半导体材料的发展及应用

半导体材料制造技术

【书】硅晶圆半导体材料技术

半导体材料的发展现状与趋势半导体材料与器件发展趋势总结材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学

其中晶态半导体又可以分为单晶半导体和多晶半导体。上述材料中，锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)都是单晶，是由均一的晶粒有序堆积组成；而多晶则是由很多小晶粒杂乱地堆积而成。对于非晶态半导体，有非晶态硅、非晶态锗等，它们没有规则的外形，也没有固定熔点，内部结构不存在长程有序，只是在若干原子间距内的较小范围内存在结构上的有序排列，称作短程有序。另外，在实际

其中晶态半导体又可以分为单晶半导体和多晶半导体。上述材料中，锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)都是单晶，是由均一的晶粒有序堆积组成；而多晶则是由很多小晶粒杂乱地堆积而成。对于非晶态半导体，有非晶态硅、非晶态锗等，它们没有规则的外形，也没有固定熔点，内部结构不存在长程有序，只是在若干原子间距内的较小范围内存在结构上的有序排列，称作短程有序。另外，在实际

半导体材料的发展简史半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光

半导体材料制备技术(一)

芯片半导体材料技术概述技术创新，变革未来第2章半导体材料一、晶体结构二、晶面与晶向三、晶体中的缺陷和杂质四、单晶硅的制备五、晶圆加工晶体结构晶体可分为单晶和多晶，若在整块材料中，原子都是规则的、周期性的重复排列的，一种结构贯穿整体，这样的晶体称为单晶，如石英单晶，硅单晶，岩盐单晶等。多晶是由大量微小的单晶随机堆砌成的整块材料。实际的晶体绝大部分是多晶，如各种

半导体材料的基本特性

半导体材料基础知识

半导体材料及其特性

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。在1874年

半导体材料技术概述

3.3 第三代半导体材料及制造工艺 (1)

半导体材料简介半邝荣初5801310012 环境与化学工程学院制药工程101班制药工程摘要：本文对半导体科学与技术有一个概括性的介绍。内容涉及半导体的定义其基本特性的描述以及种类，重点介绍了硅材料，宽带隙半导材料，低维半导体材料体。关键词：半导体概念种类硅材料硅材料低维半导体材料一、半导体的概念：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体自

第一讲+化合物半导体材料简介

电子工业专用设备Equipment for Electronic Products ManufacturingEPE（总第187期）Aug ．2010宽禁带半导体材料技术李宝珠(中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津300220)摘要：宽禁带半导体材料是一种新型材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点，非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成

小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。1、单晶炉设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。主要企业（品牌）：国际：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。国内：北京京运通、七星华创、北京京仪世纪、河北晶龙阳光、西安理工晶

半导体材料测试技术