IC产品的质量与可靠性测试
(IC Quality & Reliability Test )
质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC产品的生命。
质量（Quality）就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎规格（SPEC）的要求，是否符合各项性能指标的问题；可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量，它回答了一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说质量（Quality）解决的是现阶段的问题，可靠性（Reliability）解决的是一段时间以后的问题。知道了两者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，谁会能保证今天产品能用，明天就一定能用？
为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如: JESD22-A108-A、EIAJED- 4701-D101，注：JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）电子设备工程联合委员会,，著名国际电子行业标准化组织之一；EIAJED：日本电子工业协会，著名国际电子行业标准化组织之一。
在介绍一些目前较为流行的Reliability的测试方法之前，我们先来认识一下IC产品的
生命周期。典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示。
ⅠⅡⅢ
Region (I) 被称为早夭期（Infancy period）
这个阶段产品的failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺
陷；
Region (II) 被称为使用期（Useful life period）在这个阶段产品的failure rate保持稳
定，失效的原因往往是随机的，比如温度变化等等；
Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period）
在这个阶段failure rate 会快速升高，失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。
认识了典型IC产品的生命周期，我们就可以看到，Reliability的问题就是要力图将处于早夭期failure的产品去除并估算其良率，预计产品的使用期，并且找到failure的原因，尤其是在IC生产，封装，存储等方面出现的问题所造成的失效原因。
下面就是一些IC产品可靠性等级测试项目（IC Product Level reliability test items ）
一、使用寿命测试项目（Life test items）：EFR, OLT (HTOL), LTOL
①EFR:早期失效等级测试（Early fail Rate Test ）
目的: 评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。
测试条件: 在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试
失效机制：材料或工艺的缺陷，包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效。
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：
JESD22-A108-A
EIAJED- 4701-D101
②HTOL/ LTOL：高/低温操作生命期试验（High/ Low Temperature Operating Life ）
目的: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力
测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试
失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等
参考标准：
125℃条件下1000小时测试通过IC可以保证持续使用4年，2000小时测试持续使用8年；150℃1000小时测试通过保证使用8年，2000小时保证使用28年。
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 1005.8
JESD22-A108-A
EIAJED- 4701-D101
二、环境测试项目（Environmental test items）
PRE-CON, THB, HAST, PCT, TCT, TST, HTST, Solderability Test, Solder Heat Test ①PRE-CON:预处理测试（Precondition Test ）
目的: 模拟IC在使用之前在一定湿度，温度条件下存储的耐久力，也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。
测试流程（Test Flow）:
Step 1:超声扫描仪SAM (Scanning Acoustic Microscopy)
Step 2: 高低温循环（Temperature cycling ）
-40℃(or lower) ~ 60℃(or higher) for 5 cycles to simulate shipping conditions Step 3:烘烤（Baking ）
At minimum 125℃ for 24 hours to remove all moisture from the package
Step 4: 浸泡（Soaking ）
Using one of following soak conditions
-Level 1: 85℃/ 85%RH for 168 hrs （储运时间多久都没关系）
-Level 2: 85℃ / 60%RH for 168 hrs （储运时间一年左右）
-Level 3: 30℃/ 60%RH for 192 hrs （储运时间一周左右）
Step5: Reflow （回流焊）
240℃ (- 5℃) / 225℃ (-5℃) for 3 times (Pb-Sn)
245℃ (- 5℃) / 250℃ (-5℃) for 3 times (Lead-free)
* choose according the package size
Step6：超声扫描仪SAM (Scanning Acoustic Microscopy)
红色和黄色区域显示BGA在回流工艺中由于湿度原因而过度膨胀所导致的分层/裂纹。
失效机制: 封装破裂，分层
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
JESD22-A113-D
EIAJED- 4701-B101
评估结果：八种耐潮湿分级和车间寿命(floor life)
请参阅J-STD-020。
? 1 级- 小于或等于30°C/85% RH 无限车间寿命
? 2 级- 小于或等于30°C/60% RH 一年车间寿命
?2a 级- 小于或等于30°C/60% RH 四周车间寿命
