集成电路设计习题答案-章
CH1
1( 按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代,它的发展遵循了一条业界著名的定
律，请说出是什么定律,
晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律
2( 什么是无生产线集成电路设计,列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点:电路设计，工艺制造，封装分立运行。
环境:IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计
3( 多项目晶圆(MPW)技术的特点是什么,对发展集成电路设计有什么意义, MPW:把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义:降低成本。
4( 集成电路设计需要哪四个方面的知识,
系统，电路，工具，工艺方面的知识
CH2
1( 为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用?
原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉
2(GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11
3(怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触,怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触,
接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触4(说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。 P13
5(列出你知道的异质半导体材料系统。
GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6(SOI材料是怎样形成的，有什么特点?
SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点:电极与衬底之
间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低
7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点,
肖特基接触:阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触:载流子可以容易
地利用量子遂穿效应相应自由传输。
8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21
CH3
1( 写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。
意义:用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外
延方法:
液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长
2(写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举
三种掩膜的制造方法。P28,29
3(写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式, 作用:把掩膜上的图形转换成晶
圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。
4(X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点,
X 射线(X-ray)具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜
版。电子束
扫描法，，由于高速电子的波长很短，分辨率很高
5( 说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。
热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下:1.掺杂的
过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。2.可进行小剂量的掺杂。3.
可进行极小深度的掺杂。4.较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。5.可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点:价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格会遭到严重破坏且难以恢复
6(列出干法和湿法氧化法形成SiO的化学反应式。 2
干氧湿氧 Si，O,SiOSi，2HO,SiO，2H22222
CH4
1(Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式, 见表4.1 2(比较CMOS 工艺和GaAs工艺的特点。
CMOS工艺技术成熟，功耗低。GaAs工艺技术不成熟，工作频率高。 3. 什么是MOS工艺的特征尺寸,
工艺可以实现的平面结构的最小宽度，通常指最小栅长。
4. 为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺的主流技术,
铝栅工艺缺点是，制造源漏极与制造栅极需要两次掩膜步骤(MASK STEP)，不容易对齐。
硅栅工艺的优点是:自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度，增加了电
路的稳定性。
5. 为什么在栅长相同的情况下NMOS管速度要高于PMOS管,
因为电子的迁移率大于空穴的迁移率
6(简述CMOS工艺的基本工艺流程。P.52
7(常规N-Well CMOS工艺需要哪几层掩膜,每层掩膜分别有什么作用, P50表4.3
CH5
1( 说出MOSFET的基本结构。
MOSFET由两个PN结和一个MOS电容组成。
2( 写出MOSFET的基本电流方程。
2,,OXw1,[(V,V)V,V] GSTDSDStl2ox
3( MOSFET的饱和电流取决于哪些参数,
饱和电流取决于栅极宽度W，栅极长度L，栅-源之间压降，阈值电压，氧化层VVGST
厚度，氧化层介电常数 t,OXOX
4( 为什么说MOSFET是平方率器件,
因为MOSFET的饱和电流具有平方特性
5( 什么是MOSFET的阈值电压,它受哪些因素影响,
阈值电压就是将栅极下面的Si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压。影响它的因素
有4个:材料的功函数之差，SiO2层中可以移动的正离子的影响，氧化层中固定电荷的
影响，界面势阱的影响
6( 什么是MOS器件的体效应,
由于衬底与源端未连接在一起，而引起的阈值电压的变化叫做体效应。 7( 说明L、W对MOSFET的速度、功耗、驱动能力的影响。
