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材料物理性能考试总结

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第一章固体中电子能量和状态

1.1电子的粒子性和波动性

1.霍尔效应

取一金属导体,放在与它通过电流相垂直的磁场内,则在横跨样品的两面产生一个与电流和磁场都垂直的电场,此现象称为霍尔效应。

2.德布罗意假设

一个能量为E,动量为P的粒子,同时也具有波性,其波长λ由动量P决定,频率ν由能量E确定:λ=h/P=h/(mv); ν=E/h;

式中:m为粒子质量;v为自由粒子的运动速度,由上式求得的波长,称为德布罗意波长。

3.

其中,d=2.15*10-10m,θ=50°E=54eV;由λ=dsinθ得,λ=2.15*10-10m*sin50°=1.65*10-10m电子质量m=9.1*10-31kg,电子能量E=54eV,则由λ=h/p

得λ=h/(2mE)1/2=[6.6*10-34/(3.97*10-24)]m=1.66*10-10m

比较两个结果基本一致,说明德布罗意波假设的正确性。

1.2金属的费米——索末菲电子理论

金属的费米索末菲电子理论同意经典的电子学说,认为价电子是完全自由的,但量子自由电子学说认为自由电子状态不服从麦克斯韦——玻尔兹曼统计规律,

而是服从费米——狄拉克的量子统计规律。故该理论利用薛定谔方程求解自由电

子的运动波函数,计算自由电子的能量。

1.导体,绝缘体,半导体的能带结构(P25-26)

二价元素如周期表中的ⅡA族碱土族Be、Mg、Ca、Sr、Ba,ⅡB族为Zn、Cd、Hg,按上边的讨论,每个原子给出两个价电子,则得到填满的能带结构,应该是

绝缘体,对一维情况的确是这样,但在三维情况下,由于能带之间发生重叠,造

成费米能级以上不存在禁带,因此二价元素也是金属。

1.3习题

1.一电子通过5400V电位差的电场,(1)计算它的德布罗意波长;(2)计算

它的波数;(3)计算它对Ni晶体(111)面(面间距d=2.04×10-10m)的布拉格衍

射角。

2.有两种原子,基态电子壳层是这样填充的

(1)12、2226、3233;

(2)12、2226、3236310、4246410;,请分别写出n=3的所有电子的四个量子数的可能组态。

第二章材料的电性能

2.1电子类载流体导电

1.金属产生电子的根本原因

当电子通过一个理想晶体点阵时(0K),它将不受散射;只有在晶体点阵完整性遭到破坏的地方,电子波才受到散射(不相干散射),这就是金属产生电阻的根

本原因。

2.温度变化引起金属导电性改变的原因

由于温度引起的粒子运动(热震动)振幅的变化(通常用振幅的均方值表示),以及晶体中的异类原子,位错,点缺陷等都会使理想晶体点阵的周期性遭到破坏。

这样电子波在这些地方发生散射而产生电阻,降低导电性。

3.马西森定律

若金属中含有少量杂质,其杂质原子使金属的正常结构发生畸变,它对电子波的作用如同空气中的尘埃对光的传播影响一样,引起额外的散射。此时散射系

数由两部分组成

μ=μT+Δμ

其中散射系数μT与温度成正比,Δμ与杂质浓度成正比,与温度无关。这样,总的电阻包括基本电阻和溶质(杂质)浓度引起的电阻(与温度无关)。这就

是马西森定律。用下式表示:

ρ=ρ'+ρ(T)

式中:ρ(T)是与温度有关的电阻率;ρ'是杂质浓度、点缺陷、位错有关的电阻率。

4.电阻率与温度的关系

通常金属融化时电阻增高1.5~2倍。因为融化时金属原子规则排列遭到破坏,从而增强了对电子的散射,电阻增加。但也有反常,如锑,随温度的升高,电阻

也增加;融化时反而下降了。其原因是,锑在融化时,由共价结合而变化为金属

结合,故电阻率下降。

5.形成固溶体时电阻率的变化

当形成固溶体时,合金导电性能降低。即使在导电性好的金属溶剂中融入导电性很高的金属时,也是如此,这是因为在溶剂晶格中溶入溶质原子时,溶剂晶

格发生扭曲畸变,破坏了晶格势场的周期性,从而增加了电子散射几率,电阻率

增高。

2.2离子类载流子导电

1. 1.离子电导理论

2.3半导体

我们把纯的半导体称为本征半导体(一定是单晶),因为它的行为仅仅由它固有的性质决定。把由于外部作用而改变半导体固有性质的半导体称为非本征(杂

质)半导体。

1.n型半导体

也称为电子型半导体。n型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

2.p型半导体

p型半导体,也称为空穴型半导体。p型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

3.pn结

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将p型半导体与n型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为pn

2.4超导体

1.超导形态特性和超导体的三个性能指标

1.完全导电性;

2.完全抗磁性

3.通量量子化

2.5习题

1.铂线300K时电阻率为1×10-7Ω·m,假设铂线成分为理想纯。试求1000K

时的电阻率。

2.镍铬丝电阻率(300K)为1×10-6Ω·m,加热到400K时电阻率增加5%,

假定在此温度区间内马西森定则成立。试计算由于晶格缺陷和杂质引起的电阻率。

第三章材料的介电性能

3.1电介质极化的机制

电介质在外加电场作用下产生宏观电极化强度,实际上是电介质微观上各种你极化机制贡献的结果,它包括电子的极化,离子的极化(又可分为位移极化和

弛豫极化)、电偶极子取向极化和空间电荷极化。

3.2陶瓷材料的损耗

陶瓷材料的损耗主要来自三个部分:1.电导损耗;

2.取向极化和弛豫极化损耗;

3.电介质结构损耗;

此外,无机材料表面气孔吸附水分,油污及灰尘等造成表面电导也会引起较大的损耗。

3.3电介质在电场中的破坏

1.介电强度(介电击穿强度)

当陶瓷或聚合物用于工程中作绝缘材料、电容器介电材料和封装材料时,通常都要经受一定的电压梯度作用,如果材料发生短路,这些材料就失效了。人们

称这种失效为介电击穿。引起材料击穿的电压梯度(V/cm)称为材料的介电强度

或介电击穿强度。

3.4压电性和热释电性

1.压电效应

在一些特定的方向上加力,则在力的垂直方向的平面的方向上出现正负束缚电荷,后来这种现象称为压电效应。

2.正压电效应

当晶体受到机械力作用时,一定方向的表面产生束缚电荷,其电荷密度大小与所加应力的大小成线性关系。这种由机械能转化为电能的过程,称为正压电效

应。

3.逆压电效应

逆压电效应就是当晶体在外界电场的激励下,晶体的某些方向上产生形变(或谐振)的现象。

4.逆压电效应与电致伸缩

实际上,任何介电质在外场作用下,都会发生尺寸变化,即产生应变。这种现象称为电致伸缩,其应变大小是与所加电压的平方成正比。

3.5铁电性

1.电滞回线

1920年法国人Valasek发现罗息盐(酒石酸钾钠——NaKC4H4O6·4H2O)具有特意

的介电性其极化强度随外加电场的变化如图3.16所示的形状称为电滞回线,把具有这种性质的晶体称为铁电体。

2.电筹

每个区域内部电偶极子沿同一方向,但不同小区域的电偶极子不同,这每个小区域称为电筹(简称筹),由于极化的非线性,铁电体的介电常数不是恒定值。

1.铁电性、压电性、热释电性之间的关系

3.6习题

2、3。

第四章材料光学性能

4.1光和固体的相互作用

1.材料折射率及其影响因素

1.构成材料元素的离子半径

2.材料的结构、晶型

3.材料存在的内应力

4.同质异构体

5.从外部因素来说,入射光的波长也是材料折射率的影响因素。大多数情

况下光的折射率总是随着波长的增加而减小,这种性质称为色散。

2.材料的反射系数和影响因素

若两种介质折射率相同,则R=0。垂直入射时,光透过几乎没有损失。由于陶瓷,玻璃等材料的折射率较空气的大,所以反射损失较严重。为了减小反射损

失,经常采用以下措施:

