电压基准的特性及选用
摘要从实际应用角度,介绍了电压基准的种类及特点,主要技术参数,选用电压基准的方法和注意事项。
关键词齐纳基准带隙基准 XFET基准初始精度温度系数
一、电压基准及其应用领域
电压基准可提供一个精度远比电压稳压器高的多的精确输出电压,作为某个电路系统中的参考比较电压,因而称其为基准。电压基准在某些方面与电压稳压器类似,但二者的用途绝然不同。电压稳压器除了向负载输出一个稳定电压外还要供给功率。电压基准的主要用途是为系统或负载提供一个精确的参考电压,而其输出电流通常在几至几十个毫安。
电压基准的用途十分广泛,典型的应用常见于数据采集系统,用于为模数变换器或数模变换器提供一个基准参考电压。另外,它还可用于各类开关或线性电压变换电路、仪器仪表电路和电池充电器中。
二、电压基准的主要参数
1. 初始精度(Initial Accuracy
初始精度用于衡量一个电压基准输出电压的精确度或容限,即电压基准工作时,其输出电压偏离其正常值的大小。通常,初始精度采用百分数表示,它并非是一个电压单位,故需换算才能获得电压偏离值的大小。例如,一个标称电压为2.5V的基准,初始精度为±1%,则其电压精度范围为:
5.2~
5.2
=
1
×
±
=
±
%
.2
5.2
V
475
V525
.0
025
.2
在厂商的数据手册中,初始电压精度通常是在不加载或在特定的负载电流条件下测量的。对于电压基准而言,初始精度是一个最为重要的性能指标之一。
2. 温度系数(Temperature Coefficient
温度系数(简称TC用于衡量一个电压基准,其输出电压因受环境温度变化而偏离正常值的改变程度,它也是基准电压最重要的性能指标之一,通常用ppm/℃表示(ppm是英文part per million的缩写,1ppm表示百万分之一。例如,一个基准标称电压为10V,温度系数为10ppm/℃,则环境温度每变化1℃,其输出电压改变10V×10×10-6=100μV。需注意的是,温度系数可能是正向的,即基准的输出电压随温度的升高而变大,也可能是负向的,即基准的输出电压随温度的升高而变小,具体可查看厂商数据手册中的温度曲线图表。
3. 热迟滞(Temperature Hysteresis
当电压基准的温度从某一点开始经受变化,然后再次返回该温度点,前后二次在同一温度点测得的电压值之差即为热迟滞。该参数虽不如温度系数重要,但对于温度同期性变化超过25℃的情况仍是需引起重视的一个误差源。
4. 长期漂移(Long-term Drift
在数日、数月或更长持续的工作期间,电压基准输出电压的慢变化称为长期漂移或稳定性,通常用ppm/1000h表示。当我们选用一个电压基准,要求它在持续数日、数周、数月基至数年的工作条件下保持输出电压精度,那么长期漂移便是一个必须考虑的性能参数。
5. 噪声(Noise
这里所说的噪声指电压基准输出端的电噪声,它又包括两种类型,一种是宽频带的热噪声,另一种是窄带(0.1~10Hz 噪声。宽带热噪声较小,且可利用简单的RC 网络滤除。窄带噪声是基准内部固有的且不可滤掉。在高精密设计中,噪声的因素是不可忽视的。 6. 导通建立时间(Turn-on Setting Time
系统加电后,基准输出电压达到稳定的建立时间,该参数对于采用电池供电的便携式系统来说是重要的,因为这类系统为了节省电能,常采用短时的或间隙方式供电。 7. 输入电压调整率(Line Regulation
用于衡量因输入电压变化引起的输出电压的改变,这是一个直流参数,并不包括输入电压纹波或瞬变电压产生的影响。通过在输入端加一个预置稳压器或一个低成本的RC 滤波器,即可有效地改善输入电压调整率。
8. 负载调整率(Load Regulation
用于衡量因负载电流变化引起的输出电压的改变。这也是一个直流参数,并不包括负载瞬变产生的影响。通过在基准输出端接一个适当容量的低ESR (等效串联电阻特性的电容器,将有助于改善负载调整率。
三、电压基准的类型
1. 按工作原理划分
(1. 并联基准(Shunt Reference
如图1所示,并联基准工作时与负载是并联的关系,基准电压V REF =V IN -I F ×R=V IN -(I Q +I L ×R ,当输入电压V IN 或负载电流I L 发生产化时,这类基准通过调节I Q 来保持V REF 的稳定。并联基准只有2个引脚,价格较便宜,较适用于负载电流变化不大的场合。缺点是功耗相对较大,输入电压调整率不太理想。常见的并联基准型号有LM358、AD589等。
图1 并联基准
(2. 串联基准(Series Reference
如图2所示,串联基准工作时与负载是串联的关系,基准电压V REF =V IN -I F ×R S =V IN -(I Q +I L ×R S ,由于I Q 很小且基本保持恒定,故当V IN 或I L 发生变化时,串联基准通过调节内部的R S 阻值来保持V REF 的稳定。串联基准有3个引脚,输入输出压差和I Q 可做的较小,故更适用于电池供电场合。常见的串联基准型号有AD581、REF192等。
V REF
Rs 并联基准R L
I Q
I L
图2 串联基准
2. 按技术工艺划分
(1. 齐纳基准(Zener Reference
齐纳基准的优点是成本低,封装小,工作电压范围宽。缺点是功耗大,初始精度低,温度系数差,输入电压调整率不好,使用时需根据供电电压和负载电流串接一个电阻为其提供恒定电流,以便保持输出电压稳定。齐纳基准通常用于要求不高的场合,或用作电压钳位器。
(2. 掩埋齐纳基准(Buried Zener Reference
