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碳化硅高温真空烧结炉结构组成

碳化硅高温真空烧结炉结构组成
碳化硅高温真空烧结炉结构组成

碳化硅高温真空烧结炉结构组成

【盛阳工业炉碳化硅高温真空烧结炉】碳化硅高温真空烧结炉,即在炉腔这一特定空间内利用真空系统(由真空泵、真空测量装置、真空阀门等元件经过精心组装而成)将炉腔内部分物质排出,使炉腔内压强小于一个标准大气压,炉腔内空间从而实现真空状态,这就是碳化硅高温真空烧结炉。

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碳化硅高温真空烧结炉一般由主机、炉膛、电热装置、密封炉壳、真空系统、供电系统、控温系统和炉外运输车等组成。密封炉壳用碳钢或不锈钢焊成,可拆卸部件的接合面用真空密封材料密封。为防止炉壳受热后变形和密封材料受热变质,炉壳一般用水冷或气冷降温。炉膛位于密封炉壳内。根据炉

子用途,炉膛内部装有不同类型的加热元件,如电阻、感应线圈、电极和电子枪等。熔炼金属的碳化硅高温真空烧结炉炉膛内装有坩埚,有的还装有自动浇注装置和装卸料的机械手等。真空系统主要由真空泵、真空阀门和真空计等组成。

碳化硅高温真空烧结炉整体可大致分为六大组成部分为:炉体、加热室、充放气系统、水冷系统、控制系统和真空系统。

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炉体主要包括炉壳和传送装置。炉壳钢板的选择主要是根据炉体承受的压强来决定的,压力越高就要选择相对较厚的钢板;传送装置可分为立式的丝杆传送和卧式的链条传送。

加热室包括保温屏、加热元件、水冷电极、连接板、支架杆、紧压螺母、炉床、炉床支柱、导电杆、导电杆接头等。保温屏一般分为金属和石墨两大类。不充气的情况下石墨保温屏采用软毡的形式;充气的情况下保温屏要采用复合硬毡。金属类保温屏在低温的情况下选用不锈钢材料,高温的时候要采用钼等耐高温材料。加热室其他物品一般采用高强石墨,既要保障它耐高温、强度大又要保证材料价

格便宜。

充放气系统主要包括:气瓶、充气管道、充气阀、放气阀等。充气阀的主要作用是:开关气路,控制气流大小,定量充气的作用。

水冷系统主要包括水流量计和水压表。其结构为冷壁式结构,即在双层炉壁之间要不间歇的循环通水来带走炉壁升温过程中产生的热量,防止炉壁升温过高。在进水口每一路都要有水流量计,确保能观察到每路水循环的状态。

控制系统一般主要包括:PLC、控温表、真空计配套规管、无纸记录仪、低压电器、工控机、模拟板等。PLC的作用就是控制传输我们所需要的各个动作的指令,是总控制中心。控温表主要是在升温和保温过程中来调节温度的大小,达到我们需要的温度。衡量一个碳化硅高温真空烧结炉重要的一个标准就是真空度。真空规管就是测量真空度的传感器,真空计是显示和控制部分。真空规管将测量到的真空度值以电信号传给真空计,真空计把电信号转换成相应的真空度数字值,并显示出来。有的真空计还可以输出自动控制信号。真空规管又可分为电离规管和电阻规管。电离规管能准确测量出1pa 以下的真空度大小;电阻规管能准确测量出1pa以上的真空度大小。

真空系统主要包括:机械泵、罗茨泵、扩散泵、分子泵、真空阀和电磁压差阀等。机械泵分为旋片泵和滑阀泵为一级泵,可以单独使用。罗茨泵为二级泵,不可以单独使用,必须有前级泵。扩散泵和分子泵抽取的极限压强更小,可使所抽容器达到更高的真空度。泵抽速大小的选取一般根据所抽容积的大小和极限真空度。真空阀的主要作用是将碳化硅高温真空烧结炉内部与外界进行隔开或联通的装置,可以使泵停止工作期间碳化硅高温真空烧结炉内依然为真空状态。

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真空热压烧结炉简介

真空热压烧结炉简介 前言:对于金属、陶瓷及一些难熔金属中间化合物粉末的烧结,一般常采用两种烧结方式即无压烧结和有压烧结。而目前的有压烧结主要常采用三种方式,热等静压烧结、热压烧结及气压烧结。随着新材料的不断开发及市场化,上述三种有压烧结方式正在被愈来愈多的采用。热等静压烧结及气压烧结设备由于自身及生产成本较为昂贵,不太适合众多生产厂家特别是一些科研单位的需求,因而研制并生产真空热压烧结炉有着其现实意义。现在的研究及生产实践证明,热压材料致密化的过程包括塑性流动、粘性流动和扩散与蠕变,当以塑性和粘性流动成为主导致密机制时,粉末体得以快速致密化,并得到可控的显微结构。热压法的优势在于设备投资小、虽然压力较等静压低一个数量级、但由于热压机内承压材料可以变细,从而限制了纵向热流,改善了工件温度场的均匀性、大大降低了能耗、可以制备大直径的材料、能够以IT技术测控热压机,有效的控制材料的致密化过程及质量。 热压烧结是利用热能与机械能将制品致密化的过程。此过程的特色是烧结温度可依外加压力的大小而比常压烧结低约200—4000C,同时外加的能量使得制品致密化的速度加快,因此完全致密且晶粒细致的制品可在较低的温度及较短的时间内完成;而采用真空热压烧结,由于热压过程中保持有较高的真空度,能够进一步有效地降低制品的烧结温度并高效排除微小气孔中的气体,从而进一步的促进热压材料的致密化过程。众所周知,烧结温度的降低,对于微粉制品,能

够有效的防止晶粒的长大,对于最终产品质量的稳定有着极其重要意义。尤其是对于接近纳米级硬质合金等材料,由于颗粒直径的减小、比表面积增大、表面活化能增加、颗粒间的接触面积增加,最终造成最终烧结的驱动力增大,降低了大气孔的产生及气孔的数量。现在研究发现,纳米级粉末制品的烧结驱动力是普通制品的几十甚至上百倍。抑制烧结过程中晶粒的长大是获得纳米晶粒制品最为关键的过程,而真空热压烧结工艺能够很好的实现这一点,这一点在ITO靶材的实际生产中已得到了证明。 一、真空热压烧结炉的分类 真空热压烧结炉依使用温度的不同可分为以下几类。由于使用温度的不同,加热室中所采用的加热方式及保温方式千差万别。温度在8000C 以下的炉子,加热器常采用铁铬铝、镍铬丝等作为加热元件,保温材料常采用高温硅酸铝保温毡。温度在10000C--16000C常采用金属钼、硅钼棒、硅碳棒等作为加热元件,保温材料常用复合碳毡、莫来石毡等。温度在16000C --22000C常用石墨管作为加热元件,或采用感应加热方式,保温材料常用石墨毡等。 二、真空热压烧结炉的组成(电阻式加热) 1、炉壳 炉壳由炉体和炉门构成,为双层冷却水套式结构。 ①设备炉壳是按最大承受压力范围为~设计。 ②炉壳为卧式,侧开平移门,炉壳上有真空系统接口,测温接口,水冷电极接口、充放气接口及视孔接口等,均按高真空静密封标准设计;