(1)透过介质表面镀层透膜。

(2)将多次透过的玻璃用折射率与之相近的胶将它们粘起来,以减少空气界面造成的损失。

4.2材料的发光

1.荧光和磷光

冷发光有两种类型:荧光和磷光。当激发除去后在10-8s内发出的光称为荧光,其发光是被激发的电子跳回价带时,同时发射光子。发光磷光则有所不同,发磷

光的材料往往含有杂质并能在能隙中建立施主能级,当激发的电子从导带跳回到

价带时,首先跳到施主能级并被捕获。

2.余晖时间

指发光后其强度降到原强度1/10时所需要的时间。

4.3激光

1.激光工作的原理(给图讲原理)

第五章材料的热性能

5.1材料的热熔

1.德拜温度

5.2材料的导热性

1.金属的热传导

对于纯金属,导热主要依靠自由电子,而合金导热就要同时考虑声子导热的贡献。

5.3材料的热稳定性

1.热冲击损坏

一般无机材料和其他脆性材料,热稳定性比较差,其热冲击损坏有两种类型:一种是材料发生瞬时断裂,抵抗这类破坏的性能称为热冲击断裂性;另一种是在

热冲击循环作用下,材料表面开裂,剥落并不断发展,最终断裂或变质,抵抗这

类破坏的性能称为热冲击损伤性。

第六章材料的磁性能

6.1磁学基本量及磁性分类

1.物质的磁性分类

1.抗磁体

2.顺磁体

3.铁磁体

在较弱的磁场作用下,聚能产生很大的极化强度。χ是很大的正数,且与外磁场呈非线性关系变化

4.亚铁磁体

这类磁体有点像铁磁体,但χ没有铁磁体那么大。

5.反铁磁体

这类磁体的χ是很小的正数,在温度低于某温度时,它的磁化率同磁场的取向有关。

2.原子本征磁矩

材料的磁性来源于原子磁矩。原子的磁矩包括电子轨道磁矩、电子自旋磁矩和原子核磁矩。

6.2铁磁性和亚铁磁性材料的特征

6.3磁性材料自发磁化和技术磁化

铁磁体自发磁化分成若干个小区域(这种自发磁化至饱和的小区域称为磁畴)。

1.铁磁性产生的原因(条件)

1.原子内部要有未填满的电子壳层;

2.R ab/r之比大于三使交换积分为A正。前者指的是原子本征磁矩不为零;

后者指的是要有一定的晶体结构。

2.磁畴

相邻磁畴的界限称为磁畴壁,主要可分为两种,一种为180°磁畴壁,另一种为90°磁畴壁。如图

3.技术磁化的本质

技术磁化过程就是外加磁场对磁畴的作用过程,也就是外加磁场把各个磁畴的磁矩的方向转到外磁场方向(或近似外磁场方向)的过程。它与自发磁化有本质的不同。技术磁化是通过;两种方式进行的:一种是磁畴壁迁移;另一种是磁畴壁旋转。

材料物理性能考试复习资料

1. 影响弹性模量的因素包括:原子结构、温度、相变。 2. 随有温度升高弹性模量不一定会下降。如低碳钢温度一直升到铁素体转变为 奥氏体相变点,弹性模量单调下降,但超过相变点,弹性校模量会突然上升,然后又呈单调下降趋势。这是在由于在相变点因为相变的发生,膨胀系数急剧减小,使得弹性模量突然降低所致。 3. 不同材料的弹性模量差别很大,主要是因为材料具有不同的结合键和键能。 4. 弹性系数Ks 的大小实质上代表了对原子间弹性位移的抵抗力,即原子结合 力。对于一定的材料它是个常数。 弹性系数Ks 和弹性模量E 之间的关系:它们都代表原子之间的结合力。因为建立的模型不同,没有定量关系。(☆) 5. 材料的断裂强度:a E th /γσ= 材料断裂强度的粗略估计:10/E th =σ 6. 杜隆-珀替定律局限性:不能说明低温下,热容随温度的降低而减小,在接近 绝对零度时,热容按T 的三次方趋近与零的试验结果。 7. 德拜温度意义: ① 原子热振动的特征在两个温度区域存在着本质差别,就是由德拜温 度θD 来划分这两个温度区域: 在低θD 的温度区间,电阻率与温度的5次方成正比。 在高于θD 的温度区间,电阻率与温度成正比。 ② 德拜温度------晶体具有的固定特征值。 ③ 德拜理论表明:当把热容视为(T/θD )的两数时,对所有的物质都具有 相同的关系曲线。德拜温度表征了热容对温度的依赖性。本质上, 徳拜温度反应物质内部原子间结合力的物理量。 8. 固体材料热膨胀机理: (1) 固体材料的热膨胀本质,归结为点阵结构中质点间平均距离随温度升 高而增大。 (2) 晶体中各种热缺陷的形成造成局部点阵的畸变和膨胀。随着温度升 高,热缺陷浓度呈指数增加,这方面影响较重要。 9. 导热系数与导温系数的含义: 材料最终稳定的温度梯度分布取决于热导率,热导率越高,温度梯度越小;而趋向于稳定的速度,则取决于热扩散率,热扩散率越高,趋向于稳定的速度越快。 即:热导率大,稳定后的温度梯度小,热扩散率大,更快的达到“稳定后的温度梯度”(☆) 10. 热稳定性是指材料承受温度的急剧变化而不致破坏的能力,故又称为抗热震 性。 热稳定性破坏(即抗热振性)的类型有两种:抗热冲击断裂性和抗热冲击损伤性。 11. 提高材料抗热冲击断裂性能的措施 ①提高材料强度σ,减小弹性模量E ,σ/E 增大,即提高了材料柔韧性,这样可吸收较多的应变能而不致于开裂。晶粒较细,晶界缺陷小,气孔少且分散者,强度较高,抗热冲击断裂性较好。

