD而不是直接用真实硬盘呢？因为——方便，用VHD的话，只要硬盘空间足够，就可以放进10个20个系统而不必考虑分区的问题，每个系统只不过是一个VHD文件罢了。卸载也非常方便，直接把相应的VHD删除，然后再删掉相应的bcd引导项就完事。制作另一个新的移动系统更是简单，把VHD复制到另一个移动硬盘，然后重建引导，就一切OK。 —————————————————————————————————— 我在前一个贴里讲了如何把WIN7安装到VHD里，然后用这个VHD启动计算机并且运行WIN7。 现在我会继续这个攻略，把这个装了WIN7的VHD移植到移动硬盘，然后用移动硬盘启动计算机，并且运行VHD中的WIN7。（U 盘也可以！只要它够大！） 制作好的移动版WIN7兼容性非常好，比我以前做的移动XP要更好！我用这个移动版WIN7启动了两台笔记本，联想Y450和Dell 的D630，完全没有任何问题。唯一的麻烦是第一次启动新计算机时，要重新安装驱动。移动版win7的性能比本地的要略低，一是USB2.0的速度限制，二是VHD的读写驱动会稍微拖慢硬盘读写速度，但是不会低太多，这个贴的最后，我会发本地win7和移动win7的性能对比图。 下面攻略开始： 工具准备 - 联想Y450本本，已安装Windows 7旗舰版（或者WINPE3.0版），用来给移动WIN7做引导 - Win7.vhd，15G，位于Y450 D：盘 - 移动硬盘，80G分为两个分区，分区一是移动XP的系统分区，分区二是数据盘。 步骤 1. 启动Y450进入Win7，打开win7磁盘管理工具，附加vhd文件，把D：/win7.vhd附加到系统。成功后可以在计算机里看到一个新分区，我给它分配的盘符是V：，所以V：盘里就是已经预先安装好的完整的win7系统文件。 2. 因为USB驱动的关系，这个VHD上的win7从移动硬盘上启动时会蓝屏报错：007B！所以下面要修改VHD win7的USB驱动。 2.1 进入V:\windows\inf\ 文件夹，找到如下文件，依次双击打开，找到对应的部分，修改内容如下（黄色背景红色字符为增加的内容），然后保存覆盖原文件：
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。 执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 ● NOR的读速度比NAND稍快一些。 ● NAND的写入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 接口差别 NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
NAND FLASH相对于NOR FLASH而言，其容量大，价格低廉，读写速度都比较快，因而得到广泛应用。NOR FLASH的特点是XIP，可直接执行应用程序， 1～4MB时应用具有很高的成本效益。但是其写入和擦除的速度很低直接影响了其性能。 NAND FLASH不能直接执行程序，用于存储数据。在嵌入式ARM应用中，存储在其中的数据通常是读取到SDROM中执行。因为NAND FLASH主要接口包括 几个I/O口，对其中的数据都是串行访问，无法实现随机访问，故而没有执行程序。 NAND FLASH接口电路是通过NAND FLAH控制器与ARM处理器相接的，许多ARM处理器都提供NAND FLASH控制器，为使用NAND FLASH带来巨大方便。 K9F2G08U0B是三星公司的一款NAND FLASH产品。 K9F2G08U0B包含8个I/O，Vss、Vcc、以及控制端口（CLE、ALE、CE、RE、WE、WP、R/B）。其存储结构分块。 共2K 块 每块大小16 页 每页大小2K + 64BYTE 即容量=块数×页数×每页大小=2K×16×（2K + 64BYTE）=256M BYTE + 8M BYTE NAND FLASH控制器提供了OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14、GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。 OM[1:0]=0b00时，选择从NAND FLASH启动。 NCON：NAND FLASH类型选择信号。 GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。 GPG14：NAND FLASH地址周期选择信号。 GPG15:NAND FLASH接口线宽选择。0：8bit总线宽度；1：16bit总线宽度。 