真空热处理炉工艺

真空热处理炉工艺 【盛阳工业炉真空热处理炉】真空热处理炉金属热处理工艺大体可分为整体热处理、表面热处理和化学热处理三大类。根据加热介质、加热温度和冷却方法的不同,每一大类又可区分为若干不同的热处理工艺。同一种金属采用不同的热处理工艺,可获得不同的组织,从而具有不同的性能。钢铁是工业上应用广的金属,而且钢铁显微组织也为复杂,因此钢铁热处理工艺种类繁多。 【真空热处理炉工艺】 真空热处理炉热处理工艺一般包括加热、保温、冷却三个过程,有时只有加热和冷却两个过程。这些

过程互相衔接,不可间断。 加热是真空热处理炉热处理的重要工序之一。金属热处理的加热方法很多,早是采用木炭和煤作为热源,进而应用液体和气体燃料。电的应用使加热易于控制,且无环境污染。利用这些热源可以直接加热,也可以通过熔融的盐或金属,以至浮动粒子进行间接加热。 金属加热时,工件暴露在空气中,常常发生氧化、脱碳(即钢铁零件表面碳含量降低),这对于热处理后零件的表面性能有很不利的影响。因而金属通常应在可控气氛或保护气氛中、熔融盐中和真空中加热,也可用涂料或包装方法进行保护加热。 #详情咨询#【盛阳工业炉:真空热处理炉】 高真热处理炉加热温度是热处理工艺的重要工艺参数之一,选择和控制加热温度,是保证热处理质量的主要问题。加热温度随被处理的金属材料和热处理的目的不同而异,但一般都是加热到相变温度以上,以获得高温组织。另外转变需要一定的时间,因此当金属工件表面达到要求的加热温度时,还须

在此温度保持一定时间,使内外温度一致,使显微组织转变完全,这段时间称为保温时间。采用高能密度加热和表面热处理时,加热速度极快,一般就没有保温时间,而化学热处理的保温时间往往较长。冷却也是热处理工艺过程中不可缺少的步骤,冷却方法因工艺不同而不同,主要是控制冷却速度。一般退火的冷却速度慢,正火的冷却速度较快,淬火的冷却速度更快。但还因钢种不同而有不同的要求,例如空硬钢就可以用正火一样的冷却速度进行淬硬。 #详情咨询#【盛阳工业炉:真空热处理炉】 金属热处理工艺大体可分为整体热处理、表面热处理和化学热处理三大类。根据加热介质、加热温度和冷却方法的不同,每一大类又可区分为若干不同的热处理工艺。同一种金属采用不同的热处理工艺,可获得不同的组织,从而具有不同的性能。钢铁是工业上应用广的金属,而且钢铁显微组织也为复杂,因此钢铁热处理工艺种类繁多。

反应烧结SiC的制造和性能

反应烧结SiC的制造和性能 新型陶瓷材料由于具有各种特殊的性能被应用于许多工业领域,为解决材料使用问题发挥着越来越重要的作用。 新型陶瓷具有多种功能,按性能分为电学、电子功能、力学功能、光学功能、热学功能、生物功能等等。近几年来,特别引起人们注意的是机械力学功能陶瓷。我们根据省科委下达的科研项目,通过大量调研,开展了对反应烧结SiC材料制造与性能的研究。 利用传统的SiC粉料,采用压制成型工艺传统烧成法制造不出高密度SiC 材料,如采用热压烧结、无压烧结或反应烧结工艺可达到其目的。反应烧结SiC 已是30多年来的商品化材料,首先是出现在美国的气相渗硅工艺,以后英国原子能协会的反应堆高性能材料元件通过液相渗硅工艺研制成功,后来各国对此材料采用挤出成型、等静压成型、压制成型、注浆成型、注射成型等不同工艺进行了详细的研究,分别制造出了机械密封件、轴承、火箭喷嘴、烧嘴、阀件、发动机转子等多种部件,其中部分已形成商品化应用到工业中取代硬质合金等昂贵的金属材料,取得了显著的经济效益。 工艺概述 RB-SiC是由于碳化硅粉与石墨或炭黑混合,加入少量粘结剂,通过各种成型方法成型,去掉粘结剂后,将坯体放在特殊设计的真空炉中,使之与熔硅接触,坯体被融硅润湿、渗透,Si与坯体枝、中的石墨或C反应形成新SiC沉积到原来的SiC上,把原来的SiC结合在一起,剩余的气孔由Si填充。最终的制品含有约8-10%的游离Si,该材料的特点是可通过调节坯体中C含量来调节制品的游离Si量,从而制造不同性能的制品。 SiC材料各相含量的控制原理 反应烧结SiC的一个重要特点是在坯体渗Si后尺寸无变化或很少有变化,因此要形成理论密度的SiC,坯体中必须含有一定量气孔,以满足石墨或C转化成SiC时的体积增大的需要,假如坯体全由C组成,理论最大C密度应按如下计算:

烧结炉介绍及原理.

■ 真空-热压烧结炉的介绍: 包括烧结炉和抽真空部分,烧结炉包括炉体和装设在炉体内的加热室,烧结炉上安装有六个引电电极,其特征是在炉体的上、下方分别设置有油压机上梁和油压机下梁,油压机上梁和油压机下梁由四个支柱连接成一整体;上压头由上水冷压头和上石墨压头连接构成,下压头由下水冷压头和下石墨压头连接构成,上压头和下压头分别从炉体和加热室的上、下端面上的压头通孔、插入炉体内,其上石墨压头和下石墨压头分别插入加热室内,上压头和下压头可上、下移动。 ■ 烧结的介绍: 1、烧结 粉末或压坯在低于主要组分熔点的温度下的热处理,目的在于通过颗粒间的冶金结合以提高其强度。 2、填料 在预烧或烧结过程中为了起分隔和保护作用而将压坯埋入其中的一种材料。 3、预烧 在低于最终烧结温度的温度下对压坯的加热处理。 4、加压烧结 在烧结同时施加单轴向压力的烧结工艺。 5、松装烧结 粉末未经压制直接进行的烧结。 6、液相烧结 至少具有两种组分的粉末或压坯在形成一种液相的状态下烧结。 7、过烧 烧结温度过高和(或)烧结时间过长致使产品最终性能恶化的烧结。 8、欠烧 烧结温度过低和(或)烧结时间过短致使产品未达到所需性能的烧结。 ■ 卧式真空烧结炉 卧式真空烧结炉 1、工作温度400°C-1200°C 2、恒温区400mm/±1°C 3、单点精度≤±1°C/24H 4、冷态真空度6.7×10-5Pa ■ 隧道式网带烧结炉 用途:厚膜电路、厚膜电阻等厚膜产品烧结;电子元件端头烧银,气氛保护下的烧结、钎焊等,也可用于电子陶瓷产品的预烧、低温烧结或热处理、排胶、退火特点:独特炉腔设计、均匀;远红外加热、高效;超轻质保温、节能;包括快烧炉和马弗式炉,系列齐全,选件丰