材料物理性能期末复习题

期末复习题 一、填空(20) 1.一长30cm的圆杆,直径4mm,承受5000N的轴向拉力。如直径拉成3.8 mm,且体积保持不变,在此拉力下名义应力值为,名义应变值为。 2.克劳修斯—莫索蒂方程建立了宏观量介电常数与微观量极化率之间的关系。 3.固体材料的热膨胀本质是点阵结构中质点间平均距离随温度升高而增大。 4.格波间相互作用力愈强,也就是声子间碰撞几率愈大,相应的平均自由程愈小,热导率也就愈 介电常数一致,虚部表示了电介质中能量损耗的大小。 .当磁化强度M为负值时,固体表现为抗磁性。8.电子磁矩由电子的轨道磁矩和自旋磁矩组成。 9.无机非金属材料中的载流子主要是电子和离子。 10.广义虎克定律适用于各向异性的非均匀材料。 ?(1-m)2x。11.设某一玻璃的光反射损失为m,如果连续透过x块平板玻璃,则透过部分应为 I 12.对于中心穿透裂纹的大而薄的板,其几何形状因子。 13.设电介质中带电质点的电荷量q,在电场作用下极化后,正电荷与负电荷的位移矢量为l,则此偶极矩为 ql 。 14.裂纹扩展的动力是物体内储存的弹性应变能的降低大于等于由于开裂形成两个新表面所需的表面能。 15.Griffith微裂纹理论认为,断裂并不是两部分晶体同时沿整个界面拉断,而是裂纹扩展的结果。16.考虑散热的影响,材料允许承受的最大温度差可用第二热应力因子表示。 17.当温度不太高时,固体材料中的热导形式主要是声子热导。 18.在应力分量的表示方法中,应力分量σ,τ的下标第一个字母表示方向,第二个字母表示应力作用的方向。 19.电滞回线的存在是判定晶体为铁电体的重要根据。 20.原子磁矩的来源是电子的轨道磁矩、自旋磁矩和原子核的磁矩。而物质的磁性主要由电子的自旋磁矩引起。 21. 按照格里菲斯微裂纹理论,材料的断裂强度不是取决于裂纹的数量,而是决定于裂纹的大小,即是由最危险的裂纹尺寸或临界裂纹尺寸决定材料的断裂强度。 22.复合体中热膨胀滞后现象产生的原因是由于不同相间或晶粒的不同方向上膨胀系数差别很大,产生很大的内应力,使坯体产生微裂纹。 23.晶体发生塑性变形的方式主要有滑移和孪生。 24.铁电体是具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。 25.自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用。 二、名词解释(20) 自发极化:极化并非由外电场所引起,而是由极性晶体内部结构特点所引起,使晶体中的每个晶胞内存在固有电偶极矩,这种极化机制为自发极化。 断裂能:是一种织构敏感参数,起着断裂过程的阻力作用,不仅取决于组分、结构,在很大程度上受到微观缺陷、显微结构的影响。包括热力学表面能、塑性形变能、微裂纹形成能、相变弹性 能等。

无机材料物理性能习题解答

这有答案,大家尽量出有答案的题材料物理性能 习题与解答 吴其胜 盐城工学院材料工程学院 2007,3

目录 1 材料的力学性能 (2) 2 材料的热学性能 (12) 3 材料的光学性能 (17) 4 材料的电导性能 (20) 5 材料的磁学性能 (29) 6 材料的功能转换性能 (37)

1材料的力学性能 1-1一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至 2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。 解:根据题意可得下表 由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。 1-2一试样长40cm,宽10cm,厚1cm ,受到应力为1000N 拉力,其杨氏模量为3.5×109 N/m 2,能伸长多少厘米? 解: 拉伸前后圆杆相关参数表 ) (0114.010 5.310101401000940000cm E A l F l E l l =?????=??= ?=?=?-σ ε0816.04.25 .2ln ln ln 2 2 001====A A l l T ε真应变) (91710 909.44500 60MPa A F =?==-σ名义应力0851 .0100=-=?=A A l l ε名义应变) (99510 524.44500 6 MPa A F T =?= = -σ真应力

1-3一材料在室温时的杨氏模量为3.5×108 N/m 2,泊松比为0.35,计算其剪切模量和体积模量。 解:根据 可知: 1-4试证明应力-应变曲线下的面积正比于拉伸试样所做的功。 证: 1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。 解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。则有 当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2)可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。 1-6试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图,并算出t = 0,t = ∞ 和t = τ时的纵坐标表达式。 解:Maxwell 模型可以较好地模拟应力松弛过程: V oigt 模型可以较好地模拟应变蠕变过程: )21(3)1(2μμ-=+=B G E ) (130)(103.1)35.01(210 5.3) 1(28 8 MPa Pa E G ≈?=+?= += μ剪切模量) (390)(109.3) 7.01(310 5.3) 21(38 8 MPa Pa E B ≈?=-?= -=μ体积模量. ,. ,112 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 S W VS d V ld A Fdl W W S W V Fdl V l dl A F d S l l l l l l ∝=== = ∝= = = =??? ? ? ?亦即做功或者:亦即面积εε εε εε εσεσεσ) (2.36505.08495.03802211GPa V E V E E H =?+?=+=上限弹性模量 ) (1.323)84 05.038095.0()(11 2211GPa E V E V E L =+=+=--下限弹性模量 ). 1()()(0)0() 1)(()1()(1 //0 ----= = ∞=-∞=-= e e e E t t t στεσεεεσετ τ ;;则有:其蠕变曲线方程为:. /)0()(;0)();0()0((0)e (t)-t/e στσσσσσστ ==∞==则有::其应力松弛曲线方程为

材料物理性能复习总结

1、 ?拉伸曲线: ?拉伸力F-绝对伸长△L的关系曲线。 ?在拉伸力的作用下,退火低碳钢的变形过程四个阶段: ?1)弹性变形:O~e ?2)不均匀屈服塑性变形:A~C ?3)均匀塑性变形:C~B ?4)不均匀集中塑性变形:B~k ?5)最后发生断裂。k~ 2、弹性变形定义: ?当外力去除后,能恢复到原形状或尺寸的变形-弹性变形。 ?弹性变形的可逆性特点: ?金属、陶瓷或结晶态的高分子聚合物:在弹性变形内,应力-应变间具有单值线性 关系,且弹性变形量都较小。 ?橡胶态高分子聚合物:在弹性变形内,应力-应变间不呈线性关系,且变形量较大。 ?无论变形量大小和应力-应变是否呈线性关系,凡弹性形变都是可逆变形。 3、弹性比功:(弹性比能、应变比能),用a e 表示, ?表示材料在弹性变形过程中吸收弹性变形功的能力。 ?一般用材料开始塑性变形前单位体积吸收的最大弹性变形功表示。 ?物理意义:吸收弹性变形功的能力。 ?几何意义:应力σ-应变ε曲线上弹性阶段下的面积。 4、理想弹性材料:在外载荷作用下,应力-应变服从虎克定律,即σ=Eε,并同时满足3个条件,即: ?①应变对于应力的响应是线性的; ?②应力和应变同相位; ?③应变是应力的单值函数。