? 3 级- 小于或等于30°C/60% RH 168小时车间寿命
? 4 级- 小于或等于30°C/60% RH 72小时车间寿命
? 5 级- 小于或等于30°C/60% RH 48小时车间寿命
?5a 级- 小于或等于30°C/60% RH 24小时车间寿命
? 6 级- 小于或等于30°C/60% RH 72小时车间寿命(对于6级，元件使用之前必须经过烘焙，并且必须在潮湿敏感注意标贴上所规定的时间限定内回流。)
提示：湿度总是困扰在电子系统背后的一个难题。不管是在空气流通的热带区域中，还是在潮湿的区域中运输，潮湿都是显著增加电子工业开支的原因。由于潮湿敏感性元件使用的增
加，诸如薄的密间距元件(fine-pitch device)和球栅阵列(BGA, ball grid array)，使得对这个失效机制的关注也增加了。基于此原因，电子制造商们必须为预防潜在灾难支付高昂的开支。吸收到内部的潮气是半导体封装最大的问题。当其固定到PCB板上时，回流焊快速加热将在内部形成压力。这种高速膨胀，取决于不同封装结构材料的热膨胀系数（CTE）速率不同，可能产生封装所不能承受的压力。当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于塑料的表面贴装元件(SMD, surface mount device)内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、金线焊接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。在一些极端的情况中，裂纹会延伸到元件的表面；最严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做“爆米花”效益)。尽管现在，进行回流焊操作时，在180℃~200℃时少量的湿度是可以接受的。然而，在230℃~260℃的范围中的无铅工艺里，任何湿度的存在都能够形成足够导致破坏封装的小爆炸（爆米花状）或材料分层。必须进行明智的封装材料选择、仔细控制的组装环境和在运输中采用密封包装及放置干燥剂等措施。实际上国外经常使用装备有射频标签的湿度跟踪系统、局部控制单元和专用软件来显示封装、测试流水线、运输/操作及组装操作中的湿度控制。
②THB: 加速式温湿度及偏压测试（Temperature Humidity Bias Test ）
目的: 评估IC产品在高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程
测试条件: 85℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias
失效机制：电解腐蚀
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
JESD22-A101-D
EIAJED- 4701-D122
③高加速温湿度及偏压测试（HAST: Highly Accelerated Stress Test ）
目的: 评估IC产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程
测试条件: 130℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias，2.3 atm
失效机制：电离腐蚀，封装密封性
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
JESD22-A110
④PCT:高压蒸煮试验Pressure Cook Test (Autoclave Test)
目的: 评估IC产品在高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程
测试条件: 130℃，85%RH, Static bias，15PSIG（2 atm）
失效机制：化学金属腐蚀，封装密封性
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
JESD22-A102
EIAJED- 4701-B123
*HAST与THB的区别在于温度更高，并且考虑到压力因素，实验时间可以缩短，而PCT 则不加偏压，但湿度增大。
⑤TCT: 高低温循环试验（Temperature Cycling Test ）
目的: 评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。
测试条件:
Condition B:-55℃ to 125℃
Condition C: -65℃ to 150℃
失效机制：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界面的分层
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 1010.7
JESD22-A104-A
EIAJED- 4701-B-131
⑥TST: 高低温冲击试验（Thermal Shock Test ）
目的: 评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。
测试条件:
Condition B: - 55℃ to 125℃
Condition C: - 65℃ to 150℃
失效机制：电介质的断裂，材料的老化（如bond wires）, 导体机械变形
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：
MIT-STD-883E Method 1011.9
JESD22-B106
EIAJED- 4701-B-141
* TCT与TST的区别在于TCT偏重于package 的测试，而TST偏重于晶园的测试⑦HTST: 高温储存试验（High Temperature Storage Life Test ）
目的: 评估IC产品在实际使用之前在高温条件下保持几年不工作条件下的生命时间。测试条件: 150℃
失效机制：化学和扩散效应，Au-Al 共金效应
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 1008.2
JESD22-A103-A
EIAJED- 4701-B111
⑧可焊性试验（Solderability Test ）
目的: 评估IC leads在粘锡过程中的可靠度
测试方法:
Step1：蒸汽老化8 小时
Step2：浸入245℃锡盆中5秒
失效标准（Failure Criterion）：至少95％良率
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 2003.7
JESD22-B102
⑨SHT Test:焊接热量耐久测试（Solder Heat Resistivity Test ）
目的: 评估IC 对瞬间高温的敏感度
测试方法: 侵入260℃锡盆中10秒
失效标准（Failure Criterion）：根据电测试结果
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 2003.7
EIAJED- 4701-B106
三、耐久性测试项目（Endurance test items ）
Endurance cycling test, Data retention test
