1. 电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。
2. 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 120°。
3. 将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。
4. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。
5.同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流IL在数值大小上有I L_=(2～4)______I H。
6. 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值下降。
7.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是___静态均压_____措施。
8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______三角
形和星形__二种方式。
9.抑制过电压的方法之一是用____储能元件____吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其
消耗。
10. 控制角α与逆变角β之间的关系为β=л-α。
11.SPWM有两种调制方式：单极性和___双极性___调制。
12.逆变器可分为无源逆变器和__有源____逆变器两大类。
1、普通晶闸管部有两个 PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A 极阴极K 极
和门极G 极。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶
闸管就导通。
3、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50
表示额定电流50A ，7表示额定电压100V 。
5、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载
和反电动势负载三大类。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会减小，
解决的办法就是在负载的两端并接一个续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角小、电流波形不连续、
呈脉冲状、电流的平均值小。要求管子的额定电流值要大些。
10、单结晶体管的部一共有一个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是发射极E 极、第一基极B1 极和第二基极B2 极。
11、当单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时就导通；低于谷点电压时
就截止。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压同步，保证在管子阳极电
压每个正半周以相同的时刻被触发，才能得到稳定的直流电压。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用正弦波同步电压与一个或
几个控制电压的叠加，利用改变控制电压的大小，来实现移相控制。
15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止关断过电压损坏晶闸管的。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个
硒堆或压敏电阻。
17、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫快速熔断器。
7、晶闸管整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率
之比。
8、晶闸管装置的容量愈大，则高次谐波愈大，对电网的影响愈大。
9、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有无功功率补偿，最常用的方法是在负载侧并联电容。
1、某半导体器件的型号为KS50—7的，其中KS表示该器件的名称为双向晶闸管，50表示额定电流50A ，7表示额定电压100V 。
2、某半导体器件的型号为KN 100 / 50 — 7，其中KN表示该器件的名称为逆导晶闸管100表示晶闸管额定电流为100A ，50表示二极管额定电流为50A ，7表示额定电压100V 。
3、双向晶闸管的四种触发方式分别是Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+和Ⅲ-。实际工作时尽量避免使用Ⅲ+方式。
5、晶闸管整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。
1、GTO的全称是门极可关断晶闸管，图形符号为；GTR的全称是大功率晶体管，图形符号为；P-MOSFET的全称是功率场效应管，图形符号为；IGBT的全称是绝缘门极晶体管，图形符号为。
2、GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。
3、大功率晶体管简称 GTR ，通常指耗散功率 1W 以上的晶体管。
4、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是电流不够大和耐压不够高。
1、整流是把交流电变换为直流电的过程；逆变是把直流电变换为交流电的过程。
2、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。
3、逆变角β与控制角α之间的关系为α=π－β。
4、逆变角β的起算点为对应相邻相负半周的交点往左度量。
5、当电源电压发生瞬时与直流侧电源顺极性串联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为逆变失败或逆变颠覆。
6、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为 30°～35°。
7、由两套晶闸管组成的变流可逆装置中，每组晶闸管都有四种工作状态，分别是待整流状态、整流状态、待逆变状态和逆变状态。
8、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为斩波器。
9、反并联可逆电路常用的工作方式为逻辑无环流，有环流以及错位无环流三种。在工业上得到广泛应用的是逻辑无环流方式。
10、采用接触器的可逆电路适用于对快速性要求不高、容量不大的场合。
11、某半导体器件的型号为KN 100 / 50 —7，其中KN表示该器件的名称为逆导晶闸管100表示晶闸管额定电流为100A ，50表示二极管额定电流、50A ，7表示额定电压为100V 。
15、变频电路从变频过程可分为交流—交流变频和交流—直流—交流变频两大类。
16、脉宽调制变频电路的基本原理是：控制逆变器开关元件的导通和关断时间比，即调节脉冲宽度来控制逆变电压的大小和频率。
1、由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有定频调宽式，定宽调频式和调宽调频式三种工作方式。
1、请在正确的空格标出下面元件的简称：
电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值
要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗
器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波? 。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压
为800V 伏、额定有效电流为100A 。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之
间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当
温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 ?逆变电源、逆变桥而
不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环
流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控