访问NAND FLASH 1）发生命令：读、写、还是擦除 2）发生地址：选择哪一页进行上述操作 3）发生数据：需要检测NAND FLASH内部忙状态 NAND FLASH支持的命令： #define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1 #define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2 #define CMD_READID 0x90 //读ID 命令 #define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1 #define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2 #define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1 #define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2 #define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令 #define CMD_RESET 0xff //复位 #define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1
存储器技术是一种不断进步的技术，每一种新技术的出现都会使某种现存的技术走进历史，这是因为开发新技术的初衷就是为了消除或减轻某种特定存储器产品的不足之处。 举例来说，闪存技术脱胎于EEPROM ，它的第1个主要用途就是为了取代用于PC 机BIOS 的EEPROM 芯片，以便方便地对这种计算机中最基本的代码进行更新。 这样，随着各种专门应用不断提出新的要求，新的存储器技术也层出不穷，从PC 机直到数字相机。本文即着眼于对现有的存储器技术及其未来走向进行考察。 DRAM 严重依赖于PC 的DRAM 市场总是处于剧烈的振荡之中。对目前处于衰退过程中的供应商们来说，降低每比特DRAM 生产成本唯一划算的方法就是缩小DRAM 芯片的尺寸。所以，制造商们就不断地寻找可以缩小DRAM 芯片尺寸的方法。 随着市场的复苏和边际效益的增长，供应商们会逐渐转向使用300mm 的大圆片。但现在，大多数DRAM 生产商都承担不起在300mm 圆片上生产的费用。 许多生产商都开始针对这些市场开发专门的DRAM 产品。 不幸的是，随着人们开始对各种模块和服务器进行升级，PC 市场在未来仍将是DRAM 应用最主要的推动力。尽管一些生产商认为通信将成为另一个主要的推动力，但根据iSuppli 公司的预测，至少在2002年，通信市场在DRAM 销售中所占的份额将仍低于2%。 生产商对消费电子市场的期望值更高。网络设备和数字电视是DRAM 应用增长最迅速的领域，但与PC 市场相比，其份额仍然太小了。 但是，不论是消费电子市场还是PC 市场，DRAM 面临的最大挑战都是以下需求：更高的密度、更大的带宽、更低的功耗、更少的延迟时间以及更低的价格。因
本文原创于观海听涛,原作者版权所有,转载请注明出处。 近几天开发项目需要用到STM32驱动NAND FLASH,但由于开发板例程以及固件库是用于小页(512B,我要用到的FLASH为1G bit的大页(2K,多走了两天弯路。以下笔记将说明如何将默认固件库修改为大页模式以驱动大容量NAND,并作驱动。 本文硬件:控制器:STM32F103ZET6,存储器:HY27UF081G2A 首先说一下NOR与NAND存储器的区别,此类区别网上有很多,在此仅大致说明: 1、Nor读取速度比NAND稍快 2、Nand写入速度比Nor快很多 3、NAND擦除速度(4ms远快于Nor(5s 4、Nor 带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很轻松的挂接到CPU 地址和数据总线上,对CPU要求低 5、NAND用八个(或十六个引脚串行读取数据,数据总线地址总线复用,通常需要CPU支持驱动,且较为复杂 6、Nor主要占据1-16M容量市场,并且可以片内执行,适合代码存储 7、NAND占据8-128M及以上市场,通常用来作数据存储 8、NAND便宜一些 9、NAND寿命比Nor长 10、NAND会产生坏块,需要做坏块处理和ECC 更详细区别请继续百度,以上内容部分摘自神舟三号开发板手册
下面是NAND的存储结构: 由此图可看出NAND存储结构为立体式 正如硬盘的盘片被分为磁道,每个磁道又分为若干扇区,一块nand flash也分为若干block,每个block分为如干page。一般而言,block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。 需要注意的是,对于flash的读写都是以一个page开始的,但是在读写之前必须进行flash 的擦写,而擦写则是以一个block为单位的。 我们这次使用的HY27UF081G2A其PDF介绍: Memory Cell Array = (2K+64 Bytes x 64 Pages x 1,024 Blocks 由此可见,该NAND每页2K,共64页,1024块。其中:每页中的2K为主容量Data Field, 64bit为额外容量Spare Field。Spare Field用于存贮检验码和其他信息用的,并不能存放实际的数据。由此可算出系统总容量为2K*64*1024=134217728个byte,即1Gbit。NAND闪存颗粒硬件接口: 由此图可见,此颗粒为八位总线,地址数据复用,芯片为SOP48封装。 软件驱动:(此部分写的是伪码,仅用于解释含义,可用代码参见附件 主程序: 1. #define BUFFER_SIZE 0x2000 //此部分定义缓冲区大小,即一次写入的数据 2. #define NAND_HY_MakerID 0xAD //NAND厂商号 3. #define NAND_HY_DeviceID 0xF1 //NAND器件号 4. /*配置与SRAM连接的FSMC BANK2 NAND*/
