怎么看时序图--nand flash的读操作详解

这篇文章不是介绍nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的。你需要至少了解你手上的nand flash的物理结构和一些诸如读写命令

操作的大概印象，你至少也需要看过s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明。

由于本人也没有专门学过这方面的知识，下面的介绍也是经验之谈。

这里我用的K9F2G08-SCB0 这款nand flash 来介绍时序图的阅读。不同的芯片操作时序可能不同，读的命令也会有一些差别。

当然其实有时候像nand flash这种s3c2440内部集成了他的控制器的外设。具体到读写操作的细节时序(比如CLE/ALE的建立时间，写脉冲的宽度。数据的建立和保持时间等)，不明白前期也没有多大的问题。

因为s3c2440内部的nand flash控制器做了大部分的工作，你需要做的基本就是设置几个时间参数而已。然后nand flash会自动进行这些细节操作。

当然如果处理器上没有集成nand flash的控制器那么久必须要自己来写时序操作了。所以了解最底层的时序操作总是好的

但是上层一点的，比如读写操作的步骤时序（比如读操作，你要片选使能，然后发命令，然后发地址，需要的话还需发一个命令，然后需要等待操作完成，然后再读书数据）。

是必须要明白的。这都不明白的话，怎么进行器件的操作呢

也就是说s3c2440 可以说在你设置很少的几个时间参数后，将每一个步骤中细微的操作都替你做好了。（比如写命令，你只要写个命令到相应寄存器中，cpu内部就会协各个引脚发出

适应的信号来实现写命令的操作）。

而我们所需要做的就是把这些写命令，写地址，等待操作完成。等步骤组合起来。从而完成一个读操作

就像上面说的，虽然我们不会需要去编写每个步骤中的最细微的时序。但是了解下。会让你对每个操作步骤的底层细节更加明了

先来看一个命令锁存的时序。也就是上面说的读nand flash操作中不是有一个写命令步骤吗。那么这个步骤具体是怎么实现的。

首先我们肯定是要片选nand flash。只有选中芯片才能让他工作啊

nand flash是通过ALE/CLE (高电平有效)来区分数据线上的数据时命令（CLE有效），地址（ALE有效）还是数据（CLE/ALE都无效）。

那么这里既然是写命令那么就一定是CLE有效（高电平）ALE无效（低电平）。

同样命令既然是写给nand flash的那么肯定有一个写周期。我们需要注意的是，写是在上升沿有效还是下降沿有效。

时序图如下：

1 这里是命令锁存是时序，那么我们要注意的其实就只有CLE 为高电平期间这段时序。（写命令啊，CLE有效时（高电平）指示现在的数据其实命令）ALE此时一定为低电平我们可以不关心他

2 所以，CLE为低电平的时期，其他大部分引脚上都是灰色的阴影，这代表我们不需要关心这段时期这些引脚的电平

3 那么这个数据是什么时候被nand flash读取到的呢，注意到nWE信号在上升沿有一个贯穿所有其他引脚时序的竖线（这好像是叫生命线？我也不清楚）

这就是说明，写入的数据（命令也是数据啊，只是可以通过CLE有效来区分）是在WE的上升沿有效。

也就是说，虽然WE是在低电平有效，但并不是说WE一变成低电平，命令就被锁存了（即真正获得命令）而是在WE 的上升沿，命令才真正被锁存。

知道了上面这三点，也就知道了一个大概，那么剩下的图中也只剩那些txx 的标号。明显它指的是时间，但是具体指什么时间呢。

指的就是箭头两边所指的两条竖线之间的时间。（在每个信号的跳变沿，都有小竖线）

剩下的就是这些时间到底是代表什么了。这里没什么难的，刚接触的觉得看不懂。是因为之前从来没接触过。（就像单片机刚学的时候不也是各种不懂，原因就是我们从没接触过）。

这些时间标号，在数据手册的前面都有说明

比如 tCLS tCLH 从数据手册中我们可以看到分表代表的CLE建立时间，和CLE信号保持时间。

简单点你可以理解为，我让CLE引脚变成高电平，总得给人间一点时间去变成高电平吧。总不能瞬间就变成高电平

不过从时序图中我们能看到更多的端倪，之前不是说过WE 的上升沿上不是有一个最长贯穿其他信号线的竖线吗。我们说他指示了，数据（命令也是数据）

是在上升沿被锁存的，在WE 的上升沿，我写到数据线上的命令数据才真正被锁存（接收），但是我们注意到CLE 信号在WE上升沿之前有就有效了。

所以我们说，在命令数据真正被锁存之前，CLE 有效的那段tCLS 时间叫做CLE信号建立时间。

WE上升沿后。命令已经被接受了，但这时候CLE 其实可以变为无效了，因为已经获取到命令了

但是他并没有立刻结束，而是Tclh时间之后才结束。那么我们称这段时间tCLH 为CLE 保持时间。

那么再根据手册中的说明 tCS 表示片选信号建立时间，tCH表示片选信号保持时间

tDS表示数据建立时间，tDH表示数据保持时间

这里我们看到一个小规律，在数据手册中以S 结尾的时间通常指的是建立时间，以H 结尾的时间指的是保持时间

这里命令锁存的时序就分析完了。我们再来看看地址锁存时序图，这个图有点复杂，

因为nand flash的特性是地址周期通常需要好几个，就是一个地址是分几次发送的

再给出数据手册中对应时间标号的说明

同样我们按照上面分析的步骤

1 这里是地址锁存是时序，那么我们要注意的其实就只有ALE 为高电平期间这段时序。（写命令啊，ALE有效时（高电平）指示现在的数据其实是地址）CLE此时一定为低电平，可以不用管

