常用电平标准：
现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管逻辑。
Vcc：5V；
VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；
VIH>=2V；VIL<=0.8V。
因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。
3.3V LVTTL：
Vcc：3.3V；
VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；
VIH>=2V；VIL<=0.8V。
2.5V LVTTL：
Vcc：2.5V；
VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；
VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。
TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k 以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。
Vcc：5V；
VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；
VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。
相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
3.3V LVCMOS：
Vcc：3.3V；
VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；
VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS：
Vcc：2.5V；
VOH>=2V；VOL<=0.1V；
VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。
CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。
ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构)
Vcc=0V；Vee：-5.2V；
VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；
VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。
速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。
PECL：Pseudo/Positive ECL
Vcc=5V；
VOH=4.12V；VOL=3.28V；
VIH=3.78V；VIL=3.64V
LVPELC：Low Voltage PECL
Vcc=3.3V；
VOH=2.42V；VOL=1.58V；
VIH=2.06V；VIL=1.94V
ECL、PECL、LVPECL使用注意：不同电平不能直接驱动。中间可用交流耦合、电阻网络或专用芯片进行转换。以上三种均为射随输出结构，必须有电阻拉到一个直流偏置电压。(如多用于时钟的LVPECL：直流匹配时用130欧上拉，同时用82欧下拉；交流匹配时用82欧上拉，同时用130欧下拉。但两种方式工作后直流电平都在1.95V左右。)
前面的电平标准摆幅都比较大，为降低电磁辐射，同时提高开关速度又推出LVDS电平标准。
LVDS：Low Voltage Differential Signaling
差分对输入输出，内部有一个恒流源 3.5-4mA，在差分线上改变方向来表示0和1。通过外部的100欧匹配电阻(并在差分线上靠近接收端)转换为±350mV 的差分电平。
LVDS使用注意：可以达到600M以上，PCB要求较高，差分线要求严格等长，差最好不超过10mil(0.25mm)。100欧电阻离接收端距离不能超过500mil，最好控制在300mil以内。
下面的电平用的可能不是很多，篇幅关系，只简单做一下介绍。
CML：是内部做好匹配的一种电路，不需再进行匹配。三极管结构，也是差分线，速度能达到3G以上。只能点对点传输。
GTL：类似CMOS的一种结构，输入为比较器结构，比较器一端接参考电平，另一端接输入信号。1.2V电源供电。
Vcc=1.2V；VOH>=1.1V；VOL<=0.4V；VIH>=0.85V；VIL<=0.75V
PGTL/GTL+：
Vcc=1.5V；VOH>=1.4V；VOL<=0.46V；VIH>=1.2V；VIL<=0.8V
HSTL是主要用于QDR存储器的一种电平标准：一般有V¬CCIO=1.8V 和V¬¬CCIO= 1.5V。和上面的GTL相似，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平(VCCIO/2)，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。
SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL基本相同。V¬¬CCIO=2.5V，输入为输入为比较器结构，比较器一端接参考电平1.25V，另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。
HSTL和SSTL大多用在300M以下。
TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。
TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问
题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。
TTL与COMS电平使用区别
(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V
CMOS电平Vcc可达到12V
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平
另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。用TTL电平他们就可以兼容
(二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准
输出L：<0.8V ；H：>2.4V。
输入L：<1.2V ；H：>2.0V
TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V 就认为是0，高于2.0就认为是1。
CMOS电平：
输出L：<0.1*Vcc ；H：>0.9*Vcc。
输入L：<0.3*Vcc ；H：>0.7*Vcc。
一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的，不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值，看是否能够匹配（VOL要小于VIL，VOH要大于VIH，是指一个连接当中的）。有些在一般应用中没有问题，但是参数上就是有点不够匹配，在某些情况下可能就不够稳定，或者不同批次的器件就不能运行。
例如：74LS的器件的输出，接入74HC的器件。在一般情况下都能好好运行，但是，在参数上却是不匹配的，有些情况下就不能运行。
TTL与COMS电平使用区别
1、电平的上限和下限定义不一样，CMOS具有更大的抗噪区域。
同是5伏供电的话，ttl一般是1.7V和3.5V的样子，CMOS一般是2.2V,2.9V 的样子，不准确，仅供参考。
2、电流驱动能力不一样，ttl一般提供25毫安的驱动能力，而CMOS一般在10毫安左右。
3、需要的电流输入大小也不一样，一般ttl需要2.5毫安左右，CMOS几乎不需要电流输入。
4、很多器件都是兼容ttl和CMOS的，datasheet会有说明。如果不考虑速度和性能，一般器件可以互换。但是需要注意有时候负载效应可能引起电路工作不正常，因为有些ttl电路需要下一级的输入阻抗作为负载才能正常工作。
TTL——Transistor-Transistor Logic
HTTL——High-speed TTL
LTTL——Low-power TTL
STTL——Schottky TTL
LSTTL——Low-power Schottky TTL
ASTTL——Advanced Schottky TTL
ALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL
FAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL
CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor
HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT与TTL电平兼容)
AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT与TTL电平兼容)（亦称ACL）
AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT与TTL电平兼容)
FCT——FACT扩展系列，与TTL电平兼容
FACT——Fairchild Advanced CMOS Technology,其
1，TTL电平：
输出高电平〉2.4V 输出低电平〈0.4V
在室温下，一般输出高电平是3.5V 输出低电平是0.2V。
最小输入高电平和低电平
输入高电平〉=2.0V 输入低电平《=0.8V
它的噪声容限是0.4V.
