薄膜物理基础知识大全
第一章：
最可几速度：
平均速度： 均方根速度：
平均自由程：每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为自由程；其统计平均值成为平
均自由程。 常用压强单位的换算 1Torr=133.322 Pa 1 Pa=7.5×10-3 Torr
1 mba=100Pa 1atm=1.013*100000Pa
真空区域的划分、真空计、各种真空泵
粗真空 1×105 to 1×102 Pa
低真空 1×102 to 1×10-1 Pa
高真空 1×10-1 to 1×10-6 Pa
超高真空 <1×10-6 Pa
旋转式机械真空泵
油扩散泵
复合分子泵
属于气体传输泵，即通过气体吸入并排出真空泵从而达到排气的目的
分子筛吸附泵
钛升华泵
溅射离子泵
低温泵
属于气体捕获泵，即通过各种吸气材料特有的吸气作用将被抽气体吸除，以达到所需真空。
不需要油作为介质，又称为无油泵
绝对真空计：
U 型压力计、压缩式真空计
相对真空计：
放电真空计、热传导真空计、电离真空计
机械泵、扩散泵、分子泵的工作原理，真空计的工作原理
第二章：
1. 什么是饱和蒸气压、蒸发温度？
在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现出来的压力
规定物质在饱和蒸气压为10-2Torr 时的温度
2. 克-克方程及其意义？
3. 蒸发速率、温度变化对其影响？
根据气体分子运动论，在气体压力为P 时，单位时间内碰撞单位面积器壁上的M RT
M RT m kT v a 59.188===ππM RT M RT m kT v r 73.133===P
kT 22πσλ=()s g v v V V T H dT dP -=RT H C P v v -=ln
M RT M RT m kT v m 41.122===
分子数量，即碰撞分子流量（通量或蒸发速率）J：
蒸发源温度微小变化就可以引起蒸发速率的很大变化
4.平均自由程与碰撞几率的概念。
蒸发分子在两次碰撞之间所飞行的平均距离
热平衡条件下，单位时间通过单位面积的气体分子数为
5.点蒸发源和小平面蒸发源特性？
能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源（点源）。
这种蒸发源的发射特性具有方向性，使得在 alpha 角方向蒸发的材料质量和 cos(alpha) 成正比。
6.拉乌尔定律？如何控制合金薄膜的组分？
在定温下，在稀溶液中，溶剂的蒸气压等于纯溶剂蒸气压乘以溶液中溶剂的物质的量分数
在真空蒸发法制作合金薄膜时，为保证薄膜组成，经常采用瞬时蒸发法、双蒸发源法等。
7.MBE的特点？(分子束外延)
外延: 在一定的单晶材料衬底上，沿衬底某个指数晶面向外延伸生长一层单晶薄膜。
1)MBE可以严格控制薄膜生长过程和生长速率。MBE虽然也是以气体分子论
为基础的蒸发过程，但它并不以蒸发温度为控制参数，而是以四极质谱、原子吸收光谱等近代分析仪器，精密控制分子束的种类和强度。
2)MBE是一个超高真空的物理淀积过程，即不需要中间化学反应，又不受质
量输运的影响，利用快门可对生长和中断进行瞬时控制。薄膜组成和掺杂浓度可以随源的变化作迅速调整。
3)MBE的衬底温度低，降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质
对外延层自掺杂扩散的影响。
4)MBE是一个动力学过程，即将入射的中性粒子（原子或分子）一个一个地
堆积在衬底上进行生长，而不是一个热力学过程，所以它可以生长普通热平衡生长难以生长的薄膜。
5)MBE生长速率低，相当于每秒生长一个单原子层，有利于精确控制薄膜厚
度、结构和成分，形成陡峭的异质结结构。特别适合生长超晶格材料。
6)MBE在超高真空下进行，可以利用多种表面分析仪器实时进行成分、结构
及生长过程分析，进行科学研究。
8.膜厚的定义？监控方法？
厚度：是指两个完全平整的平行平面之间的距离。
理想薄膜厚度：基片表面到薄膜表面之间的距离。
监控方式见书上详解P50
第二章：
1.溅射镀膜与真空镀膜相比，有何特点？
1)任何物质都可以溅射，尤其是高熔点金属、低蒸气压元素和化合物；
2)溅射薄膜与衬底的附着性好；
3)溅射镀膜的密度高、针孔少，膜层纯度高；
4)膜层厚度可控性和重复性好。
5)溅射设备复杂，需要高压装置；
6)成膜速率较低（0.01-0.5 m）。
2.正常辉光放电和异常辉光放电的特征？
在正常辉光放电区，阴极有效放电面积随电流增加而增大，从而使有效区内电流密度保持恒定。
当整个阴极均成为有效放电区域后，只有增加阴极电流密度，才能增大电流，形成均匀而稳定的“异常辉光放电”，并均匀覆盖基片，这个放电区就是溅射区域。
3.射频辉光放电的特点？
i.在辉光放电空间产生的电子可以获得足够的能量，足以产生碰撞电
离；
ii.由于减少了放电对二次电子的依赖，降低了击穿电压；
iii.射频电压可以通过各种阻抗偶合，所以电极可以是非金属材料。
4.溅射的概念及溅射参数。
溅射是指荷能粒子轰击固体表面（靶），使固体原子或者分子从表面射出的现象。
1)溅射阈值
2)溅射率及其影响因素
3)溅射粒子的速度和能量分布
4)溅射原子的角度分布
5)溅射率的计算
5.溅射机理
溅射现象是被电离气体的离子在电场中加速并轰击靶面，而将能量传递给碰撞处的原子，导致很小的局部区域产生高温，使靶材融化，发生热蒸发。
溅射完全是一个动量转移过程
该理论认为，低能离子碰撞靶时，不能直接从表面溅射出原子，而是把动量传递给被碰撞的原子，引起原子的级联碰撞。这种碰撞沿晶体点阵的各个方向进行。
碰撞因在最紧密排列的方向上最有效，结果晶体表面的原子从近邻原子得到越来越多的能量。
当原子的能量大于结合能时，就从表面溅射出来
6.二极直流溅射、偏压溅射、三极或四极溅射、射频溅射、磁控溅射、离子
束溅射系统的结构和原理
二极直流溅射：是依赖离子轰击阴极所发射的次级电子来维持辉光放电靶与基板的距离以大于阴极暗区的3-4倍为宜。直流二极溅射射频二极溅射偏压溅射：结构、基片施加负偏压。
三极或四极溅射：热阴极发射的电子与阳极产生等离子体靶相对于该等离子体为负电位、为使放电稳定，增加第四个电极——稳定化电极
射频溅射：等离子体中的电子容易在射频场中吸收能量并在电场内振荡，与工作气体的碰撞几率增大，从而使击穿电压和放电电压显著降低。
磁控溅射：使用了磁控靶在阴极靶的表面上形成一个正交的电磁场。溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速成为高能电子，但是它并不直接飞向阳极，而在电场和磁场的作用下作摆线运动。高能电子束缚在阴极表面与工作气体分子发生碰撞，传递能量，并成为低能电子。
离子束溅射系统：离子束由惰性气体或反应气体的离子组成，离子能量高，它们打到由薄膜材料构成的靶上，引起靶原子溅射，并在衬底上形成薄膜。
第四章：
1. 离子镀膜系统工作的必要条件？
1) 造成一个气体放电的空间；
2) 将镀料原子(金属原子或非金属原子)引进放电空间，使其部分离化。
2. 离子镀膜的原理及薄膜形成条件？
淀积过程
μ为淀积原子在基片表面的淀积速率；ρ为薄膜质量密度；M 为淀积物质的摩尔质量；N A 阿佛加德罗常数。
溅射过程：
j 是入射离子形成的电流密度
3. 离子镀膜技术的分类？
按薄膜材料气化方式分类：
电阻加热、电子束加热、高频感应加热、阴极弧光放电加热等。
按原子或分子电离和激活方式分类：
辉光放电型、电子束型、热电子型、电弧放电型、以及各种离子源。
4. 直流二极离子镀、三极和多阴极离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀的原理和特点？
直流二极离子镀：利用二极间的辉光放电产生离子、并由基板所加的负电压对其加速 轰击离子能量大，引起基片温度升高，薄膜表面粗糙，质量差；工艺参数难于控制。附着力方面优于其它的离子镀方法。
三极和多阴极离子镀：
1) 可实现低气压下的离子镀膜。真空度比二级型离子镀的真空度大约高
一个数量级。所以，镀膜质量好，光泽致密
2) 通过改变辅助阴极(多阴极)的灯丝电流来控制放电状态。
3) 避免了直流二极型离子镀溅射严重、成膜粗糙、温升高而难以控制的
弱点。
活性反应离子镀：在离子镀膜基础上，若导入与金属蒸气起反应的气体，如O2、N2、C2H2、CH4等代替Ar 或掺入Ar 之中，并用各种不同的放电方式使金属蒸气和反应气体的分子、原子激活、离化、使其活化，促进其间的化学反应，在基片表面就可以获得化合物薄膜，这种方法称为活性反应离子镀法。
特点：
1) 电离增加了反应物的活性，在温度较低的情况下就能获得附着性能良好的
碳化物、氮化物薄膜。
2) 可以在任何材料上制备薄膜，并可获得多种化合物薄膜。
3) 淀积速率高。
4) 调节或改变蒸发速率及反应气体压力可以十分方便地制取不同配比、不同
结构、不同性质的同类化合物。
5) 由于采用了大功率、高功率密度的电子束蒸发源，几乎可以蒸镀所有金属
和化合物。
6) 清洁，无公害。
射频离子镀：
j n n >41060A N n M ρμ-=316219100.6310/1.610
j j n j cm s --==???