2 所以，ALE 为低电平的时期，其他大部分引脚上都是灰色的阴影，这代表我们不需要关心这段时期这些引脚的电平

3 同样WE 的上升沿有一个贯穿其他信号线的长竖线，这也是代表数据（这里其实是地址）在上升沿被锁存

那么剩下的也好理解

tCLS 这个我们不需要关心，因为CLE 压根就是无效的。

tCS 就像之前分析的，它是指CE片选信号在WE上升沿也就是锁存地址之前的有效时间，也就是CE 建立时间

tWC 呢? 不知道？不知道看手册啊，前面也说过这些时间标号在手册中都会给出。

从上面手册的解释我们看到，它指的是一个写周期的时间

tWP 写脉冲宽度（也就是WE是低电平有限，twp指低电平持续时间，就是有效时间）

tWH 好理解了，就是高电平时间

ALS 这不就是地址信号 ALE 建立时间嘛

ALH ALE信号有效保持时间啊

TDS TDH 数据建立和保持时间

就像上面对命令时序的分析，这里信号的建立和保持时间都是以数据被锁存分界点(WE上升沿)

看到这里相信仔细看的人，应该大致该如何看一个时序图了，但是这里我们牵涉到的无非都是一些上面建立/保持时间。

复杂点的呢。

下面就来看一个复杂点的时序图，其实也不复杂，主要是说明如何在不看手册就能知道txx指的是什么时间

这个时序其实并不复杂，只是他不是像上面分析的那样都是一些建立时间和保持时间。这里牵涉到跟多的时间标号

不过就像前面说的. 看手册！手册里对每个时间参数都有说明。不过初学者通常即使看手册，对这些时间参数也是不知道是什么意思。

这里我们看手册前，先来自己分析下。方法会了，手册就成了验证你对不对的东西了，而不是你寻找答案的东西。

TRC 这个参数有点简单。看他的范围是一个RE周期的时间，那么就跟前面的tWC 应该是一样的。那它应该代表的就是RE信号的一个周期时间（读信号的一个周期）

TREA 呢？看标号看不出所以然，那么我们就看他的起始和结束时间从时序图能看到，这个指的是从RE有效（变低）到数据出现之间的时间。

那么tREA 可想而知就应该是读信号有效到数据被读之间的时间

后面的都是这个同样的分析方法

比如最后的那个tRHZ 是从RE 无效（高电平）到数据线变成高阻态之间的时间（数据线画在中间表示的是高阻态）

看下手册中的解释也基本就是这个意思

到这里对于时序图怎么看，相信大家都应该能理解了。甚至可能连手册都不用看，就知道他是什么意思了。因为我们能从时间的起始地址来推测时间标号的意思

上面这些分析，都是很底层的操作，如果我们使用s3c2440 这种高级的处理器这些时序操作我们根本不需要去实现，顶多也就往几个寄存器中

设置一下上面说的一些时间然后，CPU 中的nand flash控制器会自动完成上面所的所有操作。但是还需要了解的原因是，如果你碰到一个没有

nand flash 控制器的处理器怎么办，那你只能亲自实现这些具体的写命令，写地址。等等单元操作。

然后才能将这些单元操作组合成读数据，写数据等操作（上面说过比如读操作他并不是一个简单的命令而是一系列操作，你要片选使能，然后发命令(读命令)，

然后发地址（要读的数据的地址），需要的话还需发一个命令，然后需要等待操作完成，然后读书数据）

说完了这些具体的单元操作，那么我们再来看看一个读操作具体需要哪些步骤。也就是我们需要真正必须掌握的时序操作

对于我这款nand flash 读操作时序如下

我们要注意的主要是最下面一行即I/Ox 信号线的状态，他指示了读操作需要哪些，单元步骤。

1 首先我们看到有一个0x00 是什么？数据？地址？命令？看ALE/CLE线啊，这两根线不是决定了现在的数据的类型嘛

顺着往上看，我们知道0x00是在CLE有效期间的数据那么它就是一个命令

2 然后是address(5Cycle) 即五个地址序列(这款nand flash 指定读数据的地址时要发送五个地址序列)，往上看，是在ALE有效期间的数据，那么应该就是地址了

（对于这五个地址，前面两个是列地址，后面三个是行地址。在nand flash的物理结构中行地址对应的某一页，列地址就对应这一页中的某一列）

3 接着又是0x30，此时CLE有效，那么就是命令了（也就是说这款nand flash的读操作需要两个命令）。

但是之后数据并未立刻出来，我们看到在到DATA Output即数据输出之前还有一段时间，为什么有这段时间？

往上看R/nB 这个数据线上说明了原因，这段时间内它是低电平即指示现在处于忙碌状态，还未准备好数据输出。为什么会这样？

因为你写了一个命令，写了要读数据的地址，又写了一个命令。你总要给cpu一些时间去处理这些命令吧，

R/nB为低电平这段时间就是在处理这些命令（实际上是根据命令将你定位的那一页数据读到内部寄存器中），

等R/nB变成高电平了，就指示命令处理完毕，现在数据也就可以读出来了。

综上我们从手册中我们就知道了读操作的具体步骤，

1 首先nand flash 也是一个外设，要访问他就需要片选它，所以在执行时序图上的步骤之前需要片选nand flash.