制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可）
10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
一、填空（30分）
1、双向晶闸管的图形符号是，三个电极分别是第一阳极T1，第二阳极T2 和门极G ；双向晶闸管的的触发方式有 I+、 I-、 III+、
III .。
2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为
U2。三相半波可控整流电路中，晶闸管
承受的最大反向电压为U2。（电源相电压为U2）
3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60o
小于120o的宽脉冲触发；二是用脉冲前沿相差60o的双窄脉冲触发。
4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达 240o度；实际移相才能达0o-180 o度。
5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有恒压频比控制、转差劲频率控制、矢量控制、直接转矩控制。
6、软开关电路种类很多，大致可分成零电压电路、零电流电路两大类。
7、变流电路常用的换流方式有器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流四种。
8、逆变器环流指的是只流经两组反并联的逆变桥、而不流经负载的电流，环流可在电路中加采用串联电抗器来限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容。
10、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。
1、普通晶闸管部有两个PN结。（×）
2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。（×）
3、型号为KP50—7的半导体器件，是一个额定电流为50A的普通晶闸管。（）
4、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。（×）
5、只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（×）
6、晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管也会导通。（√）
7、加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。（×）
8、单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。（×）
9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。（×）
10、增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。（×）
11、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。（√）
12、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。（×）
13、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。（×）
14、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。（×）
15、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。（√）
16、为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。（×）
17、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。（√）
18、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。（×）
22、在电路中接入单结晶体管时，若把b1、b2接反了，就会烧坏管子。（×）
23、单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。（√）
24、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。（√）
25、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要求。（√）
1、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。（√）
2、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。（×）
3、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。（×）
4、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。（×）
5、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。（√）
6、为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。（×）
7、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。（√）
8、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。（×）
9、在电路中接入单结晶体管时，若把b1、b2接反了，就会烧坏管子。（×）
10、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。（√）
11、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要求。（√）
12、采用正弦波移相触发电路的可控整流电路工作稳定性较差。（√）
13、正弦波移相触发电路不会受电网电压的影响。（×）
14、对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。（√）
15、晶闸管触发电路与主电路的同步，主要是通过同步变压器的不同结线方式来实现的（√）
16、晶闸管装置的容量愈大，对电网的影响就愈小。（×）
2、双向晶闸管的额定电流是用有效值来表示的。（√）
3、普通单向晶闸管不能进行交流调压。（×）
3、双向触发二极管中电流也只能单方向流动。（×）
4、单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。（√）
5、两只反并联的50A的普通晶闸管可以用一只额定电流为100A的双向晶闸管来替代。（×）
1、大功率晶体管的放大倍数β都比较低。（√）
2、工作温度升高，会导致GTR的寿命减短。（√）
3、使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。（√）
4、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。（×）
5、电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。（√）
6、实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。（√）
7、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。（×）
8、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。（×）
9、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（√）
1、把交流电变成直流电的过程称为逆变。（×）
2、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明，其电路中发生的“逆变”称有源逆变。（×）
3、晶闸管变流可逆装置中出现的“环流”是一种有害的不经过电动机的电流，必须想办法减少或将它去掉。（√）
4、晶闸管变流装置会对电网电压波形产生畸变。（√）