?材料的非理想弹性行为: ?可分为滞弹性、伪弹性及包申格效应等几种类型 5、滞弹性(弹性后效) ?滞弹性:是指材料在弹性范围内快速加载或卸载后,随时间的延长而产生的附加弹 性应变的现象。 6、实际金属材料具有滞弹性。 ?1)单向加载弹性滞后环 ?在弹性区内单向快速加载、卸载时,加载线与卸载线会不重合(应力和应变不同步), 形成一封闭回线,称为弹性滞后环。 ?2)交变加载弹性滞后环 ?交变载荷时,若最大应力<宏观弹性极限,加载速率比较大,则也得到弹性滞后环(图 b)。 ?3)交变加载塑性滞后环 ?交变载荷时,若最大应力>宏观弹性极限,则得到塑性滞后环(图c)。 7、材料存在弹性滞后环的现象说明:材料加载时吸收的变形功> 卸载时释放的变形功,有一部分加载变形功被材料所吸收。 ?这部分在变形过程中被吸收的功,称为材料的内耗。 ?内耗的大小:可用滞后环面积度量。 8、金属材料在交变载荷(振动)下吸收不可逆变形功的能力,称为金属的循环韧性,也叫金属的“内耗”。 ?严格说,循环韧性与内耗是有区别的,但有时常混用。 ?循环韧性: ?指材料在塑性区内加载时吸收不可逆变形功的能力。 ?内耗: ?指材料在弹性区内加载时吸收不可逆变形功的能力 9、循环韧性:也是金属材料的力学性能,因它表示在交变载荷(振动)下吸收不可逆变形功的能力,故又称为消振性。 ?材料循环韧性越高,则自身的消振能力就越好。 ?高的循环韧性可减振:如汽轮机叶片(1Cr13),机床材料、发动机缸体、底座等选 用灰铸铁制造。 ?低循环韧性可提高其灵敏度:如仪表和精密机械、重要的传感元件。 ?乐器所用材料的循环韧性越低,则音质越好。 10、伪弹性有些合金如(Au金-Cd镉,In铟-Tl铊等)在受一定应力时会诱发形成马氏体,相应地产生应变,应力去除后马氏体立即逆变为母相,应变回复 11、当材料所受应力超过弹性极限后,开始发生不可逆的永久变形,又称塑性变形。 12、单晶体受力后,外力在任何晶面上都可分解为正应力和切应力。 ?正应力:只能引起弹性变形及解理断裂。 ?只有在切应力的作用下,金属晶体才能产生塑性变形。 13、金属材料常见的塑性变形方式:滑移和孪生两种。 14、滑移现象: ?表面经抛光的金属单晶体在拉伸时,当应力超过屈服强度时,在表面会出现一些与 应力轴成一定角度的平行细线。 ?在显微镜下,此平行细线是一些较大的台阶(滑移带)。 ?滑移带:又是由许多小台阶组成,此小台阶称为滑移线

材料无机材料物理性能考试及答案

材料无机材料物理性能考试及答案

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无机材料物理性能试卷 一.填空(1×20=20分) 1.CsCl结构中,Cs+与Cl-分别构成____格子。 2.影响黏度的因素有____、____、____. 3.影响蠕变的因素有温度、____、____、____. 4.在____、____的情况下,室温时绝缘体转化为半导体。 5.一般材料的____远大于____。 6.裂纹尖端出高度的____导致了较大的裂纹扩展力。 7.多组分玻璃中的介质损耗主要包括三个部分:____、________、____。 8.介电常数显著变化是在____处。 9.裂纹有三种扩展方式:____、____、____。 10.电子电导的特征是具有____。 二.名词解释(4×4分=16分) 1.电解效应 2.热膨胀 3.塑性形变 4.磁畴 三.问答题(3×8分=24分) 1.简述晶体的结合类型和主要特征: 2.什么叫晶体的热缺陷?有几种类型?写出其浓度表达式?晶体中离子电导分为哪几类? 3.无机材料的蠕变曲线分为哪几个阶段,分析各阶段的特点。 4.下图为氧化铝单晶的热导率与温度的关系图,试解释图像先增后减的原因。 四,计算题(共20分) 1.求熔融石英的结合强度,设估计的表面能为1.75J/m2;Si-O的平衡原子间距为1.6×10-8cm,弹性模量值从60 到75GPa。(10分) 2.康宁1273玻璃(硅酸铝玻璃)具有下列性能参数: =0.021J/(cm ·s ·℃);a=4.6×10-6℃-1;σp=7.0kg/mm2,

材料物理性能复习总结

第一章电学性能 1.1 材料的导电性 ,ρ称为电阻率或比电阻,只与材料特性有关,而与导体的几何尺寸无关,是评定材料导电性的基本参数。ρ的倒数σ称为电导率。 一、金属导电理论 1、经典自由电子理论 在金属晶体中,正离子构成了晶体点阵,并形成一个均匀的电场,价电子是完全自由的,称为自由电子,它们弥散分布于整个点阵之中,就像气体分子充满整个容器一样,因此又称为“电子气”。它们的运动遵循理想气体的运动规律,自由电子之间及它们与正离子之间的相互作用类似于机械碰撞。当对金属施加外电场时,自由电子沿电场方向作定向加速运动,从而形成了电流。在自由电子定向运动过程中,要不断与正离子发生碰撞,使电子受阻,这就是产生电阻的原因。 2、量子自由电子理论 金属中正离子形成的电场是均匀的,价电子与离子间没有相互作用,可以在整个金属中自由运动。但金属中每个原子的内层电子基本保持着单个原子时的能量状态,而所有价电子却按量子化规律具有不同的能量状态,即具有不同的能级。 0K时电子所具有最高能态称为费密能E F。 不是所有的自由电子都参与导电,只有处于高能态的自由电子才参与导电。另外,电子波在传播的过程中被离子点阵散射,然后相互干涉而形成电阻。 马基申定则:′,总的电阻包括金属的基本电阻和溶质(杂质)浓度引起的电阻(与温度无关);从马基申定则可以看出,在高温时金属的电阻基本取决于,而在低温时则决定于残余电阻′。 3、能带理论 能带:由于电子能级间隙很小,所以能级的分布可看成是准连续的,称为能带。 图1-1(a)、(b)、(c),如果允带内的能级未被填满,允带之间没有禁带或允带相互重叠,在外电场的作用下电子很容易从一个能级转到另一个能级上去而产生电流,具有这种能带结构的材料就是导体。 图1-1(d),若一个满带上面相邻的是一个较宽的禁带,由于满带中的电子没有活动的余地,即便是禁带上面的能带完全是空的,在外电场作用下电子也很难跳过禁带,具有这种能带结构的材料是绝缘体。

材料物理性能复习思考题汇总

材料物理性能复习思考题汇总 第一章绪论及材料力学性能 一.名词解释与比较 名义应力:材料受力前面积为A,则δ。=F/A,称为名义应力 工程应力:材料受力后面积为A。,则δT =F/A。,称为工程应力 拉伸应变:材料受到垂直于截面积方向大小相等,方向相反并作用在同一条直线上的两个拉伸应力时发生的形变。 剪切应变:材料受到平行于截面积大小相等,方向相反的两个剪切应力时发生的形变。 结构材料:以力学性能为基础,以制造受力构件所用材料 功能材料:具有除力学性能以外的其他物理性能的材料。 晶须:无缺陷的单晶材料 弹性模量:材料发生单位应变时的应力 刚性模量:反映材料抵抗切应变的能力 泊松比:反映材料横向正应变与受力方向线应变的比值。(横向收缩率与轴向收缩率的比值) 形状因子:塑性变形过程中与变形体尺寸,工模具尺寸及变形量相关参数。 平面应变断裂韧性:一个考虑了裂纹尺寸并表征材料特征的常数 弹性蠕变:对于金属这样的实际弹性体,当对它施加一定的应力时,它除了产生一个瞬时应变以外,还会产生一个随时间而变化的附加应变(或称为弛豫应变),这一现象称为弹性蠕变。 蠕变:在恒定的应力δ作用下材料的应变随时间增加而逐渐增大的现象 材料的疲劳:裂纹在使用应力下,随着时间的推移而缓慢扩展。 应力腐蚀理论:在一定环境温度和应力场强度因子作用下,材料中关键裂纹尖端处,裂纹扩展动力与裂纹扩展阻力的比较,构成裂纹开裂和止裂的条件。 滑移系统:滑移面族和滑移方向为滑移系统 相变增韧:利用多晶多相陶瓷中某些相成分在不同温度的相变,从而增韧的效果,统称相变增韧 弥散强化:在基体中渗入具有一定颗粒尺寸的微细粉料,达到增韧效果,这称为弥散增韧 屈服强度:屈服强度是金属材料发生屈服现象时的屈服极限,亦即抵抗微量塑性变形的应力 法向应力:导致材料伸长或缩短的应力 切向应力:引起材料切向畸变的应力 应力集中:受力构件由于外界因素或自身因素导致几何形状、外形尺寸发生突变而引起局部范围内应力显著增大的现象。