掩埋齐纳基准具有很高的初始精度,好的温度系数和长期漂移稳定性,噪声电压低,总体性能优于其它类型的基准,故常用于12位或更高分辨率的系统中。掩埋齐纳基准通常要求至少5V 以上的供电电压,并要消耗几百微安的电流,价格较昂贵。
(3. 带隙基准(Bandgap Reference
带隙基准的初始精度、温度系数、长期漂移、噪声电压等性能指标从低到高覆盖面较宽,较适用于8~10位精度的系统中。该类基准既有为通常目的设计的类型,也有静态电流小至几十微安,输入输出电压差较低而适用于电池供电场合的产品,因而应用范围很宽。综合来看,带隙基准性能良好,价格适中,是性价比最高的电压基准。
(4. XFET 基准
XFET 是一种新型的电压基准,它的性能水平界于带隙和齐纳基准之间。静态电流很低,可用于3V 电压系统,并且仍能保持良好的性能。XFET 基准有3项显著的特
点:其一是在相同的工作电流条件下,它的峰-峰值噪声电压通常比带隙基准低数倍;其二是XFET 基准在工业级温度范围内具有十分平坦或线性的温度系数曲线,而带隙和齐纳基准的温度系数曲线在温度范围两端常是非线性的,这种非线性不便于通过软件来加以修正;其三是XFET 基准具有极好的长期漂移稳定性。
(5. 4种基准性能比较
表一以ADI 公司的电压基准产品为例,对掩埋齐纳、带隙和XFET 三种类型基准的主要性能作一比较,由于生产电压基准产品的公司很多,每一类产品自身的性能从高到低差别很大,故表一主要从总体上比较三种基准的性能特点,以便在选用时有一个参考。
V REF
R L
I L
I Q R S
I F
串联基准
表一掩埋齐纳、带隙和XFET 基准主要性能比较
掩埋齐纳基准带隙基准 XFET 基准工作电压 > 5V
可低至3V 可低至2.7V 静态电流3~10mA 0.45~2mA 5~20μA 初始精度
0.01%~0.5% 0.04%~1.0% 0.06%~0.3% 温度系数 1~20ppm/℃ 3~100ppm/℃
8~25ppm/℃噪声电压(0.1~10Hz
4~10μV 4~50μV 6~10μV 长期漂移15~75μV/Kh 4~250μV/Kh 0.2~1μV/Kh
适用场合 12位或以上较高精度的系统。 8~10位精度,或低压、低功耗,要求一般的系统。低压、低功耗且较高精度的系统。
四、电压基准的选用
ADI 、NS 、Maxim 、Linear 、TI 等都是国际上著名的模拟产品供应商,它们可提供各种类型的基准产品。
根据前面的讨论,引起电压基准输出电压背离标称值的主要因素是:初始精度、温度系数、噪声,以及长期漂移等。因此,在选择一个电压基准时,需根据系统要求的分辨率精度、供电电压、工作温度范围等情况综合考虑,不能简单地以单个参数(如初始精度为选择条件。举例来说,一个12位数据采集系统,要求分辨到1LSB (相当于1/212=244ppm ,如果工作温度范围在10℃,那么一个初始精度为0.01%(相当于100ppm ,温度系数为10ppm/℃(温度范围内偏移100ppm 的基准已能满足系统的精度要求,因为基准引起的总误差为200ppm ,但如果工作温度范围扩大到15℃以上,该基准就不再适用了。
对于初始精度,主要是根据系统的精度要求进行选择。对于数据采集系统,如果采用n 位的ADC ,那么其满刻度分辨率为1/2n ,若要求达到1LSB 的精度,则所配电压基准的初始精度可由下式确定:
%1021102126×=×≤n n
ppm 初始精度考虑到其它误差的影响,实际的初始精度还要选得比上式更高一些,比如按1/2LSB 的分辨率精度来计算,即上式所得结果再除以2。
温度系数是电压基准另一个重要的参数,它的确定除了与系统要求的精度有关外,还与系统的工作温度范围有直接的关系。对于数据采集系统,假设所用ADC 的位数是n ,要求达到1LSB 的精度,工作温度范围是ΔT ,那么基准的温度系数TC 可由下式确定:
T
TC n ?×≤2106
同样地,考虑到其它误差的影响,实际的TC 值还要选得比上式更小一些。温度范围ΔT 通常可以25℃为基准来计算,以工业温度范围-40℃~+85℃为例,ΔT 可取60℃(85℃-25℃,因为生产厂商通常在25℃附近将基准因温度变化引起的误差调到最小。
图3是一个十分有用的速查工具,它以25℃为变化基准,温度在1℃~100℃变化时,8~20位ADC 在1LSB 分辨精度的要求下,将所需基准的TC 值绘制成图,由该图表可迅速查得所需的TC 值。
图3 系统精度与基准温度系数TC 的关系
大多数电压基准的噪声电压相对其它误差而言绝对值较小,故对于精度不高的系统其影响并不突出,但对于高精度系统,需引起高度重视。对于宽带噪声,通过在输出端增加一个低ESR (等效串联电阻电容或一个RC 滤波器就可有效加以抑制,但要注意所加电容的容量要按数据手册推荐的值选取,如果选得太大,可能引起振荡而破坏输出电压的稳定性,另一个后果是会使导通建立时间变长。至于0.1~10Hz 范围内的窄带1/5噪声,是基准中固有的且不能有效滤掉,故要仔细评估选择。
某些系统需长期工作,同时要求具有保持重复测量的一致性和稳定性,这时,基准的长期漂移性能指标就显得很重要。XFET 基准具有十分优良的长期漂移特性,故是最佳选择。
对于便携式系统,都要求低电压、低功耗,以便延长电池的使用时间。对于这类系统,选用XFET 基准是十分理想的,它们不仅能在低电压小电流下工作,同时还能保持很好的性能。ADI 公司的某些带隙基准如REF19X 和AD158X 系列也具备低电
压、小静态电流的特性,因而也可用于便携式系统。但这些带隙基准的长期漂移、噪声以及温度系数指标不如XFET 基准。
参考文献:
1. Roya Nasraty XFET TM References
Analog Dialogue 1998 Analog Devices,Inc.