（1）以蒸发源为中心的蒸发区；
（2）以线圈为中心的离化区；
（3）以基板为中心，使生成的离子加速，并沉积在基板
特点:
a) 蒸发、离化、加速三种过程可分别独立控制，离化率靠射频激励，而不是
靠加速直流电场，基板周围不产生阴极暗区。
b) 在10-1-l0-3 Pa 的较低工作压力下也能稳定放电，而且离化率较高，薄
膜质量好。
c) 容易进行反应离子镀。
d) 和其它离子镀方法相比，基板温升低而且较容易控制。
第五章:
1. CVD 热力学分析的主要目的？
预测某些特定条件下某些CVD 反应的可行性（化学反应的方向和限度）。
2. CVD 过程自由能与反应平衡常数的过程判据？
小于零则反应
3. CVD 热力学基本内容？反应速率及其影响因素？
反应动力学是一个把反应热力学预言变为现实，使反应实际进行的问题；它是研究化学反应的速度和各种因素对其影响的科学。
反应速率τ是指在反应系统的单位体积中，物质（反应物或产物）随时间的变化率。
较低衬底温度下， τ随温度按指数规律变化。
较高衬底温度下，反应物及副产物的扩散速率为决定反应速率的主要因素。
4. 热分解反应、化学合成反应及化学输运反应及其特点？
热分解反应（吸热反应）：该方法在简单的单温区炉中，在真空或惰性气体保护下加热基体至所需温度后，导入反应物气体使之发生热分解，最后在基体上沉积出固体图层。
化学合成反应:指两种或两种以上的气态反应物在热基片上发生的相互反应。化学合成反应法比热分解法的应用范围更加广泛。可以制备单晶、多晶和非晶薄膜。容易进行掺杂。
化学输运反应: 将薄膜物质作为源物质（无挥发性物质），借助适当的气体介质与之反应而形成气态化合物，这种气态化合物经过化学迁移或物理输运到与源区温度不同的沉积区，在基片上再通过逆反应使源物质重新分解出来
5. CVD 的必要条件？
1) 在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，并能以适当的速度被引入反应室；
2) 反应产物除了形成固态薄膜物质外，都必须是挥发性的；
3) 沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压
6. 什么是冷壁CVD ？什么是热壁CVD ？特点是什么？
冷壁CVD ：器壁和原料区都不加热，仅基片被加热，沉积区一般采用感应加热或
光辐射加热。缺点是有较大温差，温度均匀性问题需特别设计来克服。
适合反应物在室温下是气体或具有较高蒸气压的液体。
热壁CVD ：器壁和原料区都是加热的，反应器壁加热是为了防止反应物冷凝。管壁有
反应物沉积，易剥落造成污染。 11()n m P i j i j K P P ===∏∏
生成物（反应物） 2.3log r P G RT K ?=-
7.什么是开管CVD？什么是闭管CVD？特点是什么？
开管式：
1)能连续地供气和排气，物料的运输一般是靠惰性气体来实现的。反应总处
于非平衡状态，而有利于形成薄膜沉积层（至少有一种反应产物可连续地从反应区排出）。
2)在大多数情况下，开口体系是在一个大气压或稍高于一个大气压下进行
的。但也可在真空下连续地或脉冲地供气及不断地抽出副产物。
3)开口体系的沉积工艺容易控制，工艺重现性好，工件容易取放，同一装置
可反复多次使用。
4)有立式和卧式两种形式。
闭管式:
把一定量的反应物和适当的基体分别放在反应器的两端，抽空后充入一定的输运气体，然后密封，再将反应器置于双温区炉内，使反应管内形成温度梯度。
闭管法的优点：污染的机会少，不必连续抽气保持反应器内的真空，可以沉积蒸气压高的物质。
闭管法的缺点：材料生长速率慢，不适合大批量生长，一次性反应器，生长成本高；管内压力检测困难等。
8.什么是低压CVD和等离子CVD？、
早期CVD技术以开管系统为主
低压下气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加。
等离子化学气相沉积
如果能在反应室内形成低温等离子体（如辉光放电），则可以利用在等离子状态下粒子具有的较高能量，使沉积温度降低。
第六章：
1.什么是化学镀？它与化学沉积镀膜的区别？
化学镀膜是指在还原剂的作用下，使金属盐中的金属离子还原成原子，在基片表面沉积的镀膜技术，又称无电源电镀。化学镀不加电场、直接通过化学反应实现薄膜沉积。
化学镀膜的还原反应必须在催化剂的作用下才能进行，且沉积反应只发生在基片表面上。
化学沉积镀膜：还原反应是在整个溶液中均匀发生的，只有一部分金属在基片上形成薄膜，大部分形成粉粒沉积物
2.自催化镀膜的特点？
自催化是指参与反应物或产物之一具有催化作用的反应过程。
1)可以在复杂形状表面形成薄膜；
2)薄膜的孔隙率较低；
3)可直接在塑料、陶瓷、玻璃等非导体表面制备薄膜；
4)薄膜具有特殊的物理、化学性能；
5)不需要电源，没有导电电极。
3.Sol-Gel镀膜技术的特点和主要过程？
采用金属醇盐或其它盐类作为原料，通常溶解在醇、醚等有机溶剂中形成均匀溶液（solution），该溶液经过水解和缩聚反应形成溶胶（sol），进一步聚合反应实现溶胶-凝胶转变形成凝胶（gel），在经过热处理脱除溶剂和水，最后形成薄膜。
优点：
?高度均匀性；
?高纯度；
?可降低烧结温度；
?可制备非晶态薄膜；
?可制备特殊材料（薄膜、纤维、粉体、多孔材料等）
缺点：
?原料价格高；
?收缩率高，容易开裂；
?存在残余微气孔；
?存在残余的羟基、碳等；
?有机溶剂有毒。
主要步骤：
?复合醇盐的制备；
?成膜（匀胶、浸渍提拉）；
?水解和聚合；
?干燥；
?焙烧。
4.阳极氧化镀膜和电镀的原理和特点？
阳极氧化技术：金属或合金在适当的电解液中作为阳极，并施加一定的直流电压，由于电化学反应在阳极表面形成氧化物薄膜的方法
特点：
1)采用阳极氧化法生成的氧化膜的结构、性质、色调随电解液的种类、电解条
件的不同而变化。
2)用阳极氧化法得到的氧化物薄膜大多是无定形结构。由于多孔性使得表面积
特别大，所以显示明显的活性，既可吸附染料也可吸附气体。
3)化学性质稳定的超硬薄膜耐磨损性强，用封孔处理法可将孔隙塞住，使薄膜
具有更好耐蚀性和绝缘性。
4)利用着色法可以使膜具有装饰效果。
电镀：指在含有被镀金属离子的水溶液中通入直流电流，使正离子在阴极表面沉积，得到金属薄膜的工艺过程。
特点：
1)膜层缺陷：孔隙、裂纹、杂质污染、凹坑等；
2)上述缺陷可以由电镀工艺条件控制；
3)限制电镀应用的最重要因素之一是拐角处镀层的形成；
4)在拐角或边缘电镀层厚度大约是中心厚度的两倍；
5)多数被镀件是圆形，可降低上述效应的影响。
5.什么是LB技术？LB薄膜的种类？LB薄膜的特点？
把液体表面的有机单分子膜转移到固体衬底表面上的一种成膜技术。得到的有机薄膜称为LB薄膜。、
根据薄膜分子在基片上的相对取向，LB薄膜可分为X型、Y型、Z型三种类型。优点：
1) LB薄膜中分子有序定向排列，这是一个重要特点；
2)很多材料都可以用LB技术成膜，
3) LB 膜有单分子层组成，它的厚度取决于分子大小和分子的层数；
4) 通过严格控制条件，可以得到均匀、致密和缺陷密度很低的LB 薄膜；
5) 设备简单，操作方便。
缺点：
1) 成膜效率低，
2) LB 薄膜均为有机薄膜，包含了有机材料的弱点；
3) LB 薄膜厚度很薄，在薄膜表征手段方面难度较大。
第七章：
1. 薄膜形成的基本过程描述？
薄膜形成分为：凝结过程、核形成与生长过程、岛形成与结合生长过程
2. 什么是凝聚？入射原子滞留时间、平均表面扩散时间、平均扩散距离的概念？
凝结过程是指吸附原子在基体表面形成原子对及其后续过程。 入射原子的滞留时间： 平均表面扩散时间：吸附原子在吸附位置上的停留时间 平均表面扩散距离：
3. 什么是捕获面积？对薄膜形成的影响？
答：吸附原子的捕获面积： 吸附原子在滞留时间内的迁移距离除以吸附位置密度。
总捕获面积：
当 时 总的小于1 时，每个吸附原子的捕获面积内只有一个原子，故不能形成原子对，也不能产生凝结。
当 1到2之间 时，发生部分凝结。平均每个吸附原子的捕获面积内有一个或两个吸附原子，可形成原子对或三原子团。在滞留时间内，一部分吸附原子有可能重新蒸发掉。
当 大于2时，每个吸附原子的捕获面积内至少有两个吸附原子。可形成原子对或更大的原子团，从而达到完全凝结。
4. 凝聚过程的表征方法？
凝结系数：单位时间内，完全凝结的气相原子数与入射到基片表面上的总原子数之比。
粘附系数：单位时间内，再凝结的气相原子数与入射到基片表面上的总原子数之比。
热适应系数：表征入射气相（或分子）与基体表面碰撞时相互交换能量的程度的物理量称为热适应系数。
5. 核形成与生长的物理过程。
（1）入射到表面上的气相原子，部分因能量较大而弹性反射出去。部分则吸附在o exp d a E kT ττ??= ???