1.存储的原理不同 U盘是以半导体材料(芯片du)作为存储单元，又叫固体存储器，没有机械部分。移动硬盘则是以磁性介质作为存储器，有机械部分。 2.能耗不同 U盘没有机械部分，需要提供的能量相比小得多，一般不会超过100mA，而移动硬盘耗能相对较大，有的时间一个USB口提供的电流不能很好的保证其正常运行。因此移动硬盘一般配的数据线都是可以查两个USB端口，甚至需要配置专门的电源。这也是有的移动硬盘不正常工作的主要原因。 3.体积不同 这点也是大家最容易辨别出U盘与移动硬盘的区别，U盘比移动硬盘明显的体积小很多，携带方便。 4.安全性不同 U盘由于没有机械部分，因此比移动硬盘具有优异的抗震动、潮湿性能。但要按照规定的程序操作和使用，U盘也要买质量过硬的，万一出了问题，数据挽救就比移动硬盘难度大多了，数据无价。 5.容量差别大。 目前U盘常见的在1G-32G,现在最大的有128G的，但相比移动硬盘还是小了非常多，但随着制造技术的进步，U盘的容量将会突飞猛进出现新的发展。 个人存储数据的U盘或者移动硬盘很容易忽视数据备份，当硬盘或者U盘出现故障时就容易导致大量数据丢失。假如遇到这个时候可以第一时间咨询专业的数据恢复公司，或者直接到专业数据恢复公司进行正规有效的检测。专业的数据恢复公司有专业的设备进行专
业的检测，可以检测硬盘或者U盘故障的具体原因，有专业的工作环境保证硬盘和U盘的硬件维修和更换，有专业的工程师针对不同情况的不同硬盘进行更专业的数据提取，保证大家数据的安全性和完整性，能让大家享受专业的技术服务，能最大限度的节省大家的时间，弥补缺失数据的影响，省去一些不必要的麻烦。
闪存简介及应用前景分析 1．闪存的概念 闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM （随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。 闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital （SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。 2．闪存的技术及特点 NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像闪存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。 前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。 3．闪存的发展史 在1984年，东芝公司的发明人Fujio Masuoka 首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性(也就是所存储的数据在主机掉电後不会丢失)，其记录速度也非常快。 Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。後来，Intel
NAND FLASH在储存测试系统中的应用(3) 2009-11-09 22:35:43 来源:王文杰马游春李锦明 关键字：NAND FLASH 储存测试K9K8G08UOM 2 NAND FLASkI Memory的硬件部分 本设计当中，FLASH的数据输入输出口、控制端口通过调理电路与FPGA的端口相连，图4所示是其硬件连接电路。 从图4中可知，FLASH的数据输入输出端口I／00～7、控制端口／CE、是通过芯片SN54LV245与FPGA相连；FLASH的控制端口cLE、ALE、／WE、／RE通过芯片SN54LV245和芯片74HCl4与ITGA相连。其中F-CLE、F-ALE、F—WE、F-RE、F—CE、F- R／Bur是FPGA的I／O口，是FPGA逻辑的输入输出口。CLE、ALE信号是FLASH存储器命令、地址锁存使能信号,／WE是保证命令、地址、数据能否及时正确的写入FLASH 的信号，／RE信号控制着数据的读取，这些信号的精确度关系着FLASH存储、读数功能的实现。所以，这些信号的好坏直接关系着FLASH的正常工作。经实践的电路调试，这些信号在传输过程中受到了其它因素的干扰，信号明显失真，在电路中加入74HCl4(非门)以后，信号会变得光滑，准确。 芯片SN54LV245是八进制三态总线收发器，DIR=1时，总线传输方向从A→B；DIR=0时，总线传输方向从B→A。／OE是片选信号。／0E，DIR信号是由FPGA内部编程逻辑控制的。 FL,ASH接口中，为了保证／wE、／RE、／CE、R／B控制信号初始状态无效，由硬件电路实现端口值拉高。本设计中不使用写保护功能，所以／WP端口也接上了上拉电阻。 3 结束语 基于闪存技术的固态存储器存储密度大，功耗小，可靠性高，体积小重量轻且成本也在不断降f氐，在航空应用中有良好的应用前景。在设计储存测试系统时选用大容量的NAIXD FLASH存储器大大提高了储存、读取速度，并且设计电路结构简单，易于修改。 (本文转自电子工程世界：http://www.eewo