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Precision voltage references
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Maxim Integrated Products
4. Analog Devices Inc, AD780 2.5V/3.0V High Precision Reference Datasheet T C (p p m /℃
△T (基于25℃的变化
常用开关电源芯片大 全
常用开关电源芯片大全 第1章DC-DC电源转换器/基准电压源 1.1 DC-DC电源转换器 1.低噪声电荷泵DC-DC电源转换器AAT3113/AAT3114 2.低功耗开关型DC-DC电源转换器ADP3000 3.高效3A开关稳压器AP1501 4.高效率无电感DC-DC电源转换器FAN5660 5.小功率极性反转电源转换器ICL7660 6.高效率DC-DC电源转换控制器IRU3037 7.高性能降压式DC-DC电源转换器ISL6420 8.单片降压式开关稳压器L4960 9.大功率开关稳压器L4970A 10.1.5A降压式开关稳压器L4971 11.2A高效率单片开关稳压器L4978 12.1A高效率升压/降压式DC-DC电源转换器L5970 13.1.5A降压式DC-DC电源转换器LM1572 14.高效率1A降压单片开关稳压器LM1575/LM2575/LM2575HV 15.3A降压单片开关稳压器LM2576/LM2576HV 16.可调升压开关稳压器LM2577 17.3A降压开关稳压器LM2596 18.高效率5A开关稳压器LM2678 19.升压式DC-DC电源转换器LM2703/LM2704 20.电流模式升压式电源转换器LM2733 21.低噪声升压式电源转换器LM2750 22.小型75V降压式稳压器LM5007 23.低功耗升/降压式DC-DC电源转换器LT1073 24.升压式DC-DC电源转换器LT1615 25.隔离式开关稳压器LT1725 26.低功耗升压电荷泵LT1751
27.大电流高频降压式DC-DC电源转换器LT1765 28.大电流升压转换器LT1935 29.高效升压式电荷泵LT1937 30.高压输入降压式电源转换器LT1956 31.1.5A升压式电源转换器LT1961 32.高压升/降压式电源转换器LT3433 33.单片3A升压式DC-DC电源转换器LT3436 34.通用升压式DC-DC电源转换器LT3460 35.高效率低功耗升压式电源转换器LT3464 36.1.1A升压式DC-DC电源转换器LT3467 37.大电流高效率升压式DC-DC电源转换器LT3782 38.微型低功耗电源转换器LTC1754 39.1.5A单片同步降压式稳压器LTC1875 40.低噪声高效率降压式电荷泵LTC1911 41.低噪声电荷泵LTC3200/LTC3200-5 42.无电感的降压式DC-DC电源转换器LTC3251 43.双输出/低噪声/降压式电荷泵LTC3252 44.同步整流/升压式DC-DC电源转换器LTC3401 45.低功耗同步整流升压式DC-DC电源转换器LTC3402 46.同步整流降压式DC-DC电源转换器LTC3405 47.双路同步降压式DC-DC电源转换器LTC3407 48.高效率同步降压式DC-DC电源转换器LTC3416 49.微型2A升压式DC-DC电源转换器LTC3426 50.2A两相电流升压式DC-DC电源转换器LTC3428 51.单电感升/降压式DC-DC电源转换器LTC3440 52.大电流升/降压式DC-DC电源转换器LTC3442 53.1.4A同步升压式DC-DC电源转换器LTC3458 54.直流同步降压式DC-DC电源转换器LTC3703 55.双输出降压式同步DC-DC电源转换控制器LTC3736 56.降压式同步DC-DC电源转换控制器LTC3770
如何为您的ADC选择最合适的基准电压源和放大器 主题: 驱动精密ADC：如何为您的ADC选择最合适的基准电压源和放大器? 在线问答: [问：callhxw] 如何评定一颗ADC非线性？丢码？ [答：Jing] you can use ADC"s INL and DNL parameter to evaluate the non-linearity and you can also use ENOB parameter to check code loss. Thanks!Generally ENOB releated with ADC"s SNR [2006-2-28 10:32:08] [问：吉星] 在差分输入时，不考虑直流，使用差分放大器和变压器哪个更好．[答：Mariah] Transformer is better for the better noise and distortion performance, especially in very high frequencies. [2006-2-28 10:32:14] [问：Jane Yang] 请问应如何处理板级噪声对于高精度AD的影响？特别是输入部分的噪声？ [答：Jing] This is a good question and it"s very difficult to answer. Generally, You should consider all the input noise derived from sensor/AMP/BUFFER. You can also use a LPF to reduce the input noise. Remember the BGP of AMP should be 100x of ADC"s throughput. Thanks! [2006-2-28 10:34:30] [问：石林艳] AD变换的参考基准源很重要，对模拟供电电源和数字供电电源的要求也很高吗 [答：Rui] 模拟供电电源，和数字供电电源相对基准源来说，精度要求相对较低，一般情况下用10uF的电容和0.1uF滤波即可。 [2006-2-28 10:34:31] [问：zcs_1] 请解释一下，分辨率和转换精度之间的区别 [答：Mariah] For conversion accuracy, it involves many aspecs. For example, INL, DNL, offset, gain error. [2006-2-28 10:34:46] [问：Leemour] 對不起能否講一下什麼是：RAIL TO RAIL，這個我一直不太明白。 [答：Xiangquan] 轨到轨指输入轨到轨，或输出轨到轨，具体指的是输入信号或者输出信号的范围基本接近于电源，譬如电源是+-5V，输入信号或输出信号可以达到+-4.9几V以上 [2006-2-28 10:35:25] [问：jlwg] 很多种adi的a/d转换器件都自带有标准电压源，请问是使用器件自带的标准电压源好还是另外使用独立的标准电压源更精确？ 