烧结碳化硅方式对比__烧结碳化硅分类

烧结碳化硅方式对比__烧结碳化硅分类 烧结碳化硅烧结方式有哪三种呢?烧结碳化硅的三种烧结方式虽然各有千秋,但是在科技发展如此迅速的今天,迫切需要提高碳化硅陶瓷的性能,不断改进制造技术,降低生产成本,实现碳化硅陶瓷的低温烧结。以达到降低能耗,降低生产成本,推动碳化硅陶瓷产品产业化的目的。山东中鹏特种陶瓷有限公司生产的烧结碳化硅具有碳化硅材料耐强腐蚀性、耐磨性、高导电性、高温稳定性等性能,在新能源、化工、船舶及科研国防军事技术等领域应用。 【烧结碳化硅分类】 (1)无压烧结 无压烧结被认为是SiC烧结有前途的烧结方法,根据烧结机理的不同,无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。S.Proehazka通过在超细β-SiC粉体(含氧量小于2)中同时加入适量B和C的方法,在2020℃下常压烧结成密度高于98的SiC烧结体。A.Mulla等以Al2O3和Y2O3为添加剂在

1850-1950℃烧结0.5μm的β-SiC(颗粒表面含有少量SiO2),获得的SiC陶瓷相对密度大于理论密度的95,并且晶粒细小,平均尺寸为1.5μm。 (2)热压烧结 不添加任何烧结助剂,纯SiC只有在极高的温度下才能烧结致密,于是不少人对SiC实行热压烧结工艺。关于添加烧结助剂对SiC进行热压烧结的报道已有许多。Alliegro等研究了B、Al、Ni、Fe、Cr等金属添加物对SiC致密化的影响,发现Al和Fe是促进SiC热压烧结有效的添加剂。https://www.doczj.com/doc/68218160.html,nge 研究了添加不同量Al2O3对热压烧结SiC的性能影响,认为热压烧结致密是靠溶解--再沉淀机理。但是热压烧结工艺只能 制备形状简单的SiC部 件,而且一次热压烧结过 程中所制备的产品数量 很小,因此不利于工业化 生产。 (3)反应烧结 反应烧结SiC又称自结 合SiC,是由a-SiC粉和 石墨粉按一定比列混合压成坯体后,加热到1650℃左右,同时熔渗Si或通过气相Si渗入坯体,使之与石墨起反应生成β-SiC,把原来存在的a-SiC颗粒结合起来。 【烧结碳化硅方式对比】 1.热压烧结:只能制备简单形状的碳化硅部件,生产效率低,不利于大规模商业化生产。 2.无压烧结(常压烧结):能生产复杂形状和大尺寸碳化硅部件,是目前普遍认可的有优势的烧结方法。 3.反应烧结:能制备复杂形状的碳化硅部件,烧结温度低,但是产品高温性能不佳。 特点:如果允许完全渗Si,那么整个过程中可获得气孔率为零,无几何尺寸变化的材料。

真空炉热处理工作原理

真空炉热处理工作原理 【盛阳工业炉热处理设备】真空炉热处理是在真空环境中对被加热物品进行保护性烧结的炉子,其加热方式比较多,如电阻加热、感应加热、微波加热等。真空感应炉是利用感应加热对被加热物品进行保护性烧结的炉子,可分为工频、中频、高频等类型,可以归属于真空炉热处理的子类。真空感应烧结炉是在真空或保护气氛条件下,利用中频感应加热的原理使硬质合金刀头及各种金属粉末压制体实现烧结的成套设备,是为硬质合金、金属镝、陶瓷材料的工业生产而设计的。VSWF真空感应钨烧结氢气炉 #详情查看#【盛阳工业炉:真空炉热处理设备】

一、主要原理及用途真空感应钨烧结炉是在抽真空后充氢气保护状态下,利用中频感应加热的原理,使处于线圈内的钨坩埚产生高温,通过热辐射传导到工作上,适用于科研、军工单位对难熔合金如钨、钼及其合金的粉末成型烧结。 #详情查看#【盛阳工业炉:真空炉热处理设备】 二、主要结构及组成结构形式多为立式、下出料明晃晃的如同钻石。不知什么时候,我发现自己不由自主的飘落在少年方式。其主要组成为:电炉本体、真空系统、水冷系统、气动系统、液压系统、进出料机构、底座、工作台、感应加热装置(钨加热体及高级保温材料)、进电装置、中频电源及电气控制系统等。 三、主要功能在抽真空后充入氢气保护气体,控制炉内压力和气氛的烧结状态。可用光导纤维红外辐射温度计和铠装热电偶连续测温(0~2500℃),并通过智能控温仪与设定程序相比较明晃晃的如同钻石。不知什么时候,我发现自己不由自主的飘落在少年后,选择执行状态反馈给中频电源,自动控制温度的高低及保温程序。