5、对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。（√）
6、晶闸管触发电路与主电路的同步，主要是通过同步变压器的不同结线方式来实现的（√）
7、电源总是向外输出功率的。（×）
8、晶闸管可控整流电路就是变流电路。（×）
9、只要控制角α＞90°，变流器就可以实现逆变。（×）
10、采用接触器的可逆电路适用于对快速性要求不高的场合。（√）
11、逻辑控制无环流可逆电路的动态性能较差。（√）
12、逻辑控制无环流可逆电路在运行过程中存在有死区。（√）
13、晶闸管装置的容量愈大，对电网的影响就愈小。（×）
14、采用晶体管的变流器，其成本比晶闸管变流器高。（√）1、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。（×）
2、电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。（√）
3、实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。（√）
4、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。（×）
5、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。（×）
6、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（√）
1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。（√）
2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×）
3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×）
4、逆变角太大会造成逆变失败。（×）
5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（√）
6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×）
7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×）
8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（×）
9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（×）
10、变频调速实际上是改变电动机旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。? （√）
1、半控桥整流电路，大电感负载不加续流二极管，输出电压波形中没有负向面积。( √ )
2、采用两组反并联晶闸管的可逆系统，供直流电动机四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×）
3、晶闸管并联使用时，必须注意均压问题。（×）
4、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。（×）
5、并联谐振逆变器必须是呈电容性电路。（√）
6、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用（×）
7、无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。（×）
8、在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为
倍相电压U2。 （ × ）
9、三相全控桥整流电路中，输出电压的脉动频率为150Hz 。 （ × ）
10、变频调速实际是改变电动机旋转磁场
1．在型号为KP10-12G 中，数字12表示（C ）。
A.额定电压12V
B.额定电流12A
C.额定电压1200V
D.额定电流1200A
2．下列电路中，不可以实现有源逆变的有（B ）。
A.三相半波可控整流电路
B.三相桥式半控整流电路
C.单相桥式可控整流电路
D.单相全波可控整流电路外接续流二极管
3.整流变压器漏抗对电路的影响有（B ）。
A.整流装置的功率因数降低
B.输出电压脉动减小
C.电流变化缓和
D.引起相间短路
4．功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ B ）
①一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 ④反向截止
5．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成(B )
①大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 ④可关断晶闸管
6.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（① ）
①减小至维持电流IH 以下 ②减小至擎住电流IL 以下
③减小至门极触发电流IG 以下 ④减小至5A 以下
7. 单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（② ）
①U2 ②22U ③222U ④26U
8. 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（.④ ） ①增加晶闸管的导电能力 ②抑制温漂
③增加输出电压稳定性 ④防止失控现象的产生
9. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值Ud 的表达式是（ .① ） ①Ud=- 2.34U2cos β ②Ud=1.17U2cos β
③Ud= 2.34U2cos β ④Ud=-0.9U2cos β
10. 若减小SPWM 逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（ ③ ）
①减小三角波频率 ②减小三角波幅度
③减小输入正弦控制电压幅值④减小输入正弦控制电压频率
11. 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相围是( D )
A.90°
B.120°
C.150°
D.180°
12. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相围是( A )
A.0°～90°
B.0°～180°
C.90°～180°
D.180°～360°
13. 当晶闸管串联时，为实现动态均压，可在各个晶闸管两端并联( D )
A. R
B. L
C. C
D. RC
14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B ) A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定
15.三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )
A.交流相电压的过零点
B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
16. 单结晶体管同步振荡触发电路中，改变Re能实现（ A ）。
A．移相 B．同步 C．增大脉冲宽度D．增大脉冲幅值
17.在大电感负载三相全控桥中，当α=90°时，整流电路的输出是( B )
A.U2
B.0 C .1.414U2 D.1.732U2
18. 降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V,负载电压U0=12V,斩波周期T=4ms，则开通时间Tab=（③）①1ms ②2ms ③3ms ④4ms
1、晶闸管部有（C ）PN结。A 一个， B 二个， C 三个， D 四个
2、单结晶体管部有（A）个PN结。A 一个， B 二个， C 三个， D 四个
3、晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（B）。
A 不变，
B 增大，
C 减小。
4、单相半波可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的（）倍。
A 1，
B 0.5，
C 0.45，
D 0.9.
5、单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的（）倍。
A 1，
B 0.5，
C 0.45，
D 0.9.