另外使用ad7710时，每次转换通道后的第一次转换结果是否是有效的？ [答：Troy] Use an independant reference to get the highest accuracy and lowest temperature drift. It depends on how much accuracy your application needs over temperature. [2006-2-28 10:37:14] [问：xwlcba] 您提到驱动AD的运放增益带宽积要求大于100倍采样速率,请问对运放的转换速率有何具体要求? [答：Troy] To get the lowest distortion (THD), we recommend using an amplifier with at least 100x gain-bandwidth product greater than the sample rate. [2006-2-28 10:39:36] [问：bly1979m] 本人最近做了一个项目用于精确测量温度的，就用到了这两种器件！请推荐几款贵司产品？并说说它的大概价格是多少？ [答：Jing] It"s depend on the accuracy of your system requirement. I am
型号厂商引脚基准电压（V）最大开关频率（KHz）UCC28019TI85=65 UCC3817TI167.5 UCC28051TI8 2.5 UCC28060TI166 UC3852TI85 UC2854/3854TI87.5 UCC38050TI8 2.5 UCC3817 TI167.5 UCC3818TI207.5220 UCC3819TI167.5220 UCC38500/02TI207.5250 UCC385/01/03TI20250 NCP1601A ON8405 NCP1601B ON8405 NCP1654ON865/133/200 NCP1910ON24565 LT1248LT167.5300 LT1509LT207.5300 L4981A ST20 5.1=100 L4981B ST20 L6561ST8 FAN4810Fairchair16 ML4821Fairchair16/20 FAn9612Fairchair16 TEA1751NXP16 MC33/4261Motorala8
门限电压（V）工作模式功率范围（W） 10.5/9.5CCM 16.0/10.0CCM 12.5/9.7CRM 12.6/10.35CRM 16.3/11.5DCM 16.0/10.0CCM 15.8/9.7CRM 16.0/10.0CCM 10.5/10.0CCM 10.2/9.7CCM 16.0/10.0CCM 10.5/10.0CCM 13.75/9DCM+CRM 10.5/9.5DCM+CRM 10.5/9.0CCM 10.5/9.0CCM 16.5/10.5CCM/DCM 16.5/10.5CCM/DCM 15.5/10.0CCM 15.5/10.0CCM 13.0/9.9CRM 13.0/2.8CCM 16.5/11.0CCM 12.5/7.5CRM 22.0/15.0DCM 10.0/8.0CRM
MP3解码芯片选型指南 前言： 随着人们生活水平的提高，人们对生活质量的追求也越来越高了，所以人性化、智能化的产品很受消费者青睐，例如现在大多数人的家门都会装上MP3解码芯片的智能防盗电子锁，当半夜小偷非法撬门时可立即发出刺耳的报警声，惊醒入睡的房主吓跑小偷，及时避免盗窃损失，晚上再也不用担心被盗窃，可以安心的睡觉。而广州九芯的N910X系列的解码芯片就有此功能。
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常用电源芯片大全 第1章DC-DC电源转换器/基准电压源1.1 DC-DC电源转换器 1.低噪声电荷泵DC-DC电源转换器AAT3113/AAT3114 2.低功耗开关型DC-DC电源转换器ADP3000 3.高效3A开关稳压器AP1501 4.高效率无电感DC-DC电源转换器FAN5660 5.小功率极性反转电源转换器ICL7660 6.高效率DC-DC电源转换控制器IRU3037 7.高性能降压式DC-DC电源转换器ISL6420 8.单片降压式开关稳压器L4960 9.大功率开关稳压器L4970A 10.1.5A降压式开关稳压器L4971 11.2A高效率单片开关稳压器L4978 12.1A高效率升压/降压式DC-DC电源转换器L5970 13.1.5A降压式DC-DC电源转换器LM1572 14.高效率1A降压单片开关稳压器LM1575/LM2575/LM2575HV 15.3A降压单片开关稳压器LM2576/LM2576HV 16.可调升压开关稳压器LM2577 17.3A降压开关稳压器LM2596
18.高效率5A开关稳压器LM2678 19.升压式DC-DC电源转换器LM2703/LM2704 20.电流模式升压式电源转换器LM2733 21.低噪声升压式电源转换器LM2750 22.小型75V降压式稳压器LM5007 23.低功耗升/降压式DC-DC电源转换器LT1073 24.升压式DC-DC电源转换器LT1615 25.隔离式开关稳压器LT1725 26.低功耗升压电荷泵LT1751 27.大电流高频降压式DC-DC电源转换器LT1765 28.大电流升压转换器LT1935 29.高效升压式电荷泵LT1937 30.高压输入降压式电源转换器LT1956 31.1.5A升压式电源转换器LT1961 32.高压升/降压式电源转换器LT3433 33.单片3A升压式DC-DC电源转换器LT3436 34.通用升压式DC-DC电源转换器LT3460 35.高效率低功耗升压式电源转换器LT3464 36.1.1A升压式DC-DC电源转换器LT3467 37.大电流高效率升压式DC-DC电源转换器LT3782 38.微型低功耗电源转换器LTC1754 39.1.5A单片同步降压式稳压器LTC1875
