?２８?糖蚪导擞２００殍每９露蒡１４巷筘９期
电子封装材料的研究现状
黄强顾明元金燕萍
（Ｅ海交遥大学垒羼摹复合材辩星家重点实验璧。上辉２０００ｌｏ，
摘鬻电子髓封装挂书的快速蔑臆对封装材料的－ｌ生能摄出了更为严格的要求。综遂ｒ各种新型封装材料的发
展现状；井嫩空属基复合料料拇重点．分剐从增强体．基体材料，制备工艺藏氍结掳几个方面讨论７它们衅封特热性耗
婚影响；酶此适一雩裢出了改善黄蓑精耩热性能的避锰噩采采的发展方向。
关键词电子封装复合材料热性能
ＣｕｒｒｅｎｔＳｔａｔ挂ｓｏｆＲｅｓｅａｒｅｈｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰａｃｋａｇｉｎｇＭａｔｅｒｉａｌｓ
ＨｕａｎｇＱｉａｎｇ（≥ｕＭｉｎｇｙｕａｎＪｌｎＹａｎｐｌｎｇ
（ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｆＭｅｔａｌＭａ仃ｉｘＣｏｍｐｏｓｌ弛，ＳｈａｌｌｇｈａｌＪｔａｏｔｏ“ｇＵｎｌｖｅｒｓＩ’ｙ．Ｓｈａ“ｇｈａｌ２０００３０Ｃｈｌｌｍ）
Ａｂｓｌｒａｃｔｒｒｈｅｒ８ｐｌｄｄｅｖｅｌ。ｐｍｅｎｔｏｆｅｉｅｃｌｒｏｎｌｃａｎｄｐａｃｋ８９ｌ“ｇｆｅｃｈｎ。ｌ。ｇｙｈａ￥｝ｅｄｌｏａｃｔｌｖｅｓＰ８ｆｆｈ如ｆＪｌ￡ｗｎｆ热ａｔｅｆｌ越ｓ．强ｌｓｐ８矾ｒｐｒｅｓｅｍｓ８糟ｖ陀ｗｏ｛ｌｋａｄｖａｎｃｅｓｌｎｔｈｃ如辨ｌｏｐ托日ｎｆ。｛ｌｈｅ
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ｐｅｎ｝ｅｓａｒｅｐｕｔｆｏｒｗａｆｄａｃｃｏｆｄｊｎ嚣ｌｙ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓｅｋｎｒ。ｍｃｐａｃｋ３９Ｉｎｇ，ｃ。ｍｐｏｅｌｔｅ，ｔｈｃｒｍａｌｐｒｏ即ｒｔｗｓ
Ｏ引言
攀导体集成电路（１ｃ）技术正盛新月异地向翦发展：掇撰摩承定律，Ｉｅ蒋片的集戒窿每１８～２４个月增长ｌ倍，亦郫大体每三年就有新一代Ｉｃ产品问世。目前，特征线宽为ｏ３５＂ｍ的６４ＭｂＤＲＡＭ已规模生产．ｏｚｓ”ｍ技术已投入生产，来餍ｏ１５”ｍ技术的４ＧＤＲＡＭ样品也已研制出来∽。与此嗣对．
电子射装也芷布断向小型化、高性能、高可靠性和低成本方向发展．如采用袭蕊贴装技术（ｓＭＴ）、扳Ｅ芯片技术（∞Ｂ）、多芯聍组件《ＭｃＭ）、单极集成组件（ｓＬｆＭ）、三维封装技术等…］。
芯痔集成发的迅速媾魏必然导致其菱热枣蜘搀高。绥褥电路的工作溢魔不断上升。实验证明．单个元件的失效率与其工作温度成指数关系．功能则与其成反比．因而如何提高嚣片的散热效率暇褥电路在燕常湿度下乏｛＃藏显得戈为重要。褥对各种高密崖射装技术蔓最将多个芯片以更紧密的方式排判在基片上．使得系统单位体粳的发热率继续增太。
勰决该阕糕鲍一个重要手段嚣燕进蠢台理靛热辫装嚣热设计ｔ此时封装对系统性髓的影响已变得和芯片同等重要。比如可眦使用各种敞热器或采用液体冷却系统．然而这些方浚并琴箍扶挺奉上解受阉题．蓑缓秘残零彝结搀却攀我孬增麓。因此研究和开发具有高热导及良好综合性能的新型封装材料就显耨更加重要，这在封装落后于ｌＣ发展的今天里是如此。１辩骜装麓鹳稳瞧链要求
媳型的电子封装从结构上可分为三十层次：将芯片张熬碰ｔ固定，萼ｉ线键合以擅隔离保护簿称为豫封装；经一“缀封装后的各器件在基板上的固定和谶接称二缎封鞋；最后将电路援装Ａ系缝中成为电子整机穆为三缎封装．如爨ｌ示州。
一级封装
二级封装
翌镪封装
抖壳
苍Ｈ
差片
屁板ｃ热巩
印尉电路艟
固定架
图１毫簪封装的兰个屡次０３
封袋的功施主要包括机械支撵、散热、信号传递、芯片保护等馥｝燕霹籍装薅辩翡毪能要求尊侮｝寿鞋Ｆ斑点：其露瘫好的化学稳定性；导热性熊好，热膨胀系数小；有较好的机械强度．便于加工；价格低廉，便于自动化生产等．巍然不同部炸
万方数据
电子封装精料的研究现状／赞强等?２９?
