场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HE

常用功率MOS管代换品牌INFINEON型号09N03LA,IPS09N03L 封装TO-251极限电压25（V）极限电流50（A）沟道类型N沟道品牌INFINEON型号09N05，SPD09N05 封装TO-252极限电压55（V）极限电流9.2（A）沟道类型N沟道品牌MOT/ON型号20N03L,20N03HL 封装TO-252/TO-251极限电压20

可以相互替代的一些场管．如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换．1、SD9435 SOP-8 ，可替代市面上各类型9435 ：APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、S

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩTO-2523353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩT O-2633354-S 335

如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换1、SD9435 SOP-8 ，可替代市面上各类型9435 APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、

场效应管和三极管的检测方法

IRF系列场效应管参数代换2

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=ΩTO-2523353- ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩT O-2633354-S 3354-Z N-M

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩTO-2523353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩT O-2633354-S 335

.常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且

场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HE

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R X 1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号2SK3225-Z3353- Z3354-S3354-Z3355-ZJ3366-Z3367-Z3377-Z3385-Z3386-Z3900-ZP3901-ZK3902-ZK3943-ZP738-ZMTD10N05A10N05E10N05E110N08E10N08E1器件型号用途及参数替换型号N-MOSFET（耗尽型）用于

场效应管的分类场效应管（FET）是一种电压控制电流器件。其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。场效应管的种类很多，按结构可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管）。MOS管又分

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=ΩTO-2523353- ZN-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩT O-2633354-S 3354-Z N-M

场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HE

常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT）1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET）250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET）250V/55A/310W/

2009-11-16 14:24IRF 系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P 沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管, 没注明的均为N 沟道场效应管.型号Drain-to-Source V oltage 漏极到源极电压Static Drain-SourceOn-State Resis

常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/3