2,CMOS电平：
逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5vcmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。
4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。
防御措施：
1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS电路的电源。
6，COMS电路的使用注意事项
1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。
4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。
7，TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：
1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。
8，TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。
OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三机管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了能输入和输出电流，它使用
的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
9，什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？
TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。因为TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式输出，高电平400UA，低电平8MA。
1. TTL电路和CMOS电路的逻辑电平
VOH: 逻辑电平1 的输出电压
VOL: 逻辑电平0 的输出电压
VIH : 逻辑电平1 的输入电压
VIH : 逻辑电平0 的输入电压
TTL电路临界值：
VOHmin = 2.4V VOLmax = 0.4V
VIHmin = 2.0V VILmax = 0.8V
CMOS电路临界值（电源电压为＋5V）
VOHmin = 4.99V VOLmax = 0.01V
VIHmin = 3.5V VILmax = 1.5V
2. TTL和CMOS的逻辑电平转换
CMOS电平能驱动TTL电平
TTL电平不能驱动CMOS电平，需加上拉电阻。
3. 常用逻辑芯片特点
74LS系列：TTL 输入: TTL 输出: TTL
74HC系列：CMOS 输入: CMOS 输出: CMOS
74HCT系列：CMOS 输入: TTL 输出: CMOS
CD4000系列：CMOS 输入: CMOS 输出: CMOS
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常用电平及接口电平
目录 一.常用逻辑电平标准 (3) 1.1 COMS电平 (4) 1.2 LVCOMS电平 (5) 2.1 TTL电平 (5) 2.2 LVTTL电平 (5) 3.1 LVDS电平 (6) 4.1 PECL(VCC=5V)/LVPECL(VCC=3.3V)电平 (7) 5.1 CML电平 (7) 6.1 VML电平 (7) 7.1 HSTL电平 (8) 7.2 SSTL电平 (8) 二．常用接口电平标准 (9) 1. RS232、RS485、 RS422 (9) 2 DDR1 ,DDR2,DDR3 (10) 3 PCIE2. 0、PCIE3.0 (11) 4 USB2.0, USB3.0 (13) 5 SATA2.0, SATA3.0 (14) 6 GTX高速接口 (14)
一.常用逻辑电平标准 附图1： 附图2：
附图3： 附图4： 1.1 COMS电平 电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压（VCC） 5.5 5 4.5 V 输入高压（VIH） 3.5 V 输入低压（VIL) 1.5 V 输出高压（VOH) 4.44 V 输出低压（VOL）0.5 V 共模电压（VT） 2.5 V
传输延迟时间(25-50ns) 最高速率 耦合方式 1.2 LVCOMS电平 LVCOMS电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压（VCC） 3.6 3.3 2.7 V 输入高压（VIH）0.7VCC V 输入低压（VIL) 0.2VCC V 输出高压（VOH) VCC-0.1 V 输出低压（VOL）0.1 V 共模电压（VT）0.5VCC V 最高速率 耦合方式 2.1 TTL电平 电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压（VCC） 5.5 5 4.5 V 输入高压（VIH） 2 V 输入低压（VIL) 0.8 V 输出高压（VOH) 2.4 V 输出低压（VOL）0.5 V 共模电压（VT） 1.5 V 传输延迟时间(5-10ns)， 最高速率 耦合方式 2.2 LVTTL电平 电平参数条件最大值典型值最小值单位备注