2 看后面就是安装时序图来了，看时序图! 第一步先是发送一个命令0x00.

3 看时序图！然后发送五个地址序列（先发送两个列地址，在发送三个行地址（即页地址））

4 看时序图！接着再是一个命令0x30.

5 看时序图！ R/nB 引脚为低表示现在正忙，正在处理这些命令，那就要等待R/nB 引脚变为高电平

6 看时序图！这个时候就可以读数据了

7 一次读操作结束了nand flash 暂时是不需要使用了，那么别忘了应该取消片选信号。

至于这每一个步骤中具体的时序，cpu中的nand flash控制器会帮我们完成。我们要做就是设置几个时间参数

这里我们反复强调了要看时序图。其实学嵌入式前期对数据手册一定要多看，看多了你就回知道，什么东西的你重点要看的，什么是和你的编程操作无关的你不需要关心。这样后面你才能，拿到一个外设就能写出他的操作。而不用跟着书背步骤。只要手册在就行了。

上面的步骤，是一个具体的读操作的步骤，不过在使用一个器件之前我们需要初始化一下它。至于初始化也就是设置我们上面多次提到的

我们说过s3c2440已经帮我做了很多底层的单元操作，我们只需设置几个时间参数片内的nand flash就会自动发出相应操作的时序操作

那么到底设置那几个时间呢。

s3c2440 手册上给出了需要我们设置的几个参数。

从中我们可以看出第一幅时序图是命令和地址锁存的时序，第二幅是数据读取和写入的时序。

可以看出，他们要设置的时间都是一样的。前面分析了那么多，这里应该不难看出

1 TACLS 很明表示的是CLE/ALE 的建立时间（这里并不准确，其实是CLE/ALE有效到WE 变成低电平之间的时间，但 WE 却是在上升沿才锁存命令/地址）

2 TWRPH0 代表的是WE 的脉冲宽度，即有效时间

3 TWRPH1 代表的是CLE/ALE 的保持时间

那到底设置成什么数字呢。既然上图中读/写/命令/地址操作需要的时间参数都是一样的

那么我们从nand flash中随便找一个命令时序来对照不就行了

就拿上面我们说过的命令锁存时序来对比

那么我们就能得到下面的关系

TWRPH0 = tWP

TWRPH1 = tCLH

TACLS = tCLS - tWP

然后设置成多少呢？看手册啊，手册中对 tWP tCLH tCLS 都会至少给出需要的最小时间

这款芯片nand flash手册中这三个参数要求是

所以TWRPH0 = tWP >=12ns

TWRPH1 = tCLH >=5ns

TACLS = tCLS - tWP >=0；

而这三个参数在s3c2440的数据手册中说明为

当然这里的时间都是以HCLK 为单位的，这几个参数是在nand flash控制寄存器中的NFCONF中设置的

这里我没用使用MPLL 所以HCLK是12MHZ

所以TWRPH0 = 0 TWRPH1 =0 TACLS =0; (如果你的时钟频率比较高，那就要设别的数了。当然有是有你真不知道，设置大点总没错，只不过速度可能会慢点。)

所以NFCONF =0;（NOFCONF其他位数据手册中有说明，这里只是简单读操作，其他位可以不设置）

然后是初始化一下ECC 使能nand flash控制器（我们只是设置了几个时间参数，时序的具体操作就是靠他来完成的，所以要使能他）

然后先取消片选nand flash 因为我们现在还没有操作它啊，只是初始化一下。所以还是应该先取消片选，等真正读的时候再使能片选信号

NFCONT = (1<<4) | (1<<1) (1<<0);

（数据手册中有对应位的说明）

最后，第一次使用nand flash 我们需要复位操作一下。

综上，nand flash 的初始化代码如下

void nand_init(void){

NFCONF =0;

NFCONT = (1<<4) | (1<<1) | (1<<0);

nand_reset(); //nand reset代码在后面

}

下面代码一些地址的写法是与nand flash 型号有关的。具体需要参考芯片手册

void select_chip(void){

NFCONT &= (~(1<<1)) ;

int i;

for(i=10;i>0;i--);

}

void deselect_chip(void){

NFCONT |= (1<<1);

int i;

for(i=10;i>0;i--);

}

void write_command(unsigned char command){

NFCMMD = command;

int i;

for(i=10;i>0;i--);

}

/*

这款nand flash 的页大小是2K

五个地址周期 (2个列地址和3和行地址（页地址）) */

void write_address(unsigned int address){

unsigned int page = address/2048;

unsigned int col = address&2048;

int i;

NFADDR = col & 0xff;

for(i=5;i>0;i--);

NFADDR = (col >>8) & 0x0f;

for(i=5;i>0;i--);

NFADDR = page & 0xff;

for(i=5;i>0;i--);

NFADDR = (page >>8)& 0xff;

for(i=5;i>0;i--);

NFADDR = (page >>16)&0x01;

for(i=5;i>0;i--);

}

unsigned char read_one_data(void){

return NFDATA;

int i;

for(i=10;i>0;i--);

}

void wait_ready(void){

while(!(NFSTAT & 1));

int i;

for(i=10;i>0;i--);