P70，71
8( MOSFET按比例收缩后对器件特性有什么影响?
IDS不变，器件占用面积减少，提高电路集成度，减少功耗
9( MOSFET存在哪些二阶效应,分别是由什么原因引起的,
P.70-73 沟道长度调制效应，体效应，亚阈值效应
10(说明MOSFET噪声的来源、成因及减小的方法。
噪声来源:热噪声和闪烁噪声。热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成的，可通过增加MOS管的栅宽和偏置电流减少热噪声。闪烁噪声是由沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起的，增加栅长栅宽可降低闪烁噪声。
中国最具潜力的２０家芯片设计企业 专题特写：《国际电子商情》创刊二十周年系列报道 春华秋实：中国IC设计业走向可持续发展之路 ? 《国际电子商情》伴随着中国电子产业飞速发展已经走过了整整二十个不平凡的春秋，我们热切的目光也一路见证了中国IC设计业从孕育到成长，从星星之火到阵容壮大。今天，我们聚集在创刊20周年庆的舞台上，与20家中国最具代表性的IC设计公司一道，细数回顾饱含酸甜苦辣的发展历程，展现他们创立以来的丰硕成果和未来发展规划，分享业界志士们对产业环境变化的衷心感言。 诚然，中国IC产业在过去十几年取得了巨大的成就，IC设计企业已接近500家，2004年销售收入过亿元人民币的企业达到了16家之多。但是IC企业仍然有很长的路要走，一方面产品市场范围过窄，主要集中于电源管理、信号处理、视频编解码、玩具控制等几个方面，在相当一段时间里仍将提供替代性产品为主；另一方面，企业知识产权的建立与保护机制有待健全和加强。所幸的是，本土IC设计企业已然清醒认识到这些问题，正在向具有自主知识产权、自我良性循环成长的可持续发展之路迈进。 安凯开曼公司 这是一家创办于硅谷、根植于中国的芯片设计公司。成立4年多来，员工总数与设计人员大幅增长，推出多媒体应用处理器(AK3210M、AK3220M)、多媒体协处理器(A2、A6)两条产品主线，并提供多媒体手机、个人媒体播放器、无线监控、车载电话等完整解决方案。目前，安凯公司正与重庆重邮信科股份有限公司紧密合作，联合开发具有中国自主知识产权的TD-SCDMA基带处理器芯片。 安凯认为，现在中国IC设计产业的竞争如火如荼，对于本土的IC设计公司而言，想要在这样的竞争中生存和壮大，必须要在国际强手留下的生存空间中拿出有知识产权的特色产品，即注重芯片差异化特征的修炼。安凯的目标是成为全球一流的移动手持设备多媒体应用处理器的主要提供商。
第三章、器件 一、超深亚微米工艺条件下MOS 管主要二阶效应： 1、速度饱和效应：主要出现在短沟道NMOS 管，PMOS 速度饱和效应不显著。主要原因是 TH G S V V -太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度（μξν=） ，即载流子迁移率是常数。但在电场强度很高时载流子的速度将由于散射效应而趋于饱和，不再随电场 强度的增加而线性增加。此时近似表达式为：μξυ=（c ξξ<），c s a t μξυυ==（c ξξ≥） ，出现饱和速度时的漏源电压D SAT V 是一个常数。线性区的电流公式不变，但一旦达到DSAT V ，电流即可饱和，此时DS I 与GS V 成线性关系（不再是低压时的平方关系）。 2、Latch-up 效应：由于单阱工艺的NPNP 结构，可能会出现VDD 到VSS 的短路大电流。 正反馈机制：PNP 微正向导通，射集电流反馈入NPN 的基极，电流放大后又反馈到PNP 的基极，再次放大加剧导通。 克服的方法：1、减少阱/衬底的寄生电阻，从而减少馈入基极的电流，于是削弱了正反馈。 2、保护环。 3、短沟道效应：在沟道较长时，沟道耗尽区主要来自MOS 场效应，而当沟道较短时，漏衬结（反偏）、源衬结的耗尽区将不可忽略，即栅下的一部分区域已被耗尽，只需要一个较小的阈值电压就足以引起强反型。所以短沟时VT 随L 的减小而减小。 此外，提高漏源电压可以得到类似的效应，短沟时VT 随VDS 增加而减小，因为这增加了反偏漏衬结耗尽区的宽度。这一效应被称为漏端感应源端势垒降低。
4、漏端感应源端势垒降低（DIBL）： VDS增加会使源端势垒下降，沟道长度缩短会使源端势垒下降。VDS很大时反偏漏衬结击穿，漏源穿通，将不受栅压控制。 5、亚阈值效应（弱反型导通）：当电压低于阈值电压时MOS管已部分导通。不存在导电沟道时源（n+）体（p）漏（n+）三端实际上形成了一个寄生的双极性晶体管。一般希望该效应越小越好，尤其在依靠电荷在电容上存储的动态电路，因为其工作会受亚阈值漏电的严重影响。 绝缘体上硅（SOI） 6、沟长调制：长沟器件：沟道夹断饱和；短沟器件：载流子速度饱和。 7、热载流子效应：由于器件发展过程中，电压降低的幅度不及器件尺寸，导致电场强度提高，使得电子速度增加。漏端强电场一方面引起高能热电子与晶格碰撞产生电子空穴对，从而形成衬底电流，另一方面使电子隧穿到栅氧中，形成栅电流并改变阈值电压。 影响：1、使器件参数变差，引起长期的可靠性问题，可能导致器件失效。2、衬底电流会引入噪声、Latch-up、和动态节点漏电。 解决：LDD（轻掺杂漏）：在漏源区和沟道间加一段电阻率较高的轻掺杂n-区。缺点是使器件跨导和IDS减小。 8、体效应：衬底偏置体效应、衬底电流感应体效应（衬底电流在衬底电阻上的压降造成衬偏电压）。 二、MOSFET器件模型 1、目的、意义：减少设计时间和制造成本。 2、要求：精确；有物理基础；可扩展性，能预测不同尺寸器件性能；高效率性，减少迭代次数和模拟时间 3、结构电阻：沟道等效电阻、寄生电阻 4、结构电容： 三、特征尺寸缩小 目的：1、尺寸更小；2、速度更快；3、功耗更低；4、成本更低、 方式： 1、恒场律（全比例缩小），理想模型，尺寸和电压按统一比例缩小。 优点：提高了集成密度 未改善：功率密度。 问题：1、电流密度增加；2、VTH小使得抗干扰能力差；3、电源电压标准改变带来不便；4、漏源耗尽层宽度不按比例缩小。 2、恒压律，目前最普遍，仅尺寸缩小，电压保持不变。 优点：1、电源电压不变；2、提高了集成密度 问题：1、电流密度、功率密度极大增加；2、功耗增加；3、沟道电场增加，将产生热载流子效应、速度饱和效应等负面效应；4、衬底浓度的增加使PN结寄生电容增加，速度下降。 3、一般化缩小，对今天最实用，尺寸和电压按不同比例缩小。 限制因素：长期使用的可靠性、载流子的极限速度、功耗。
...... 高中数学必修 3 知识点 第一章算法初步 1.1.1算法的概念 1、算法概念： 在数学上，现代意义上的“算法”通常是指可以用计算机来解决的某一类问题是程序或 步骤，这些程序或步骤必须是明确和有效的，而且能够在有限步之内完成. 2.算法的特点 : (1)有限性：一个算法的步骤序列是有限的，必须在有限操作之后停止，不能是无限的. (2)确定性：算法中的每一步应该是确定的并且能有效地执行且得到确定的结果，而不 应当是模棱两可 . (3)顺序性与正确性：算法从初始步骤开始，分为若干明确的步骤，每一个步骤只能有 一个确定的后继步骤，前一步是后一步的前提，只有执行完前一步才能进行下一步，并且每一步都准确无误，才能完成问题 . (4)不唯一性：求解某一个问题的解法不一定是唯一的，对于一个问题可以有不同的算 法. (5)普遍性：很多具体的问题，都可以设计合理的算法去解决，如心算、计算器计算都 要经过有限、事先设计好的步骤加以解决.
