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材料科学基础复习提纲与习题

材料科学基础复习提纲与习题
材料科学基础复习提纲与习题

材料科学基础

2014年复习题纲与习题

第1章原子与原子间结合

1)通过双原子作用模型,掌握固体材料质点间作用力与作用势能的概念。

2)掌握强作用键有哪些类型,分析它们的主要特征;弱作用键有哪些类型,分析它们的主要特征。

3)建立实际固体材料混合键的概念。

第2章结晶学基础

1)掌握名词概念:等同点、点群、空间群、平移群、布拉维点阵、晶胞。

2)晶体的宏观对称要素、宏观对称要素的组合及导出的32种对称型(点群)。

3)基于32种点群对称特征划分的晶族、晶系,各晶系具有的宏观对称要素特征,各晶系晶体常数特征。

4)中级晶族对称型(点群)的推导(结合习题)。

5)单形和聚形的概念,单形和聚形的几何形体特征。

6)各晶系的晶体定向,晶面指数、晶向指数、单形符号、晶带符号的确定及其之间的相互联系。

7)晶体的微观对称要素,所有对称要素组合引出的空间群概念。

8)14种布拉维格子,各晶系对应的布拉维格子和晶格常数特征。

9)点群国际符号的基本推导(结合习题),空间群国际符号的解读。

10)等大球体最紧密堆积的堆积规律,堆积结构中的孔隙类型及其与堆积球数的关系。第6章表面与界面基础

1) 表面张力和表面能的概念。

1)液体、固体降低表面能的主要途径。

2)固体表面能理论计算的基本原理与方法。

3)弯曲表面的附加压力,球面附加压力和表面张力的关系,非球面附加压力和表面张力的关系(拉普拉斯公式),弯曲表面上饱和蒸汽压和固体溶解度的变化。

4)铺展润湿(Young’s方程)和实际固体表面的铺展润湿。

5)晶界偏析、晶界迁移、界面热应力、晶界电荷与空间静电势的基本概念。

6)多晶多相结构中的晶界、相界处界面张力的平衡关系。

习 题

1.1.简要分析离子键、共价键和金属键之间的主要不同点。

1.2.分子键存在哪几种作用力形式?各在什么条件下存在?

1.3.两相邻离子间的净势能E N 由下式表示:

n N r

B r A E +-= 求两相邻离子的结合能E 0和平衡间距r 0的表达式。

1.4.在离子键与共价键的混合键中,离子键性百分比可用下式近似计算:

{[()]}10025.0exp 1%2?---=B A X X 离子键

式中X A 、X B 分别为组成元素的电负性。计算TiO 2、MgO 、ZnTe 和InSb 的离子键性百分比。

第2章

2.1.解释如下术语:

等同点、单位平行六面体、空间格子、点群、平移群、空间群、布拉维点阵、晶胞。

2.2.根据对称要素组合定理,分别确定下列各种情况下对称要素的组合:

(1)L 2⊥L 2,L 2⊥L 4,L 2⊥L 6;

(2)P ⊥L 2,P ⊥L 3,P ⊥L 4;

(3)P ∥L 2,P ∥L 3, P ∥L 6;

(4)L i 3×P //,L i 3×L ⊥2,L i 4×P //,L i 4×L ⊥2。

2.3.点群分成两类推导出,A 类为没有高次轴或仅有一个高次轴的对称要素组合形式。

试推导A 类中轴次n 分别等于3和6的面轴式的点群组合式。

2.4.一晶面在x 、y 、z 轴上的截距为2a 、3b 和6c ,另一晶面在x 、y 、z 轴上的截距为a

/3、b /2和c ,分别求两晶面的米勒指数,并说明两晶面的空间几何关系。

2.5.分别写出立方体单形{100}和八面体单形{111}的所有晶面符号。

2.6.求由晶面(121)与(100)所决定的晶带指数和(100)与(010)所决定的晶带指数。

2.7.求由晶向[001]与[111]所决定的晶面指数和[010]与[100]所决定的晶面指数。

2.8.回答下面问题:

(1)a ≠b ≠c 、α=β=γ=90°的晶体属于什么晶族和晶系?其布拉维点阵有几种,名称是什么?

(2)a ≠b ≠c 、α≠β≠γ≠90°的晶体属于什么晶族和晶系? 其布拉维点阵有几种,名称是什么?

2.9.由点群组合式3L 23PC 导出其点群国际符号。

2.10.由点群国际符号6mm 导出其组合式。

第6章

6.1.任何表面系统都有自发降低其表面能的趋势。液体和固体分别采取什么方式来降低

表面能?

6.2.面心立方结构的纯金属材料的键能 可从升华热L S估算,即L S =12N Aε/2。试证明

在温度很低时,其(111)面的比表面能γ可用下式表示:

γ=0.577L S/(a2N A)

式中:a为晶格常数;N A为阿伏加德罗常数。

6.3.二维晶体内含有第二相粒子,粒子的平衡形貌是边长为l1和l2的矩形,矩形两边的

界面能分别为γ1和γ2,若矩形的面积不变,证明矩形粒子的平衡形状为:

γ1l1= γ2l2

6.4.纯金属面心立方晶格不同晶面(110)、(100)、(111)上原子密度不同,问哪一个晶

面上表面能最低?为什么?

6.5.试推导非球面曲面的拉普拉斯(Laplace)公式。

6.6.将一熔体滴放于一陶瓷片上,已知该熔体的表面张力为900mN/m,熔体与瓷体的界

面能为600mN/m,此时测得接触角为70.52°。问:

(1)求陶瓷的表面张力?

(2)将该陶瓷在高温下进行热处理,测得其热腐蚀的槽角为60°,求其晶粒间的界面能?

6.7.一熔体的表面张力为0.5J/m2,与一多晶氧化物表面接触,其接触角θ=45°。如果

与该氧化物混和,将在异相界面交汇处形成液滴,当测得该处两面角为90°,而氧化物/氧化物的界面张力为1J/m2,计算该氧化物的表面张力。

6.8.什么是晶界偏析?其主要影响因素有哪些?