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思想汇报的基本书写格式及内容通常如下： 标题。居中写思想汇报。 称谓。即汇报人对党组织的称呼，一般写敬爱的党组织。顶格书写在标题的下一行，后面加冒号。 正文。写思想汇报，是结合自己的学习、工作和生活情况，向党组织反映自己的真实思想情况。具体内容根据每个人的不同情况而定。如果对党的基本知识、马克思主义的基本理论的学习有所收获，可以通过思想汇报的形式，将学习体会、思想认识上新的提高及存在的认识不清的问题向党组织说明;如果对党的路线、方针、政策或一个时期的中心任务有什么看法，可以在思想汇报汇中表明自己的态度，阐明自己的观点;如果参加了重要的活动或学习了某些重要文章，可以把自己受到的教育写给党组织;如果遇到国内外发生重大政治事件时，则要通过学习提高对事件本质的认识，旗帜鲜明地向党组织表明自己的立场;如果在自己的日常生活中遇到了个人利益同集体利益、国家利益产生矛盾的问题，可以把自己有哪些想法，如何对待和处理的情况向党组织汇报;为了使党组织对自己最近的思想情况有所了解，就要把自己的思想状况，有了哪些进步，存在什么问题以及今后提高的打算写清楚，等等。 结尾。思想汇报的结尾可写上自己对党组织的请求和希望。一般用恳请党组织给予批评、帮助或希望党组织加强对自己的培养和教育等作为结束语。
一些电平标准 下面总结一下各电平标准，和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL： Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL： Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。 TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻； TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS： Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS： Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。 ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构) Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。 速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要负电源。为简化电源，出现了PECL(ECL结构，改用正电压供电)和LVPECL。 PECL：Pseudo/Positive ECL Vcc=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64V LVPELC：Low Voltage PECL
工作总结格式规范,工作总结格式及范文【精选】 【工作总结格式规范】 标题： 1、标题字号 一级标题：三号字 二级标题：小三 三级标题：四号 总结就三个标题就足够使用了，最小号的标题不能小于小四号!全部标题都加粗! 2、用宋体书写 3、正标题居中，副标题依总结内容而定，可顶格，也可居中(顶格写不用前后空行) 正文： 1、小四号宋体 2、如果标题上下都有内容，则上下都回车一下(也就是都得空一行)
3、注意文中的措辞与称呼 4、正文行距是一点五倍行距 5、所有正文都不加粗 6、正文包括：时间、地点、活动内容、主办部门、参与人员、赞助单位、活动效果、活动后的收获等 7、插入照片不可超过3张!每张照片宽度和高度均不可少于5、0cm，不可高于8、0cm 8、必须插入页码(居中) 字数规定： 1、对于小活动可以就“一页纸”(也就是小总结，不局限于真的就一页)总结;(总结内容要点见正文第六条) 2、对于大型活动，总结篇幅在3到5页即可，不可过长 3、对于活动的金费预算和策划等相关资料，可以做成附件。(附件字体得小于小四号字体，不得过长，以缩小字体的方法将其缩减为小于三页即可，不过字体也不能过小，至少得清晰辨认。如果大型活动(如迎新晚会、普物竞赛等等)附件过长，尽量缩减，最多不可超过六页!不能缩减为篇幅规定范围的附件就略去，拣选重要的附件贴上。)
【工作总结写法详解】 (一)总结的标题 总结的标题有种种形式，最常见的是由单位名称、时间、主要内容、文种组成，如《××市财政局××年工作总结》、《××厂××年上半年工作总结》。 有的总结标题中不出现单位名称，如《创先争优活动总结》、《××年教学工作总结》。 有的总结标题只是内容的概括，并不标明“总结”字样，但一看内容就知道是总结，如《一年来的谈判及前途》等。 还有的总结采用双标题。正标题点明文章的主旨或重心，副标题具体说明文章的内容和文种，如《构建农民进入市场的新机制——运城麦棉产区发展农村经济的实践与总结》、《加强医德修养树立医疗新风——南方医院惠侨科精神文明建设的经验》。 (二)总结的正文 和其他应用文体一样，总结的正文也分为开头、主体、结尾三部分，各部分均有其特定的内容。 1.开头