①周期耐久性测试（Endurance Cycling Test ）
目的: 评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能
Test Method: 将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次
测试条件: 室温，或者更高，每个数据的读写次数达到100k~1000k
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883E Method 1033
②数据保持力测试（Data Retention Test）
目的: 在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失
测试条件: 在高温条件下将数据写入memory存储单元后，多次读取验证单元中的数据失效机制：150℃
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：
MIT-STD-883E Method 1008.2
MIT-STD-883E Method 1033
在了解上述的IC测试方法之后，IC的设计制造商就需要根据不用IC产品的性能，用途以及需要测试的目的，选择合适的测试方法，最大限度的降低IC测试的时间和成本，从而有效控制IC产品的质量和可靠度。
可靠性试验项目 项目 参考标准 检测目的 预处理PRE JESD22-A113F 模拟贴装产品在运输、贮存直到回流焊上整机受 到温度、湿度等环境变化的影响。此试验应在可 靠性试验之前进行，仅代表产品的封装等级。 湿气敏感等级试验MSL IPC/JEDEC J-STD-020 确定那些由湿气所诱发应力敏感的非气密固态 表面贴装元器件的分类, 以便对其进行正确的封 装, 储存和处理, 以防回流焊和维修时损伤元器 件。 稳态湿热THT GB/T2423.3 JESD22-A101 评定产品经长时间施加湿度应力和温度应力作 用的能力。 温度循环TCT JESD22-A104 GB/T 2423.22 评定产品封装承受极端高温和极端低温的能力， 以及极端高温和极端低温交替变化的影响。 高温试验HTST GB/T 2423.2 JESD22-A103 评定产品承受长时间高温应力作用的能力。 低温试验LTST GB/T 2423.1 JESD22-A119 评定产品承受长时间低温应力作用的能力。 高压蒸煮PCT JESD22-A102 评定产品封装的抗潮湿能力。 高速老化寿命试验(u)HAST JESD22-A110 JESD22-A118 评定非气密性封装在(无)偏置条件下的抗潮湿能 力。
回流焊Reflow JESD22-A113 评定产品在回流焊接过程中所产生之热阻力及 效应。 电耐久BURN-IN GB/T 4587 评定器件经长时间施加电应力（电压、电流）和 温度应力（产品因负载造成的温升）作用的能力。 高温反偏HTRB GB/T 4587 JESD22-A108 评定器件承受长时间电应力（电压）和温度应力 作用的能力。 耐焊接热SHT GB/T 2423.28 JESD22-B106 评定产品在其焊接时的耐热能力。 可焊性Solderability GB/T 2423.28 EIA/IPC/JEDEC J-STD-002 评定产品的可焊性能力。 锡须生长 Tin Whisker Test JESD201 JESD22-A121 评定产品承受长时间施加温湿度应力作用下锡 须生长情况。 电性测试Electrical Test GB/T 4589.1 GB/T 4587 GB/T 4586 GB/T 4023 GB/T 6571 评定产品电性能力。主要针对分立器件产品测 试。
内部机密 产品可靠性测试标准 文件版本：V1.0 江苏中讯数码电子有限公司 企业标准 文档编号 撰写人 审核人 批准人 创建时间 2010．01．01发布 2010.01.01 实施
文件修改履历
目录 一．目的 (4) 二．编制依据 (4) 三．适用范围 (4) 四．定义 (4) 五．主要职责 (4) 六.试验场所 (5) 七．可靠性测试内容 (5) 1．加速寿命测试 (5) 1.1跌落试验 (5) 1.2振动试验 (5) 1.3湿热试验 (6) 1.4静电试验 (6) 2．气候试应性测试 (7) 2.1低温试验 (7) 2.2高温试验 (7) 2.3盐雾试验 (7) 3．结构耐久测试 (8) 3.1按键/叉簧测试 (8) 3.2跌落测试 (8) 4．表面装饰测试 (8) 4.1丝印、喷油测试 (8) 5．特殊条件测试 (9) 5.1低温加电试验 (9) 5.1恒温湿热加电试验 (9) 八．最终检验 (9) 九．判断标准 (9) 十．试验程序 (10)
一 .目的 1．对产品硬件设计、制造进行验证确认符合相应国家标准； 2．在特定的可接受的环境下评估产品的质量和可靠性； 3．在特定的可接受的环境下评估产品的安全性； 4．统一并规范企业内产品硬件测试检验方法。 二．编制依据 1．GB/T2421-1999 电工电子产品环境试验第一部分：总则 2．GB/T2422-1995 电工电子产品环境试验术语 3．GB/T4796-2001 电工电子产品环境参数分类及其严酷程度分级 4．GB/T2423.1-2001 电工电子产品环境试验第1部分：试验方法试验A：低温 5．GB/T2423.1-2001 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 6．GB/T2423.1-2001 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ed：自由跌落7．GB/T2423.10-1995 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Fc和导则：振动8．GB/T2423.3-1993 电工电子产品基本环境试验试验Ca:恒定湿热试验方法 9．GB/T2423.17-2001 电工电子产品环境试验第2部分：试验Ka盐雾试验方法 10．GB/T17626.2-1998 电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 三．适用范围 1．本文件使用于中讯数码有限公司所生产的所有产品。 2．根据技术中心的要求，本标准适用于提供相应的测试环境对一些部件进行可靠性测试四．定义 为了了解、考核、评价、分析和提高产品可靠性而进行的试验。 五．主要职责 1．技术中心 1.1定义项目/产品可靠性测试计划 1.2完成、跟踪项目/产品可靠性测试结果 1.3参与产品可靠性测试问题的分析及改进 1.4提供制定/修改可靠性测试程序及标准建议 1.5参与测试设备/仪器的日常管理、维护 1.6参与可靠性测试设备/仪器的开发 2．质管部