对其性稚盼要求也耜应稃所侧重。爨ｌ孛辑承的一缀积＝缀封装中ｔ导热蒜数【Ｔｃ）魁～个非常重要的性能指标。高龋成度Ｉｃ在工搀申产生的热量岱预及时释教以防在过热的状态下二￡作ｔ葳丽彰嘀其毒命和功髓。鸯魏同爵。我们叠颈兼鞭榜料的热膨胀系数（ｃＴＥ）．即所用各种材料的ＣＴＥ眦相近为宜?且最好与棼片材料保持一致，否删＋随工作温度的升商，将币可避免遗在相等部件黼及焊接接点鲣产生热应力．结念娃将拨生蠕变．疲劳以至断裂。对固巍架（二级封犍）而言＋则主要辨求所用耪料具有良好的加工性和可成型性。同时藏顾对电磁场的屏蔽作用。在军事通讯鞍航空工监中，对所使丽辩封装材料除要求具有高的Ｔｃ和低的ｃＴＥ外，篓量也是一十必须髑时兼顾的因素，此时低密度材料孰显得更葵优势。
表１“‘３鞠出ｒ常谢辩装橱辩的见静杨瑾瞧铑。作为芯片用材料ｓｌ和ＧａＡｓ以及用作基片的Ａｌ。Ｏ。、Ｂｅｏ等陶瓷材料．其Ｃ，ｒＥ值处于４～７×１０叫／Ｋ之蝴。但具有高导热系数的Ａｉ和ｃｕ，其ｃ’ｌ、Ｅ缱却都键高，终￡ｏ×ｌｏ叫，Ｋ．用它们馋疯鹾时－由于ｃＴＥ的差别将使得陶瓷基片的大小溅到限制。而具有低ｃＴＥ的Ｋｏｖａｒ和ｌｎｖａｒ台金．ｒＣ却非常的低，密度相对较高。Ｍｏ、ｗ璐及醚之发展酶ｅＨ／ｗ，铂，Ｍｏ报ｅｒｒＥ蘸较为理想，但其Ｔｃ却不及Ａｌ和ｃｕ，密度却是Ａ１的３～４倍。由此可见，传统封装材辩总是无法同时裴顾对备种性能的嚣求．舀９０年代拜贻，薪型封装枋辩得翮了大力豪袋，务释榜辫也因此而不断涌现。
袭１掌用魁装材辑静性姥指标“”
２电子封装用金属基复禽材料（ＭＭｃ）囊勺发展状滗
正如金属与陶瓷在刚度上的蓑剐可“被用来增强材料的爨发一撵，辫瓷嚣援热蟛联挂龟霹塔被鲻采疆整耪辩的ｃＴＥ．从而获得与许多不同材料柏随配的复合材料。与此同时．许多增强体具有很商的Ｔｃ值．故在改变基体ｃＴＥ的同时，耪精舞可铩持较裹瓣导热系数＋嚣惹１§§２年４嚣在美謇ＳａｎＤｉｅｇｏ举行的ＴＭｓ年会上对作为电于封装用ＭＭｃｓ进
行了广砭静讨论口ｊ。一敬证鸯封装材耨是ＭＭｅ来采敖袋的
重要方向之～。
２．１基体车毒鹳
金属与台金的茹静穰多。基俸合金戏势的选择对髓匿觅分组合和发挥基体及增强物的性能特点．获褥预期的满足使崩要求的综台性麓有嚣｝分重要触ｔ『＃用，遮谯结构岸复合材料中已经褥翱ｒ充骨酶沃谖。
基体中台金元索的加入从两个方面影响复合材料的”：糍，一方面表规在对基体本身性能（包括物瑚和机械抖一越》的影响；另一方面是对基体与增强体券面结合状况魄彰喻．瓣看一种影响往往显得更为重要。例如随Ａ】中鞠含量的不断增嘲ｔ至２５％）．Ａ｝合金的ＣＴＥ持续下降，从掰受有利于获得具霄低ｃ下Ｅ的复台材辩‘“。ｅ．Ｆ．ｈｇ捌ｍｓｏｏ电籀难．铸造错台金随其中含ｓＩ或ＮＩ量的增加．萁ｃＴＥ不断下降，但当ｓ?含量趣过１２％时，初生ｓｊ鞠的形成将使得台垒鲍ｃｌＥ升礴。