半导体超晶格和多量子阱

量子阱半导体激光器：本文主要叙述了量子阱半导体激光器发展背景、基本理论、主要应用与发展现状。一、发展背景1962年后期，美国研制成功GaAs同质结半导体激光器，第一代半导体激光器产生。但这一代激光器只能在液氮温度下脉冲工作，无实用价值。直到1967年人们使用液相外延的方法制成了单异质结激光器，实现了在室温下脉冲工作的半导体激光器。1970年，贝尔实验室有一举

光子学原理课程期末论文——量子阱原理及其应用信息科学与技术学院 08电子信息工程杨晗 23120082203807题目：量子阱原理及其应用作者：杨晗 23120082203807摘要：随着半导体量子阱材料的发展,量子阱器件广泛应用于各种领域.本文主要介绍量子阱的基本特征,重点从量子阱材料、量子阱激光器、量子阱LED、等方面介绍量子阱理论在光电器件方面的发展及

3.3 超晶格中的微带(miniband)和态密度超晶格势垒区较薄时，阱中量子化的孤立能级相互耦合 而成微带结构。微带有载流子公有化运动。超晶格布里渊区 小，带宽小，呈现一系列新现

思考：△n＝0准则的实质？5、实验验证6、体材料与量子阱的光谱特性(a)Ec+CB(b)E g(E) (c)E [1–f(E)] For electrons Ec EF E

上海大学2016 ～2017 学年秋季学期研究生课程考试（论文）课程名称：半导体材料(Semiconductor Materials) 课程编号：101101911论文题目: 量子阱及量子阱半导体激光器简述研究生姓名: 陈卓学号: 16722180论文评语:（选题文献综述实验方案结论合理性撰写规范性不足之处）任课教师: 张兆春评阅日期:课程考核成绩量子阱及量

量子阱半导体激光器的的基本原理及其应用无研01 王增美（025310）摘要：本文主要阐述了量子阱及应变量子阱材料的能带结构，以及能态密度和载流子有效质量的变化对激光器阈值电流等参数的影响，简要说明了量子阱激光器中对光场的波导限制。最后对量子阱半导体激光器的应用作了简要的介绍，其中重点是GaN 蓝绿光激光器的发展和应用。引言半导体激光器自从1962年诞生以来，

3 量子阱器件的应用3 . 1 量子阱红外探测器量子阱红外探测器(QWIP)是20世纪90年代収展起来的高新技术。与其他红外技术相比,QWIP具有响应速度快、探测率与HgCdTe探测器相近、探测波长可通过量子阱参数加以调节等优点。而且,利用MBE 和MOCVD等先迚工艺可生长出高品质、大面积和均匀的量子阱材料, 容易做出大面积的探测器阵列。正因为如此,量子阱

量子阱半导体激光器的原理及应用刘欣卓（06009406）（东南大学电子科学与工程学院南京 210096）光电调制器偏置控制电路主要补偿了激光调制器的温漂效应，同时兼顾了激光器输出功率的变化。链路采用的激光器带有反馈PD，输出对应的电压信号。该信号经过放大后直接作为控制系统的输入,将两者的电压相减控制稳定后再放大。反馈光信号经过光电转换和滤波放大两个环节。最后

量子阱半导体激光器摘要：本文主要叙述了量子阱半导体激光器发展背景、基本理论、主要应用与发展现状。一、发展背景1962年后期，美国研制成功GaAs同质结半导体激光器，第一代半导体激光器产生。但这一代激光器只能在液氮温度下脉冲工作，无实用价值。直到1967年人们使用液相外延的方法制成了单异质结激光器，实现了在室温下脉冲工作的半导体激光器。1970年，贝尔实验室有

关于量子阱器件的发展及其应用1引言量子阱件，即指采用量子阱材作为有源区的光电器件，材料生长一般是采用MOCVD外廷技术。这种器件的特就在于它的量子阱有源区具有准维特性和量子尺寸应。二维电子空穴的态密度是阶状分布，量子尺寸效应决定了子空穴不再连续分布而是集占据着量子化第一子能级，益谱半宽大为降低、且价带上轻重穴的简并被解除，价带间的吸降低。2量子阱器件基本原理

浅谈量子阱器件的发展及其应用半导体量子阱材料的发展，极大地拓宽了光电材料的范围，而量子阱材料本身也被广泛应用于制作各种光电器件。本文首先介绍了量子阱的基本原理，然后重点介绍了量子阱器件的结构，最后总结了量子阱的各个应用领域。标签：量子阱；器件；红外探测器；激光器；1 引言量子阱器件,即指采用量子阱材料作为有源区的光电子器件,材料生长一般是采用MOCVD外廷技

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一维双势垒超晶格ห้องสมุดไป่ตู้构的隧穿特性张 立 纲 等 首 先 在 GaAs/AlxGa1-xAs 双势垒 结构中观察到共振隧穿 现象。实验测量的是隧穿电流与电极上

西南交通大学固体物理课程技术报告量子阱半导体激光器的介绍及应用年级: 2009级学号: 09041124姓名: 李慧专业: 通信与信息系统老师: 潘炜教授摘要：本文从光子技术的发展入手，首先了介绍了半导体激光器的研究现状及前景，并阐述什么是半导体激光器和量子阱。讲述了半导体激光器的工作原理及优缺点，以及量子阱在半导体中应用——量子阱半导体激光器。关键词：半导

8.2-3 k y kz kt 为横向传播的波矢，yz方向的解和体材料 （自由电子近似）一致2 2 2 ( k k y z ) ( y , z ) Et ( y

EcAE2EgA EgB EcBE1EvB EvA多量子阱能带图∆Ec ∆EvE2 E1超晶格能带图超晶格分类（1）组分调制超晶格 （2）掺杂调制超晶格 （3）应变超晶格 （4）多

浅谈量子阱器件的发展及其应用摘要：半导体量子阱材料的发展，极大地拓宽了光电材料的范围，而量子阱材料本身也被广泛应用于制作各种光电器件。本文首先介绍了量子阱的基本原理，然后重点介绍了量子阱器件的结构，最后总结了量子阱的各个应用领域。1 引言,即指采用量子阱材料作为有源区的光电子器件,材料生长一般是采用mocvd外廷技术。这种器件的特点就在于它的量子阱有源区具有

光子学原理课程期末论文——量子阱原理及其应用信息科学与技术学院08电子信息工程杨晗23120082203807题目：量子阱原理及其应用作者：杨晗23120082203807摘要：随着半导体量子阱材料的发展,量子阱器件广泛应用于各种领域.本文主要介绍量子阱的基本特征,重点从量子阱材料、量子阱激光器、量子阱LED、等方面介绍量子阱理论在光电器件方面的发展及其应用

上海大学2016〜2017学年 秋 季学期研究生课程考试（论 文）课程名称：半导体材料（Semiconductor Materials ）课程编号：101101911论文题目：量子阱及量子阱半导体激光器简述研究生姓名：陈卓学号:16722180论文评语:任课教师：张兆春课程考核成绩（选题文献综述实验方案结论合理性撰写规范性不足之处）评阅日期:量子阱及量子阱半