串并联电路电流的特点练习 1、如图甲所示，小强用电流表探究串联电路中的电流关系，他分别用电流表测电路中A、B、C三处的电流，得知I A＝0.2A，则I B＝_______，I C＝_______，他实验的结论是_____ 。 （2）如图乙所示，L1、L2是______联的。若要测量通过L1的电流，应把电流表接在_____点上；测量L2时，电流表应接在______点上；若要测干路电流应把电流表接在_____或______点上。请在图中标出三只电流表的正、负接线柱。 甲乙 （3）按图甲把丙图用笔画线代替导线连接起来， （4）按图乙把丁图用笔画线代替导线连接起来。 丙丁 2、如图所示：如果A1的示数为0.9A，A3的示数为0.4A，则通过L1的电流是______，通过L2的电流是______，通过干路的电流是_______。 3、有一种节日小彩灯上串联着20只小灯泡，如果电源插头处的电流为200mA，则通过小灯泡的电流是_______A。 4、某家庭中正有一盏电灯和电钣锅在工作，已知通过家庭室外线的总电流为0.5A，通过电灯泡的电流为0.15A，那么通过电饭锅的电流为A． 5、如图所示，已知两电流表的示数分别是0.4A和1.2A，通过灯L1的电流是A，通过灯L2的电流是A． 6、三个相同的灯泡L1、L2、L3组成如图所示的电路，电流表A1、A2、A3的示数分别为I1、I2、I3，则它们之间的关系是（） A、I1＝I2 B、I3＝I1＋I2 C、I1＝I2＋I3 D、I2＝I3 7、如图所示，电路中能正确测出通过灯L2的电流的是：（） 8、如图所示，用电流表测干路中电流的电路图，正确的是：（） 9、如图三个电流表A1、A2、、A3的示数分别为I1、I2、I3，它们的大小关系是（） A、I1＝I2＝I3 B、I1>I2＝I3 C、I1>I2>I3 D、I1> I3> I2 10、如右图所示，L1 L2 联，通过A1的电流1.2A，通过A2的电流0.5 A， 则通过的L1电流为A，通过L2的电流为 A ，干路电流为A。 11、如图，把L1和L2连成并联电路，用电流表测L2的电流，并画出它的电路图。
电压基准芯片的参数解析及应用技巧 电压基准芯片是一类高性能模拟芯片，常用在各种数据采集系统中，实现高精度数据采集。几乎所有电压基准芯片都在为实现“高精度”而努力,但要在各种不同应用场合真正实现高精度，则需要了解电压基准的内部结构以及各项参数的涵义，并要掌握一些必要的应用技巧。 电压基准芯片的分类 根据内部基准电压产生结构不同，电压基准分为：带隙电压基准和稳压管电压基准两类。带隙电压基准结构是将一个正向偏置PN结和一个与VT（热电势）相关的电压串联，利用PN结的负温度系数与VT的正温度系数相抵消实现温度补偿。稳压管电压基准结构是将一个次表面击穿的稳压管和一个PN结串联，利用稳压管的正温度系数和PN结的负温度系数相抵消实现温度补偿。次表面击穿有利于降低噪声。稳压管电压基准的基准电压较高(约7V)；而带隙电压基准的基准电压比较低，因此后者在要求低供电电压的情况下应用更为广泛。 根据外部应用结构不同，电压基准分为：串联型和并联型两类。应用时，串联型电压基准与三端稳压电源类似，基准电压与负载串联；并联型电压基准与稳压管类似，基准电压与负载并联。带隙电压基准和稳压管电压基准都可以应用到这两种结构中。串联型电压基准的优点在于,只要求输入电源提供芯片的静态电流，并在负载存在时提供负载电流；并联型电压基准则要求所设置的偏置电流大于芯片的静态电流与最大负载电流的总和，不适合低功耗应用。并联型电压基准的优点在于，采用电流偏置，能够满足很宽的输入电压范围，而且适合做悬浮式的电压基准。 电压基准芯片参数解析 安肯（北京）微电子即将推出的ICN25XX系列电压基准，是一系列高精度，低功耗的串联型电压基准，采用小尺寸的SOT23-3封装，提供1.25V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V输出电压,并提供良好的温度漂移特性和噪声特性。
继电器 C5-M10 （TURCK RELECO） ③一般负载为纯感性与纯阻性之间，针对于设备启 停回路，触点容量可以大于２２０ＶＤＣ／５Ａ。EDPF-NT系统使用继电器主要作为DO卡输出的中间继电器使用，主要使用图尔克（TURCK RELECO德国）、欧姆龙（Omron 日本）、P&B KUEP（tyco 美国）和和泉（idec 日本）的继电器产品。 C5-M10①电力型继电器 直流大负载继电器，单极双闭合触点 内置磁吹灭弧 16A/500V AC1，10A@220V DC1 3.6A@110V DC13，2A@220V DC13② 触点指标 材质AgNi、AgSnO2 最大开关电流 16A 启动电流峰值40A 最大电压容量500V 最大交流负载4KV·A 技术说明 额定线圈功耗 2.4V·A（AC），1.3W（DC）吸合时间20ms 释放时间10ms 隔离：EN60947 pollution3,Gr C 500V 绝缘强度，线圈/触点4KV 注：①C5-M10只有一对常开接点，需要常闭接点时要选用RF-5610，C5-M10带指示灯的型 号为C5-M10X； ②AC1和DC1表示阻性负载， AC15和DC13表示感性负载。
C5-R20 （TURCK RELECO） C7-A20 （TURCK RELECO）C5-R20 磁保持继电器 具有两对可转换触点 16A/500V AC1，10A@30V DC1 6A@500V AC15，0.5A@110V DC1 触点指标 材质AgNi、AgSnO2最大开关电流10A 启动电流峰值30A 最大电压容量500V 最大交流负载 2.5KV·A 技术说明 吸合脉冲功耗 1.5V·A（W）释放脉冲功耗0.5V·A（W）吸合与释放触发的最小脉宽50ms 隔离：EN60947 pollution3,Gr C 500V 绝缘强度，线圈/触点4KV 绝缘强度，极与极间4KV C7-A20 具有两对可转换触点 10A/250V AC1，10A@30V DC1 6A@500V AC15，0.5A@110V DC1 触点指标 材质AgNi 最大开关电流 10A 启动电流峰值 30A 最大电压容量400V 最大交流负载 2.5KV·A 技术说明 线圈功耗 1.5V·A（AC），1W（DC）吸合时间16ms 释放时间8ms 隔离：EN60947 pollution3,Gr C 250V 绝缘强度，线圈/触点 2.5KV 绝缘强度，极与极间 2.5KV
电压基准源的选择 在DAC和DAC里面都有电压基准源，它可以是芯片内部提供的基准也可以是外接的电压基准芯片。 基准源的类型 两种常见的基准源是齐纳和带隙基准源。齐纳基准源通常采用两端并联拓扑；带隙基准源通常采用三端串连拓扑。选择依据如下表： 并联结构的齐纳基准与串联结构的带隙基准的对照表。 表1.电压基准对照表 齐纳二极管缺点: 1)精确度达不到高精度应用的要求，而且，很难胜任低功耗应用的要求。例如： BZX84C2V7LT1，它的击穿电压，即标称基准电压是2.5V，在2.3V至2.7V 之间变化，即精确度为±8%，这只适合低精度应用。 2)齐纳基准源的另一个问题是它的输出阻抗。上例中器件的内部阻抗为5mA 时100Ω和1mA时600Ω。非零阻抗将导致基准电压随负载电流的变化而发生变化。选择低输出阻抗的齐纳基准源将减小这一效应。 所以在高精度应用的场合通常用带隙基准源。如14bit，210MSPS（刷新速率 UpDate Rate）的DAC9744内部就带一个2.1V的带隙基准源。