exp D E kT ?? ???o D S N n =1111o o o 1o exp D D a d D n n N S n S n N f n n n E E n n kT τ∑=?=?=?=??-??= ???
基体表面上。其中有一小部分因能量稍大而再蒸发出去；
（2）吸附气相原子在基体表面扩散迁移，互相碰撞结合成原子对或小原子团并凝结在基体表面上；
（3）原子团和其他吸附原子碰撞结合，一旦原子团中的原子数超过其一个临界值，原子团进一步与其他吸附原子碰撞结合形成稳定的原子团；、
（4）稳定核再捕获其它吸附原子。或者与入射气相原子相结合使它进一步长大成为小岛。
6. 核形成的相变热力学和原子聚集理论的基本内容？
热力学界面能理论：认为薄膜形成过程是由气相到吸附相、再到固相的相变过程，其中从吸附相到固相的转变是在基片表面上进行的。
原子聚集理论：将核（原子团）看作一个大分子聚集体，用其内部原子之间的结合能或与基片表面原子之间的结合能代替热力学理论中的自由能。
7. 什么是同质外延、异质外延？失配度？
8. 形成外延薄膜的条件？
薄膜生长速率要小于吸附原子在基片表面上的迁移速率； 提高温度有利于形成外延薄膜； 沉积速率小于 第八章：
1. 薄膜结构是指那些结构？其特点是什么？
组织结构、晶体结构、表面结构
薄膜的组织结构：薄膜的结晶形态，包括无定形结构、多晶结构、纤维结构、单晶结构。
薄膜的晶体结构:多数情况下，薄膜中晶粒的晶格结构与体材料相同，只是晶粒取向和晶粒尺寸不同，晶格常数也不同
表面结构：
呈柱状颗粒和空位组合结构；
柱状体几乎垂直于基片表面生长，而且上下端尺寸基本相同；
平行于基片表面的层与层之间有明显的界面。
2. 蒸发薄膜微观结构随基片温度的变化如何改变？
基片温度影响到达基片成膜原子在基片表面的粘附系数和迁移率。
低温基片有利于原子表面冷凝而形成非晶态结构。提高基片温度有利于原子规则排列，形成取向良好的薄膜。
3. 薄膜主要缺陷类型及特点？
1) 点缺陷：空位是热力学稳定的缺陷
不同金属空位形成能不同
空位浓度与空位形成能、温度密切相关
位错：形成原因：a.基体引起的位错；b.小岛的凝结
2) 晶粒间界：
3) 层错缺陷：
4. 薄膜的主要分析方法有那些？基本原理是什么？
exp D E R A kT ??≤?- ???
薄膜物理复习题 电子科大版 编辑者——王岳【701舆狼共舞】 一、什么是真空？真空的区域划分，对应的真空范围，真空系统组成？ 1、所谓真空是指低于一个大气压的气体空间。同正常的大气压相比，是比较稀薄的气体状态。 2、A、粗真空：1*105~1*102Pa B、低真空：1*102~1*10-1Pa C、高真空：1*10-1~1*10-6Pa D、超高真空：<1*10-6Pa 3、典型的真空系统包括：待抽空的容器（真空室）、获得真空的设备（真空泵）、测量真空的器具（真空计）以及必要的阀门、管道和其他附属设备。 二、什么是饱和蒸汽压？真空蒸度原理级包括的几个基本原理，蒸发源的类型？ 1、在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸汽与固体或液体平衡过程中所表现出的压力成为该物质的饱和蒸汽压。 2、（1）加热蒸发过程：包括由凝聚相转变为气相的相变过程。 （2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的运输，即这些粒子在环境气氛中的飞行过程。 （3）蒸发原子或分子在基片表面上的沉积过程，即是蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜。 3、电阻蒸发源：对材料要求熔点要高、饱和蒸汽压低、化学性能稳定；在高温下不应与蒸发材料发生化学反应；具有良好的耐热性，热源变化时，功率密度变化较小。 电子束蒸发源：优点：可以使高熔点的材料蒸发，并且能有较高的蒸发速度；热量可以直接加到蒸度材料的表面，因而热效率高，热传导和热辐射的损失少；可以避免容器材料的蒸发，以及容器材料与蒸度材料之间的反应。 高频感应蒸发源：特点：蒸发速率大；蒸发源的温度均匀稳定，不易产生飞溅现象；蒸发材料是金属时，蒸发材料可产生热量，因此，坩埚可选用和蒸发材料反应最小的材料；温度容易控制，操作简单。 三、什么是溅射、外延生长？磁控溅射原理？ 1、所谓溅射是指核能粒子轰击固体表面，是固体原子或分子从表面射出的现象。 2、外延生长技术是指在一块半导体的单晶片上沿着单晶片结晶的轴方向生长一层所需要的薄单晶层。 3、电子e在电场E作用下，在飞向基板过程中与氩原子发生碰撞，使其电离出Ar+和一个新的电子e，电子飞向基片，Ar+在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子则沉积在基片上形成薄膜。 四、离子镀原理，什么是离化率？与蒸发、溅射相比离子镀特点？ 1、在离子镀装置中，当真空室抽至10-1 Pa的高真空后，通入惰性气体，使真空度达到1~10-1Pa。接通高压电源，则在蒸发源与基片之间建立起一个低压气体放电的等离子区。由于基片处于负高压并被离子体包围、不断受到正离子轰击，因此可有效的清除基片表面的气体和污物，使成膜过程中膜层表面始终保持清洁状态。于此同时，镀材气化蒸发后，蒸发粒子进入等离子区，与等离子区中的正离子和被激活的惰性气体原子以及电子发生碰撞，其中一部分蒸发粒子被电离成正离子，正离子在负高压电场加速作用下，沉积到基片表面成膜。
半導體薄膜材料分析 李文鴻 化學工程系 黎明技術學院 摘要 使用電子迴旋共振電漿化學氣相沉積法(electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition, ECRCVD)以CH4/SiH4/Ar混合氣體於低溫下成長碳化矽薄膜為例，藉由穿透式電子顯微鏡(TEM)、X光繞射儀(XRD)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、傅立葉轉換紅外線光譜儀(FTIR)、X射線光電子能譜儀(XPS; ESCA)、歐傑電子能譜儀(AES)、拉塞福背向散射儀(RBS)、低能量電子繞射（LEED）、反射式高能量電子繞射(RHEED)、拉曼光譜儀（Raman）來研究碳化矽薄膜的微結構、表面型態及化學組成與沉積參數之間的關係，藉由二次離子質譜儀(SIMS)來研究沉積膜的雜質濃度分佈，利用光子激發光(PL)來量測發光波長範圍。 關鍵字：材料分析、電子迴旋共振電漿化學氣相沉積法、碳化矽薄膜 一、前言光電半導體產業的發展非常迅速，其中
積體電路製程技術的發展朝向尺寸微小化，目前已邁入0.13μm以下製程及邁向奈米的範疇，並朝多層薄膜的趨勢。然而新材料和製程的開發及其分析更是必須掌握的。本文將以跨世紀的接班材料-碳化矽(silicon carbide)為例，介紹材料之薄膜成長及其分析。 碳化矽為具有許多優異特性的電子材料，如寬能隙、高電子遷移率、高飽和飄移速度、高崩潰電壓、高操作溫度、高熱傳導度、化學惰性、高融點及高硬度【1】，並具耐熱震(thermal shock resistance)、抗高溫氧化、比矽低的介電常數等優點。由Johnson 之優值指標(評估元件在高功率及高頻下運作的指標)碳化矽(β-SiC)為矽之1137.8倍，及Keyes 之優值指標(評估元件在高速下運作的指標) 碳化矽(β-SiC)為矽之5.8倍【2】，故碳化矽元件能在高功率、高頻及高速下操作的特性，在光電元件的製造上，具極大之應用價值，且可用於微機電系統(microelectromechanical system；MEMS)元件之薄膜【3】、封裝材料及濾材之分離膜等【4】。在商業應用發展方面，Cree Research、日本三洋公司及信越半導體等的碳化矽藍光LED已商品化，Motorola將碳化矽應用於RF 及微波的高頻高功率元件，General Electric 應用於高功率及高溫元件之感測器，Westinghouse 應用於高頻MESFET元件等。可見碳化矽具多用途且具發展潛力，因此被諭為跨世紀的接班材料。 由於材料之製程會影響材料結構及性質進而影響其應用，因此本文將介紹碳化矽材