芯片可靠性检测 2011-08-08 11:00 电子元器件可靠度评估分析 可靠性评估分析的意义 可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量, 我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示。 如上图示意,集成电路得失效原因大致分为三个阶段: Region (I) 被称为早夭期（Infancy period）, 这个阶段产品的失效率快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷； Region (II) 被称为使用期（Useful life period）, 这个阶段产品的失效率保持稳定，失效的原因往往是随机的，比如温度变化等等； Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period）这个阶段产品的失效率会快速升高，失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。 ·军工级器件老化筛选 ·元器件寿命试验 ·ESD等级、Latch_up测试评价 ·高低温性能分析试验 ·集成电路微缺陷分析 ·封装缺陷无损检测及分析 ·电迁移、热载流子评价分析 根据试验等级分为如下几类: 一、使用寿命测试项目（Life test items）：EFR, OLT (HTOL), LTOL ①EFR:早期失效等级测试（ Early fail Rate Test ） 目的: 评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。 测试条件: 在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试 失效机制：材料或工艺的缺陷，包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效。 参考标准： JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 ②HTOL/ LTOL：高/低温操作生命期试验（High/ Low Temperature Operating Life ） 目的: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力 测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试 失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等 参考数据：
测试规范 1.适用范围 1.1本规范为导入DDR芯片的测试方法和标准，，以验证和确认新物料是否适合批量生 产；. 2.目的 使开发部门导入新的关键器件过程中有章可循，有据可依。 3.可靠性测试 ：如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次） ：如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次） PS：1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M）-1 验证只需要验证运行稳定性，所以一般做3-5个循环就OK了，FLASH要求比较严格，一般需要做10个循环以上； 3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影 响，故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。 7.常温老化：PND我们一般跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常； 8.高低温老化：环境（60度，-10度） 基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。 从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏感。 9.自动重启测试：一般做50次/PCS，需要每次启动系统都能正常启动；-- 一般是前面恢复出厂设置有问题，异常的机器排查才会用到；
10.复位、通断电测试：这个测试属于系统破坏性测试，测试非正常操作是否 存在掉程序的现象，一般做20次/PCS，要求系统能够正常启动。 1.焊接效果，如果是内部焊接的话，需要采用X-RAY评估，LGA封装的话就 需要SMT制程工艺规避空洞率； 2.功能测试； 3.休眠电流、休眠唤醒测试：DDR必测项目，反复休眠唤醒最好3-5次/PCS，休眠电流大小自行定义；FLASH测不测影响不大； 4.容量检查，容量标准你们根据客户需求自行定义，当然是越大越好；--大 货时这一点最好提供工具给到阿杜随线筛选； 5.恢复出厂设置：我们一般做50次/PCS，运行正常的话界面会显示50次测 试完成，如果出现中途不进主界面、死机等异常现象就需要分析问题根源； 压力测试：这部分需要分开来说明 4.测试环境 温度：25±2℃ 湿度：60%~70%； 大气压强：86kPa ~106kPa。 5.测试工具 可调电源（最好能显示对应输出电流） 可调电子负载 示波器
IC产品的质量与可靠性测试 (IC Quality & Reliability Test ) 质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC产品的生命。 质量（Quality）就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎规格（SPEC）的要求，是否符合各项性能指标的问题；可靠性（Reliability）则是对产品耐久力的测量，它回答了一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说质量（Quality）解决的是现阶段的问题，可靠性（Reliability）解决的是一段时间以后的问题。知道了两者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，谁会能保证今天产品能用，明天就一定能用？ 为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如: JESD22-A108-A、EIAJED- 4701-D101，注：JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）电子设备工程联合委员会,，著名国际电子行业标准化组织之一；EIAJED：日本电子工业协会，著名国际电子行业标准化组织之一。 在介绍一些目前较为流行的Reliability的测试方法之前，我们先来认识一下IC产品的 生命周期。典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示。 ⅠⅡⅢ Region (I) 被称为早夭期（Infancy period） 这个阶段产品的failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺 陷； Region (II) 被称为使用期（Useful life period）在这个阶段产品的failure rate保持稳
1-3-半导体封装件的可靠性评价方法