AD9744内部基准源配置 AD9744外部基准源配置 AD9744基准源配置管脚 （这个是AD9742的基准源配置管脚，AD9744的我怀疑错了，AD9742是与AD9744同系列的，一样管脚，只是AD9742是12bit，AD9744 16bit） REFLO——内部参考基准源地端。当使用内部1.2V参考基准源时，接AGND。当使用外部参考源时，接AVDD REFIO——参考基准源输入输出/输入端。 REFLO=AVDD，内部参考基准源无效，REFIO用作外部参考基准源输入。 REFLO=AGND=ACOM，REFIO用作内部基准源1.2V输出（100nA），REFIO 接0.1μF接ACOM(AGND)。
带隙电压基准源的设计与分析 摘要介绍了基准源的发展和基本工作原理以及目前较常用的带隙基准源电路结构。设计了一种基于Banba结构的基准源电路，重点对自启动电路及放大电路部分进行了分析，得到并分析了输出电压与温度的关系。文中对带隙电压基准源的设计与分析，可以为电压基准源相关的设计人员提供参考。可以为串联型稳压电路、A／D和D／A转化器提供基准电压，也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源。 基准源广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和系统集成芯片中，其精度和稳定性直接决定整个系统的精度。在模／数转换器(ADC)、数／模转换器(DAC)、动态存储器(DRAM)等集成电路设计中，低温度系数、高电源抑制比(PSRR)的基准源设计十分关键。 在集成电路工艺发展早期，基准源主要采用齐纳基准源实现，如图1(a)所示。它利用了齐纳二极管被反向击穿时两端的电压。由于半导体表面的沾污等封装原因，齐纳二极管噪声严重且不稳定。之后人们把齐纳结移动到表面以下，支撑掩埋型齐纳基准源，噪声和稳定性有较大改观，如图1(b)所示。其缺点：首先齐纳二极管正常工作电压在6～8 V，不能应用于低电压电路；并且高精度的齐纳二极管对工艺要求严格、造价相对较高。 1971年，Widlar首次提出带隙基准结构。它利用VBE的正温度系数和△VBE的负温度系数特性，两者相加可得零温度系数。相比齐纳基准源，Widlar型带隙基准源具有更低的输出电压，更小的噪声，更好的稳定性。接下来的1973年和1974年，Kujik和Brokaw分别提出了改进带隙基准结构。新的结构中将运算放大器用于电压钳位，提高了基准输出电压的精度。 以上经典结构奠定了带隙基准理论的基础。文中介绍带隙基准源的基本原理及其基本结构，设计了一种基于Banba结构的带隙基准源，相对于Banba结构，增加了自启动电路模块及放大电路模块，使其可以自动进入正常工作状态并增加其稳定性。 1 带隙基准源工作原理 由于带隙电压基准源能够实现高电源抑制比和低温度系数，是目前各种基准电压源电路中性能最佳的基准源电路。 为得到与温度无关的电压源，其基本思路是将具有负温度系数的双极晶体管的基极-发射极电压VBE与具有正温度系数的双极晶体管VBE的差值△VBE以不同权重相加，使△VBE 的温度系数刚好抵消VBE的温度系数，得到一个与温度无关的基准电压。图2为一个基本的CMOS带隙基准源结构电路。
常用芯片型号大全 4N35/4N36/4N37 "光电耦合器" AD7520/AD7521/AD7530/AD7521 "D/A转换器" AD7541 12位D/A转换器 ADC0802/ADC0803/ADC0804 "8位A/D转换器" ADC0808/ADC0809 "8位A/D转换器" ADC0831/ADC0832/ADC0834/ADC0838 "8位A/D转换器" CA3080/CA3080A OTA跨导运算放大器 CA3140/CA3140A "BiMOS运算放大器" DAC0830/DAC0832 "8位D/A转换器" ICL7106,ICL7107 "3位半A/D转换器" ICL7116,ICL7117 "3位半A/D转换器" ICL7650 "载波稳零运算放大器" ICL7660/MAX1044 "CMOS电源电压变换器" ICL8038 "单片函数发生器" ICM7216 "10MHz通用计数器" ICM7226 "带BCD输出10MHz通用计数器" ICM7555/7555 CMOS单/双通用定时器 ISO2-CMOS MT8880C DTMF收发器 LF351 "JFET输入运算放大器" LF353 "JFET输入宽带高速双运算放大器" LM117/LM317A/LM317 "三端可调电源" LM124/LM124/LM324 "低功耗四运算放大器" LM137/LM337 "三端可调负电压调整器" LM139/LM239/LM339 "低功耗四电压比较器"
LM158/LM258/LM358 "低功耗双运算放大器" LM193/LM293/LM393 "低功耗双电压比较器" LM201/LM301 通用运算放大器 LM231/LM331 "精密电压—频率转换器" LM285/LM385 微功耗基准电压二极管 LM308A "精密运算放大器" LM386 "低压音频小功率放大器" LM399 "带温度稳定器精密电压基准电路" LM431 "可调电压基准电路" LM567/LM567C "锁相环音频译码器" LM741 "运算放大器" LM831 "双低噪声音频功率放大器" LM833 "双低噪声音频放大器" LM8365 "双定时LED电子钟电路" MAX038 0.1Hz-20MHz单片函数发生器 MAX232 "5V电源多通道RS232驱动器/接收器" MC1403 "2.5V精密电压基准电路" MC1404 5.0v/6.25v/10v基准电压 MC1413/MC1416 "七路达林顿驱动器" MC145026/MC145027/MC145028 "编码器/译码器" MC145403-5/8 "RS232驱动器/接收器" MC145406 "RS232驱动器/接收器"
MC1403简介 MC1403是低压基准芯片。一般用作8～12bit的D/A芯片的基准电压等一些需要基本精准的基准电压的场合。 输出电压: 2.5 V ＋/- 25 mV 输入电压范围: 4.5 V to 40 V 输出电流: 10 mA 芯片引脚图： .........+--+--+--+ ...Vin.|1.+---+.8|.NC .Vout.|2..........7|.NC .GND.|3..........6|.NC ....NC.|4..........5|.NC .........+---------+ 因为输出是固定的，所以电路很简单。就是Vin接电源输入，GND 接底，Vout加一个0.1uf~1uf的电容就可以了。Vout一般用作8～12bit的D/A芯片的基准电压。 MC1403是美国摩托罗拉公司生产的高准确度、低温漂、采用激光修正的带隙基准电压源，国产型号为5G1403和CH1403。它采用
DIP－8封装，引脚排列如图7-1-2所示。UI＝＋4.5V～＋15V，UO ＝2.500V（典型值），αT可达10×10－6/℃。为了配8P插座，还专门设置了5个空脚。其输出电压UO＝Ug0(R3＋R4)/R4＝ 1.205× 2.08＝＋2.5V。 MC1403的输入-输出特性 输入电压UI／V 10 9 8 7 6 5 4.5 输出电压UO／V 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028