教材勘误(针对2008版教材,2011版已部分改)

1章

1)图1-4 双原子作用模型:势能图的纵坐标文字“吸引”和“排斥”对换。

2)p20:公式(1-11)下段:

原段为:式中,B是波尔排斥常数,其数值与离子的电子构型有关。当离子的构型相当于惰性气体He、Ne、Ar、Kr、Xe的电子构型时,B值分别可取5、7、9、10、12。如果正、负离子分别属于不同的电子构型,则B值可取正、负两种离子的平均值。例如,NaCl的值可取Ne和Ar的平均值,即(7+9) / 2 = 8。

更改为:式中,B是波尔排斥常数;n是斥力指数,其数值与离子的电子构型有关。当离子的构型相当于惰性气体He、Ne、Ar、Kr、Xe的电子构型时,n值分别可取5、7、9、10、12。如果正、负离子分别属于不同的电子构型,则n值可取正、负两种离子的平均值。例如,NaCl的值可取Ne 和Ar的平均值,即(7+9) / 2 = 8。

3)p20:公式(1-14),(1-15)右边式中加“-”号。

材料科学基础复习大纲

材料科学基础复习大纲 第二章晶体结构 2.1 结晶学基础 1、概念:晶体晶胞晶胞参数七大晶系晶面指数晶面族晶向指数晶向族 2、晶面指数和晶向指数的计算 2.2 结合力与结合能 按照结合力性质不同分为物理键和化学键 化学键包括离子键共价键金属键 物理键包括范德华键氢键 晶体中离子键共价键比例估算(公式2.16 离子晶体晶格能 2.3 堆积(记忆常识 1、最紧密堆积原理及其使用范围:原理略 适用范围:典型的离子晶体和金属晶体 原因:该原理是建立在质点在电子云分布呈球形对称以及无方向性的基础上的 2、两种最紧密堆积方式:面心立方最紧密堆积ABCABC 密排六方最紧密堆积ABABAB 系统中:每个球周围有6个八面体空隙 8个四面体空隙

N个等径球体做最紧密堆积时系统有2N个四面体空隙N个八面体空隙八面体空隙体积大于四面体空隙 3、空间利用率:晶胞中原子体积与晶胞体积的比值(要学会计算 两种最紧密堆积方式的空间利用率为74.05﹪(等径球堆积时 4、影响晶体结构的因素 内因:质点相对大小(决定性因素 配位数(概念及计算 极化(概念,极化对晶体结构产生的影响 外因(了解:同质多晶 类质多晶 同质多晶转变 2.4 单质晶体结构(了解 2.5 无机化合物结构(重点每年必考 分析结构从以下几个方面入手:晶胞分子数,何种离子做何种堆积,何种离子添隙,添隙百分比,正负离子配位数,正负离子电价是否饱和,配位多面体,添隙半径的计算(刚好相切时,隙结构与性质的关系。 1、NaCl型:4个NaCl分子 Cl离子做面心立方密堆积,Na离子填充八面体空隙,填充率 100﹪,正负离子配位数均为6,电价饱和。【NaCl6】或【ClNa6】八面体结构与性能:此结构在三维方向上键力均匀,因此无明显解理,破碎后呈颗粒状,粒为多面体 形状。离子键结合,因此有较高的熔点和硬度

材料科学基础习题及参考答案复习过程

材料科学基础习题及 参考答案

材料科学基础参考答案 材料科学基础第一次作业 1.举例说明各种结合键的特点。 ⑴金属键:电子共有化,无饱和性,无方向性,趋于形成低能量的密堆结构,金属受力变形时不会破坏金属键,良好的延展性,一般具有良好的导电和导热性。 ⑵离子键:大多数盐类、碱类和金属氧化物主要以离子键的方式结合,以离子为结合单元,无方向性,无饱和性,正负离子静电引力强,熔点和硬度均较高。常温时良好的绝缘性,高温熔融状态时,呈现离子导电性。 ⑶共价键:有方向性和饱和性,原子共用电子对,配位数比较小,结合牢固,具有结构稳定、熔点高、质硬脆等特点,导电能力差。 ⑷范德瓦耳斯力:无方向性,无饱和性,包括静电力、诱导力和色散力。结合较弱。 ⑸氢键:极性分子键,存在于HF,H2O,NF3有方向性和饱和性,键能介于化学键和范德瓦尔斯力之间。 2.在立方晶体系的晶胞图中画出以下晶面和晶向:(1 0 2)、(1 1 -2)、(-2 1 -3),[1 1 0],[1 1 -1],[1 -2 0]和[-3 2 1]。

(213) (112) (102) [111] [110] [120] [321] 3. 写出六方晶系的{1 1 -20},{1 0 -1 2}晶面族和<2 -1 -1 0>,<-1 0 1 1>晶向族中各等价晶面及等价晶向的具体指数。 {1120}的等价晶面:(1120)(2110)(1210)(1120)(2110)(1210) {1012}的等价晶面: (1012)(1102)(0112)(1012)(1102)(0112)(1012)(1102)(0112)(1012)(1102)(0112) 2110<>的等价晶向:[2110][1210][1120][2110][1210][1120] 1011<>的等价晶向: [1011][1101][0111][0111][1101][1011][1011][1101][0111][0111][1101][1011] 4立方点阵的某一晶面(hkl )的面间距为M /,其中M 为一正整数,为 晶格常数。该晶面的面法线与a ,b ,c 轴的夹角分别为119.0、43.3和60.9度。请据此确定晶面指数。 h:k:l=cos α:cos β:cos γ l k h d a 2 22hk l ++= 5. Cu 具有FCC 结构,其密度为8.9g/cm 3,相对原子质量为63.546,求铜的原子半径。

材料科学基础习题及答案

习题课

一、判断正误 正确的在括号内画“√”,错误的画“×” 1、金属中典型的空间点阵有体心立方、面心立方和密排六方三种。 2、位错滑移时,作用在位错线上的力F的方向永远垂直于位错线并指向滑移面上的未滑移区。 3、只有置换固溶体的两个组元之间才能无限互溶,间隙固溶体则不能。 4、金属结晶时,原子从液相无序排列到固相有序排列,使体系熵值减小,因此是一个自发过程。 5、固溶体凝固形核的必要条件同样是ΔG<0、结构起伏和能量起伏。 6三元相图垂直截面的两相区内不适用杠杆定律。 7物质的扩散方向总是与浓度梯度的方向相反。 8塑性变形时,滑移面总是晶体的密排面,滑移方向也总是密排方向。 9.晶格常数是晶胞中两相邻原子的中心距。 10.具有软取向的滑移系比较容易滑移,是因为外力在在该滑移系具有较大的分切应力值。11.面心立方金属的滑移面是{110}滑移方向是〈111〉。 12.固溶强化的主要原因之一是溶质原子被吸附在位错附近,降低了位错的易动性。13.经热加工后的金属性能比铸态的好。 14.过共析钢的室温组织是铁素体和二次渗碳体。 15.固溶体合金结晶的过程中,结晶出的固相成份和液相成份不同,故必然产生晶内偏析。16.塑性变形后的金属经回复退火可使其性能恢复到变形前的水平。 17.非匀质形核时液体内部已有的固态质点即是非均匀形核的晶核。 18.目前工业生产中一切强化金属材料的方法都是旨在增大位错运动的阻力。 19、铁素体是α-Fe中的间隙固溶体,强度、硬度不高,塑性、韧性很好。 20、体心立方晶格和面心立方晶格的金属都有12个滑移系,在相同条件下,它们的塑性也相同。 21、珠光体是铁与碳的化合物,所以强度、硬度比铁素体高而塑性比铁素体差。 22、金属结晶时,晶粒大小与过冷度有很大的关系。过冷度大,晶粒越细。 23、固溶体合金平衡结晶时,结晶出的固相成分总是和剩余液相不同,但结晶后固溶体成分是均匀的。 24、面心立方的致密度为0.74,体心立方的致密度为0.68,因此碳在γ-Fe(面心立方)中的溶解度比在α-Fe(体心立方)的小。 25、实际金属总是在过冷的情况下结晶的,但同一金属结晶时的过冷度为一个恒定值,它与冷却速度无关。 26、金属的临界分切应力是由金属本身决定的,与外力无关。 27、一根曲折的位错线不可能是纯位错。 28、适当的再结晶退火,可以获得细小的均匀的晶粒,因此可以利用再结晶退火使得铸锭的组织细化。 29、冷变形后的金属在再结晶以上温度加热时将依次发生回复、再结晶、二次再结晶和晶粒长大的过程。 30、临界变形程度是指金属在临界分切应力下发生变形的程度。 31、无限固溶体一定是置换固溶体。 32、金属在冷变形后可形成带状组织。 33、金属铅在室温下进行塑性成型属于冷加工,金属钨在1000℃下进行塑性变形属于热加工。