}

static void nand_reset(void){

select_chip();

write_command(0xff);

wait_ready();

deselect_chip();

}

void nand_init(void){

NFCONF =0;

NFCONT = (1<<4) | (1<<1) | (1<<0);

nand_reset();

}

/*

nand flash 的读操作是以页为单位的。

des: nand flash中读出的数据放到哪

start_addr：从哪里开始读

size: 读多大

*/

void nand_read(unsigned char *des,unsigned int start_addr,unsigned int size){ unsigned int col = start_addr & 2048;

select_chip();

unsigned int start = start_addr;

unsigned int end = start_addr + size;

while(start < end){ //每读一页需要发一次命令

write_command(0x00);

write_address(start);

write_command(0x30);

wait_ready();

while((col<2048) && (start

*des = read_one_data();

des++;

col++;

start++;

}

col =0;

}

deselect_chip();

}

全面教你认识内存参数

全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28

内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存

DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片

怎么看时序图--nand flash的读操作详解

这篇文章不是介绍nand flash的物理结构和关于nand flash的一些基本知识的。你需要至少了解你手上的nand flash的物理结构和一些诸如读写命令 操作的大概印象，你至少也需要看过s3c2440中关于nand flash控制寄存器的说明。 由于本人也没有专门学过这方面的知识，下面的介绍也是经验之谈。 这里我用的K9F2G08-SCB0 这款nand flash 来介绍时序图的阅读。不同的芯片操作时序可能不同，读的命令也会有一些差别。 当然其实有时候像nand flash这种s3c2440内部集成了他的控制器的外设。具体到读写操作的细节时序(比如CLE/ALE的建立时间，写脉冲的宽度。数据的建立和保持时间等)，不明白前期也没有多大的问题。 因为s3c2440内部的nand flash控制器做了大部分的工作，你需要做的基本就是设置几个时间参数而已。然后nand flash会自动进行这些细节操作。 当然如果处理器上没有集成nand flash的控制器那么久必须要自己来写时序操作了。所以了解最底层的时序操作总是好的 但是上层一点的，比如读写操作的步骤时序（比如读操作，你要片选使能，然后发命令，然后发地址，需要的话还需发一个命令，然后需要等待操作完成，然后再读书数据）。 是必须要明白的。这都不明白的话，怎么进行器件的操作呢 也就是说s3c2440 可以说在你设置很少的几个时间参数后，将每一个步骤中细微的操作都替你做好了。（比如写命令，你只要写个命令到相应寄存器中，cpu内部就会协各个引脚发出 适应的信号来实现写命令的操作）。 而我们所需要做的就是把这些写命令，写地址，等待操作完成。等步骤组合起来。从而完成一个读操作 就像上面说的，虽然我们不会需要去编写每个步骤中的最细微的时序。但是了解下。会让你对每个操作步骤的底层细节更加明了 先来看一个命令锁存的时序。也就是上面说的读nand flash操作中不是有一个写命令步骤吗。那么这个步骤具体是怎么实现的。 首先我们肯定是要片选nand flash。只有选中芯片才能让他工作啊 nand flash是通过ALE/CLE (高电平有效)来区分数据线上的数据时命令（CLE有效），地址（ALE有效）还是数据（CLE/ALE都无效）。 那么这里既然是写命令那么就一定是CLE有效（高电平）ALE无效（低电平）。 同样命令既然是写给nand flash的那么肯定有一个写周期。我们需要注意的是，写是在上升沿有效还是下降沿有效。

NAND Flash中文版资料

NAND Flash 存储器 和 使用ELNEC编程器烧录NAND Flash 技术应用文档 Summer 翻译整理 深圳市浦洛电子科技有限公司 August 2006

目录 一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18

很容易理解的上电时序

一步: 未插电源时主板准备上电的状态 装入电池后首先送出实时时钟RTCRST# &V_3V_BAT给南桥。 晶体(Crysta)提供 32.768KHZ频率给XX。 第二步： 插上电源后的主板动作时序 +5Vsb正常转换出+3VDUAL SIO(IT8712K> 67脚Check电源是否正常提供+5VSB电压。 SIO(IT8712K> 85脚发出RSMRST信号通知南桥+5VSB已经准备南桥正常送出待机时钟SUSCLK (32KHZ。 第三步： 按下电源按钮后的动作时序 使用者按下电源控制面板上电源按钮后，送出一个低电平触发脉冲给SIO (IT8712K)75 脚。 SIO( IT8712K收到后由72脚发出一个低电平触发脉冲给南桥。 SB送出SLP_S3和SLP_S4两个休眠信号给SIO( IT8712K)的71脚和77脚。 SIO(IT8712K 76 脚发出PS_ON#(Low开机信号给ATX Power的14 脚。 当ATX Power 接收到PSON#k High 变Low 后,ATX Power即送出士12V,+