TTL电平和CMOS电平总结 1，TTL电平： 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。2，CMOS电平： 1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3，电平转换电路： 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换 4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。 5，TTL和COMS电路比较： 1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。 2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。 3）COMS电路的锁定效应： COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。 防御措施： 1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过规定电压。 2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。 3）在VDD和外电源之间加限流电阻，即使有大的电流也不让它进去。 4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS 电路的电源。 6，COMS电路的使用注意事项 1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。 2）输入端接低内阻的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。 3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。 4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。 7，TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）： 1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。 8，TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出
RS232、RS485、RS422电平，及常见逻辑电平标准 RS232电平或者说串口电平，有的甚至说计算机电平，所有的这些说法，指得都是计算机9针串口（RS232）的电平，采用负逻辑， －15v ~ －3v 代表1 ＋3v ~ ＋15v 代表0 RS485电平和RS422电平由于两者均采用差分传输（平衡传输）的方式，所以他们的电平方式，一般有两个引脚 A,B 发送端 AB间的电压差 ＋2 ～＋6v 1 －2 ～－6v 0 接收端 AB间的电压差 大于＋200mv 1 小于－200mv 0 定义逻辑1为B>A的状态 定义逻辑0为A>B的状态 AB之间的电压差不小于200mv 一对一的接头的情况下 RS232 可做到双向传输，全双工通讯最高传输速率 20kbps 422 只能做到单向传输，半双工通讯，最高传输速率10Mbps 485 双向传输，半双工通讯, 最高传输速率10Mbps
常见逻辑电平标准 下面总结一下各电平标准。和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL： Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL： Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。 TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS： Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS： Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。
工作总结标准格式 书写工作总结要用第一人称。即要从本单位、本部门的角度来撰写。表达方式以叙述、议论为主，说明为辅，可夹叙夹议说。总结要写得有理论价值。下面，x为大家分享工作总结标准格式，希望对大家有所帮助！ 工作总结格式 (一)工作总结的格式 总结的格式，也就是总结的结构，是组织和安排材料的表现形式。其格式不固定，一般会有以下几种: 1、条文式 条文式也称条款式，是用序数词给每一自然段编号的文章格式。通过给每个自然段编号，总结被分为几个问题，按问题谈情况和体会。这种格式有灵活，方便的特点。 2、两段式 总结分为两个部分:前一部分为总，主要写做了哪些工作，取得什么成绩;后一部分是结，主要讲经验，教训。这种总结格式具有结构简单，中心明确的特点。 3、贯通式 贯通式是围绕主题对工作发展的全过程逐步进行总结，要以各个主要阶段的情况，完成任务的方法以及结果进行较