...... 1.1.2程序框图 1、程序框图基本概念： （一）程序构图的概念：程序框图又称流程图，是一种用规定的图形、指向线及文字 说明来准确、直观地表示算法的图形。 一个程序框图包括以下几部分：表示相应操作的程序框；带箭头的流程线；程序框外 必要文字说明。 （二）构成程序框的图形符号及其作用 程序框名称功能 表示一个算法的起始和结束，是任何流程图 起止框 不可少的。 表示一个算法输入和输出的信息，可用在算 输入、输出框 法中任何需要输入、输出的位置。 赋值、计算，算法中处理数据需要的算式、 处理框公式等分别写在不同的用以处理数据的处理 框内。 判断某一条件是否成立，成立时在出口处标 判断框 明“是”或“Y”；不成立时标明“否”或“N ”。
第一章 1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？ 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律 2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。 环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计 3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？ MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。 4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？ 系统，电路，工具，工艺方面的知识 第二章 1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用? 原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉 2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？ 接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触 4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点? SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？ 肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 第三章 1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。 意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长 2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29 3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？ X 射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子
微机原理与接口技术试题库 第一章基础知识 一、填空 1、计算机中采用二进制数，尾符用B 表示。 2、西文字符的编码是ASCII 码，用 1 个字节表示。 3、10111B用十六进制数表示为H，八进制数表示为O。 4、带符号的二进制数称为真值；如果把其符号位也数字化，称为原码。 5、已知一组二进制数为-1011B，其反码为10100B ，其补码为10101B 。 6、二进制码最小单位是位，基本单位是字节。 7、一个字节由8 位二进制数构成，一个字节简记为1B ，一个字节可以表示256 个信息。 8、用二进制数表示的十进制编码，简称为BCD 码。 9、8421码是一种有权BCD 码，余3码是一种无权BCD 码。 二、选择 1、计算机中采用 A 进制数。 A. 2 B. 8 C. 16 D. 10 2、以下的 C 编码是一种有权码。 A. 循环码 B. BCD码 C. 8421码 D. 余3码 3、八进制数的尾符是 B 。 A. B B. O C. D D. H 4、与十进制数254等值的数是 A 。 A. 11111110 B. 11101111 C. 11111011 D. 11101110 5、下列不同数制表示的数中，数值最大的是 C 。 A. 11011101B B. 334O C. 1219D D. DAH 6、与十六进制数BC等值的数是B 。 A. 10111011 B. 10111100 C. 11001100 D. 11001011 7、下列字符中，ASCII码值最小的是 A 。 A. K B. Y C. a D. i 8、最大的10位无符号二进制整数转换成十进制数是C 。 A. 51 B. 512 C. 1023 D. 1024 9、A的ASCII码值为65D，ASCII码值为68D的字母是C 。 A. B B. C C. D D. E 10、下列等式中，正确的是 D 。 A. 1KB=1024×1024B B. 1MB=1024B