2.5027 当UI从10V降至4.5V时，UO只变化0.0001V，变化率仅为－0.0018％。
目录 产品类型系列页码 1.电压调整器(LDO ME6201 1 ME6206 2 ME6211 3 ME6219 4 ME1084 5 ME1085 6 ME1117 7 ME3206 8 ME6401 9 2.升压DC/DC转换器MEXX1C 10 MEXX1D 11 ME2100 12 ME2101 13 ME2106 14
ME2108 15 ME2109 16 ME2111 17 ME2115 18 ME2206 19 ME2209 20 3.降压DC/DC转换器ME3101 21 ME3102 22 ME3110 23 4.功率MOSFET MEM2301 24 MEM2303 25 MEM2307 26 MEM2309 27 MEM2311 28 MEM2302 29 MEM2306 30 MEM2308 31 MEM2310 32 MEM2316 33
MEM2318 34 5.音频功率放大器ME5890 35 ME5990 36 ME5101 37 ME5103 38 6.其他 ME2801 39 ME2802 40 ME4054 41 ME7660 42 ME7661 43 MEL71XX 44 选型指南电压调整器(LDO 系列输出 电流 输入 电压 输出电压精度
静态 电流 纹波抑制比 (1KHz 封装状态 ME6201 100mA -18V 3.0-5.0V ±2% 3uA 60dB TO92/SOT89 量产ME6206 300mA -6.5V 1.2-5V ±2% 8uA 50dB SOT23/SOT89 量产 ME6211 500mA -6.5V 1.2-5V ±2% 50uA 75dB SOT-23-5LL/ SOT-89/DFN 量产 ME6219 300mA -6.5V 1.2-5V ±2% 65uA 62dB SOT-23-5LL 量产ME1084 5A -25V 3.3-12V ±2% 5mA 50dB TO220/TO263 2009/Q3 ME1085 3A -25V 3.3-12V ±2% 5mA 50dB TO220/TO263 2009/Q3 ME1117 800mA -20V 1.25-12V ±2% 2mA 50dB SOT223/TO252 2009/Q2 ME3206 300mA -6.5V 1.2-5V ±2% 16uA 50dB SOT-23-5LL 量产ME6401 200mA -6.5V 1.2-5V ±2% 130uA 62dB SOT-23-6LL 量产 升压DC/DC转换器 系列控制 模式 输入 电压
示波器测定电流和电压特性 研发问题 通过分析电流和电压特性，可以快速识别出现故障的器件。为此，可使用操作方便的器件测试仪功能。它可快速测试电容、电阻、晶体管、半导体闸流管、电感、稳压二极管、其他二极管及包含此类元器件的电路，如整流器等。但是，器件测试仪功能在某些情况下并不可用。 测试与测量解决方案 R&S?RTC1000示波器内置器件测试仪。它包括一个信号发生器，可为被测设备施加一个自定义幅度(最大9V)和有限电流(最大10mA)的50Hz或200 Hz正弦波信号。在此模式下，示波器使用模数转换器对受到器件影响的信号进行数字化处理，并将其以电流与电压对比的形式进行显示。 工作原理 以线性无源器件为例，简单说明其工作原理。图1显示了连接至器件测试仪的2.1kΩ电阻器的I/V特性曲线。该器件的线性特性清晰可见。电流随电压上升而呈线性增长。例如，电压为4V时，电流约为2mA。根据欧姆定律，电阻值约为2kΩ。
可以使用第二个电阻来检查真实电阻的电流和电压之间的线性关系。图2显示了另一个连接至器件测试仪的器件的I/V特性曲线。该曲线的斜率更大，表明与2.1kΩ的电阻器相比，电压相同时此器件中流经的电流更大。根据欧姆定律，第二个器件的电阻更低。电压为0.9V时，电流约为8mA。电阻值约为110Ω。R&S?RTC1000示波器的器件测试仪还可以显示电容器等非线性无源器件的特性。图3显示了连接至测试仪的0.1μF电容器，并以50Hz信号进行初始激励。可以通过所生成的椭圆型曲线轻松确定非线性特性。
可以将激励频率更改为200Hz，简单说明I/V特性的频率相关性。可以通过以下公式计算电容器电抗： 这表示当电容恒定时，电抗会随着频率上升而下降。图4曲线表示使用200Hz 信号激励0.1μF电容器的结果。该椭圆形曲线明显更小，与用于计算电容器电抗的公式相对应。
IC 集成电路电子元器件的选型规律说到元器件选型，大家头脑中是不是蹦出一大堆“？？？”如果是，你就out啦！在这个人人都可以成为创客的时代，各种元器件早已进入我们的生活，甚至进入幼儿园了呢！还不懂元器件的小白，Mark下来好好学习下面的内容！ 元器件选型原则 普遍性原则：所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。 高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较好的元器件，降低成本。 采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。 持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件。 可替代原则：尽量选择pin to pin兼容芯片品牌比较多的元器件。 向上兼容原则：尽量选择以前老产品用过的元器件。 资源节约原则：尽量用上元器件的全部功能和管脚。 处理器选型要求 要选好一款处理器，要考虑的因素很多，不单单是纯粹的硬件接口，还需要考虑相关的操作系统、配套的开发工具、仿真器，以及工程师微处理器的经验和软件支持情况等。 1、应用领域 一个产品的功能、性能一旦定制下来，其所在的应用领域也随之确定。目前，比较常见的应用领域分类有航天航空、通信、计算机、工业控制、医疗系统、消费电子、汽车电子等。 2、自带资源 经常会看到或听到这样的问题：主频是多少?有无内置的以太网MAC?有多少个I／O口?自带哪些接口?支持在线仿真吗?是否支持OS，能支持哪些OS?是否有外部存储接口? 以上都涉及芯片资源的问题，微处理器自带什么样的资源是选型的一个重要考虑因素。芯片自带资源越接近产品的需求，产品开发相对就越简单。 3、可扩展资源 硬件平台要支持OS、RAM和ROM，对资源的要求就比较高。