为具体的叙述。常按时间顺序叙述情况，谈经验。这种格式具有结构紧凑，内容连贯的特点。 4、标题式 把总结的内容分成若干部分，每部分提炼出一个小标题，分别阐述。这种格式具有层次分明，重点突出的特点。 一篇总结，采用何种格式来组织和安排材料，是由内容决定的。所选结论应反映事物的内在联系，服从全文中心。 (二)工作总结的构成 总结一般是由标题，正文，署名和日期几个部分构成的。 1、标题 标题，即总结的名称。标明总结的单位，期限和性质。 2、正文 正文一般又分为三个部分:开头，主体和结尾。 (1)开头 或者交待总结的目的和总结的主要内容;或介绍单位的基本情况;或把所取得的成绩简明扼要地写出来;或概括说明指导思想以及在什么形势下作的总结。不管以何种方式开头，都应简炼，使总结很快进入主体。 (2)主体 是总结的主要部分，是总结的重点和中心。它的内容就是总结的内容。 (3)结尾
Q/DKBA 深圳市华为技术有限公司技术规范 错误！未定义书签。Q/DKBA0.200.035-2000 逻辑电平接口设计规范
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本规范起草单位：各业务部、研究技术管理处硬件工程室。 本规范主要起草人如下：赵光耀、钱民、蔡常天、容庆安、朱志明，方光祥、王云飞。 在规范的起草过程中，李东原、陈卫中、梅泽良、邢小昱、李德、梁军、何其慧、甘云慧等提出了很好的建议。在此，表示感谢！ 本规范批准人：周代琪 本规范解释权属于华为技术有限公司研究技术管理处硬件工程室。 本规范修改记录：
目录 1、目的 5 2、范围 5 3、名词定义 5 4、引用标准和参考资料 6 5、TTL器件和CMOS器件的逻辑电平8 5.1：逻辑电平的一些概念8 5.2：常用的逻辑电平9 5.3：TTL和CMOS器件的原理和输入输出特 性9 5.4：TTL和CMOS的逻辑电平关系10 6、TTL和CMOS逻辑器件12 6.1：TTL和CMOS器件的功能分类12 6.2：TTL和MOS逻辑器件的工艺分类特点13 6.3：TTL和CMOS逻辑器件的电平分类特点13 6.4：包含特殊功能的逻辑器件14 6.5：TTL和CMOS逻辑器件的选择15 6.6：逻辑器件的使用指南15 7、TTL、CMOS器件的互连17 7.1：器件的互连总则17 7.2：5V TTL门作驱动源20 7.3：3.3V TTL/CMOS门作驱动源20 7.4：5V CMOS门作驱动源20 7.5：2.5V CMOS逻辑电平的互连20 8、EPLD和FPGA器件的逻辑电平21 8.1：概述21 8.2：各类可编程器件接口电平要求21 8.3：各类可编程器件接口电平要求21 8.3.1：EPLD/CPLD的接口电平21 8.3.2：FPGA接口电平25 9、ECL器件的原理和特点35 9.1：ECL器件的原理35 9.2：ECL电路的特性36 9.3：PECL/LVPECL器件的原理和特点37 9.4：ECL器件的互连38 9.4.1：ECL器件和TTL器件的互连38 9.4.2：ECL器件和其他器件的互连39 9.5：ECL器件的匹配方式39 9.6：ECL器件的使用举例41 9.6.1：SYS100E111的设计41 9.6.2：SY100E57的设计42 9.1：ECL电路的器件选择43 9.2：ECL器件的使用原则43
道路上行驶的汽车造型和性能特征等千差万别，如何区别这些汽车？一般来讲，根据新的汽车分类国家标准(gb9417-89)就可方便地区分车型。中国汽车划分为8大类： 1．载货汽车：依公路运行时厂定最大总质量（ga）划分为：微型货车（ga≤1．8吨）轻型货车（1．8吨＜ga≤6吨）中型货车（6．0吨＜ga≤14吨）重型货车（ga＞14吨） 2．越野汽车：依越野运行时厂定最大总质量（ga）划分为：轻型越野汽车（ga≤5吨）中型越野汽车（5．0吨＜ga≤13吨）重型越野汽车（13＜ga≤24吨）超重型越野汽车（ga＞24吨） 3．自卸汽车：依公路运行时厂定最大总质量（ga）划分为：轻型自卸汽车（ga≤6吨）中型自卸汽车（6．0吨＜ga≤14吨）重型自卸汽车（ga＞14吨）矿山自卸汽车； 4．牵引车：半挂牵引车、全挂牵引车； 5．专用汽车：厢式汽车、罐式汽车、起重举升汽车、仓棚式汽车、特种结构式汽车、专用自卸汽车； 6．客车：依车长（l）划分为：微型（l≤3．5米）轻型（3．5米＜l≤7米）中型（7米＜l≤10米）大型客车（l＞10米）和特大型客车；中大型客车又可分为城市、长途、旅游及团体客车，特大型客车指铰接和双层客车；
7．轿车：依发动机排量（v）划分为：微型轿车（v≤1升）普通轿车（1升＜v≤1．6升）中级轿车（1．6升＜v≤2．5 升）中高级轿车（2．5升＜v≤4升）高级轿车（v＞4升） 8．半挂车：依公路运行时厂定最大总质量（ga）划分为：轻型半挂车（ga≤7．1吨）中型半挂车（7．1吨＜ga≤19．5吨）重型半挂车（19．5＜ga≤34吨）超重型半挂车（ga＞34吨）本站点车型定义与分类本网站主要收集小型客车, 如各种轿车, 轻型越野汽车, 微型 货车, 微型客车。在中国，根据公安部的车辆分类标准,小型客车的共分为四类, 即：·小轿车、越野车、旅行车、轻型小客车·本站点即主要采用这种分类办法。·本站点还同时收录适宜家庭使用的小型货车(皮卡, pickup), 归类为小货车每辆车属于哪一种车型，请参阅该车的行驶证(不是司机驾驶证)正页第5行均已标明。·小轿车举例：桑塔纳，宝马，奥迪等；夏利、奥拓属于小轿车。切诺基小客车在北京行驶按照小轿车进行管理, 但是这里归类为越野车·越野车包括国产吉普和进口吉普等型号, 以及其它品牌越野车·旅行车举例：松花江、昌河、长安、大发、柳州五菱、天津华利等属于7座以下旅行车·轻型小客车指凯特、海玉、中联等类型的小客车，中华子弹头也属于轻型小客车, 小客车的分类似有难以界定,主观上也归并到旅行车一类·小货车,如小轿车旅行轿车station wagon 小轿车厢式轿车旅行车吉普车jeep等越野汽车越野车厢式货车小货车轻型小货车pickup 小货 车国汽车分类标准中国汽车分类标准(gb9417-89)将汽车分类为8类:
几种常用逻辑电平电路的特点及应用 2007-08-13 来源: 作者: LVDS(Low Voltage Differential Signal)低电压差分信号、ECL(EmitterCoupled Logic)即射极耦合逻辑、CML电平等各种逻辑电平的特点以及接口应用。 在通用的电子器件设备中，TTL和CMOS电路的应用非常广泛。但是面对现在系统日益复杂，传输的数据量越来越大，实时性要求越来越高，传输距离越来越长的发展趋势，掌握高速数据传输的逻辑电平知识和设计能力就显得更加迫切了。 1 几种常用高速逻辑电平 1.1LVDS电平 LVDS（Low V oltage Differential Signal）即低电压差分信号，LVDS接口又称RS644总线接口，是20世纪90年代才出现的一种数据传输和接口技术。 LVDS的典型工作原理如图1所示。最基本的LVDS器件就是LVDS驱动器和接收器。LVDS的驱动器由驱动差分线对的电流源组成，电流通常为3.5 mA。LVDS 接收器具有很高的输入阻抗，因此驱动器输出的大部分电流都流过100 Ω的匹配电阻，并在接收器的输入端产生大约350 mV的电压。当驱动器翻转时，它改变流经电阻的电流方向，因此产生有效的逻辑“1”和逻辑“0”状态。 图1LVDS驱动器与接收器互连示意 LVDS技术在两个标准中被定义：ANSI/TIA/EIA644 (1995年11月通过)和IEEE P1596.3 (1996年3月通过)。这两个标准中都着重定义了LVDS的电特性，包括：①低摆幅（约为350 mV）。低电流驱动模式意味着可实现高速传输。ANSI/TIA/EIA644建议了655 Mb/s的最大速率和1.923 Gb/s的无失真通道上的理论极限速率。 ②低压摆幅。恒流源电流驱动，把输出电流限制到约为3.5 mA左右，使跳变期间的尖峰干扰最小，因而产生的功耗非常小。这允许集成电路密度的进一步提高，即提高了PCB板的效能，减少了成本。 ③具有相对较慢的边缘速率（dV/dt约为0.300 V/0.3 ns,即为1 V/ns）,同时采用差
总结的标准格式 总结，是对过去一定时期的工作、学习或思想情况进行回顾、分析，并做出客观评价的书面材料。下面，XX为大家分享总结的标准格式，希望对大家有所帮助! 从性质、时间、形式等角度可划分出不同类型的总结，从内容分主要有综合总结和专题总结两种。综合总结又称全面总结，它是对某一时期各项工作的全面回顾和检查，进而总结经验与教训。专题总结是对某项工作或某方面问题进行专项的总结，尤以总结推广成功经验为多见。总结也有各种别称，如自查性质的评估及汇报、回顾、小结等都具总结的性质。 根据内容的不同，可以把总结分为工作总结、生产总结、学习总结、教学总结、会议总结等等。 根据范围的不同，可以分为全国性总结、地区性总结、部门性总结、本单位总结、班组总结等。 根据时间的不同，可以分为月总结、季总结、年度总结、阶段性总结等。 从内容和性质的不同，可以分为全面总结和专题总结两类。 写作分为标题、正文、落款。标题又分公文式的，一般由单位名称、时限、内容、文种组成;文章标题式的、双标题;正文由前言、主体、结尾组成;结尾又分自然收尾和总结
全文;落款由单位名称和时间组成。 (相关内容见《应用写作》杂志1998年第5期《“总结”写作中常见毛病例析》、XX年第1期《总结写作中的经验提炼》、XX年第4期《撰写总结的要诀之一》等文章。) 主体部分常见的结构形态有三种 一、纵式结构 就是按照事物或实践活动的过程安排内容。写作时，把总结所包括的时间划分为几个阶段，按时间顺序分别叙述每个阶段的成绩、做法、经验、体会。这种写法的好处是事物发展或社会活动的全过程清楚明白。 二、横式结构 按事实性质和规律的不同分门别类地依次展开内容，使各层之间呈现相互并列的态势。这种写法的优点是各层次的内容鲜明集中。 三、纵横式结构 安排内容时，即考虑到时间的先后顺序，体现事物的发展过程，又注意内容的逻辑联系，从几个方面总结出经验教训。这种写法，多数是先采用纵式结构，写事物发展的各个阶段的情况或问题，然后用横式结构总结经验或教训。 主体部分的外部形式，有贯通式、小标题式、序数式三种情况 一、贯通式适用于篇幅短小、内容单纯的总结。它像一
各种逻辑电平标准 在通用的电子器件设备中，TTL和CMOS电路的应用非常广泛。但是面对现在系统日益复杂，传输的数据量越来越大，实时性要求越来越高，传输距离越来越长的发展趋势，掌握高速数据传输的逻辑电平知识和设计能力就显得更加迫切了。 5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。·ECL/PECL和LVDS是差分输入输出。·RS-422/485和RS-232是串口的接口标准，RS-422/485是差分输入 常用电平标准 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL 等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL： Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL： Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。 TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻； TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。
