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光耦资料357T

光耦资料357T
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光耦的作用

光耦 光耦全称是光耦合器,英文名字是:optical coupler,英文缩写为OC,亦称光电隔离器,简称光耦。 光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离,光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。 发光二极管把输入的电信号转换为光信号传给光敏管转换为电信号输出,由于没有直接的电气连接,这样既耦合传输了信号,又有隔离干扰的作用。 只要光耦合器质量好,电路参数设计合理,一般故障少见。如果系统中出现异常,使输入、输出两侧的电位差超过光耦合器所能承受的电压,就会使之被击穿损坏。 光耦的参数都有哪些?是什么含义? 1、CTR:电流传输比 2、Isolation Voltage:隔离电压 3、Collector-Emitter Voltage:集电极-发射极电压 CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值 隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值 集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值 光耦什么时候导通?什么时候截至? ------------------------------------- 关于TLP521-1的光耦的导通的试验报告 要求: 3.5v~24v 认为是高电平,0v~1.5v认为是低电平 思路: 1、0v~1.5v认为是低电平,利用串接一个二极管1N4001的压降0.7V+光耦的LED的压降,吃掉1.4V 左右; 2、24V是最高电压,不能在最高电压的时候,光耦通过的电流太大;所以选用2K的电阻;光耦工作在大概10mA的电流,可以保证稳定可靠工作n年以上; 3、3.5V以上是高电平,为了尽快进入光敏三极管的饱和区,要把光耦的光敏三极管的上拉电阻加大;因此选用10K;同时要考虑到ctr最小为50%; 电路: 1、发光管端: 实验室电源(0~24V)->2K->1N4001->TLP521-1(1)->TLP521-1(2)-gnd1 2、光敏三极管: 实验室电源(DC5V)->10K->TLP521-1(4)->TLP521-1(3)-gnd2

光耦的工作原理

光耦的工作原理 耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用,所以,它在各种电路中得到广泛的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。光耦合器一般由三部分组成:光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管(LED),使之发出一定波长的光,被光探测器接收而产生光电流,再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换,从而起到输入、输出、隔离的作用。由于光耦合器输入输出间互相隔离,电信号传输具有单向性等特点,因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件,因而具有很强的共模抑制能力。所以,它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件,可以大大增加计算机工作的可靠性。 光耦的优点 光耦合器的主要优点是:信号单向传输,输入端与输出端完全实现了电气隔离,输出信号对输入端无影响,抗干扰能力强,工作稳定,无触点,使用寿命长,传输效率高。光耦合器是70年代发展起来产新型器件,现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。在单片开关电源中,利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路,通过调节控制端电流来改变占空比,达到精密稳压目的。 光耦的种类 光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于开关信号的传输,不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。 线性光耦的电流传输特性曲线接近直线,并且小信号时性能较好,能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。 开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦,有可能使振荡波形变坏,严重时出现寄生振荡,使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电,彩显,VCD,DCD等等,将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电,显示器等开关电源维修中如果光耦损坏,一定要用线性光耦代换。常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有:LP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。常用的4N2 5 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线性光耦。 光耦的作用

光耦的一些常用参数和使用技巧

光耦常用参数正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。 反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二极管中流过的电流。 反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两极间所产生的电压降。 结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。 反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规定值,集电极与发射集间的电压降。 输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持 IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO:发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流。 电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 脉冲上升时间tr、下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输出脉冲前沿幅度的10%到90%,所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%,所需时间为脉冲下降时间tf。传输延迟时间tPHL、tPLH:光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流IFP 的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。 入出间隔离电容CIO:光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。 入出间隔离电阻RIO:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。 入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。 ---------------------------------------------------------------------------------------- 常用的器件。光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。 常用的4N系列光耦属于非线性光耦 常用的线性光耦是PC817A—C系列。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于弄开关信号的传输,不适合于传输模拟量。 线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线,并且小信号时性能较好,能以线性特性进行隔离控制。 开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦,有可能使振荡波形变坏,严重时出现寄生振荡,使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电,彩显,VCD,DCD等等,将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。 在彩电,显示器等开关电源维修中如果光耦损坏,一定要用线性光耦代换。 常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有: TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。 常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线

光耦参数及资料

市场常见光耦内部图:

光电耦合器(简称光耦)是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。 常用的4N系列光耦属于非线性光耦 常用的线性光耦是PC817A—C系列。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于弄开关信号的传输,不适合于传输模拟量。 线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线,并且小信号时性能较好,能以线性特性进行隔离控制。 开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦,有可能使振荡波形变坏,严重时出现寄生振荡,使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电,彩显,VCD,DCD等等,将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。 在彩电,显示器等开关电源维修中如果光耦损坏,一定要用线性光耦代换。

常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有:TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。 常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线性光耦。 以下是目前市场上常见的高速光藕型号: 100K bit/S: 6N138、6N139、PS8703 1M bit/S: 6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530(双路)、HCPL-2531(双路) 10M bit/S: 6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630(双路)、HCPL-2631(双路) 光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR),其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关,即集电极和发射极之间的电压。 可控硅型光耦 还有一种光耦是可控硅型光耦。 例如:moc3063、IL420; 它们的主要指标是负载能力; 例如:moc3063的负载能力是100mA;IL420是300mA; 光耦的部分型号 型号规格性能说明

光耦资料总结

型号-引脚功能说明 脚位 内部结构电路图 AQY210 4引脚位,单组 AQY214 4引脚位,单组 AQY210S 4引脚位,单组 AQY214Sx 4引脚位,单组 AQV210 6引脚位,单组器件 AQV212 6引脚位,单组器件 AQV215 6引脚位,单组器件 AQV217 6引脚位,单组器件 AQV214 6引脚位,单组器件 AQV216 6引脚位,单组器件 AQV414 6引脚位,单组器件 HCPL2530 高速光耦 8引脚位 HCPL2531 高速光耦 8引脚位 HCPL4502 高速光耦 8引脚位 HCPL2503 高速光耦 HCPL2533 高速光耦 8引脚位 HCPL2601 高速光耦 8引脚位 HCPL2611 高速光耦 8引脚位8引脚位 HCPL2630 高速光耦 8引脚位 HCPL2631 高速光耦 8引脚位

HCPL2731 高速光耦8引脚位 K1010 三极管输出 4N25 三极管输出6引脚位,单组器件4N26 三极管输出6引脚位,单组器件4N27 三极管输出6引脚位,单组器件4N28 三极管输出6引脚位,单组器件4N29 达林顿管输出6引脚位,单组器件4N30 达林顿管输出6引脚位,单组器件4N31 达林顿管输出6引脚位,单组器件4N32 达林顿管输出6引脚位,单组器件4N33 达林顿管输出6引脚位,单组器件4N35 三极管输出6引脚位,单组器件4N36 三极管输出6引脚位,单组器件4N37 三极管输出6引脚位,单组器件4N38 三极管输出6引脚位,单组器件4N38A 三极管输出6引脚位,单组器件4N39 单向晶闸管输出6引脚位,单组器件 4N40 单向晶闸管输出6引脚位,单组器件

PC400光耦资料

s Features s Outline Dimensions PC400 PC400 “In the absence of confirmation by device specification sheets, SHARP takes no responsibility for any defects that occur in equipment using any of SHARP's devices, shown in catalogs,Compact, Surface Mount Type OPIC Photocoupler (Unit :mm ) 查询PC400供应商

0200 100 150100 50 025*********Fig. 2 Power Dissipation vs. Ambient Temperature Ambient temperature T a (?C ) P o w e r d i s s i p a t i o n P O , P t o t (m W ) 1020605040300-25 025******* 85Fig. 1 Forward Current vs. Ambient Temperature F (m A ) Ambient temperature T a (?C ) 0.2R e l a t i v e t h r e s h o l d i n p u t c u r r e n t 0.40.61.451020 151.21.0 0.8Supply voltage V CC (V ) 1251020501002005000.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 F (m A ) Fig. 3 Forward Current vs. Forward Voltage Forward voltage V F (V ) Fig. 4 Relative Threshold Input Current vs. Supply Voltage 0.20.4R e l a t i v e t h r e s h o l d i n p u t c u r r e n t 0.60.8 1.6 25 50 100 -25 75 1.41.21.0Ambient temperature T a (?C ) 0.01 1 0.020.050.1 1.0 2 510100 50 200.20.5 L o w l e v e l o u t p u t v o l t a g e V O L (V ) Low level output current I OL (mA ) Fig. 5 Relative Threshold Input Current vs. Ambient Temperature Fig. 6 Low Level Output Voltage vs. Low Level Output Current F o r w a r d c u r r e n t I F o r w a r d c u r r e n t I -25 P tot P O I FHL I FLH T a =25?C I FHL =1 at V CC =5V I FHL I FLH V CC =5V I FHL =1 at T a =25?C V CC =5V I F =4mA T a =25?C