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碳化硅陶瓷的发展与应用

碳化硅陶瓷的发展与应用 1073112 王苗 摘要:碳化硅陶瓷以其优异的抗热震、耐高温、抗氧化和耐化学腐蚀等特性而广泛地应用于石油、化学、汽车、机械和宇航等工业领域中,并日益引起人们的重视。本文对各种SiC 陶瓷的制备方法、性能特点及其应用现状进行了综合评述。 关键词:碳化硅陶瓷发展与应用 Abstract: Silicon carbide ceramics have been widely used in petroleum, chemical, automotive,mechanical and aerospace industries because of their excellent resistance to thermal shock, high temperatures, oxidation and chemical corrosion. In this paper, the fabricating methods, mechanical properties and current applications of various SiC ceramics are revicwed. Key Words: SiC Ceramics Development and Application 1 前言 现代国防、核能和空间技术以及汽车工业、海洋工程的迅速发展, 对火箭燃烧室内衬、飞机涡轮发动机叶片、核反应堆结构部件、高速气动轴承和机械密封零件等材料的要求愈来愈高, 迫切需要开发各种新型高性能结构材料。碳化硅陶瓷具有高温强度大、抗氧化性强、耐磨损性好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性, 因此, 已经在许多领域大显身手, 并日益受到人们的重视。例如, SiC陶瓷在石油化学工业中已被广泛地用作各种耐腐蚀用容器及管道在机械工业中已被成功地用作各种轴承、切削刀具和机械密封部件在宇航和汽车工业中也被认为是未来制造燃气轮机、火箭喷嘴和发动机部件的最有希望的候选材料。 本文首先对SiC 的基本性质及SiC粉末的合成方法进行了简单介绍, 接着重点综述了SiC陶瓷的性能特点, 最后对SiC陶瓷的应用现状与未来发展进行了概括和分析。 2 碳化硅的基本特性 2.1、化学属性 抗化合性:碳化硅材料在氧气中反应温度达到1300℃时,在其碳化硅晶体表层已经生成二氧化硅保护层。随着保护层的加厚,抵制了里面碳化硅继续被化合,这使碳化硅有较好的抗化合性。当气温达到1900K(1627℃)以上时,二氧化硅保护膜已经被破坏,碳化硅化合效应加重,从而1900K是碳化硅在氧化剂氛围下的最高工作气温。 耐酸碱性:在耐酸、碱及化合物的效用方面,因为二氧化硅保护膜的效用,碳化硅的抗酸能力非常非常强,抗碱性稍差。 2.2、物理性能 密度:各样碳化硅晶形的颗粒密度十分相近,通常情况下,应该是3.20 g/ m m3,其碳化硅磨料的堆砌密度在1.2--1.6 g/ m m3之间,其高矮取决于其粒度号、粒度合成和颗粒形状的大小。 硬度:碳化硅的硬度为:莫氏9.5级。单晶硅的硬度为:莫氏7级。多晶硅的硬度为:莫氏7级。都是硬度相对较高的物料。努普硬度为2670—2815公斤/毫米,在磨料中高于刚玉而仅次于金刚石、立方氮化硼和碳化硼。 导热率:碳化硅制品的导热率非常高,热膨胀参数小,抗热震性非常高,是优质的耐火材料。 2.3、电学属性 恒温下工业碳化硅是一种半导体,属杂质导电性。高纯度碳化硅随着气温的升高内阻率降低,含杂质碳化硅按照其含杂质不一样,导电性能也不一样。

立式真空热压烧结炉设计

目录 目录 (1) 1 前言 (3) 1.1课题研究的背景 (3) 1.2课题研究存在的问题 (3) 1.3本论文的主要内容 (4) 2总体方案设计 (5) 2.1烧结炉整体结构的设计 (5) 2.2烧结炉座架结构的设计 (5) 2.3本设计的技术方案 (6) 2.4主要技术参数 (6) 3 烧结炉整体结构的计 (7) 3.1烧结炉的构成 (7) 3.2烧结炉的结构尺寸设计 (7) 3.2.1炉体的结构尺寸设计 (8) 3.2.2 炉盖的结构尺寸设计 (9) 3.2.3 引入电极的结构尺寸设计 (9) 3.3发热体的设计 (10) 3.3.1 发热体材料的选择 (10) 3.3.2 发热体的结构设计 (11) 3.3.3 发热体易损原因分析 (11) 3.4烧结炉组成部件的结构设计 (12) 3.4.1 保温桶的结构设计 (12) 3.4.2 水冷系统的结构设计 (12) 3.4.3 抽真空回路的结构设计 (13) 3.5密封结构的改进 (13) 3.5.1 下顶杆动密封结构的改进设计 (13) 3.5.2 烧结炉实现高真空度的措施 (14) 4烧结炉座架结构的设计 (16) 4.1烧结炉底座的结构设计 (16) 4.2烧结炉支撑架的结构设计 (16) 4.2.1 支撑架的结构设计 (16) 4.2.2 烧结炉的布局设计 (17) 5烧结炉其他零部件的设计 (18) 5.1圆螺母的设计 (18) 5.2观测孔的设计 (18) 5.3模具的设计 (19)

6总结与展望 (20) 6.1总结 (20) 6.2真空烧结炉的发展趋势 (21) 参考文献 (22) 附录 (23)

真空感应烧结炉

一、真空烧结炉的简介与选型指南: 1、真空烧结是指粉末、粉末压坯或者其他形式的物料在真空环境下,在适当 的温度下受热,借助于原子迁移实现颗粒间的联结。烧结目的是使多孔的粉末压坯具有一定的结构和性能的合金。 2、真空烧结的优点: 2.1 真空烧结能够减少气氛中的有害成分(水、氧、氮及其他的杂质等) 对物料的污染,避免出现脱碳、渗碳、还原、氧化和渗氮等一系列反 应。。真空环境是其他烧结形式所不具备的(当炉内真空度达到 1.3*10-1帕斯卡时,炉内剩余气体相当于纯度为99.99987%氩气); 2.2 真空烧结能够使物料在出现液相之前使颗粒氧化膜完全排除,从而改 善了液相同碳化物相的湿润性,改善了合金组织结构,提高了合金性 能; 2.3 由于真空环境下压坯孔隙内气体量的降低,气体产物更易排出孔隙以 及溶于金属中气体的脱除,使物料的致密性更高; 2.4 真空烧结能够使材料的耐磨性及强度更高; 2.5 真空烧结对降低产品成本也有显著效果; 3、真空烧结炉的用途: 真空烧结炉主要用于粉末冶金制品、金属注射成型制品、不锈钢基、硬质合金、超合金、高比重合金、陶瓷材料、磁性材料、钕铁硼等的烧结。 4、真空烧结炉的分类 真空炉的分类主要有两种,: 第一种是以温度分为普通烧结炉(1300℃及以下),中温烧结炉(1300℃~1600℃)、高温烧结炉(1600℃~2400℃)。 第二种是以真空度的高低来划分,可分为低真空、高真空和超高真空烧结炉。 5、真空炉的选型指南: 5.1 真空炉安装方式的选择:我公司研制的真空炉分为卧式及立式炉两 种,立式炉又分为上出料及下出料结构。选择依据主要是烧结的产品类 型、形状或摆放方式确定。