摄影的基本概念和基础知识（一） 习摄影有些年头，由于忙近两三年也没怎么没过相机！我是一个铁杆煤油，逛论坛很多，发现论坛里也有不少热爱摄影的煤油！水平参差不齐，有顶尖的高手，也有刚入门或者想要入门的朋友，一直想发个科普贴，和大家共同学习一下有关摄影的基本知识，但也是由于时间的缘故，一直没能成行，在下今日有点空闲时间，就转载一些别人总结的文章，并按照自己的思路整理一下，转发给大家，共同学习一下，高手可以绕道，不过如有不恰当的地方，也欢迎指导，一起交流学习嘛！ 今天写的算是第一季吧，如果大家反映良好，感觉有所帮助的话，我以后会抽时间发第二季，第三季等等！ 好吧，先拜一拜摄影的鼻祖 达盖尔和他的相机 达盖尔： 世纪年代末期，路易·雅克·曼德·达盖尔（···）首次成功地发明了实用摄影术，是法国著名是艺术家。 “题目”割一下，不过碗大个疤 第一季：相机的分类，以及相机中的几个常见概念 相机的分类：传统光学相机： 按胶片的规格不同可分为： 半格机：一张胶片每次上弦只过半个格，可照两次 相机：使用胶卷的相机，胶卷的尺寸是24mm 36mm 相机：使用胶卷的相机，胶卷的尺寸是55.6mm 55.6mm（比例）
大画幅相机：就是能拍摄胶片规格为90mm 120mm及180mm 240mm以上的机背取景式照相机 按取景方式可分为：旁轴取景照相机：取景和成像不是一个光路，就是以前最常见的傻瓜机系列，一个眼平视取景，一个镜头成像，取景和成像有偏差，看到的和照到的有一点偏差。 单镜头反光照相机：所谓的单反，取景和成像一个光路，一个镜头，带一个反光板，取景时反光板，放下，成像是反光板抬起。取景和成像几乎无偏差。 双镜头反光照相机：就是两个镜头的带反光板的照相机，一个镜头成像，一个镜头取景。下面会给出工作原理图，很简单，自己理解，这种方式取景和成像也是有偏差的。记得小时照相，摄影师低着头看（取景）的老海鸥相机吗？那就是双反！ 按聚焦方式不同、按用途不同还可以分好多特殊类型的相机，与我们日常生活关系不大，在这里就不表了。 双反的工作原理
《薄膜物理与技术》A卷试题参考答案及评分细则 一、名词解释：（本题满分20分，每小题5分） 1、饱和蒸汽压 在一定温度下（1分），真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中（2分）所表现出的压力称为该物质的饱和蒸气压。（2分） 2、溅射 是指荷能粒子轰击固体物质表面（靶），（1分）并在碰撞过程中发生动能与动量的转移，（2分）从而将物质表面原子或分子激发出来的过程。（2分） 3、化学气相沉积 把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物的单质气体供给基片（2分），利用热、等离子体、紫外线、激光、微波等各种能源（2分），使气态物质经化学反应形成固态薄膜。（1分）。 4、外延生长 外延生长技术就是在一块半导体单晶片上（2分）沿着单晶片的结晶轴方向生长（2分）一层所需要的薄单晶层。（1分） 二、简答题：（本题满分80分） 1、什么叫真空？写出真空区域的划分及对应的真空度（10分） 答：真空是指低于一个大气压的气体空间。（2分） 对真空的划分： 1）粗真空：105－102Pa；（2分） 2）低真空：102－10-1Pa；（2分） 3）高真空：10-1－10-6Pa；（2分） 4）超高真空：＜10-6Pa。（2分） 2、什么是真空蒸发镀膜法？其基本过程有哪些？（10分） 答：真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出（2分），形成蒸气流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜的方法。（2分）其基本过程包括： （1）加热蒸发过程。包括凝聚相转变为气相的相变过程。（2分） （2）输运过程，气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运。（2分） （3）蒸发原子或分子在基片表面的淀积过程，即使蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜。（2分） 3、简述磁控溅射的工作原理。（10分） 答：磁控溅射的工作原理是：电子e在电场E作用下，在飞向基板过程中与氩原子发生碰撞，使其电离出Ar＋和一个新的电子e，电子飞向基片，Ar＋在电场作用下加速飞向阴极靶，（2分）并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子则淀积在基片上形成薄膜。（2分） 二次电子e1一旦离开靶面，就同时受到电场和磁场的作用。一般可近似认为：二次电子在阴极暗区时，只受电场作用；一旦进入负辉区就只受磁场作用。（2分）
初中物理基本概念 第一章机械能 1. 一个物体能够做功，这个物体就具有能（能量）。 2. 动能：物体由于运动而具有的能叫动能。 3. 运动物体的速度越大，质量越大，动能就越大。 4. 势能分为重力势能和弹性势能。 5. 重力势能：物体由于被举高而具有的能。 6. 物体质量越大，被举得越高，重力势能就越大。 7. 弹性势能：物体由于发牛弹性形变而具的能。 8. 物体的弹性形变越大，它的弹性势能就越大。 9. 机械能:动能和势能的统称。（机械能=动能+势能）单位是：焦耳 10. 动能和势能之间可以互相转化的。方式有：动能f 重力势能:动能一弹性 势能。 11. 自然界中可供人类大量利用的机械能有风能和水能。 第二章分子运动论初步知识 1. 分子运动论的内容是：（1）物质由分子组成；（2）—切物体的分子都永 丕停息地做无规则运动。（3）分子间存在相互作用的引力和斥力。 2. 扩散：不同物质相互接触，彼此进入对方现象。 3. 固体、液体压缩时分子间表现为斥力大于引力。固体很难拉长是分子间表 现为引力大于斥力。 4. 内能：物体内部所有分子做无规则运动的动能和分子势能的总和叫内能。
（内能也称热能） 5. 物体的内能与温度有关：物体的温度越高，分子运动速度越快，内能就越 大。 6. 热运动：物体内部大量分子的无规则运动。 7. 改变物体的内能两种方法：做功和热传递，这两种方法对改变物体的内能 是等效的。 8. 物体对外做功，物体的内能减小：外界对物体做功，物体的内能增大。 9. 物体吸收热量，当温度升高时，物体内能增大；物体放出热量，当温度降 低时，物体内能减小。 10. 所有能量的单位都是：焦耳。 11. 热量（Q）:在热传递过程中，传递能量的多少叫热量。（物体含有多少 热量的说法是错误的） 12. 比热（C）:单位质量的某种物质温度升高（或降低）1￡,吸收（或放 出）的热量叫做这种物质的比热。（物理意义就类似这样回答） 13. 比热是物质的一种属性，它不随物质的体积、质量、形状、位置、温度 的改变而改变，只要物质相同，比热就相同。 14. 比热的单位是：焦耳/（千克?C）,读作：焦耳每千克摄氏度。 15. 水的比热是：C=4.2X 103焦耳/（千克?C）,它表示的物理意义是：每 千克的水当温度升高（或降低）1C时，吸收（或放出）的热量是4.2 × 103 焦耳。 16. 热量的计算： ①C吸=cm（t-t o）=cm?t 升（Q吸是吸收热量，单位是焦耳;C是物体比热，单