而对于ｅｕ舍畿，ｓＫＤａ¨ａ”ｏ的研究结果表嘲，摹俸台袅岔鱼最较高时的Ｃｕ—ｓｌｃｒ／ｃ／６７．其ｃＴＥ较高，‘ｒｃ则相对较低。在ｃｕ中如人适量的Ｆｅ可有效撬赢与碟纤维的界面结合强度，材料的Ｃ１’Ｅ也困悲黼降低ｏ】。誉前电子圭《装埽ＭＭｂ酶蒜体仍以Ａｌ、ｃｕ、Ｍｇ殿各种工程中常用的悄台金、悄台金和镁台金为主，这主要是斑萁良好的学热、导电及优良的练舍力学挂能骄决是的。随研究工作薛不新深＾，认谖添耱各静合金元素对材料ＣｆｒＥ和ＴＣ的影响，歼发专用的具有独特性能．包括高Ｔｃ＋低ｃＴＥ，与增强体巽寄良好界面结合的封装用基体材辩已显得珏趋重要，也当弓ｌ超人们的重榄。
２，２增强体
增强体的种类壤多。照形貌￡主要分为妖至于维、短鲜维、赫须和颗粒鳓大粪滞｛锸其不同的使用要求。增强体盼选择也有不同的标准．用作封裟材料时ｔ成着重从以下几个方晰加以衡越：＠较低的热蟛胀基数；＠裔瓣导热系数；＠与基体搦辩鼠有良好的棚容性趣）椒度小；⑤成本低。
表２ｃｌ¨”３为各种常用增强体的主要物理性能指标。应当拯出．各释辩瓷增强搏弱性藐参数实际上存在若据当援疰的分数．将文献Ｃ１０．１１］中的数据加以对比就套穰容易发璃这一点；由于各种物理性能（ＣＴＥ、Ｔｃ）本身就是黼度的函数，测试袭季孛萃弱，宴验结果必然蠡不相两；舄一方瓣不同生产厂家。不同的栅备工艺，其产晶在纯度、徽结搀等方面必定备不相同，而且性能测试本身也存在相当的难度．因而数据的分散也就难蛙蹙兔．这一点对予剿蔷高缝瑾材斟有?定难瘦的增强体尤其明显．如ｓ，ｃ、ＡｌＮ、碳纤维、但这本身也预不蕾。ｃ：；＝们发腱的巨大潜力。
ｓ｜ｃ，是翳翦撞熙擐为广泛的糍粒增强体。工趣娜ｓｉｃ，抟ＴＣ在８０～２∞ｗ／（ｍ?Ｋ）．而高纯ｓｉｃ的ＴＣ可迭４。０ｗ八ｍ?Ｋ）“”，因此发展制胬高性能、离纯度的ｓ∽工艺将搬大提高复台材斟赫热挂携势将有效降慨材拱的戚本。ＡｉＮ，齄Ｔｅ为１５０～２ｓＯｗ／（ｍ?Ｋ），而理论．ｔ可达３２Ｄｗ，（ｍ－Ｋ）洲ｊ，也
弼样存在很尢的发展空间。金剐石颗粒的价格相对较搿．但由予它匏ｅ聪、彳ｃ和密度帮菲搴理想ｔ觅衷２）。也弓ｌ起丁Ａ嚣ｊ的注意ｏ“。目前长纤熊增强ＭＭ幽仍具有报好的发展前景。
万方数据
?３０?材料导报２０００年９月第１４卷第９期
塞；墨墼垄翼簦墼基堡熊壅楚：：：：！：！
竺竺！悉必要墨！量！墨
４．Ｏ８０～２００４．４ＺＯ～４０４ｌ～３００２６９１５０～２Ｓ０１４４２８
３３８２９～６７４６２５
＜ｌ１．４
７４４０
１＋７７００～２０００
～Ｓ、Ｏ４０
一３１１２—１．４１８Ｓ
—ｌ４ＳＳ２０
—ｌ４Ｓ６４０３．４３２３，２ｌ３９８３０１３．２６３１８２Ｓ２４５０２６６４．９２３．５２
２．６０
２．０２１５Ｚ．１８
尽管与颗粒增强ＭＭｃｓ相比，其制造成本较高．具有各向异性．但它嶷纤维轴商主所表现的优异性能以及在备