P521光耦详细解答

光耦pc817应用电路 pc817是常用的线性光藕,在各种要求比较精密的功能电路中常常被当作耦合器件,具有上下级电路完全隔离的作用,相互不产生影响。 <光耦pc817应用电路图> 当输入端加电信号时,发光器发出光线,照射在受光器上,受光器接受光线后导通,产生光电流从输出端输出,从而实现了“电-光-电”的转换。 普通光电耦合器只能传输数字信号(开关信号),不适合传输模拟信号。线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件,能够传输连续变化的模拟电压或电流信号,这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号,从而使光敏晶体管的导通程度也不同,输出的电压或电流也随之不同。 PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。

\ \当输入端加电信号时,发光器发出光线,照射在受光器上,受光器接受光线后导通,产生光电流从输出端输出,从而实现了“电-光-电”的转换。 普通光电耦合器只能传输数字信号(开关信号),不适合传输模拟信号。线性光电耦合器是一种新型的光电隔离器件,能够传输连续变化的模拟电压或电流信号,这样随着输入信号的强弱变化会产生相应的光信号,从而使光敏晶体管的导通程度也不同,输出的电压或电流也随之不同。 PC817光电耦合器不但可以起到反馈作用还可以起到隔离作用。 光耦的测量: 用数字表测二极管的方法分别测试两边的两组引脚,其中仅且仅有一次导通的,红表笔接的为阳极,黑表笔接的为阴极(指针表相反)。且这两脚为低压端,也就是反馈信号引入端。 在正向测试低压端时,再用另一块万用表测试另外高压端两只脚,接通时,红表笔所接为C极,黑表笔接为E极。当断开低压端的表笔时,高压端的所接万用表读数应为无穷大。 同理:只要在反馈端加一定的电压,高压端就应能导通,反之,该器件应为损坏。光耦能否代用,主要看其CTR参数值是否接近。 测量的实质就是:就是分别去测发光二极管和3极管的好坏。 另外一种测量说法: 用两个万用表就可以测了。光电耦合器由发光二极管和受光三极管封

光耦参数及资料

光电耦合器(光耦)参数及资料市场常见光耦内部图:

光电耦合器(简称光耦)是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。 常用的4N系列光耦属于非线性光耦 常用的线性光耦是PC817A—C系列。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于弄开关信号的传输,不适合于传输模拟量。 线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线,并且小信号时性能较好,能以线性特性进行隔离控制。 开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦,有可能使振荡波形变坏,严重时出现寄生振荡,使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电,彩显,VCD,DCD等等,将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。 在彩电,显示器等开关电源维修中如果光耦损坏,一定要用线性光耦代换。 常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有:TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。 常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线性光耦。 以下是目前市场上常见的高速光藕型号:

100K bit/S: 6N138、6N139、PS8703 1M bit/S: 6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530(双路)、HCPL-2531(双路) 10M bit/S: 6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630(双路)、HCPL-2631(双路) 光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR),其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关,即集电极和发射极之间的电压。 可控硅型光耦 还有一种光耦是可控硅型光耦。 例如:moc3063、IL420; 它们的主要指标是负载能力; 例如:moc3063的负载能力是100mA;IL420是300mA; 光耦的部分型号 型号规格性能说明 4N25 晶体管输出 4N25MC 晶体管输出 4N26 晶体管输出 4N27 晶体管输出 4N28 晶体管输出 4N29 达林顿输出 4N30 达林顿输出 4N31 达林顿输出 4N32 达林顿输出 4N33 达林顿输出 4N33MC 达林顿输出 4N35 达林顿输出 4N36 晶体管输出 4N37 晶体管输出 4N38 晶体管输出 4N39 可控硅输出 6N135 高速光耦晶体管输出 6N136 高速光耦晶体管输出 6N137 高速光耦晶体管输出 6N138 达林顿输出 6N139 达林顿输出 MOC3020 可控硅驱动输出