真空热处理炉

真空热处理炉 合盛隆 https://www.doczj.com/doc/68218160.html, 真空高压气淬炉 用途:主要用于高速钢、工模具钢、不锈钢的淬火;不锈钢和钛合金的固溶处理;磁性材料的真空热处理及高温钎焊和真空烧结。加对流风机还可进行低温回火。 结构特点:加热室采用不锈钢骨架、新型碳毡复合材料,变形量少、耐高温高压气流冲刷,使用寿命长,易维护。采用石墨管加热器,易安装维护,故障率低。气冷采用喷射式冷却方式,石墨喷嘴圆周均布,使高压气流流动更合理(部分主风管风量大小可调,客户可根据工件的特点控制部分主风管风量的大小),能有效控制工件变形。高速高压大流量风机,铜-铜高效圆型换热器,实现高速冷却。风机可采用单速、双速、变频调速多种方式,控制风冷速度。加热室也可以采用全金属结构,以满足钛合金、精密合金的固溶处理要求。电控系统采用PLC与可编程温度控制器的方式,实现全自动、半自动、手动三种控制方式,操作灵活。

三、技术参数: 最高温度1320℃ 控温精度±1℃ 炉温均匀性±5℃(可选择对流风机) 极限真空4×10^1Pa(选择高真空时为6.7×10^3Pa) 压升率0.6Pa/h 气冷压力6bar 冷却能力500Kg/4.5bar/1050-200用3-5分钟,10-20分钟可出炉 四、设备选型 1、尺寸规格 型号有效工作尺寸装炉量加热功率 HZQ-433 450mmx300mmx300mm 100kg 50kw HZQ-644 600mm x400 mm x400mm 200kg 80kw HZQ-755 700 mm x500 mm x500mm 300kg 100kw HZQ-966 900 mm x600 mm x600mm 500kg 150kw HZQ-1288 1200 mm x800 mm x800mm 1000kg 200kw HZQ-1299 1300 mm x900 mm x900mm 1200kg 300kw 2、炉胆规格 A 圆形金属炉胆,设360度吹管。 B 圆形石墨炉胆,设360度吹管。 C 方向金属炉胆,上下对吹。 D 方向石墨炉胆,上下对吹。标准配置为圆形石墨炉胆(2层硬毡+3层软毡)。 3、对流加热:Y(加对流风机)、N(不加热对流风机)。标准配置为N. 4、真空选择:

碳化硅陶瓷

太原工业学院 2015/2016学年第一学期 《特种陶瓷》课程论文 题目:碳化硅陶瓷的工艺与发展方向 班级: 122073219 姓名:刘鑫泽 学号: 19

1 前言 随着科技的发展,人们迫切需要开发各种新型高性能结构材料。碳化硅陶瓷由于具有多种良好的的性能,已经在许多领域大显身手,并且已经收到人们的高度重视。 2 晶体结构 SiC是共价键很强的化合物,SiC中 Si-C键的离子性仅12%左右。 SiC具有α和β两种晶型。β- SiC的晶体结构为闪锌矿晶体结构立方晶系,Si和 C 分别组成面心立方晶格;α-SiC纤锌矿型结构,六方晶系。存在着4H、15R和6H等100余种多型体,其中, 6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。在温度低于1600℃时,SiC以β-SiC形式存在。当高于1600℃时,β- SiC缓慢转変成α-SiC的各种多型体。4H- SiC在2000℃左右容易生成;15R和6H多型体均需在2100℃以上的高温才易生成;对于6H- SiC,即使温度.超过2200℃,也是非常稳定的。SiC中各种多型体之间的自由能相差很小,因此,微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系变化。[1] 3 性能与应用 3.1 性能 (1)SiC陶瓷化学稳定性好、抗氧化性强。 (2)硬度高,耐磨性能好。 (3)SiC具有宽的能带间隙。 (4)优良的导电性。 (5)热稳定性好,高温强度大。 (6)热膨胀系数小、热导率大以及抗热振和耐化学腐蚀等。[4] 3.2 应用 碳化硅的最大特点是高温强度高,有很好的耐磨损、耐腐蚀、抗蠕变性能,其热传导能力很强,仅次子氧化铍陶瓷。碳化硅陶瓷用于制造火箭喷嘴、浇注金属的喉管、热电偶套管、炉管、燃气轮机叶片及轴承、泵的密封圈、拉丝成型模

碳化硅烧结

1、无压烧结 1974年美国GE公司通过在高纯度β-SiC细粉中同时加入少量的B和C,采用无压烧结工艺,于2020℃成功地获得高密度SiC陶瓷。目前,该工艺已成为制备SiC陶瓷的主要方法。 最近,有研究者在亚微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3,在1850℃~2000℃温度下实现SiC的致密烧结。由于烧结温度低而具有明显细化的微观结构,因而,其强度和韧性大大改善。 2、热压烧结 50年代中期,美国Norton公司就开始研究B、Ni、Cr、Fe、Al等金属添加物对SiC热压烧结的影响。实验表明:Al和Fe是促进SiC热压致密化的最有效的添加剂。有研究者以Al2O3为添加剂,通过热压烧结工艺,也实现了SiC的致密化,并认为其机理是液相烧结。此外,还有研究者分别以B4C、B或B与C,Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C 与C作添加剂,采用热压烧结,也都获得了致密SiC陶瓷。 3、热等静压烧结: 近年来,为进一步提高SiC陶瓷的力学性能,研究人员进行了SiC陶瓷的热等静压工艺的研究工作。研究人员以B和C为添加剂,采用热等静压烧结工艺,在1900℃便获得高密度SiC烧结体。更进一步,通过该工艺,在2000℃和138MPa压力下,成功实现无添加剂SiC陶瓷的致密烧结。研究表明:当SiC粉末的粒径小于0.6μm时,即使不引入任何添加剂,通过热等静压烧结,在1950℃即可使其致密化。 4、反应烧结: SiC的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为:先将α-SiC粉和石墨粉按比例混匀,经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触,坯体中的C与渗入的Si反应,生成β-SiC,并与α-SiC相结合,过量的Si填充于气孔,从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结SiC通常含有8%的游离Si。因此,为保证渗Si的完全,素坯应具有足够的孔隙度。一般通过调整最初混合料中α-SiC和C的含量,α-SiC的粒度级配,C的形状和粒度以及成型压力等手段来获得适当的素坯密度。 综述:实验表明,采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的SiC陶瓷具有各异的性能特点。假如就烧结密度和抗弯强度来说,热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较高,反应烧结SiC相对较低。另一方面,SiC陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力,但反应烧结SiC陶瓷对HF等超强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看,当温度低于900℃时,几乎所有SiC陶瓷强度均有所提高;当温度超过1400℃时,反应烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧下降。(这是由于烧结体中含有一定量的游离Si,当超过一定温度抗弯强度急剧下降所致)对于无压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷,其耐高温性能主要受添加剂种类的影响。 碳化硅陶瓷的应用