半导体封装件的可靠性评价方法 Lunasus 科技公司，佐土原宽 Lunasus 科技公司细川丰 本章将依据半导体封装件可靠性评价的基本考虑方法，以故障机理为基础的实验条件介绍，并根据韦布图来解说可靠性试验下的（产品）寿命推导方法。 封装件开发及材料变化过程中的可靠性评价方法 为实现半导体封装件功能和电气特性的提高，在推动多引脚化的同时，也要发展高密度封装化下的小型、薄型化。最近，搭载多个芯片的SiP（System in Package，系统级封装）和芯片尺寸（与封装尺寸）非常相近的CSP（Chip Size Package，芯片级封装）已开始量产，封装件的构造多种多样。另外，为达成封装件低成本化和环保的要求，采用规格更高的封装件材料的开发正在活跃起来。但封装件构造的复杂化和新型材料的使用不能对制造品质和可靠性造成影响。这里将对新型封装件的开发和材料改变下的可靠性评价方法进行解说。 最近的半导体封装件多数属于树脂灌封型，对半导体单体的可靠性评价包括，高温保存（或动作）实验，耐湿性实验以及温度循环实验。另外，对于有可能要进行表面装配的高密度封装器型，需考虑焊接装配过程中的热应力情况，因此焊锡耐热性实验也是不可缺少的。这些可靠性试验，是对半导体封装件在实际使用过程中所预想发生的各种故障进行短时间评价的加速性实验方法。接下来需要先确定半导
体所发生的各种故障的主要加速原因是什么后才能进行实验。例如，对于树脂封装件来讲，湿度（水分）是造成硅芯片上金属线路受到腐蚀（图1）的主要原因之一，而温度可以加快水分浸入封装件内的速度，所以高温、高湿下的实验才有效果。与此同时，在电压也是故障主因的场合，有必要进行高温、高湿下的通电实验。 如上所述，对于封装件相关的各种故障，通过对机理的解析，找出加速实验的主要因子，设定合适的可靠性实验条件，这些就是可靠性评价的基础。 针对封装件构造的可靠性试验 正如开头所述，为实现封装件的高功能、高密度化，封装件的外观形状的主流是QFP（Quad Flat Package，四面扁平封装）和BGA
丝印、喷油产品测试要求 1.0目的 指导检查员正确地进行可靠性测试，保证本公司产品满足客户品质要求。 2.0适用范围 适用于本公司生产的所有需丝印、喷油加工产品的可靠性测试。 3.0定义 3.1.可靠性：即产品在规定条件下进行的环境模拟测试，其品质特性和耐受性能达到规定的要求。 3.2.测试周期，即在往返测试中，往返各一次为一个测试周期。 3.3.单项测试：即每一个产品有多项测试要求时每一个部件只完成其中的一项测试。 3.4.多项测试：即每一个产品有多项测试要求时，每一个部件要完成2个或以上的测试项目。4．0职责 检查员应按此指引作业，保证产品达到客户的品质要求。 5．0工作步骤 5.1产品的丝印、喷油可靠性测试（包括没有明确测试要求的产品） 5.1.1测试材料及工具 5.1.1.1 78%浓度的酒精 5.1.1.2 95%浓度的酒精 5.1.1.3 200g的铁锤 5.1.1.4 粗纹的干净白布 5.1.1.5 3M 600测试胶纸 5.1.1.6 界刀 5.1.1.7 恒温恒湿炉 5.1.1.8 RCA纸带测试机 5.1.1.9 测试专用纸带 5.1.1.10 热熔胶 5.1.1.11剪钳 5.1.2 酒精测试（每次测试1—2PCS） 5.1.2.1 把粗纹的干净白布包在200g的铁锤上，包好之后用95%浓度的酒精浸润，然后将此浸润后的铁锤在丝印字钮上水平移动来回摩擦，行程30mm，频率20周期（40次）/分钟，连续摩擦50周期（100次），（移印字钮用95%浓度的酒精进行测试）。 5.1.2.2 字钮之外的其它物料用78%浓度的酒清进行测试，方法同5.1.2.1 5.1.2.3 酒清测试接受标准：测试样品测试后不褪色，不脱油，无臌胀。 5.1.3 胶纸测试（每次测试2—4PCS） 5.1.3.1 胶纸测试方法：取样品平坦部分，用界刀纵横划100个1mmX1mm的小方格（如图1），丝印也需要划方格，深度以能见底材为准，不宜过深，过深刀口附近漆膜将会翻起，影响测试，然后用3M测试胶纸紧贴在上面，用手指肉体部分或橡皮压平，然后拉着胶纸尾部以90°角方向突然向上提起同一部位连续测试10次（如图2）。 5.1.3.2 胶纸测试接受标准： a.附著力=未脱落漆膜的方格数/100； b.每小格内如果漆膜脱落面积小于方格面积的1/5可视为未脱落（如图3） c.按前a,b点判定胶纸测试接受标准：附著力为100/100方为合格 5.1.4 高温高湿测试（每种货每天平均取样不少于测试3PCS，此测试当客户有要求时才做） 5.1.4.1 将塑胶喷油试样在过炉烘干4小时后存在温度为60±2°C，温度90%±3%之恒温恒湿炉中存放48H 5.1.4.2 高温高湿测试接受标准：室温后观察漆膜无皱纹、起泡、裂纹、剥落及明显的失光等现象 为合格（由于底材老化引起的变色，失色应不影响判定）。 5.1.5 RCA测试（现只有中建产品需做此项测试） 5.1.5.1 测试方法：用剪钳将需测试之胶件取较平坦处剪下2—3cm2 ,用热熔胶纸将其固定在RCA 纸带测试机上，将测试头对需测试位置，装好纸带，根据各种胶件测试规格的不同相应的
芯片可靠性测试 质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC产品的生命，好的品质，长久的耐力往往就是一颗优秀IC产品的竞争力所在。在做产品验证时我们往往会遇到三个问题，验证什么，如何去验证，哪里去验证，这就是what, how , where 的问题了。 解决了这三个问题，质量和可靠性就有了保证，制造商才可以大量地将产品推向市场，客户才可以放心地使用产品。本文将目前较为流行的测试方法加以简单归类和阐述，力求达到抛砖引玉的作用。 Quality 就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎SPEC的要求，是否符合各项性能指标的问题；Reliability则是对产品耐久力的测量，它回答了一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说Quality解决的是现阶段的问题，Reliability解决的是一段时间以后的问题。 知道了两者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，who knows? 谁会能保证今天产品能用，明天就一定能用？为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如 MIT-STD-883E Method 1005.8 JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 等等，这些标准林林总总，方方面面，都是建立在长久以来IC设计，制造和使用的经验的基础上，规定了IC测试的条件，如温度，湿度，电压，偏压，测试方法等，获得标准的测试结果。这些标准的制定使得IC测试变得不再盲目，变得有章可循，有法可依，从而很好的解决的what，how的问题。而Where的问题，由于Reliability的测试需要专业的设备，专业的器材和较长的时间，这就需要专业的测试单位。这种单位提供专业的测试机台，并且根据国际标准进行测试，提供给客户完备的测试报告，并且力求准确的回答Reliability的问题
版本创建 试用 用 文件使 Ⅲ Ⅱ Ⅰ ） 就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎规格（ ）解决的是一段时间以后的问题。知道了两者的区别， ）的要求， 是否符合各项性能指标的问题。可靠性（ 的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通 ）则是对产品耐久力的测量，它回答了 一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说质量（ 测试在 ）解决的是 现阶段的问题，可靠性（ 而言 我们发现， 产品 保证 过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达 到 准 的标 的要求， 这种 的设计和制 造单位就可以 进行 。 相 对 ， 的问题 似 乎就 变 的 十分棘手 ， 这 个产品能用多 久， 谁 能 今天 能用， 明天 就一定能用 ？ 为 了解决 这 个问题， 人 们制定了各 种 各 样 ， 如 : 、 介绍 ， 注： 为流行 （ ，我们 之前 的测试方法 ） 电子 设 备工 程 联 合 委员会 , ， 著名国际电子行业 标 准化组织之 一。 条浴缸曲线 ：日本电子工业协会 ， 著名国际电 子行业 标 准化组织之 一。 在 一 些目前 较 的 先 来 认识 一 下 产品的 生命周期。 典型 的 产品的生命周期可以用一 （ ）来 表示 。 质量（ 产品的生命。 ）在一定程度上可以说是 ）和可靠性（ 质量（ ( ) 产品的质量与可靠性测试