光耦使用参考资料

[8]
Explanations
2.
How to Use Photocouplers
2.1
LED Control Circuits
2.1.1
DC Drive
Figure 8.2.1 shows an example of controlling LED drive current by switching the power supply on and off. In this case, the resistor R is R= VIN ? VF IF
IF R IF VIN VF
VIN R IF VF
VF
VIN
Figure 8.2.1 Simple Drive Circuit for an LED
For example, when IF = 10 mA, VF (max) = 1.35 V, and VIN = 5 V, R = (5 ? 1.35) V 10 mA = ? 365
Therefore, the resistor should be selected as R = 360 ?. Assuming that VF = 0.9 V due to its fluctuation or temperature dependence, the value of IF is 11.4 mA.
2.1.2
Reverse Voltage Protection
When a reverse surge voltage may be applied to a light emitting diode, a Si diode (for example, 1SS348) should be connected in reverse parallel with the light emitting diode, so that the reverse surge voltage bypasses the LED.
R Si Diode
Figure 8.2.2 Protection from Reverse Voltage by Silicon Diode
144

详解光耦的重要参数——CTR值

详解光耦的重要参数——CTR值 CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。 隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。 光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压 V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。 集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的 CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此,它适合传输模拟电压或电流信号,能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。 电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而pc817则为80%~160%,台湾亿光(如EL817)可达 50%~600%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器,目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性,其线性度差,适宜传输数字信号(高、低电平),可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。

光耦资料PS2801

DATA SHEET The information in this document is subject to change without notice. Document No. P12277EJ6V0DS00 (6th edition) Date Published May 1998 NS CP(K) Printed in Japan ?1991 The mark ? shows major revised points. DESCRIPTION The PS2801-1 and PS2801-4 are optically coupled isolators containing a GaAs light emitting diode and an NPN silicon phototransistor in a plastic SOP for high density applications. This package has shield effect to cut off ambient light. FEATURES ?High isolation voltage (BV = 2 500 Vr.m.s.) ?Small and thin package (4,16-pin SOP, Pin pitch 1.27 mm) ?High collector to emitter voltage (V CEO = 80 V) ?High-speed switching (t r = 3 μs TYP., t f = 5 μs TYP.) ?UL approved: File No. E72422 (S) ?VDE0884 approved (Option): PS2801-4 only ?Operating number of taping product: PS2801-1-F3, F4, PS2801-4-F3, F4 APPLICATIONS ?Programmable logic controllers ?Measuring instruments ?Power supply ?Hybrid IC

光耦芯片选择资料

光电耦合器(简称光耦)是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。 常用的4N系列光耦属于非线性光耦 常用的线性光耦是PC817A—C系列。 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于弄开关信号的传输,不适合于传输模拟量。 线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线,并且小信号时性能较好,能以线性特性进行隔离控制。 开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦,有可能使振荡波形变坏,严重时出现寄生振荡,使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电,彩显,VCD,DCD等等,将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。 在彩电,显示器等开关电源维修中如果光耦损坏,一定要用线性光耦代换。 常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有:TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。 常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线性光耦。 经查大量资料后,以下是目前市场上常见的高速光藕型号: 100K bit/S:

6N138、6N139、PS8703 1M bit/S: 6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530(双路)、HCPL-2531(双路) 10M bit/S: 6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630(双路)、HCPL-2631(双路) 光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR),其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关,即集电极和发射极之间的电压。 可控硅型光耦 还有一种光耦是可控硅型光耦。 例如:moc3063、IL420; 它们的主要指标是负载能力; 例如:moc3063的负载能力是100mA;IL420是300mA; 光耦的部分型号 型号规格性能说明 4N25 晶体管输出 4N25MC 晶体管输出 4N26 晶体管输出 4N27 晶体管输出