医疗器械基本概念和基础知识 1.什么是医疗器械？ 医疗器械，是指直接或者间接用于人体的仪器、设备、器具、体外诊断试剂及校准物、材料以及其他类似或者相关的物品，包括所需要的计算机软件；其效用主要通过物理等方式获得，不是通过药理学、免疫学或者代谢的方式获得，或者虽然有这些方式参与但是只起辅助作用；其目的是：（1）疾病的诊断、预防、监护、治疗或者缓解； （2）损伤的诊断、监护、治疗、缓解或者功能补偿； （3）生理结构或者生理过程的检验、替代、调节或者支持； （4）生命的支持或者维持； （5）妊娠控制； （6）通过对来自人体的样本进行检查，为医疗或者诊断目的提供信息。 2.我国医疗器械管理的法律依据是什么？ 我国医疗器械监督管理的法律依据是2014年6月1日起国务院颁布施行的《医疗器械监督管理条例》。目前构成我国医疗器械监管法规体系依次是：国务院法规、部门规章和规范性文件等几个层次。各个层次的法规的关系是：下位法规是对上位法规的细化。如：部门发布的行政规章是《医疗器械监督管理条例》的具体实施细则。 3.我国对医疗器械产品实行什么样的管理？ 第一类医疗器械实行产品备案管理，第二类、第三类医疗器械实行产品注册管理。 4.医疗器械产品是如何分类？ 国家对医疗器械按照风险程度实行分类管理。 第一类是风险程度低，实行常规管理可以保证其安全、有效的医疗器械。 如：外科用手术器械（刀、剪、钳、镊、钩）、刮痧板、医用X光胶片、手术衣、手术帽、检查手套、纱布绷带、引流袋等。 第二类是具有中度风险，需要严格控制管理以保证其安全、有效的医疗器械。 如：医用缝合针、血压计、体温计、心电图机、脑电图机、显微镜、针灸针、生化分析系统、助听器、超声消毒设备、不可吸收缝合线、避孕套等。 第三类是具有较高风险、需要采取特别措施严格控制管理以保证其安全、有效的医疗器械。 如：植入式心脏起搏器、角膜接触镜、人工晶体、超声肿瘤聚焦刀、血液透析装置、植入器材、血管支架、综合麻醉机、齿科植入材料、医用可吸收缝合线、血管内导管等。
第一章真空技术基础 1、膜的定义及分类。 答：当固体或液体的一维线性尺度远远小于它的其他二维尺度时，我们将这样的固体或液体称为膜。通常，膜可分为两类： （1）厚度大于1mm的膜，称为厚膜； （2）厚度小于1mm的膜，称为薄膜。 2、人类所接触的真空大体上可分为哪两种？ 答：（1）宇宙空间所存在的真空，称之为“自然真空”；（2）人们用真空泵抽调容器中的气体所获得的真空，称之为“人为真空”。 3、何为真空、绝对真空及相对真空？ 答：不论哪一种类型上的真空，只要在给定空间内，气体压强低于一个大气压的气体状态，均称之为真空。完全没有气体的空间状态称为绝对真空。目前，即使采用最先进的真空制备手段所能达到的最低压强下，每立方厘米体积中仍有几百个气体分子。因此，平时我们所说的真空均指相对真空状态。 4、毫米汞柱和托？ 答：“毫米汞柱（mmHg）”是人类使用最早、最广泛的压强单位，它是通过直接度量长度来获得真空的大小。1958 年，为了纪念托里拆利，用“托（Torr）”，代替了毫米汞柱。1 托就是指在标准状态下，1 毫米汞柱对单位面积上的压力，表示为1Torr=1mmHg。 5、真空区域是如何划分的？ 答：为了研究真空和实际使用方便，常常根据各压强范围内不同的物理特点，把真空划分为以下几个区域：（1）粗真空：l′105 ~ l′102 Pa，（2）低真空：l′102 ~ 1′10-1Pa，（3）高真空：l′10-1 ~ 1′10-6Pa和（4）超高真空：< 1′10-6Pa。 6、真空各区域的气体分子运动规律。 答：（1）粗真空下，气态空间近似为大气状态，分子仍以热运动为主，分子之间碰撞十分频繁；（2）低真空是气体分子的流动逐渐从黏滞流状态向分子状态过渡，气体分子间和分子和器壁间的碰撞次数差不多；（3）高真空时，气体分子的流动已为分子流，气体分子和容器壁之间的碰撞为主，而且碰撞次数大大减少，在高真空下蒸发的材料，其粒子将沿直线飞行；（4）在超高真空时，气体的分子数目更少，几乎不存在分子间的碰撞，分子和器壁的碰撞机会也更少了。 7、何为气体的吸附现象？可分几类、各有何特点？ 答：气体吸附就是固体表面捕获气体分子的现象，吸附分为物理吸附和化学吸附。 （1）物理吸附没有选择性，任何气体在固体表面均可发生，主要靠分子间的相互吸引力引起的。物理吸附的气体容易发生脱附，而且这种吸附只在低温下有效；（2）化学吸附则发生在较高的温度下，和化学反应相似，气体不易脱附，但只有当气体中的原子和固体表面原子接触并形成化合键时才能产生吸附作用。 8、何为气体的脱附现象？ 答：气体的脱附是气体吸附的逆过程。通常把吸附在固体表面的气体分子从固体表面被释放出来的过程叫做气体的脱附。 9、何为电吸收和化学清除现象？ 答：电吸收是指气体分子经电离后形成正离子，正离子具有比中性气体分子更强的化学活泼性，因此常常和固体分子形成物理或化学吸附；化学清除现象常在活泼金属（如钡、铁等）固体材料的真空蒸发时出现，这些蒸发的固体材料将和非惰性气体分子生成化合物，从而产生化学吸附。 10、影响气体在固体表面吸附和脱附的主要因素
初中物理新课程基本理 念 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】
初中物理新课程基本理念 一、基本理念： （一）面向全体学生，提高学生科学素养 以学生终身发展为本，以提高全体学生科学素养为目标，为每个学生的学习与发展提供平等机会，关注学生的个体差异，使每个学生学习科学的潜能得到发展。 （二）从生活走向物理，从物理走向社会 贴近学生生活，符合学生认知特点，激发并保持学生的学习兴趣，让学生通过学习和探索掌握物理学的基础知识与基本技能，并能将其运用于实践，为以后的学习、生活和工作打下基础。 （三）注意学科渗透，关心科技发展 让学生了解自然界事物的相互联系，注意学科间的联系与渗透，关心科学技术的新进展，关注科技发展给社会进步带来的影响，逐步树立科学的世界观。（四）提倡教学方式多样化，注重科学探究 在教学中，根据教学目标、教学内容及教学对象灵活采用教学方式，提倡教学方式多样化。注重采用探究式的教学方法，让学生经历科学探究过程，学习科学研究方法，培养其创新精神和实践能力。鼓励在物理教学中合理运用信息技术。 （五）注重评价改革导向，促进学生发展 在新的评价观念指导下，构建多元化、发展性的评价体系，注重形成性评价与终结性评价结合，发展性评价与甄别性评价结合，以促进学生科学素养的提高、教师专业素质的发展和物理教学的改进。 二、课程设计思路 义务教育物理课程以提高学生科学素养为宗旨，从课程基础性、实践性、时代性等方面提出了课程基本理念，从“知识与技能”、“过程与方法”和“情感态度价值观”三方面提出了课程目标。 科学探究学习方式是提高学生科学素养的一种重要而有效的途径，在设置义务教育物理课程的内容时，将科学探究纳人“课程内容”。本标准中的“科学探究”包含提出问题、猜想与假设、设计实验与制订计划、进行实验与收集证据、分析与论证、评估、交流与合作等要索。本标准对这些要素分别提出了“科学探究能力的基本要求”。 根据物理学的内涵，本标准以“物质”、“运动和相互作用”、“能量”为“课程内容”中“科学内容”的一级主题，对全体初中学生应掌握的物理内容提出了要求。每个一级主题含有若干二级主题，每个二级主题又含有若干三级主题。这些三级主题综合融进了“知识与技能”、“过程与方法”和“情感态度价值观”三个方面的课程目标。 为进一步将义务教育物理课程的基本理念和课程目标渗透到课程内容中，在科学内容中增设了样例和活动建议，它们不是硬性要求的内容，而是为了帮助教师理解科学内容中三级主题的具体含义。本标准还提出了实施建议，以便教师进一步参考。