第十七章超敏反应 一、单项选择 1.由细胞免疫介导的变态反应是型： 2.I 型过敏反应可通过下列哪种成分转移给正常人？ A. 患者的致敏淋巴细胞 B. 患者的血清 C. 致敏淋巴细胞释放的转移因子 D. 巨噬细胞释放的淋巴细胞激活因子 E. 以上均不是 3.关于Ⅱ型变态反应下列哪项是错误的？ A.属于细胞毒型 B. 有NK 细胞和巨噬细胞参与 C. 没有补体参与 D. 可由病菌与自身组织间的共同抗原引起 E. 是由 IgG 和IgM 介导的 4.下列疾病属于 III 型变态反应的是： A.特应性皮炎 B. 输血反应 C. 免疫复合物性肾小球肾炎 D. 接触性皮炎 E. 移植排斥反应 5. I 型超敏反应主要是由哪一种抗体介导的 6.参与 I 型超敏反应主要的细胞是： A．肥大细胞和嗜碱性粒细胞B． B 细胞 C．T 细胞 D．NK 细胞 E．内皮细胞 7.不属于 I 型超敏反应的疾病是 A．青霉素过敏性休克 B．花粉过敏引起哮喘 C．皮肤荨麻疹 D．红细胞溶解破坏导致的输血反应E．过敏性鼻炎 8.不属于 I 型超敏反应发生机制的是： A．变应原刺激机体产生特异性IgE B ．IgE 与致敏靶细胞表面 IgE 受体结合 C．肥大细胞发生脱颗粒 D．组胺等生物活性介质引起相应症状 E．IgG 激活补体溶解破坏靶细胞 9.在抢救过敏性休克中具有重要作用的药物是： 10.某同学，每年春季便出现流鼻涕、打喷嚏不止，可能的原因是对花粉产生了： A．I 型超敏反应 B．II 型超敏反应 C．III 型超敏反应 D．IV 型超敏反应 E．不属于超敏反应 11.不属于 II 型超敏反应的疾病是： A．新生儿溶血症 B．花粉过敏引起哮喘 C．红细胞溶解破坏导致的输血反应 D．药物过敏性血细胞减少症 E． Graves’病（甲状腺功能亢进） 12.下列关于 II 型超敏反应错误的是 A．自身组织细胞是受到攻击的靶细胞 B．输血反应是典型的 II 型超敏反应 C．参与的抗体主要是 IgG 和 IgM D．吞噬细胞和 NK 细胞的杀伤是组织损伤的直接原因 E．参与的抗体主要是 IgE 13. II 型超敏反应中的靶抗原不包括 A．ABO 血型抗原 B．链球菌胞壁成分与关节组织的共同抗原 C．改变了的自身抗原 D．结合在自身细胞表面的抗原E．游离的病毒颗粒 14.新生儿溶血症属于哪一型超敏反应 15.Ⅰ型超敏反应不具有的特点是： A．有明显的个体差异和遗传背景B．发生迅速，消退也快 C．特异性 IgE 参与 D．无补体参与 E．免疫病理作用以组织细胞的破坏为主
芯片制造上市公司一览(最全).txt -你脚踏俩只船,你划得真漂亮。- 每个说不想恋爱的人心里都装着一个不可能的人。我心疼每一个不快乐却依然在笑的孩子。(有没有那么一个人，看透我在隐身，知道我在等人。芯片制造上市公司一览（最全） （一）芯片设计 大唐微电子、杭州士兰微、无锡华润矽科微电子、中国华大、上海华虹、江苏意源科技等10家设计公司国内销售规模已经超过亿元。大唐微电子董事长魏少军、杭州士兰微董事长陈向东、上海先进半导体总裁刘幼海、中芯国际总裁张汝京、江苏长电科技董事长王新潮等9名人士,还被评为"2003中国半导体企业领军人物"。 DSP与CPU被公认为芯片工业的两大核心技术。国内CPU产品研发水平最高的以“龙芯”为代表，DSP以“汉芯为代表。专家指出，从2000年开始，我国每年就使用近100亿元的国外DSP芯片，到2005年前我国DSP市场的需求量在30亿美元以上，年增长将达到40％以上。 至于市场广为关注的第二代身份证，据招商证券的预估，第二代身份证的市场容量超过200亿元，主要包括三方面：芯片、读卡机具和数据库系统，其中芯片的市场容量约为70亿到80亿元。目前确定的第二代身份证芯片设计厂商有四家：上海华虹、大唐微电子、清华同方和中电华大，而芯片生产则交给了华虹NEC、中芯国际、珠海东信和平智能卡公司等。 1、综艺股份（600770[行情|资料]）：2002年8月，公司出资4900万元与中国科学院计算机研究所等科研开发机构共同投资成立北京神州龙芯集成电路设计有限公司，并持股49％成为第一大股东。2002年9月，北京神州龙芯集成电路设计有限公司成功开发出国内首款具有自主知识产权的高性能通用CPU芯片“龙芯一号”；2002年12月，由中科院计算所、海尔集团、长城集团长软公司、中软股份、中科红旗、曙光集团、神州龙芯等国内七大豪门联手发起的“龙芯联盟”正式成立； 2003年12月20日，中科院宣布将在04年6月研发出“实际性能与英特尔奔腾4CPU水平相当的“龙芯2号”。 2、大唐电信（600198[行情|资料]）：大股东大唐集团开发的TD-SCDMA标准成为国际第三代移动通信三大标准之一，在目前整个电信行业面临重组和突破的前景下，大唐电信面临着新一轮发展机遇。公司控股85％的大唐微电子也正成为公司主要的利润来源，贡献的利润已占到主营利润的52％，2002年该公司就实现净利润3800万元，其开发的SIM卡和UIM卡成为中国移动和中国联通的指定用卡，而公司与美国新思科技、上海中芯国际等共同开发的手机核心芯片平台将在2004年上半年投入试商用，2004年第三季度进入批量生产，在目前手机用户大量增长以及未来3G手机芯片等方面发展前景广阔。大唐微电子技术有限公司2003年销售额达到了6.2亿元，与2002年相比增长了199.0％，成为2003年中国集成电路设计业的一个亮点 3、清华同方（600100[行情|资料]）：公司控股51％的清华同方微电子依托清华大学微电子学研究所的雄厚技术基础，致力于具有自主知识产权的IC卡集成电路芯片的设计、研发及产业化，在数字芯片方面具备的技术优势也相当明显，和大唐微电子一起入选为第二代居身份证芯片的设计厂商。 4、上海科技（600608[行情|资料]）：公司通过控股子公司江苏意源科技有限公司相继投资设立了苏州国芯科技有限公司、上海交大创奇信息安全芯片科技有限公司、上海明证软件技术有限公司、无锡国家集成电路设计基地有限公司等。其中，苏州国芯作为国家信息部