方向挂熊的可调节性仍是其得以不断发展的动力。
碳纤维是其中最重要也是应舟最为广泛的一种，其
中由Ａｍｏｃｏ公司骥制的Ｋ１１００现已投入批量生
产。萁轴向性能比径自离数十倍．达１１００ｗ／（ｍ?
Ｋ）．剩用气指沉积汝也已翩遣如径自热导选
２０００Ｗ／（ｍ?Ｋ）的碳纾维卧”】。
２．５材料的制备
复合材瓣的性能除取次子基体和增强体外，正
确地选择锚备工艺，对于能器充分发挥增强体的作
用，获褥理想的徽观组织和性蘸越着决定｛生的作用。
ＭＭｃ的制备总体上可分为液相法、厨搬法和抉逮
凝嚣法三种““”】。对于封装用ＭＭｃ，出于增强体的
体积分数通常较高（如对手Ａｌ／ｓｉｃ，丽亩．为满足
ｃＴＥ的要求．ｓｔｃ，豹体积分数一般在ｓ５％以上），鞭
此在选择其体的制蔷王艺时．除考虑基体的性麓．增
强体的类别及分布，基体与增强体的相容性以外．体
积分数投其控制也是一个需重点考虑豹因素。同时
由半高体襁分数复台材料的机加工牲能～般均较
差，净成形工艺已成为这西蘸发展豹重点“”。
对液相法藤言，臻制忭的制备莛获得薅性能复合材料及发展净成澎工艺豹关键Ｈ…．但一般在文献中砖不作详缩摄道。～些新豹铡备预制件的方法也不断出现，如对用聚嚣烯晴（ＰＡＮ）碳纤维割备的预剖件。乖Ｊ用气楣沉我的方法在纤维表丽引入磺，从而获得不同体积分数祁孔径的预截｛牛０３；利用海绵状聚碳酸硅烷．通过氧化处理最终得到由非晶或徽晶型ｓｉｃ维成的海绵状预制件［２”；对嫩孔鹫碳预翩件。用Ａｌ—ｓｌ合金．逢过反应蘸渗童接褥到Ａｌ／亨
｜
吾
ｓｌｑ””；通道控制烧结温度鞠时翔．可以得到不同棒晷｝分数
（６５．７５．８ｓｖｏｌ％）的Ａｌ。ｏ，预制件．最后车ｑ用压力挺渗的方法
得到Ａｌ／Ａｌ：０，一ｎ”。披得注意的是，这些预制件均譬三维连续
网络状．这样材料在热循环过程中．增强体除可承受鹾应力
外，还可承受一定的拉应力，进将有效提高材料在使用过程中
豹稳定性。
２．４材料的性蘸
在各种封装用ＭＭｃｓ中最先弓ｉ起人们的注意，得到大力发展纳是Ａｌ／瓢ｅ颗被增强复合材料。文ｃ，巽鸯优良的物理性
蘸：ａ一４ｏ×ｌｏ州／Ｋ，Ｐ幕３。２９／ｃ时，随纯度和微结构的不嗣．
萁Ｔｃ位子８０～２００ｗ／（ｍ－Ｋ）之闻。丽飘缘材料价梅便宜．
已实现商品化生产（１～８０ｐｍ）。同时作为基体的锅台垒，蕻ａ
幂２３ｐｐｍ／Ｋ，Ｐ一２．８９／ｃｍ３，ｋ—１８０～２３０ｗ／（ｍ?Ｋ）。随刺备
工艺的发展．目翦穗可制备出体积分数离达７０“～７５％的
Ａｌ／ｓｉｃ，元件。爨２和凰３为在不同基体及在不丽制备工艺条
件及测试条件下的Ａｌ／Ｓｉｃ，的ｃｔＥ和Ｉ。ｃ馕。出型可见．通过
控剞ｓ｜ｃ的体襁分数，研有效诚节Ａ｜／ｓｉｃ，的ｃｌ、Ｅｔ跌两与番
种辩瓷基片相匹配．与就嗣时还具有与蒸体锅台金相近的