薄膜技术在能源材料中的应用——薄膜太 阳能电池 一概述 能源和环境是二十一世纪面临的两个重大问题，据专家估算，以现在的能源消耗速度，可开采的石油资源将在几十年后耗尽，煤炭资源也只能供应人类使用约200年。太阳能电池作为可再生无污染能源，能很好地同时解决能源和环境两大难题，具有很广阔的发展前景。照射到地球上的太阳能非常巨大，大约40 min照射到地球上的太阳能就足以满足全球人类一年的能量需求。因此，制备低成本高光电转换效率的太阳能电池不仅具有广阔的前景，而且也是时代所需。 太阳能电池行业是21世纪的朝阳行业，发展前景十分广阔。在电池行业中，最没有污染、市场空间最大的应该是太阳能电池，太阳能电池的研究与开发越来越受到世界各国的广泛重视。 太阳能电池种类繁多，主要有硅太阳能电池、聚光太阳能电池、无机化合物薄膜太阳能电池、有机薄膜太阳能电池、纳米晶薄膜太阳能电池和叠层太阳能电池等几大类[1]。 二薄膜太阳能电池。 1、薄膜硅太阳能电池 薄膜硅太阳能电池(硅膜厚约50μm)的出现，相对晶体硅太阳能电池，所用的硅材料大幅度减少，很大程度上降低了晶体硅太阳能电池的成本。薄膜硅太阳能电池主要有非晶硅(a—Si)、微晶硅(μc—Si)和多晶硅(p-Si)薄膜太阳能电池，前两者有光致衰退效应，其中μc—Si薄膜太阳能电池光致衰退效应相对较弱但μc-Si薄膜沉积速率低(仅1.2 nm/s) ，光致衰退效应致使其性能不稳定，发展受到一定的限制，而后者则无光致衰退效应问题，因此是硅系太阳能电池
的发展方向[1]。 太阳能电池是制约太阳能发电产业发展的瓶颈技术之一。目前主要的研究工作集中在新材料、新工艺、新设计等方面，其目的是为了提高电池转换效率和降低电池制造成本。制造太阳能电池的材料主要有单晶硅、多晶硅、非晶硅以及其他新型化合物半导体材料，其中非晶硅属直接转换型半导体，光吸收率大，易于制成厚度0．5微米以下、面积l平方米以上的薄膜，并且容易与其他 原子结合制成对近红外高吸收的非晶硅锗集层光电池，这是目前的主攻方向之一；另一种是非晶硅和多晶硅混合薄膜材料，它转换率高、用材省，是新世纪最有前途的薄膜电池之一。 2、无机化合物薄膜太阳能电池 选用的无机化合物主要有CdTe，CdS，GaAs，CulnSe2(CIS)等，其中CdTe的禁带宽度为1．45 eV(最佳产生光伏响应的禁带宽度为1．5 eV)，是一个理想的半导体材料，截止2004年，CdTe电池光电转化效率最高为16．5％；CdS的禁带宽度约为2．42 eV，是一种良好的太阳能电池窗口层材料，可与CdTe、SnS和CIS等形成异质结太阳能电池；GaAs的禁带宽度为1．43 eV，光吸收系数很高，GaAs单结太阳电池的理论光电转化效率为27％，目前GaA/Ge单结太阳电池最高光电转换效率超过20％，生产水平的光电转换效率已经达到19～20％，其与GalnP组成的双节、三节和多节太阳能电池有很大的发展前景；CIS薄膜太阳能电池实验室最高光电转化效率已达19．5％，在聚光条件下(14个太阳光强)，光电转化效率达到21．5％，组件产品的光电转化效率已经超过13％；CIS 薄膜用Ga部分取代In，就形成Culn1-x Ga x Se2 (简称CIGS)四元化合物，其薄膜的禁带宽度在1．04～1．7 eV范围内可调，这为太阳能电池最佳禁带宽度的优化提供了机会，同时开发了两种新的材料，用Ga完全取代In形成CuGaSe2，用S完全取代Se形成CulnS2，以备In、Se资源不足时可以采用。但是，Cd和As是有毒元素，In和Se是稀有元素，严重地制约着无机化合物薄膜太阳能电池的大规模生
一、股票的基本概念和投资程序 1、什么是股票？ 股票是股份公司发给股东证明其所入股份的一种有价证券，它可以作为买卖对象和抵押品，是资金市场主要的长期信用工具之一； 2、股票的种类 A 股：A股的正式名称是人民币普通股票。它是由我国境内的公司发行，供境内机构、组织或个人（不含台、港、澳投资者）以人民币认购和交易的普通股股票； A股中的股票分类： 绩优股：绩优股就是业绩优良公司的股票； 垃圾股：与绩优股相对应，垃圾股指的是业绩较差的公司的股票； 蓝筹股：指在其所属行业内占有重要支配性地位业绩优良成交活跃、红利优厚的大公司股票； B 股：也称为人民币特种股票。是指那些在中国大陆注册、在中国大陆上市的特种股票。以人民币标明面值，只能以外币认购和交易；部分股票也开放港元交易； H 股：也称为国企股，是指国有企业在香港 (Hong Kong) 上市的股票； N 股：是指那些在中国大陆注册、在纽约（New York）上市的外资股； S 股：是指那些主要生产或者经营等核心业务在中国大陆、而企业的注册地在新加坡（Singapore）或者其他国家和地区,但是在新加坡交易所上市挂牌的企业股票； 日本：日经指数 香港：恒生指数 台湾：台湾海峡指数 美国：道琼斯指数
3、如何开户？ A、到证券公司分别建立证券账户和资金账户，方可进行证券买卖，缺一不可；投资者买卖证券，都会在证券账户中如实地反映出来。开户步骤如下： （1）在当地证券登记公司或其代理处购买开户申请表并按表要求填写； （2）将填写好的开户申请、有效证件及开户费交与工作人员； （3）经确认无误后，即可领取A股证券账户。 B、证券营业部可为投资者代办沪深两市的证券帐户，凭已办理的证券账户开设资金帐户。投资者可同时把工、农、中、建四大国有商业银行的储蓄卡与营业部的资金帐户联通，通过银证转帐可实现全市范围内的资金存取； C、证券帐户开好后，然后办理网上交易、电话交易开通手续，以后就可以通过网上交易、电话远程交易。如果采用网上交易，可以在家里自己在证券公司的网站免费下载正版的股票行情分析软件和交易软件； D、开户手续办好后，当天或次日就可以开始买卖股票。 4、开户后领取的证件 沪深股东卡各一张 证券资金账户卡 所属证券客户资料 记住交易密码和资金密码 5、股票开户需要的费用和资金 沪市A股帐户开户费为40元，深市A股帐户开户费为50元，合计90元；一般开资金帐户是免费的。目前资金帐户中的资金量是没有限定的。 6、交易规则 A、成交时，价格优先的原则：较高价买进的申报，优先于较低价买进的申报；较低价卖出的申报，优先于较高价卖出的申报； B、股票交易单位为股，每100股为一手，委托买卖必须以100股或其整倍数进行； C、涨跌幅限制： 交易所对股票交易实行价格涨跌幅限制，涨跌幅比例为10％， 其中ST股、*ST股和S股价格涨跌幅比例为5％； 股票上市首曰不受涨跌幅限制； D、 T+1：T即交易曰，T+1即交易曰后的第二天。所谓的T+1即当天买入的股票不能在当天卖出，需待第二个交易曰方可卖出；不过当天卖出股票可在成交返还后再买进股票，即资金的T+0回转，但提取现金还是要等到第二曰； E、 T+0：指的是当天买入股票可以当天卖出，当天卖出股票又可以当天买入；这是炒股的一种技巧，即当投资者手上持有部分股票和部分现金时，完全可以在手中现有的股票冲高时卖出，并在其向下回落时将卖出的股票在低位买回来，收市时，持股数不变，但资金帐户上的现金增加了，反之亦然，可以先低价买入，当日冲高时卖出。
第一章 最可几速率：根据麦克斯韦速率分布规律，可以从理论上推得分子速率在m v 处有极大值，m v 称为最可几速率 M RT M RT m kT 41.122==,Vm 速度分布 平均速度: M RT m RT m kT 59.188==ππ，分子运动平均距离 均方根速度:M RT M RT m kT 73.133==平均动能 真空的划分：粗真空、低真空、高真空、超高真空。 真空计：利用低压强气体的热传导和压强有关； (热偶真空计) 利用气体分子电离；（电离真空计） 真空泵：机械泵、扩散泵、分子泵、罗茨泵 机械泵：利用机械力压缩和排除气体 扩散泵：利用被抽气体向蒸气流扩散的想象来实现排气作用 分子泵：前级泵利用动量传输把排气口的气体分子带走获得真空。 平均自由程：每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为自由程；其统计平均值成为平均自由程。 常用压强单位的换算 1Torr=133.322 Pa 1 Pa=7.5×10-3 Torr 1 mba=100Pa 1atm=1.013*100000Pa 真空区域的划分、真空计、各种真空泵 粗真空 1×105 to 1×102 Pa 低真空 1×102 to 1×10-1 Pa 高真空 1×10-1 to 1×10-6 Pa 超高真空 <1×10-6 Pa 旋转式机械真空泵 油扩散泵 复合分子泵 属于气体传输泵，即通过气体吸入并排出真空泵从而达到排气的目的 分子筛吸附泵 钛升华泵 溅射离子泵 低温泵 属于气体捕获泵，即通过各种吸气材料特有的吸气作用将被抽气体吸除，以达到所需真空。 不需要油作为介质，又称为无油泵 绝对真空计： U 型压力计、压缩式真空计 相对真空计：