3.3V, 士数组主要电压. 般当电源送出的+ 3.3Vand +5V正常后,SIO (IT8712K)的95 脚ATXPG言号由5V通过R450和R472两个 8.2K的电阻分压提供侦测信号。 Super IO侦测到5V电压正常后，即送出PWROK给南北桥，通知南北桥此时ATX Main Power 送出OK。 当ATX Power送出士12V, + 3.3V, 士数\组Ma in Power电压后，其它工作电压如+ 1.8V, + 1.5V, 1.05V, MCH 1.2V, 2.5V, 2.5V-DAC + 5VAVDD VTT-DDR 0.9V等也将随后全部送出。 当+VTT_GMCH送给CPU后,CPU会送出VTT_OL 控制产生VTT-PWRGDt 号［High］给CPU, VRM 芯片； CPU用VTT_PWRGD言号会发出VID［0:5］。 VRM芯片收到VTT_PWRGD后会根据VID组合送出Vcore. 在VCOREE常发出后，VCORE芯片即送出VRMGD信号给南桥ICH7,以通知南桥此时VCOR田经正常发出。

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SPI总线协议及SPI时序图详解

SPI总线协议及SPI时序图详解 SPI，是英语Serial Peripheral Interface的缩写，顾名思义就是串行外围设备接口。SPI，且在芯片的管脚上只占用四根线，节约了芯片的管脚，同时为PCB的布局上节省空间，提供方越多的芯片集成了这种通信协议。 SPI是一个环形总线结构，由ss(cs)、sck、sdi、sdo构成，其时序其实很简单，进行数据交换。 上升沿发送、下降沿接收、高位先发送。 上升沿到来的时候，sdo上的电平将被发送到从设备的寄存器中。 下降沿到来的时候，sdi上的电平将被接收到主设备的寄存器中。 假设主机和从机初始化就绪：并且主机的sbuff=0xaa (10101010)，从机的sbuff=0x5周期的数据情况演示一遍(假设上升沿发送数据)。 --------------------------------------------------- 脉冲主机sbuff 从机sbuff sdi sdo --------------------------------------------------- 0 00-0 10101010 01010101 0 0 --------------------------------------------------- 1 0--1 0101010x 10101011 0 1 1 1--0 0101010010101011 0 1 --------------------------------------------------- 2 0--1 1010100x 01010110 1 0

2 1--0 1010100101010110 1 0 --------------------------------------------------- 3 0--1 0101001x 10101101 0 1 3 1--0 0101001010101101 0 1 --------------------------------------------------- 4 0--1 1010010x 01011010 1 0 4 1--0 1010010101011010 1 0 --------------------------------------------------- 5 0--1 0100101x 10110101 0 1 5 1--0 0100101010110101 0 1 --------------------------------------------------- 6 0--1 1001010x 01101010 1 0 6 1--0 1001010101101010 1 0 --------------------------------------------------- 7 0--1 0010101x 11010101 0 1 7 1--0 0010101011010101 0 1 --------------------------------------------------- 8 0--1 0101010x 10101010 1 0 8 1--0 01010101 10101010 1 0 --------------------------------------------------- 这样就完成了两个寄存器8位的交换，上面的0--1表示上升沿、1--0表示下降沿，s

DDR内存时序设置详解

内存时序设置详解 内容概要 关键词：内存时序参数设置 导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。 与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。 FSB与内存频率的关系 首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。

FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系 强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置 内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： ?CPC : Command Per Clock ?tCL : CAS Latency Control ?tRCD : RAS to CAS Delay ?tRAS : Min RAS Active Timing ?tRP : Row Precharge Timing ?tRC : Row Cycle Time ?tRFC : Row Refresh Cycle Time ?tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) ?tWR : Write Recovery Time ?……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。

A80上电时序分析(上电全)

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TOSHIBA A80 上电时序分析
电路图为 LA-2491 一． 预加电电路（点火电路） a) VIN 的产生： VIN 实为 Adapter 电压， 接入 AC 后， Adapter 的 15V 直流电压经由保险管 PF1 形成 15V 的 VIN。VIN 的作用如下：
1． 给 PU1 供电，PU1 的作用有二：首先，作为 VIN 检测电路；其次，作为预加电检测电路； 2． 经由 PQ4、PQ5 形成主电压 B+； 3． 通过 PD2、PR8 产生 VS：VS 与 BATT_A 相与合成产生 CHGRTCP（Charger RTC Power） ， 以产生 RTCVREF；给检测电路 PU1 供电；给+3VALWP、+5VALWP 电源控制芯片 MAX1902 供电。 同时通过 PR85 产生 MAX1902 的 SHDN#。 需重点说明的是 VS 与 BATT_A 是如何相与后合成产生 CHGRTCP， 原因很简单， 因为 PQ1 采用 的是 TP0610T， TP0610T 其实是带有内部源-漏二极管的 P 沟道 MOS 管， 而 此二极管阳极接漏极 （PIN1） ， 阴极接源极（PIN3） ，但电路图上并没有标明，所以容易产生误判。所以只要有了 VIN，则 VIN 会通 过 PQ1 内部的二极管而形成 CHGRTCP（而不是通内导电沟道，因为此时 PQ1 的栅极为 15V） ，从而 会马上产生 RTCVREF。 4． 通过 PD3，PR28、PR29、PR32 以及 B+电压端子上数个大电容组成了一个时间常数很大的 RC 延时电路，延时后产生的 B+（此时不是真正的系统主电压，只有当 PQ4 和 PQ5 完全导通后才能 真正的算得上产生了系统主电压 B+） 。延时的时间有几百毫秒。
b) VL 的产生 因为有了 VS，所以 MAX1902 PIN22 得到了 15V 的电源，且同时将 PIN23 （SHDN#） 抬为高电平，MAX1902 立即输出稳定的+5V VL。VL 电压将送往 PU1B 作为基准电压及 上拉电压，也作为 PU1B 判断 VL 存在的依据。 c) ACIN、PACIN 的产生（其实这个电路就是仁宝厂家最常用的所误谓的点火电路） 由图 1、图 2 可见，PU1A 及 PU1B 都为电压比较器，两个比较器为了更好的排除 干扰，使电路更加稳定，均采用了同相输入滞回较器，PR1 和 PR60 为反馈电阻 。电 压比较器采用的是 LM393，该器件输出为集电极开路输出，所以必须在输出端引入上 拉电阻 PR2、PR67。 当接入 AC 后，首先会产生 3.3V 的 RTCVREF，PU1 第三脚的电压为
PR 6 VIN PR 6 + PR3 20 K = 15V 61.9 K + 20 K = 3.7V
显然，PU1A 的正相端 3.7V 比反相端的 3.3V 高 0.4V，从理论上讲此时 PU1 会在 其 PIN1 输出 3.7V 的 ACIN、PACIN。但实际上此时 PIN1 输出的 ACIN、PACIN 是先 经过 2.3V 电压之后才上升为 3.7V 的。原因在于 PU1 PIN7 脚此时的电压为 OV，所以 导致 ACON（ACOFF#为 15V）此时电压为 0.7V，如图 2 所示。 注意的是， 这个电路是用来检测 VIN 大小的， 它决定多大的 VIN 可以输出 ACIN、 PACIN，要使 LM393 PIN1 能有输出，我们 LM393 PIN3 必须为 3.3V，这样 LM393 才 能进入临界状态，从来推算出 VIN。计算如下：