西安邮电学院电子工程学院 本科集成电路设计与集成系统专业培养方案 学科：工学---电气信息专业：集成电路设计与集成系统（Engineering---Electric Information）（Integrated Circuit Design & Integrated System）专业代码：080615w 授予学位：工学学士 一、专业培养指导思想 遵循党和国家的教育方针，体现“两化融合”的时代精神，把握高等教育教学改革发展的规律与趋势，树立现代教育思想与观念，结合社会需求和学校实际，按照“打好基础、加强实践，拓宽专业、优化课程、提高能力”的原则，适应社会主义现代化建设和信息领域发展需要，德、智、体、美全面发展，具有良好的道德修养、科学文化素质、创新精神、敬业精神、社会责任感以及坚实的数理基础、外语能力和电子技术应用能力，系统地掌握专业领域的基本理论和基本知识，受到严格的科学实验训练和科学研究训练，能够在集成电路设计与集成系统领域，特别是通信专用集成电路与系统领域从事科学研究、产品开发、教学和管理等方面工作的高素质应用型人才。 二、专业培养目标 本专业学生的知识、能力、素质主要有：①较宽厚的自然科学理论基础知识、电路与系统的学科专业知识、必要的人文社会学科知识和良好的外语基础；②较强的集成电路设计和技术创新能力，具有通信、计算机、信号处理等相关学科领域的系统知识及其综合运用知识解决问题的能力；③较强的科学研究和工程实践能力，总结实践经验发现新知识的能力，掌握电子设计自动化（EDA）工具的应用；④掌握资料查询的基本方法和撰写科学论文的能力，了解本专业领域的理论前沿和发展动态；⑤良好的与人沟通和交流的能力，协同工作与组织能力；⑥良好的思想道德修养、职业素养、身心素质。毕业学生能够从事通信集成电路设计与集成系统的设计、开发、应用、教学和管理工作，成为具有奉献精神、创新意识和实践能力的高级应用型人才。 三、学制与学分 学制四年，毕业生应修最低学分198学分，其中必修课110学分，限选课36学分，任选课10学分，集中实践环节34学分，课外科技与实践活动8学分。
实验一 EDA软件实验 一、实验目的： 1、掌握Xilinx ISE 9.2的VHDL输入方法、原理图文件输入和元件库的调用方法。 2、掌握Xilinx ISE 9.2软件元件的生成方法和调用方法、编译、功能仿真和时序仿真。 3、掌握Xilinx ISE 9.2原理图设计、管脚分配、综合与实现、数据流下载方法。 二、实验器材： 计算机、Quartus II软件或xilinx ISE 三、实验内容： 1、本实验以三线八线译码器（LS74138）为例，在Xilinx ISE 9.2软件平台上完成设计电 路的VHDL文本输入、语法检查、编译、仿真、管脚分配和编程下载等操作。下载芯片选择Xilinx公司的CoolRunner II系列XC2C256-7PQ208作为目标仿真芯片。 2、用1中所设计的的三线八线译码器（LS74138）生成一个LS74138元件，在Xilinx ISE 9.2软件原理图设计平台上完成LS74138元件的调用，用原理图的方法设计三线八线译 码器（LS74138），实现编译，仿真，管脚分配和编程下载等操作。 四、实验步骤： 1、三线八线译码器（LS 74138）VHDL电路设计 (1)三线八线译码器（LS74138）的VHDL源程序的输入 打开Xilinx ISE 6.2编程环境软件Project Navigator，执行“file”菜单中的【New Project】命令，为三线八线译码器（LS74138）建立设计项目。项目名称【Project Name】为“Shiyan”,工程建立路径为“C:\Xilinx\bin\Shiyan1”，其中“顶层模块类型（Top-Level Module Type）”为硬件描述语言（HDL），如图1所示。 图1 点击【下一步】，弹出【Select the Device and Design Flow for the Project】对话框，在该对话框内进行硬件芯片选择与工程设计工具配置过程。
第一章免疫学概论 一、单项选择 1. 免疫应答水平过高会引起： A. 超敏反应 B. 持续感染 C. 免疫缺陷 D. 癌症 E. 易衰老 2. 机体免疫防御反应异常增高，可引发： A．严重感染B．自身免疫病C．肿瘤D．免疫缺陷病E．超敏反应 3. 机体免疫自稳功能失调，可引发： A．免疫缺陷病B．自身免疫病C．超敏反应D．病毒持续感染E．肿瘤 4. 免疫防御功能低下的机体易发生： A．反复感染B．肿瘤C．超敏反应D．自身免疫病E．免疫增生性疾病 5. 机体免疫监视功能低下时易发生： A．肿瘤B．超敏反应C．移植排斥反应D．免疫耐受E．自身免疫病 6. 医学免疫学研究的是： A．病原微生物的感染和机体防御能力B．抗原抗体间的相互作用关系 C．人类免疫现象的原理和应用D．动物对抗原刺激产生的免疫应答 E．细胞突变和免疫监视功能 7. 免疫功能低下时易发生： A. 自身免疫病 B. 超敏反应 C. 肿瘤 D. 免疫增生病 E. 移植排斥反应 8. 免疫是指： A．机体排除病原微生物的功能B．机体抗感染的防御功能 C．机体识别和清除自身突变细胞的功能 D. 机体清除损伤和衰老细胞的功能E．机体识别和排除抗原性异物的功能 9. 免疫对机体是： A．有害的B．有利的C．有害无利D．有利无害 E．正常条件下有利，异常条件下有害 10. 机体抵抗病原微生物感染的功能称为： A．免疫监视B．免疫自稳C．免疫耐受D．免疫防御E．免疫调节 11. 机体免疫系统识别和清除突变细胞的功能称为： A．免疫监视B．免疫缺陷C．免疫耐受D．免疫防御E．免疫自稳 12. 具有特异性免疫功能的免疫分子是： A．细胞因子B．补体C．抗体D．MHC 分子E．抗菌肽 13. 执行特异性免疫功能的细胞是： A．γδT 细胞B．αβT 细胞C．NK 细胞D．DC E．巨噬细胞 14. 在固有和适应性免疫应答过程中均起重要作用的细胞是： A．巨噬细胞B．B 细胞C．T 细胞D．中性粒细胞E．浆细胞 15. 免疫细胞不包括： A．淋巴细胞B．成纤维细胞C．抗原提呈细胞D．粒细胞E．巨噬细胞 16. 适应性免疫应答所不具备的特点是： A．淋巴细胞与相应抗原的结合具有高度特异性B．具有再次应答的能力 C．无需抗原激发D．T/B 细胞库具有高度异质性E．精确区分“自身”和“非己” 17. 固有免疫细胞所不具备的应答特点是： A．直接识别病原体某些共有高度保守的配体分子 B．识别结合相应配体后，立即产生免疫应答