材料科学基础练习题

练习题 第三章 晶体结构,习题与解答 3-1 名词解释 (a )萤石型和反萤石型 (b )类质同晶和同质多晶 (c )二八面体型与三八面体型 (d )同晶取代与阳离子交换 (e )尖晶石与反尖晶石 答:(a )萤石型:CaF2型结构中,Ca2+按面心立方紧密排列,F-占据晶胞中全部四面体空隙。 反萤石型:阳离子和阴离子的位置与CaF2型结构完全相反,即碱金属离子占据F-的位置,O2-占据Ca2+的位置。 (b )类质同象:物质结晶时,其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其它离子或原子所占有,共同组成均匀的、呈单一相的晶体,不引起键性和晶体结构变化的现象。 同质多晶:同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不同的晶体的现象。 (c )二八面体型:在层状硅酸盐矿物中,若有三分之二的八面体空隙被阳离子所填充称为二八面体型结构 三八面体型:在层状硅酸盐矿物中,若全部的八面体空隙被阳离子所填充称为三八面体型结构。 (d )同晶取代:杂质离子取代晶体结构中某一结点上的离子而不改变晶体结构类型的现象。 阳离子交换:在粘土矿物中,当结构中的同晶取代主要发生在铝氧层时,一些电价低、半径大的阳离子(如K+、Na+等)将进入晶体结构来平衡多余的负电荷,它们与晶体的结合不很牢固,在一定条件下可以被其它阳离子交换。 (e )正尖晶石:在AB2O4尖晶石型晶体结构中,若A2+分布在四面体空隙、而B3+分布于八面体空隙,称为正尖晶石; 反尖晶石:若A2+分布在八面体空隙、而B3+一半分布于四面体空隙另一半分布于八面体空隙,通式为B(AB)O4,称为反尖晶石。 3-2 (a )在氧离子面心立方密堆积的晶胞中,画出适合氧离子位置的间隙类型及位置,八面体间隙位置数与氧离子数之比为若干?四面体间隙位置数与氧离子数之比又为若干? (b )在氧离子面心立方密堆积结构中,对于获得稳定结构各需何种价离子,其中: (1)所有八面体间隙位置均填满; (2)所有四面体间隙位置均填满; (3)填满一半八面体间隙位置; (4)填满一半四面体间隙位置。 并对每一种堆积方式举一晶体实例说明之。 解:(a )参见2-5题解答。1:1和2:1 (b )对于氧离子紧密堆积的晶体,获得稳定的结构所需电价离子及实例如下: (1)填满所有的八面体空隙,2价阳离子,MgO ; (2)填满所有的四面体空隙,1价阳离子,Li2O ; (3)填满一半的八面体空隙,4价阳离子,TiO2; (4)填满一半的四面体空隙,2价阳离子,ZnO 。 3-3 MgO 晶体结构,Mg2+半径为0.072nm ,O2-半径为0.140nm ,计算MgO 晶体中离子堆积系数(球状离子所占据晶胞的体积分数);计算MgO 的密度。并说明为什么其体积分数小于74.05%?