电脑内存时序

举例9-9-9-27，一般1600的条子spd出厂就这么设置的 前面2个9对性能很重要，第2个9又比第1个9重要，比如说 我要超1866或者2133，设置成9-10-X-X基本没有问题，但是 设置成10-9-X-X就开不了机了，很多条子都这样子的，比如说 现在很火的3星金条。 第3位9基本上是打酱油的了，设置成9,10,11都对性能木有太大影响。 第4位数字基本就无视好了，设置21-36对测试都没变化，原来稳定的 还是稳定，原来开不了机的还是开不了。 以前的ddr2时代对内存的小参数很有影响，现在ddr3了，频率才是王道哦。 2133的-11-11-11-30都要比1866的-9-9-9-27测试跑分的多。当然平时用是感觉不出来的。 最后我再鄙视下金士顿的XX神条马甲套装，当年不懂事大价钱买的，就是YY用的， 1.65v上个1866都吃力，还要参数放的烂。 对性能影响最大的是CL 第一个9对性能影响最大。l第二个9对超频稳定性影响最大 最普通的ddr3 1333内存都可以1.5V运行在7-8-6-1666 CR1，77 Z博士： 一般来说，体现内存延迟的就是我们通常说的时序，如DDR2-800内存的标准时序：5-5-5-18，但DDR3-800内存的标准时序则达到了6-6-6-

15、DDR3-1066为7-7-7- 20、而DDR3-1333更是达到了9-9-9-25！ 土老冒： 俺想知道博士所说的5-5-5- 18、6-6-6-15等数字每一个都代表什么。 Z博士： 这4个数字的含义依次为： CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，这也是内存最重要的参数之一，一般来说内存厂商都会将CL值印在产品标签上。 第二个数字是RAS－to－CAS Delay（tRCD），代表内存行地址传输到列地址的延迟时间。 第三个则是Row－precharge Delay（tRP），代表内存行地址选通脉冲预充电时间。 第四个数字则是Row－active Delay（tRAS），代表内存行地址选通延迟。 除了这四个以外，在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel芯片组上，如NVIDIA nForce 680i SLI芯片组上，还支持内存的CMD 1T/2T Timing 调节，CMD调节对内存的性能影响也很大，其重要性可以和CL相比。 其实这些参数，你记得太清楚也没有太大用处，你就只需要了解，这几个参数越低，从你点菜到上菜的时间就越快。 土老冒： 好吧，俺自己也听得一头雾水，只需要记得它越低越好就行了。那么俺想问，为什么DDR3内存延迟提高了那么多，Intel和众多的内存模组厂商还要大力推广呢？