国家标准分类的基础知识 基础分类 国家标准分类按照标准化对象，通常把标准分为技术标准、管理标准和工作标准三大类。 技术标准——对标准化领域中需要协调统一的技术事项所制定的标准。包括基础标准、产品标准、工艺标准、检测试验方法标准，及安全、卫生、环保标准等。 管理标准——对标准化领域中需要协调统一的管理事项所制定的标准。 工作标准——对工作的责任、权利、范围、质量要求、程序、效果、检查方法、考核办法所制定的标准。 标准的分级 按照标准的适用范围，我国的标准分为国家标准、行业标准、地方标准和企业标准四个级别。 （1）国家标准 由国务院标准化行政主管部门国家质量技术监督总局与国家标准化管理委员会（属于国家质量技术监督检验检疫总局管理）指定（编制计划、组织起草、统一审批、编号、发布）。国
家标准在全国范围内适用，其他各级别标准不得与国家标准相抵触。 （2）行业标准 由国务院有关行政主管部门制定。如化工行业标准（代号为HG）、石油化工行业标准（代号为SH）由国家石油和化学工业局制定，建材行业标准（代号为JC）由国家建筑材料工业局制定。行业标准在全国某个行业范围内适用。 （3）地方标准 由省、自治区、直辖市标准化行政主管部门制定。在地方辖区范围内适用。 （4）企业标准 没有国家标准、行业标准和地方标准的产品，企业应当制定相应的企业标准，企业标准应报当地政府标准化行政主管部门和有关行政主管部门备案。企业标准在该企业内部适用。 此外，围绕当前国家技术创新体系的重要组成部分-------产业技术创新战略联盟，国标委目前还正在酝酿开展联盟标准试点工作。将通过试点的方式，支持有条件的国家级试点联盟，探索开展联盟标准化与当前标准体系并存互相补充的标准管理方式。
标准的月度工作总结格式 标准的月度工作总结格式 月度工作总结的格式,也就是总结的结构,是组织和安排材料的表现形式。下面是小编搜集整理的标准的月度工作总结格式，欢迎阅读。更多资讯尽在工作总结格式栏目! 月度工作总结格式 月度工作总结，就是把一个月的情况进行一次全面系统的总检查、总评价、总分析、总研究，分析成绩、不足、经验等。 总结是应用写作的一种，是对已经做过的工作进行理性的思考。总结与计划是相辅相成的，要以计划为依据，制定计划总是在个人总结经
验的基础上进行的。 月度工作总结的基本要求 1.月度工作总结必须有情况的概述和叙述，有的比较简单，有的比较详细。这部分内容主要是对工作的主客观条件、有利和不利条件以及工作的环境和基础等进行分析。 2.成绩和缺点。这是总结的中心。总结的目的就是要肯定成绩，找出缺点。成绩有哪些，有多大，表现在哪些方面，是怎样取得的;缺点有多少，表现在哪些方面，是什么性质的，怎样产生的，都应讲清楚。 3.经验和教训。做过一件事，总会有经验和教训。为便于今后的工作，须对以往工作的经验和教训进行分析、研究、概括、集中，并上升到理论的高度来认识。
4.今后的打算。根据今后的工作任务和要求，吸取前一时期工作的经验和教训，明确努力方向，提出改进措施等 月度工作总结的注意事项 1.一定要实事求是，成绩不夸大，缺点不缩小，更不能弄虚作假。这是分析、得出教训的基础。 2.条理要清楚。总结是写给人看的.，条理不清，人们就看不下去，即使看了也不知其所以然，这样就达不到总结的目的。 3.要剪裁得体，详略适宜。材料有本质的，有现象的;有重要的，有次要的，写作时要去芜存精。总结中的问题要有主次、详略之分，该详的要详，该略的要略。
常见逻辑电平标准 下面总结一下各电平标准。和新手以及有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL： Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL： Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了。多用在处理器等高速芯片，使用时查看芯片手册就OK了。TTL使用注意：TTL电平一般过冲都会比较严重，可能在始端串22欧或33欧电阻；TTL电平输入脚悬空时是内部认为是高电平。要下拉的话应用1k以下电阻下拉。TTL输出不能驱动CMOS输入。 CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS。 Vcc：5V；VOH>=4.45V；VOL<=0.5V；VIH>=3.5V；VIL<=1.5V。 相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。对应3.3V LVTTL，出现了LVCMOS，可以与3.3V的LVTTL直接相互驱动。 3.3V LVCMOS： Vcc：3.3V；VOH>=3.2V；VOL<=0.1V；VIH>=2.0V；VIL<=0.7V。 2.5V LVCMOS： Vcc：2.5V；VOH>=2V；VOL<=0.1V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 CMOS使用注意：CMOS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片的烧毁。 ECL：Emitter Coupled Logic 发射极耦合逻辑电路(差分结构) Vcc=0V；Vee：-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。