材料科学基础2复习题与参考答案

材料科学基础2复习题及部分参考答案 一、名词解释 1、再结晶:指经冷变形的金属在足够高的温度下加热时,通过新晶粒的形核及长大,以无畸变的等轴晶粒取代变形晶 粒的过程。 2、交滑移:在晶体中,出现两个或多个滑移面沿着某个共同的滑移方向同时或交替滑移。 3、冷拉:在常温条件下,以超过原来屈服点强度的拉应力,强行拉伸聚合物,使其产生塑性变形以达到提高其屈服点 强度和节约材料为目的。(《笔记》聚合物拉伸时出现的细颈伸展过程。) 4、位错:指晶体材料的一种内部微观缺陷,即原子的局部不规则排列(晶体学缺陷)。(《书》晶体中某处一列或者若 干列原子发生了有规律的错排现象) 5、柯氏气团:金属内部存在的大量位错线,在刃型位错线附近经常会吸附大量的异类溶质原子(大小不同吸附的位 置有差别),形成所谓的“柯氏气团”。(《书》溶质原子与位错弹性交互作用的结果,使溶质原子趋于聚集在位错周围,以减小畸变,降低体系的能量,使体系更加稳定。) 6、位错密度:单位体积晶体中所含的位错线的总长度或晶体中穿过单位截面面积的位错线数目。 7、二次再结晶:晶粒的不均匀长大就好像在再结晶后均匀、细小的等轴晶粒中又重新发生了再结晶。 8、滑移的临界分切应力:滑移系开动所需要的最小分切应力。(《书》晶体开始滑移时,滑移方向上的分切应力。) 9、加工硬化:金属材料在再结晶温度以下塑性变形时强度和硬度升高,而塑性和韧性降低的现象,又称冷作硬 化。(《书》随塑性变形的增大,塑性变形抗力不断增加的现象。) 10、热加工:金属铸造、热扎、锻造、焊接和金属热处理等工艺的总称。(《书》使金属在再结晶温度以上发生加 工变形的工艺。) 11、柏氏矢量:是描述位错实质的重要物理量。反映出柏氏回路包含的位错所引起点阵畸变的总积累。(《书》揭 示位错本质并描述位错行为的矢量。)反映由位错引起的点阵畸变大小的物理量。 12、多滑移:晶体的滑移在两组或者更多的滑移面(系)上同时进行或者交替进行。 13、堆垛层错:晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某二层间出现了错误,从而导致的沿该层间平面(称为 层错面)两侧附近原子的错排的一种面缺陷。 14、位错的应变能:位错的存在引起点阵畸变,导致能量增高,此增量称为位错的应变能。 15、回复:发生形变的金属或合金在室温或不太高的温度下退火时,金属或合金的显微组织几乎没有变化,然而性能 却有程度不同的改变,使之趋近于范性形变之前的数值的现象。(《书》指冷变形金属加热时,尚未发生光学显微组织变化前(即再结晶前)的微观结构及性能的变化过程。) 16、全位错:指伯氏矢量为晶体点阵的单位平移矢量的位错。 17、弗兰克尔空位:当晶体中的原子由于热涨落而从格点跳到间隙位置时,即产生一个空位和与其邻近的一个间 隙原子,这样的一对缺陷——空位和间隙原子,就称为弗兰克尔缺陷。(《书》存在能量起伏的原子摆脱周围原子的约束而跳离平衡位置进入点阵的间隙中所形成的空位(原子尺度的空洞)。) 18、层错能:单位面积层错所增加的能量。(《书》产生单位面积层错所需要的能量。) 19、表面热蚀沟:金属长时间加热时,与表面相交处因张力平衡而形成的热蚀沟。(《书》金属在高温下长时间加热时, 晶界与金属表面相交处为了达到表面张力间的平衡,通过表面扩散产生的热蚀沟。) 20、动态再结晶:金属在热变形过程中发生的再结晶。 二、填空题 1、两个平行的同号螺位错之间的作用力为排斥力,而两个平行的异号螺位错之间的作用力为吸引力。 2、小角度晶界能随位向差的增大而增大;大角度晶界能与位向差无关。 3、柏氏矢量是一个反映由位错引起的点阵畸变大小的物理量;该矢量的模称为位错强度。 4、金属的层错能越低,产生的扩展位错的宽度越宽,交滑移越难进行。 5、螺型位错的应力场有两个特点,一是没有正应力分量,二是径向对称分布。 6、冷拉铜导线在用作架空导线时,应采用去应力退火,而用作电灯花导线时,则应采用再结晶退火。 7、为了保证零件具有较高的力学性能,热加工时应控制工艺使流线与零件工作时受到的最大拉应力的方向 一致,而与外加的切应力方向垂直。 8、位错的应变能与其柏氏矢量的模的平方成正比,故柏氏矢量越小的位错,其能量越低,在晶体中越稳定。 9、金属的层错能越高,产生的扩展位错的宽度越窄,交滑移越容易进行。

《材料科学基础》复习提纲剖析

《材料科学基础》复习提纲 一、(共20分)名词解释(每个名词2分) 简单正交点阵、晶向族、无限固溶体、配位数、交滑移、大角度晶界、上坡(顺)扩散、形核功、回复、滑移系 底心正交点阵、晶面族、有限固溶体、致密度、攀移、小角度晶界、下坡(逆)扩散、形核率、再结晶、孪生 二、(共30分)简要回答下列问题 1、计算面心立方晶体的八面体间隙尺寸。 2、简述固溶体与中间相的区别。 3、已知两个不平行的晶面(h1k1l1)和(h2k2l2),求出其所属的晶带轴。 4、计算面心立方晶体{111}晶面的面密度。 5、简述刃型位错线方向、柏氏矢量方向、位错运动方向及晶体运动方向之间的关系。 6、简述刃型位错攀移的实质。 7、简述在外力的作用下,螺型位错的可能运动方式。 8、当碳原子和铁原子在相同温度的 -Fe中进行扩散时,为何碳原子的扩散系数大于铁原子的扩散系数? 9、简述单组元晶体材料凝固的一般过程。 10、如图,已知A、B、C三组元固态完全不互溶,成分为80%A、10%B、10%C的O 合金在冷却过程中将进行二相共晶反应和三相共晶反应,在二元共晶反应开始时,该合金液相成分(a点)为60%A、20%B、20%C,而三元共晶反应开始时的液相成分(E点)为50% A、10%B、40%C,写出图中I和P合金的室温平衡组织。 1、计算体心立方晶体的八面体间隙尺寸。 2、简述决定组元形成固溶体与中间相的因素。 3、已知二晶向[u1v1w1]和[u2v2 w2],求出由此二晶向所决定的晶面指数。· 4、计算体心立方晶体{110}晶面的面密度。 5、简述螺型位错线方向、柏氏矢量方向、位错运动方向及晶体运动方向之间的关系。 6、简述刃型位错滑移的实质。 7、简述在外力的作用下,刃型位错的可能运动方式。 8、当碳原子和铁原子在相同温度的a-Fe 中进行扩散时,为何碳原子的扩散系数大于铁原子的扩散系数? 9、简述纯金属凝固的基本条件。 10、如图,已知A、B、C三组元固态完全不互溶,成分为80%A、10%B、10%C的O合 金在冷却过程中将进行二相共晶反应和三相共晶反应,在二元共晶反应开始时,该合金液相成分(a点)为60%A、20%B、20%C,而三元共晶反应开始时的液相成分(E点)为 %、(A+B)%和(A+B+C)%的相对量。 50% A、10%B、40%C,试计算A 初

材料科学基础-习题集

https://www.doczj.com/doc/7e9291024.html,/jxtd/caike/这个网址有很多东西,例如教学录像,你可以上去看看,另 外左下角有个“释疑解惑”,应该很有用 第一章材料结构的基本知识 习题 1.原子中的电子按照什么规律排列?什么是泡利不相容原理? 2.下述电子排列方式中,哪一个是惰性元素、卤族元素、碱族、碱土族元素及过渡金 属? (1) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d7 4s2 (2) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 (3) 1s2 2s2 2p5 (4) 1s2 2s2 2p6 3s2 (5) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d2 4s2 (6) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s1 3.稀土元素电子排列的特点是什么?为什么它们处于周期表的同一空格内? 4.简述一次键与二次键的差异。 5.描述氢键的本质,什么情况下容易形成氢键? 6.为什么金属键结合的固体材料的密度比离子键或共价键固体为高? 7.应用式(1-2)~式(1-5)计算Mg2+O2-离子对的结合键能,以及每摩尔MgO晶体的结合键能。假设离子半径为;;n=7。 8.计算下列晶体的离子键与共价键的相对比例 (1) NaF