微星970A-G46主板BIOS图文详解教程

微星9系列主板支持AMD推土机。BIOS采用第2代UEFI图形BIOS（Click BIOS II）。AMI BIOS 设置基本都一样，这里以970A-G46为例，讲解BIOS设置。 Version E7693AMS 版BIOS界面如下：Click BIOS II是由MSI开发，它提供了一个图形用户界面。通过鼠标和键盘来设置BIOS参数。最大的改进是提高BIOS首页的信息量。整个页面分为二大部分，信息显示区和BIOS设置区。 通过Click BIOS II 用户可以改变BIOS设置，检测CPU温度、选择设备启动优先权并且查看系统信息，例如：CPU名称，DRAM容量，操作系统版本和BIOS版本。用户可以从备份中导入数据资料也可以与朋友分享导出数据资料。通过Click BIOS II连接英特尔网，用户可以再你的系统中浏览网页，检查MAIL和实用Live Update来更新BIOS。 温度检测 此区域显示了处理器和主板的温度 系统信息 此区域显示日期，时间，CPU名称，CPU频率，DRAM频率，DRAM容量和BIOS版本。 BIOS菜单选择 这些区域用来选择BIOS菜单。下列选项可用的： ▲SETTING主板设置- 使用此菜单指定芯片组功能，启动设备的设置。 ▲OC超频设置- 此菜单包含频率和电压调整选项，增加频率可能获得更好的性能，然而，高频率和高温度可能导致不稳定。我们不建议普通用户超频。 ▲ECO节能设置–此菜单与节能设置相关联。 ▲BROWSER浏览器- 此功能用来进入MSI Winki网页浏览。 ▲UTILITIES适应程序–此菜单包含备份和升级功能。 ▲SECURITY安全设置–此安全菜单用来放置未经许可而做任意更改的设置。你可以使用这些安全功能来保护你的系统。 设备启动优先权栏 此状态栏显示了启动设备的优先权，高亮的图片表示设备是可用的。 高优先权低优先级 按住图标后左右拖曳来指定启动优先权。 启动菜单 此菜单按钮用来打开一个启动菜单。用鼠标点击此选项迅速从设备中启动系统。 模式按钮 此功能允许你预先导入节能或超频功能 BIOS设置常用的功能键： 一、S ETTINGS（主板设置） 点击进入主板设置。 主板设置的选项。

NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)

NOR-FLASH驱动文档(SST39VF1601)2012-03-30 00:57:33 NOR-FLASH是最早出现的Flash Memory，目前仍是多数供应商支持的技术架 构.NOR-FLASH在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用,但是由于NOR-FLASH只支持块擦除,其擦除和编程速度较慢，而块尺寸又较大，导致擦除和编程操作所花费的时间很长,所以在纯数据存储和文件存储的应用中显得力不从心. NOR-FLASH的特点是: 1. 程序和数据可存放在同一芯片上，FLASH芯片拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随 机读取，并且允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行； 2. 可以单字节或单字读取，但不能单字节擦除，必须以部分或块为单位或对整片执行擦除操 作，在执行写操作之前,必需先根据需要对部分,块或整片进行擦除,然后才能写入数据。 以SST系列NOR-FLASH芯片为例介绍FLASH的使用方法及驱动. 首先,在驱动的头文件中,要根据芯片的具体情况和项目的要求作如下定义: 1. 定义操作的单位,如 typedef unsigned char BYTE; // BYTE is 8-bit in length typedef unsigned short int WORD; // WORD is 16-bit in length typedef unsigned long int Uint32; // Uint32 is 32-bit in length 在这里地址多是32位的,芯片写操作的最小数据单位为WORD,定义为16位,芯片读操作的最小数据单位是BYTE,定义为8位. 2. 因为芯片分为16位和32位的,所以对芯片的命令操作也分为16位操作和32位操作(命令 操作在介绍具体的读写过程中将详细介绍). #ifdef GE01 /*宏NorFlash_32Bit，若定义了为32位NorFlash，否则为16位NorFlash*/ #define NorFlash_32Bit #endif 3. 根据芯片的情况,定义部分(段)和块的大小. #define SECTOR_SIZE 2048 // Must be 2048 words for 39VF160X #define BLOCK_SIZE 32768 // Must be 32K words for 39VF160X

DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael

D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.doczj.com/doc/08438491.html,

目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)

摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao

电脑练习题讲解

单选题 一.单选题 1.第一台电子数字计算机的名称是________。 A、ENIAC B、ENIAVC C、APPLE D、EDSAC 答案（A) 2.第二代计算机其主要器件是由________ 构成。 A、集成电路 B、晶体管 C、电子管 D、大规模集成电路 答案（B) 3.在计算机内部用于汉字存储运算等处理的信息代码是________。 A、汉字输入码 B、汉字机内码 C、汉字字形码 D、汉字交换码 答案（B） 4.________不等于1MB。 A、2的20次方字节 B、1000KB C、1024*1024字节 D、1024KB 答案（B） 5.计算机的存储量是以KB为单位的，1KB表示________。 A、1024个字节 B、1024个二进制信息位 C、1000个字节 D、1000个二进制信息位答案（A） 6.________不是存储容量的单位。 A、bit B、KB C、MB D、GB 答案（A） 7.世界上公认的第一台电子计算机逻辑元件是________。 A、集成电路 B、晶体管 C、电子管 D、继电器 答案（C） 8.16×16点阵的汉字要占用________个字节。 A、8 B、36 C、32 D、256 答案（C） 9.计算机中信息存储的最小单位是________。 A、位 B、字长 C、字节 D、字 答案（C） 10.计算机的存储器容量，常用KB作单位，其中B是表示________。 A、位 B、字长 C、字节 D、字 答案（C） *11.不同型号的计算机，就其工作原理而论都是基于________原理。 A、二进制数 B、布尔代数 C、开关电路 D、存储程序控制 答案（D） 12.CAD是________的英文缩写。 A、计算机辅助教学 B、计算机辅助设计 C、计算机辅助制造 D、计算机辅助控制答案（B） 13.CAM是________的英文缩写。 A、计算机辅助教学 B、计算机辅助设计 C、计算机辅助制造 D、计算机辅助控制答案（C） 14.字符的ASCII码十进制值为71，其十六进制表示为________。

浅谈NorFlash的原理及其应用

浅谈NorFlash的原理及其应用 NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3 、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND 的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解 NOR

