电子束曝光EBL培训

电子束曝光技术课程1

电子束曝光技术

集成技术中心技术报告电子束曝光技术中国科学院半导体研究所 半导体集成技术工程研究中心韩伟华Email: weihua@提要„ 设备的组成、性能及相关工艺设备 „ 电子束曝光设备的操作程序 „ 电子束曝光的关键技术¾¾ ¾ ¾ ¾ ¾ ¾曝光模板的设计 电子束光刻胶的厚度控制 电子束的聚焦 坐标系的建立与写场对准 纳米套刻技术 电子束扫描方式与曝光 电子束剂量

Leabharlann Baidu胶的厚度与转速及浓度的关系EL4 ：PMMA在乙酸乙酯（ethyl lactate）中的浓度为4%电子散射与邻近效应电子散射前散射背散射Forwa

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JEOL9300电子束光刻系统及其工艺介绍

电子束曝光系统方案

电子束曝光技术

电子束光刻系统参数要求采购预算：1300万，具体参数要求如下：一、工作条件1. 电源电压：AC 230V 10%，50 Hz三相2. 环境温度：15-25 ℃，电子枪区域 21 +/- 0.25 ℃3. 相对湿度：40 - 70%二、设备配置高斯束电子束曝光系统1.电子束曝光系统主机2.热场发射电子枪 50KeV/100KeV可切换，电子枪寿命不低于8000

电子束与离子束的原理及其异同模具三班一、1.电子束与离子束的加工原理比较电子束加工是在真空条件下，利用聚焦后能量密度极高的电子束，以极高的速度冲击到工件表面极小面积上，在极短的时间（几分之一微秒）内，其能量的大部分转变为热能，使被冲击部分的工件材料达到几千摄氏度以上的高温，从而引起材料的局部熔化和气化，被真空系统抽走。控制电子束能量密度的大小和能量注入时间，

电子束曝光EBL培训ppt课件

提要设备的组成、性能及相关工艺设备 电子束曝光设备的操作程序 电子束曝光的关键技术曝光模板的设计 电子束光刻胶的厚度控制 电子束的聚焦 坐标系的建立与写场对准 纳米套刻技术 电子束扫描方式与曝光 电子束剂量的比较与技术参数高分辨率的纳米曝光图形的实现 电子束光刻用户的培训设备的组成与性能德国EBL Raith150主要用途• 量子纳米器件的微结构：如纳米电子

电子束光刻技术研究摘要：介绍了纳米加工领域的关键技术——电子束光刻技术及其最新进展。简要介绍了电子束光刻技术和目前这种技术所存在的技术缺陷和最新的研究成果和解决办法，如：关于邻近效应的解决，关于电子束高精度扫描成像曝光效率很低的问题，如电子束与其他光学曝光系统的匹配和混合光刻等问题，以及关于抗蚀剂工艺的最新进展等。关键词：电子束光刻技术邻近效应电子束高精度扫

电子束曝光系统ppt课件

电子束曝光技术

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电子束光刻系统与工艺

大有前途的电子束光刻技术摘要:本文介绍了电子束光刻技术的基本原理及发展情况,对电子束光刻技术在现代高技术产业中的重要作用进行了论述,并对比其他微细加工技术,提出要大力发展我国的电子束光刻技术与设备。关键词:微电子技术电子束光刻前途光刻是现代集成电路制造的基础工艺技术,也是最关键、最核心的加工技术。它就像洗相片一样,将电路图形投影到底片(硅芯片)上,然后刻蚀加

电子束曝光系统