版本创建 试用 用 文件使 准： 标 参考 玷污等 子 离 定性， 稳 不 ， 互扩散 相 ， 层破裂 化 氧 ， 迁移 ：电子 制 机 失效 测试 动态 , ， ℃ : 条件 测试 一段时间的耐久力 下 压情况 电 超 和 超热 在 件 评估器 : 的 目 ） 低温操作生命期试验（ ：高 ② 准： 标 下 以 参考 可 估算结果 和 条件 的测试 具体 。 失效 的 成 生产造 于 玷污等由 子 离 ， 金属刻镀 ， 缺陷 层 化 氧 如 包括诸 ， 缺陷 的 艺 工 材料或 ： 制 机 失效 测试 进行 对产品 压 电 度和 内动态提升温 定时间 特 在 : 条件 测试 的产品。 原因失效 生 于天 去除由 ， 率 速缺陷失效 加 定性， 稳 的 艺 工 评估 : 的 目 ） 早期失效等级测试（ : ① , (), ： ） （ 目 命测试项 寿 用 使 、 一 ） （ 目 测试项 等级 产品可靠性 些 就是一 面 下 。 失效原因 的 成 出现的问题所造 面 方 存储等 ， 封装 生产， 是在 尤其 ， 原因 的 到 并且找 用期， 使 计产品的 预 ， 去除并估算其良率 的产品 期 于早夭 图将处 的问题就是要力 ， 到 看 产品的生命周期，我们就可以 典型 了 认识 。 等 化 老 的 成 用所造 使 就是产品长期 原因 的 失效 ， 升高 会快速 个阶段 这 在 ） 期（ 磨耗 被称为 () 。 等等 变化 度 温 如 的，比 机 随 往往是 原因 的 失效 定， 持稳 保 个阶段产品的 这 ）在 用期（ 被称为使 () 。 缺陷 的 中 设计和生产过程 于 在 原因 的 成失效 ，造 快速下降 个阶段产品的 这 ） 期（ 被称为早夭 ()
半导体封装件的可靠性评价方法 Lunasus 科技公司，佐土原宽 Lunasus 科技公司细川丰 本章将依据半导体封装件可靠性评价的基本考虑方法，以故障机理为基础的实验条件介绍，并根据韦布图来解说可靠性试验下的（产品）寿命推导方法。 封装件开发及材料变化过程中的可靠性评价方法 为实现半导体封装件功能和电气特性的提高，在推动多引脚化的同时，也要发展高密度封装化下的小型、薄型化。最近，搭载多个芯片的SiP（System in Package，系统级封装）和芯片尺寸（与封装尺寸）非常相近的CSP（Chip Size Package，芯片级封装）已开始量产，封装件的构造多种多样。另外，为达成封装件低成本化和环保的要求，采用规格更高的封装件材料的开发正在活跃起来。但封装件构造的复杂化和新型材料的使用不能对制造品质和可靠性造成影响。这里将对新型封装件的开发和材料改变下的可靠性评价方法进行解说。 最近的半导体封装件多数属于树脂灌封型，对半导体单体的可靠性评价包括，高温保存（或动作）实验，耐湿性实验以及温度循环实验。另外，对于有可能要进行表面装配的高密度封装器型，需考虑焊接装配过程中的热应力情况，因此焊锡耐热性实验也是不可缺少的。这些可靠性试验，是对半导体封装件在实际使用过程中所预想发生的各种故障进行短时间评价的加速性实验方法。接下来需要先确定半导
体所发生的各种故障的主要加速原因是什么后才能进行实验。例如，对于树脂封装件来讲，湿度（水分）是造成硅芯片上金属线路受到腐蚀（图1）的主要原因之一，而温度可以加快水分浸入封装件内的速度，所以高温、高湿下的实验才有效果。与此同时，在电压也是故障主因的场合，有必要进行高温、高湿下的通电实验。 如上所述，对于封装件相关的各种故障，通过对机理的解析，找出加速实验的主要因子，设定合适的可靠性实验条件，这些就是可靠性评价的基础。 针对封装件构造的可靠性试验 正如开头所述，为实现封装件的高功能、高密度化，封装件的外观形状的主流是QFP（Quad Flat Package，四面扁平封装）和BGA（Ball
产品可靠性测试规范 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#
产品可靠性测试规范 1.目的 本文制定产品可靠性测试的要求和方法,确保产品符合可靠性测试要求。 2. 范围 本文件适用于此CPIT有限公司所生产的所有产品。 3. 定义 N/A 4. 职责 品控部QC/QA人员负责本文件所规定的通讯产品的可靠性测试内 容要求在检查过程中的实施. 品控部经理或其授权人负责本文件所规定的内容与实际情况相符并正确,并监督品控部QC/QA人员对本文件的实施. 5．内容 实验顺序 除非特殊要求，试验样品进行试验时，一般按下表的顺序进行： 实验条件及容差： 5.2.1 实验条件：
5.2.2 试验条件容差： a.温度容差：试验样品除必要的支承点外，应完全被空气包围。试 验区测量系统的温度和包围试验样品空气各处的温度容差：高温为 +/-2℃，低温为+/-3℃. b.湿度容差：+/-5%. c.振动振幅容差：+/-15%. d.振动频率容差：+/-1Hz. 5.2.3落地实验标准 5.2.3.1 落地实验应以箱体一角三棱六面按规定高度自由落下的方式进行。
重量高度 0~10kg以内 75cm 10~20kg以内 60 cm 20kg以上 53 cm 5.2.3.2 注意事项： 5.2.3. 体内机台及包材在每个步骤后应该检验。 5.2.3. 任一步骤发现部件有损坏的应立即更换。 5.2.3. 详细记录。 5. 3 样品数量： 测试时机： 6.4.1 产品处于PP时. 6.4.2 第一次量产. 6.4.3 当产品的材质,设计等变更时. 6.4.5 生产出现异常时. 6.4.6 新客户需重新进行产品评估时. 6.4.7 客户投诉与之相关时. 6．程序 从QA PASS的成品机中随机抽取20台，重新检查其外观及功能，确保其为合格产品方可进行以下步骤. 按试验顺序分别完成各项测试.对于每个测试中所出现的不合格品交测试组或相关技术部门分析其原因. 对于不合格品必须有相应的备份成品机进行补充或进行修理使其重新达到合格要求.