7、为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（B）。
A 三极管，
B 续流二极管，
C 保险丝。
8、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（C）负载。
A 电阻性，
B 电感性，
C 反电动势。
9、直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较，其机械特性（C）。
A 一样，
B 要硬一些，
C 要软一些。
10、带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于（A）负载。
A 大电流，
B 高电压，
C 电动机。
11、晶闸管在电路中的门极正向偏压（B）愈好。A 愈大， B 愈小， C 不变
12、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C ）。
A 分流，
B 降压，
C 过电压保护，
D 过电流保护。
13、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C ）。
A 分流，
B 降压，
C 过电压保护，
D 过电流保护。
14、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（C）对晶闸管的损坏。
A 关断过电压，
B 交流侧操作过电压，
C 交流侧浪涌。
15、晶闸管变流装置的功率因数比较（B ）。A 高， B 低， C 好。
16、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，
变流器输出电流是（B）的。A 连续， B 断续， C 不变。
18、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。
A 有效值
B 最大赛值
C 平均值
20、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（A）晶闸管。
A 一只，
B 二只，
C 三只，
D 四只。
1、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（B）。
A 三相的大，
B 单相的大， C一样大。
2、为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（B）。
A 三极管，
B 续流二极管，
C 保险丝。
3、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（C）负载。
A 电阻性，
B 电感性，
C 反电动势。
4、直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较，其机械特性（C）。
A 一样，
B 要硬一些，
C 要软一些。
5、带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于（A）负载。
A 大电流，
B 高电压，
C 电动机。
6、晶闸管在电路中的门极正向偏压（B）愈好。A 愈大， B 愈小， C 不变
7、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C ）。
A 分流，
B 降压，
C 过电压保护，
D 过电流保护。
8、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C ）。
A 分流，
B 降压，
C 过电压保护，
D 过电流保护。
9、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（C）对晶闸管的损坏。
A 关断过电压，
B 交流侧操作过电压，
C 交流侧浪涌。
10、晶闸管变流装置的功率因数比较（B ）。A 高， B 低， C 好。
11、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，变流器输出电流是（B）的。A 连续， B 断续， C 不变。
12、脉冲变压器传递的是（C ）电压。A 直流， B 正弦波， C 脉冲波。
13、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。
A 有效值
B 最大赛值
C 平均值
14、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（A）晶闸管。
A 一只，
B 二只，
C 三只，
D 四只。
15、三相全控桥整流装置中一共用了（B）晶闸管。
A 三只，
B 六只，
C 九只。
16、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。
A 一个，
B 两个，
C 三个，
D 四个。
17、若可控整流电路的功率大于4kW，宜采用（C ）整流电路。
A 单相半波可控
B 单相全波可控
C 三相可控
18、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（B）。
A 三相的大，
B 单相的大， C一样大。
1、双向晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（A）来表示的。
A 有效值
B 最大值
C 平均值
2、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。
A 一个，
B 两个，
C 三个，
D 四个。
3、双向晶闸管的四种触发方式中，灵敏度最低的是（C）。
A、Ⅰ+，
B、Ⅰ-，
C、Ⅲ+，
D、Ⅲ-。
1、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。
GTR B、 MOSFET C、、IGBT
2、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最小的是（）。
A、GTR
B、MOSFET
C、IGBT
3、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（）。
A、GTR
B、 MOSFET
C、、IGBT
4、能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是（）。
A、GTO
B、GTR
C、IGBT。
5、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）、最慢的是（）。
A、GTO
B、GTR
C、MOSFET
6、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是。（A ）
A、GTR
B、 MOSFET
C、、IGBT。
7、下列电力电子器件中属于全控型器件的是（）。
A、KP50-7
B、3DD15C
C、ZP100-10
1、下列不可以实现逆变的电路是（）式晶闸管电路。
A 单相全波，
B 三相半控桥， C三相全控桥
2、变流器必须工作在α（）区域，才能进行逆变。
A ＞90°，
B ＞0°，
C ＜90°，
D ＝0°。
3、为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于（）。
A 5°，
B 15°，
C 20°，
D 30°。
4、串联谐振式逆变器属于（）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型