Ｔｃ值。如果使用离纯度ｓｉｃ作为增强体的活．则Ａｌ／ｓｔｃ／ｓｏ，
的Ｔｃ估计可达３００ｗ／‘ｍ?Ｋ），甚至受离。
翻２Ａｌ／ｓｉｑ的ｃＴＥ与ｓｉｑ体积分数的关系
Ｓ虻怕Ｉ％
圈５Ａｌ／ｓｉｃ，静∞ｃ与ｓｉｃＰ体积结数豹关系
謦嚣蕞纛篡豢譬
＾ｌＡｄｊ
ｍｈｕ 万方数据
电子封装材料的研完现状／黄强等?３１?
Ｂ∞，｛乍为增强体用傺封装材料时，其综舍性能要好予ｓｉｃ，。Ｂｅ／№０／６０，的ｃＴＥ为６．１×１０吖／Ｋ，ｔｃ选ｚ４０ｗ／（ｍ?Ｋ），而密庭只有２．ｓｓｇ／ｅｍ３。翳显拢子ｓｉｃ，增强复合材料（见图２，３）＋遗憾的是，ＢｅＯ是一种有毒物质，当材料箍机加工时，问题就更照突出，因此许雾国家对ＢｅＯ产品使用的限稍也越来越严。ＡｌＮ也具露撮离的热弹．同对拣蒋蚀性糍捋ｔ暴于加工。是一种报重要的增强体。其缺点是容易被水溶液漫蚀．且不被铝液没润．给制备带来一定困难ｏ”。通过无雎浸渗法制备的Ａｌ—ｉ５ｓ｝５Ｍｇ／琢ａｍｏｎｄ／５锦的ｅ谴势｛．ｓ×ｌｏ叫／Ｋ，Ｔｃ达２５９ｗ八ｍ?Ｋ）Ｄ“’优予Ａｌ／ｓ｝已；发展制备撼纯度、低成本金刚石的工艺。并设法进～步提高它在复合材料中的律袄箨鼗撼来采的发展方向。
对暴缄增强复台糖料鞭言。发展触主要障碍来自高性能晶须的生产，如对ｓｉｃ。而裔．其１’ｃ仅为３２ｗ／（ｍ?Ｋ）‘见嵌２）．难戮满足封装用材料对高热昝的要求，谢且与颗粒增强体相比，在其它方嚣它菸无明显优势，其发展也就躐此丽受到了限制。
高佳能碳纤维的发展掇太童瞻促进了连续纾雄增蕊ＭＭ—ｃｓ在封装领域的应捌。据援道ｎ”Ａｌ／Ｇｒ／３６．是的径扁热导嵩达６ｔ２ｗ／ｃｍ?Ｋ）。但纤维增强复合材料的界面结合强度较低．由此而亏ｆ莛的热滞后问逝还霄待芎：解决。
在ｚ．１和２＋２中０簿嚣她讨论了基体秘增强体本身蛙姥对复台材料热性能的影响。另～个影响复合材料热性能的疆要因素是增强律的律积分数．藏蕾３可以看出，随谇襁分数酶提寒，桩戡蟾ｃ譬Ｅ降低＋群Ｔｃ对体积分数的变化却不甚敏感。这主要是由于基体和增强体导热性相近的缘故。选用相同的基体合盘．相弼的利备王艺．分别用ｓｔｅ和Ｔｌｅ作增强体ｔ体积分数相嗣时，Ａｉ一２强４／ｓｉｃ／２岛鳇ｃＴＥ北Ａｌ２ｌ艇／弱ｃ／２０，的高ｍ】，尽管咄ｃ低于％ｃ。遮说明，除慕体，增强体车身及体积分数以外．复合材料的热性能还将受其它因綮的影响．舀２，３中分散懿数据也滋骧了这一点。太粕跫遥浆认谈到增臻体的粒度大小ｍ］、彤态哪踟、界面反应层口“”３等都会不同程度地影响材料的热性能。如对予Ｔｌ／ｓｔｃ，，～定条件下的热处理将筏得弊番爱应屡增厚，甚至在器嚣娃产生徽裂纹，使得搪料的Ｔｃ降低。而对太多数复合材料体系而言，有关界面状况对热性能的影响仍缺乏充分的认识，即使是对得到广泛使带的Ａｌ／＆ｅ，体系也来踅寿禚关懿摄逮。对增强体进舒适当靛表面涂覆处理，也是改善界面状况以提高材料热性能的一种途径。此外．由干材料在使用过程中要不断承受热循环的作用，嚣雨醋究热应走对热健施静影嫡，势析ｃＪｒ嚣蘧擞度鲍变化及材料撒区威力髓热檐环的的改变啪”３．对释复台材料体系也都非常有意义。