可靠性测试 第1 页共12 页 可靠性测试内容 可靠性测试应该在可靠性设计之后，但目前我国的可靠性工作主要还是在测试阶段，这里将测试放在前面（目前大部分公司都会忽略最初的可靠性设计，比如我们公司，设计的时候，从来都没有考虑过可靠性，开发部的兄弟们不要拿砖头仍我……这是实话，只有在测试出现失效后才开始考虑设计）。 为了测得产品的可靠度（也就是为了测出产品的MTBF），我们需要拿出一 定的样品，做较长时间的运行测试，找出每个样品的失效时间，根据第一节的公式计算出MTBF，当然样品数量越多，测试结果就越准确。但是，这样的理想测 试实际上是不可能的，因为对这种测试而言，要等到最后一个样品出现故障――需要的测试时间长得无法想象，要所有样品都出现故障——需要的成本高得无法 想象。 为了测试可靠性，这里介绍：加速测试（也就增加应力*），使缺陷迅速显现；经过大量专家、长时间的统计，找到了一些增加应力的方法，转化成一些测试的项目。如果产品经过这些项目的测试，依然没有明显的缺陷，就说明产品的可靠性至少可以达到某一水平，经过换算可以计算出MTBF（因产品能通过这些测试， 并无明显缺陷出现，说明未达到产品的极限能力，所以此时对应的MTBF 是产品的最小值）。其它计算方法见下文。（*应力：就是指外界各种环境对产品的破坏力，如产品在85℃下工作受到的应力比在25℃下工作受到的应力大；在高应力下工作，产品失效的可能性就大大增加了）； 一、环境测试 产品在使用过程中，有不同的使用环境（有些安装在室外、有些随身携带、 有些装有船上等等），会受到不同环境的应力（有些受到风吹雨湿、有些受到振动与跌落、有些受到盐雾蚀侵等等）；为了确认产品能在这些环境下正常工作，国标、行标都要求产品在环境方法模拟一些测试项目，这些测试项目包括： 1). 高温测试（高温运行、高温贮存）； 2). 低温测试（低温运行、低温贮存）； 3). 高低温交变测试（温度循环测试、热冲击测试）； 4). 高温高湿测试（湿热贮存、湿热循环）； 5). 机械振动测试（随机振动测试、扫频振动测试）； 6). 汽车运输测试（模拟运输测试、碰撞测试）； 7). 机械冲击测试； 8). 开关电测试； 9). 电源拉偏测试； 10).冷启动测试； 11).盐雾测试；
海思可靠性测试技术总体规范 拟制：克鲁鲁尔 审核： 批准： 日期：2019-11-06
历史版本记录
适用范围: 本规范规定了芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性、封装可靠性。适用于量产芯片验证测试阶段的所有测试需求。 简介： 本标准描述芯片研发或新工艺升级，芯片规模量产前对可靠性相关测试的验收基准。这些测试能够激发半导体器件电路和封装的薄弱或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。相比正常使用场景，该系列测试通常以温度、湿度、电压加速的方式促成故障早期激发。 引用文件： 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。
1.器件可靠性测试要求1.1 电路可靠性测试 High Temperature Operating Life JESD22-A108, JESD85 HTOL T≥ 125℃ Vcc ≥ Vccmax 3 Lots/77 units1000 hrs/ 0 Fail R Early Life Failure Rate JESD22-A108, JESD74 ELFR T≥ 125℃ Vcc ≥ Vccmax See ELFR Table48 ≤ t ≤ 168 hrs R Low Temperature Operating Life JESD22-A108LTOL T≤ 50℃ Vcc ≥ Vccmax 1 Lot/3 2 units1000 hrs/0 Fail C High Temperature Storage Life JESD22-A103HTSL T≥ 150 °C 3 Lots/25 units1000 hrs/0 Fail R Electrical Parameter Assessment JESD86ED Datasheet 3 Lots/10 units T per datasheet R Latch-Up JESD78LU Class I or Class II 1 Lot/3 units0 Fail R Human Body Model ESD JS-001ESD-HBM T = 25 °C 3 units Classification R Charged Device Model ESD JS-002ESD-CDM T = 25 Stress Ref.Abbv.Conditions Requirements Required (R)/ Considered (C) #Lots/SS per Lot Duration/Accept °C 3 units Classification R Accelerated Soft Error Testing JESD89-2, JESD89-3 ASER T = 25 °C 3 units Classification C “OR” System Soft Error Testing JESD89-1SSER T = 25 °C Minimum of 1E+06 Device Hrs or 10 fails. Classification C J J J A A A A A A 1 2 注1：ELFR可包含在HTOL测试中，HTOL测试会在168h回测。 注2：ED一般在首样回片测试阶段完成，包含在电气性能测试，可靠性测试过程不用关注。注3：样本量SS(Sample Size)及可接受失效量Accept的取值由附录1给出，下文同。
Q/GSXH.Q. 质量管理体系第三层次文件1004.03-2001 可靠性试验规范
拟制：审核：批准： 海锝电子科技有限公司版次：C版 可靠性试验规范 1. 主题内容和适用范围 本档规定了可靠性试验所遵循的原则，规定了可靠性试验项目，条件和判据。 2. 可靠性试验规定 2.1 根据IEC国际标准，国家标准及美国军用标准，目前设立了14个试验项 目（见后目录〕。 2.2 根据本公司成品标准要求，用户要求，质量提高要求及新产品研制、工艺 改进等加以全部或部分采用上述试验项目。 2.3 常规产品规定每季度做一次周期试验，试验条件及判据采用或等效采用产 品标准；新产品、新工艺、用户特殊要求产品等按计划进行。 2.4 采用LTPD的抽样方法，在第一次试验不合格时，可采用追加样品抽样方 法或采用筛选方法重新抽样，但无论何种方法只能重新抽样或追加一次。 2.5 若LTPD=10％，则抽22只，0收1退，追加抽样为38只，1收2退。 抽样必须在OQC检验合格成品中抽取。 3．可靠性试验判定标准。
环境条件 (1)标准状态 标准状态是指预处理, 后续处理及试验中的环境条件。论述如下: 环境温度: 15~35℃ 相对湿度: 45~75% (2)判定状态 判定状态是指初测及终测时的环境条件。论述如下: 环境温度: 25±3℃ 相对湿度: 45~75% 4．试验项目。 目录 4.1 高温反向偏压试验------------------------------------ 第4页4.2 压力蒸煮试验------------------------------------ 第6页4.3 正向工作寿命试验------------------------------------ 第7页4.4 高温储存试验------------------------------------ 第8页4.5 低温储存试验------------------------------------ 第9页4.6 温度循环试验------------------------------------ 第10页4.7 温度冲击试验------------------------------------ 第11页4.8 耐焊接热试验------------------------------------ 第12页4.9 可焊性度试验------------------------------------ 第13页4.10 拉力试验------------------------------------ 第14页