光耦参数解释及设计注意事项

光耦参数解释一:VV是指在给定的工作电流下,LED):本身的压降。1、正向工作电压 (forward voltage ff I=10mA来测试正向工作电压,当然不同的LED,测试条件和常见的小功率LED通常以f测试结果也会不一样。 I:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。、正向电流2f 反向工作电压V(reverse voltage):是指原边发光二极管所能承受的最大反向电、3r压,超过此反向电压,可能会损坏LED。而一般光耦中,这个参数只有5V左右,在存在反压或振荡的条件下使用时,要特别注意不要超过反向电压。如,在使用交流脉冲驱动LED时,需要增加保护电路。 IV时,二极管中流过的电流。:在被测管两端加规定反向工作电压4、反向电流rr VI为规定值时,在两极间所产生的电压降。::被测管通过的反向电流、反向击穿电压5brr C:在规定偏压下,被测管两端的电容值。6、结电容j7、电流传输比CTR(current transfer ratio ):指在直流工作条件下,光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三极管的电流放大倍数,是光耦的一个极为重要的参数,它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值,这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态,其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理,可能导致电路不能工作在预想的工作状态。 . I(collector current、8集电极电流):如上图,光敏三极管集电极所流过的电流,通常表c示其最大值。 9、输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持IC/IF ≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。 I)BRV(为规定值,集电极与发射10、反向击穿电压:发光二极管开路,集电极电流cceo集间的电压降。 I:发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电反向截止电流11、ceo极的电流为反向截止电流。 V(C-E saturation voltage):光敏三极管的集电极-、C-E饱和电压发射极饱和压降。12ce C:光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。、入出间隔离电容13io R:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。入出间隔离电阻14、io V:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值入出间隔离电压15、io TTI发光二极管输入规定电流:、光耦合器在规定工作条件下,传输延迟时间16、FP PHLPLH的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下T。从输入脉冲后沿幅度的时所需时间为传输延迟时间1.5V50%到输出脉冲电平上

常用光耦简介及常见型号及参数

常用光耦简介及常见型 号及参数 Document number:PBGCG-0857-BTDO-0089-PTT1998

【转】常用光耦简介及常见型号及参数 2010-10-15 21:52 转载自 最终编辑 常用光耦简介及常见型号 ???? 光电耦合器(简称光耦)是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。常用的4N系列光耦属于非线性光耦,常用的线性光耦是PC817A—C系列。 ????? 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于弄开关信号的传输,不适合于传输模拟量。 ????? 线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线,并且小信号时性能较好,能以线性特性进行隔离控制。 开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦,有可能使振荡波形变坏,严重时出现寄生振荡,使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电,彩显,VCD,DCD等等,将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。 在彩电,显示器等开关电源维修中如果光耦损坏,一定要用线性光耦代换。 常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有:TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。 常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线性光耦。 经查大量资料后,以下是目前市场上常见的高速光藕型号:

100K bit/S: 6N138、6N139、PS8703 1M bit/S: 6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、 PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530(双路)、HCPL-2531(双路) 10M bit/S: 6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630(双路)、HCPL-2631(双路) 光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR),其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。光电晶体管集电极电流与VCE有关,即集电极和发射极之间的电压。 可控硅型光耦 还有一种光耦是可控硅型光耦。 例如:moc3063、IL420; 它们的主要指标是负载能力; 例如:moc3063的负载能力是100mA;IL420是300mA; 光耦的部分型号 型号规格性能说明 4N25 晶体管输出

TPL521中文资料--光耦

TLP521是可控制的光电藕合器件,光电耦合器广泛作用在电脑终端机,可控硅系统设备,测量仪器,影印机,自动售票,家用电器,如风扇,加热器等 电路之间的信号传输,使之前端与负载完全隔离,目的在于增加安全性,减小电路干扰,减化电路设计。 东芝TLP521-1,-2和-4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。 该TLP521-2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装,而TLP521-4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装 集电极-发射极电压:55V(最小值) 经常转移的比例:50 %(最小) 隔离电压:2500 Vrms (最小) 图1 TLP521 TLP521-2 TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图 图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图 Characteristic 参数Symbol 符号 Rating 数值 Unit 单 位 TLP521?1 TLP521?2 TLP521?4 LED Forward current 正向电流IF70 50 mA Forward current derating 正向 电流减率 ΔIF/℃?0.93(Ta≥50℃) ?0.5(Ta≥25℃) mA/℃Pulse forward current 瞬间正向 脉冲电流 IFP 1 (100μ pulse, 100pps) A Reverse voltage 反向电压VR 5 V Junction temperature 结温Tj125 ℃ 接收侧Collector?emitter vol tage 集电 极发射极电压 VCEO55 V Emitter?collector voltage 发射 极集电极电压 VECO7 V Collector current 集电极电流IC50 mA

光耦TLP620 datasheet

TOSHIBA 11?5B2 Weight: 0.26 g (typ.) TOSHIBA 11?10C4 Weight: 0.54 g (typ.) TOSHIBA 11?20A3 Weight: 1.1 g (typ.)