初中物理概念八年级（上） 1．在国际单位制中,长度的单位是米。测量长度的工具是刻度尺。 游标卡尺和螺旋测微器是测量的工具。测量结果由数值和单位组成。 2．使用刻度尺前，首先要观察零刻度线、量程、分度值。 3．使用刻度尺时，要把刻度尺与被测物体平行，读数时视线要正对刻度线，读数时要读到分度值下一位。 4．在国际单位制中，时间的基本单位是秒，测量时间的工具是停表/秒表。5．测量值和真实值的差异叫误差。误差可以减小,但不能消除 .。 6．在物理学中把物体位置随时间的变化叫机械运动，判断一个物体是运动还是静止,取决于所选的参照物,这是运动和静止的相对性。比较物体运动快慢的方法有：相同时间比较路程、相同路程比较时间、比较速度的大小。 7．在物理学中，把路程与时间之比叫速度。 8．速度是表示物体运动快慢的物理量；它等于运动物体在单位时间内通过的路程。.在匀速直线运动中,速度公式为v=S/t ，在国际单位制中，速度单位是m/s 。1m/s= 3.6 km/h。 9．我们把物体沿着直线且速度不变的运动叫匀速运动。 10．测量平均速度的原理是v=S/t ；需要的测量工具是刻度尺和秒表。11．声音由物体振动产生，正在发声的物体叫声源;声音的传播需要介质;声能在气体、液体、固体传播,在不同介质声速不同，常温下空气中声速为340 m/s。 12．回声是声音的反射现象，声音的三要素是音调、响度、音色。13．发声体振动的快慢叫音调,音调与频率有关; 声音的强弱叫响度,响度与振幅 和距离有关。不同的物体发出声音的音色不同,我们能闻其声知其人是根据声音的音
色来辨别。 14．物理学中把每秒振动的次数叫频率，频率的单位Hz 。 15．人的听觉范围是20 Hz至20000 Hz。高于20000Hz的声叫超声波；低于20Hz 的声叫次声波。 16．从物理学的角度看，噪声来源于发声体做无规则振动。人们以分贝为单位来表示声音的强弱。减弱噪声可以从以下三条途径进行：一是防止噪声产生；二是阻断噪声传播；三是防止噪声进入耳朵。 17．声音可以传递信息和能量。 18．我们把物体的冷热程度叫温度，测量温度的工具是温度计。 19．温度计是根据液体热胀冷缩的规律做成的。温度计的℃表示采用的是摄氏温度，它把一个大气压下冰水混合物的温度规定为0℃，把沸水规定为100℃.。 20．温度计的使用：温度计的玻璃泡应该全部浸入被测液体中，不要碰到容器底或容器壁。读数时等示数稳定再读数。 21．物质从固态变成液态叫熔化，熔化要吸热；物质从液态变成固态叫凝固，凝固要放热。晶体熔化时的温度 .叫熔点。 22．固体分晶体和非晶体两种。晶体和非晶体的区别是：晶体有固定熔点，在熔化过程中温度不变；非晶体无固定熔点，在熔化过程中温度改变。 23．物质从液态变为气态叫汽化，汽化有沸腾和蒸发两种方式，汽化要吸热。24．蒸发是液体在任何温度都能发生、并且只在液体表面发生的汽化现象。沸腾是液体在确定温度、发生在液体内部和表面同时发生的剧烈的汽化现象。电冰箱是利用制冷剂在冰箱的冷藏室里汽化、吸热，在冷凝室里液化、放热的原理工作的。 25．物质从气态变为液态叫液化，液化有降低温度和压缩体积两种方式，液化要放
小学数学的基础知识、基本概念 自然数 用来表示物体个数的0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10……叫做自然数。 整数 自然数都是整数，整数不都是自然数。 小数 小数是特殊形式的分数。但是不能说小数就是分数。 混小数（带小数） 小数的整数部分不为零的小数叫混小数，也叫带小数。 纯小数 小数的整数部分为零的小数，叫做纯小数。 循环小数 小数部分一个数字或几个数字依次不断地重复出现，这样的小数叫做循环小数。例如：0.333……，1.2470470470……都是循环小数。 纯循环小数 循环节从十分位就开始的循环小数，叫做纯循环小数。 混循环小数 与纯循环小数有唯一的区别：不是从十分位开始循环的循环小数，叫混循环小数。 有限小数
小数的小数部分位数是有限个数字的小数（不全为零）叫做有限小数。 无限小数 小数的小数部分有无数个数字（不包含全为零）的小数，叫做无限小数。循环小数都是无限小数，无限小数不一定都是循环小数。例如，圆周率π也是无限小数。 分数 表示把一个“单位1”平均分成若干份，表示其中的一份或几份的数，叫做分数。 真分数 分子比分母小的分数叫真分数。 假分数 分子比分母大，或者分子等于分母的分数叫做假分数。 带分数 一个整数（零除外）和一个真分数组合在一起的数，叫做带分数。带分数也是假分数的另一种表示形式，相互之间可以互化。 数与数字的区别 数字（也就是数码）：是用来记数的符号，通常用国际通用的阿拉伯数字 0~9这十个数字。其他还有中国小写数字，大写数字，罗马数字等等。 数是由数字和数位组成。 0的意义
0既可以表示“没有”，也可以作为某些数量的界限。如温度等。0是一个完全有确定意义的数。 0是一个数。 0是一个偶数。 0是任何自然数(0除外)的倍数。 0有占位的作用。 0不能作除数。 0是中性数。 十进制 十进制计数法是世界各国常用的一种记数方法。特点是相邻两个单位之间的进率都是十。10个较低的单位等于1个相邻的较高单位。常说“满十进一”，这种以“十”为基数的进位制，叫做十进制。 加法 把两个数合并成一个数的运算，叫做加法，其中两个数都叫“加数”，结果叫“和”。 减法 已知两个加数的和与其中一个加数，求另一个加数的运算，叫做减法。减法是加法的逆运算。其中“和”叫“被减数”，已知的加数叫“减数”，求出的另一个加数叫“差”。 乘法 求n个相同加数的和的简便运算，叫做乘法。其中相同的这个数
薄膜物理与技术 第一章 1、真空：低于一个大气压的气体空间。P1 2、真空度与压强的关系：真空度越低，压强越高。P1 3、1Torr = 1/760 atm =133.322Pa.（或1Pa=7.5×10-3Torr）P2 4、平均自由程：每个分子在连续两次碰撞之间的路程。P5 5、余弦定律：碰撞于固体表面的分子，它们飞离表面的方向与原入射方向无关，并按与表 面法线方向所成角度θ的余弦进行分布。P7 6、极限压强（或极限真空）：对于任何一个真空系统而言，都不可能得到绝对真空（p=0）， 而是具有一定的压强。P7 7、抽气速率：在规定压强下单位时间所抽出气体的体积，它决定抽真空所需要的时间。P7 8、机械泵的原理：利用机械力压缩和排除气体。P8 9、分子泵的工作原理：靠高速转动的转子碰撞气体分子并把它驱向排气口，由前级泵抽走， 而使被抽容器获得超高真空。P13 第二章 1、真空蒸发镀膜的三个基本过程：P17 （1）加热蒸发过程：…… （2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运：…… （3）蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程：…… 2、为什么真空蒸发镀膜的三个过程必须在空气非常稀薄的真空环境中进行？P18 答：如果不是真空环境，蒸发物原子或分子将与大量空气分子碰撞，使膜层受到严重污染，甚至形成氧化物；或者蒸发源被加热氧化烧毁；或者由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成均匀连续的薄膜。 