可靠性试验的常用术语 Biil of material:BOM 材料清单 可靠性试验常用术语 试验名称英文简称常用试验条件备注 温度循环TCT —65C ~150C, dwell15min, 100cycles 试验设备采用气冷的方式，此温度设置为设备的极限温度 高压蒸煮PCT 121 C，100RH., 2ATM,96hrs 此试验也称为高压蒸汽，英文也称为autoclave 热冲击TST —65 C ~150C, dwell15min, 50cycles 此试验原理与温度循环相同，但温度转换速率更快，所以比温度循环 更严酷。 稳态湿热THT 85C ,85%RH., 168hrs 此试验有时是需要加偏置电压的，一般为Vcb=~, 此时试验为THBT。易焊性solderability 235C,2 ±此试验为槽焊法，试验后为1 0~40倍的显微镜下看管脚的上锡面积。 耐焊接热SHT 260C ,10 ±1s 模拟焊接过程对产品的影响。 电耐久Burn in Vce=, Ic=P/Vce,168hrs 模拟产品的使用。（条件主要针对三极管） 高温反偏HTRB 125C, Vcb=~, 168hrs 主要对产品的PN结进行考核。 回流焊IR reflow Peak C 高温贮存超声波检测225C) HTST SAT 泡、裂缝。但产品表面一定要平整。 IC 产品的质量与可靠性测试 、使用寿命测试项目Life test items 只针对SME产品进行考核，且最多只能做三次。 150C ,168hrs 产品的高温寿命考核。 检测产品的内部离层、气)：EFR, OLT (HTOL), LTOL
UESTC-Ning Ning 1 Chapter 2 Chip Level Interconnection 宁宁 芯片互连技术 集成电路封装测试与可靠性
UESTC-Ning Ning 2 Wafer In Wafer Grinding (WG 研磨)Wafer Saw (WS 切割)Die Attach (DA 黏晶)Epoxy Curing (EC 银胶烘烤)Wire Bond (WB 引线键合)Die Coating (DC 晶粒封胶/涂覆) Molding (MD 塑封)Post Mold Cure (PMC 模塑后烘烤)Dejunk/Trim (DT 去胶去纬) Solder Plating (SP 锡铅电镀)Top Mark (TM 正面印码)Forming/Singular (FS 去框/成型) Lead Scan (LS 检测)Packing (PK 包装) 典型的IC 封装工艺流程 集成电路封装测试与可靠性
UESTC-Ning Ning 3 ? 电子级硅所含的硅的纯度很高，可达99.9999 99999 % ? 中德电子材料公司制作的晶棒( 长度达一公尺，重量超过一百公斤 )
UESTC-Ning Ning 4 Wafer Back Grinding ?Purpose The wafer backgrind process reduces the thickness of the wafer produced by silicon fabrication (FAB) plant. The wash station integrated into the same machine is used to wash away debris left over from the grinding process. ?Process Methods: 1) Coarse grinding by mechanical.(粗磨)2) Fine polishing by mechanical or plasma etching. (细磨抛光 )
产品可靠性测试规范 1.目的 本文制定产品可靠性测试的要求和方法,确保产品符合可靠性测试要求。 2. 范围 本文件适用于此CPIT有限公司所生产的所有产品。 3. 定义 N/A 4. 职责 5.1 品控部QC/QA人员负责本文件所规定的通讯产品的可靠性测试内 容要求在检查过程中的实施. 5.2 品控部经理或其授权人负责本文件所规定的内容与实际情况相符并正确, 并监督品控部QC/QA人员对本文件的实施. 5．内容 5.1 实验顺序 除非特殊要求，试验样品进行试验时，一般按下表的顺序进行： 5.2 实验条件及容差： 5.2.1 实验条件：
5.2.2 试验条件容差： a.温度容差：试验样品除必要的支承点外，应完全被空气包围。试验 区测量系统的温度和包围试验样品空气各处的温度容差：高温为 +/-2℃，低温为+/-3℃. b.湿度容差：+/-5%. c.振动振幅容差：+/-15%. d.振动频率容差：+/-1Hz. 5.2.3落地实验标准 5.2.3.1 落地实验应以箱体一角三棱六面按规定高度自由落下的方式进行。 重量高度
0~10kg以内 75cm 10~20kg以内 60 cm 20kg以上 53 cm 5.2.3.2 注意事项： 5.2.3.2.1 体内机台及包材在每个步骤后应该检验。 5.2.3.2.2 任一步骤发现部件有损坏的应立即更换。 5.2.3.2.3 详细记录。 5. 3 样品数量： 5.4 测试时机： 6.4.1 产品处于PP时. 6.4.2 第一次量产. 6.4.3 当产品的材质,设计等变更时. 6.4.5 生产出现异常时. 6.4.6 新客户需重新进行产品评估时. 6.4.7 客户投诉与之相关时. 6．程序 6.1 从QA PASS的成品机中随机抽取20台，重新检查其外观及功能，确保其为合格产 品方可进行以下步骤. 6.2 按6.1试验顺序分别完成各项测试.对于每个测试中所出现的不合格品交测试组 或相关技术部门分析其原因. 6.3 对于不合格品必须有相应的备份成品机进行补充或进行修理使其重新达到合格要 求.
可靠性测试技术总体规范V2.0 拟制： 审核： 批准：
历史版本记录
适用范围: 本规范规定了芯片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性、封装可靠性。适用于量产芯片验证测试阶段的通用测试需求，能够覆盖芯片绝大多数的可靠性验证需求。具体的执行标准可能不是本规范文档，但来源于该规范。本规范描述的测试组合可能不涵盖特定芯片的所有使用环境，但可以满足绝大多数芯片的通用验证需求。 简介： 本标准规定芯片研发或新工艺升级时，芯片规模量产前对可靠性相关测试需求的通用验收基准。这些测试或测试组合能够激发半导体器件电路、封装相关的薄弱环节或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。相比正常使用场景，该系列测试或测试组合通常以特定的温度、湿度、电压加速的方式来激发问题。 引用文件： 下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本规范，然而，鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本规范。 1.可靠性概念范畴 “可靠性”是一个含义广泛的概念，以塑封芯片为例，狭义的“可靠性”一般芯片级可靠性，包括电路相关的可靠性(ESD、Latch-up、HTOL)和封装相关的可靠性(PC、TCT、HTSL、HAST等)。但是芯片在应用场景中往往不是“独立作战”，而是以产品方案(PCB板上的一个元器件)作为最终应用。因此广义的“可靠性”还包括产品级的可靠性，例如上电温循试验就是用来评估芯片各内部模块及其软件在极端温度条件下运行的稳定性，产品级的可靠性根据特定产品的应用场景来确定测试项和测试组合，并没有一个通用的规范。本规范重点讲述芯片级可靠性要求。