无机材料物理性能期末复习题

期末复习题参考答案 一、填空 1.一长30cm的圆杆,直径4mm,承受5000N的轴向拉力。如直径拉成3.8 mm,且体积保持不变,在此拉力下名义应力值为,名义应变值为。 2.克劳修斯—莫索蒂方程建立了宏观量介电常数与微观量极化率之间的关系。 3.固体材料的热膨胀本质是点阵结构中质点间平均距离随温度升高而增大。 4.格波间相互作用力愈强,也就是声子间碰撞几率愈大,相应的平均自由程愈小,热导率也就愈低。 5.电介质材料中的压电性、铁电性与热释电性是由于相应压电体、铁电体和热释电体都是不具有对称中心的晶体。 6.复介电常数由实部和虚部这两部分组成,实部与通常应用的介电常数一致,虚部表示了电介质中能量损耗的大小。 7.无机非金属材料中的载流子主要是电子和离子。 8.广义虎克定律适用于各向异性的非均匀材料。 ?(1-m)2x。9.设某一玻璃的光反射损失为m,如果连续透过x块平板玻璃,则透过部分应为 I 10.对于中心穿透裂纹的大而薄的板,其几何形状因子Y= 。 11.设电介质中带电质点的电荷量q,在电场作用下极化后,正电荷与负电荷的位移矢量为l,则此偶极矩为 ql 。 12.裂纹扩展的动力是物体内储存的弹性应变能的降低大于等于由于开裂形成两个新表面所需的表面能。 13.Griffith微裂纹理论认为,断裂并不是两部分晶体同时沿整个界面拉断,而是裂纹扩展的结果。14.考虑散热的影响,材料允许承受的最大温度差可用第二热应力因子表示。 15.当温度不太高时,固体材料中的热导形式主要是声子热导。 16.在应力分量的表示方法中,应力分量σ,τ的下标第一个字母表示方向,第二个字母表示应力作用的方向。 17.电滞回线的存在是判定晶体为铁电体的重要根据。 18.原子磁矩的来源是电子的轨道磁矩、自旋磁矩和原子核的磁矩。而物质的磁性主要由电子的自旋磁矩引起。 19. 按照格里菲斯微裂纹理论,材料的断裂强度不是取决于裂纹的数量,而是决定于裂纹的大小,即是由最危险的裂纹尺寸或临界裂纹尺寸决定材料的断裂强度。 20.复合体中热膨胀滞后现象产生的原因是由于不同相间或晶粒的不同方向上膨胀系数差别很大,产生很大的内应力,使坯体产生微裂纹。 21.晶体发生塑性变形的方式主要有滑移和孪生。 22.铁电体是具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。 23.自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用。 二、名词解释 自发极化:极化并非由外电场所引起,而是由极性晶体内部结构特点所引起,使晶体中的每个晶胞内存在固有电偶极矩,这种极化机制为自发极化。 断裂能:是一种织构敏感参数,起着断裂过程的阻力作用,不仅取决于组分、结构,在很大程度上受到微观缺陷、显微结构的影响。包括热力学表面能、塑性形变能、微裂纹形成能、相变弹性 能等。 滞弹性:当应力作用于实际固体时,固体形变的产生与消除需要一定的时间,这种与时间有关的弹性称为滞弹性。 格波:处于格点上的原子的热振动可描述成类似于机械波传播的结果,这种波称为格波,格波的一个

材料物理性能思考题

材料物理性能思考题 第一章:材料电学性能 1如何评价材料的导电能力?如何界定超导、导体、半导体和绝缘体材料? 2 经典导电理论的主要内容是什么?它如何解释欧姆定律?它有哪些局限性? 3 自由电子近似下的量子导电理论如何看待自由电子的能量和运动行为? 4 根据自由电子近似下的量子导电理论解释:准连续能级、能级的简并状态、 简并度、能态密度、k空间、等幅平面波和能级密度函数。 5 自由电子近似下的等能面为什么是球面?倒易空间的倒易节点数与不含自旋 的能态数是何关系?为什么自由电子的波矢量是一个倒易矢量? 6 自由电子在允许能级的分布遵循何种分布规律?何为费米面和费米能级?何 为有效电子?价电子与有效电子有何关系?如何根据价电子浓度确定原子的费米半径? 7 自由电子的平均能量与温度有何种关系?温度如何影响费米能级?根据自由 电子近似下的量子导电理论,试分析温度如何影响材料的导电性。 8 自由电子近似下的量子导电理论与经典导电理论在欧姆定律的微观解释方面 有何异同点?

9 何为能带理论?它与近自由电子近似和紧束缚近似下的量子导电理论有何关 系? 10 孤立原子相互靠近时,为什么会发生能级分裂和形成能带?禁带的形成规律 是什么?何为材料的能带结构? 11 在布里渊区的界面附近,费米面和能级密度函数有何变化规律?哪些条件下 会发生禁带重叠或禁带消失现象?试分析禁带的产生原因。 12 在能带理论中,自由电子的能量和运动行为与自由电子近似下有何不同? 13 自由电子的能态或能量与其运动速度和加速度有何关系?何为电子的有效质 量?其物理本质是什么? 14 试分析、阐述导体、半导体(本征、掺杂)和绝缘体的能带结构特点。 15 能带论对欧姆定律的微观解释与自由电子近似下的量子导电理论有何异同 点? 16 解释原胞、基矢、基元和布里渊区的含义