公司禁用U盘和移动硬盘的解决方法 [post][/p ost]公司禁用U盘和移动硬盘的原因多种多样，最响亮的原因就是防止员工带走机密资料，在这里提供一种不用专业软件的小技巧给大家，因为你的老板永远相信“自己能解决的事，别花钱”。 一、BIOS设置法（快刀斩乱麻法） 进入BIOS设置，选择“Integrated Peripherals”选项，展开后将“USB 1.1 Controller”和“USB 2.0 Contr01ler”选项的属性设置为“Disableed”，即可禁用USB接口。最后别忘记给BIOS设置上一个密码，这样他人就无法通过修改注册表解“锁”上述设备了。 注意：这个方法是完全禁止了USB接口，也就是说各种USB接口的设备均不能用了，当然也包括了U盘和移动盘。由于此法过于霸道，请慎用。 二、禁止闪盘或移动硬盘的启动（适用于Windows XP/2000/2003） 打开注册表编辑器，依次展开如下分支 [HKEY_LOCAL_MACHINESYSTEMCurrentCntrolSetServicesUSBSTOR]，在右侧的窗格中找到名为“Start”的DWORD值，双击，在弹出的编辑对话框中将其数值数据修改为十六位进制数值“4”。点“确定”按钮并关闭注册表编辑器，重新启动计算机，使设置生效。重启后，当有人将USB存储设备连接到计算机时，虽然USB设备上的指示灯在正常闪烁，但在资源管理器当中就是无法找到其盘符，因此也就无法使用USB设备了。 三、隐藏盘符和禁止查看（适用于Windows系统） 打开注册表编辑器，依次展开如下分支
[HKEY_CURRENT_USERsoftwareMicrosoftWindowsCurrentVersionPloiciesExplorer]，新建二进制值“NoDrives”，其缺省值均是00 00 00 00，表示不隐藏任何驱动器。键值由四个字节组成，每个字节的每一位（bit）对应从A:到Z:的一个盘，当相应位为1时，“我的电脑”中相应的驱动器就被隐藏了。第一个字节代表从A到H的8个盘，即01为A，02为B，04为C……依次类推，第二个字节代表I到P，第三个字节代表Q到X，第四个字节代表Y和Z。比如要关闭C盘，将键值改为04 00 00 00；要关闭D盘，则改为08 00 00 00，若要关闭C盘和D 盘，则改为0C 00 00 00(C是十六进制，转成十进制就是12)。 理解了原理后，下面以我的电脑为例说明如何操作：我的电脑有一个软驱、一个硬盘(5个分区)、一个光驱，盘符分布是这样的：A:（3.5软盘）、C:、D:、E:、F:、G:、H:（光盘），所以我的“NoDrives”值为“02 ff ff ff”，隐藏了B、I到Z盘。 重启计算机后，再插入U盘，在我的电脑里也是看不出来的，但在地址栏里输入I:（我的电脑电后一个盘符是H）还是可以访问移动盘的。到这里大家都看得出“NoDrives”只是障眼法，所以我们还要做多一步，就是再新建一个二进制“NoViewOnDrive”，值改为“02 ff ff ff”，也就是说其值与“NoDrives”相同。这样一来，既看不到U盘符也访问不到U盘了。 四、禁止安装USB驱动程序 在Windows资源管理器中，进入到“系统盘:WINDOWSinf”目录，找到名为“Usbstor.pnf”的文件，右键点击该文件，在弹出菜单中选择“属性”，然后切换到“安全”标签页，在“组或用户名称”框中选中要禁止的用户组，接着在用户组的权限框中，选中“完全控制”后面的“拒绝”复选框，最后点击“确定”按钮。 再使用以上方法，找到“usbstor.inf”文件并在安全标签页中设置为拒绝该组的用户访问，其操作过程同上。完成了以上设置后，该组中的用户就无法安装USB设备驱动程序了，这样就达到
闪存的分类及参数介绍 时间:2005-09-16 10:45 来源:中国电脑教育报作者: 我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器（NVRAM）的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM 两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。 闪存的分类 NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。 前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。 ? NAND型闪存的技术特点 内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。 NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。 每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来