具备核心芯片开发领先技术的的上市公司 股市资料(2010-12-10 15:20:50) 相关上市公司 (一)芯片设计 大唐微电子、杭州士兰微、无锡华润矽科微电子、中国华大、上海华虹、江苏意源科技等10家设计公司国内销售规模已经超过亿元。大唐微电子董事长魏少军、杭州士兰微董事长陈向东、上海先进半导体总裁刘幼海、中芯国际总裁张汝京、江苏长电科技董事长王新潮等9名人士,还被评为"2003中国半导体企业领军人物"。 DSP与CPU被公认为芯片工业的两大核心技术。国内CPU产品研发水平最高的以“龙芯”为代表，DSP以“汉芯为代表。专家指出，从2000年开始，我国每年就使用近100亿元的国外DSP芯片，到2005年前我国DSP市场的需求量在30亿美元以上，年增长将达到40%以上。 至于市场广为关注的第二代身份证，据招商证券的预估，第二代身份证的市场容量超过200亿元，主要包括三方面：芯片、读卡机具和数据库系统，其中芯片的市场容量约为70亿到80亿元。目前确定的第二代身份证芯片设计厂商有四家：上海华虹、大唐微电子、清华同方和中电华大，而芯片生产则交给了华虹NEC、中芯国际、珠海东信和平智能卡公司等。 1、综艺股份（600770[行情|资料]）：2002年8月，公司出资4900万元与中国科学院计算机研究所等科研开发机构共同投资成立北京神州龙芯集成电路设计有限公司，并持股49％成为第一大股东。2002年9月，北京神州龙芯集成电路设计有限公司成功开发出国内首款具有自主知识产权的高性能通用CPU芯片“龙芯一号”；2002年12月，由中科院计算所、海尔集团、长城集团长软公司、中软股份、中科红旗、曙光集团、神州龙芯等国内七大豪门联手发起的“龙芯联盟”正式成立； 2003年12月20日，中科院宣布将在04年6月研发出“实际性能与英特尔奔腾4CPU水平相当的“龙芯2号”。 2、大唐电信（600198[行情|资料]）：大股东大唐集团开发的TD-SCDMA 标准成为国际第三代移动通信三大标准之一，在目前整个电信行业面临重组和突破的前景下，大唐电信面临着新一轮发展机遇。公司控股85%的大唐微电子也正成为公司主要的利润来源，贡献的利润已占到主营利润的52%，2002年该公司就实现净利润3800万元，其开发的SIM卡和UIM卡成为中国移动和中国联通的指定用卡，而公司与美国新思科技、上海中芯国际等共同开发的手机核心芯片平台将在2004年上半年投入试商用，2004年第三季度进入批量生产，在目前手机用户大量增长以及未来3G手机芯片等方面发展前景广阔。大唐微电子技术有限公司2003年销售额达到了6.2亿元，与2002年相比增长了199.0%，成为2003年中国集成电路设计业的一个亮点
问答： Point out design objects in the figure such as :design, cell, reference, port, pin, net, then write a command to set 5 to net A Design: top Reference: ADD DFF Cell: U1 U2 Port: A B clk sum Pin: A B D Q Net: A B SIN Set_load 5 [get_nets A] why do we not choose to operate all our digital circuits at these low supply voltages? 答：1）不加区分地降低电源电压虽然对减少能耗能正面影响，但它绝对会使门的延时加大 2）一旦电源电压和本征电压（阈值电压）变得可比拟，DC特性对器件参数（如晶体管 阈值）的变化就变得越来越敏感 3）降低电源电压意味着减少信号摆幅。虽然这通常可以帮助减少系统的内部噪声（如串扰引起的噪声），但它也使设计对并不减少的外部噪声源更加敏感） 问道题： 1.CMOS静态电路中，上拉网络为什么用PMOS,下拉网络为什么用NMOS管 2.什么是亚阈值电流，当减少VT时，V GS =0时的亚阈值电流是增加还是减少？ 3.什么是速度饱和效应 4.CMOS电压越低，功耗就越少？是不是数字电路电源电压越低越好，为什么？ 5.如何减少门的传输延迟？ P203 6.CMOS电路中有哪些类型的功耗？ 7.什么是衬垫偏置效应。 8.gate-to-channel capacitance C GC,包括哪些部分 VirSim有哪几类窗口 3-6. Given the data in Table 0.1 for a short channel NMOS transistor with V DSAT = 0.6 V and k′=100 μA/V2, calculate V T0, γ, λ, 2|φf|, and W / L:
A/D转换器的设计 一．实验目的： （1）设计一个简单的LDO稳压电路 （2）掌握Cadence ic平台下进行ASIC设计的步骤； （3）了解专用集成电路及其发展，掌握其设计流程； 二．A/D转换器的原理： A/D转换器是用来通过一定的电路将模拟量转变为数字量。 模拟量可以是电压、电流等电信号，也可以是压力、温度、湿度、位移、声音等非电信号。但在A/D转换前，输入到A/D转换器的输入信号必须经各种传感器把各种物理量转换成电压信号。符号框图如下： 数字输出量 常用的几种A/D器为; (1):逐次比较型 逐次比较型AD由一个比较器和DA转换器通过逐次比较逻辑构成，从MSB 开始，顺序地对每一位将输入电压与内置DA转换器输出进行比较，经n次比较而输出数字值。其电路规模属于中等。其优点是速度较高、功耗低，在低分辩率（<12位）时价格便宜，但高精度（>12位）时价格很高。 (2): 积分型 积分型AD工作原理是将输入电压转换成时间(脉冲宽度信号)或频率(脉冲频率)，然后由定时器/计数器获得数字值。其优点是用简单电路就能获得高分辨率，但缺点是由于转换精度依赖于积分时间，因此转换速率极低。初期的单片AD转换器大多采用积分型，现在逐次比较型已逐步成为主流。 (3):并行比较型/串并行比较型