无机材料物理性能重点

一·辨析 1. 铁电体与铁磁体的定义和异同 答:铁电体是指在一定温度范围内具有自发极化,并且自发极化方向可随外加电场作可逆转动的晶体。铁磁体是指具有铁磁性的物质。 2. 本征(固有离子)电导与杂质离子电导 答:本征电导是源于晶体点阵的基本离子的运动。这种离子自身随着热振动离开晶体形成热缺陷。这种热缺陷无论是离子或者空位都是带电的,因而都可作为离子电导载流子。显然固有电导在高温下特别显著;第二类是由固定较弱的离子的运动造成的,主要是杂质离子。杂质离子是弱联系离子,所以在较低温度下杂质电导表现显著。 相同点:二者的离子迁移率 和电导率 表达形式相同 不同点:a.本征离子电导载流子浓度与温度有关,而杂质离子电导载流子浓度与温度无关,仅决定于杂质的含量 B.由于杂质载流子的生成不需要提供额外的活化能,即他的活化能比在正常晶格上的活化能要低得多,因此其系数B 比本征电导低一些 C.低温部分有杂质电导决定,高温部分由本征电导决定,杂质越多,转折点越高 3. 离子电导和电子电导 答:携带电荷进行定向输送形成电流的带点质点称为载流子。载流子为离子或离子空位的为离子电导;载流子是电子或空穴的为电子电导 不同点:a.离子电导是载流子接力式移动,电子电导是载流子直达式移动 B.离子电导是一个电解过程,符合法拉第电解定律,会发生氧化还原反应,时间长了会对介质内部造成大量缺陷及破坏;而电子电导不会对材料造成破坏 C.离子电导产生很困难,但若有热缺陷则会容易很多;一般材料不会产生电子电导,一般通过掺杂形式形成能量上的自由电子 D.电子电导的电导率远大于离子电导(原因:1.当温度升高时,晶体内的离子振动加剧,对电子产生散射,自由电子或电子空穴的数量大大增加,总的效应还是使电子电导非线性地大大增加;2.在弱电场作用下,电子电导和温度成指数式关系,因此电导率的对数也和温度的倒数成直线关系;3.在强电场作用下,晶体的电子电导率与电场强度之间不符合欧姆定律,而是随场强增大,电导率有指数式增加 4.铁电体与反铁电体 答:铁电体是指在一定温度范围内具有自发极化,并且自发极化方向可随外加电场作可逆转动的晶体;反铁电体是指晶体中相邻的离子沿反平行方向发生自发极化,宏观上自发极化为零且无电滞回线的材料 不同点:1.在反铁电体的晶格中,离子有自发极化,以偶极子形式存在,偶极子成对的按反平行方向排列,这两部分偶极子的偶极矩大小相等,方向相反;而在铁电体的晶格中,偶极子的极性是相同的,为平行排列 2.反铁电体具有双电滞回线,铁电体具有电滞回线 3.当外电场降至零时,反铁电体无剩余极化,铁电体存在剩余计 铁电体 铁磁体 自发极化 自发磁化 不含铁 含铁 电畴 磁畴 电滞回线 磁滞回线

材料物理性能期末复习重点-田莳

1.微观粒子的波粒二象性 在量子力学里,微观粒子在不同条件下分别表现出波动或粒子的性质。这种量子行为称为波粒二象性。 2.波函数及其物理意义 微观粒子具有波动性,是一种具有统计规律的几率波,它决定电子在空间某处出现的几率,在t 时刻,几率波应是空间位置(x,y,z,t)的函数。此函数 称波函数。其模的平方代表粒子在该处出现的概率。 表示t 时刻、 (x 、y 、z )处、单位体积内发现粒子的几率。 3.自由电子的能级密度 能级密度即状态密度。 dN 为E 到E+dE 范围内总的状态数。代表单位能量范围内所能容纳的电子数。 4.费米能级 在0K 时,能量小于或等于费米能的能级全部被电子占满,能量大于费米能级的全部为空。故费米能是0K 时金属基态系统电子所占有的能级最高的能量。 5.晶体能带理论 假定固体中原子核不动,并设想每个电子是在固定的原子核的势场及其他电子的平均势场中运动,称单电子近似。用单电子近似法处理晶体中电子能谱的理论,称能带理论。 6.导体,绝缘体,半导体的能带结构 根据能带理论,晶体中并非所有电子,也并非所有的价电子都参与导电,只有导带中的电子或价带顶部的空穴才能参与导电。从下图可以看出,导体中导带和价带之间没有禁区,电子进入导带不需要能量,因而导电电子的浓度很 大。在绝缘体中价带和导期隔着一个宽的禁带E g ,电子由价带到导带需要外界供给能量,使电子激发,实现电子由价带到导带的跃迁,因而通常导带中导电电子浓度很小。半导体和绝缘体有相类似的能带结构,只是半导体的禁带较窄(E g 小) ,电子跃迁比较容易 1.电导率 是表示物质传输电流能力强弱的一种测量值。当施加电压于导体的两 端 时,其电荷载子会呈现朝某方向流动的行为,因而产生电流。电导率 是以欧姆定律定义为电流密度 和电场强度 的比率: κ=1/ρ 2.金属—电阻率与温度的关系 金属材料随温度升高,离子热振动的振幅增大,电子就愈易受到散射,当电子波通过一个理想品体点阵时(0K),它将不受散射;只有在晶体点阵完整性遭到破坏的地方,电子被才受到散射(不相干散射),这就是金属产生电阻的根本原因。由于温度引起的离子运动(热振动)振幅的变化(通常用振幅的均方值表示),以及晶体中异类原于、位错、点缺陷等都会使理想晶体点阵的周期性遭到破坏。这样,电子波在这些地方发生散射而产生电阻,降低导电性。 金属电阻率在不同温度范围与温度变化关系不同。一般认为纯金属在整个温度区间产生电阻机制是电子-声子(离子)散射。在极低温度下,电子-电子散射构成了电阻产生的主要机制。金属融化,金属原子规则阵列被破坏,从而增强了对电子的散射,电阻增加。 3.离子电导理论 离子电导是带有电荷的离子载流子在电场作用下的定向移动。一类是晶体点阵的基本离子,因热振动而离开晶格,形成热缺陷,离子或空位在电场作用下成为导电载流子,参加导电,即本征导电。另一类参加导电的载流子主要是杂质。 离子尺寸,质量都远大于电子,其运动方式是从一个平衡位置跳跃到另一个平衡位置。离子导电是离子在电场作用下的扩散。其扩散路径畅通,离子扩散系数就高,故导电率高。 4.快离子导体(最佳离子导体,超离子导体) 具有离子导电的固体物质称固体电解质。有些