高温真空烧结炉使用注意

高温真空烧结炉使用注意 【盛阳工业炉高温真空烧结炉】高温真空烧结炉是利用感应加热对被加热物品进行保护性烧结的炉子,可分为工频、中频、高频等类型,可以归属于真空烧结炉的子类。真空感应烧结炉是在真空或保护气氛条件下,利用中频感应加热的原理使硬质合金刀头及各种金属粉末压制体实现烧结的成套设备,是为硬质合金、金属镝、陶瓷材料的工业生产而设计的。 #详情咨询#【盛阳工业炉:高温真空烧结炉】 【高温真空烧结炉使用注意】 1、由于模具一般由用户自备,模具材料基本上选用高纯石墨,其耐压极限为40MPa,建议用户使

用在30MPa以下比较安全,加压前应计算模具上、下冲头的面积,再换算成压力,具体公式如下:系统允许加压(吨)=上或下冲头面积×30MPa 2、热电偶为钨铼型,使用过会发脆,不能接触。如损坏应及时更换。其型号是W2型。 3、冬天应注意循环水的保暖问题, 否则易发生水管爆裂。 4、使用后炉体应保持真空,因炉内 保温层易受潮,保真空这样下次抽真 空会快些。 5、因设备较复杂,建议专人使用, 专人负责,对新手严格实行用前培训, 用后检查,操作使用要有记录等设备 使用规定。 6、本热压炉也可当作真空烧结炉使 用,用于真空烧结炉时注意,在炉内放置坩埚后,在盖上保温屏盖后不要忘记再盖其中间的小盖。否则易烧损电炉。 7、操作前应做到清洁观察窗玻璃,清洁炉内壁,观察水压情况,观察炉内石墨是否有损坏,上电后观察仪表显示是否正常,测试液压系统能否正常工作。 8、电炉使用一年后应将仪表后送计量部门进行校对。 【高温真空烧结炉安全操作规程】 1.中频电源、真空炉炉体、感应圈之冷却水源——蓄水池之水充满,水中不得有杂质。真空炉2.开动水泵,使其中频电源,真空炉感应圈、炉体冷却系统水循环正常,并调整水压控制在规定值。3.检查真空泵电源系统,皮带盘皮带松紧,真空泵油是否位于油封观察孔中线。检查妥后,人工转

关于烧结碳化硅的分类_烧结碳化硅工艺说明

关于烧结碳化硅的分类_烧结碳化硅工艺说明特陶领域的多数专家认为国内特陶产品质量提升不上去,很大程度与特陶粉体的制备水平有关系。“巧妇难为无米之炊”,当然没有好“米”,也烧不出“好饭”出来。有关于烧结碳化硅的话题,小编今天想跟大家聊一聊。烧结碳化硅有哪些分类呢?看文章吧! 烧结碳化硅分类: (1)无压烧结 无压烧结被认为是SiC烧结有前途的烧结方法,根据烧结机理的不同,无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。S.Proehazka通过在超细β-SiC粉体(含氧量小于2)中同时加入适量B和C的方法,在2020℃下常压烧结成密度高于98

的SiC烧结体。A.Mulla等以Al2O3和Y2O3为添加剂在1850-1950℃烧结0.5μm的β-SiC(颗粒表面含有少量SiO2),获得的SiC陶瓷相对密度大于理论密度的95,并且晶粒细小,平均尺寸为1.5μm。 (2)热压烧结 不添加任何烧结助剂,纯SiC只有在极高的温度下才能烧结致密,于是不少人对SiC实行热压烧结工艺。关于添加烧结助剂对SiC进行热压烧结的报道已有许多。Alliegro等研究了B、Al、Ni、Fe、Cr等金属添加物对SiC致密化的影响,发现Al和Fe是促进SiC热压烧结有效的添加剂。https://www.doczj.com/doc/68218160.html,nge研究了添加不同量Al2O3对热压烧结SiC的性能影响,认为热压烧结致密是靠溶解--再沉淀机理。但是热压烧结工艺只能制备形状简单的SiC部件,而且一次热压烧结过程中所制备的产品数量很小,因此不利于工业化生产。 (3)反应烧结 反应烧结SiC又称自结合SiC, 是由a- SiC粉和石墨粉按一定比列混合压成坯体后,加热到1650℃左右,同时熔渗Si或通过气相Si渗入坯体,使之与石墨起反

常规真空烧结炉

常规真空烧结炉: 真空烧结炉是在真空环境中对被加热物品进行保护性烧结的炉子,其加热方式比较多,如电阻加热、感应加热、微波加热等。真空感应炉是利用感应加热对被加热物品进行保护性烧结的炉子,可分为工频、中频、高频等类型,可以归属于真空烧结炉的子类。 真空感应烧结炉 真空感应烧结炉是在真空或保护气氛条件下,利用中频感应加热的原理使硬质合金刀头及各种金属粉末压制体实现烧结的成套设备,是为硬质合金、金属镝、陶瓷材料的工业生产而设计的。 VSWF真空感应钨烧结氢气炉 一、主要原理及用途 真空感应钨烧结炉是在抽真空后充氢气保护状态下,利用中频感应加热的原理,使处于线圈内的钨坩埚产生高温,通过热辐射传导到工作上,适用于科研、军工单位对难熔合金如钨、钼及其合金的粉末成型烧结。 二、主要结构及组成 结构形式多为立式、下出料方式。其主要组成为:电炉本体、真空系统、水冷系统、气动系统、液压系统、进出料机构、底座、工作台、感应加热装置(钨加热体及高级保温材料)、进电装置、中频电源及电气控制系统等。 三、主要功能 在抽真空后充入氢气保护气体,控制炉内压力和气氛的烧结状态。可用光导纤维红外辐射温度计和铠装热电偶连续测温(0~2500℃),并通过智能控温仪与设定程序相比较后,选择执行状态反馈给中频电源,自动控制温度的高低及保温程序。 真空烧结炉安全操作规程 1.中频电源、真空炉炉体、感应圈之冷却水源——蓄水池之水必须充满,水中不得有杂质。 2.开动水泵,使其中频电源,真空炉感应圈、炉体冷却系统水循环正常,并调整水压控制在规定值。 3.检查真空泵电源系统,皮带盘皮带松紧,真空泵油是否位于油封观察孔中线。检查妥后,人工转动真空泵皮带盘,如无异常,可在关闭蝶阀的情况下,启动真空泵。 4.检查真空炉体内情况,要求真空炉体内一级卫生,感应圈绝缘良好,密封真空胶带具有弹性,尺寸合格。 5.检查真空炉体的杠杆手把启动是否灵活。 6.检查转动式麦氏真空计是否合乎要求。 7.检查石墨坩埚,装炉配件是否齐全。 8.在以上准备就绪后,接通电源,中频电源合闸,按中频启动规则,试启动变频,成功后停止变频,方可开炉。 9.真空炉体上盖的观察、测温孔,每次开炉均需清洁处理,以便观察和测温。