(2) CaO 9.什么是单相组织?什么是两相组织?以它们为例说明显微组织的含义以及显微组织 对性能的影响。 10.说明结构转变的热力学条件与动力学条件的意义,说明稳态结构与亚稳态结构之 间的关系。 11.归纳并比较原子结构、原子结合键、原子排列方式以及晶体的显微组织等四个结构 层次对材料性能的影响。 第二章材料中的晶体结构 习题

第三章高分子材料的结构 习题 1.何谓单体、聚合物和链节?它们相互之间有什么关系?请写出以下高分子链节的结构式:①聚乙烯;②聚氯乙烯;③聚丙烯;④聚苯乙烯;⑤聚四氟乙烯。 2.加聚反应和缩聚反应有何不同? 3.说明官能度与聚合物结构形态的关系。要由线型聚合物得到网状聚合物,单体必 须具有什么特征? 4.聚合物的分子结构对主链的柔顺性有什么影响? 5.在热塑性塑料中结晶度如何影响密度和强度,请解释之。 6.为什么聚乙烯容易结晶,而聚氯乙烯则难以结晶? 为什么在热塑性塑料中完全结 晶不大可能?

材料科学基础试题库答案 (1)

Test of Fundamentals of Materials Science 材料科学基础试题库 郑举功编 一、填空题 0001.烧结过程的主要传质机制有_____、_____、_____ 、_____,当烧结分别进行四种传质时,颈部增长x/r与时

间t的关系分别是_____、_____、_____ 、_____。 0002.晶体的对称要素中点对称要素种类有_____、_____、_____ 、_____ ,含有平移操作的对称要素种类有_____ 、_____ 。 0003.晶族、晶系、对称型、结晶学单形、几何单形、布拉菲格子、空间群的数目分别是_____、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 、_____ 。 0004.晶体有两种理想形态,分别是_____和_____。 0005.晶体是指内部质点排列的固体。 0006.以NaCl晶胞中(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,属于这个球的八面体空隙数为,所以属于这个球的四面体空隙数为。 0007.与非晶体比较晶体具有自限性、、、、和稳定性。 0008.一个立方晶系晶胞中,一晶面在晶轴X、Y、Z上的截距分别为2a、1/2a 、2/3a,其晶面的晶面指数是。 0009.固体表面粗糙度直接影响液固湿润性,当真实接触角θ时,粗糙度越大,表面接触角,就越容易湿润;当θ,则粗糙度,越不利于湿润。 0010.硼酸盐玻璃中,随着Na2O(R2O)含量的增加,桥氧数,热膨胀系数逐渐下降。当Na2O含量达到15%—16%时,桥氧又开始,热膨胀系数重新上升,这种反常现象就是硼反常现象。 0011.晶体结构中的点缺陷类型共分、和三种,CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为。 0012.固体质点扩散的推动力是________。 0013.本征扩散是指__________,其扩散系数D=_________,其扩散活化能由________和_________ 组成。0014.析晶过程分两个阶段,先______后______。 0015.晶体产生Frankel缺陷时,晶体体积_________,晶体密度_________;而有Schtty缺陷时,晶体体积_________,晶体密度_________。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时,_________是主要的;两种离子半径相差大时,_________是主要的。 0016.少量CaCl2在KCl中形成固溶体后,实测密度值随Ca2+离子数/K+离子数比值增加而减少,由此可判断其缺陷反应式为_________。 0017.Tg是_________,它与玻璃形成过程的冷却速率有关,同组分熔体快冷时Tg比慢冷时_________ ,淬冷玻璃比慢冷玻璃的密度_________,热膨胀系数_________。 0018.同温度下,组成分别为:(1) 0.2Na2O-0.8SiO2 ;(2) 0.1Na2O-0.1CaO-0.8SiO2 ;(3) 0.2CaO-0.8SiO2 的三种熔体,其粘度大小的顺序为_________。 0019.三T图中三个T代表_________, _________,和_________。 0020.粘滞活化能越_________ ,粘度越_________ 。硅酸盐熔体或玻璃的电导主要决定于_________ 。 0021.0.2Na2O-0.8SiO2组成的熔体,若保持Na2O含量不变,用CaO置换部分SiO2后,电导_________。0022.在Na2O-SiO2熔体中加入Al2O3(Na2O/Al2O3<1),熔体粘度_________。 0023.组成Na2O . 1/2Al2O3 . 2SiO2的玻璃中氧多面体平均非桥氧数为_________。 0024.在等大球体的最紧密堆积中,六方最紧密堆积与六方格子相对应,立方最紧密堆积与_______ 相对应。0025.在硅酸盐晶体中,硅氧四面体之间如果相连,只能是_________方式相连。 0026.离子晶体生成Schttky缺陷时,正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随_________的增加。0027.多种聚合物同时并存而不是一种独存这就是熔体结构_________的实质。在熔体组成不变时,各级聚合物的数量还与温度有关,温度升高,低聚物浓度增加。 0028.系统中每一个能单独分离出来并_________的化学均匀物质,称为物种或组元,即组份。例如,对于食盐的水溶液来说,NaCl与H2O都是组元。而Na+、Cl-、H+、OH-等离子却不能算是组元,因为它们都不能作为独立的物质存在。 0029.在弯曲表面效应中,附加压力ΔP总是指向曲面的_________,当曲面为凸面时,ΔP为正值。 0030.矿化剂在硅酸盐工业中使用普遍,其作用机理各异,例在硅砖中加入1-3%[Fe2O3+Ca2(OH)2]做矿化剂,能使大部分a-石英不断溶解同时不断析出a-磷石英,从而促进a-石英向磷石英的转化。水泥生产中

材料科学基础课后习题答案第二章

第2章习题 2-1 a )试证明均匀形核时,形成临界晶粒的△ G K 与其临界晶核体积 V K 之间的关系式为 2 G V ; b )当非均匀形核形成球冠形晶核时,其△ 所以 所以 2-2如果临界晶核是边长为 a 的正方体,试求出其厶G K 与a 的关系。为什么形成立方体晶核 的厶G K 比球形晶核要大? 解:形核时的吉布斯自由能变化为 a )证明因为临界晶核半径 r K 临界晶核形成功 G K 16 故临界晶核的体积 V K 4 r ; G V )2 2 G K G V b )当非均匀形核形成球冠形晶核时, 非 r K 2 SL G V 临界晶核形成功 3 3( G ;7(2 3cos 3 cos 故临界晶核的体积 V K 3(r 非)3(2 3 3cos 3 cos V K G V 1 ( 3 卸2 3 3cos cos )G V 3 3(書 (2 3cos cos 3 ) G K % G K 与V K 之间的关系如何? G K