5、并联谐振式逆变器属于（）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型
1、串联谐振式逆变器属于（）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型
2、并联谐振式逆变器属于（）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。
A、180°，
B、60°， c、360°， D、120°
2、α为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度， B，60度， C，30度， D，120度，
3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，
B、控制电压，
C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为 A 。
A、三相半波可控整流电路，
B、三相半控桥整流桥电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路，
D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种围合理 A 。
A、30o-35o，
B、10o-15o，
C、0o-10o，
D、0o。
1、α为 B 度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0度。
B、60度。
C、30度。
D、120度。
2、晶闸管触发电路中，若使控制电压UC=0，改变 C 的大小，使触发角α=90o，可使直流电机负载电压Ud=0。达到调整移相控制围，实现整流、逆变的控制要求。
A、同步电压，
B、控制电压，
C、偏移调正电压。
3、能够实现有源逆变的电路为 A 。
A、三相半波可控整流电路，
B、三相半控整流桥电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路，
D、单相桥式全控整流电路。
4、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（ A D）
A、700V
B、750V
C、800V
D、850V
5、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相围是( D )
A、90°
B、120°
C、150°
D、180°
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
2.1 试说明功率二极管的主要类型及其主要工作特点。 2.2 人们希望的可控开关的理想特性有哪些？ 2.3 阅读参考文献一，说明常用功率半导体器件的性能特点及其一般应用场合。 2.4 说明MOSFET和IGBT驱动电路的作用、基本任务和工作特点。 3.1 什么是半波整流、全波整流、不控整流、半控整流、全控整流、相控整流？ 3.2 什么是电压纹波系数、脉动系数、基波电流数值因数、基波电流移位因数（基波功率因素）和整流输入功率因数？ 3.3 简述谐波与低功率因数（电力公害）的危害，并说明当前抑制相控整流电路网侧电流谐波的措施。 4.1 画出降压换流器（Buck电路）的基本电路结构，简要叙述其工作原理，并根据临界负载电流表达式说明当负载电压VO和电流IO一定时，如何避免负载电流断续。 4.2 画出升压换流器（Boost电路）的基本电路结构，推证其输入/输出电压的变压比M表达式，说明Boost电路输出电压的外特性。 4.3 画出升降压换流器（Buck-Boost电路）的基本电路结构，说明电路工作原理，推证其输入/输出电压（电流）间的关系式。 4.4 画出丘克换流器（Cuk电路）的基本电路结构，说明电路工作原理及主要优点，推证其输入/输出电压（电流）间的关系式。 5.1 正弦脉宽调制SPWM的基本原理是什么？幅值调制率ma和频率调制率mf的定义是什么？ 5.2 逆变器载波频率fs的选取原则是什么？ 5.3 简要说明逆变器方波控制方式与PWM控制方式的优缺点。 5.4 画出三相电压型逆变器双极性驱动信号生成的电路原理图，指出图中各变量的含义，简要叙述其工作原理。 6.1 柔性交流输电系统（FACTS）的定义是什么？FACTS控制器具有哪些基本功能类型？ 6.2 什么是高压直流输电（HVDC）系统？轻型高压直流输电系统在哪些方面具有良好的应用前景？ 6.3 晶闸管控制电抗器（TCR）的基本原理是什么？晶闸管触发控制角α<90°与α=90°两种情况下等效电抗是否相等，为什么？ 6.4 作图说明静止无功发生器（SVG）的工作原理与控制方式，分析其与5.4节所述三相逆变器的异同点？ 6.5 简要说明有源电力滤波器（APF）和动态电压恢复器（DVR）的基本功能和系统组成？ 6.6 阅读参考文献三，简要说明当前在风力发电技术领域中运用的储能技术、输电技术以及滤波与补偿技术？
现代电力电子技术第1次作业 二、主观题(共12道小题) 11.电力电子技术的研究内容？ 答：主要包括电力电子器件、功率变换主电路和控制电路。 12.电力电子技术的分支？ 答：电力学、电子学、材料学和控制理论等。 13.电力变换的基本类型？ 答： 包括四种变换类型：（１）整流ＡＣ－ＤＣ （２）逆变ＤＣ－ＡＣ （３）斩波ＤＣ－ＤＣ （４）交交电力变换ＡＣ－ＡＣ 14.电力电子系统的基本结构及特点？ 答： 电力电子系统包括功率变换主电路和控制电路，功率变换主电路是属于电路变换的强电电路，控制电路是弱电电路，两者在控制理论的支持下实现接口，从而获得期望性能指标的输出电能。' 15.电力电子的发展历史及其特点？ 答：主要包括史前期、晶闸管时代、全控型器件时代和复合型时代进行介绍，并说明电力电子技术的未来发展趋势 16.电力电子技术的典型应用领域？ 答：介绍一般工业、交通运输、电力系统、家用电器和新能源开发几个方面进行介绍，要说明电力电子技术应用的主要特征。 17.电力电子器件的分类方式？ 答： 电力电子器件的分类 （１）从门极驱动特性可以分为：电压型和电流型 （２）从载流特性可以分为：单极型、双极型和复合型 （３）从门极控制特性可以分为：不可控、半控及全控型 18.晶闸管的基本结构及通断条件是什么？ 答：晶闸管由四层半导体结构组成，是个半控型电力电子器件，导通条件：承受正向阳极电压及门极施加正的触发信号。关断条件：流过晶闸管的电流降低到维持电流以下。
19.维持晶闸管导通的条件是什么？ 答：流过晶闸管的电流大于维持电流。 20.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流IL在数值大小上有I L______I H。 答：I L__〉____I H 21.整流电路的主要分类方式？ 答： 按组成的器件可分为不可控（二极管）、半控（SCR)、全控(全控器件）三种； 按电路结构可分为桥式电路和半波电路； 按交流输入相数分为单相电路和三相电路。 22.单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=________。 答：180o 现代电力电子技术第2次作业 二、主观题(共12道小题) 11.单相全控桥式整流阻性负载电路中，晶闸管的移相范围________。 答：0-180o 12.有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须与整流时输出的极性___ ________，且满足|Ud|<|Ed|。 答：相反 13.