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

详解光耦EL817的重要参数

详解光耦EL817的重要参数 详解光耦EL817的重要参数——CTR值 CTR:发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。隔离电压:发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值。 光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。 集电极-发射极电压:集电极-发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通?什么时候截至?普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性,在IF较小时的非线性失真尤为严重,因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度,特别是在传输小信号时,其交流电流传输比(ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此,它适合传输模拟电压或电流信号,能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。 电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%,300%(如4N35),而pc817则为80%,160%,台湾亿光(如EL817)可达50%,600%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。 使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准;由台湾亿光生成生产的EL817系列(如EL817B-F、EL817C-F)光耦合器,目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性,其线性度差,适宜传

光耦参数的理解

光耦参数的理解 摘要:分析光耦各个指标参数的含义,以及日常设计中的注意事项,涉及 CTR 和延时。 关键字:光耦 CTR 延时 1 引言 光耦作为一个隔离器件已经得到广泛应用,无处不在。一般大家在初次接触到光耦时往往感到无从下手,不知设计对与错,随着遇到越来越多的问题,才会慢慢有所体会。 本文就三个方面对光耦做讨论:光耦工作原理;光耦的 CTR 概念;光耦的延时。本讨论也有认识上的局限性,但希望能帮助到初次使用光耦的同事。 1 理解光耦 光耦是隔离传输器件,原边给定信号,副边回路就会输出经过隔离的信号。对于光耦的隔离容易理解,此处不做讨论。 以一个简单的图(图.1)说明光耦的工作:原边输入信号 Vin,施加到原边的发光二极管和 Ri 上产生光耦的输入电流 If,If 驱动发光二极管,使得副边的光敏三极管导通,回路VCC、RL 产生 Ic,Ic 经过 R L 产生 Vout,达到传递信号的目的。原边副边直接的驱动关联是CTR(电流传输比),要满足 Ic≤If*CTR。 图.1 光耦一般会有两个用途:线性光耦和逻辑光耦,如果理解? 工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通,管压降<0.4V,Vout 约等于 Vcc(Vcc-0.4V 左右),Vout 大小只受 Vcc 大小影响。此时 Ic

(完整word版)光耦参数解释及设计注意事项

一:光耦参数解释 1、正向工作电压f V (forward voltage ):f V 是指在给定的工作电流下,LED 本身的压降。常见的小功率LED 通常以f I =10mA 来测试正向工作电压,当然不同的LED ,测试条件和测试结果也会不一样。 2、正向电流f I :在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。 3、反向工作电压r V (reverse voltage ):是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压,超过此反向电压,可能会损坏LED 。而一般光耦中,这个参数只有5V 左右,在存在反压或振荡的条件下使用时,要特别注意不要超过反向电压。如,在使用交流脉冲驱动LED 时,需要增加保护电路。 4、反向电流r I :在被测管两端加规定反向工作电压r V 时,二极管中流过的电流。 5、反向击穿电压br V ::被测管通过的反向电流r I 为规定值时,在两极间所产生的电压降。 6、结电容j C :在规定偏压下,被测管两端的电容值。 7、电流传输比CTR(current transfer ratio ):指在直流工作条件下,光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR 类似于三极管的电流放大倍数,是光耦的一个极为重要的参数,它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值,这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态,其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理,可能导致电路不能工作在预想的工作状态。

8、集电极电流c I (collector current ):如上图,光敏三极管集电极所流过的电流,通常表示其最大值。 9、输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF 和集电极电流IC 为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin 时(CTRmin 在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。 10、反向击穿电压ceo )(BR V :发光二极管开路,集电极电流c I 为规定值,集电极与发射集间的电压降。 11、反向截止电流ceo I :发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流。 12、C-E 饱和电压ce V (C-E saturation voltage ):光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。 13、入出间隔离电容io C :光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。 14、入出间隔离电阻io R :半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。 15、入出间隔离电压io V :光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值 16、传输延迟时间PHL T 、PLH T :光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流FP I 的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V 时所需时间为传输延迟时间PHL T 。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V 时所需时间为传输延迟时间PLH T 。 17、上升时间Tr (Rise Time)& 下降时间f T (Fall Time),其定义与典型测试方法如下图所示,它们反映了工作在开关状态的光耦,其开关速度情况。

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