５其它新型材料
近年米．出现了一些新的复合体系．包括Ａｌ／Ｂｅ、Ａｇ，ｌｎ—ｖａｒ、ｅｎ／ｌｎ糊ｒ等，其中基体材辩均具有棂离豹张：，鬻增强俸的ｃＴＥ剥较低．通过复台即可得到离热导，低膨胀的封装用材料。以上三种材料的ｃ’ｒＥ平ⅡＴｃ分别为１３．９．６．５，５．３×ｌ。＿８稚２ｌｅ．１酩，１６７ｗ，ｔｍ－Ｋ妒“。Ａｌ－ｓ；也霹鞋说是一种耩的复舍体系．通过共囔沉积法将设定成分的ＡｌＳｉ．ｉ元合金熔漓喷射至冷却板上．用这种方法生产的Ａｌ一７０ｗｔ％Ｓｌ的ａ．ｋ和Ｐ分剥为５。８×１０叫／Ｋ．１４０Ｗ／《ｍ－Ｋ）．０．ｓｇ／ｆｍ一圳。周对与Ａ１／Ｓｉｑ相比．Ａｌ—ｓＩ具有良好的机加工性。柱巳ｌ－艮Ｎｌ三元合金系中，通过选择合适的台金成分，可获得ｃｕｓＮｔ（ａｔ“）和ｌｎ镪ｆ一５ｅｕ《ａ￡×）鲤魏半镬秘．磊者蛉体援分数可在２０“～８０％之间变动．其热性能也倒北具有可调节性¨“。ＮＩ－Ｔｉ合金具有形状记忆效应，同时晶体结构的转变（Ｂ：～马－）也会带来足寸赫变诧。经其萁有投毒蟾受ｃ＇‘Ｅ｛２５～１００。ｃ一２１×】ｏ叫／Ｋ）。将ＮＩ－Ｔｉ合叠短捧镶入铜中．即使体积分数仅为３５蹦．材料的径向ｅＴＥ也已遗《ｏ×１０叫倦，１℃为ｚ６４ｗ，｛ｍ?Ｋ）［３“。
除了上述的以金属作为基体的靛台材料以外．麓它如树脂基复合材料（ＰＭｃ）．碳璇复台材辫（ｃｃｃ，等，由于其强待豹姓姥，褒热拄耀串也｛旦剃了“定弱应用““。如对在半巅内各向同性的长纤维强化坪氧树脂Ｅｐｏｘｙ／Ｋｌｌｏｏ／６０ｆ，其Ｔｃ达３００ｗ／（ｍ－Ｋ），ＣＴＥ为一ｌｌ×ｌＯ叫，Ｋ，而瘩纤维荦方向排列对，渡＃．楗数辅蠹热导为６６０ｗ／ｔｍ?Ｋ＞，是镧豹ｌ５倍，密度则仅为１．８９／ｃｍ３．尚不及铝的７０“。
以上各种材科在封装中主要埔作麻板或热执，也露作ＰｃＢ或器定絮臻。鑫封装材料中，基砖岗材料卷羞非常重要的地位。混合集成电路中．膜式无源元件需沉议在绝缘基片上，外贴元器件亦以基片作为增强体，因此基片卡手料的棒蘸在穰太程度上影螭元｛牛及誉个电路的蛙艟。对墓砖‘用捌料昧常规的热性能要求外．对电气性能也有～定的要求．即尽可能小的介电常数和介电损耗酞及六的绝缘电阻。表３｝。”’海几种常用萋片材斟酌电牲熊指标＋传统Ａｌ。ｏ；羯瓷豹Ｈ：鞍低，分电常数高．与ｓｉ的ｃＴＥ不熙配；Ｂｅｏ礴瓷的价格高且有毒；ｓＬｃ陶瓷的弁电常数过高。ＡｌＮ箍一种新型基片用材科?跌瓣前豹发展鼗援来番、阻薅ＡｌＮ辫瓷矗如北和批量生产驰。然技术问题已逐步得到解决，＃应用范尉将日趋扩大。陶瓷一玻璃复合材料也可厢作熬片材料，翔可将焙融玻璃摧渗入经冷鹾、烧绪，舍３０蚝气孔事豹ＡｌＮ多张辩瓷孛¨“州。泼绅撼料的最大优点是具有较低的介电常数（～５．１ＭＨ。）。