电力电子技术试题填空 1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 . 率场效应晶体管 ________________ ;绝缘栅双极型晶体管 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是 ____________ O 3、多个晶闸管相并联时必须考虑 的问题，解决的方法是 4、 在电流型逆变器中，输出电压波形为 5、 型号为KS100-8的元件表示 ___________ 有效电流为 安。 __________ 波，输出电流波形为 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 __________________________ 上的上、下二个元件 之间进行；而1200导电型三相桥式逆变电路， 晶闸管换相是在 ________________ 上的元件之 间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 __________________ 、正反向漏电流会 升高时，晶闸管的触发电流会 _______________ 、正反向漏电流会 _____________ 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 _____________________ 而不流经 __________________ 的电流。环流可在电路中加 来限制。为了减 小环流一般采用控制角a 9、常用的过电流保护措施有 B 的工作方式。 O （写出四种即 可） 10、 双向晶闸管的触发方式有 四种。 11、 双向晶闸管的触发方式有: 1+触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T 2接 电压；门极 G 接 电压， T2接 电压。 I-触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压；门极G 接 电压，T2接 电压。 川+触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压，门极G 接 电压，T2接 电压。 川-触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压；门极G 接 电压，T2接 电压。 换流。 12、 由晶闸管构成的逆变器换流方式有 _________________ 换流和 13、 按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 _____ 逆变器与______________ 逆变器两大类。 ;可关断晶闸管_ ______ ; IGBT 是 ;功
现代电力电子技术的发展 浙江大学电气工程学院电气工程及其自动化992班马玥 (浙江杭州310027 E-mail: yeair@https://www.doczj.com/doc/3517497030.html,学号:3991001053 摘要:本文简要回顾电力电子技术的发展,阐述了现代电力电子技术发展的趋势,论述了走向信息时代的电力电子技术和器件的创新、应用,将对我国工业尤其是信息产业领域形成巨大的生产力,从而推动国民经济高速、高效可持续发展。 关键词:现代电力电子技术;应用;发展趋势 The Development of Modern Power Electronics Technique Ma Yue Electrical Engineering College. Zhejiang University. Hangzhou 310027, China E-mail: yeair@https://www.doczj.com/doc/3517497030.html, Abstract: This paper reviews the development of power electronics technique, as well as its current situation and anticipated trend of development. Keywords: modern power electronics technique, application, development trend. 1、概述 自本世纪五十年代未第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台,以此为基础开发的可控硅整流装臵,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。
电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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现代电力电子技术发展及其应用 摘要：电力电子技术是研究采用电力电子器件实现对电能的控制和变换的科学，是介于电气工程三大主要领域——电力、电子和控制之间的交叉学科，在电力、工业、交通、航空航天等领域具有广泛的应用。电力电子技术的应用已经深入到工业生产和社会生活的各个方面，成为传统产业和高新技术领域不可缺少的关键技术，可以有效地节约能源。 一、引言 自上世纪五十年代末第一只晶闸管问世以来，电力电子技术开始登上现代电气控制技术舞台，标志着电力电子技术的诞生。究竟什么是电力电子技术呢？电力电子技术就是采用功率半导体器件对电能进行转换、控制和优化利用的技术，它广泛应用于电力、电气自动化及各种电源系统等工业生产和民用部门。它是介于电力、电子和控制三大领域之间的交叉学科。目前，电力电子技术的应用已遍及电力、汽车、现代通信、机械、石化、纺织、家用电器、灯光照明、冶金、铁路、医疗设备、航空、航海等领域。进入21世纪，随着新的理论、器件、技术的不断出现，特别是与微控制器技术的日益融合，电力电子技术的应用领域也必将不断地得以拓展，随之而来的必将是智能电力电子时代。 二、电力电子技术的发展 现代电力电子技术的发展方向,是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学,向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件,其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压