真空炉操作步骤

真空炉操作步骤 首先开水,检查水压是否正常(0.15—0.25MPa)。注意回水电机是否抽水,水池的水是否溢出,气压是否正常(0.35—0.5MPa),空压机开关是否开启。各泵是否有油。 一切正常后,再开炉子电源开关,检查电控柜仪表是否正常,将报警开关打开。再打开前级阀,开旋片、罗茨、扩散泵。将对扩散泵抽真空并加热45至60分钟。开三泵的同时,注意是否有异常。再打开左侧放气阀,解除炉内真空。然后将炉门开关打开,用手将料舟轻轻放入炉内,摆放整齐,此时应特别注意炉内的碳棒及热电偶。装完炉,用刷子将炉内及炉门的杂物清理干净涂抹真空脂。关上炉门和左侧的放气阀。 将正负压开关打到负压位置,再打开真空计电源开关,将前级阀关掉,开粗抽阀,对炉内进行粗抽真空。注意开关没有打到负压时将打不开粗抽阀。当炉内的压力小于3×103时,罗茨泵将会自动启动。待炉内压力小于5×100时,关闭粗抽阀,打开前级阀和高真空阀,对炉内开始抽高真空。当真空度达到后,把加热电源开关打开,将温控仪的曲线输入,并启动,此时将按曲线对产品升温。

当升温结束后,关闭加热电源和真空计开关,让炉子自然降温。当降到800℃时,关闭高真空阀,扩散泵,罗茨泵,将正负压开关旋到正压位置,再打开炉尾的手动充气阀及电控柜上的充气阀,打开气瓶,调节压力表,对炉内充气。注意风机处的压力表,当压力达到0位置时,将风机开关打开。此时继续对炉内充气,当气压达到小于0.1Pa时,停止充气。关闭手动充气阀及电控柜上的充气阀。此时温度会快速下降,待扩散泵冷却后,再关闭前级阀和旋片泵。。当炉温降至100℃以下时,再关闭风机,打开炉门左侧的手动放气阀,泄压。当泄压完毕时,将炉门开关打开,轻轻取出产品。卸完后,将炉内打扫干净,关闭炉门,电源和冷却水。最后,将场地清理干净。 注意: 当停水或停电时,一定要马上启动柴油机或自来水来确保炉子的冷却水。 每次开炉前一定要认真检查机械泵的油位及时加油。 每次装料时要注意碳棒及高温热电偶。

碳化硅陶瓷的烧结工艺

碳化硅陶瓷的合成方法综述 碳化硅陶瓷具有机械强度高、耐高温、抗氧化性强、热稳定性能好、热导率大、耐磨损性能好、耐化学腐蚀性能好、硬度高、抗热震性能好等优良的特性。碳化硅是所有非氧化物陶瓷中抗氧化性能最好的一种。碳化硅陶瓷不仅在高新技术领域发挥着重要的作用,而且在冶金、机械、能源和建材化工等热门领域也拥有广阔的市场。随着高新技术的不断发展,对碳化硅陶瓷的要求也越来越高,需要不同层次和不同性能的各种产品。早在20 世纪50 年代,Popper[ 1] 首次提出反应烧结制备碳化硅。其基本原理是:具有反应活性的液硅或硅合金,在毛细管力的作用下渗入含碳的多孔陶瓷素坯,并与其中的碳反应生成碳化硅,新生成的碳化硅原位结合素坯中原有的碳化硅颗粒,浸渗剂填充素坯中的剩余气孔,完成致密化的过程。 1.1 常压烧结 1.1.1 固相烧结 单一陶瓷粉体烧结常常属于典型的固相烧结,即在烧结过程中没有液相形成。陶瓷坯体的致密化主要是通过蒸发和凝聚、扩散传质等方式来实现的。其烧结过程主要由颗粒重排、气孔填充和晶粒生长等阶段组成。同时,固相烧结可以通过合适的颗粒级配、适当的烧结温度和较短的保温时间等工艺参数来实现致密化烧结。自20世纪7O年代,Prochazkal6在高纯度的SiC中加人少量的B和C作为烧结助剂,在2050℃成功地固相烧结出致密度高于98 的SiC陶瓷以来,固相烧结就一直很受关注。虽然SiC-B-C体系固相烧结SiC需要较高的烧结温度,烧结晶粒粗大,均匀性差,而且SiC陶瓷具有较低的断裂韧性、较高的裂纹强度敏感性和典型的穿晶断裂模式,但是固相烧结的烧结助剂含量低,杂质少,晶界几乎不残留低熔点物质,烧结后的SiC陶瓷高温稳定性好、热导能力强l7剖。因此,固相烧结在SiC陶瓷烧结中具有潜在的应用价值。目前,采用SiC-B-C烧结体系来进行固相烧结SiC陶瓷的厂家主要有美国的GE公司。 1.1.2 液相烧结 由于陶瓷粉体中总有少量的杂质,大多数材料在烧结过程中都会或多或少地出现液相。另外,即使在没有杂质的纯固相系统中,高温下还会出现“接触”熔融现象,因而纯粹的固相烧结实际上不易实现,大多数的烧结实属液相烧结。液相烧结是以一定数量的多元低共熔点氧化物为烧结助剂,在高温下烧结助剂形成共溶液相的烧结过程,烧结晶粒细小均匀呈等轴晶状。其烧结体系的传质方式为流动传质,可降低致密化所需要的能量,容易实现低温下的烧结致密化,缩短烧结时问。同时,低共溶液相的引入和独特的界面结合弱化,使材料的断裂模式为沿晶断裂模式,材料的断裂韧性和强度显著提高。Nakano等利用BeO 的高热导能力以及SiC与BeO在烧结过程中形成液相的特点,最终制备出热导率高达270W /(m ·K)的SiC陶瓷。Takada等在2200℃烧结平均粉末粒径为0.5Fro的SiC陶瓷的过程中,加入烧结助剂2 BeO、0.2 ~O.4 BC和0.2 ~O.3 C(质量分数),无压烧结0.5h,获得材料的电阻率和热导率分别为5×l0^12Q ·cm和140w/(m ·K)。在烧结过程中,均匀分布在SiC表面的B原子和C原子与Si原子反应,生成GB-C、Si-B-C、Si- Si 和Si—DSi键,促进Si原子的扩散,提高SiC陶瓷的致密度。 1.2 热压烧结 热压烧结是指在SiC加热烧结的同时,施加一定的轴向压力而进行的烧结。热压烧结可增大SiC粒子间接触面积,降低烧结温度,缩短烧结时间,增加烧结体的致密化,促进SiC烧结。为了使SiC粒子更容易烧结,热压烧结通常需要在SiC粉体中加入B、C、Al、B4C、Y2O3、A12O3。等烧结助剂来促进烧结。B、Al或BC固溶于SiC中,降低SiC 的界面能,C主要与SiC粒子表面的SiO。反应形成低温液相,促进B、A1的扩散。Liu 等以Y2O3和A12O3。为烧结助剂,在2000℃、30MPa的烧结条件下进行烧结,烧结出