5v 3.3 1.2 1.5 1.8 2.5V稳压电源芯片大全LM317LZ 1.2V to 37V三端正可调稳压器(0.1A) LM317T 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM317K 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM133K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(3.0A) LM333K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(3.0A) LM337K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A) LM337T 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A) LM337LZ 三端可调-1.2V to -37V稳压器(0.1A) LM150K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM350K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM350T 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM138K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338T 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM336-2.5 2.5V精密基准电压源 LM336-5.0 5.0V精密基准电压源 LM385-1.2 1.2V精密基准电压源 LM385-2.5 2.5V精密基准电压源
LM399H 6.9999V精密基准电压源 LM431ACZ 精密可调2.5V to 36V基准稳压源LM723 高精度可调2V to 37V稳压器 LM105 高精度可调4.5V to 40V稳压器 LM305 高精度可调4.5V to40V稳压器 MC1403 2.5V基准电压源 MC34063 DC-DC直流变换器 SG3524 脉宽调制开关电源控制器 TL431 精密可调2.5V to 36V基准稳压源 TL494 脉宽调制开关电源控制器 TL497 频率调制开关电源控制器 TL7705 电池供电/欠压控制器
选择电压基准需要考虑哪些参数 在模拟和混合信号电路中，以电压基准为标准测量其他信号。电压基准的不准确及其变化会直接影响整个系统的准确度。我们来看一下，选择电压基准时，准确度规格和其他标准是如何起作用的。 初始精度指的是，在给定温度（通常是25°C）时测得的输出电压的变化幅度。尽管各个电压基准的初始输出电压可能有所不同，但是如果给定基准的初始输出电压是恒定的，就很容易校准。 温度漂移也许是评估电压基准性能时使用最为广泛的性能规格，因为温度漂移显示输出电压随温度的变化。温度漂移由电路组件的瑕疵和非线性引起。很多器件的温度漂移都以ppm/°C 为单位规定，是主要的误差源。器件的温度漂移如果是一致的，就可以进行一定程度的校准。 关于温度漂移有一种常见的错误认识，那就是：它是线性的。但是，不应该想当然地认为基准的漂移量在较小的温度范围内就会较小。温度系数（TC）通常是用一种“箱形法”来规定，以表达整个工作温度范围内可能出现的误差情况。它是通过划分整个温度范围内的最小-最大电压差，并除以总温度范围来计算的（图1）。这些最小和最大电压值可能并不出现在极端温度下，因而形成了TC 远远大于针对整个规定温度范围计算之平均值的区域。对于最谨慎调谐的基准（这通常可通过其非常低的温度漂移予以识别）而言尤其如此，在此类基准中，已经对线性漂移分量进行了补偿，留下的是一个残余非线性TC。 图1：电压基准温度特性 温度漂移性能规格的最佳用途是，计算所规定温度范围内的最大总体误差。在未规定温度范围的情况下计算误差，一般是不可取的，除非非常了解温度漂移特性。 长期稳定性衡量基准电压随时间推移的变化趋势，不受其他变量影响。初始漂移大部分是由机械应力变化引起的，是由引线框架、芯片和模具所用化合物的膨胀率不同导致的。这种应力效应往往产生很大的初始漂移，但漂移随时间推移很快减小。初始漂移也和电路元
光耦选型手册 光耦简介： 光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。 光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。 光耦的分类： （1）光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。 线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。 （2）常用的分类还有： 按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。 按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。 按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。 按输出形式分，可分为： a、光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。 b、NPN三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。 c、达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。 d、逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。 e、低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。 f、光开关输出型（导通电阻小于10Ω）。 g、功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。 光耦的结构特点： （1）光电耦合器的输入阻抗很小，只有几百欧姆，而干扰源的阻抗较大，通常为105～106Ω。据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。 （2）光电耦合器的输入回路与输出回路之间没有电气联系，也没有共地；之间的分布电容极小，而绝缘电阻又很大，因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去，避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。 （3）光电耦合器可起到很好的安全保障作用，即使当外部设备出现故障，甚至输入信号线短接时，也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。 （4）光电耦合器的回应速度极快，其回应延迟时间只有10μs左右，适于对回应速度要求很高的场合。