和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。 1、整流器时代 大功率的工业用电由工频(50Hz)交流发电机提供,但是大约20%的电能是以直流形式消费的,其中最典型的是电解(有色金属和化工原料需要直流电解)、牵引(电气机车、电传动的内燃机车、地铁机车、城市无轨电车等)和直流传动(轧钢、造纸等)三大领域。大功率硅整流器能够高效率地把工频交流电转变为直流电,因此在六十年代和七十年代,大功率硅整流管和晶闸管的开发与应用得以很大发展。当时国内曾经掀起了-股各地大办硅整流器厂的热潮,目前全国大大小小的制造硅整流器的半导体厂家就是那时的产物。 2、逆变器时代 七十年代出现了世界范围的能源危机,交流电机变频惆速因节能效果显著而迅速发展。变频调速的关键技术是将直流电逆变为0~100Hz的交流电。在七十年代到八十年代,随着变频调速装置的普及,大功率逆变用的晶闸管、巨型功率晶体管(GTR)和门极可关断晶闸管(GT0)成为当时电力电子器件的主角。类似的应用还包括高压直流输出,静止式无功功率动态补偿等。这时的电力电子技术已经能够实现整流和逆变,但工作频率较低,仅局限在中低频范围内。 3、变频器时代 进入八十年代,大规模和超大规模集成电路技术的迅猛发展,为现代电力电子技术的发展奠定了基础。将集成电路技术的精细加工技术和高压大电流技术有机结合,出现了一批全新的全控型功率器件、首先是功率M0SFET的问世,导致了中小功率电源向高频化发展,而后绝缘门极双极晶体管(IGBT)的出现,又为大中型功率电源向高频发展带来机遇。MOSFET和IGBT的相继问世,是传统的电力电子向现代电力电子转化的标志。据统计,到1995年底,功率M0SFET和GTR在功率半导体器件市场上已达到平分秋色的地步,而用IGBT代替GTR在电力电子领域巳成定论。新型器件的发展不仅为交流电机变频调速提供了较高的频率,使其性能
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；
华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反 面可用。试卷与答题纸分开交）电力电子技术1606模拟卷1答案 一、单选题（共10题,每题2分,共20分） 1. 可实现有源逆变的电路为( )。（2分） A.单相半波可控整流电路， B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路， C.单相全控桥接续流二极管电路， D.三相半控桥整流电路。.★标准答案：B 2. 晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。（2分）A.电阻 B.电 容 C.电 感 D.阻容元件 .★标准答案：A 3. 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) （2分） A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不 定 .★标准答案：B 4. 单相全控桥式带电阻性
负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）（2分） A.90° B.120° C.150° D.180° .★标准答案：D 5. 有源逆变电路中，晶闸管大部分时间承受正压，承受反压的时间为（）。（2分）A.π－β B.30 °+β C. 10°+β D.β .★标准答案：D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（2分） A.0~90° B.0~180° C.90°~180° D.180°~360° .★标准答案：A 7. 单相全控桥，带反电动势负载，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为（2分） A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ .★标准答案：A 8. 下列几种电力电子器件
中开关频率最高的是( ) （2分） A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 .★标准答案：C 9. 三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，α的移相范围( )。（2分） A.0o--60o； B. 0o--90o； C.0o --120o； D.0o--1 50o； .★标准答案：C 10. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和( )。（2分）A.单极性 B.多极性 C.三极性 D.四极性 .★标准答案：A 二、填空题（共10题,每题2分,共20分） 1. 单相交流调压电路电阻负载时移相范围是____________，电感负载时的移相范围是____________ （2分） .★标准答案：1. 0～π;2. 0～π; 2. 正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变____________可改变逆变器输出电压幅值；改变____________可改变