反应烧结碳化硅陶瓷资料

碳化硅制品的全面概述 碳化硅制品是何物?如何使用碳化硅制品,我们首先要明确碳化硅的定义,然后知道碳化硅制品的组成部分,用哪些工艺?下面做些简单介绍 碳化硅是一种无机非金属材料,由于它具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蚀性及较高的高温强度等特点,用于各种要求耐磨、耐蚀和耐高温的机械零部件中。由于材料工作者的不断努力,其性能有了很大的改进,已成为一种重要的工程材料,在机械、冶金、化工、电子等部门得到广泛的应用。 采用常压烧结方法生产碳化硅陶瓷制品,其特点是用较高的烧结温度烧结碳化硅的毛坯,使之达到较高的密度,碳化硅的含量达到98%以上。所得到的碳化硅陶瓷烧结体耐腐蚀性、抗氧化性能及高温强度均较高。在1600oC时强度不降低。因而其制品特别适合于耐磨、耐腐蚀和耐高温的场合使用,如密封环、磨介、喷砂嘴、防弹板等。 特种陶瓷主要运用到那些方面? 特种陶瓷包括各种材料制作的陶瓷制品,例如碳化硅材料生产的碳化硅制品,碳化硅密封环,氧化铝材料生产的99瓷,氧化锆材料生产的电解质等等。所以说,是应用相当广泛的,今天我讲解下应用到高端产品的特种陶瓷。 1 氧化锆材料生产的特种陶瓷 氧化锆陶瓷因其拥有较高的离子电导率,良好的化学稳定性和结构稳定性,成为研究最多、应用最为广泛的一类电解质材料。通过对氧化锆基电解质薄膜制备工艺的改进,降低此类材料的操作温度和制备成本,力争可以实现产业化也是未来研究的重要方向。 2 碳化硅材料生产的特种陶瓷 碳化硅材料是硬度高,成本低的材料,可以生产碳化硅制品,例如碳化硅密封件、碳化硅轴套、碳化硅防弹板、碳化硅异形件等,可以应用到机械密封件上和各种泵上。 在以后的发展中,特种陶瓷会应用得更加广泛,因为新型材料的不断出现,制作的特种陶瓷的功能越来越受到人们的欢迎! 当今市场上存在哪些碳化硅制品 在碳化硅制品行业中,仅仅因为其市场较大,所以涌现了很多的碳化硅制品种类,例如碳化硅密封环、碳化硅轴套、碳化硅轴、碳化硅防弹板等。 1 碳化硅密封环 碳化硅密封环主要运用到机械密封件上,动静环配套使用,外加上固定的配件就组成了机械密封件。它是密封件的核心部位,起到关键作用。 2 碳化硅轴套和轴 碳化硅轴套和轴可以用到磁力泵、高压釜上,它们相互配套使用,轴起到支撑作用,轴套密封在轴上,共同保证磁力泵等在高温下正常密封。 3 碳化硅防弹板 碳化硅防弹板是新型的产物,在国外已经很是流行。碳化硅防弹板硬度高、比重小、弹道性能好,广泛用于各种防弹车、装甲车,舰艇等防护防弹中 随着碳化硅制品的市场越来越大,客户的要求也越来越高,所以,出现的碳化硅制品种类越来越多。

真空高温管式炉操作规程

GSL-1300X、1600X真空高温管式炉操作规程 一、准备工作 1.设计升降温曲线,升温速率不得高于10℃/分钟,降温速率应低于15℃/分钟。 2.清扫环境。 3.每周开始使用管式炉时,检查机械泵油线处于标线以上,拆除两端盖,用吸尘器清洁刚 玉炉管。 4.将样品舟推入刚与管炉膛中部(恒温长度10cm)。 5.塞上两块隔热炉塞,使第二个炉塞的末端与炉体侧面平齐。 6.装上气炉法兰,确认密封垫落入槽中。 二、充工作气体 Ⅰ. 使用氢气作为工作气体时 1.接通氢气气路,对各接头处用肥皂水检漏,确认不漏气。 2.确认各阀门处于关闭状态。 3.逆时针旋转旋钮开氢气瓶主阀,顺时针旋动旋钮,缓慢打开出口减压阀,使出口气压在 0.1MPa。 4.接通机械泵电源,打开管式炉出口阀和机械泵气路上的两个阀门,抽5分钟。 5.关闭机械泵气路上的两个阀门,关闭管式炉出口阀门,关机械泵。 6.逆顺时针打开上气路控制阀,使箭头指向“开”位置。 7.逆顺时针调节流量计旋钮,使示数在20ml/min。 8.逆时针旋动旋钮,打开管式炉进气阀,直至气压表读数为零。 9.打开管式炉进气阀,打开氢气气路上的红色出口阀门。 10.在通氢气满十分钟后,才能开始加热管式炉。加热前,逆时针调节流量计旋钮,使锥形 瓶中气泡出现的速度为2个/秒钟。 Ⅱ. 使用惰性气体作为工作气体时 1. 接通工作气体气路,将管式炉气体出口端连接机械泵。 2. 打开管式炉进气阀,合上真空泵电源,打开出气阀(注意把住法兰,避免炉管受力过大),抽空刚玉管和气体管路。 3. 当管式炉真空表到-0.1(指针到尽头时),关闭出气阀,关闭进气阀。 4. 逆时针旋动旋钮开气瓶主阀,顺时针旋动旋钮,缓慢打开出口减压阀,使出口气压在0.004MPa(2小格)。 5. 逆时针旋动旋钮,缓慢打开管式炉进气阀;密切注意管式炉气压表,确认气压在0.08MPa 以下(如气压高于0.08MPa,打开管式炉出气阀放气)。 6. 管式炉气压表当气压稳定时,关闭管式炉进气阀,打开出气阀,抽真空到-0.1,关管式炉出气阀。 7. 重复4、5步两次。 8. 关机械泵,打开管式炉进气阀。 三、开炉 1. 开墙上管式炉总电源,风扇启动。 2. 开面板电源(顺时针转动Lock旋钮),启动面板。 3. 使仪表处于初始状态(即PV显示数值,SV闪烁显示Stop),此时若不处于该状态,则按向上键对仪表清零,使仪表只处在测显状态。 4. 按向左键1秒,进入温度设定状态,通过按向左键移动光标,按向上键和向下键来调节温度的设定数值。 5. 按回车键1秒,进入时间设定状态,通过按向左键移动光标,按向上键和向下键来调节

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