网上商城概要设计说明书时序图状态图用例图

北大青鸟网上商城系统 概要设计说明书 第一部分:引言 1.1编写目的 本说明是北大青鸟网上商城电子商务系统案例研究项目软件产品的总体设计和实现说明，记录了系统整体实现上技术层面上的考虑，并且以需求说明作为依据，同时该文档将作为产品实现、特性要求和控制的依据。 软件开发小组的每一位参与开发成员应该阅读本说明，以清楚产品在技术方面的要求和实现策略，本手册将进行技术评审和技术的可行性检查，同时为下一步的详细设计说明提供框架。 1.2背景 A、软件系统的名称：北大青鸟网上商城系统 B、任务提出者：北大青鸟九月J2EE班级第三小组 开发者：北大青鸟九月J2EE班级第三小组 实现完成的系统将作为线销售系统使用，所应用的网络为Internet网络。 C、本系统将是一个独立的系统，目前所产生的输出都是独立的。 本系统将使用Oracle9i作为数据库存储系统. 1.3定义

1.4参考资料 相关的文件包括： A、内部文件《北大青鸟网上商城电子商务系统案例研究项目》； B、北大青鸟网上商城电子商务系统案例研究项目分析会议备忘录； C、《北大青鸟网上商城电子商务系统案例研究项目可行性分析》； 参考资料： A、北大青鸟Aptech ACCP3.0 Y2《基于软件开发项目的毕业设计》； B、国家标准《软件需求说明书（GB856T——88）》； C、亚马逊网站的软件需求说明； 合同： A、《北大青鸟网上商城电子商务系统案例研究项目合同20040510 - 2》；

第二部分:总体设计 2.1需求规定 需求规定的详细内容，请参考独立的文档《北大青鸟网上商城项目需求说明》. 2.2运行环境 2.2.1、硬件设备要求： 客户程序硬件要求： 具有Pentium III 处理器且满足以下要求的计算机： 最低64 MB 内存 最小 2.1 GB 硬盘 鼠标 键盘 服务器硬件需求： 具有Pentium III 处理器且满足以下要求的计算机： 最低512MB 内存 最小8 GB 硬盘 鼠标 键盘 2.2.2、支持程序 客户程序软件： Windows 98/NT /2000或更高版本 数据库服务器软件： Windows NT / 2000 Server 或更高版本 Oracle9i/SQL Server 2000/My Sql/Access

如何读懂时序图

https://www.doczj.com/doc/08438491.html,/itangcle CPE/EE 421 Microcomputers WEEK #10 Interpreting the Timing Diagram 如何读懂时序图 The 68000 Read Cycle

2 Alan Clements 3 Actual behavior of a D flip - f lop Timing Diagram of a Simple Flip - F lop Idealized form of the timing diagram Data hold time Data setup time Max time for output to become valid after clock 4 An alternative form of the timing diagram General form of the timing diagram

A memory access begins in clock state S0 and ends in state S7 6

The most important parameter of the clock is the duration of a cycle, t C YC.

8 Address Timing 地址时序 ?We are interested in when the 68000 generates a new address for use in the current memory access 我们感兴趣的是当6800芯片能够生成一个新的地址供当前的内存访问 ?The next slide shows the relationship between the new address and the state of the 68000 ’s clock 下面展示的是新的地址跟6800芯片时钟的 关系 Alan Clements

总结NAND FLASH控制器的操作

NAND FLASH相对于NOR FLASH而言，其容量大，价格低廉，读写速度都比较快，因而得到广泛应用。NOR FLASH的特点是XIP，可直接执行应用程序， 1～4MB时应用具有很高的成本效益。但是其写入和擦除的速度很低直接影响了其性能。 NAND FLASH不能直接执行程序，用于存储数据。在嵌入式ARM应用中，存储在其中的数据通常是读取到SDROM中执行。因为NAND FLASH主要接口包括 几个I/O口，对其中的数据都是串行访问，无法实现随机访问，故而没有执行程序。 NAND FLASH接口电路是通过NAND FLAH控制器与ARM处理器相接的，许多ARM处理器都提供NAND FLASH控制器，为使用NAND FLASH带来巨大方便。 K9F2G08U0B是三星公司的一款NAND FLASH产品。 K9F2G08U0B包含8个I/O，Vss、Vcc、以及控制端口（CLE、ALE、CE、RE、WE、WP、R/B）。其存储结构分块。 共2K 块 每块大小16 页 每页大小2K + 64BYTE 即容量=块数×页数×每页大小=2K×16×（2K + 64BYTE）=256M BYTE + 8M BYTE NAND FLASH控制器提供了OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14、GPG15共5个信号来选择NAND FLASH启动。 OM[1:0]=0b00时，选择从NAND FLASH启动。 NCON：NAND FLASH类型选择信号。 GPG13：NAND FLASH页容量选择信号。 GPG14：NAND FLASH地址周期选择信号。 GPG15:NAND FLASH接口线宽选择。0：8bit总线宽度；1：16bit总线宽度。 访问NAND FLASH 1）发生命令：读、写、还是擦除 2）发生地址：选择哪一页进行上述操作 3）发生数据：需要检测NAND FLASH内部忙状态 NAND FLASH支持的命令： #define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1 #define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2 #define CMD_READID 0x90 //读ID 命令 #define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1 #define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2 #define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1 #define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2 #define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令 #define CMD_RESET 0xff //复位 #define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1