中南大学出版的 材料物理性能名词解释总结

晶格热振动:固体材料由晶体或非晶体组成,点阵中的质点并不是静止不动的,而是围绕其平衡位置做微小振动。声频支振动:振动着的质点中频率甚低的格波,质点质点之间的相位差不大。光频支振动与之相反。热容:在没有相变和化学反应的条件下,材料温度升高1K时所吸收的热量。金属材料热容的影响因素:自由电子的影响,一般可忽略,低温热容缓慢下降,高温热容超过3R继续上升,合金成分对热容的影响。组织转变对热容的影响:一级相变和二级相变一级相变在相变点发生突变,二级,也剧烈变化但有限值,亚稳态组织转变,从亚稳态转变为稳态时要放出热量。热容的测量方法:量热计法,撒克司法,史密斯法和脉冲法。热分析法:差热分析,差示扫描量热法,热重法。热分析的应用:建立合金相图,热弹性马氏体相变研究,合金的有序无须转变研究,液相转变的研究。影响热膨胀性能的因素:键强,晶体结构,非等轴晶系的晶体,相变,化学成分。热膨胀系数的测量:机械杠杆式膨胀仪,光杠杆膨胀仪,电感式膨胀仪。热膨胀分析的应用:确定钢的组织转变点(切线法、极值法)研究加热转变。热导率:单位时间内通过单位截面面积的热量。热导率的测量:稳态法,非稳态法。材料的热冲击损坏类型:抗热冲击断裂性,抗热冲击损伤性。热应力:材料的热胀冷缩引起的内应力。提高抗热冲击断裂性能的措施:提高材料的强度减小弹性模量,提高材料的热导率,减小材料的热膨胀系数,减小表面散热系数,减小产品的有效厚度。载流子:材料中参与传导电流的带电粒子。费米球:在0K下自由电子在速度空间中分布形成一个中心对成球。掺杂半导体(n、p型)n型,所有结合键被价电子填满后仍有富裕的价电子,p型,价电子都成键后仍有些结合键上缺少价电子出现空穴。掺杂能级:掺入的异价原子使得局部结合键情况发生变化,导致半导体中出现附加能及。光致电导:半导体材料受到适当波长的电磁波辐射时,导电性会大幅度升高的现象。陶瓷材料的导电性:按用途分电子导电、离子导电,半导体、绝缘体。超导体:零电阻、完全抗磁,条件,温度条件、磁场条件、电流条件。磁化强度M:单位体积磁性材料内原子磁矩m的矢量总和。磁极化强度J:单位体积中磁偶极子矢量总和。材料按磁性分为:抗磁性、顺磁性、铁磁性、亚铁磁性和反铁磁性。磁致伸缩:铁磁体的长度或体积发生变化的现象。退磁场:在铁磁性材料内部,附加磁场方向和外加磁场方向相反。磁畴(三角畴、片状畴)矫顽力:畴壁越过最大的阻力峰所需要的磁场就相当于材料的矫顽力。剩余磁化强度:铁磁体磁化到饱和并去掉外磁场后,在磁化方向保留的Mr(剩余磁化强度)或Br(剩余磁感应强度)称为剩磁(用获得晶体结构或磁结构的办法来提高剩磁)磁滞损耗:铁磁性材料反复磁化一周,由于磁滞现象所造成的损耗(减小摩擦生热、或形成磁有序)。涡流损耗:感应电流所引起的损耗(做成薄片,提高电阻率)。剩余损耗:总损耗减去所剩下的损耗(控制杂质的量)。磁后效(约旦后效、李希特后效)交流(动态)磁性测量:伏安法、电桥法。OMR-正常磁电阻:传导电子受到磁场的洛伦兹力作用做回旋运动,使其有效的平均自由程减小所致。AMR-各向异性磁电阻效应:铁磁性的过渡金属、合金中,外加磁场方向平行于电流方向时的电阻率和外加磁场方向垂直电流方向时的电阻率不同。GMR-巨磁电阻效应:磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较无外磁场作用时纯在显著变化的现象。光的本(横波、具有偏振性)质:波粒二象性。光和固相作用的本质:电子极化、电子能态转变。影响折射率的因素:元素离子半径,电子结构,材料的结构、晶型、晶态。同质异构体,外界因素。半导体材料中的光吸收:激子吸收(能产生激子的光的吸收)、本征吸收(电子在带与带之间的跃迁所形成的吸收)发光寿命:发光体在激发停止之后

材料物理性能考试重点、复习题电子教案

材料物理性能考试重点、复习题

精品资料 1.格波:在晶格中存在着角频率为ω的平面波,是晶格中的所有原子以相同频率振动而 形成的波,或某一个原子在平衡附近的振动以波的形式在晶体中传播形成的波 2.色散关系:频率和波矢的关系 3.声子:晶格振动中的独立简谐振子的能量量子 4.热容:是分子或原子热运动的能量随温度而变化的物理量,其定义是物体温度升高1K 所需要增加的能量。 5.两个关于晶体热容的经验定律:一是元素的热容定律----杜隆-珀替定律:恒压下元素的 原子热容为25J/(K*mol);另一个是化合物的热容定律-----奈曼-柯普定律:化合物分子热容等于构成此化合物各元素原子热容之和。 6.热膨胀:物体的体积或长度随温度的升高而增大的现象称为热膨胀 7.固体材料热膨胀机理:材料的热膨胀是由于原子间距增大的结果,而原子间距是指晶 格结点上原子振动的平衡位置间的距离。材料温度一定时,原子虽然振动,但它平衡位置保持不变,材料就不会因温度升高而发生膨胀;而温度升高时,会导致原子间距增大。 8.温度对热导率的影响:在温度不太高时,材料中主要以声子热导为主,决定热导率的因 素有材料的热容C、声子的平均速度V和声子的平均自由程L,其中v通常可以看作常数,只有在温度较高时,介质的弹性模量下降导致V减小。材料声子热容C在低温下与温度T3成正比。声子平均自由程V随温度的变化类似于气体分子运动中的情况,随温度升高而降低。实验表明在低温下L值的变化不大,其上限为晶粒的线度,下限为晶格间距。在极低温度时,声子平均自由程接近或达到其上限值—晶粒的直径;声子的热容C则与T3成正比;在此范围内光子热导可以忽略不计,因此晶体的热导率与温度的三次方成正比例关系。在较低温度时,声子的平均自由程L随温度升高而减小,声子的热容C仍与T3成正比,光子热导仍然极小,可以忽略不计,此时与L相比C对声子热导率的影响更大,因此在此范围内热导率仍然随温度升高而增大,但变化率减小。 在较高温度下,声子的平均自由程L随温度升高继续减小,而声子热容C趋近于常数,材料的热导率由L随温度升高而减小决定。随着温度升高,声子的平均自由程逐渐趋近于其最小值,声子热容为常数,光子平均自由程有所增大,故此光子热导逐步提高,因此高温下热导率随温度升高而增大。一般来说,对于晶体材料,在常用温度范围内,热导率随温度的上升为下降。 9.影响热导率的因素:1)温度的影响,一般来说,晶体材料在常用温度范围内,热导率随 温度的上升而下降。2)显微结构的影响。3)化学组成的影响。4)复合材料的热导率 10.热稳定性:是指材料承受温度的急剧变化而不致破坏的能力,所以又称为抗热震性。 11.常用热分析方法:1)普通热分析法2)差热分析3)差示扫描量热法4)热重法 12.光折射:当光依次通过两种不同介质时,光的行进方向要发生改变,这种现象称为折 射 13.光的散射:材料中如果有光学性能不均匀的结构,例如含有透明小粒子、光性能不同 的晶界相、气孔或其他夹杂物,都会引起一部分光束偏离原来的传播方向而向四面八方散开来,这种现象称为光的散射。 14.吸收:光通过物质传播时,会引起物质的价电子跃迁或使原子振动,从而使光能的一 部分转变为热能,导致光能的衰减的现象 15.弹性散射:光的波长(或光子能量)在散射前后不发生变化的,称为弹性散射 16.按照瑞利定律,微小粒子对波长的散射不如短波有效,在可见光的短波侧λ=400nm 处,紫光的散射强度要比长波侧λ=720nm出红光的散射强度大约大10倍 17.色散:材料的折射率随入射光的频率的减小(或波长的增加)而减小的性质,称为材仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢2