G V G v A a3G v 6a2 3 得临界晶核边长a K G V

临界形核功 将两式相比较 可见形成球形晶核得临界形核功仅为形成立方形晶核的 1/2。 2-3为什么金属结晶时一定要有过冷度?影响过冷度的因素是什么?固态金属熔化时是否 会出现过热?为什么? 答:金属结晶时要有过冷度是相变热力学条件所需求的, 只有△ T>0时,才能造成固相的自 由能低于液相的自由能的条件,液固相间的自由能差便是结晶的驱动力。 金属结晶需在一定的过冷度下进行,是因为结晶时表面能增加造成阻力。固态金属熔 化时是否会出现过热现象,需要看熔化时表面能的变化。如果熔化前后表面能是降低的, 则 不需要过热;反之,则可能出现过热。 如果熔化时,液相与气相接触,当有少量液体金属在固体表面形成时,就会很快覆盖 在整个固体表面(因为液态金属总是润湿其同种固体金属 )。熔化时表面自由能的变化为: G 表面 G 终态 G 始态 A( GL SL SG ) 式中G 始态表示金属熔化前的表面自由能; G 终态表示当在少量液体金属在固体金属表面形成 时的表面自由能;A 表示液态金属润湿固态金属表面的面积;b GL 、CSL 、CSG 分别表示气液相 比表面能、固液相比表面能、固气相比表面能。因为液态金属总是润湿其同种固体金属,根 据润湿时表面张力之间的关系式可写出:b SG 》6GL + (SL 。这说明在熔化时,表面自由能的变 化厶G 表w o ,即不存在表面能障碍,也就不必过热。实际金属多属于这种情况。如果固体 16 3 3( G v )2 1 32 3 6 2 (G v )2 b K t K 4 G V )3 G V 6( 4 G v )2 64 3 96 3 32 r K 2 ~G ?, 球形核胚的临界形核功 (G v )2 (G v )2 (G v )2 G b K 2 G v )3 16 3( G v )2

材料科学基础习题及答案

《材料科学基础》习题及答案 第一章 结晶学基础 第二章 晶体结构与晶体中的缺陷 1 名词解释:配位数与配位体,同质多晶、类质同晶与多晶转变,位移性转变与重建性转变,晶体场理论与配位场理论。 晶系、晶胞、晶胞参数、空间点阵、米勒指数(晶面指数)、离子晶体的晶格能、原子半径与离子半径、离子极化、正尖晶石与反正尖晶石、反萤石结构、铁电效应、压电效应. 答:配位数:晶体结构中与一个离子直接相邻的异号离子数。 配位体:晶体结构中与某一个阳离子直接相邻、形成配位关系的各个阴离子中心连线所构成的多面体。 同质多晶:同一化学组成在不同外界条件下(温度、压力、pH 值等),结晶成为两种以上不同结构晶体的现象。 多晶转变:当外界条件改变到一定程度时,各种变体之间发生结构转变,从一种变体转变成为另一种变体的现象。 位移性转变:不打开任何键,也不改变原子最邻近的配位数,仅仅使结构发生畸变,原子从原来位置发生少许位移,使次级配位有所改变的一种多晶转变形式。 重建性转变:破坏原有原子间化学键,改变原子最邻近配位数,使晶体结构完全改变原样的一种多晶转变形式。 晶体场理论:认为在晶体结构中,中心阳离子与配位体之间是离子键,不存在电子轨道的重迭,并将配位体作为点电荷来处理的理论。 配位场理论:除了考虑到由配位体所引起的纯静电效应以外,还考虑了共价成键的效应的理论 图2-1 MgO 晶体中不同晶面的氧离子排布示意图 2 面排列密度的定义为:在平面上球体所占的面积分数。 (a )画出MgO (NaCl 型)晶体(111)、(110)和(100)晶面上的原子排布图; (b )计算这三个晶面的面排列密度。 解:MgO 晶体中O2-做紧密堆积,Mg2+填充在八面体空隙中。 (a )(111)、(110)和(100)晶面上的氧离子排布情况如图2-1所示。 (b )在面心立方紧密堆积的单位晶胞中,r a 220= (111)面:面排列密度= ()[] 907.032/2/2/34/222==?ππr r

材料科学基础习题集(新)

第一部分:习题集 《材料科学基础》复习思考题 第一章:材料的结构 一、解释以下基本概念 空间点阵、晶格、晶胞、配位数、致密度、共价键、离子键、金属键、组元、合金、相、固溶体、中间相、间隙固溶体、置换固溶体、固溶强化、第二相强化。 二、填空题 1、材料的键合方式有四类,分别是(),(),(),()。 2、金属原子的特点是最外层电子数(),且与原子核引力(),因此这些电子极容易脱离原子核的束缚而变成()。 3、我们把原子在物质内部呈()排列的固体物质称为晶体,晶体物质具有以下三个特点,分别是(),(),()。 4、三种常见的金属晶格分别为(),()和()。 5、体心立方晶格中,晶胞原子数为(),原子半径与晶格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排晶向为(),密排晶面为(),晶胞中八面体间隙个数为(),四面体间隙个数为(),具有体心立方晶格的常见金属有()。 6、面心立方晶格中,晶胞原子数为(),原子半径与晶格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排晶向为(),密排晶面为(),晶胞中八面体间隙个数为(),四面体间隙个数为(),具有面心立方晶格的常见金属有()。 7、密排六方晶格中,晶胞原子数为(),原子半径与晶格常数的关系为(),配位数是(),致密度是(),密排晶向为(),密排晶面为(),具有密排六方晶格的常见金

属有()。 8、合金的相结构分为两大类,分别是()和()。 9、固溶体按照溶质原子在晶格中所占的位置分为()和(),按照固溶度分为()和(),按照溶质原子与溶剂原子相对分布分为()和()。 10、影响固溶体结构形式和溶解度的因素主要有()、()、()、()。 11、金属化合物(中间相)分为以下四类,分别是(),(),(),()。 12、金属化合物(中间相)的性能特点是:熔点()、硬度()、脆性(),因此在合金中不作为()相,而是少量存在起到第二相()作用。 13、CuZn、Cu5Zn8、Cu3Sn的电子浓度分别为(),(),()。 14、如果用M表示金属,用X表示非金属,间隙相的分子式可以写成如下四种形式,分别是(),(),(),()。 15、Fe3C的铁、碳原子比为(),碳的重量百分数为(),它是()的主要强化相。 三、作图表示出立方晶系(123)、 (0)、(421)等晶面和