3、饱和蒸气压：在一定温度下，真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现 出的压力。P18 4、蒸发温度：物质在饱和蒸气压为10-2托时的温度。P18 5、碰撞几率：。P23 6、点蒸发源：能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源。P25-27 计算：公式2-28、2-33 7、蒸发源与基板的相对位置配置P33 （1）点源与基板相对位置的配置：为了获得均匀膜厚，点源必须配置在基板所围成的球体中心。 （2）小平面源与基板相对位置的配置：当小平面源为球形工作架的一部分时，该小平面蒸发源蒸发时，在内球体表面上的膜厚分布是均匀的。 （3）大、小面积基板和蒸发源的配置。 8、对蒸发源材料的要求：①熔点要高；②饱和蒸气压低；③化学性能稳定，在高温下不应 与蒸发材料发生化学反应；④具有良好的耐热性，热源变化时，功率密度变化较小；⑤原料丰富，经济耐用。P35、37 9、表2-5 适合于各种元素的蒸发源（蒸发源材料）。P36 10、外延：在适当的衬底与合适条件下，沿衬底材料晶轴方向生长一层结晶结构完整的新单 晶层薄膜的方法。P46 11、同质外延：外延薄膜和衬底属于同一物质；异质外延：外延薄膜和衬底属于不同物质。
初中物理概念汇总 物理量名称物理量符号单位名称单位符号公式 质量m 千克kg m=ρv 温度t 摄氏度°C 速度v 米／秒m/s v=s/t 密度p 千克／米3 kg/m3 p=m/v 力（重力）F 牛顿（牛）N G=mg 压强P 帕斯卡（帕）Pa P=F/S 功W 焦耳（焦）J W=Fs 功率P 瓦特（瓦）w P=W/t 电流I 安培（安） A I=U/R 电压U 伏特（伏）V U=IR 电阻R 欧姆（欧）Ω R=U/I 电功W 焦耳（焦）J W=UI t 电功率P 瓦特（瓦）w P=W/t=UI 热量Q 焦耳（焦）J Q=cm△t 比热c 焦每千克摄氏度J/(kg?°C) c＝Q/m△t 常用数据： 真空中光速3×10^8米／秒 g 9.8牛顿／千克 15°C空气中声速340米／秒 安全电压不高于36伏 ------------------------------------------- 初中物理基本概念 一、测量 ⒈长度L：主单位:米；测量工具:刻度尺；测量时要估读到最小刻度的下一位；光年是长度单位。 ⒉时间t：主单位:秒；测量工具:钟表；实验室中用停表。1时＝3600秒，1秒＝1000毫秒。 ⒊质量m：物体中所含物质的多少叫质量。主单位：千克；测量工具：秤；实验室用托盘天平。 二、机械运动 ⒈机械运动：物体位置发生变化的运动。
参照物：判断一个物体运动必须选取另一个物体作标准，这个被选作标准的物体叫参照物。 ⒉匀速直线运动： ①比较运动快慢的两种方法：a 比较在相等时间里通过的路程。 b 比较通过相等路程所需的时间。 ②公式：v=s/t ③单位换算：1米／秒＝3.6千米／时。 三、力 ⒈力F：力是物体对物体的作用。物体间力的作用总是相互的。 力的单位：牛顿（N）。测量力的仪器：测力器；实验室使用弹簧秤。 力的作用效果：使物体发生形变或使物体的运动状态发生改变。 物体运动状态改变是指物体的速度大小或运动方向改变。 ⒉力的三要素：力的大小、方向、作用点叫做力的三要素。 力的图示，要作标度；力的示意图，不作标度。 ⒊重力G：由于地球吸引而使物体受到的力。方向：竖直向下。 重力和质量关系：G=mg m=G/g g=9.8N／kg。读法：9.8牛每千克，表示质量为1千克物体所受重力为9.8牛。重心：重力的作用点叫做物体的重心。规则物体的重心在物体的几何中心。 ⒋二力平衡条件：作用在同一物体；两力大小相等；方向相反。 物体在二力平衡下，可以静止，也可以作匀速直线运动。 物体的平衡状态是指物体处于静止或匀速直线运动状态。处于平衡状态的物体所受外力的合力为零。 ⒌同一直线二力合成：方向相同:合力F=F1+F2;合力方向与F1、F2方向相同；方向相反:合力F=F1-F2;合力方向与大的力方向相同。 ⒍相同条件下，滚动摩擦力比滑动摩擦力小得多。 滑动摩擦力与正压力，接触面材料性质和粗糙程度有关。【滑动摩擦、滚动摩擦、静摩擦】 7．牛顿第一定律也称为惯性定律其内容是：一切物体在不受外力作用时，总保持静止或匀速直线运动状态。 惯性：物体具有保持原来的静止或匀速直线运动状态的性质叫做惯性。 四、密度 ⒈密度ρ：某种物质单位体积的质量，密度是物质的一种特性。 公式：m=ρV 国际单位：千克／米3，常用单位：克／厘米3， 单位换算：1克／厘米3＝1×103千克／米3；ρ水＝1×103千克／米3； 读法：103千克每立方米，表示1立方米水的质量为103千克。 ⒉密度测定：用托盘天平测质量，量筒测固体或液体的体积。 面积单位换算：
1.为了研究真空和实际使用方便，根据各压强范围内不同的物理特点，把真空划分为 粗真空，低真空，高真空，超高真空四个区域。 2.在高真空真空条件下，分子的平均自由程可以与容器尺寸相比拟。 3.列举三种气体传输泵旋转式机械真空泵，油扩散泵和复合分子泵。 4.真空计种类很多，通常按测量原理可分为绝对真空计和相对真空计。 5.气体的吸附现象可分为物理吸附和化学吸附。 6.化学气相反应沉积的反应器的设计类型可分为常压式，低压式，热壁 式和冷壁式。 7.电镀方法只适用于在导电的基片上沉积金属和合金，薄膜材料在电解液中是以 正离子的形式存在。制备有序单分子膜的方法是LB技术。 8.不加任何电场，直接通过化学反应而实现薄膜沉积的方法叫化学镀。 9.物理气相沉积过程的三个阶段：从材料源中发射出粒子，粒子运输到基片和粒子 在基片上凝聚、成核、长大、成膜。 10.溅射过程中所选择的工作区域是异常辉光放电，基板常处于负辉光区，阴极 和基板之间的距离至少应是克鲁克斯暗区宽度的3-4倍。 11.磁控溅射具有两大特点是可以在较低压强下得到较高的沉积率和可以在较低 基片温度下获得高质量薄膜。 12.在离子镀成膜过程中，同时存在吸附和脱附作用，只有当前者超 过后者时，才能发生薄膜的沉积。 13.薄膜的形成过程一般分为：凝结过程、核形成与生长过程、岛形成与 结合生长过程。 14.原子聚集理论中最小稳定核的结合能是以原子对结合能为最小单位不连续变化 的。 15.薄膜成核生长阶段的高聚集来源于：高的沉积温度、气相原子的高的动能、 气相入射的角度增加。这些结论假设凝聚系数为常数，基片具有原子级别的平滑度。 16.薄膜生长的三种模式有岛状、层状、层状-岛状。 17.在薄膜中存在的四种典型的缺陷为：点缺陷、位错、晶界和 层错。 18.列举四种薄膜组分分析的方法：X射线衍射法、电子衍射法、扫描电子 显微镜分析法和俄歇电子能谱法。 19.红外吸收是由引起偶极矩变化的分子振动产生的，而拉曼散射则是由引起极化率 变化的分子振动产生的。由于作用的方式不同，对于具有对称中心的分子振动，红外吸收不敏感，拉曼散射敏感；相反，对于具有反对称中心的分子振动，红外吸收敏感而拉曼散射不敏感。对于对称性高的分子振动，拉曼散射敏感。 20.拉曼光谱和红外吸收光谱是测量薄膜样品中分子振动的振动谱，前者 是散射光谱，而后者是吸收光谱。 21.表征溅射特性的主要参数有溅射阈值、溅射产额、溅射粒子的速度和能 量等。 什么叫真空？写出真空区域的划分及对应的真空度。 真空，一种不存在任何物质的空间状态，是一种物理现象。粗真空 105～102Pa 粘滞流，分子间碰撞为主低真空 102～10-1 Pa 过渡流高真空 102～10-1 Pa分子流，气体分子与器壁碰撞为主超高真空 10-5～10-8 Pa气体在固体表面吸附滞留为主极高真空 10-8 Pa 以下