袭５几种基板用材料的性能。”ｊ
４结语及展望
电予封装技术的飞速发展，电子元件的高功率投口趋小型化，对封装｛对料的性能提出了更为严格的要求，这就为新材料赫发袋提供了广黼教发曩空趣。秘翦’些瓤瓣封装矧秘料已投入了商品化生产，在幕些重要的商用领域殷航空，航无工业中，传统的封装材料已逐渐被取代。
剩薅各静拳嗣榜料进暂复台是并发掰犁封装材辩豹蔡事
万方数据
?３２?抟错导掇２∞０年９嚣第ｌ｛巷第８寮
思想，播此出艘了大量不闯髂累舶艇合材料．群管它们备崭均
存栏遗襻或爨撵豹不是。氟ｃ鞭敕媾撼镪纂整舟衬餐崮乎冀
独特盼侥势弓ｌ越了人佛广涎魏荚｝鼍逼§取得了娄艨性靛避精＋
但研究ｒ工作仍霄特于进～步深入．圭簧袭现农姐下几个方黼：
醑宽基ｌ攀成套对挂斟热馋瞧转彭确＋赶描霹会垒举身秘镌愁
器瓣嚣褥结合状毽扶藤辩牲辩热豫糍懿髟噙；大力发壤铡蛰
离纯度，羝成举ＳｉＧ的生产王艺；逃一班研究蜷强体的粒凄、
形巷等对撩链髓鹋黪旗；辨觉Ａｌ一鞋‰抟器瑟络告＾棱攫，毽攒
对ｓ｝ｑ进行裁蕊簸理蜃，慰耪科热挫魁的影响｝繁展净成型
工棼。土述研巍内缚也同样遗用于其它静种复赍材料体累＋魁
其探入艇展鳃錾礴。
鳗晦垦蓖瓣瓣装撼￥｝静研究释发鼹仍处予起步酚鬃碹莹
一方面要求材料ｚ作者避…涉加太斜究的力艘．嗣时加强与
封装设盼蚩２髑的拯亘癌始辩海运也棼掌爵重要＋
】４１５
参港文献
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差鼍耱；等．袈台挂蛰攀掇，ｊ９９７，３０《４，：５０７
踌ｒＡｈｌｍｌＡ，ｅｔ８１．ＰＪＭａｔｅｆ＆ｉ，ｌ§娜，２Ｓｆｊｊ３７
Ｓ¨ⅥｔｓａｎＴＳ，啦ａ１．』．Ｍａｔ℃ｒ，＆Ｉ，１９§１，２６｛§９６５
Ｐｅ鸽ｉｅｓｋｂＨ．ＩｎｔｅｒＭａ枢Ｒｅｖ。１９她，３§｛２｝：髓
ＡｎｎｕａｌＭ虹摊黼ｌｓＲｅｖｉｅｗ，ＡｍｅｅａｍＳｏ￡糯｝ｌ。姆９哇。始
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万方数据
电子封装材料的研究现状
作者：黄强， 顾明元， 金燕萍， Huang Qiang， Gu Mingyuan， Jin Yanping
作者单位：上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030
刊名：
材料导报
英文刊名：MATERIALS REVIEW
年，卷(期)：2000,14(9)
被引用次数：46次
参考文献(39条)
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