2014电子科技大学考研真题_832微电子器件一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会

电子科技大学(成都)考研历年真题之832微电子器件2008--2015年考研真题

今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧。我初试分数不高，外校考生，初试分数340+，而今年线是340，可以说希望不大。但是既然过线，就要努力试试吧。我比较走运，其实大多数考到340+的，很容易在复试时被淘汰。不过，既然上了分数线，就别太灰心。电子科大是一个非常公平的学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们的复试公平公正。

电子科大考研微电子器件2014真题及答案

2019年西安电子科技大学微电子学院硕士研究生拟录取名单

一、北京大学北京大学微电子学系是国家大力支持的重点学科点。北京大学微电子学系，又称微电子学研究所（院），有着源远流长的学术传统。1956年，由著名物理学家黄昆院士在北大物理系领导创建了我国第一个半导体专业机构，之后在我国著名微电子专家王阳元院士的带领下，北京大学微电子学系发展成为我国培养高水平微电子人才的一个重要基地，是国家的重点学科点。二、清华大学清华大学

电子科技大学2011年攻读硕士学位研究生入学试题832微电子器件一、填空题（共64分）1、当发射区掺杂浓度太高时，发射效率变（）这是由于（）和（）。2、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。3、在PN 结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这种电流的原因是存储在（）区

电子科技大学硕士研究生入学考试复试考试大纲-电子科技大学微电子

我初试分数不高，外校考生，初试分数，而今年线是，可以说希望不大.但是既然过线，就要努力试试吧.我比较走运，其实大多数考到地，很容易在复试时被淘汰.不过，既然上了分数线，就别太灰心.电子科大是一个非常公平地学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们地复试公平公正.如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或者你地专业知识非常扎实.个人建议在复试前联系

1 中国高校微电子排名电子科学技术一级学科下设四个二级学科，分别是物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学国家重点学科分布如下:电子科大:物理电子学，电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学西电:电磁场与微波技术，电路与系统，微电子与固体电子学清华:电路与系统，微电子与固体电子学，物理电子学北大:物理电子学，微电子与固体电子学复旦

电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。例如：（）只存在于正向偏压之下；（）

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的

考试科目832微电子器件考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分150分一、总体要求主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。二、内容1．半导体器件基本方程1）半导体器件基本方程的物理意义2）一维形式的半导体器件基本方程3）基本方程的主要简化形式2．PN结1）突变结与线性缓变结的定义

目录电子科技大学概况 0电子科技大学博士、硕士学位授权点一览表 (3)信息与通信工程一级学科博士研究生专业 (5)材料科学与工程一级学科博士研究生专业 (8)计算机科学与技术一级学科博士研究生专业 (10)马克思主义基本原理学科博士研究生专业 (12)思想政治教育学科博士研究生专业 (14)应用数学学科博士研究生专业 (16)等离子体物理学科博士研究生专业

距离考研真正结束已经有快三个月了，好久没来逛论坛了，记得那时迷茫的我在论坛中一个个找帖子看，只要看到“微固”就一定会点进来看，找资料，请教学长……现在，终于告别了我的考研岁月~~~有辛酸，有汗水，更有一份份感动，这其中的滋味，只有走过这段路的人才能真正体会得到！我想说，走过这段路的战友，不管结果如何，你们是真正的英雄！当你选择这条路的时候，其实你应经成功的战

电子科技大学2010年攻读硕士学位研究生入学试题832微电子器件一、填空题1.在反偏的P+N结中，电场峰值出现在()处，且N掺杂浓度越低，则耗尽区宽度越()。耐压越()。向P+区扩展的耗尽区宽度比向N区扩展的耗尽区宽度()，N区耗尽区电荷总数与P+区耗尽区电荷总数()。(5分)2.在分析PN电流电压特性时，肖克莱方程做了以下假设。①()近似；②()近似，③(

第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电

芝士传媒 × 题源库 ...让知识更美味...目录2014年电子科技大学832微电子器件考研真题试题试卷 (2)2015年电子科技大学832微电子器件考研真题试题试卷 (8)2016年电子科技大学832微电子器件考研真题试题试卷 (14)第 1 页，共 18 页

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考试科目 832 微电子器件考试形式 笔试（闭卷）考试时间 180 分钟考试总分 150 分一、总体要求 主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知