并行比较型AD采用多个比较器，仅作一次比较而实行转换，又称FLash(快速)型。由于转换速率极高，n位的转换需要2n-1个比较器，因此电路规模也极大，价格也高，只适用于视频AD转换器等速度特别高的领域。 串并行比较型AD结构上介于并行型和逐次比较型之间，最典型的是由2个n/2位的并行型AD转换器配合DA转换器组成，用两次比较实行转换，所以称为Half flash(半快速)型。还有分成三步或多步实现AD转换的叫做分级型AD，而从转换时序角度又可称为流水线型AD，现代的分级型AD中还加入了对多次转换结果作数字运算而修正特性等功能。这类AD速度比逐次比较型高，电路规模比并行型小。 一．A/D转换器的技术指标: (1）分辨率,指数字量的变化，一个最小量时模拟信号的变化量，定义为满刻度与2^n的比值。分辨率又称精度，通常以数字信号的位数来表示。 (2）转换速率,是指完成一次从模拟转换到数字的AD转换所需的时间的倒数。积分型AD的转换时间是毫秒级属低速AD，逐次比较型AD是微秒级，属中速AD，全并行/串并行型AD可达到纳秒级。采样时间则是另外一个概念，是指两次转换的间隔。为了保证转换的正确完成，采样速率必须小于或等于转换速率。因此有人习惯上将转换速率在数值上等同于采样速率也是可以接受的。常用单位ksps 和Msps，表示每秒采样千/百万次。 (3）量化误差，由于AD的有限分辩率而引起的误差，即有限分辩率AD的阶梯状转移特性曲线与无限分辩率AD（理想AD）的转移特性曲线（直线）之间的最大偏差。通常是1 个或半个最小数字量的模拟变化量，表示为1LSB、1/2LSB。（4）偏移误差，输入信号为零时输出信号不为零的值，可外接电位器调至最小。（5）满刻度误差，满度输出时对应的输入信号与理想输入信号值之差。 （6）线性度，实际转换器的转移函数与理想直线的最大偏移，不包括以上三种误差。 三、实验步骤 此次实验的A/D转换器用的为逐次比较型，原理图如下：
第十二章T淋巴细胞介导的细胞免疫应答 一、单项选择 1. 在细胞免疫效应阶段中起重要作用的细胞是： A. Th和Treg B. Th1和Th2 C. CTL和Th1 D. CTL和Th2 E. Th0和Th17 2. 向T细胞提供第二活化信号的重要协同刺激分子是： A. MHC-Ⅰ/CD8 B. MHC- Ⅱ/CD4 C. CD28/B7 D. CD28/CTLA-4 E. 以上均是 3. T细胞对抗原的识别部位在： A. 抗原入侵部位 B. 胸腺 C. 骨髓 D. 淋巴结或脾脏 E. 以上都不对 4. 以下哪些分子组合不会出现在免疫突触中： A. TCR/抗原肽-MHC复合物 B. MHC-Ⅰ/CD8 C. CD28/B7 D.LFA-1/ICAM-1 E. TLR4/HSP60 5. TD-Ag诱发抗体反应须由以下组细胞参与： A. T淋巴细胞和B淋巴细胞 B. 淋巴细胞和单核巨噬细胞 C. NK细胞和单核巨噬细胞 D. 淋巴细胞和NK细胞 E. T淋巴细胞和单核巨噬细胞 6. CTL细胞活化所需的双信号之一是： A. TCR与pMHCⅠ复合物结合 B. TCR与pMHCⅡ复合物结合 C. TCR与pMHCⅢ复合物结合 D. CD40和CD40L分子结合 E. 与游离抗原肽结合 7. 特异性细胞免疫的效应细胞是： A. Th1和Th2细胞 B. Th1和Th0细胞 C. Th1和CTL细胞 D. Th2和CTL细胞 E. Th2和Th0细胞 8. 关于T细胞活化正确的描述是： A. APC提呈pMHC给T细胞是活化第一信号 B. CTLA-4与B7的结合是促进T细胞活化重要的第二信号 C. TCR传递信号不需要CD3/CD28的辅助 D. 细胞因子在T细胞活化过程中没有作用 E. 以上均不正确 9. 以下哪项不是T细胞活化的表现： A. 分泌多种细胞因子 B. 表达多种细胞因子受体 C. 表达CD40L D. 表达CD3分子 E. 表达FasL 10. 特异性免疫应答过程不包括： A. T细胞特异性识别APC向其提呈的抗原肽-MHC分子复合物 B. T细胞在胸腺内的分化成熟 C. B细胞对抗原的特异性识别 D. T/B细胞的活化、增殖和分化 E. 效应细胞和效应分子的产生和作用 11. 与特异性抗原相遇前的成熟T细胞称为： A. 初始T细胞 B. 效应性T细胞 C. 细胞毒性T细胞 D. 记忆性T细胞 E. 前T细胞
集成电路设计企业认定申请表 申报企业（盖章） 所在地区 申报日期年月日 工业和信息化部制 二Ｏ一四年
填表须知 一、根据《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发 展若干政策的通知》（国发[2011]4号）、《工业和信息化部国家发展和改革委员会财政部国家税务总局关于印发<集成电路设计企业认定管理办法>的通知》（工信部联电子[2013]487号），凡符合相关条件的认定申报企业，均须如实填报本表。 二、申报企业应按工业和信息化部统一制作的表式填写电子版，并 打印纸质版一份，与申请表中第七项“需提交的其他材料”一并装订成册。电子版与纸质材料报企业所在地区（省、自治区、直辖市、计划单列市）工业和信息化主管部门。 三、企业名称、主管税务所名称应填写全称。 四、“申报企业经营情况”、“申报企业人员构成情况”应当填写企 业申请认定年度上一年度情况。 五、申请表第四项申报企业上年度经营情况中，“集成电路设计销 售（营业）收入”＝“集成电路产品收入”+“集成电路设计服务收入”。“自主集成电路设计销售（营业）收入”＝“集成电路设计销售（营业）收入”-“代销集成电路收入”。 六、申请表中“当年月平均职工总人数”按照以下公式计算： 月平均职工总人数=（月初职工总人数+月末职工总人数）÷2 当年月平均职工总人数＝当年各月平均职工总人数之和÷12。 七、表中选取项目请在“□”中划“√”，要求排序的项目请填写所 排序号。 八、申报材料中要求签章处，须加盖公章，复印无效。 九、除另有说明外，申请表中栏目不得空缺。
一、申报企业概况 注：企业注册资金非人民币资金的请换算成人民币后填报。