材料物理性能

材料物理性能 热容的基本概念 当物质吸收热量温度升高时,温度每升高1K所吸收的热量称为该物质的热容。系统的温度升高1K所需的热称为该系统的热容(符号C,单位J/K)。 爱因斯坦模型 爱因斯坦应用量子论的观点,于1907年提出的计算固体热容的原子振动的简单模型。爱因斯坦模型指出:①固体内原子均以同一特征频率v振动,②每一原子有三个振动自由度,③可以将黑体辐射的普朗克公式应用到固体中原子的振动上去,且每一振动自由度的振子作为线性振子而具有平均能量。 当T》θE时得C V,m≈3R,同用能量均分定理得到的结果一致。当T<<θE时,,随着T→0而指数地趋于零,同实验结果大致相符,解决了杜隆-珀替定律不能解释的低温下固体热容同温度有关的实验事实,但在低温下毕竟下降得快了些。 德拜模型 每一个独立谐振子的振动是一种简正振动模式,弹性媒质的一种简正振动模式是具有一定频率、波长和传播方向的弹性波。 为把固体看作是连续的弹性媒质,德拜模型只考虑那些频率非常低(近似取为零)直到极限频率Vm范围内的振动模式。由于n的数目很大,3n种振动频率可看作是连续分布在零到Vm区间内,则3n个不同频率的独立谐振子的总能量就由分立的求和变为积分,Uo是同温度无关的常数,ρ(v)称频率分布函数。(具体教材P7) 热膨胀的物理本质及影响因素 A:物理本质:材料热膨胀的物理本质是质点振动的非简谐效应。 (1)质点在平衡位置两侧受力不对称,质点振动时的平均位置不在r0处,而要向右移。因此相邻质点间平均距离增加。温度越高,振幅越大,质点在r0两侧受力不对称情况越显著,平衡位置向右移动越多,相邻质点间平均距离就增加得越多,以致晶胞参数增大,晶体膨胀。(双原子模型)P20 (2)用势能曲线解释 势能曲线不是严格对称抛物线。 势能随原子间距的减小,比随原子间距的增加而增加得更迅速。 原子的能量随温度的增加而增加,温度越高,平均位置移得越远,引起晶体的膨胀。B:影响因素: 1.相变的影响一级相变:伴随比热容的突变,相应的膨胀系数将有不连续变化,其转变点处膨胀系数将为无限大。二级相变:相变点处膨胀系数曲线有折点。 2.成分和组织的影响形成固溶体时,一般溶质元素的膨胀系数高于溶质基体时,将增大膨胀系数;结构紧密的固体,膨胀系数大,反之,膨胀系数小;若果材料由不同结构和性能的相机械混合而成,各相膨胀系数的差异导致内应力,而内应力将抑制物体的热膨胀。 3.各向异性的影响晶体的各向异性膨胀,各层间的结合力不同引起热膨胀不同。 4.铁磁性转变对于铁磁性的金属和合金,膨胀系数随温度变化将出现反常,即在正常的膨胀曲线上出现附加的膨胀峰。 膨胀分析法确定钢的组织转变温度 在组织转变之前或转变之后,试样的膨胀或收缩时单纯由温度变化引起的。在组织转变的温度范围内,除单纯由温度引起的长度变化外,又附加了组织转变的体积效应,由于附加的膨胀效应,膨胀曲线偏离一般规律。因此,在组织转变开始和转变终了时,曲线便出现了拐点,拐点即对应转变的开始及终了温度。P32

材料物理性能期末复习考点教学内容

材料物理性能期末复 习考点

一名词解释 1.声频支振动:震动着的质点中所包含的频率甚低的格波,质点彼此之间的相位差不大,格波类似于弹性体中的应变波,称声频支振动。 2.光频支振动:格波中频率甚高的振动波,质点间的相位差很大,临近质点的运动几乎相反,频率往往在红外光区,称光频支振动。 3.格波:材料中一个质点的振动会影响到其临近质点的振动,相邻质点间的振,动会形成一定的相位差,使得晶格振动以波的形式在整个材料内传播的波。 4.热容:材料在温度升高和降低时要时吸收或放出热量,在没有相变和化学反应的条件下,材料温度升高1K时所吸收的热量。 5.一级相变:相变在某一温度点上完成,除体积变化外,还同时吸收和放出潜热的相变。 6.二级相变:在一定温度区间内逐步完成的,热焓无突变,仅是在靠近相变点的狭窄区域内变化加剧,其热熔在转变温度附近也发生剧烈变化,但为有限值的相变。 7.热膨胀:物体的体积或长度随温度升高而增大的现象。 8.热膨胀分析:利用试样体积变化研究材料内部组织的变化规律的方法。 9.热传导:当材料相邻部分间存在温度差时,热量将从温度高的区域自动流向温度低的区域的现象。 10.热稳定性(抗热震性):材料称受温度的急剧变化而不致破坏的能力。 11.热应力:由于材料的热胀冷缩而引起的内应力。 12.材料的导电性:在电场作用下,材料中的带电粒子发生定向移动从而产生宏观电流 13.载流子:材料中参与传导电流的带电粒子称为载流子 14.精密电阻合金:需要电阻率温度系数TRC或者α数值很小的合金,工程上称其为精密电阻合金 15.本征半导体:半导体材料中所有价电子都参与成键,并且所有键都处于饱和(原子外电子层填满)状态,这类半导体称为本征半导体。 16. n型半导体:掺杂半导体中或者所有结合键处被价电子填满后仍有部分富余的价电子的这类半导体。 17. p型半导体:在所有价电子都成键后仍有些结合键上缺少价电子,而出现一些空穴的一类半导体。 18.光致电导:半导体材料材料受到适当波长的电磁波辐射时,导电性会大幅升高的现象。

材料物理性能作业及课堂测试

热学作业(一) 1. 请简述关于固体热容的经典理论. 爱因斯坦热容模型解决了热容经典理论存在的什么问题?其本身又存在什么问题?为什么会出现这样的问题?德拜模型怎样解决了爱因斯坦模型的问题? 答:固体热容的经典理论包括关于元素热容的杜隆-珀替定律,以及关于化合物热容的柯普定律。前者内容为:恒压下元素的原子热容约为25 J/(K·mol)。后者内容为:化合物分子热容等于构成该化合物的各元素原子热容之和。 爱因斯坦热容模型解决了热容经典理论中C m 不随T 变化的问题。在高温下爱因斯坦模型与经典理论一致,与实际情况相符,在0K 时C m 为0,但该模型得出的结论是C m 按指数规律随T 变化,这与实际观察到的C m 按T 3变化的规律不一致。 之所以出现这样的问题是因为爱因斯坦热容模型对原子热振动频率的处理过于简化——原子并不是彼此独立地以同样的频率振动的,而是相互间有耦合作用。 德拜模型主要考虑声频支振动的贡献,把晶体看作连续介质,振动频率可视为从0到ωmax 连续分布的谱带,从而较为准确地处理了热振动频率的问题。 2. 金属Al 在30K 下的C v,m =0.81J/K·mol ,其θD 为428K. 试估算Al 在50K 及500K 时的热容C v,m . 解:50K 远低于德拜温度428K ,在此温度下,C v 与T 3成正比,即3T A C v ?= 则 53310330 81 .0-?=== T C A v J/mol·K 4 故50K 时的恒容热容75.3501033 53=??=?=-T A C v J/mol·K 500K 高于德拜温度,故此温度下的恒容摩尔热容约为定值3R ,即: 9.2431.833=?=?=R C v J/mol·K 热学作业(二) 1、晶体加热时,晶格膨胀会使得其理论密度减小. 例如,Cu 在室温(20℃)下密度为8.94g/cm 3,待加热至1000℃时,其理论密度值为多少?(不考虑热缺陷影响,Cu 晶体从室温~1000℃的线膨胀系数为17.0×10-6/℃) 解:因为3202020a m V m D == ,31000 10001000a m V m D ==

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