第2章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在开关状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。 3.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型、双极型、复合型三类。 5、电力二极管的工作特性概括为单向导通。 6.电力二极管的主要类型有普通、快速恢复、肖特基。 7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为门极正向有触发则导通、反向截止。 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM小于Ubo。 11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的阴极和门极并联结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为击穿。 14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型两类。 25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、
电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO ,GTR, MOSFET, IGBT；属于单极型电力电子器件的有MOSFET，属于双极型器件的有GTO, GTR ,电力二极管,晶闸管，属于复合型电力电子器件得有IGBT；在可控的器件中，容量最大的是GTR，工作频率最高的是MOSFET，属于电压驱动的是MOSFET,IGBT，属于电流驱动的是GTO,GTR。 第3章整流电路 1.电阻负载的特点是电压与电流成正比，两者波形相同，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180°。 2.阻感负载的特点是流过电感的电流不能发生突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180°，其承受的最大正反向电压均为√2U2，续流二极管承受的最大反向电压为√2U2（设U2为相电压有效值）。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角d时，晶闸管的导通角q =180°; 当控制角a小于不导电角d 时，晶闸管的导通角q=180°。 5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与单相全控桥的波形基本相同，只是后者适用于低输出电压的场合。 6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于√2U2，晶闸管控制角α的最大移相范围是0°~150，使负载电流连续的条件为α≤30°(U2为相电压有效值)。 7.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°，当它带阻感负载时，a的移相范围为0°~90°。
现代电力电子技术的发展、现状与未来展 望综述
课程报告 现代电力电子技术的发展、现状与 未来展望综述 学院：电气工程学院 姓名： ********* 学号: 14********* 专业： ***************** 指导教师： *******老师 0 引言
电力电子技术就是使用电力半导体器件对电能进行变换和控制的技术，它是综合了电子技术、控制技术和电力技术而发展起来的应用性很强的新兴学科。随着经济技术水平的不断提高，电能的应用已经普及到社会生产和生活的方方面面，现代电力电子技术无论对传统工业的改造还是对高新技术产业的发展都有着至关重要的作用，它涉及的应用领域包括国民经济的各个工业部门。毫无疑问，电力电子技术将成为21世纪的重要关键技术之一。 1 电力电子技术的发展［1］ 电力电子技术包含电力电子器件制造技术和变流技术两个分支，电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础。电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用，电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。 1.1半控型器件（第一代电力电子器件） 上世纪50年代，美国通用电气公司发明了世界上第一只硅晶闸管(SCR)，标志着电力电子技术的诞生。此后，晶闸管得到了迅速发展，器件容量越来越大，性能得到不断提高，并产生了各种晶闸管派生器件，如快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管等。但是，晶闸管作为半控型器件，只能通过门极控制器开通，不能控制其关断，要关断器件必须通过强迫换相电路，从而使整个装置体积增加，复杂程度提高，效率降低。另外，晶闸管为双极型器件，有少子存储效应，所以工作频率低，一般低于400 Hz。由于以上这些原因，使得晶闸管的应用受到很大限制。 1.2全控型器件（第二代电力电气器件） 随着半导体技术的不断突破及实际需求的发展，从上世纪70年代后期开始，以门极可关断晶闸管（GTO）、电力双极晶体管（BJT）和电力场效应晶体管（Power-MOSFET）为代表的全控型器件迅速发展。全控型器件的特点是，通过对门极（基极、栅极）的控制既可使其开通又可使其关断。此外，这些器件的开关速度普遍高于晶闸管，可用于开关频率较高的电路。这些优点使电力电子技术的面貌焕然一新，把电力电子技术推进到一个新的发展阶段。 1.3电力电子器件的新发展 为了解决MSOFET在高压下存在的导通电阻大的问题，RCA公司和GE公司于1982年开发出了绝缘栅双极晶体管（IGBT）,并于1986年开始正式生产并逐渐系列化。IGBT是MOS?FET和BJT得复合，它把MOSFET驱动功率小、开关速度快的优点和BJT通态压降小、载流能力大的优点集于一身，性能十分优越，使之很快成为现代电力电子技术的主导器件。与IGBT 相对应，MOS 控制晶闸管(MCT)和集成门极换流晶闸管（IGCT）都是MOSFET和GTO的复合，它们都综合