高一数学必修1各章知识点总结 第一章集合与函数概念 一、集合有关概念 1.集合的含义 2.集合的中元素的三个特性： (1)元素的确定性如：世界上最高的山 (2)元素的互异性如：由HAPPY的字母组成的集合{H,A,P,Y} (3)元素的无序性: 如：{a,b,c}和{a,c,b}是表示同一个集合 3.集合的表示：{ …} 如：{我校的篮球队员}，{太平洋,大西洋,印 度洋,北冰洋} (1)用拉丁字母表示集合：A={我校的篮球队员},B={1,2,3,4,5} (2)集合的表示方法：列举法与描述法。 注意：常用数集及其记法： 非负整数集（即自然数集）记作：N 正整数集N*或N+ 整数集Z 有理数集Q 实数集R 1）列举法：{a,b,c……} 2）描述法：将集合中的元素的公共属性描述出来，写在大括号内表示集合的方法。{x∈R| x-3>2} ,{x| x-3>2} 3）语言描述法：例：{不是直角三角形的三角形} 4）Venn图: 4、集合的分类： (1)有限集含有有限个元素的集合 (2)无限集含有无限个元素的集合 (3)空集不含任何元素的集合例：{x|x2=－5｝ 二、集合间的基本关系 1.“包含”关系—子集 A?有两种可能（1）A是B的一部分，；（2）A与B是注意：B 同一集合。 反之: 集合A不包含于集合B,或集合B不包含集合A,记作A?/B或B?/A 2．“相等”关系：A=B (5≥5，且5≤5，则5=5) 实例：设A={x|x2-1=0} B={-1,1} “元素相同则两集合相等”即：①任何一个集合是它本身的子集。A?A ②真子集:如果A?B,且A≠B那就说集合A是集合B的真子集，记
SAP Business One软件是一种ERP系统，在集成电路行业内得到了广泛使用。众所周知，过去几年，随着集成电路产业的持续进步，芯片开发的复杂度不断增加，进而需要耗费更多的人力、时间及财务成本，这就需要一个生态系统能够伙伴们及早与相关方充分沟通、协同发展，有效地提高资源共用与缩短设计周期，从而达成项目的快速完成，快速上量进而快速盈利的目标。SAP Business One软件便是如此。 SAP系统软件的解决方案是面向最终用户需求的、成熟的企业级应用软件，SAP的应用软件是在总结国际上较为先进的项目管理企业管理理念和管理手段、方法、业务流程基础上，在大量用户不断实践改进的基础上，融合当今流行的计算机技术实现方法，而形成的成熟的、商品化的应用软件包，是真正的应用层解决方案，真正起到如下
的作用： （1）管理驾驶舱，提供给决策提供依据； （2）系统配置灵活可扩展性强； （3）简单的用户界面易于使用； （4）可支撑企业不断增长业务所需； （5）符合本地化财务管理功能。 在国家集成电路产业投资基金的引领下，各方资本持续对集成电路产业密集投入，众多大型产业项目持续布局。中国芯片行业高速增长的的大趋势下，中国的半导体行业正面临挑战，也是蓬勃发展的大好机遇。风口已至，中国集成电路设计企业在把握全球市场机遇的同时，亦面临着更为激烈的同行竞争。集成电路设计企业如何提升核心竞争力已成为一个新“课题”，信息化管理越发显得对集成电路设计企业格外重要。
集成电路设计企业在创业期往往不重视财务等内部的管理，管理的核心都放在新技术研发和销售业务开展上。但是管理在任何时期都是非常重要的，不仅企业的开源节流需要，而且未来纷至沓来的VC 们和上市审计公司也要了解企业的经营状况。 如何透过信息化、数字化来提高集成电路设计产业供应链协同，以及从产品开发、接单、生产到出货各环节的资讯透明化，达到缩短项目设计周期、降低设计成本的目的进一步提升竞争实力，是集成电路设计企业不得不重视议题，所以有一套严格规范的企业管理ERP 系统就显得非常重要，而SAP系统软件的使用则是有效的方法。 上海悠远信息技术有限公司是国内专业的信息化整体解决方案供应商，团队专注于企业信息系统的咨询、实施服务及设计开发服务十八年，提供全球先进的SAP中小企业管理软件及企业信息化解决方案。公司拥一个完整的服务团队体系，依托数年ERP行业的实施及研发经验，基于SAP系列产品为核心，以一体化产品体系支撑企业管理各级应用, 帮助广大企业快速、持续地提高管理水平、经营绩效和综合竞争力。悠远取自《中庸》“悠远则博厚”，秉承“至诚双赢，博厚悠远”的核心理念，与企业共赢，共生，共同前行，共同成功！
- 第一章 1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律 2．什么是无生产线集成电路设计列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。 环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计 3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么对发展集成电路设计有什么意义MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。 4．集成电路设计需要哪四个方面的知识 [ 系统，电路，工具，工艺方面的知识 第二章 1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用 原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉 2．GaAs和InP材料各有哪些特点P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触 接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触 ` 4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点 SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点 肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 ！ 第三章 1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。 意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长 2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29