上海大学2018年硕士《材料科学基础》考试大纲

上海大学2018年硕士《材料科学基础》考试大纲复习要求: 要求考生掌握金属材料的结构、组织、性能方面的基本概念、基本原理;理解金属材料的结构、组织、性能之间的相互关系和基本变化规律。 二、主要复习内容: (一)晶体学基础 理解晶体与非晶体、晶体结构与空间点阵的差异;掌握晶面指数和晶向指数的标注方法和画法;掌握立方晶系晶面与晶向平行或垂直的判断;掌握立方晶系晶面族和晶向族的展开;掌握面心立方、体心立方、密排六方晶胞中原子数、配位数、紧密系数的计算方法;掌握面心立方和密排六方的堆垛方式的描述及其它们之间的差异。 重点:晶体中原子结构的空间概念及其解析描述(晶面和晶向指数)。 (二)固体材料的结构 掌握波尔理论和波动力学理论对原子核外电子的运动轨道的描述。掌握波粒两相性的基本方程。掌握离子键、共价键、金属键、分子键和氢键的结构差异。了解结合键与电子分布的关系和键合作用力的来源。掌握影响相结构的因素。了解不同固溶体的结构差异。 重点:一些重要类型固体材料的结构特点及其与性能的关系。 (三)晶体中的缺陷 掌握缺陷的类型;掌握点缺陷存在的必然性;掌握点缺陷对晶体性能的影响及其应用。理解位错的几何结构特点;掌握柏矢量的求法;掌握用位错的应变能进行位错运动趋势分析的方法。掌握位错与溶质原子的交互作用,掌握位错与位错的交互作用。掌握位错的运动形式。掌握位错反应的判断;了解弗兰克不全位错和肖克莱不全位错的形成。 重点:位错的基本概念和基本性质。 (四)固态中的扩散 理解固体中的扩散现象及其与原子运动的关系,掌握扩散第一定律和第二定律适用的场合及其对相应的扩散过程进行分析的方法。掌握几种重要的扩散机制适用的对象,了解柯肯达尔效应的意义。掌握温度和晶体结构对扩散的影响。 重点:扩散的基本知识及其在材料科学中的应用 (五)相图 掌握相律的描述和计算,及其对相平衡的解释;掌握二元合金中匀晶、共晶、包晶、共析、二次相析出等转变的图形、反应式;掌握二元典型合金的平衡结晶过程分析、冷却曲线;掌握二元合金中匀晶、共晶、共析、二次相析出的平衡相和平衡组织名称、相对量的计算;掌握铁-渗碳体相图及其典型合金的平衡冷却曲线分析、反应式、平衡相计算、平衡组织计算、组织示意图绘制;掌握简单三元合金的相平衡分析、冷却曲线分析、截面图分析;定性的掌握单相固溶体自由能的求解方法,掌握单相固溶体自由能表达式,掌握固溶体的自由能-成分曲线形式,掌握混合相自由能表达式,了解相平衡条件表达式,掌握相平衡的公切线法则。

2018——803材料科学基础考纲——南京工业大学

803《材料科学基础》复习大纲 一、考试的基本要求 要求学生比较系统地理解和掌握材料科学基础的基本概念和基本理论, 掌握晶体结构、结晶化学、晶体结构缺陷的基本概念和基础理论;掌握玻璃体、表面与界面的基本理论与基本概念;熟悉相平衡图的基本概念,掌握相图的应用,能进行相图的分析,能进行材料配料区的选择;掌握扩散、固相反应、相变和烧结等高温过程动力学的基本理论与基本概念;具备一定的分析和解决实际问题的能力。 二、考试方式和考试时间 闭卷考试,总分150,考试时间为3小时。 三、参考书目(仅供参考) 《无机材料科学基础》,张其土主编,华东理工大学出版社,2007年 《材料科学基础》,张联盟等编,武汉理工大学出版社,2008年 四、试题类型: 主要包括填空题、选择题、是非题、计算题、论述题、相图分析等类型,并根据每年的考试要求做相应调整。 五、考试内容及要求 第一部分晶体结构基础 掌握:晶体的基本概念与性质,单位平行六面体的划分原则,晶体的对称要素、点群、结晶符号,晶体化学的基本原理,晶体的宏观对称,晶体的微观对称,晶胞的概念,空间群的概念,球体紧密堆积原理;以及NaCl结构、萤石结构、金红石结构,刚玉结构、钙钛矿结构、尖晶石结构,硅酸盐结构与分类,层状硅酸盐结构等典型的晶体结构类型。 熟悉:晶体的宏观对称,晶体的微观对称,晶胞的概念,空间群的概念,球体紧密堆积原理,NaCl结构、萤石结构、钙钛矿结构、尖晶石结构和层状硅酸盐结构,离子晶体结构中负离子的堆积方式、正离子的配位数、正离子占据的空隙位置。

第二部分晶体结构缺陷 掌握:点缺陷的概念与类型,热缺陷的分类,热缺陷浓度的计算,固溶体的概念与分类,能熟练书写缺陷化学反应方程式和相应的固溶式,形成连续置换型固溶体的条件,组份缺陷的形成原因,非化学计量化合物的概念与分类,间隙型固溶体的形成规律,固溶体的研究方法,位错的基本概念,刃位错与螺位错。 熟悉:点缺陷的概念与类型,固溶体的概念与分类,能熟练书写缺陷化学反应方程式和相应的固溶式,形成连续置换型固溶体的条件,组份缺陷的形成原因,刃位错与螺位错。 第三部分非晶态固体 掌握:熔体的概念,粘度的概念,玻璃的通性,玻璃态物质的形成方法,玻璃形成的热力学观点和动力学手段,形成玻璃的结晶化学条件,玻璃的结构,硅酸盐玻璃的结构特征和玻璃结构参数的计算,硼酸盐玻璃。 熟悉:玻璃的结构,粘度的概念,形成玻璃的结晶化学条件,玻璃结构参数的计算。 第四部分材料的表面与界面 掌握:固体的表面力场、晶体的表面结构,固体表面的双电层对表面能的影响,弯曲表面效应,润湿与粘附的概念与特点,表面粗糙度对润湿的影响,界面行为,晶界结构与分类,多晶体的组织;粘土的荷电性,粘土的离子吸附与交换,粘土胶体的电动性质,粘土泥浆的流动性和稳定性,粘土泥浆发生触变性的条件,粘土具有可塑性的原因。 熟悉:固体表面的双电层对表面能的影响,润湿与粘附的概念与特点,表面粗糙度对润湿的影响,粘土的荷电性,粘土泥浆的流动性和稳定性。 第五部分相图 掌握:相图的基本知识,水型物质与硫型物质,单元系统相图,可逆与不可逆多晶转变的单元相图,二元系统相图的特点,二元相图的分析,三元系统相图的特点、杠杆规则、连线规则、切线规则、重心规则、三角形规则等,三元相图的分析与析晶路程。 熟悉:可逆与不可逆多晶转变的单元相图,三元系统相图的特点,三元相图的分析与析晶路程。

