半导体材料硅和锗的化学制备

第一章 硅和锗的化学制备.

常用半导体的能带结构

根底知识1.导体,绝缘体和半导体的能带结构有什么不同?并以此说明半导体的导电机理〔两种载流子参与导电〕与金属有何不同？导体：能带中一定有不满带半导体：T=0K，能带中只有满带和空带；T>0K,能带中有不满带禁带宽度较小，一般小于2eV绝缘体：能带中只有满带和空带禁带宽度较大，一般大于2eV在外场的作用下，满带电子不导电，不满带电子可以导电总有不满带的晶体就是

半导体材料及其基本能带结构

硅、锗、砷化镓的能带结构

基础知识1.导体,绝缘体和半导体的能带结构有什么不同？并以此说明半导体的导电机理（两种载流子参与导电）与金属有何不同?导体能带中一定有不满带；绝缘体能带中只有满带和空带,禁带宽度较宽一般大于2eV；半导体T=0 K时，能带中只有满带和空带，T〉0 K时，能带中有不满带，禁带宽度较小,一般小于2eV。(能带状况会发生变化)半导体的导带没有电子，但其价带中电子吸

硅管和锗管的区别二极管具有单向导通的特性。主要作用有整流、稳压、检波。此外还有加入不同材料的发光二极管等用于指示、照明。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。硅二极管和锗二极管的电路性质相同，制造工艺也相同。由于材料的差异，硅二极管的热稳定性好，锗二极管的热稳定性

从晶体二极管的伏安曲线可以看出硅管和锗管有什么区别？区别在于硅管和锗管的空载电压不同。硅管的空载电压为0.3V，即当电压至少达到0.3V时，二极管将导通。锗管的空载电压为0.2V，即锗管的二极管至少达到0.2 V时才会导通。正向工作时，硅二极管的导通电压大于锗二极管，而反向工作时，硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管。当这种差异反映在直流电阻中时，表明硅管的正

电荷密度图、能带结构、态密度的分析能带图的横坐标是在模型对称性基础上取的K点。为什么要取K 点呢？因为晶体的周期性使得薛定谔方程的解也具有了周期性。按照对称性取K点，可以保证以最小的计算量获得最全的能量特征解。能带图横坐标是K点，其实就是倒格空间中的几何点。纵坐标是能量。那么能带图应该就是表示了研究体系中，各个具有对称性位置的点的能量。我们所得到的体系总能量

硅二极管和锗二极管的主要区别如下：在相同电流下，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。硅管的交流电阻小于锗管。换言之，当正向电流达到0.2V时，有必要研究启动电压为0.2V的硅二极管。三个。在反向电压下，硅管的漏电流远小于锗管。开启后，锗管电流增加缓慢，而硅管电流增加较快4硅二极管的反向电流远小于锗二极管。锗管为毫安级，硅管为纳米级。其原因是在相同的温度下，Si

1 锗和硅的化学制备

硅锗砷化镓的能带结构 ppt课件

第一章 半导体的物质结构和能带结构

硅二极管与锗二极管的区别主要如下：在电流相同时，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻。而硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快4.

第一章习题1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为：E c =0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。试求：为电子惯性质量，nm a ak 314.0,1==π（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量; （3）

硅、锗、砷化镓的能带结构

从晶体二极管的伏安曲线可以看出硅管和锗管有什么区别？区别在于硅管和锗管的空载电压不同。硅管的空载电压为0.3V，即当电压至少达到0.3V时，二极管将导通。锗管的空载电压为0.2V，即锗管的二极管至少达到0.2 V时才会导通。正向工作时，硅二极管的导通电压大于锗二极管，而反向工作时，硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管。当这种差异反映在直流电阻中时，表明硅管的正

硅管和锗管的区别用万用表的电阻档X10，任何一对引脚间电阻。有且仅有一对之间是半通（指针在满度的一半或小于一半）的，其它的都不通或微通，就是好的，否则是坏的。二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触

单轴应力锗能带结构研究