《全国主要产品分类与代码》国家标准发布实施 ———粮食行业相关代码介绍 中华人民共和国国家标准《全国主要产品分类与代码第1部分：可运输产品》（GB/T 7635.1-2002）(以下简称“可运输产品代码”标准)经中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布，于2003年4月1日开始实施。 “可运输产品代码”标准是一项大型的基础性标准，是与国际通行产品目录协调一致的国家产品分类编码标准体系。规定了全国可运输产品的分类原则与方法、代码结构、编码方法、分类与代码。主要用于信息处理和信息交换。 一、《全国主要产品分类与代码》的组成 《全国主要产品分类与代码》由相对独立的两个部分组成，第一部分为可运输产品，第二部分为不可运输产品。第一部分由五大部类组成，与联合国统计委员会制定的《主要产品分类》（CPC）1998年10版的第1部分相对应，一致性程度为非等效。 “可运输产品代码”标准是对《全国工农业产品（商品、物资）分类与代码》（GB/T7635—1987）的修订。主要变化有： 1、对GB/T7635—1987标准名称进行了修改； 2、对代码结构和编码方法进行了修改。GB/T7635—1987代码结构是四层8位数字码，每层2位码，采用了平均分配代码的方法。“可运输产品代码”标准代码结构是六层8位数字码，前五 —1 —
层是一层1位码，第六层是3位码，采用了非平均分配代码方法； 3、产品分类和类目的设置进行了较大幅度的调整。 4、采用了GB/T10113-1988《分类编码通用术语》中确立的术语；产品类目采用了规范的产品名称。 二、我国主要粮食与机械产品分类代码介绍 在“可运输产品代码”标准中，与粮食行业相关的产品分类代码涉及我国原粮、米面油产品和粮油加工机械产品等三个方面。摘录如下： —2 —
常用逻辑电平简介（转载） 逻辑电平有：TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVDS、GTL、BTL、ETL、GTLP；RS232、RS422、RS485等。 图1－1：常用逻辑系列器件 TTL：Transistor-Transistor Logic CMOS：Complementary Metal Oxide Semicondutor LVTTL：Low Voltage TTL LVCMOS：Low Voltage CMOS ECL：Emitter Coupled Logic， PECL：Pseudo/Positive Emitter Coupled Logic LVDS：Low Voltage Differential Signaling GTL：Gunning Transceiver Logic BTL：Backplane Transceiver Logic ETL：enhanced transceiver logic GTLP：Gunning Transceiver Logic Plus TI的逻辑器件系列有：74、74HC、74AC、74LVC、74LVT等 S - Schottky Logic LS - Low-Power Schottky Logic CD4000 - CMOS Logic 4000 AS - Advanced Schottky Logic 74F - Fast Logic ALS - Advanced Low-Power Schottky Logic HC/HCT - High-Speed CMOS Logic BCT - BiCMOS Technology AC/ACT - Advanced CMOS Logic FCT - Fast CMOS Technology ABT - Advanced BiCMOS Technology LVT - Low-Voltage BiCMOS Technology LVC - Low Voltage CMOS Technology LV - Low-Voltage CBT - Crossbar Technology ALVC - Advanced Low-Voltage CMOS Technology AHC/AHCT - Advanced High-Speed CMOS CBTLV - Low-Voltage Crossbar Technology ALVT - Advanced Low-Voltage BiCMOS Technology AVC - Advanced Very-Low-Voltage CMOS Logic TTL器件和CMOS器件的逻辑电平 ：逻辑电平的一些概念 要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义： 1：输入高电平（Vih）：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。 2：输入低电平（Vil）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，