材料科学基础习题与答案

- 第二章 思考题与例题 1. 离子键、共价键、分子键和金属键的特点,并解释金属键结合的固体材料的密度比离子键或共价键固体高的原因 2. 从结构、性能等方面描述晶体与非晶体的区别。 3. 何谓理想晶体何谓单晶、多晶、晶粒及亚晶为什么单晶体成各向异性而多晶体一般情况下不显示各向异性何谓空间点阵、晶体结构及晶胞晶胞有哪些重要的特征参数 4. 比较三种典型晶体结构的特征。(Al 、α-Fe 、Mg 三种材料属何种晶体结构描述它们的晶体结构特征并比较它们塑性的好坏并解释。)何谓配位数何谓致密度金属中常见的三种晶体结构从原子排列紧密程度等方面比较有何异同 5. 固溶体和中间相的类型、特点和性能。何谓间隙固溶体它与间隙相、间隙化合物之间有何区别(以金属为基的)固溶体与中间相的主要差异(如结构、键性、性能)是什么 6. 已知Cu 的原子直径为A ,求Cu 的晶格常数,并计算1mm 3Cu 的原子数。 ( 7. 已知Al 相对原子质量Ar (Al )=,原子半径γ=,求Al 晶体的密度。 8 bcc 铁的单位晶胞体积,在912℃时是;fcc 铁在相同温度时其单位晶胞体积是。当铁由 bcc 转变为fcc 时,其密度改变的百分比为多少 9. 何谓金属化合物常见金属化合物有几类影响它们形成和结构的主要因素是什么其性能如何 10. 在面心立方晶胞中画出[012]和[123]晶向。在面心立方晶胞中画出(012)和(123)晶面。 11. 设晶面(152)和(034)属六方晶系的正交坐标表述,试给出其四轴坐标的表示。反之,求(3121)及(2112)的正交坐标的表示。(练习),上题中均改为相应晶向指数,求相互转换后结果。 12.在一个立方晶胞中确定6个表面面心位置的坐标,6个面心构成一个正八面体,指出这个八面体各个表面的晶面指数,各个棱边和对角线的晶向指数。 13. 写出立方晶系的{110}、{100}、{111}、{112}晶面族包括的等价晶面,请分别画出。

805材料科学基础课程考试大纲

805《材料科学基础》课程考试大纲 一.绪论: 了解材料的发展史、材料科学的研究对象和内容以及学习本课程的目的意义和要求。 二.原子排列 1.了解组成材料的原子间的键合方式及其与性能间的关系。 2.了解晶体学基础的基本概念 3.掌握晶面、晶向的表示方法 4.掌握三种典型的晶体结构及其结合特征 5.掌握晶体缺陷的基本类型、基本特征、基本性质 三.固体中的相结构 1.掌握合金相的主要类型、形成条件和性能特点 2.了解玻璃相的形成条件、分子相的结构特点及分子晶体 四.凝固 1.理解金属结晶的基本规律 2.掌握结晶的基本条件:热力学条件、结构条件 3.理解晶核的形成及其特点:均匀形核、非均匀形核 4.了解晶体长大的条件、长大机制及长大形态 5.了解铸态晶粒的控制 五.相图 1.掌握相、相平衡及相图制作 2.理解匀晶、共晶、包晶三种基本相图 的特点,掌握其平衡凝固过程和组织变化。 3.了解其他类型的二元相图 4.掌握二元相图的分析方法 5.掌握铁碳合金相图、铁碳平衡结晶过程及室温下相和组织组成及其相对含量的计算 6.理解铁碳合金的组织与其力学性能间的关系 7.理解相图的热力学解释方法 8.了解铸锭的组织控制及偏析

9.了解三元相图的几何特性,掌握三元合金结晶过程中相与组织的转变规律,掌握三元相图简单的等温截面图和变温截面图 六.材料中的扩散 1.掌握扩散基本定律,了解扩散定律的应用 2.掌握金属扩散的微观机理及热力学理论 3.了解影响金属扩散的因素 七.塑性变形 1.了解单晶体的塑性变形:滑移和孪生的特点 2.了解多晶体塑性变形特点及细晶强化 3.了解合金的塑性变形特点及其强化机制 4.掌握冷变形金属的组织与性能 5.了解陶瓷材料的塑性变形 八.回复和再结晶 1.了解冷变形金属在加热时组织和性能的变化 2.了解回复机制及动力学 3.掌握再结晶时组织的变化及影响再结晶的因素 4.掌握再结晶后晶粒的长大及其控制 5、了解金属的热变形 九.固态相变 1.了解固态相变的类型与特征, 2.掌握扩散性相变新相形核与长大规律, 3.熟悉脱溶分解、调幅分解马氏体相变。 十.复合效应与界面 1.了解复合材料概念、分类及特点 2.掌握复合材料的界面

材料科学基础试题库

一、单项选择题(请在每小题的4个备选答案中,选出一个最佳答案, 共10小题;每小题2分,共20分) 1、材料按照使用性能,可分为结构材料和 。 A. 高分子材料; B. 功能材料; C. 金属材料; D. 复合材料。 2、在下列结合键中,不属于一次键的是: A. 离子键; B. 金属键; C. 氢键; D. 共价键。 3、材料的许多性能均与结合键有关,如大多数金属均具有较高的密度是由于: A. 金属元素具有较高的相对原子质量; B. 金属键具有方向性; C. 金属键没有方向性; D.A 和C 。 3、下述晶面指数中,不属于同一晶面族的是: A. (110); B. (101); C. (011- );D. (100)。 4、 面心立方晶体中,一个晶胞中的原子数目为: A. 2; B. 4; C. 6; D. 14。 5、 体心立方结构晶体的配位数是: A. 8; B.12; C. 4; D. 16。 6、面心立方结构晶体的原子密排面是: A. {111}; B. {110}; C. (100); D. [111]。 7、立方晶体中(110)和(211)面同属于 晶带 A. [110]; B. [100]; C. [211]; D. [--111]。 6、体心立方结构中原子的最密排晶向族是: A. <100>; B. [111]; C. <111>; D. (111)。 6、如果某一晶体中若干晶面属于某一晶带,则: A. 这些晶面必定是同族晶面; B. 这些晶面必定相互平行; C. 这些晶面上原子排列相同; D. 这些晶面之间的交线相互平行。 7、金属的典型晶体结构有面心立方、体心立方和密排六方三种,它们的晶胞中原子数分别为:A. 4, 2, 6; B. 6, 2, 4; C. 4, 4, 6; D. 2, 4, 6 7、在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为: A. 肖脱基缺陷; B. 弗兰克缺陷; C. 线缺陷; D. 面缺陷 7、两平行螺旋位错,当柏氏矢量同向时,其相互作用力:

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